JPH10308414A - 実装構造 - Google Patents

実装構造

Info

Publication number
JPH10308414A
JPH10308414A JP4082198A JP4082198A JPH10308414A JP H10308414 A JPH10308414 A JP H10308414A JP 4082198 A JP4082198 A JP 4082198A JP 4082198 A JP4082198 A JP 4082198A JP H10308414 A JPH10308414 A JP H10308414A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
chip
substrate
mounting structure
electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4082198A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3504134B2 (ja
Inventor
Hitoshi Takeuchi
均 竹内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
S I I R D CENTER KK
Original Assignee
S I I R D CENTER KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by S I I R D CENTER KK filed Critical S I I R D CENTER KK
Priority to JP04082198A priority Critical patent/JP3504134B2/ja
Publication of JPH10308414A publication Critical patent/JPH10308414A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3504134B2 publication Critical patent/JP3504134B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ベアチップを基板にフェイスダウン実装する
実装構造において、実装位置誤差の許容度を大きくし
て、より低価格、小型、高密度な実装構造を得る。 【解決手段】 チップ電極と対応する基板電極の形状が
異なるように構成する。特に導電粒子による接続におい
ては、一端子当たりの最低必要導電粒子数と導電粒子密
度および想定歩留まりから、一端子あたりに必要な電極
面積を求め、実装位置精度、絶縁距離、電極ピッチとを
考慮して必要面積を満たすようにチップ電極と基板電極
の大きさを形状が異なるように決定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はベアチップをフェイスダ
ウン実装した構成が含まれる、例えばCOG、COB、
MCM等の実装構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ベアチップをフェイスダウン実装
する場合、チップ電極と基板電極がほぼ同一形状で形成
された実装構造が知られている。図6、図7、図8に従
来の実装構造のチップ電極と基板電極の一部を示す。ベ
アチップのフェイスダウン実装においては、チップ電極
と基板電極とを互いに対向させ、両電極が重なり合うよ
うにチップと基板の相対位置を合わせ、この状態で接続
して両電極間の電気的導通を得ている。図6〜8ではチ
ップ電極1と基板電極2は同一の形状であり、実装時に
互いに対向するチップ電極1と基板電極2が重なる部分
が接続有効エリア3になる。
【0003】ここで、図6は比較的小さい電極を、図7
は中程度、図8は比較的大きな電極をそれぞれ備えた場
合の従来例を示している。これらの図の(a)では位置
合わせ誤差が無く実装されている場合で、電極全面が接
続有効エリア3となっている。またこれら各図の(b)
ではチップ電極1と基板電極2の対向位置がずれて実装
されている場合であり、図6(b)、図7(b)ではオ
ープン、図8(b)では隣接電極間ショートの接続不良
が発生している。
【0004】また、図9に、電極の配線部と電極部の区
別の明確でない場合の実装構造例におけるチップ電極と
基板電極の一部を示す。通常、基板電極の形状は配線が
引き出されている部分以外はチップ電極の形状と同一で
ある。すなわち、チップ電極1は図7と同形状で、基板
電極2はチップの外側の方向に、基板側配線部7と一体
になって延びており、両者間の境界ははっきりしていな
い。ここでも、(a)は位置合わせズレのない場合、
(b)は位置合わせズレにより一部の電極でオープンの
接続不良が発生している場合を示している。
【0005】本発明では、基板の配線部と電極部の区別
が明確でない場合でも、配線が引き出されている部分以
外はチップ電極と同一形状であれば、チップ電極と基板
電極の形状は同じであるとみなす。図5は従来の実装構
造において、位置がずれた状態で接続された場合を示す
断面図である。ここでは、接続手段として異方性導電膜
が用いられており、導伝粒子6によりチップ電極と基板
電極の電気的導通が実現されている。
【0006】図5では、電極上面から見ると接続有効部
は存在するものの、導電粒子の存在により、良、不良が
発生している。すなわち、対向する電極間に導電粒子が
なければオープンとなり、対向する電極間にのみ導電粒
子が存在すれば正常の接続となり、隣接する電極間に導
電粒子が存在すれば隣接電極ショートが発生することと
なる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、対応
する電極の形状が同一の従来の実装構造では次のような
問題点がある。 (1) 例えば図6(b)、図7(b)、図9(b)の
ように、基板電極とチップ電極の相対位置の僅かなずれ
により、接続オープンが発生する。 (2) 例えば図8(b)のように、実装位置が僅かに
ずれるだけで隣接電極間ショートが発生する場合があ
る。 (3) 実装位置がずれると、設計時の電極面積に対し
て接続有効面積が減少してしまい、電流容量の不足や、
抵抗値の増加、等の不具合が発生する場合がある。 (4) 異方性導電膜を用いて電気的接続を行う場合、
実装位置がずれて接続有効面積が減少すると、対向する
電極間に導電粒子が必要数確保できなくなり、オープ
ン、抵抗値の増大、信頼性悪化等が発生する場合がある
(図5オープン部)。 (5) 異方性導電膜を用いて接続を行う場合、実装位
置がずれて隣接電極との距離が短くなりすぎると、導電
粒子が隣接電極間に挟まる確率が高くなり、ショートが
発生する場合がある(図5ショート部)。 (6) 逆に、上述した位置ズレによる接続不良を防ぐ
ためには、非常に位置合わせ誤差の小さい実装工程・装
置が必要となり、設備の長サイクルタイム化、高精度・
高価格化が避けられず、コストアップにつながる。
【0008】そこで、この発明の目的は、実装位置のず
れにより発生するオープン不良、ショート不良、抵抗値
変化を低減し、や信頼性低下を防ぐとともに位置ズレの
許容度を大きくできる実装構造を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明はベアチップを基板にフェイスダウン実装
する実装構造において、チップ電極の形状とチップ電極
と対応する基板電極との形状が異なるように構成する。
具体的には、チップ電極と基板電極の電極形状が同一で
実装位置ズレがあった場合に懸念される不具合の種類に
より次の(1)〜(3)のように構成する。 (1) オープンが懸念される場合には、一方の電極形
状をより大きくする。 (2) 隣接電極間のショートが懸念される場合には、
一方の電極形状を隣接電極の方向に小さく(細く)す
る。 (3) ズレの方向によりオープンと隣接電極間ショー
トの両方が懸念される場合には、一方の電極形状を、オ
ープンの懸念がより強い方向には大きく、ショートの懸
念がより強い方向には小さく、オープン/ショートの懸
念が同程度と考えられる方向は同じ大きさにする。
【0010】また、それぞれのオープン/隣接電極間シ
ョートの懸念の程度や、電極寸法の変更量は、元の(同
じ大きさの場合の)電極形状・実装方式・製造工程での
実装位置誤差、等を考慮して決定する。特に異方性導電
膜等の分散された導電粒子により電気的接続を図る場合
には導電粒子の密度、導電粒子の分布、絶縁保証
距離、一電極当たりに必要な導電粒子個数、電極ピ
ッチ及び実装位置誤差、とを考慮して、チップ電極と
基板電極の一方または両方の形状を決定する。
【0011】このように構成された実装構造においては
以下のような作用が得られる。 (1) チップ電極と基板電極の形状が同一ではオープ
ンが発生してしまう位置ずれでも、一方の電極形状をよ
り大きくすることにより、大きくなった方の電極の拡大
部が接続有効エリアとなり、オープンにはならない。 (2) チップ電極と基板電極の形状が同一では隣接電
極間ショートが発生してしまう位置ずれでも、一方の電
極形状を隣接電極方向により小さく(細く)することに
より、隣接電極間にまたがってショートしてしまう部分
が小さくなった方の電極の縮小部で存在しなくなるの
で、隣接電極間の絶縁(距離)を確保できる。
【0012】(3) チップ電極と基板電極の形状が同
一では位置ズレの方向によりオープンまたは隣接電極間
ショートが発生してしまう場合でも、一方の電極形状を
オープンが発生する方向には大きく、隣接電極間ショー
トが発生する方向には小さくすることにより、同じズレ
量でもオープン/隣接間ショートとも発生しないように
出来る。
【0013】(4) チップ電極と基板電極を異なる形
状とすることで、位置ズレ量による接続有効エリアの面
積変化を最小限に出来る。したがって、有効エリアの面
積が接続抵抗や電流容量や信頼性等に影響を与える場
合、位置ズレがあっても安定した接続品質を維持でき
る。 (5) チップ電極と基板電極の形状が同一で、接続に
異方性導電膜等の導電粒子が分散されたものを用いた場
合においては、位置ズレが発生し、それが有効接続面積
が確保されている程度であっても、導電粒子が電極間に
存在しなくて接続オープンとなったり、必要な粒子個数
未満しか電極間に存在しなくて接続抵抗値が大きくなっ
たり信頼性が悪化するとか、隣接電極との隙間があって
もその隙間に導電粒子または導電粒子の凝集したものが
挟まれてショートしてしまう等の現象が発生する場合で
も、導電粒子密度、導電粒子の分布、絶縁保証距
離、一電極当たりに必要な導電粒子個数、電極ピッ
チ及び実装位置誤差を考慮して、電極形状を決定する
ことにより、同じ位置ズレ量でも必要な導電粒子数を電
極間に確保して、かつ隣接電極間に粒子または粒子群が
挟まることがないように出来る。
【0014】詳しくは、まず、異方性導伝膜の導電粒子
密度・導電粒子の分布・一電極あたりに必要な最低粒子
個数から、統計的手法を用いて、必要な歩留まりを確保
するための最低接続有効エリア面積Sminを求める。す
なわち、ある面積内の導電粒子個数の分布はポアソン分
布で近似することが出来、更にポアソン分布は、粒子密
度と相関のある平均粒子個数のみをパラメータとして決
定される。ここで最低粒子個数が必要な歩留まり以上の
確率で確保できる面積を最低接続有効エリア面積Smin
とする。
【0015】つぎに、想定される実装位置誤差分の位置
ズレがあった場合の、実質有効エリア面積Sと(電極ピ
ッチと関係のある)隣接電極との距離Lが、それぞれS
>Smin、L>Lz(Lzは絶縁保証距離)なる関係をを
同時に満たすように、電極形状を設定する。このように
することにより実装位置誤差が原因となる接続不良を最
小限に抑えられる。
【0016】(6) 従来よりも位置ズレの許容度が大
きくなるので、より安価な装置で、高速に実装が可能に
なり、コストダウンを図れる。 (7) 従来必要とされた高精度な実装工程を利用すれ
ば、より、電極ピッチの小さい場合の実装も可能とな
り、実装構造の小型化・高密度化が図れ、低価格・高性
能化が実現できる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施例を図面に
基づいて説明する。図1は本発明にかかる実装構造の第
1の実施例のチップ電極と基板電極の一部を示す上面図
である。ここで(a)は位置ズレのない場合、(b)は
チップ外形線4と本来のチップ外形線5のズレからわか
るように、チップが基板に対して水平(X軸)方向、垂
直(Y軸)方向にそれぞれ(X1、Y1)分ずれている
場合を示している。仮に、ここでのチップ電極1の形状
と、(b)での位置ズレ量(X1,Y1)は図6の従来
例のものと同一であるとする。本実施例では基板電極2
の形状がチップ電極よりも、X,Y方向とも3倍の長さ
(面積9倍)となっている。基板電極が大きいことによ
り、位置がずれた(b)の状態でも、接続有効エリア3
が確保され、オープンになることが防げている。さらに
接続有効エリア3の面積も変化していない。
【0018】図2は本発明にかかる実装構造の第2の実
施例のチップ電極と基板電極の一部を示す上面図であ
る。ここで(a)は位置ズレのない場合、(b)はチッ
プ外形線4と本来のチップ外形線5のズレからわかるよ
うに、チップが基板に対して、垂直(Y軸)方向にY2
分ずれている場合を示している。ここでのチップ電極の
形状と、(b)での位置ズレ量Y2は図7の従来例のも
のと同一である。本実施例は基板電極2の形状をチップ
電極1に対してY方向の上下(±)方向に3倍に広げた
ものである。基板電極が大きいことにより、位置がずれ
た(b)の状態でも、接続有効部エリア3は確保され、
オープンになることが防げている。さらに接続有効エリ
ア3の面積も変化していない。また本実施例の場合、基
板電極2はX方向にも広げるとX方向の位置ズレに対し
てオープンは発生し難くなるが、逆に隣接電極間ショー
トが発生し易くなる。従って基板電極2のX方向の寸法
はチップ電極1と同一とした。
【0019】図3は本発明にかかる実装構造の第3の実
施例のチップ電極と基板電極の一部を示す上面図であ
る。ここで(a)は位置ズレのない場合、(b)はチッ
プ外形線1と本来のチップ外形線2のズレからわかるよ
うに、チップが基板に対して水平(X軸)方向、垂直
(Y軸)方向にそれぞれ(X3、Y3)分ずれている場
合を示している。ここでのチップ電極1の形状と、
(b)での位置ズレ量(X3,Y3)は図8の従来例の
ものと同一である。本実施例では基板電極2の形状がチ
ップ電極1に対してX方向は1/3、Y方向は約3/2
の大きさとなっている。これにより、位置がずれた
(b)の状態でも、隣接電極間の隙間が確保され、隣接
電極の短絡が防げている。また、(a)での接続有効エ
リア3の面積は従来例の位置ズレの無いときに比べると
減少しているが、位置ズレによる面積変化が無いという
点では従来例よりも優れている。本実施例では、基板電
極2をチップ電極1に対して位置ズレによるオープンの
懸念が大きいY方向には大きく、隣接電極間ショートの
懸念がより大きいX方向には小さく、結果的には細長い
形状とすることで、位置ズレに強い実装を実現してい
る。
【0020】
【実施例】これより、本発明にかかる実装構造の接続に
異方性導電膜を使用したときの実施例を説明する。ここ
で仮に 導電粒子密度:D=2300(個/mm2)、 導電粒子の分布:ある面積内に挟まれる導電粒子個
数はポアソン分布に従う、 最小絶縁保証距離:Lz=15(μm)、 一電極当たりに必要な最小導電粒子個数:Nmin=
1(個)、 一電極当たりにNmin(=1個)以上の導電粒子が
存在する確率:η=0.9999 電極ピッチ:100μm、 最大実装位置誤差:±15μm 基板電極同士、及びチップ電極同士の形状は同一。 という条件を基に説明する。ここで、導電粒子密度P
は、異方性導伝膜を平板2枚で導電粒子の直径以下の距
離で挟み込んだときの平板の単位面積内に挟まれる平均
導電粒子個数を示す。また、一電極当たりにNmin(=
1個)以上の導電粒子が存在する確率ηは、実装位置誤
差分ずれた時の歩留まりの想定値を任意に設定したもの
である。
【0021】以上の条件から、最小接続有効面積をSmi
nとすると、以下の関係が成り立つ
【数1】 ここでNmin=1より
【数2】 数2を変形すると
【数3】 ここで η=0.9999、D=2300(個/m
2)より Smin= 約4000(μm2) となり、最小接続有効面積Sminを求めることができ
る。
【0022】これらのことから、位置ずれが実装位置精
度である15μm発生した場合においても、隣接電極と
の隙間LがL≧Lz(=15μm) かつ、接続有効面積SがS≧Smin(=4000μm2
を満たす範囲内で電極形状を設定する。形状の設定に
は、電極ピッチも考慮に入れる必要がある。
【0023】図4は本発明にかかる実装構造の第4の実
施例のチップ電極と基板電極の一部を示す上面図で、電
気的・機械的接続に異方性導伝膜を使用した場合を示し
ている。また、図4(a)は位置ズレのないとき、図4
(b)は最大の実装位置精度である15μm分の位置ズ
レをしているときを示している。ここではチップ電極1
の形状を70μm×90μm(X方向×Y方向)、基板
電極2の形状をY方向の上下に15μm分大きい70μ
m×120μmとしている。(a)の位置ズレのないと
きは、接続有効面積S0=70×90=6300(μm
2)、隣接電極隙間L0=30(μm)で、(b)の
X、Y方向とも15μmの位置ズレのあるときは、接続
有効面積S1=55×90=4950(μm2)、隣接
電極隙間L1=15(μm)となり、いずれの場合でも
上述したS≧Smin、L≧LZの条件を満たしている。従
って、理論的には位置ズレによる接続不良の発生する確
率は極めて小さくなる。なお、S≧Smin、L≧Lzの条
件を満たすチップ電極と基板電極の形状およびその組み
合わせはは無限に存在し、本実施例はそのなかのひとつ
である。ここであげた条件は代表例で、実際には各条件
は以下の範囲を想定する。 導電粒子密度D:1000〜4000(個/mm2)、 最小絶縁保証距離Lz:5〜15(μm)、 一電極当たりに必要な最小導電粒子個数Nmin:通常1
個。大きな電流容量がが必要な場合2〜5個の場合もあ
る。 一電極当たりにNmin以上の導電粒子が存在する確率
η:0.999〜0.999999 最大実装位置誤差:±1〜±30(μm) Nmin=1とすると、最小接続有効面積Sminは上記条件
と式1より、D=4000(個/mm2)、η=0.9
99のとき最小のSmin=約1720(μm2)で、D=
1000(個/mm2)、η=0.999999のとき
最大のSmin=約13820(μm2)となる。
【0024】また、上述した図1〜4の実施例は本発明
の代表的な例をわかりやすく模式的に示したものであ
り、実際の電極の配列(マトリクス状、千鳥、等)や形
状(円形、多角形等)、実装方式(導電接着剤、導電粒
子、バンプ有無、等)や基板の種類(ベース材、配線
材、電極材、製造プロセス、構造、等)は多種多様なも
のが考えられる。
【0025】実際にチップ電極と基板電極の面積および
寸法を決定する場合には、電極の配列、形状、実装方
式、基板の種類だけでなく、製造工程での実装位置誤差
や、設計の自由度等も考慮して決定することとなる。特
に異方性導電膜等の導電粒子による接続においては、電
極に挟まれる導電粒子がポアソン分布に従うことを利用
して、一端子あたりの最低必要導電粒子数と、導電粒子
密度および想定歩留まりから、一端子あたりに必要な電
極面積を求め、実装位置精度、絶縁距離、電極ピッチと
を考慮して必要面積を満たすようにチップ電極と基板電
極の大きさを形状が異なるように決定する。表1に一端
子当たりの最低必要粒子個数以上の導電粒子が存在する
確率ηをη=0.9999と想定した場合の、導電粒子
密度と一端子当たりの最低必要粒子個数から求めた平均
粒子数と一端子当たりの最低必要面積を一例として示し
た。
【0026】
【表1】
【0027】
【発明の効果】この発明は以上説明したように、基板に
ベアチップをフェイスダウン実装する構造において、チ
ップ電極と対応する基板電極の形状が異なるようにする
ことにより、実装位置誤差の許容度を大きくすることが
可能になるとともに、低価格、小型、高密度な実装構造
が得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる実装構造の第1の実施例のチッ
プ電極と基板電極の一部を示す上面図。
【図2】本発明にかかる実装構造の第2の実施例のチッ
プ電極と基板電極の一部を示す上面図である。
【図3】本発明にかかる実装構造の第3の実施例のチッ
プ電極と基板電極の一部を示す上面図である。
【図4】本発明にかかる実装構造の第4の実施例のチッ
プ電極と基板電極の一部を示す上面図である。
【図5】従来の実装構造の、異方性導電膜で接続して位
置がずれた場合を示す正面図である。
【図6】従来の実装構造のチップ電極と基板電極の一部
を示す上面図である。
【図7】従来の実装構造のチップ電極と基板電極の一部
を示す上面図である。
【図8】従来の実装構造のチップ電極と基板電極の一部
を示す上面図である。
【図9】従来の実装構造のチップ電極と基板電極の一部
を示す上面図である。
【符号の説明】
1 チップ電極 2 基板電極 3 接続有効エリア 4 チップ外形線 5 本来のチップ外形線 6 導電粒子 7 配線部

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ベアチップを基板にフェイスダウン実装
    する実装構造において、チップ電極の形状とこれに対応
    する基板電極の形状が異なることを特徴とする実装構
    造。
  2. 【請求項2】 前記基板電極は、前記チップ電極よりも
    大きいことを特徴とする請求項1記載の実装構造。
  3. 【請求項3】 前記基板電極は、前記チップ電極よりも
    細長いことを特徴とする請求項1記載の実装構造。
  4. 【請求項4】 前記ベアチップと前記基板が導電粒子に
    より電気的に接続されていることを特徴とする請求項
    1、2、3のいずれか1項記載の実装構造。
  5. 【請求項5】 前記基板電極と前記チップ電極とが対向
    して重なり合ってなる導通接続部面積Sは、前記導電粒
    子の単位面積当たり平均個数をD、前記Sの中に1個以
    上の粒子が存在する確率をηとした時に、S≧−ln
    (1−η)/Dとなることを特徴とする請求項4記載の
    実装構造。
  6. 【請求項6】 前記導電粒子の単位面積当たり平均個数
    (D)は、1000個/mm2以上、4000個/mm2
    以下のいずれかの値であることを特徴とする請求項5記
    載の実装構造。
  7. 【請求項7】 前記基板電極と前記チップ電極とが対向
    して重なり合ってなる導通接続部面積(S)中に1個以
    上の粒子が存在する確率(η)は、0.999以上、
    0.999999以下の中から任意の数値を選択するこ
    とを特徴とする請求項5記載の実装構造。
  8. 【請求項8】 前記基板電極と前記チップ電極とが対向
    して重なり合ってなる導通接続部面積(S)は、172
    0μm2以上、13820μm2以下のいずれかの面積で
    あることを特徴とする請求項5、6、7のいずれか1項
    記載の実装構造。
  9. 【請求項9】 実装位置誤差分ズレて実装された場合に
    も、前記基板電極と前記チップ電極のうち少なくとも一
    方の電極が、他方の隣接する電極との間隔が15μm以
    上あることを特徴とする請求項4、5、6、7、8のい
    ずれか1項記載の実装構造。
JP04082198A 1997-03-05 1998-02-23 実装方法 Expired - Fee Related JP3504134B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04082198A JP3504134B2 (ja) 1997-03-05 1998-02-23 実装方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5071697 1997-03-05
JP9-50716 1997-03-05
JP04082198A JP3504134B2 (ja) 1997-03-05 1998-02-23 実装方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10308414A true JPH10308414A (ja) 1998-11-17
JP3504134B2 JP3504134B2 (ja) 2004-03-08

Family

ID=26380336

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP04082198A Expired - Fee Related JP3504134B2 (ja) 1997-03-05 1998-02-23 実装方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3504134B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000057508A1 (en) * 1999-03-24 2000-09-28 Rohm Co., Ltd. Circuit module for protecting a rechargeable battery and method of manufacture thereof
JP2008072148A (ja) * 2007-12-03 2008-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2022033786A (ja) * 2014-01-28 2022-03-02 デクセリアルズ株式会社 接続体及び接続体の製造方法
KR20220029770A (ko) * 2014-01-28 2022-03-08 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 접속체 및 접속체의 제조 방법

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000057508A1 (en) * 1999-03-24 2000-09-28 Rohm Co., Ltd. Circuit module for protecting a rechargeable battery and method of manufacture thereof
EP1179872A1 (en) * 1999-03-24 2002-02-13 Rohm Co., Ltd. Circuit module for protecting a rechargeable battery and method of manufacture thereof
US6654218B1 (en) 1999-03-24 2003-11-25 Rohm Co., Ltd. Protection circuit module for rechargeable battery and method of making the same
EP1179872A4 (en) * 1999-03-24 2007-06-06 Rohm Co Ltd RECHARGEABLE BATTERY PROTECTION CIRCUIT MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
JP2008072148A (ja) * 2007-12-03 2008-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2022033786A (ja) * 2014-01-28 2022-03-02 デクセリアルズ株式会社 接続体及び接続体の製造方法
KR20220029770A (ko) * 2014-01-28 2022-03-08 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 접속체 및 접속체의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP3504134B2 (ja) 2004-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5180888A (en) Conductive bonding agent and a conductive connecting method
US7335995B2 (en) Microelectronic assembly having array including passive elements and interconnects
US6229711B1 (en) Flip-chip mount board and flip-chip mount structure with improved mounting reliability
KR100449463B1 (ko) Cof용 테이프 캐리어 및 이를 사용한 cof-구조의반도체 장치
KR100510810B1 (ko) 액정표시장치
GB2346740A (en) Integrated printed wiring board assembly
US5397864A (en) Wiring board and a method for producing the same
JPH05102382A (ja) I/oピンの修理構造および修理方法
US6372543B1 (en) Wrap-around interconnect for fine pitch ball grid array
US7508073B2 (en) Wiring board, semiconductor device using the same, and method for manufacturing wiring board
JPH10308414A (ja) 実装構造
US20110049514A1 (en) Tcp type semiconductor device
CN217822793U (zh) 电子装置
KR100513422B1 (ko) 집적회로 모듈의 구조
TW202230754A (zh) 陣列基板和顯示裝置
EP1104225B1 (en) Surface mounting component and mounted structure of surface mounting component
EP0413161A1 (en) Conductive connecting structure
JPH0419710A (ja) 液晶表示装置
CN219740730U (zh) 焊盘结构、pcb板及电子设备
JP2004235232A (ja) 電子部品の実装構造
JPH09318965A (ja) 液晶表示装置
JP3439426B2 (ja) 表示装置用のテープキャリアパッケージとこれを用いた表示パネルモジュール
JPH1117298A (ja) フレキシブルプリント基板
CN214338207U (zh) 一种改良的电路板结构
US20030054589A1 (en) Method of improving mount assembly in a multilayer PCB's

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20031209

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20031209

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081219

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091219

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101219

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101219

Year of fee payment: 7

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101219

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111219

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111219

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121219

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131219

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees