JPH10308532A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH10308532A JPH10308532A JP11586097A JP11586097A JPH10308532A JP H10308532 A JPH10308532 A JP H10308532A JP 11586097 A JP11586097 A JP 11586097A JP 11586097 A JP11586097 A JP 11586097A JP H10308532 A JPH10308532 A JP H10308532A
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Abstract
して使用する場合に、輝度劣化を防止して信頼性の向上
を図ることができるとともに、接着剤の選択の自由度を
高くすることができる半導体発光素子を提供する。ま
た、外部に光を有効に取り出すことができる半導体発光
素子を提供する。 【解決手段】 GaN系発光ダイオードにおいて、サフ
ァイア基板1の表面に発光ダイオード構造を形成するG
aN系化合物半導体層2〜7を積層し、裏面に反射膜1
1を設ける。あるいは、発光ダイオード構造を形成する
GaN系化合物半導体層にエッチングにより逆メサ形状
の端面を形成し、この端面に反射膜を設ける。p側電極
9およびn側電極10はGaN系化合物半導体層2〜7
と同じ側に設ける。
Description
に関し、特に、窒化物系III−V族化合物半導体を用
いた半導体発光素子に関する。
可能な半導体発光素子として、窒化ガリウム(GaN)
に代表されるウルツ鉱型結晶構造を有する窒化物系II
I−V族化合物半導体をサファイア基板や炭化ケイ素
(SiC)基板などの上にエピタキシャル成長させて発
光ダイオード構造を形成したGaN系発光ダイオードが
知られている。
GaN系発光ダイオードの構造を図5に示す。図5に示
すように、この従来のGaN系発光ダイオードにおいて
は、サファイア基板101上にGaNバッファ層10
2、n型GaN層103、n型AlGaN層104、G
aInNからなる発光層105、p型AlGaN層10
6およびp型GaN層107が順次積層されている。n
型GaN層103の上層部、n型AlGaN層104、
発光層105、p型AlGaN層106およびp型Ga
N層107は、基板表面にほぼ垂直な端面を有する所定
形状を有する。これらの表面を覆うようにSiO2 膜の
ような絶縁膜108が設けられている。この絶縁膜10
8は表面保護のためのものである。この絶縁膜108に
は、p型GaN層107の上およびn型GaN層103
の上にそれぞれ開口108a、108bが設けられてい
る。そして、開口108aを通じてp型GaN層107
にp側電極109がコンタクトしているとともに、開口
108bを通じてn型GaN層103にn側電極110
がコンタクトしている。
常、図6に示すように樹脂でモールド封止が行われた状
態で使用される(例えば、特開平8−78727号公
報)。すなわち、図6に示すように、このモールド封止
型GaN系発光ダイオードにおいては、図5に示すGa
N系発光ダイオードのサファイア基板101が、リード
フレーム121の上部に設けられた凹部121aの底面
に接着剤122で接着されている。この凹部121aの
底面および内壁面は、動作時にGaN系発光ダイオード
の発光層105から発生する光を外部に取り出すための
反射面となっている。接着剤122としては、エポキシ
樹脂系の接着剤が用いられている。GaN系発光ダイオ
ードのp側電極109(図6においては図示せず)はワ
イヤー123によりリードフレーム121とボンディン
グされ、そのn側電極110(図6においては図示せ
ず)はワイヤー124によりリードフレーム125とボ
ンディングされている。そして、GaN系発光ダイオー
ドは、集光機能を持たせることなどを目的として、その
近傍の部分のリードフレーム121、125とともに樹
脂126でレンズ形状にモールド封止されている。
従来のモールド封止型GaN系発光ダイオードにおいて
は、使用を続けて行くと、経時劣化、具体的には輝度劣
化が生じてしまうという問題があった。これは、動作時
にGaN系発光ダイオードの発光層105から発生する
光の影響で接着剤122が光学的に変色または着色する
ことにより透過率が低下し、サファイア基板101の裏
面から抜け出て接着剤122を通過し、さらにリードフ
レーム121の面で反射されて外部に取り出される光の
強度が減少するためであると考えられる。
レームなどの基台上に接着剤で接着して使用する場合
に、輝度劣化を防止し、信頼性の向上を図ることができ
る半導体発光素子を提供することにある。
どの基台上に接着剤で接着して使用する場合に、接着剤
の選択の自由度を高くすることができる半導体発光素子
を提供することにある。
取り出すことができる半導体発光素子を提供することに
ある。
に、この発明の第1の発明は、光透過性の基板の一方の
主面に発光素子構造を形成する窒化物系III−V族化
合物半導体層が積層された半導体発光素子において、基
板の他方の主面に反射膜が設けられていることを特徴と
するものである。
は、単層または多層構造の金属または合金の膜や、酸化
シリコン(SiO2 )膜や窒化シリコン(SiN)膜か
らなる多層絶縁膜などを用いることができる。また、場
合によっては、窒化物系III−V族化合物半導体層の
端面にも同様な反射膜を設けてもよい。基板としては、
サファイア基板、炭化ケイ素(SiC)基板、窒化ガリ
ウム(GaN)基板などが用いられる。
面に発光素子構造を形成する窒化物系III−V族化合
物半導体層が積層された半導体発光素子において、窒化
物系III−V族化合物半導体層の端面の少なくとも一
部が逆メサ形状を有することを特徴とするものである。
I−V族化合物半導体層の端面の反射率をより高め、外
部に光をより有効に取り出す観点から、この窒化物系I
II−V族化合物半導体層の端面に反射膜が設けられ
る。この反射膜としては、典型的には、SiO2 膜やS
iN膜からなる多層絶縁膜が用いられる。基板は、光透
過性のものであっても光非透過性のものであってもよ
い。光透過性の基板としては、サファイア基板、SiC
基板、GaN基板などが用いられる。光透過性の基板を
用いる場合、外部に光をより有効に取り出す観点から、
好適には、基板の他方の主面にも反射膜が設けられる。
の主面、すなわち裏面に反射膜が設けられる場合、この
反射膜は裏面に直接設けてもよいし、裏面の平坦性が十
分でないときには光透過性の平坦化膜を介して設けても
よい。このようにすることにより、基板の裏面の反射率
をより高くすることができる。
関して窒化物系III−V族化合物半導体層と同じ側に
p側電極およびn側電極が設けられる。
化合物半導体は、Al、GaおよびInからなる群より
選ばれた少なくとも一種のIII族元素と少なくともN
を含むV族元素とからなり、具体的には、GaN、Al
GaN、GaInNなどである。
発明によれば、基板の他方の主面、すなわち発光素子構
造を形成する窒化物系III−V族化合物半導体層が積
層された一方の主面と反対側の主面に反射膜が設けられ
ているので、動作時にこの半導体発光素子の発光層から
発生し、基板を透過して他方の主面から外部に抜け出よ
うとする光をこの反射膜で基板側に反射させることがで
きる。このため、この半導体発光素子をリードフレーム
などの基台上に接着剤で接着して使用する場合に、接着
剤に入射する光の量を大幅に減少させることができる。
発明によれば、発光素子構造を形成する窒化物系III
−V族化合物半導体層の端面の少なくとも一部が逆メサ
形状を有するので、動作時にこの半導体発光素子の発光
層から発生する光をこの逆メサ形状を有する端面で基板
と反対側に反射させることができる。
て図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図
において、同一または対応する部分には同一の符号を付
す。
ブルヘテロ構造を有するGaN系発光ダイオードを示
す。図1に示すように、このGaN系発光ダイオードに
おいては、サファイア基板1上にGaNバッファ層2、
n型GaN層3、n型AlGaN層4、GaInNから
なる発光層5、p型AlGaN層6およびp型GaN層
7が順次積層されている。n型GaN層3の上層部、n
型AlGaN層4、発光層5、p型AlGaN層6およ
びp型GaN層7は、基板表面にほぼ垂直な端面を有す
る所定形状を有する。これらの表面を覆うように例えば
SiO2 膜のような絶縁膜8が設けられている。この絶
縁膜8は表面保護のためのものである。この絶縁膜8に
は、p型GaN層7の上およびn型GaN層3の上にそ
れぞれ開口8a、8bが設けられている。そして、開口
8aを通じてp型GaN層7にp側電極9がコンタクト
しているとともに、開口8bを通じてn型GaN層3に
n側電極10がコンタクトしている。p側電極9として
は例えばAu膜が用いられ、n側電極10としては例え
ばTi/Al/Au膜が用いられる。
図5に示す従来のGaN系発光ダイオードと同様な上述
の構成に加えて、サファイア基板1の裏面に反射膜11
が設けられている。この反射膜11は例えば単層のAu
膜からなる。このようにサファイア基板1の裏面に反射
膜11が設けられていることにより、動作時にこのGa
N系発光ダイオードの発光層5から発生する光のうちサ
ファイア基板1を透過してその裏面から外部に抜け出よ
うとする光をサファイア基板1側に反射させることがで
きる。
脂でモールド封止したものを示す。図2に示すように、
このモールド封止型GaN系発光ダイオードにおいて
は、図1に示すGaN系発光ダイオードのサファイア基
板1の裏面の反射膜11が、リードフレーム21の上部
に設けられた凹部21aの底面に接着剤22で接着され
ている。この凹部21aの底面および内壁面は、GaN
系発光ダイオードから発生する光を外部に取り出すため
の反射面となっている。接着剤22としては、例えばエ
ポキシ樹脂系の接着剤が用いられる。GaN系発光ダイ
オードのp側電極9(図2においては図示せず)はワイ
ヤー23によりリードフレーム21とボンディングさ
れ、そのn側電極10(図2においては図示せず)はワ
イヤー24によりリードフレーム25とボンディングさ
れている。そして、GaN系発光ダイオードは、集光機
能を持たせることなどを目的として、その近傍の部分の
リードフレーム21、25とともに樹脂26でレンズ形
状にモールド封止されている。樹脂26としては、例え
ばエポキシ樹脂が用いられる。
ドにおいては、動作時にGaN系発光ダイオードの発光
層5から発生する光のうちサファイア基板1を透過して
その裏面から抜け出ようとする光をこのサファイア基板
1の裏面に設けられた反射膜11でサファイア基板1側
に反射させることができることにより、接着剤22に入
射する光の量を大幅に減少させることができる。また、
この反射膜11により、外部に光をより有効に取り出す
ことができる。
実施形態によるGaN系発光ダイオードの製造方法およ
びモールド封止型GaN系発光ダイオードの実装方法に
ついて説明する。
するには、図1に示すように、サファイア基板1上に、
例えば有機金属化学気相成長(MOCVD)法により、
例えば550℃程度の低温でGaNバッファ層2を成長
させる。引き続いて、このGaNバッファ層2上に、例
えば1000℃程度の温度でn型GaN層3、n型Al
GaN層4、GaInNからなる発光層5、p型AlG
aN層6およびp型GaN層7を順次エピタキシャル成
長させる。次に、p型GaN層7上に所定形状のレジス
トパターン(図示せず)をリソグラフィーにより形成し
た後、このレジストパターンをマスクとして、例えば反
応性イオンエッチング(RIE)法により、n型GaN
層3の厚さ方向の途中の深さまで異方性エッチングする
ことにより溝を形成する。この後、レジストパターンを
除去する。
VD法やスパッタリング法などによりSiO2 膜のよう
な絶縁膜8を形成した後、この絶縁膜8の所定部分をエ
ッチング除去して開口8a、8bを形成する。次に、例
えば真空蒸着法やスパッタリング法などにより全面に例
えばAu膜を形成した後、このAu膜をエッチングによ
り所定形状にパターニングし、開口8aの部分にp側電
極9を形成する。また、例えば真空蒸着法やスパッタリ
ング法などにより全面に例えばTi/Al/Au膜を形
成した後、このTi/Al/Au膜をエッチングにより
所定形状にパターニングし、開口8bの部分にn側電極
10を形成する。
面をラッピングや切削などにより削ってこのサファイア
基板1を所望の厚さにした後、化学機械研磨や化学エッ
チングなどによりこの裏面を平坦化し、鏡面とする。た
だし、この平坦化の工程は、裏面が最初から鏡面となっ
ているサファイア基板1を用いることにより省略するこ
とが可能である。
法やスパッタリング法などにより例えばAu膜を形成し
て反射膜11を形成する。
を確保することができないとき、または、裏面がラッピ
ングや切削などを行ったままの凹凸のある面であるサフ
ァイア基板1を用いる場合には、このサファイア基板1
の裏面にSiO2 膜、SiN膜、ガラス膜などの光透過
性の平坦化膜を形成して平坦化を行った後、この平坦化
膜上に反射膜11を形成する。この平坦化膜の形成に
は、CVD法やスパッタリング法や真空蒸着法などが用
いられる。平坦化膜としては、上述のような無機膜のほ
かに、アクリル系樹脂やエポキシ系樹脂などの樹脂の膜
を用いることもできる。これらの樹脂膜は、スピンコー
ト法や真空蒸着法などにより、均一でしかも平坦に形成
することができる。
構造が形成されたサファイア基板1をダイシングやスク
ライブなどにより分離してチップ化する。なお、反射膜
11の形成はこの分離後に行うようにしてもよい。
発光ダイオードを次のようにして実装する。すなわち、
図2に示すように、GaN系発光ダイオードのサファイ
ア基板1の裏面に形成された反射膜11を、リードフレ
ーム21の凹部21aの底面に接着剤22で接着する。
次に、GaN系発光ダイオードのp側電極9とリードフ
レーム21とをワイヤー23によりボンディングすると
ともに、n側電極10とリードフレーム25とをワイヤ
ー24によりボンディングする。その後、GaN系発光
ダイオードを、その近傍の部分のリードフレーム21、
25とともに樹脂26でレンズ形状にモールド封止す
る。これによって、モールド封止型GaN系発光ダイオ
ードが製造される。
ば、GaN系発光ダイオードのサファイア基板1の裏面
に反射膜11が設けられていることにより、このサファ
イア基板1をその反射膜11が下側にくるようにしてリ
ードフレーム21の凹部21aの底面に接着剤22で接
着した場合、動作時に発光層5から発生する光のうちサ
ファイア基板1を透過してその裏面から外部に抜け出よ
うとする光が接着剤22に入射するのを防止することが
でき、接着剤22に入射する光の量を大幅に減少させる
ことができる。このため、光の影響で接着剤22が光学
的に変色または着色するのを有効に防止することがで
き、接着剤22の本来の透過率を保つことができる。こ
れによって、モールド封止型GaN系発光ダイオードの
輝度劣化を防止することができ、信頼性の向上を図るこ
とができる。さらに、動作時に発光層5から発生する光
のうちサファイア基板1を透過してその裏面から外部に
抜け出ようとする光は接着剤22に到達する前に反射膜
11で反射されるので、接着剤22としてエポキシ樹脂
系の接着剤のような透明な接着剤を用いる必要がなくな
り、例えばより短時間で固まる接着剤やより安価な接着
剤を用いることができるようになるなど、接着剤の選択
の自由度を高くすることができる。
GaN系発光ダイオードを示す。図3に示すように、こ
のGaN系発光ダイオードにおいては、n型GaN層3
の上層部、n型AlGaN層4、発光層5、p型AlG
aN層6およびp型GaN層7が、逆メサ形状の端面1
2を有する。また、n型GaN層3、n型AlGaN層
4、発光層5、p型AlGaN層6およびp型GaN層
7の最外周にも、逆メサ形状の端面13、14を有す
る。これらの端面12、13、14は、これらの端面1
2、13、14で反射されて外部に取り出される光の妨
げとならないようにするために、p側電極9およびn側
電極10のいずれとも重ならない位置に設けられてい
る。具体的には、端面12はp側電極9とn側電極10
との間に設けられ、端面13はp側電極9の外側に設け
られ、端面14はn側電極10の外側に設けられてい
る。また、これらの端面12、13、14は、エッチン
グにより形成された平坦性の良好な面からなり、散乱あ
るいは乱反射による光損失は極めて少ない。これらの端
面12、13、14には反射膜15が設けられている。
この反射膜15としては、多層絶縁膜が用いられる。こ
こで、これらの端面12、13、14の傾斜角度は、動
作時にこのGaN系発光ダイオードの発光層5から発生
する光をより有効に外部に取り出す観点からは、好適に
は45°程度に選ばれるが、これに限定されるものでは
なく、必要に応じて選ぶことが可能である。また、この
場合、サファイア基板1の裏面には反射膜11が設けら
れていない。その他のことは、第1の実施形態と同様で
あるので、説明を省略する。
n型GaN層3、n型AlGaN層4、発光層5、p型
AlGaN層6およびp型GaN層7が逆メサ形状の端
面12、13、14を有し、しかもこれらの端面12、
13、14に反射膜15が設けられていることにより、
動作時に発光層5から発生する光のうちこれらの端面1
2、13、14に入射する光をこれらの端面12、1
3、14でサファイア基板1と反対側に反射させること
ができる。
脂でモールド封止したものを示す。図4に示すように、
このモールド封止型GaN系発光ダイオードにおいて
は、図3に示すGaN系発光ダイオードのサファイア基
板1の裏面が、リードフレーム21の凹部21aの底面
に接着剤22で接着されている。その他のことは、第1
の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
ドにおいては、動作時に発光層5から発生する光のうち
n型GaN層3、n型AlGaN層4、発光層5、p型
AlGaN層6およびp型GaN層7の端面12、1
3、14に入射する光をこれらの端面12、13、14
でサファイア基板1側に反射させることができることに
より、外部に光を有効に取り出すことができると同時
に、接着剤22に入射する光の量を大幅に減少させるこ
とができる。
状の端面12、13、14に反射膜15を設けているの
は、このGaN系発光ダイオードを図4に示すように樹
脂26でモールド封止すると、発光ダイオード構造を形
成する窒化物系III−V族化合物半導体層と樹脂26
との屈折率差が封止前に比べて減少するために端面1
2、13、14を透過する光が増え、これらの端面1
2、13、14による反射効果が減少することから、こ
れを防止するためである。また、これらの端面12、1
3、14の傾斜角度が45°程度でなくてもよい理由
は、樹脂26が集光機能を有するレンズ形状にモールド
されているからである。
イオードを製造するには、図3に示すように、第1の実
施形態と同様にして、まず、サファイア基板1上にGa
Nバッファ層2を成長させた後、その上にn型GaN層
3、n型AlGaN層4、発光層5、p型AlGaN層
6およびp型GaN層7を順次エピタキシャル成長させ
る。次に、p型GaN層7上に所定の形状のレジストパ
ターン(図示せず)をリソグラフィーにより形成した
後、このレジストパターンをマスクとして、RIE法に
よりn型GaN層3の厚さ方向の途中の深さまでエッチ
ングし、逆メサ形状の側面(端面12に相当する)を有
する溝を形成する。この後、レジストパターンを除去す
る。ここで、このエッチングの際には、例えば、誘導結
合プラズマ−反応性イオンエッチング(ICP−RI
E)装置を用い、低圧条件下で高プラズマ密度にするこ
とによって、逆メサ形状にエッチングすることができ
る。圧力は、例えば1Pa以下とする。また、エッチン
グガスとしては、例えば塩素系のガスを含むものを用い
る。
VD法やスパッタリング法などによりSiO2 膜のよう
な絶縁膜8を形成する。次に、例えばCVD法やスパッ
タリング法などにより端面12の部分に絶縁膜8を介し
て例えば多層絶縁膜からなる反射膜15を形成する。次
に、絶縁膜8の所定部分をエッチング除去して開口8
a、8bを形成する。この後、第1の実施形態と同様に
して、開口8aの部分にp側電極9を形成するととも
に、開口8bの部分にn側電極10を形成する。
ターン(図示せず)をリソグラフィーにより形成した
後、このレジストパターンをマスクとして、RIE法に
よりサファイア基板1が露出するまでエッチングするこ
とにより、逆メサ形状の端面13、14を形成する。こ
のエッチングには、上述と同様なICP−RIE装置お
よび条件を用いることができる。次に、例えばCVD法
やスパッタリング法などにより端面13、14に例えば
多層絶縁膜からなる反射膜15をそれぞれ形成する。
イア基板1の裏面のラッピングなどの工程以降の工程を
進め、目的とするGaN系発光ダイオードを製造する。
系発光ダイオードを、第1の実施形態と同様な方法で実
装し、図4に示すようなモールド封止型GaN系発光ダ
イオードを製造する。
ば、n型GaN層3、n型AlGaN層4、発光層5、
p型AlGaN層6およびp型GaN層7がエッチング
により形成された平坦性の良好な逆メサ形状の端面1
2、13、14を有し、しかもこれらの端面12、1
3、14に反射膜15が設けられているので、動作時に
発光層5から発生する光をこれらの端面12、13、1
4でサファイア基板1と反対側に反射させることにより
直接外部に、しかも有効に取り出すことができる。ま
た、接着剤22に入射する光の量を大幅に減少させるこ
とができ、接着剤22の光学的な変色または着色を防止
することができる。これによって、モールド封止型Ga
N系発光ダイオードの輝度劣化を防止することができ、
信頼性の大幅な向上を図ることができる。さらに、第1
の実施形態と同様に、接着剤22としてエポキシ樹脂系
の接着剤のような透明な接着剤を用いる必要がなくなる
ため、例えばより短時間で固まる接着剤やより安価な接
着剤を用いることができるようになるなど、接着剤の選
択の自由度を高くすることができる。
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
必要に応じて、サファイア基板1の端面にも反射膜を設
けてもよい。また、上述の第2の実施形態において、必
要に応じて、サファイア基板1の裏面にも反射膜を設け
てもよい。
端面12、13、14は、p側電極9およびn側電極1
0のいずれとも重ならない位置に設けられているが、p
側電極9およびn側電極10が十分に薄く構成されて透
明になっている場合には、このようにする必要はなくな
り、端面12、13、14の位置を自由に選択すること
ができる。
おいては、発光ダイオード構造を形成する窒化物系II
I−V族化合物半導体層の成長にMOCVD法を用いて
いるが、これらの窒化物系III−V族化合物半導体層
の成長には例えば分子線エピタキシー(MBE)法を用
いてもよい。
おいて用いたサファイア基板1の代わりに、必要に応じ
て、SiC基板やGaN基板などを用いてもよい。
おいては、GaN系発光ダイオードを凹部21aからな
る反射構造を有するリードフレーム21上に取り付けて
いるが、このような反射構造のないリードフレーム上に
このGaN系発光ダイオードを取り付けてもよく、この
場合にも上述と同様な効果を得ることができる。
においては、GaN系発光ダイオードを樹脂26でモー
ルド封止したが、封止材料としては低融点ガラスなどの
他の材料を用いてもよい。
発明によれば、基板の他方の主面、すなわち裏面に反射
膜が設けられていることにより、リードフレームなどの
基台上に接着剤で接着して使用する場合に、動作時に発
光層から発生する光の影響で接着剤が光学的に変色また
は着色するのを防止することができる。これによって、
輝度劣化を防止することができ、信頼性の向上を図るこ
とができる。また、接着剤の選択の自由度を高くするこ
とができる。
光素子構造を形成する窒化物系III−V族化合物半導
体層の端面の少なくとも一部が逆メサ形状を有すること
により、外部に光を有効に取り出すことができる。
ダイオードを示す断面図である。
型GaN系発光ダイオードを示す断面図である。
ダイオードを示す断面図である。
型GaN系発光ダイオードを示す断面図である。
ある。
を示す断面図である。
5・・・発光層、6・・・p型AlGaN層、8・・・
絶縁膜、9・・・p側電極、10・・・n側電極、1
1、15・・・反射膜、12、13、14・・・端面、
21、25・・・リードフレーム、21a・・・凹部、
22・・・接着剤、26・・・樹脂
Claims (15)
- 【請求項1】 光透過性の基板の一方の主面に発光素子
構造を形成する窒化物系III−V族化合物半導体層が
積層された半導体発光素子において、 上記基板の他方の主面に反射膜が設けられていることを
特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項2】 上記反射膜は金属または合金の膜からな
ることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。 - 【請求項3】 上記反射膜は多層絶縁膜からなることを
特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。 - 【請求項4】 上記基板はサファイア基板、炭化ケイ素
基板または窒化ガリウム基板であることを特徴とする請
求項1記載の半導体発光素子。 - 【請求項5】 上記基板と上記反射膜との間に光透過性
の平坦化膜が設けられていることを特徴とする請求項1
記載の半導体発光素子。 - 【請求項6】 上記基板に関して上記窒化物系III−
V族化合物半導体層と同じ側にp側電極およびn側電極
が設けられていることを特徴とする請求項1記載の半導
体発光素子。 - 【請求項7】 上記窒化物系III−V族化合物半導体
層の端面に反射膜が設けられていることを特徴とする請
求項1記載の半導体発光素子。 - 【請求項8】 基板の一方の主面に発光素子構造を形成
する窒化物系III−V族化合物半導体層が積層された
半導体発光素子において、 上記窒化物系III−V族化合物半導体層の端面の少な
くとも一部が逆メサ形状を有することを特徴とする半導
体発光素子。 - 【請求項9】 上記端面はエッチングにより形成された
ものであることを特徴とする請求項8記載の半導体発光
素子。 - 【請求項10】 上記端面に反射膜が設けられているこ
とを特徴とする請求項8記載の半導体発光素子。 - 【請求項11】 上記反射膜は多層絶縁膜からなること
を特徴とする請求項10記載の半導体発光素子。 - 【請求項12】 上記基板は光透過性を有することを特
徴とする請求項8記載の半導体発光素子。 - 【請求項13】 上記基板はサファイア基板、炭化ケイ
素基板または窒化ガリウム基板であることを特徴とする
請求項8記載の半導体発光素子。 - 【請求項14】 上記基板の他方の主面に反射膜が設け
られていることを特徴とする請求項12記載の半導体発
光素子。 - 【請求項15】 上記基板に関して上記窒化物系III
−V族化合物半導体層と同じ側にp側電極およびn側電
極が設けられていることを特徴とする請求項8記載の半
導体発光素子。
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