JPH10316427A - Production of stannic oxide tin film and production of indium sesquioxide-stannic oxide tin film - Google Patents
Production of stannic oxide tin film and production of indium sesquioxide-stannic oxide tin filmInfo
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- JPH10316427A JPH10316427A JP14350697A JP14350697A JPH10316427A JP H10316427 A JPH10316427 A JP H10316427A JP 14350697 A JP14350697 A JP 14350697A JP 14350697 A JP14350697 A JP 14350697A JP H10316427 A JPH10316427 A JP H10316427A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、ガラス、セラミ
ックス、プラスチックスなどの基体の表面に酸化錫Ｓｎ
Ｏ2および酸化インジウム−酸化錫Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ
2（ＩＴＯ）の各透明導電性薄膜をそれぞれ形成するた
めのＳｎＯ2薄膜の製造方法およびＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2薄
膜の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing tin oxide Sn on a surface of a substrate such as glass, ceramics and plastics.
O 2 and indium - tin oxide In 2 O 3 -SnO
The present invention relates to a method for producing a SnO 2 thin film and a method for producing an In 2 O 3 —SnO 2 thin film for forming respective transparent conductive thin films of 2 (ITO).
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2薄膜を基板上
に形成するには、例えばジャーナル・オブ・ザ・セラミ
ック・ソサイアティ・オブ・ジャパン（Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆｔｈｅ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ
Ｊａｐａｎ）１０２〔２〕、２００−２０５（１９９
４）に記載されているように、硝酸インジウムと塩化錫
のような金属塩を原料としてＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2ゾルを
調製し、そのゾルを基板上に塗布して、基板表面にゲル
膜を形成した後、そのゲル膜を５５０℃の温度で熱処理
することにより、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2ゲルを結晶化させ
るようにしていた。また、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2薄膜は、
インジウムアルコキシド（Ｉｎアルコキシド）および錫
アルコキシド（Ｓｎアルコキシド）を出発原料としたゾ
ル−ゲル法によっても形成することができる。このよう
な方法によって形成される一般的なＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2
薄膜は、Ｉｎ2Ｏ3を８０重量パーセント以上含んでいる
が、インジウムは、元素としての天然存在量が非常に少
なくて高価である。 2. Description of the Related Art Conventionally, in order to form an In 2 O 3 —SnO 2 thin film on a substrate, for example, the Journal of the Ceramic Society of Japan (Journal)
of Ceramic Society of
Japan) 102 [2], 200-205 (199
As described in 4), a metal salt such as indium nitrate and tin chloride In 2 O 3 -SnO 2 sol was prepared as a raw material, by coating the sol on the substrate, the gel film on the substrate surface Is formed, the gel film is heat-treated at a temperature of 550 ° C. to crystallize the In 2 O 3 —SnO 2 gel. Also, the In 2 O 3 —SnO 2 thin film is
It can also be formed by a sol-gel method using indium alkoxide (In alkoxide) and tin alkoxide (Sn alkoxide) as starting materials. General In 2 O 3 —SnO 2 formed by such a method
The thin film contains 80% by weight or more of In 2 O 3 , but indium has a very small natural abundance as an element and is expensive.
【０００３】また、安価な透明導電膜としてＳｎＯ2が
知られており、このＳｎＯ2薄膜は、噴霧熱分解法によ
り製造されている。例えばチン・ソリッド・フィルムズ
（Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ）１９７、１２９
（１９９１）には、塩化錫ＳｎＣｌ4のメタノール−水
混合溶液を用いてＳｎＯ2薄膜を製造する方法が開示さ
れている。このＳｎＯ2薄膜の製造には、基板を５００
℃以上の温度で加熱処理する必要がある。また、ＳｎＯ
2薄膜はＳｎアルコキシドを出発原料としたゾル−ゲル
法によっても形成することができる。Also, SnO 2 is known as an inexpensive transparent conductive film, and this SnO 2 thin film is manufactured by a spray pyrolysis method. For example, Thin Solid Films 197, 129
(1991) discloses a method for producing a SnO 2 thin film using a methanol-water mixed solution of tin chloride SnCl 4 . For the production of this SnO 2 thin film, the substrate is 500
It is necessary to perform heat treatment at a temperature of at least ℃. In addition, SnO
2 The thin film can also be formed by a sol-gel method using Sn alkoxide as a starting material.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ゾル−
ゲル法によってＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2薄膜やＳｎＯ2薄膜を
形成する、といった方法では、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2やＳ
ｎＯ2を結晶化させて薄膜に導電性を付与するために
は、５００℃以上の高温での加熱処理が必須である。ま
た、噴霧熱分解によってＳｎＯ2薄膜を形成する方法で
も、基板を５００℃以上の温度で加熱処理する必要があ
る。このため、従来の方法によっては、プラスチックス
などのような耐熱性の低い基板上に、導電性を有するＳ
ｎＯ2薄膜やＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2薄膜を形成することがで
きなかった。However, the sol
In the method of forming an In 2 O 3 —SnO 2 thin film or a SnO 2 thin film by a gel method, In 2 O 3 —SnO 2 or S
In order to crystallize nO 2 and impart conductivity to the thin film, heat treatment at a high temperature of 500 ° C. or higher is essential. Also, in the method of forming a SnO 2 thin film by spray pyrolysis, it is necessary to heat the substrate at a temperature of 500 ° C. or higher. For this reason, depending on the conventional method, the conductive S
No nO 2 thin film or In 2 O 3 -SnO 2 thin film could be formed.
【０００５】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、プラスチックスなどの耐熱性の低い
基体上にも、導電性を有するＳｎＯ2薄膜およびＳｎＯ2
を２０重量％以上含むＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2薄膜をそれぞ
れ形成することができるＳｎＯ2薄膜の製造方法および
Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2薄膜の製造方法を提供することを目
的とする。[0005] The present invention has been made in view of the circumstances as described above, even on a low heat resistance substrate such as plastics, SnO 2 thin film and SnO 2 having conductivity
The aims to provide a SnO 2 preparation and In 2 O 3 -SnO 2 method of manufacturing a thin film of a thin film can be formed respectively In 2 O 3 -SnO 2 thin film containing 20 wt% or more.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
錫アルコキシドを含む溶液を加水分解させて得られるゾ
ルを基体の表面に塗布して、基体表面にゲル膜を形成し
た後、そのゲル膜に対して波長が３６０ｎｍ以下である
紫外光を照射し、薄膜を形成しているゲルを結晶化させ
て、導電性を有するＳｎＯ2薄膜を基体表面に形成する
ことを特徴とする。The invention according to claim 1 is
A sol obtained by hydrolyzing a solution containing a tin alkoxide is applied to the surface of a substrate to form a gel film on the surface of the substrate, and the gel film is irradiated with ultraviolet light having a wavelength of 360 nm or less, It is characterized in that the gel forming the thin film is crystallized to form a conductive SnO 2 thin film on the substrate surface.
【０００７】請求項２に係る発明は、インジウムアルコ
キシドおよび錫アルコキシドを含む溶液を加水分解させ
て得られるゾルを基体の表面に塗布して、基体表面にゲ
ル膜を形成した後、そのゲル膜に対して波長が３６０ｎ
ｍ以下である紫外光を照射し、薄膜を形成しているゲル
を結晶化させて、導電性を有しＳｎＯ2を２０重量％以
上含むＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2薄膜を基体表面に形成するこ
とを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, a sol obtained by hydrolyzing a solution containing indium alkoxide and tin alkoxide is applied to the surface of a substrate, and a gel film is formed on the surface of the substrate. On the other hand, the wavelength is 360n
m or less, and the gel forming the thin film is crystallized to form an In 2 O 3 -SnO 2 thin film having conductivity and containing 20% by weight or more of SnO 2 on the surface of the substrate. It is characterized by the following.
【０００８】請求項１に係る発明の製造方法では、Ｓｎ
アルコキシドを含む溶液を加水分解させて得られるゾル
を基体の表面に塗布して、また、請求項２に係る発明の
製造方法では、ＩｎアルコキシドおよびＳｎアルコキシ
ドを含む溶液を加水分解させて得られるゾルを基体の表
面に塗布して、ゲル膜を形成した後、そのゲル膜に対し
て波長が３６０ｎｍ以下である紫外光を照射することに
より、ゲル膜が結晶化されて薄膜に導電性が付与され
る。したがって、ゲル膜の結晶化のために高温での加熱
処理を行う必要が無いので、プラスチックスのような耐
熱性の低い基板上へのＳｎＯ2薄膜やＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2
薄膜の形成も可能になる。なお、紫外光の照射によるゲ
ル膜の結晶化のメカニズムは明確ではないが、紫外光を
ゲル膜が吸収し、そのエネルギーによって原子の再配列
が進行させられ、ＳｎＯ2やＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2が結晶化
するものと考えられる。In the manufacturing method according to the first aspect of the present invention, the Sn
A sol obtained by hydrolyzing a solution containing an alkoxide is applied to the surface of a substrate, and the sol obtained by hydrolyzing a solution containing an In alkoxide and a Sn alkoxide according to the production method of the invention according to claim 2. Is applied to the surface of the substrate to form a gel film, and then the gel film is irradiated with ultraviolet light having a wavelength of 360 nm or less, whereby the gel film is crystallized and the thin film is given conductivity. You. Therefore, since it is not necessary to perform heat treatment at a high temperature for crystallization of the gel film, a SnO 2 thin film or In 2 O 3 —SnO 2 on a substrate having low heat resistance such as plastics is not required.
A thin film can also be formed. Although the mechanism of crystallization of the gel film by irradiation with ultraviolet light is not clear, the gel film absorbs ultraviolet light, and the rearrangement of atoms proceeds by the energy of the gel light, and SnO 2 or In 2 O 3 —SnO 2 It is thought that 2 crystallizes.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below.
【００１０】この発明に係る製造方法では、まず、Ｓｎ
アルコキシドを出発原料とし、或いはＩｎアルコキシド
およびＳｎアルコキシドを出発原料とし、そのアルコキ
シドを含む溶液を加水分解させてＳｎＯ2ゾル或いはＩ
ｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2ゾルを調製する。Ｉｎアルコキシドお
よびＳｎアルコキシドを出発原料とするときは、アルコ
キシドのうちのＳｎアルコキシドの含有割合を、得よう
とするＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2のうちにＳｎＯ2が２０重量％
以上含まれるような割合とする。Ｉｎアルコキシドおよ
びＳｎアルコキシドとしては、それぞれアルコキシル基
の炭素数が１〜５であるものが使用される。例えば、Ｉ
ｎアルコキシドとしては、Ｉｎメトキシド、Ｉｎエトキ
シド、Ｉｎプロポキシド、ＩｎブトキシドおよびＩｎペ
ントキシドが使用され、これらのうち、トリ-ｓ-ブトキ
シインジウムやトリ-ｔ-ブトキシインジウムのＩｎブト
キシドが好適である。また、Ｓｎアルコキシドとして
は、Ｓｎメトキシド、Ｓｎエトキシド、Ｓｎプロポキシ
ド、ＳｎブトキシドおよびＳｎペントキシドが使用さ
れ、これらのうち、テトラ-ｎ-ブトキシ錫やテトラ-ｓ-
ブトキシ錫、テトラ-ｔ-ブトキシ錫のＳｎブトキシドが
好適である。ＩｎアルコキシドおよびＳｎアルコキシド
はそれぞれ、１種類のものを使用するようにしてもよい
し、２種以上のものを組み合わせて使用するようにして
もよい。In the manufacturing method according to the present invention, first, Sn
Using an alkoxide as a starting material, or using an In alkoxide and a Sn alkoxide as a starting material, a solution containing the alkoxide is hydrolyzed to form a SnO 2 sol or I
n 2 O 3 for preparing a -SnO 2 sol. When In alkoxide and Sn alkoxide are used as starting materials, the content ratio of Sn alkoxide in the alkoxide is adjusted to 20% by weight of SnO 2 in In 2 O 3 -SnO 2 to be obtained.
The ratio is set so as to be included. As the In alkoxide and Sn alkoxide, those having an alkoxyl group having 1 to 5 carbon atoms are used. For example, I
As n-alkoxide, In methoxide, In ethoxide, In propoxide, In butoxide and In pentoxide are used, and among these, In-butoxide of tri-s-butoxyindium and tri-t-butoxyindium is preferable. As the Sn alkoxide, Sn methoxide, Sn ethoxide, Sn propoxide, Sn butoxide and Sn pentoxide are used. Of these, tetra-n-butoxy tin and tetra-s-
Butoxy tin and Sn-butoxide of tetra-t-butoxy tin are preferred. As the In alkoxide and the Sn alkoxide, one kind may be used, or two or more kinds may be used in combination.
【００１１】アルコキシドを溶解させる溶剤としては、
メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールな
どのアルコール類、１−メチルエタノール、１−エチル
エタノールなどのアルコキシアルコール、酢酸エチルな
どの有機酸エステル、アセトニトリル、アセトンやメチ
ルエチルケトンなどのケトン類、テトラヒドラフラン
（ＴＨＦ）やジオキサンなどのシクロエーテル、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などの酸アミド、炭
化水素、芳香族などが使用される。また、アルコキシド
を含む溶液の加水分解には、アルコキシドの０．０５モ
ル倍〜２モル倍の水が用いられ、より好ましくは、０．
５モル倍〜１．５モル倍の水が用いられる。この加水分
解には、酸触媒および／または塩基触媒を用いるように
してもよく、好ましくは、塩酸などの鉱酸や酢酸などの
有機酸が用いられる。As the solvent for dissolving the alkoxide,
Alcohols such as methanol, ethanol, propanol and butanol, alkoxy alcohols such as 1-methylethanol and 1-ethylethanol, organic acid esters such as ethyl acetate, acetonitrile, ketones such as acetone and methyl ethyl ketone, tetrahydrafuran (THF) Cycloethers such as and dioxane, N, N
Acid amides such as dimethylformamide (DMF), hydrocarbons, aromatics and the like are used. For the hydrolysis of the solution containing the alkoxide, water is used in an amount of 0.05 mol times to 2 mol times of the alkoxide, and more preferably 0.1 to 2 times.
5 to 1.5 moles of water is used. For the hydrolysis, an acid catalyst and / or a base catalyst may be used. Preferably, a mineral acid such as hydrochloric acid or an organic acid such as acetic acid is used.
【００１２】アルコキシドを含む溶液の加水分解によっ
てＳｎＯ2ゾル或いはＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2ゾルが調製され
ると、そのゾルを基板の表面に塗布し、それを乾燥させ
て基板表面にゲル膜を形成する。ゾルの塗布方法は、特
に限定されず、通常行われるディップコート法、スピン
コート法、フローコート法などが用いられる。When a SnO 2 sol or In 2 O 3 —SnO 2 sol is prepared by hydrolysis of a solution containing an alkoxide, the sol is applied to the surface of a substrate and dried to form a gel film on the surface of the substrate. Form. The method of applying the sol is not particularly limited, and a dip coating method, a spin coating method, a flow coating method, or the like that is usually performed is used.
【００１３】基板表面にゲル膜が形成されると、そのゲ
ル膜に対して波長が３６０ｎｍ以下である紫外光を照射
する。紫外光の光源としては、高圧水銀ランプ、低圧水
銀ランプ、エキシマランプ、ＡｒＦエキシマレーザ、Ｋ
ｒＦエキシマレーザ、シンクロトロン放射光などが使用
される。そして、ゲル膜に対して紫外光が照射されるこ
とにより、ゲル膜を形成しているＳｎＯ2或いはＩｎ2Ｏ
3−ＳｎＯ2が結晶化され、薄膜に導電性が付与されて、
基板の表面にＳｎＯ2或いはＳｎＯ2を２０重量％以上含
むＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2の透明導電性薄膜が形成される。When a gel film is formed on the substrate surface, the gel film is irradiated with ultraviolet light having a wavelength of 360 nm or less. High-pressure mercury lamps, low-pressure mercury lamps, excimer lamps, ArF excimer lasers, K
An rF excimer laser, synchrotron radiation or the like is used. When the gel film is irradiated with ultraviolet light, SnO 2 or In 2 O forming the gel film is formed.
3- SnO 2 is crystallized, and conductivity is given to the thin film,
Transparent conductive thin film of In 2 O 3 -SnO 2 comprising SnO 2 or SnO 2 20% by weight or more is formed on the surface of the substrate.
【００１４】[0014]
【実施例】次に、この発明を具体的に適用した実施例に
ついて説明する。Next, an embodiment to which the present invention is specifically applied will be described.
【００１５】〔実施例１〕テトラ-ｓ-ブトキシ錫を２−
ブタノールに溶解させた後、その溶液に添加したときに
ＳｎＯ2の固形分濃度が５重量％となるように１Ｎ塩酸
−２−ブタノール混合液（Ｓｎ／Ｈ2Ｏのモル比は１）
を調製し、その塩酸−２−ブタノール混合液をテトラ-
ｓ-ブトキシ錫の溶液に添加した。これにより、均質な
ＳｎＯ2前駆体ゾルを得た。この得られたＳｎＯ2前駆体
ゾルをデイップコート法によりシリカガラス上に塗布し
て、シリカガラス上にゲル膜を形成した。このゲル膜
に、低圧水銀ランプ（２６３ｎｍ、１５ｍＷ／cm2）を
用いて紫外光を室温で照射した。Example 1 Tetra-s-butoxytin was converted to 2-
Was dissolved in butanol, the 1N hydrochloric acid-2-butanol mixed solution so that the solid concentration of SnO 2 when added to the solution is 5 wt% (molar ratio of Sn / H 2 O 1)
Was prepared, and the hydrochloric acid-2-butanol mixture was added to tetra-
Added to the solution of s-butoxytin. As a result, a homogeneous SnO 2 precursor sol was obtained. The obtained SnO 2 precursor sol was applied onto silica glass by dip coating to form a gel film on the silica glass. The gel film was irradiated with ultraviolet light at room temperature using a low-pressure mercury lamp (263 nm, 15 mW / cm 2 ).
【００１６】この結果、紫外光の照射時間を５０時間と
することにより、ＳｎＯ2の（１１０）面の回折ピーク
が観察され、ＳｎＯ2薄膜に導電性が発現した。回折ピ
ークは、照射時間を長くすることにより大きくなった。[0016] Consequently, by the irradiation time of the ultraviolet light and 50 hours, the diffraction peaks of the SnO 2 (110) plane was observed, conductivity is expressed in SnO 2 thin film. The diffraction peak increased with increasing irradiation time.
【００１７】〔実施例２〕上記した実施例１と同様の方
法で得られたＳｎＯ2ゲル膜に、ＡｒＦエキシマレーザ
（１５ｍＪ／cm2）を１００ショット照射した。これに
より、ＳｎＯ2の（１１０）面の回折ピークが観察さ
れ、ＳｎＯ2薄膜の比抵抗が２．３×１０-2Ωcmとなっ
た。Example 2 The SnO 2 gel film obtained in the same manner as in Example 1 was irradiated with 100 shots of ArF excimer laser (15 mJ / cm 2 ). Thus, the diffraction peak of SnO 2 (110) plane is observed, the specific resistance of the thin film of SnO 2 became 2.3 × 10 -2 Ωcm.
【００１８】〔比較例１〕上記した実施例１と同様の方
法で得られたＳｎＯ2ゲル膜について、加熱処理による
結晶化温度の確認を行った。この結果、ＳｎＯ2の（１
１０）面の回折ピークが観察されるには、５５０℃以上
の温度での加熱処理が必要であった。[Comparative Example 1] The crystallization temperature of the SnO 2 gel film obtained by the same method as in Example 1 was confirmed by heat treatment. As a result, (1) of SnO 2
10) Heat treatment at a temperature of 550 ° C. or higher was necessary for observing the diffraction peak on the plane.
【００１９】〔実施例３〕トリ-ｔ-ブトキシインジウム
とテトラ-ｓ-ブトキシ錫とを、その混合モル比が１：１
となるように２−ブタノール−ＤＭＦ（１：１）混合溶
液に溶解させた後、その溶液に添加したときにＩｎ2Ｏ3
およびＳｎＯ2の固形分濃度が５重量％となるように１
Ｎ塩酸−２−ブタノール混合液（（Ｉｎ＋Ｓｎ）／Ｈ2
Ｏのモル比は１）を調製し、その塩酸−２−ブタノール
混合液をアルコキシドの溶液に添加した。これにより、
均質なＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2前駆体ゾルを得た。この得ら
れたＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2前駆体ゾルをディップコート法
によりシリカガラス上に塗布して、シリカガラス上にゲ
ル膜を形成した。このゲル膜に、低圧水銀ランプ（２６
３ｎｍ、１５ｍＷ／cm2）を用いて紫外光を室温で照射
した。Example 3 Tri-t-butoxyindium and tetra-s-butoxytin were mixed at a molar ratio of 1: 1.
Was dissolved in a 2-butanol-DMF (1: 1) mixed solution so as to obtain In 2 O 3 when added to the solution.
And SnO 2 so that the solid content concentration is 5% by weight.
N hydrochloric acid-2-butanol mixed solution ((In + Sn) / H 2
The molar ratio of O was adjusted to 1), and the mixed solution of hydrochloric acid-2-butanol was added to the alkoxide solution. This allows
To obtain a homogeneous In 2 O 3 -SnO 2 precursor sol. The obtained In 2 O 3 —SnO 2 precursor sol was applied onto silica glass by a dip coating method to form a gel film on the silica glass. A low-pressure mercury lamp (26
(3 nm, 15 mW / cm 2 ) at room temperature.
【００２０】この結果、紫外光の照射時間を５０時間と
することにより、ＳｎＯ2の（１１０）面の回折ピーク
が観察され、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2薄膜に導電性が発現し
た。As a result, when the irradiation time of the ultraviolet light was set to 50 hours, a diffraction peak of the (110) plane of SnO 2 was observed, and the In 2 O 3 -SnO 2 thin film exhibited conductivity.
【００２１】上記した実施例３と同様の方法で得られた
Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2ゲル膜に、ＡｒＦエキシマレーザ
（１５ｍＪ／cm2）を１００ショット照射した。これに
より、Ｉｎ2Ｏ3の（２２２）面に相当する回折ピークが
観察され、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2薄膜の比抵抗が１．０×
１０-2Ωcmとなった。The In 2 O 3 -SnO 2 gel film obtained in the same manner as in Example 3 was irradiated with 100 shots of ArF excimer laser (15 mJ / cm 2 ). Thus, an In 2 O diffraction peak corresponding to 3 (222) plane was observed, In 2 O 3 -SnO 2 thin film having a specific resistance of 1.0 ×
It became 10 -2 Ωcm.
【００２２】〔比較例２〕上記した実施例３と同様の方
法で得られたＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2ゲル膜について、加熱
処理による結晶化温度の確認を行った。この結果、Ｉｎ
2Ｏ3の（２２２）面に相当する回折ピークが観察される
には、７００℃以上の温度での加熱処理が必要であっ
た。Comparative Example 2 The crystallization temperature of the In 2 O 3 —SnO 2 gel film obtained by the same method as in Example 3 was confirmed by heat treatment. As a result, In
In order to observe a diffraction peak corresponding to the (222) plane of 2 O 3 , heat treatment at a temperature of 700 ° C. or more was required.
【００２３】[0023]
【発明の効果】請求項１に係る発明の製造方法による
と、また、請求項２に係る発明の製造方法によると、一
般に透明導電性膜として使用されているＩｎ2Ｏ3−Ｓｎ
Ｏ2薄膜より安価であるＳｎＯ2或いはＳｎＯ2量の多い
Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2の透明導電性薄膜を室温付近の温度
で得ることができる。したがって、プラスチックスなど
の耐熱性の低い基板上にも、ＳｎＯ2或いはＳｎＯ2を２
０重量％以上含むＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2の透明導電性薄膜
を形成することが可能となる。According to the manufacturing method according to the first aspect of the present invention, and according to the manufacturing method according to the second aspect of the present invention, In 2 O 3 —Sn generally used as a transparent conductive film is used.
O 2 The transparent conductive thin film of SnO 2 or SnO 2 intensive In 2 O 3 -SnO 2 is less expensive than thin film can be obtained at a temperature near room temperature. Therefore, SnO 2 or SnO 2 may be deposited on a substrate having low heat resistance such as plastics.
0 it is possible to form a transparent conductive thin film of In 2 O 3 -SnO 2 containing wt% or more.
Claims (2)
せて得られるゾルを基体の表面に塗布して、基体表面に
ゲル膜を形成した後、そのゲル膜に対して波長が３６０
ｎｍ以下である紫外光を照射し、薄膜を形成しているゲ
ルを結晶化させて、導電性を有するＳｎＯ2薄膜を基体
表面に形成することを特徴とするＳｎＯ2薄膜の製造方
法。A sol obtained by hydrolyzing a solution containing a tin alkoxide is applied to the surface of a substrate to form a gel film on the surface of the substrate.
A method for producing a SnO 2 thin film, comprising irradiating ultraviolet light having a wavelength of not more than nm to crystallize a gel forming the thin film and forming a conductive SnO 2 thin film on the surface of the substrate.
キシドを含む溶液を加水分解させて得られるゾルを基体
の表面に塗布して、基体表面にゲル膜を形成した後、そ
のゲル膜に対して波長が３６０ｎｍ以下である紫外光を
照射し、薄膜を形成しているゲルを結晶化させて、導電
性を有しＳｎＯ2を２０重量％以上含むＩｎ2Ｏ3−Ｓｎ
Ｏ2薄膜を基体表面に形成することを特徴とするＩｎ2Ｏ
3−ＳｎＯ2薄膜の製造方法。2. A sol obtained by hydrolyzing a solution containing indium alkoxide and tin alkoxide is applied to the surface of a substrate to form a gel film on the surface of the substrate, and the wavelength of the gel film is 360 nm or less. In 2 O 3 —Sn is irradiated with ultraviolet light to crystallize the gel forming the thin film, and is conductive and contains 20% by weight or more of SnO 2.
In 2 O characterized in that an O 2 thin film is formed on a substrate surface
3 -SnO 2 method of manufacturing a thin film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP14350697A JPH10316427A (en) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | Production of stannic oxide tin film and production of indium sesquioxide-stannic oxide tin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14350697A JPH10316427A (en) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | Production of stannic oxide tin film and production of indium sesquioxide-stannic oxide tin film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10316427A true JPH10316427A (en) | 1998-12-02 |
Family
ID=15340321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14350697A Pending JPH10316427A (en) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | Production of stannic oxide tin film and production of indium sesquioxide-stannic oxide tin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10316427A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007070141A (en) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Tin-containing indium oxide nanoparticle, its dispersed solution, and its production method |
-
1997
- 1997-05-15 JP JP14350697A patent/JPH10316427A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007070141A (en) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Tin-containing indium oxide nanoparticle, its dispersed solution, and its production method |
| JP4524405B2 (en) * | 2005-09-05 | 2010-08-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | Tin-containing indium oxide nanoparticles and method for producing a dispersion thereof |
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