JPH10303689A - 弾性表面波装置ならびにその製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置ならびにその製造方法Info
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- JPH10303689A JPH10303689A JP9109483A JP10948397A JPH10303689A JP H10303689 A JPH10303689 A JP H10303689A JP 9109483 A JP9109483 A JP 9109483A JP 10948397 A JP10948397 A JP 10948397A JP H10303689 A JPH10303689 A JP H10303689A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 性能に優れ、小型化、薄型化が可能な弾性表
面波装置を提供する。 【解決手段】 圧電性基板１０の表面に電極パターン１
１を設けた弾性表面波チップ３と、電極パターン１１と
接続する導電性パターン５，６を有し、電極パターン１
１との間に隙間１９をもって弾性表面波チップ３と電気
的に接続する絶縁性基板１と、開口部を絶縁性基板１と
嵌合することにより弾性表面波チップ３を内側に収容す
るキャップ４と、弾性表面波チップ３の電極パターン１
１の少なくとも主要部を覆わないようにして弾性表面波
チップ３をキャップ４内に固定するとともに、絶縁性基
板１の周辺部とキャップ４の開口端との接合部をキャッ
プ４の内側からシールする接着性を有するシール層２０
を備えたことを特徴とする。
面波装置を提供する。 【解決手段】 圧電性基板１０の表面に電極パターン１
１を設けた弾性表面波チップ３と、電極パターン１１と
接続する導電性パターン５，６を有し、電極パターン１
１との間に隙間１９をもって弾性表面波チップ３と電気
的に接続する絶縁性基板１と、開口部を絶縁性基板１と
嵌合することにより弾性表面波チップ３を内側に収容す
るキャップ４と、弾性表面波チップ３の電極パターン１
１の少なくとも主要部を覆わないようにして弾性表面波
チップ３をキャップ４内に固定するとともに、絶縁性基
板１の周辺部とキャップ４の開口端との接合部をキャッ
プ４の内側からシールする接着性を有するシール層２０
を備えたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機（例
えばページャ、携帯電話、ＰＨＳ、ＦＰＬＭＴＳ、業務
用無線、アマチュア無線用携帯無線機）のＲＦ、ＩＦフ
ィルタ、ハンディパソコン用無線モデム（ＣＤＰＤ）の
ＲＦ、ＩＦフィルタ等に使用される弾性表面波装置に係
り、特に周波数特性を改善するとともに、安価で、パッ
ケージの小型化、薄型化が可能な弾性表面波装置ならび
にその製造方法に関する。
えばページャ、携帯電話、ＰＨＳ、ＦＰＬＭＴＳ、業務
用無線、アマチュア無線用携帯無線機）のＲＦ、ＩＦフ
ィルタ、ハンディパソコン用無線モデム（ＣＤＰＤ）の
ＲＦ、ＩＦフィルタ等に使用される弾性表面波装置に係
り、特に周波数特性を改善するとともに、安価で、パッ
ケージの小型化、薄型化が可能な弾性表面波装置ならび
にその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話、ＰＨＳ、ページャ等の移動体
通信機のＲＦ、ＩＦフィルタとして、表面実装型の弾性
表面波装置が使用されている。図１６ないし図１９に従
来例の弾性表面波装置の構造を示す。
通信機のＲＦ、ＩＦフィルタとして、表面実装型の弾性
表面波装置が使用されている。図１６ないし図１９に従
来例の弾性表面波装置の構造を示す。
【０００３】図１６は第１の従来例に係る弾性表面波装
置の分解斜視図、図１７はその弾性表面波装置の縦断面
図である。この従来例は特開昭６１−２４５７０９号公
報に示されたもので、絶縁性基板５０上に弾性表面波
（以下、ＳＡＷと略記する）チップ５１が搭載され、絶
縁性基板５０の導電性パターンとＳＡＷチップ５１の電
極はボンディングワイヤ５２により電気的に接続されて
いる。ＳＡＷチップ５１の上方から絶縁性基板５０に絶
縁性キャップ５３を被せ、キャップ５３の開口端と絶縁
性基板５０は封止用接着剤５４でシールされている。
置の分解斜視図、図１７はその弾性表面波装置の縦断面
図である。この従来例は特開昭６１−２４５７０９号公
報に示されたもので、絶縁性基板５０上に弾性表面波
（以下、ＳＡＷと略記する）チップ５１が搭載され、絶
縁性基板５０の導電性パターンとＳＡＷチップ５１の電
極はボンディングワイヤ５２により電気的に接続されて
いる。ＳＡＷチップ５１の上方から絶縁性基板５０に絶
縁性キャップ５３を被せ、キャップ５３の開口端と絶縁
性基板５０は封止用接着剤５４でシールされている。
【０００４】図１８は、第２の従来例に係る弾性表面波
装置の縦断面図である。この従来例は特開平３−７２７
０８号公報に示されたもので、絶縁性基板５０にシール
リング５５を銀蝋付けし、金属製キャップ５６をシーム
溶接の手法で封止して気密性を高めたものである。なお
符号５７はシーム溶接部を示す。
装置の縦断面図である。この従来例は特開平３−７２７
０８号公報に示されたもので、絶縁性基板５０にシール
リング５５を銀蝋付けし、金属製キャップ５６をシーム
溶接の手法で封止して気密性を高めたものである。なお
符号５７はシーム溶接部を示す。
【０００５】図１９は、第３の従来例に係る弾性表面波
装置の断面図である。この従来例は、セラミック多層化
の技術を用い、積層セラミックケース５８によるＳＡＷ
チップ収納用のポケット５９を形成し、ポケット５９内
にＳＡＷチップ５１を配置して、銀蝋付けしたシールリ
ング５５を介してフラツトな金属板６０でポケット５９
の開口部を閉塞している。
装置の断面図である。この従来例は、セラミック多層化
の技術を用い、積層セラミックケース５８によるＳＡＷ
チップ収納用のポケット５９を形成し、ポケット５９内
にＳＡＷチップ５１を配置して、銀蝋付けしたシールリ
ング５５を介してフラツトな金属板６０でポケット５９
の開口部を閉塞している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところでこのような構
造の従来の弾性表面波装置においては、帯域内外の周波
数特性が十分でなく、弾性表面波装置として優れた特性
が発揮されなかった。
造の従来の弾性表面波装置においては、帯域内外の周波
数特性が十分でなく、弾性表面波装置として優れた特性
が発揮されなかった。
【０００７】また前記第１、第２の従来例においてはワ
イヤボンディング用のスペースＡを必要とし、このスペ
ースＡの存在によりパッケージサイズが大きくなるとい
う欠点がある。
イヤボンディング用のスペースＡを必要とし、このスペ
ースＡの存在によりパッケージサイズが大きくなるとい
う欠点がある。
【０００８】また、第２、第３の従来例においてはシー
ルリングを使用しているが、シールリングタイプのもの
は絶縁性基板に銀蝋付けする高度で煩雑な作業が必要で
あり、材料費が高く、生産性が悪いという欠点があっ
た。
ルリングを使用しているが、シールリングタイプのもの
は絶縁性基板に銀蝋付けする高度で煩雑な作業が必要で
あり、材料費が高く、生産性が悪いという欠点があっ
た。
【０００９】近年の移動体通信機、特に携帯電話、ＰＨ
Ｓ、ページャの超小型化、超薄型化、低価格化の要求が
強く、これに対応するには採用する部品それぞれの超小
型化、超薄型化、低価格化が不可欠である。
Ｓ、ページャの超小型化、超薄型化、低価格化の要求が
強く、これに対応するには採用する部品それぞれの超小
型化、超薄型化、低価格化が不可欠である。
【００１０】本発明は、このような背景に鑑みてなされ
たものであり、周波数特性に優れ、小型化、薄型化、コ
ストの低減が可能な弾性表面波装置ならびにその製造方
法を提供することを目的とする。
たものであり、周波数特性に優れ、小型化、薄型化、コ
ストの低減が可能な弾性表面波装置ならびにその製造方
法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、第１の本発明は、圧電性基板の表面に電極パターン
を設けた弾性表面波チップと、前記電極パターンと接続
する導電性パターンを有し、電極パターンとの間に隙間
をもって弾性表面波チップと電気的に接続する絶縁性基
板と、開口部を絶縁性基板と嵌合することにより前記弾
性表面波チップを内側に収容するキャップと、前記弾性
表面波チップの電極パターンの少なくとも主要部を覆わ
ないようにして弾性表面波チップをキャップ内に固定す
るとともに、絶縁性基板の周辺部とキャップの開口端と
の接合部をキャップの内側からシールする接着性を有す
る、例えばエポキシ系樹脂などのシール層とを備えたこ
とを特徴とするものである。
に、第１の本発明は、圧電性基板の表面に電極パターン
を設けた弾性表面波チップと、前記電極パターンと接続
する導電性パターンを有し、電極パターンとの間に隙間
をもって弾性表面波チップと電気的に接続する絶縁性基
板と、開口部を絶縁性基板と嵌合することにより前記弾
性表面波チップを内側に収容するキャップと、前記弾性
表面波チップの電極パターンの少なくとも主要部を覆わ
ないようにして弾性表面波チップをキャップ内に固定す
るとともに、絶縁性基板の周辺部とキャップの開口端と
の接合部をキャップの内側からシールする接着性を有す
る、例えばエポキシ系樹脂などのシール層とを備えたこ
とを特徴とするものである。
【００１２】前記目的を達成するために、第２の本発明
は、弾性表面波チップの電極パターンと絶縁性基板の導
電性パターンが隙間を介して対面するようにして弾性表
面波チップの電極パターンと絶縁性基板の導電性パター
ンを電気的に接続する工程と、キャップの内側に所定量
の例えばエポキシ系樹脂などのシール剤を注入する工程
と、前記弾性表面波チップ付きの絶縁性基板をキャップ
の開口端に嵌合して、前記シール剤で弾性表面波チップ
をキャップの内側で接着固定するとともに、絶縁性基板
の周辺部とキャップの開口端との接合部をキャップの内
側からシールする工程とを有することを特徴とするもの
である。
は、弾性表面波チップの電極パターンと絶縁性基板の導
電性パターンが隙間を介して対面するようにして弾性表
面波チップの電極パターンと絶縁性基板の導電性パター
ンを電気的に接続する工程と、キャップの内側に所定量
の例えばエポキシ系樹脂などのシール剤を注入する工程
と、前記弾性表面波チップ付きの絶縁性基板をキャップ
の開口端に嵌合して、前記シール剤で弾性表面波チップ
をキャップの内側で接着固定するとともに、絶縁性基板
の周辺部とキャップの開口端との接合部をキャップの内
側からシールする工程とを有することを特徴とするもの
である。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明は前述のように、シール層
により弾性表面波チップの電極パターンの少なくとも主
要部を覆わないようにして弾性表面波チップをキャップ
内に固定するとともに、絶縁性基板との間に隙間を形成
することにより、弾性表面波のロスがなく、帯域外およ
び帯域内の周波数特性が改善され、長期間にわたって優
れた性能を有する弾性表面波装置を提供することができ
る。
により弾性表面波チップの電極パターンの少なくとも主
要部を覆わないようにして弾性表面波チップをキャップ
内に固定するとともに、絶縁性基板との間に隙間を形成
することにより、弾性表面波のロスがなく、帯域外およ
び帯域内の周波数特性が改善され、長期間にわたって優
れた性能を有する弾性表面波装置を提供することができ
る。
【００１４】また、従来の構造で一般的に採用されてい
たシーム溶接に必要なシールリングの銀蝋付けという高
度で煩雑な工程が不要となり、材料費が低減でき、作業
効率の向上が図れる。
たシーム溶接に必要なシールリングの銀蝋付けという高
度で煩雑な工程が不要となり、材料費が低減でき、作業
効率の向上が図れる。
【００１５】さらにシール層をキャップ内に封じ込める
ことにより、パッケージの底面積を絶縁性基板とほぼ同
サイズにでき、装置の小型化、薄型化が可能となる。ま
たキャップ内に封じ込められたシール層は、ＳＡＷチッ
プの固定と気密封止の両方の機能を同時に発揮でき、こ
の点からもコストの低減が図れる。
ことにより、パッケージの底面積を絶縁性基板とほぼ同
サイズにでき、装置の小型化、薄型化が可能となる。ま
たキャップ内に封じ込められたシール層は、ＳＡＷチッ
プの固定と気密封止の両方の機能を同時に発揮でき、こ
の点からもコストの低減が図れる。
【００１６】さらにまた弾性表面波チップをフェースダ
ウン状態で絶縁性基板にバンプボンディングすることに
より、ワイヤボンディングのスペースが不要になり、そ
の結果弾性表面波装置の小型化、薄型化が図れる。
ウン状態で絶縁性基板にバンプボンディングすることに
より、ワイヤボンディングのスペースが不要になり、そ
の結果弾性表面波装置の小型化、薄型化が図れる。
【００１７】また導電性のキャップを用いることによ
り、外部との電磁気的干渉を排除することができる。さ
らにそのキャップと絶縁性基板の導電性パターンとを電
気的に接続することにより、外部との電磁気的遮断を一
層強度にすることができる。
り、外部との電磁気的干渉を排除することができる。さ
らにそのキャップと絶縁性基板の導電性パターンとを電
気的に接続することにより、外部との電磁気的遮断を一
層強度にすることができる。
【００１８】以下、本発明の実施の形態を具体的に説明
する。図１ないし図４は第１の実施の形態に係る弾性表
面波装置を説明するためのもので、図１はそれの分解斜
視図、図２は組立が完了した状態での斜視図、図３は縦
断側面図、図４はＳＡＷチップの電極パターンの一例を
示す拡大平面図である。
する。図１ないし図４は第１の実施の形態に係る弾性表
面波装置を説明するためのもので、図１はそれの分解斜
視図、図２は組立が完了した状態での斜視図、図３は縦
断側面図、図４はＳＡＷチップの電極パターンの一例を
示す拡大平面図である。
【００１９】ガラスエポキシ樹脂あるいはセラミックな
どからなる絶縁性基板１の上には、下面に導電性の例え
ば金や半田などからなるバンプ２（図３参照）を有する
ＳＡＷチップ３が搭載され、その上からキャップ４が嵌
合されている。
どからなる絶縁性基板１の上には、下面に導電性の例え
ば金や半田などからなるバンプ２（図３参照）を有する
ＳＡＷチップ３が搭載され、その上からキャップ４が嵌
合されている。
【００２０】絶縁性基板１には、入出力用導電性パター
ン５とグランド用導電性パターン６が形成され、これら
導電性パターン５，６は絶縁性基板１の上面から側端面
を経て下面に延びている。絶縁性基板１の長辺側端面で
かつグランド用導電性パターン６が形成されている以外
の個所にキャップ４の厚さとほぼ同じ深さの２つの溝状
の凹部７が形成されている（図１参照）。
ン５とグランド用導電性パターン６が形成され、これら
導電性パターン５，６は絶縁性基板１の上面から側端面
を経て下面に延びている。絶縁性基板１の長辺側端面で
かつグランド用導電性パターン６が形成されている以外
の個所にキャップ４の厚さとほぼ同じ深さの２つの溝状
の凹部７が形成されている（図１参照）。
【００２１】キャップ２は例えば鉄−ニッケル−コバル
ト合金（商品名コバール）や鉄−ニッケル合金（商品名
４２アロイ）などの金属または合成樹脂から構成され、
一面に絶縁性基板１とほぼ同じ面積の開口部を有する箱
状のもので、開口端には前記凹部７に嵌入する脚部８が
設けられ、入出力用導電性パターン５と対向する開口端
には入出力用導電性パターン５との接続を避けるために
切欠部９が形成されている。
ト合金（商品名コバール）や鉄−ニッケル合金（商品名
４２アロイ）などの金属または合成樹脂から構成され、
一面に絶縁性基板１とほぼ同じ面積の開口部を有する箱
状のもので、開口端には前記凹部７に嵌入する脚部８が
設けられ、入出力用導電性パターン５と対向する開口端
には入出力用導電性パターン５との接続を避けるために
切欠部９が形成されている。
【００２２】ＳＡＷチップ３は図４に示すように、ニオ
ブ酸リチウムなどからなる圧電性基板１０の表面に第１
の多電極ＳＡＷ１１ａと第２の多電極ＳＡＷ１１ｂが並
んで設けられている。
ブ酸リチウムなどからなる圧電性基板１０の表面に第１
の多電極ＳＡＷ１１ａと第２の多電極ＳＡＷ１１ｂが並
んで設けられている。
【００２３】第１の多電極ＳＡＷ１１ａにおいて入力電
極１２ａと出力電極１３ａが所定の間隙を介して対向し
て櫛型状電極を構成し、櫛型状電極の両側に反射器１４
ａ，１４ａが設けられている。第２の多電極ＳＡＷ１１
ｂも同様に、入力電極１２ｂと出力電極１３ｂが対向し
て櫛型状電極を構成し、その両側に反射器１４ｂ，１４
ｂが設けられている。
極１２ａと出力電極１３ａが所定の間隙を介して対向し
て櫛型状電極を構成し、櫛型状電極の両側に反射器１４
ａ，１４ａが設けられている。第２の多電極ＳＡＷ１１
ｂも同様に、入力電極１２ｂと出力電極１３ｂが対向し
て櫛型状電極を構成し、その両側に反射器１４ｂ，１４
ｂが設けられている。
【００２４】第１の多電極ＳＡＷ１１ａは反射器１４ａ
−櫛型状電極１２ａ，１３ａ−反射器１４ａが、第２の
多電極ＳＡＷ１１ｂは反射器１４ｂ−櫛型状電極１２
ｂ，１３ｂ−反射器１４ｂが、ともに弾性表面波伝搬方
向に沿って配置されている。１５ａは入力端子、１６ｂ
は出力端子、１７ａ，１７ｂはグランド端子、１８は導
電体である。
−櫛型状電極１２ａ，１３ａ−反射器１４ａが、第２の
多電極ＳＡＷ１１ｂは反射器１４ｂ−櫛型状電極１２
ｂ，１３ｂ−反射器１４ｂが、ともに弾性表面波伝搬方
向に沿って配置されている。１５ａは入力端子、１６ｂ
は出力端子、１７ａ，１７ｂはグランド端子、１８は導
電体である。
【００２５】図３に示すようにＳＡＷチップ３は多電極
ＳＡＷ１１ａ，１１ｂを下にして絶縁性基板１上に配置
され、ＳＡＷチップ３の前記入出力電極１５ａ，１６ｂ
は絶縁性基板１の入出力用導電性パターン５に、ＳＡＷ
チップ３の前記グランド電極１７は絶縁性基板１のグラ
ンド用導電性パターン６に、それぞれバンプ２を介して
ＴＡＢボンディングすることにより接続される。また、
多電極ＳＡＷ１１ａ，１１ｂは絶縁性基板１とは直接接
触せず、隙間１９をもって絶縁性基板１と対向して、多
電極ＳＡＷ１１ａ，１１ｂの振動が抑制されないように
なっている。
ＳＡＷ１１ａ，１１ｂを下にして絶縁性基板１上に配置
され、ＳＡＷチップ３の前記入出力電極１５ａ，１６ｂ
は絶縁性基板１の入出力用導電性パターン５に、ＳＡＷ
チップ３の前記グランド電極１７は絶縁性基板１のグラ
ンド用導電性パターン６に、それぞれバンプ２を介して
ＴＡＢボンディングすることにより接続される。また、
多電極ＳＡＷ１１ａ，１１ｂは絶縁性基板１とは直接接
触せず、隙間１９をもって絶縁性基板１と対向して、多
電極ＳＡＷ１１ａ，１１ｂの振動が抑制されないように
なっている。
【００２６】一方、キャップ４内にはエポキシ系樹脂や
シリコンゴム系樹脂などからなる、例えば粘度が約20,0
00ＣＰＳ以上の高粘度で接着性を有するシール剤２０が
所定量注入されており、このキャップ４にＳＡＷチップ
３付きの絶縁性基板１を被せ、図２に示しているように
キャップ４の脚部８を絶縁性基板１の凹部７に嵌入する
とともに、脚部８以外の開口端２１を絶縁性基板１の周
縁２２に当接する。これによって絶縁性基板１は過度に
内側に入り込むことなくキャップ４の開口部を塞ぎ、図
３に示す如くキャップ４の内側にＳＡＷチップ３が収容
され、ＳＡＷチップ３とキャップ４の間にシール剤２０
が充満される。なお、シール剤２０は高粘度であるた
め、絶縁性基板１とＳＡＷチップ３の隙間１９までは浸
透せず、多電極ＳＡＷ１１ａ，１１ｂの少なくとも主要
部（櫛型状電極１２１３ａ、反射器１４）はシール剤２
０で覆われることなく、隙間１９は確保されている。前
記切欠部９はシール剤２０をパッケージ内に充満させる
際、余分なシール剤を外部に出す機能も有している。
シリコンゴム系樹脂などからなる、例えば粘度が約20,0
00ＣＰＳ以上の高粘度で接着性を有するシール剤２０が
所定量注入されており、このキャップ４にＳＡＷチップ
３付きの絶縁性基板１を被せ、図２に示しているように
キャップ４の脚部８を絶縁性基板１の凹部７に嵌入する
とともに、脚部８以外の開口端２１を絶縁性基板１の周
縁２２に当接する。これによって絶縁性基板１は過度に
内側に入り込むことなくキャップ４の開口部を塞ぎ、図
３に示す如くキャップ４の内側にＳＡＷチップ３が収容
され、ＳＡＷチップ３とキャップ４の間にシール剤２０
が充満される。なお、シール剤２０は高粘度であるた
め、絶縁性基板１とＳＡＷチップ３の隙間１９までは浸
透せず、多電極ＳＡＷ１１ａ，１１ｂの少なくとも主要
部（櫛型状電極１２１３ａ、反射器１４）はシール剤２
０で覆われることなく、隙間１９は確保されている。前
記切欠部９はシール剤２０をパッケージ内に充満させる
際、余分なシール剤を外部に出す機能も有している。
【００２７】このようにしてシール剤２０によりＳＡＷ
チップ３がキャップ４内で固定されるとともに、絶縁性
基板１とキャップ４の接合部が内側から気密にシールさ
れる。また金属製のキャップ４の場合は開口端２１の一
部はグランド用導電性パターン６と接触して電気的に接
続され、外部との電磁気的遮断（電磁気的干渉）を一層
強化することができる。
チップ３がキャップ４内で固定されるとともに、絶縁性
基板１とキャップ４の接合部が内側から気密にシールさ
れる。また金属製のキャップ４の場合は開口端２１の一
部はグランド用導電性パターン６と接触して電気的に接
続され、外部との電磁気的遮断（電磁気的干渉）を一層
強化することができる。
【００２８】図５は、ＳＡＷチップ３を固定した場合
（実線）と固定しない場合（破線）の周波数特性を示す
図である。この図から明らかなようにＳＡＷチップ３を
固定しない場合、チップ体積で決まる周波数間隔Δｆで
厚み方向の縦振動が発生し、帯域外および帯域内の周波
数特性が劣化して、弾性表面波装置としての機能が十分
に発揮されない。これに対して本発明のようにＳＡＷチ
ップ３をキャップ４内にしっかりと固定することによ
り、帯域外および帯域内の周波数特性が改善されて、弾
性表面波装置としての機能が十分に発揮できる。
（実線）と固定しない場合（破線）の周波数特性を示す
図である。この図から明らかなようにＳＡＷチップ３を
固定しない場合、チップ体積で決まる周波数間隔Δｆで
厚み方向の縦振動が発生し、帯域外および帯域内の周波
数特性が劣化して、弾性表面波装置としての機能が十分
に発揮されない。これに対して本発明のようにＳＡＷチ
ップ３をキャップ４内にしっかりと固定することによ
り、帯域外および帯域内の周波数特性が改善されて、弾
性表面波装置としての機能が十分に発揮できる。
【００２９】図６は本発明の第２の実施の形態を示す図
で、絶縁性基板１として積層基板１ａ〜１ｃが用いら
れ、各積層基板１ａ〜１ｃに入出力用導電パターン５や
グランド用導電パターン６が形成され、入出力用導電パ
ターン５の一部が金属製のキャップ４と電気的に接続さ
れている。他の構成は前記第１の実施の形態と同様であ
るので、それらの説明は省略する。
で、絶縁性基板１として積層基板１ａ〜１ｃが用いら
れ、各積層基板１ａ〜１ｃに入出力用導電パターン５や
グランド用導電パターン６が形成され、入出力用導電パ
ターン５の一部が金属製のキャップ４と電気的に接続さ
れている。他の構成は前記第１の実施の形態と同様であ
るので、それらの説明は省略する。
【００３０】図７は本発明の第３の実施の形態を示す図
で、この例の場合はシール剤２０の注入量を前記第１の
実施の形態の場合よりも少なくしてさらに軽量化を図
り、ＳＡＷチップ３の裏面固定、ならびに絶縁性基板１
とキャップ４との接合部のシールとを行なっている。
で、この例の場合はシール剤２０の注入量を前記第１の
実施の形態の場合よりも少なくしてさらに軽量化を図
り、ＳＡＷチップ３の裏面固定、ならびに絶縁性基板１
とキャップ４との接合部のシールとを行なっている。
【００３１】図８ないし図１２は本発明の第４の実施の
形態を示す図で、図８、図９、図１０は絶縁性基板１の
上面図、側面図、下面図、図１１はキャップ４の正面
図、図１２は弾性表面波装置の縦断面図である。
形態を示す図で、図８、図９、図１０は絶縁性基板１の
上面図、側面図、下面図、図１１はキャップ４の正面
図、図１２は弾性表面波装置の縦断面図である。
【００３２】入出力用導電パターン５とグランド用導電
パターン６は絶縁性基板１の上面では図８のように、各
導電パターン５，６は絶縁性基板１の側端面を通り絶縁
性基板１の下面では図１０のように、それぞれパターン
ニングされている。
パターン６は絶縁性基板１の上面では図８のように、各
導電パターン５，６は絶縁性基板１の側端面を通り絶縁
性基板１の下面では図１０のように、それぞれパターン
ニングされている。
【００３３】図８に示すように絶縁性基板１の上面四隅
でグランド用導電パターン６上には、半田層２３が印刷
により形成されている。そして図１２のように金属製の
キャツプ４を絶縁性基板１に嵌合することにより、キャ
ツプ４の開口端２１がグランド用導電パターン６と接触
し、さらにその後にリフローすることにより、前記半田
層２３を溶融してキャツプ４とグランド用導電パターン
６との電気的な接続をより確実にしている。
でグランド用導電パターン６上には、半田層２３が印刷
により形成されている。そして図１２のように金属製の
キャツプ４を絶縁性基板１に嵌合することにより、キャ
ツプ４の開口端２１がグランド用導電パターン６と接触
し、さらにその後にリフローすることにより、前記半田
層２３を溶融してキャツプ４とグランド用導電パターン
６との電気的な接続をより確実にしている。
【００３４】図１３ないし図１６は本発明の第５の実施
の形態を示す図で、図１３と図１４は絶縁性基板１の上
面図と下面図、図１５は図１３Ｘ−Ｘ線上における絶縁
性基板１の縦断面図である。
の形態を示す図で、図１３と図１４は絶縁性基板１の上
面図と下面図、図１５は図１３Ｘ−Ｘ線上における絶縁
性基板１の縦断面図である。
【００３５】入出力用導電パターン５とグランド用導電
パターン６は絶縁性基板１の上面では図１３のようにパ
ターンニングされ、絶縁性基板１の下面では図１４のよ
うにパターンニングされている。また絶縁性基板１は２
つのスルーホール２４を有し、そのスルーホール２４を
通して絶縁性基板１の上面側のグランド用導電パターン
６と下面側のグランド用導電パターン６が電気的に接続
されている（図１５参照）。このようにスルーホール２
４を設けることにより、入出力間の電気的アイソレーシ
ョンを強化することで、帯域外の減衰度特性を一層改善
することができる。
パターン６は絶縁性基板１の上面では図１３のようにパ
ターンニングされ、絶縁性基板１の下面では図１４のよ
うにパターンニングされている。また絶縁性基板１は２
つのスルーホール２４を有し、そのスルーホール２４を
通して絶縁性基板１の上面側のグランド用導電パターン
６と下面側のグランド用導電パターン６が電気的に接続
されている（図１５参照）。このようにスルーホール２
４を設けることにより、入出力間の電気的アイソレーシ
ョンを強化することで、帯域外の減衰度特性を一層改善
することができる。
【００３６】図１５に示すように絶縁性基板１の上面に
はグランド用導電パターン６が形成されているから、金
属製のキャップ４を絶縁性基板１に嵌合することにより
キャツプ４の開口端２１がグランド用導電パターン６と
接触して電気的に接続される。なお必要があれば、前記
第４の実施の形態のようにキャツプ４の開口端２１とグ
ランド用導電パターン６を半田２３で電気的に接続する
こともできる。またキャツプ４とグランド用導電パター
ン６の半田による電気的な接続は、パッケージの外側で
行なうことも可能である。
はグランド用導電パターン６が形成されているから、金
属製のキャップ４を絶縁性基板１に嵌合することにより
キャツプ４の開口端２１がグランド用導電パターン６と
接触して電気的に接続される。なお必要があれば、前記
第４の実施の形態のようにキャツプ４の開口端２１とグ
ランド用導電パターン６を半田２３で電気的に接続する
こともできる。またキャツプ４とグランド用導電パター
ン６の半田による電気的な接続は、パッケージの外側で
行なうことも可能である。
【００３７】
【発明の効果】本発明は前述のように、シール層により
弾性表面波チップの電極パターンの少なくとも主要部を
覆わないようにして弾性表面波チップをキャップ内に固
定するとともに、絶縁性基板との間に隙間を形成するこ
とにより、弾性表面波のロスがなく、帯域外および帯域
内の周波数特性が改善され、長期間にわたって優れた性
能を有する弾性表面波装置を提供することができる。
弾性表面波チップの電極パターンの少なくとも主要部を
覆わないようにして弾性表面波チップをキャップ内に固
定するとともに、絶縁性基板との間に隙間を形成するこ
とにより、弾性表面波のロスがなく、帯域外および帯域
内の周波数特性が改善され、長期間にわたって優れた性
能を有する弾性表面波装置を提供することができる。
【００３８】また、従来の構造で一般的に採用されてい
たシーム溶接に必要なシールリングの銀蝋付けという高
度で煩雑な工程が不要となり、材料費が低減でき、作業
効率の向上が図れる。
たシーム溶接に必要なシールリングの銀蝋付けという高
度で煩雑な工程が不要となり、材料費が低減でき、作業
効率の向上が図れる。
【００３９】さらにシール層をキャップ内に封じ込める
ことにより、パッケージの底面積を絶縁性基板とほぼ同
サイズにでき、装置の小型化、薄型化が可能となる。ま
たキャップ内に封じ込められたシール層は、ＳＡＷチッ
プの固定と気密封止の両方の機能を同時に発揮でき、こ
の点からもコストの低減が図れる。
ことにより、パッケージの底面積を絶縁性基板とほぼ同
サイズにでき、装置の小型化、薄型化が可能となる。ま
たキャップ内に封じ込められたシール層は、ＳＡＷチッ
プの固定と気密封止の両方の機能を同時に発揮でき、こ
の点からもコストの低減が図れる。
【００４０】前記実施の形態のように弾性表面波チップ
をフェースダウン状態で絶縁性基板にバンプボンディン
グすることにより、ワイヤボンディングのスペースが不
要になり、その結果弾性表面波装置の小型化、薄型化が
図れる。
をフェースダウン状態で絶縁性基板にバンプボンディン
グすることにより、ワイヤボンディングのスペースが不
要になり、その結果弾性表面波装置の小型化、薄型化が
図れる。
【００４１】また前記実施の形態のように導電性のキャ
ップを用いることにより、外部との電磁気的干渉を排除
することができる。さらにそのキャップと絶縁性基板の
導電性パターンとを電気的に接続することにより、外部
との電磁気的遮断を一層強度にすることができるなどの
特長を有している。
ップを用いることにより、外部との電磁気的干渉を排除
することができる。さらにそのキャップと絶縁性基板の
導電性パターンとを電気的に接続することにより、外部
との電磁気的遮断を一層強度にすることができるなどの
特長を有している。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る弾性表面波装
置の分解斜視図である。
置の分解斜視図である。
【図２】組立が完了した状態での弾性表面波装置の斜視
図である。
図である。
【図３】その弾性表面波装置の縦断面図である。
【図４】その弾性表面波装置におけるＳＡＷチップの電
極パターンの拡大平面図である。
極パターンの拡大平面図である。
【図５】ＳＡＷチップを固定した場合と固定しない場合
における弾性表面波装置の周波数特性図である。
における弾性表面波装置の周波数特性図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る弾性表面波装
置の斜視図である。
置の斜視図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る弾性表面波装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図８】本発明の第４の実施の形態に係る弾性表面波装
置に用いる絶縁性基板の上面図である。
置に用いる絶縁性基板の上面図である。
【図９】その絶縁性基板の側面図である。
【図１０】その絶縁性基板の下面図である。
【図１１】その弾性表面波装置に用いるキャップの正面
図である。
図である。
【図１２】その弾性表面波装置の縦断面図である。
【図１３】本発明の第５の実施の形態に係る弾性表面波
装置に用いる絶縁性基板の上面図である。
装置に用いる絶縁性基板の上面図である。
【図１４】その絶縁性基板の下面図である。
【図１５】図１３Ｘ−Ｘ線上における絶縁性基板の断面
図である。
図である。
【図１６】第１の従来例に係る弾性表面波装置の分解斜
視図である。
視図である。
【図１７】その弾性表面波装置の縦断面図である。
【図１８】第２の従来例に係る弾性表面波装置の縦断面
図である。
図である。
【図１９】第３の従来例に係る弾性表面波装置の縦断面
図である。
図である。
１ 絶縁性基板 ２ バンプ ３ ＳＡＷチップ ４ キャップ ５ 入出力用導電性パターン ６ グランド用導電性パターン ７ 凹部 ８ 脚部 ９ 切欠部 １０ 圧電性基板 １１ 多電極ＳＡＷ １９ 隙間 ２０ シール剤 ２１ 開口端 ２２ 周縁 ２３ 半田層 ２４ スルーホール
Claims (14)
- 【請求項１】 圧電性基板の表面に電極パターンを設け
た弾性表面波チップと、 前記電極パターンと接続する導電性パターンを有し、電
極パターンとの間に隙間をもって弾性表面波チップと電
気的に接続する絶縁性基板と、 開口部を絶縁性基板と嵌合することにより前記弾性表面
波チップを内側に収容するキャップと、 前記弾性表面波チップの電極パターンの少なくとも主要
部を覆わないようにして弾性表面波チップをキャップ内
に固定するとともに、絶縁性基板の周辺部とキャップの
開口端との接合部をキャップの内側からシールする接着
性を有するシール層とを備えたことを特徴とする弾性表
面波装置。 - 【請求項２】 請求項１記載において、前記弾性表面波
チップの電極パターンと絶縁性基板の導電性パターンが
バンプを介して接続されていることを特徴とする弾性表
面波装置。 - 【請求項３】 請求項１記載において、前記キャップが
導電性を有していることを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項４】 請求項３記載において、前記キャップが
絶縁性基板に設けられている導電性パターンと電気的に
接続されていることを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項５】 請求項１記載において、前記絶縁性基板
に第１の係合部が設けられ、前記キャップに第２の係合
部が設けられて、キャップの開口端に絶縁性基板を嵌合
することにより、前記第１の係合部と第２の係合部が係
合してキャップの開口端における絶縁性基板の位置決め
がなされることを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項６】 請求項１記載において、前記キャップの
一部に余剰シール剤を外側に逃がす逃がし部が設けられ
ていることを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項７】 請求項１記載において、前記絶縁性基板
の内側の導電性パターンと外側の導電性パターンを電気
的に接続するスルーホールが絶縁性基板に設けられてい
ることを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項８】 弾性表面波チップの電極パターンと絶縁
性基板の導電性パターンが隙間を介して対面するように
して弾性表面波チップの電極パターンと絶縁性基板の導
電性パターンを電気的に接続する工程と、 キャップの内側に所定量のシール剤を注入する工程と、 前記弾性表面波チップ付きの絶縁性基板をキャップの開
口端に嵌合して、前記シール剤で弾性表面波チップをキ
ャップの内側で接着固定するとともに、絶縁性基板の周
辺部とキャップの開口端との接合部をキャップの内側か
らシールする工程とを有することを特徴とする弾性表面
波装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項８記載において、前記弾性表面波
チップの電極パターンと絶縁性基板の導電性パターンが
バンプを介して接続されていることを特徴とする弾性表
面波装置の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項８記載において、前記キャップ
が導電性を有していることを特徴とする弾性表面波装置
の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１０記載において、前記キャッ
プが絶縁性基板に設けられている導電性パターンと電気
的に接続されていることを特徴とする弾性表面波装置の
製造方法。 - 【請求項１２】 請求項８記載において、前記絶縁性基
板に第１の係合部が設けられ、前記キャップに第２の係
合部が設けられて、キャップの開口端に絶縁性基板を嵌
合することにより、前記第１の係合部と第２の係合部が
係合してキャップの開口端における絶縁性基板の位置決
めがなされることを特徴とする弾性表面波装置の製造方
法。 - 【請求項１３】 請求項８記載において、前記キャップ
の一部に余剰シール剤を外側に逃がす逃がし部が設けら
れていることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項１４】 請求項８記載において、前記絶縁性基
板の内側の導電性パターンと外側の導電性パターンを電
気的に接続するスルーホールが絶縁性基板に設けられて
いることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9109483A JPH10303689A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 弾性表面波装置ならびにその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9109483A JPH10303689A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 弾性表面波装置ならびにその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303689A true JPH10303689A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14511395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9109483A Pending JPH10303689A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 弾性表面波装置ならびにその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10303689A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100638779B1 (ko) | 2003-04-08 | 2006-10-30 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 탄성 표면파 디바이스 및 그 제조 방법 |
| WO2022118864A1 (ja) * | 2020-12-01 | 2022-06-09 | 京セラ株式会社 | 素子実装基板およびｓａｗセンサ装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56157113A (en) * | 1980-05-07 | 1981-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of surface wave filter |
| JPH07111438A (ja) * | 1993-10-08 | 1995-04-25 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置、及びその製造方法 |
| JPH0817853A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-04-25 JP JP9109483A patent/JPH10303689A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56157113A (en) * | 1980-05-07 | 1981-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of surface wave filter |
| JPH07111438A (ja) * | 1993-10-08 | 1995-04-25 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置、及びその製造方法 |
| JPH0817853A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100638779B1 (ko) | 2003-04-08 | 2006-10-30 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 탄성 표면파 디바이스 및 그 제조 방법 |
| WO2022118864A1 (ja) * | 2020-12-01 | 2022-06-09 | 京セラ株式会社 | 素子実装基板およびｓａｗセンサ装置 |
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|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040402 |
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| A977 | Report on retrieval |
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| A02 | Decision of refusal |
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