JPH10303689A - 弾性表面波装置ならびにその製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置ならびにその製造方法Info
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- JPH10303689A JPH10303689A JP9109483A JP10948397A JPH10303689A JP H10303689 A JPH10303689 A JP H10303689A JP 9109483 A JP9109483 A JP 9109483A JP 10948397 A JP10948397 A JP 10948397A JP H10303689 A JPH10303689 A JP H10303689A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 性能に優れ、小型化、薄型化が可能な弾性表
面波装置を提供する。 【解決手段】 圧電性基板10の表面に電極パターン1
1を設けた弾性表面波チップ3と、電極パターン11と
接続する導電性パターン5,6を有し、電極パターン1
1との間に隙間19をもって弾性表面波チップ3と電気
的に接続する絶縁性基板1と、開口部を絶縁性基板1と
嵌合することにより弾性表面波チップ3を内側に収容す
るキャップ4と、弾性表面波チップ3の電極パターン1
1の少なくとも主要部を覆わないようにして弾性表面波
チップ3をキャップ4内に固定するとともに、絶縁性基
板1の周辺部とキャップ4の開口端との接合部をキャッ
プ4の内側からシールする接着性を有するシール層20
を備えたことを特徴とする。
面波装置を提供する。 【解決手段】 圧電性基板10の表面に電極パターン1
1を設けた弾性表面波チップ3と、電極パターン11と
接続する導電性パターン5,6を有し、電極パターン1
1との間に隙間19をもって弾性表面波チップ3と電気
的に接続する絶縁性基板1と、開口部を絶縁性基板1と
嵌合することにより弾性表面波チップ3を内側に収容す
るキャップ4と、弾性表面波チップ3の電極パターン1
1の少なくとも主要部を覆わないようにして弾性表面波
チップ3をキャップ4内に固定するとともに、絶縁性基
板1の周辺部とキャップ4の開口端との接合部をキャッ
プ4の内側からシールする接着性を有するシール層20
を備えたことを特徴とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機(例
えばページャ、携帯電話、PHS、FPLMTS、業務
用無線、アマチュア無線用携帯無線機)のRF、IFフ
ィルタ、ハンディパソコン用無線モデム(CDPD)の
RF、IFフィルタ等に使用される弾性表面波装置に係
り、特に周波数特性を改善するとともに、安価で、パッ
ケージの小型化、薄型化が可能な弾性表面波装置ならび
にその製造方法に関する。
えばページャ、携帯電話、PHS、FPLMTS、業務
用無線、アマチュア無線用携帯無線機)のRF、IFフ
ィルタ、ハンディパソコン用無線モデム(CDPD)の
RF、IFフィルタ等に使用される弾性表面波装置に係
り、特に周波数特性を改善するとともに、安価で、パッ
ケージの小型化、薄型化が可能な弾性表面波装置ならび
にその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】携帯電話、PHS、ページャ等の移動体
通信機のRF、IFフィルタとして、表面実装型の弾性
表面波装置が使用されている。図16ないし図19に従
来例の弾性表面波装置の構造を示す。
通信機のRF、IFフィルタとして、表面実装型の弾性
表面波装置が使用されている。図16ないし図19に従
来例の弾性表面波装置の構造を示す。
【0003】図16は第1の従来例に係る弾性表面波装
置の分解斜視図、図17はその弾性表面波装置の縦断面
図である。この従来例は特開昭61−245709号公
報に示されたもので、絶縁性基板50上に弾性表面波
(以下、SAWと略記する)チップ51が搭載され、絶
縁性基板50の導電性パターンとSAWチップ51の電
極はボンディングワイヤ52により電気的に接続されて
いる。SAWチップ51の上方から絶縁性基板50に絶
縁性キャップ53を被せ、キャップ53の開口端と絶縁
性基板50は封止用接着剤54でシールされている。
置の分解斜視図、図17はその弾性表面波装置の縦断面
図である。この従来例は特開昭61−245709号公
報に示されたもので、絶縁性基板50上に弾性表面波
(以下、SAWと略記する)チップ51が搭載され、絶
縁性基板50の導電性パターンとSAWチップ51の電
極はボンディングワイヤ52により電気的に接続されて
いる。SAWチップ51の上方から絶縁性基板50に絶
縁性キャップ53を被せ、キャップ53の開口端と絶縁
性基板50は封止用接着剤54でシールされている。
【0004】図18は、第2の従来例に係る弾性表面波
装置の縦断面図である。この従来例は特開平3−727
08号公報に示されたもので、絶縁性基板50にシール
リング55を銀蝋付けし、金属製キャップ56をシーム
溶接の手法で封止して気密性を高めたものである。なお
符号57はシーム溶接部を示す。
装置の縦断面図である。この従来例は特開平3−727
08号公報に示されたもので、絶縁性基板50にシール
リング55を銀蝋付けし、金属製キャップ56をシーム
溶接の手法で封止して気密性を高めたものである。なお
符号57はシーム溶接部を示す。
【0005】図19は、第3の従来例に係る弾性表面波
装置の断面図である。この従来例は、セラミック多層化
の技術を用い、積層セラミックケース58によるSAW
チップ収納用のポケット59を形成し、ポケット59内
にSAWチップ51を配置して、銀蝋付けしたシールリ
ング55を介してフラツトな金属板60でポケット59
の開口部を閉塞している。
装置の断面図である。この従来例は、セラミック多層化
の技術を用い、積層セラミックケース58によるSAW
チップ収納用のポケット59を形成し、ポケット59内
にSAWチップ51を配置して、銀蝋付けしたシールリ
ング55を介してフラツトな金属板60でポケット59
の開口部を閉塞している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところでこのような構
造の従来の弾性表面波装置においては、帯域内外の周波
数特性が十分でなく、弾性表面波装置として優れた特性
が発揮されなかった。
造の従来の弾性表面波装置においては、帯域内外の周波
数特性が十分でなく、弾性表面波装置として優れた特性
が発揮されなかった。
【0007】また前記第1、第2の従来例においてはワ
イヤボンディング用のスペースAを必要とし、このスペ
ースAの存在によりパッケージサイズが大きくなるとい
う欠点がある。
イヤボンディング用のスペースAを必要とし、このスペ
ースAの存在によりパッケージサイズが大きくなるとい
う欠点がある。
【0008】また、第2、第3の従来例においてはシー
ルリングを使用しているが、シールリングタイプのもの
は絶縁性基板に銀蝋付けする高度で煩雑な作業が必要で
あり、材料費が高く、生産性が悪いという欠点があっ
た。
ルリングを使用しているが、シールリングタイプのもの
は絶縁性基板に銀蝋付けする高度で煩雑な作業が必要で
あり、材料費が高く、生産性が悪いという欠点があっ
た。
【0009】近年の移動体通信機、特に携帯電話、PH
S、ページャの超小型化、超薄型化、低価格化の要求が
強く、これに対応するには採用する部品それぞれの超小
型化、超薄型化、低価格化が不可欠である。
S、ページャの超小型化、超薄型化、低価格化の要求が
強く、これに対応するには採用する部品それぞれの超小
型化、超薄型化、低価格化が不可欠である。
【0010】本発明は、このような背景に鑑みてなされ
たものであり、周波数特性に優れ、小型化、薄型化、コ
ストの低減が可能な弾性表面波装置ならびにその製造方
法を提供することを目的とする。
たものであり、周波数特性に優れ、小型化、薄型化、コ
ストの低減が可能な弾性表面波装置ならびにその製造方
法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、第1の本発明は、圧電性基板の表面に電極パターン
を設けた弾性表面波チップと、前記電極パターンと接続
する導電性パターンを有し、電極パターンとの間に隙間
をもって弾性表面波チップと電気的に接続する絶縁性基
板と、開口部を絶縁性基板と嵌合することにより前記弾
性表面波チップを内側に収容するキャップと、前記弾性
表面波チップの電極パターンの少なくとも主要部を覆わ
ないようにして弾性表面波チップをキャップ内に固定す
るとともに、絶縁性基板の周辺部とキャップの開口端と
の接合部をキャップの内側からシールする接着性を有す
る、例えばエポキシ系樹脂などのシール層とを備えたこ
とを特徴とするものである。
に、第1の本発明は、圧電性基板の表面に電極パターン
を設けた弾性表面波チップと、前記電極パターンと接続
する導電性パターンを有し、電極パターンとの間に隙間
をもって弾性表面波チップと電気的に接続する絶縁性基
板と、開口部を絶縁性基板と嵌合することにより前記弾
性表面波チップを内側に収容するキャップと、前記弾性
表面波チップの電極パターンの少なくとも主要部を覆わ
ないようにして弾性表面波チップをキャップ内に固定す
るとともに、絶縁性基板の周辺部とキャップの開口端と
の接合部をキャップの内側からシールする接着性を有す
る、例えばエポキシ系樹脂などのシール層とを備えたこ
とを特徴とするものである。
【0012】前記目的を達成するために、第2の本発明
は、弾性表面波チップの電極パターンと絶縁性基板の導
電性パターンが隙間を介して対面するようにして弾性表
面波チップの電極パターンと絶縁性基板の導電性パター
ンを電気的に接続する工程と、キャップの内側に所定量
の例えばエポキシ系樹脂などのシール剤を注入する工程
と、前記弾性表面波チップ付きの絶縁性基板をキャップ
の開口端に嵌合して、前記シール剤で弾性表面波チップ
をキャップの内側で接着固定するとともに、絶縁性基板
の周辺部とキャップの開口端との接合部をキャップの内
側からシールする工程とを有することを特徴とするもの
である。
は、弾性表面波チップの電極パターンと絶縁性基板の導
電性パターンが隙間を介して対面するようにして弾性表
面波チップの電極パターンと絶縁性基板の導電性パター
ンを電気的に接続する工程と、キャップの内側に所定量
の例えばエポキシ系樹脂などのシール剤を注入する工程
と、前記弾性表面波チップ付きの絶縁性基板をキャップ
の開口端に嵌合して、前記シール剤で弾性表面波チップ
をキャップの内側で接着固定するとともに、絶縁性基板
の周辺部とキャップの開口端との接合部をキャップの内
側からシールする工程とを有することを特徴とするもの
である。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明は前述のように、シール層
により弾性表面波チップの電極パターンの少なくとも主
要部を覆わないようにして弾性表面波チップをキャップ
内に固定するとともに、絶縁性基板との間に隙間を形成
することにより、弾性表面波のロスがなく、帯域外およ
び帯域内の周波数特性が改善され、長期間にわたって優
れた性能を有する弾性表面波装置を提供することができ
る。
により弾性表面波チップの電極パターンの少なくとも主
要部を覆わないようにして弾性表面波チップをキャップ
内に固定するとともに、絶縁性基板との間に隙間を形成
することにより、弾性表面波のロスがなく、帯域外およ
び帯域内の周波数特性が改善され、長期間にわたって優
れた性能を有する弾性表面波装置を提供することができ
る。
【0014】また、従来の構造で一般的に採用されてい
たシーム溶接に必要なシールリングの銀蝋付けという高
度で煩雑な工程が不要となり、材料費が低減でき、作業
効率の向上が図れる。
たシーム溶接に必要なシールリングの銀蝋付けという高
度で煩雑な工程が不要となり、材料費が低減でき、作業
効率の向上が図れる。
【0015】さらにシール層をキャップ内に封じ込める
ことにより、パッケージの底面積を絶縁性基板とほぼ同
サイズにでき、装置の小型化、薄型化が可能となる。ま
たキャップ内に封じ込められたシール層は、SAWチッ
プの固定と気密封止の両方の機能を同時に発揮でき、こ
の点からもコストの低減が図れる。
ことにより、パッケージの底面積を絶縁性基板とほぼ同
サイズにでき、装置の小型化、薄型化が可能となる。ま
たキャップ内に封じ込められたシール層は、SAWチッ
プの固定と気密封止の両方の機能を同時に発揮でき、こ
の点からもコストの低減が図れる。
【0016】さらにまた弾性表面波チップをフェースダ
ウン状態で絶縁性基板にバンプボンディングすることに
より、ワイヤボンディングのスペースが不要になり、そ
の結果弾性表面波装置の小型化、薄型化が図れる。
ウン状態で絶縁性基板にバンプボンディングすることに
より、ワイヤボンディングのスペースが不要になり、そ
の結果弾性表面波装置の小型化、薄型化が図れる。
【0017】また導電性のキャップを用いることによ
り、外部との電磁気的干渉を排除することができる。さ
らにそのキャップと絶縁性基板の導電性パターンとを電
気的に接続することにより、外部との電磁気的遮断を一
層強度にすることができる。
り、外部との電磁気的干渉を排除することができる。さ
らにそのキャップと絶縁性基板の導電性パターンとを電
気的に接続することにより、外部との電磁気的遮断を一
層強度にすることができる。
【0018】以下、本発明の実施の形態を具体的に説明
する。図1ないし図4は第1の実施の形態に係る弾性表
面波装置を説明するためのもので、図1はそれの分解斜
視図、図2は組立が完了した状態での斜視図、図3は縦
断側面図、図4はSAWチップの電極パターンの一例を
示す拡大平面図である。
する。図1ないし図4は第1の実施の形態に係る弾性表
面波装置を説明するためのもので、図1はそれの分解斜
視図、図2は組立が完了した状態での斜視図、図3は縦
断側面図、図4はSAWチップの電極パターンの一例を
示す拡大平面図である。
【0019】ガラスエポキシ樹脂あるいはセラミックな
どからなる絶縁性基板1の上には、下面に導電性の例え
ば金や半田などからなるバンプ2(図3参照)を有する
SAWチップ3が搭載され、その上からキャップ4が嵌
合されている。
どからなる絶縁性基板1の上には、下面に導電性の例え
ば金や半田などからなるバンプ2(図3参照)を有する
SAWチップ3が搭載され、その上からキャップ4が嵌
合されている。
【0020】絶縁性基板1には、入出力用導電性パター
ン5とグランド用導電性パターン6が形成され、これら
導電性パターン5,6は絶縁性基板1の上面から側端面
を経て下面に延びている。絶縁性基板1の長辺側端面で
かつグランド用導電性パターン6が形成されている以外
の個所にキャップ4の厚さとほぼ同じ深さの2つの溝状
の凹部7が形成されている(図1参照)。
ン5とグランド用導電性パターン6が形成され、これら
導電性パターン5,6は絶縁性基板1の上面から側端面
を経て下面に延びている。絶縁性基板1の長辺側端面で
かつグランド用導電性パターン6が形成されている以外
の個所にキャップ4の厚さとほぼ同じ深さの2つの溝状
の凹部7が形成されている(図1参照)。
【0021】キャップ2は例えば鉄−ニッケル−コバル
ト合金(商品名コバール)や鉄−ニッケル合金(商品名
42アロイ)などの金属または合成樹脂から構成され、
一面に絶縁性基板1とほぼ同じ面積の開口部を有する箱
状のもので、開口端には前記凹部7に嵌入する脚部8が
設けられ、入出力用導電性パターン5と対向する開口端
には入出力用導電性パターン5との接続を避けるために
切欠部9が形成されている。
ト合金(商品名コバール)や鉄−ニッケル合金(商品名
42アロイ)などの金属または合成樹脂から構成され、
一面に絶縁性基板1とほぼ同じ面積の開口部を有する箱
状のもので、開口端には前記凹部7に嵌入する脚部8が
設けられ、入出力用導電性パターン5と対向する開口端
には入出力用導電性パターン5との接続を避けるために
切欠部9が形成されている。
【0022】SAWチップ3は図4に示すように、ニオ
ブ酸リチウムなどからなる圧電性基板10の表面に第1
の多電極SAW11aと第2の多電極SAW11bが並
んで設けられている。
ブ酸リチウムなどからなる圧電性基板10の表面に第1
の多電極SAW11aと第2の多電極SAW11bが並
んで設けられている。
【0023】第1の多電極SAW11aにおいて入力電
極12aと出力電極13aが所定の間隙を介して対向し
て櫛型状電極を構成し、櫛型状電極の両側に反射器14
a,14aが設けられている。第2の多電極SAW11
bも同様に、入力電極12bと出力電極13bが対向し
て櫛型状電極を構成し、その両側に反射器14b,14
bが設けられている。
極12aと出力電極13aが所定の間隙を介して対向し
て櫛型状電極を構成し、櫛型状電極の両側に反射器14
a,14aが設けられている。第2の多電極SAW11
bも同様に、入力電極12bと出力電極13bが対向し
て櫛型状電極を構成し、その両側に反射器14b,14
bが設けられている。
【0024】第1の多電極SAW11aは反射器14a
−櫛型状電極12a,13a−反射器14aが、第2の
多電極SAW11bは反射器14b−櫛型状電極12
b,13b−反射器14bが、ともに弾性表面波伝搬方
向に沿って配置されている。15aは入力端子、16b
は出力端子、17a,17bはグランド端子、18は導
電体である。
−櫛型状電極12a,13a−反射器14aが、第2の
多電極SAW11bは反射器14b−櫛型状電極12
b,13b−反射器14bが、ともに弾性表面波伝搬方
向に沿って配置されている。15aは入力端子、16b
は出力端子、17a,17bはグランド端子、18は導
電体である。
【0025】図3に示すようにSAWチップ3は多電極
SAW11a,11bを下にして絶縁性基板1上に配置
され、SAWチップ3の前記入出力電極15a,16b
は絶縁性基板1の入出力用導電性パターン5に、SAW
チップ3の前記グランド電極17は絶縁性基板1のグラ
ンド用導電性パターン6に、それぞれバンプ2を介して
TABボンディングすることにより接続される。また、
多電極SAW11a,11bは絶縁性基板1とは直接接
触せず、隙間19をもって絶縁性基板1と対向して、多
電極SAW11a,11bの振動が抑制されないように
なっている。
SAW11a,11bを下にして絶縁性基板1上に配置
され、SAWチップ3の前記入出力電極15a,16b
は絶縁性基板1の入出力用導電性パターン5に、SAW
チップ3の前記グランド電極17は絶縁性基板1のグラ
ンド用導電性パターン6に、それぞれバンプ2を介して
TABボンディングすることにより接続される。また、
多電極SAW11a,11bは絶縁性基板1とは直接接
触せず、隙間19をもって絶縁性基板1と対向して、多
電極SAW11a,11bの振動が抑制されないように
なっている。
【0026】一方、キャップ4内にはエポキシ系樹脂や
シリコンゴム系樹脂などからなる、例えば粘度が約20,0
00CPS以上の高粘度で接着性を有するシール剤20が
所定量注入されており、このキャップ4にSAWチップ
3付きの絶縁性基板1を被せ、図2に示しているように
キャップ4の脚部8を絶縁性基板1の凹部7に嵌入する
とともに、脚部8以外の開口端21を絶縁性基板1の周
縁22に当接する。これによって絶縁性基板1は過度に
内側に入り込むことなくキャップ4の開口部を塞ぎ、図
3に示す如くキャップ4の内側にSAWチップ3が収容
され、SAWチップ3とキャップ4の間にシール剤20
が充満される。なお、シール剤20は高粘度であるた
め、絶縁性基板1とSAWチップ3の隙間19までは浸
透せず、多電極SAW11a,11bの少なくとも主要
部(櫛型状電極1213a、反射器14)はシール剤2
0で覆われることなく、隙間19は確保されている。前
記切欠部9はシール剤20をパッケージ内に充満させる
際、余分なシール剤を外部に出す機能も有している。
シリコンゴム系樹脂などからなる、例えば粘度が約20,0
00CPS以上の高粘度で接着性を有するシール剤20が
所定量注入されており、このキャップ4にSAWチップ
3付きの絶縁性基板1を被せ、図2に示しているように
キャップ4の脚部8を絶縁性基板1の凹部7に嵌入する
とともに、脚部8以外の開口端21を絶縁性基板1の周
縁22に当接する。これによって絶縁性基板1は過度に
内側に入り込むことなくキャップ4の開口部を塞ぎ、図
3に示す如くキャップ4の内側にSAWチップ3が収容
され、SAWチップ3とキャップ4の間にシール剤20
が充満される。なお、シール剤20は高粘度であるた
め、絶縁性基板1とSAWチップ3の隙間19までは浸
透せず、多電極SAW11a,11bの少なくとも主要
部(櫛型状電極1213a、反射器14)はシール剤2
0で覆われることなく、隙間19は確保されている。前
記切欠部9はシール剤20をパッケージ内に充満させる
際、余分なシール剤を外部に出す機能も有している。
【0027】このようにしてシール剤20によりSAW
チップ3がキャップ4内で固定されるとともに、絶縁性
基板1とキャップ4の接合部が内側から気密にシールさ
れる。また金属製のキャップ4の場合は開口端21の一
部はグランド用導電性パターン6と接触して電気的に接
続され、外部との電磁気的遮断(電磁気的干渉)を一層
強化することができる。
チップ3がキャップ4内で固定されるとともに、絶縁性
基板1とキャップ4の接合部が内側から気密にシールさ
れる。また金属製のキャップ4の場合は開口端21の一
部はグランド用導電性パターン6と接触して電気的に接
続され、外部との電磁気的遮断(電磁気的干渉)を一層
強化することができる。
【0028】図5は、SAWチップ3を固定した場合
(実線)と固定しない場合(破線)の周波数特性を示す
図である。この図から明らかなようにSAWチップ3を
固定しない場合、チップ体積で決まる周波数間隔Δfで
厚み方向の縦振動が発生し、帯域外および帯域内の周波
数特性が劣化して、弾性表面波装置としての機能が十分
に発揮されない。これに対して本発明のようにSAWチ
ップ3をキャップ4内にしっかりと固定することによ
り、帯域外および帯域内の周波数特性が改善されて、弾
性表面波装置としての機能が十分に発揮できる。
(実線)と固定しない場合(破線)の周波数特性を示す
図である。この図から明らかなようにSAWチップ3を
固定しない場合、チップ体積で決まる周波数間隔Δfで
厚み方向の縦振動が発生し、帯域外および帯域内の周波
数特性が劣化して、弾性表面波装置としての機能が十分
に発揮されない。これに対して本発明のようにSAWチ
ップ3をキャップ4内にしっかりと固定することによ
り、帯域外および帯域内の周波数特性が改善されて、弾
性表面波装置としての機能が十分に発揮できる。
【0029】図6は本発明の第2の実施の形態を示す図
で、絶縁性基板1として積層基板1a〜1cが用いら
れ、各積層基板1a〜1cに入出力用導電パターン5や
グランド用導電パターン6が形成され、入出力用導電パ
ターン5の一部が金属製のキャップ4と電気的に接続さ
れている。他の構成は前記第1の実施の形態と同様であ
るので、それらの説明は省略する。
で、絶縁性基板1として積層基板1a〜1cが用いら
れ、各積層基板1a〜1cに入出力用導電パターン5や
グランド用導電パターン6が形成され、入出力用導電パ
ターン5の一部が金属製のキャップ4と電気的に接続さ
れている。他の構成は前記第1の実施の形態と同様であ
るので、それらの説明は省略する。
【0030】図7は本発明の第3の実施の形態を示す図
で、この例の場合はシール剤20の注入量を前記第1の
実施の形態の場合よりも少なくしてさらに軽量化を図
り、SAWチップ3の裏面固定、ならびに絶縁性基板1
とキャップ4との接合部のシールとを行なっている。
で、この例の場合はシール剤20の注入量を前記第1の
実施の形態の場合よりも少なくしてさらに軽量化を図
り、SAWチップ3の裏面固定、ならびに絶縁性基板1
とキャップ4との接合部のシールとを行なっている。
【0031】図8ないし図12は本発明の第4の実施の
形態を示す図で、図8、図9、図10は絶縁性基板1の
上面図、側面図、下面図、図11はキャップ4の正面
図、図12は弾性表面波装置の縦断面図である。
形態を示す図で、図8、図9、図10は絶縁性基板1の
上面図、側面図、下面図、図11はキャップ4の正面
図、図12は弾性表面波装置の縦断面図である。
【0032】入出力用導電パターン5とグランド用導電
パターン6は絶縁性基板1の上面では図8のように、各
導電パターン5,6は絶縁性基板1の側端面を通り絶縁
性基板1の下面では図10のように、それぞれパターン
ニングされている。
パターン6は絶縁性基板1の上面では図8のように、各
導電パターン5,6は絶縁性基板1の側端面を通り絶縁
性基板1の下面では図10のように、それぞれパターン
ニングされている。
【0033】図8に示すように絶縁性基板1の上面四隅
でグランド用導電パターン6上には、半田層23が印刷
により形成されている。そして図12のように金属製の
キャツプ4を絶縁性基板1に嵌合することにより、キャ
ツプ4の開口端21がグランド用導電パターン6と接触
し、さらにその後にリフローすることにより、前記半田
層23を溶融してキャツプ4とグランド用導電パターン
6との電気的な接続をより確実にしている。
でグランド用導電パターン6上には、半田層23が印刷
により形成されている。そして図12のように金属製の
キャツプ4を絶縁性基板1に嵌合することにより、キャ
ツプ4の開口端21がグランド用導電パターン6と接触
し、さらにその後にリフローすることにより、前記半田
層23を溶融してキャツプ4とグランド用導電パターン
6との電気的な接続をより確実にしている。
【0034】図13ないし図16は本発明の第5の実施
の形態を示す図で、図13と図14は絶縁性基板1の上
面図と下面図、図15は図13X−X線上における絶縁
性基板1の縦断面図である。
の形態を示す図で、図13と図14は絶縁性基板1の上
面図と下面図、図15は図13X−X線上における絶縁
性基板1の縦断面図である。
【0035】入出力用導電パターン5とグランド用導電
パターン6は絶縁性基板1の上面では図13のようにパ
ターンニングされ、絶縁性基板1の下面では図14のよ
うにパターンニングされている。また絶縁性基板1は2
つのスルーホール24を有し、そのスルーホール24を
通して絶縁性基板1の上面側のグランド用導電パターン
6と下面側のグランド用導電パターン6が電気的に接続
されている(図15参照)。このようにスルーホール2
4を設けることにより、入出力間の電気的アイソレーシ
ョンを強化することで、帯域外の減衰度特性を一層改善
することができる。
パターン6は絶縁性基板1の上面では図13のようにパ
ターンニングされ、絶縁性基板1の下面では図14のよ
うにパターンニングされている。また絶縁性基板1は2
つのスルーホール24を有し、そのスルーホール24を
通して絶縁性基板1の上面側のグランド用導電パターン
6と下面側のグランド用導電パターン6が電気的に接続
されている(図15参照)。このようにスルーホール2
4を設けることにより、入出力間の電気的アイソレーシ
ョンを強化することで、帯域外の減衰度特性を一層改善
することができる。
【0036】図15に示すように絶縁性基板1の上面に
はグランド用導電パターン6が形成されているから、金
属製のキャップ4を絶縁性基板1に嵌合することにより
キャツプ4の開口端21がグランド用導電パターン6と
接触して電気的に接続される。なお必要があれば、前記
第4の実施の形態のようにキャツプ4の開口端21とグ
ランド用導電パターン6を半田23で電気的に接続する
こともできる。またキャツプ4とグランド用導電パター
ン6の半田による電気的な接続は、パッケージの外側で
行なうことも可能である。
はグランド用導電パターン6が形成されているから、金
属製のキャップ4を絶縁性基板1に嵌合することにより
キャツプ4の開口端21がグランド用導電パターン6と
接触して電気的に接続される。なお必要があれば、前記
第4の実施の形態のようにキャツプ4の開口端21とグ
ランド用導電パターン6を半田23で電気的に接続する
こともできる。またキャツプ4とグランド用導電パター
ン6の半田による電気的な接続は、パッケージの外側で
行なうことも可能である。
【0037】
【発明の効果】本発明は前述のように、シール層により
弾性表面波チップの電極パターンの少なくとも主要部を
覆わないようにして弾性表面波チップをキャップ内に固
定するとともに、絶縁性基板との間に隙間を形成するこ
とにより、弾性表面波のロスがなく、帯域外および帯域
内の周波数特性が改善され、長期間にわたって優れた性
能を有する弾性表面波装置を提供することができる。
弾性表面波チップの電極パターンの少なくとも主要部を
覆わないようにして弾性表面波チップをキャップ内に固
定するとともに、絶縁性基板との間に隙間を形成するこ
とにより、弾性表面波のロスがなく、帯域外および帯域
内の周波数特性が改善され、長期間にわたって優れた性
能を有する弾性表面波装置を提供することができる。
【0038】また、従来の構造で一般的に採用されてい
たシーム溶接に必要なシールリングの銀蝋付けという高
度で煩雑な工程が不要となり、材料費が低減でき、作業
効率の向上が図れる。
たシーム溶接に必要なシールリングの銀蝋付けという高
度で煩雑な工程が不要となり、材料費が低減でき、作業
効率の向上が図れる。
【0039】さらにシール層をキャップ内に封じ込める
ことにより、パッケージの底面積を絶縁性基板とほぼ同
サイズにでき、装置の小型化、薄型化が可能となる。ま
たキャップ内に封じ込められたシール層は、SAWチッ
プの固定と気密封止の両方の機能を同時に発揮でき、こ
の点からもコストの低減が図れる。
ことにより、パッケージの底面積を絶縁性基板とほぼ同
サイズにでき、装置の小型化、薄型化が可能となる。ま
たキャップ内に封じ込められたシール層は、SAWチッ
プの固定と気密封止の両方の機能を同時に発揮でき、こ
の点からもコストの低減が図れる。
【0040】前記実施の形態のように弾性表面波チップ
をフェースダウン状態で絶縁性基板にバンプボンディン
グすることにより、ワイヤボンディングのスペースが不
要になり、その結果弾性表面波装置の小型化、薄型化が
図れる。
をフェースダウン状態で絶縁性基板にバンプボンディン
グすることにより、ワイヤボンディングのスペースが不
要になり、その結果弾性表面波装置の小型化、薄型化が
図れる。
【0041】また前記実施の形態のように導電性のキャ
ップを用いることにより、外部との電磁気的干渉を排除
することができる。さらにそのキャップと絶縁性基板の
導電性パターンとを電気的に接続することにより、外部
との電磁気的遮断を一層強度にすることができるなどの
特長を有している。
ップを用いることにより、外部との電磁気的干渉を排除
することができる。さらにそのキャップと絶縁性基板の
導電性パターンとを電気的に接続することにより、外部
との電磁気的遮断を一層強度にすることができるなどの
特長を有している。
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る弾性表面波装
置の分解斜視図である。
置の分解斜視図である。
【図2】組立が完了した状態での弾性表面波装置の斜視
図である。
図である。
【図3】その弾性表面波装置の縦断面図である。
【図4】その弾性表面波装置におけるSAWチップの電
極パターンの拡大平面図である。
極パターンの拡大平面図である。
【図5】SAWチップを固定した場合と固定しない場合
における弾性表面波装置の周波数特性図である。
における弾性表面波装置の周波数特性図である。
【図6】本発明の第2の実施の形態に係る弾性表面波装
置の斜視図である。
置の斜視図である。
【図7】本発明の第3の実施の形態に係る弾性表面波装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図8】本発明の第4の実施の形態に係る弾性表面波装
置に用いる絶縁性基板の上面図である。
置に用いる絶縁性基板の上面図である。
【図9】その絶縁性基板の側面図である。
【図10】その絶縁性基板の下面図である。
【図11】その弾性表面波装置に用いるキャップの正面
図である。
図である。
【図12】その弾性表面波装置の縦断面図である。
【図13】本発明の第5の実施の形態に係る弾性表面波
装置に用いる絶縁性基板の上面図である。
装置に用いる絶縁性基板の上面図である。
【図14】その絶縁性基板の下面図である。
【図15】図13X−X線上における絶縁性基板の断面
図である。
図である。
【図16】第1の従来例に係る弾性表面波装置の分解斜
視図である。
視図である。
【図17】その弾性表面波装置の縦断面図である。
【図18】第2の従来例に係る弾性表面波装置の縦断面
図である。
図である。
【図19】第3の従来例に係る弾性表面波装置の縦断面
図である。
図である。
1 絶縁性基板 2 バンプ 3 SAWチップ 4 キャップ 5 入出力用導電性パターン 6 グランド用導電性パターン 7 凹部 8 脚部 9 切欠部 10 圧電性基板 11 多電極SAW 19 隙間 20 シール剤 21 開口端 22 周縁 23 半田層 24 スルーホール
Claims (14)
- 【請求項1】 圧電性基板の表面に電極パターンを設け
た弾性表面波チップと、 前記電極パターンと接続する導電性パターンを有し、電
極パターンとの間に隙間をもって弾性表面波チップと電
気的に接続する絶縁性基板と、 開口部を絶縁性基板と嵌合することにより前記弾性表面
波チップを内側に収容するキャップと、 前記弾性表面波チップの電極パターンの少なくとも主要
部を覆わないようにして弾性表面波チップをキャップ内
に固定するとともに、絶縁性基板の周辺部とキャップの
開口端との接合部をキャップの内側からシールする接着
性を有するシール層とを備えたことを特徴とする弾性表
面波装置。 - 【請求項2】 請求項1記載において、前記弾性表面波
チップの電極パターンと絶縁性基板の導電性パターンが
バンプを介して接続されていることを特徴とする弾性表
面波装置。 - 【請求項3】 請求項1記載において、前記キャップが
導電性を有していることを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項4】 請求項3記載において、前記キャップが
絶縁性基板に設けられている導電性パターンと電気的に
接続されていることを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項5】 請求項1記載において、前記絶縁性基板
に第1の係合部が設けられ、前記キャップに第2の係合
部が設けられて、キャップの開口端に絶縁性基板を嵌合
することにより、前記第1の係合部と第2の係合部が係
合してキャップの開口端における絶縁性基板の位置決め
がなされることを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項6】 請求項1記載において、前記キャップの
一部に余剰シール剤を外側に逃がす逃がし部が設けられ
ていることを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項7】 請求項1記載において、前記絶縁性基板
の内側の導電性パターンと外側の導電性パターンを電気
的に接続するスルーホールが絶縁性基板に設けられてい
ることを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項8】 弾性表面波チップの電極パターンと絶縁
性基板の導電性パターンが隙間を介して対面するように
して弾性表面波チップの電極パターンと絶縁性基板の導
電性パターンを電気的に接続する工程と、 キャップの内側に所定量のシール剤を注入する工程と、 前記弾性表面波チップ付きの絶縁性基板をキャップの開
口端に嵌合して、前記シール剤で弾性表面波チップをキ
ャップの内側で接着固定するとともに、絶縁性基板の周
辺部とキャップの開口端との接合部をキャップの内側か
らシールする工程とを有することを特徴とする弾性表面
波装置の製造方法。 - 【請求項9】 請求項8記載において、前記弾性表面波
チップの電極パターンと絶縁性基板の導電性パターンが
バンプを介して接続されていることを特徴とする弾性表
面波装置の製造方法。 - 【請求項10】 請求項8記載において、前記キャップ
が導電性を有していることを特徴とする弾性表面波装置
の製造方法。 - 【請求項11】 請求項10記載において、前記キャッ
プが絶縁性基板に設けられている導電性パターンと電気
的に接続されていることを特徴とする弾性表面波装置の
製造方法。 - 【請求項12】 請求項8記載において、前記絶縁性基
板に第1の係合部が設けられ、前記キャップに第2の係
合部が設けられて、キャップの開口端に絶縁性基板を嵌
合することにより、前記第1の係合部と第2の係合部が
係合してキャップの開口端における絶縁性基板の位置決
めがなされることを特徴とする弾性表面波装置の製造方
法。 - 【請求項13】 請求項8記載において、前記キャップ
の一部に余剰シール剤を外側に逃がす逃がし部が設けら
れていることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項14】 請求項8記載において、前記絶縁性基
板の内側の導電性パターンと外側の導電性パターンを電
気的に接続するスルーホールが絶縁性基板に設けられて
いることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9109483A JPH10303689A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 弾性表面波装置ならびにその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9109483A JPH10303689A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 弾性表面波装置ならびにその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10303689A true JPH10303689A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14511395
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9109483A Pending JPH10303689A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 弾性表面波装置ならびにその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10303689A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100638779B1 (ko) | 2003-04-08 | 2006-10-30 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 탄성 표면파 디바이스 및 그 제조 방법 |
WO2022118864A1 (ja) * | 2020-12-01 | 2022-06-09 | 京セラ株式会社 | 素子実装基板およびsawセンサ装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56157113A (en) * | 1980-05-07 | 1981-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of surface wave filter |
JPH07111438A (ja) * | 1993-10-08 | 1995-04-25 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置、及びその製造方法 |
JPH0817853A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-04-25 JP JP9109483A patent/JPH10303689A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56157113A (en) * | 1980-05-07 | 1981-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of surface wave filter |
JPH07111438A (ja) * | 1993-10-08 | 1995-04-25 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置、及びその製造方法 |
JPH0817853A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100638779B1 (ko) | 2003-04-08 | 2006-10-30 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 탄성 표면파 디바이스 및 그 제조 방법 |
WO2022118864A1 (ja) * | 2020-12-01 | 2022-06-09 | 京セラ株式会社 | 素子実装基板およびsawセンサ装置 |
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040402 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051206 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060425 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060905 |