JPH10300422A - 薄膜スタック上に堆積された表面層の本来の場所における三次元測定および観察のための装置および方法 - Google Patents

薄膜スタック上に堆積された表面層の本来の場所における三次元測定および観察のための装置および方法

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JPH10300422A
JPH10300422A JP10044922A JP4492298A JPH10300422A JP H10300422 A JPH10300422 A JP H10300422A JP 10044922 A JP10044922 A JP 10044922A JP 4492298 A JP4492298 A JP 4492298A JP H10300422 A JPH10300422 A JP H10300422A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】オリジンとして選択された表面と、エッチング
されたもしくは堆積されたパターンとの間のレベル差の
瞬時の測定を行うことができる装置および方法を提供す
る。 【解決手段】薄膜構造の表面層の三次元測定および観察
のための装置および方法は、ビデオカメラ12、広いビ
ームの照明源14、狭いビームの照明源20、動作およ
び制御ユニット、および水平移動のためのテーブルを備
えている。装置は、偏光状態が線型でありかつ相互に直
交する2つの狭い光ビームを得るために狭い光ビームの
光学路上に配列されるウォラストンプリズム24と、ウ
ォラストンプリズム24の光学軸上に配列されて、反射
された狭い光ビームがウォラストンプリズム24を通る
その走行後にそれを通過する偏光子27と、検出セル2
8とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空室内の薄膜構
造の表面層から、本来の場所において、三次元幾何学的
測定を行うための、また、エッチングまたは堆積プロセ
ス中に前記構造における変化を測定するための装置およ
び方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】本発明の応用分野の中で、例えば、電気
的マイクロシステムの製造のために、またはマイクロセ
ンサの製造のために意図されたマイクロ絞りを薄くする
ために、シリコンへの深いエッチングでもって半導体層
の製造を本来の場所でかつリアルタイムで制御すること
について言及が為され得る。
【0003】仏特許出願第 2,680,414号(SOFIE) は、真
空室に置かれた薄膜のスタックから本来の場所で干渉計
による測定を行うことを可能とする、レーザーによる観
察および同時干渉計測定のためのコンパクトなアセンブ
リを開示している。このアセンブリは、一方では照明ビ
ームが、そして他方では干渉計測定のための1つまたは
2つのレーザービームが通過される対物レンズを有する
観察カメラを備えている。
【0004】この技術により、特に、研究されるべき層
上にレーザービームを位置付けること、および薄膜構造
の表面層の厚さの増加または減少率を測定することが可
能である。しかしながら、単色の照明を行う光ビームお
よび測定を行うレーザービームは正確に同じ波長を有さ
ず、このことは、対物レンズが色消し性のものである場
合にのみ2つの光ビームのための同時焦点合わせを可能
とするという色消し性の問題を創成する。さらに、この
技術は、観察される領域において表面層の厚さの絶対的
な測定を許容しない。というのは、この技術は、λ/2
n(λは観察長であり、nは表面層の屈折率である)に
接近した期間を法として反復される差動的な干渉計測定
に基づいているからである。
【0005】さらに、仏特許出願第 2,718,231号(SOFI
E) は、薄膜構造の表面層の局所化された領域の厚さを
監視するための方法を開示しており、これは、薄膜スタ
ックによって反射された白色光ビームから生じた光ビー
ムの分光グラフを用いて分光分析を行うことによって特
定の分析領域における表面層の絶対的な厚さを測定する
ことができる。この技術は効果的であるが、これは、層
の厚さおよびそれが変化する割合を、高々ミクロンの数
十倍の深さに対する局所化された領域に渡って、確実に
することを可能にするだけである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術によって行われる測定を利用することができる改良
された技術を提供することであるが、また、マイクロメ
カニックスにおける応用のために大きい厚さまたは深さ
を有するパターンに適されている。この必要性が生じる
のは、層が厚いときまたはパターンが深いときに、測定
されるべき光の強度が非常に小さくなって、通常の技術
では最早適切ではないからである。
【0007】本発明のさらなる目的は、オリジンとして
選択された表面と、エッチングされたもしくは堆積され
たパターンとの間のレベル差の瞬時の測定を行うことが
できる装置および方法を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ビデオ
カメラ、広いビームの照明源、狭いビームの照明源およ
び光学要素を密封するコンパクトケーシングを含む監視
ユニットと、監視ユニットをそれぞれファイバ光ケーブ
ルおよび電気ケーブルを介して動作および制御ユニット
に接続するために、監視ユニットのケーシングに装着さ
れる光コネクタおよび電気コネクタを含む動作および制
御ユニットと、一方では、場所を選択するために2つの
軸に沿って水平に監視ユニットを動かすために、他方で
は、2つの入射ビームおよび表面層で反射された2つの
ビームが、ビデオカメラの光学軸に近接した近隣の光学
路に追随するように正確な位置付けを提供するために処
理室の上部に装着されたテーブルと、を備えた、1つの
壁に窓が装備された真空室で処理を受ける薄膜構造の表
面層の本来の場所におけるリアルタイムでの三次元測定
および観察のための装置であって、狭い光ビームの光学
路に配列されるウォラストンプリズムを備えて、該ウォ
ラストンプリズムの出口で、角度αだけオフセットされ
た異なった方向を有しかつ直角の偏光(polarizations
)を有する2つの狭い干渉性の偏光ビームを得、ウォ
ラストンプリズムは、層によって反射される狭い光ビー
ムがそれを通過するように配列され、偏光子は、反射さ
れた狭い光ビームが、前記ウォラストンプリズムを通っ
てその戻り走行の後にそれを通過するようにウォラスト
ンプリズムの光軸に配列され、前記偏光子は、前記ウォ
ラストンプリズムおよび検出セルに対して回転すること
ができるように装着されていることを特徴とする装置が
提供される。
【0009】2つの狭い光ビームはこのように利用可能
であり、一方は、例えば、処理されていない表面層の部
分に向けられ、他方は、例えば、処理を受けている表面
層の部分に向けられる。光学軸の回りに偏光子を回転さ
せれば、偏光され反射されたビームの一方または他方も
しくは2つの結合を選択することを可能とし、かつ分析
を行うことは、表面層の2つの部分間のレベル差を確実
にすることを可能とする。
【0010】本発明の一実施形態において、ウォラスト
ンプリズムは並進的に動くことができ、偏光子をも支持
する回転フレームに装着され、それ故、ウォラストンプ
リズムの回転は、偏光子の回転をもたらし、後者は、前
記フレームに対して回転することができる支持体に装着
される。ウォラストンプリズムのフレームを回転させれ
ば、2つの狭い光ビームによって照明される表面層の2
つの特定の領域を、広い光ビームによって照明される場
所内で光学軸の回りで回転させることを可能とする。
【0011】本発明の一実施形態において、装置は、狭
い光ビームを発生するための、特に非常に深いパターン
を測定するためのレーザービームを備えている。
【0012】本発明のもう1つの実施形態において、装
置は、狭い光ビームを発生するための白色源を備えてい
る。
【0013】長所的には、ウォラストンプリズムには、
10分と100分の間の値になる2つのビームの角度分
離αが与えられる。
【0014】本発明の1つの実施形態において、装置
は、偏光子および検出セル間に配列された絞りを備え、
該絞りの穴は、反射された狭い光ビームの直径に対応す
る直径を有する。絞りは、このように、反射された狭い
光ビームの軌道の外側に横たわる光を減少することによ
り空間フィルタとして働く。変形例として、絞りは、2
つの絞りと中間レンズを備えると共に検出セルの前に置
かれるアセンブリによって置き換えられ得る。
【0015】本発明の1つの実施形態において、装置
は、検出セルの前に配列された干渉フィルタを備え、該
フィルタの帯域は、反射された狭い光ビームの波長に対
応している。これは、レーザービームが用いられるとき
に長所的である周波数濾波(filtering )を提供する。
【0016】本発明の1つの実施形態は、2つの反射さ
れた狭いビームの光の偏光の変調器を提供し、該変調器
は、前記反射された狭いビームの通路で偏光子の上流に
配列され、かつ2つのビーム間の位相差を測定する目的
で、回転する四分の一波長板の形態にあり、該位相差
は、2つの狭いビームが反射される表面層の領域間のレ
ベル差を表している。
【0017】また、本発明によれば、1つの壁に窓が装
備された真空室に置かれた薄膜構造の表面層の本来の場
所におけるリアルタイムでの測定および観察のための方
法であって、観察されるべき構造の場所に広い照明光ビ
ームを送り、観察されるべき構造の第1の特定の領域に
第1の狭い照明光ビームを送り、観察されるべき構造の
第2の特定の領域に第2の狭い照明光ビームを送り、こ
れらビームは、ビデオカメラの光学軸に近接した近隣の
光学路に追随し、かつ処理室の窓を通過して場所に達
し、第1および第2の狭い光ビームは、互いに干渉性で
あり、かつそれらの方向は角度αだけオフセットされて
おり、前記第1および第2の狭い光ビームは単一の光源
によって発生され、薄膜構造の場所によって反射された
光ビームを広い分野のビデオカメラのマトリクスセンサ
に送り、2つの特定の領域によって反射され、共通の光
学路をたどる2つの光ビームを、それらを光学的に結合
することができる手段に送り、結合され反射された光ビ
ームは、偏光子の出口で干渉し、その後、2つの特定の
領域間でのレベル差を測定する目的で検出セルによって
続けられる、ことを特徴とする方法が提供される。
【0018】単一の源から得られる狭い光ビームが、第
1および第2の入射する狭い光ビームを得るためにウォ
ラストンプリズムに送られ得、2つの反射された狭い光
ビームは、それらのそれぞれの偏光の直交を維持しつ
つ、それらを単一の光学軸上で結合するためにウォラス
トンプリズムに送られ得、偏光子は、少なくとも90°
の角度を通しての回転で動くことができ、それにより、
単一の偏光において第1の反射された狭い光ビームを選
択することができ、第1のビームの偏光に対して90°
だけオフセットされた単一の偏光で第2の反射された狭
い光ビームを選択することができ、そして第1に対して
45°程度オフセットされた角度位置において2つの反
射された狭い光ビームの結合を選択することができる。
【0019】長所的には、2つの特定の領域間の距離
は、ウォラストンプリズムを並進させることにより調整
され得、それらはウォラストンプリズムおよび偏光子を
回転させることにより回転で動かされる。
【0020】ウォラストンプリズムは、偏光状態スプリ
ッタの範疇に属する。出射ビームは入射光線の平均方向
のいずれかの側にそれるが、このそれは厳密に対称では
ない。
【0021】例えば、30分に等しい角度分離αのウォ
ラストンプリズムが選択されたならば、約450ミクロ
ンだけオフセットされた特定の領域が、構造から20c
mの距離において得られる。カメラ内でウォラストンプ
リズムを並進的に動かせば、この分離を調整することを
可能とする。ウォラストンプリズムを回転させれば、2
つの特定の領域を動かすことを可能とする。マスクによ
ってカバーされ従って処理によって害されない表面層の
部分に1つの特定の領域、ならびにエッチングを受けて
いる部分に他の特定の領域を選択することはこのように
容易である。もちろん、エッチングを受けている場所の
異なった部分で複数の測定を行うことは可能である。場
所は、水平に移動するテーブルを用いて変更され得る。
【0022】エッチングを受けている部分と、マスクに
よってカバーされている部分との間のエッジに特定の領
域が配列されたならば、回折現象が生じ、これは監視カ
メラで観察され得、この現象を避けるために特定の領域
が僅かに移動されるのを許容する。薄膜構造の部分をカ
バーするマスクは、50の程度のそれ自身の構造に対す
る選択性を持って、用いられる波長に対して透明であ
る。エッチングされた材料とマスクとの間の選択性が1
0より大きいとき、マスクのエッチングは測定の精度に
影響しない。カメラは、ビームの位置づけを確認するた
め、かつそれが行うデジタル化により幾何学的測定を行
うための双方のために働く。さらに、エッチングプロセ
スは、マスクによってカバーされない部分をそのエッジ
を侵すことにより広げる傾向を有し得、さもなくば、エ
ッチングを受けている部分のエッジで、マスク下を侵す
ことによりマスクされた部分をえぐる傾向を有し得る。
この型の展開は、画像処理および干渉測定によりリアル
タイムで観察され、その理由は、それらが時間に渡って
対照を成して変化を伴うからである。サンプルの2つの
引き続く画像が、この可能な対照変化を避けるために比
較され得る。マスクの安定性が、XおよびY軸に沿った
水平面で深さにおいてリアルタイムでチェックされる。
これは、サンプルのパターンの変化に関する三次元情報
を提供する。
【0023】サンプルからの反射後、ウォラストンプリ
ズムの出口において得られる2つのビームは、以下のこ
とによって特徴付けられる: ・ 線型かつ相互に直交する偏光状態; ・ 異なった振幅exおよびey; ・ 位相シフトΔ。
【0024】異なった振幅は、サンプルからの反射の異
なった性質からだけでなく、ビームの偏光に依存するア
センブリエレメント、特にカメラの作用からも生じる。
【0025】位相シフトΔは主に以下のものから生じ
る: ・ 狭いビームが反射される表面層の領域間のレベル
差; ・ サンプルからの反射の異なった性質; ・ アセンブリのエレメント。
【0026】満足な精度を得るために、3つの貢献が適
切な較正手続きによって分離される。
【0027】位相シフトΔは、サンプル上の2つの異な
った点での2つのビームの振幅間の位相シフトである。
【0028】回転する四分の一波長板の場合において、
位相シフトの2つの測定値が取られ、2つのビームが同
じ面から反射される第1のものは値Δ1 を与え、2つの
ビームが異なった面から反射される第2のものは値Δ2
を与える。面間のレベル差は、これら位相シフト値と関
連される:Δ2 −Δ1 =(2 π/λ)2e、ここに、
λはビームの波長であり、eは面間の垂直距離である。
元の位相シフトの影響はこのように除去され得る。装置
は、サンプル上の薄いパターンを測定することができ、
このことは、それに極度に大きい測定範囲を与える。
【0029】
【発明の実施の形態】本発明は、添付の図面を参照して
全く制限的でない実施の形態の詳細な説明を研究するこ
とにより一層明瞭に理解されるであろう。出願人は、特
に薄膜構造上において、観察およびレーザーによる同時
的な干渉計測定のための非常にコンパクトなアセンブリ
を開発した。かかる技術は、仏特許出願第 2,680,414号
および仏特許出願第 2,718,231号に詳細に提起されてお
り、読者は、装置の装備および基本的動作に関してさら
に詳細を知るためにそれら仏特許出願を参照するよう求
められる。
【0030】図1に示されるように、真空処理室は、処
理されるべきサンプル2、例えば絞り(diaphragm )を
得るようにプラズマエッチングされたシリコンウエファ
を封入しており、そしてその上部壁にシリカ窓3を含ん
でいる。監視ユニット4は、処理室1の上部で、水平に
X−Y移動するテーブル5上に装着されている。監視ユ
ニット4は、光ファイバ6と電気ケーブル7とによっ
て、動作および制御ユニット8に接続されている。動作
および制御ユニット8には、コントロールキーボード9
およびディスプレイスクリーン10が関連している。ユ
ニット8は、テーブル5上で監視ユニット4の水平移動
を制御するために2つの電気ステッパモータ(図示せ
ず)に接続される。
【0031】図2において一層詳細に分かるように、監
視ユニット4は、ビデオカメラ12を封入するケーシン
グ11と、オートフォーカスタイプのものであって良い
調節可能な対物レンズ13と、広いビームの照明源14
と、光ビームを所定の光学路に沿って案内するための幾
つかの光学板とを有している。ビデオカメラ12は、好
ましくは、マトリクスに配列された複数個のCCDセル
から成るセンサ15を含んでいる。センサ15は、ディ
ジタルビデオ信号を動作および制御ユニット8に出力し
てスクリーン10上に表示するために、電気ケーブル7
のための電気コネクタ16に(図示しない態様で)接続
されており、電気コネクタ16は、ケーシング11に装
着されている。
【0032】ケーシング11は、可視光スペクトルと少
なくとも部分的な重複を好ましくは有するスペクトルで
発光する照明源14を収容する内部区画11aを含んで
いる。以下の説明を簡単化するために、照明源14によ
って発光される白色光に対して参照する。内部区画11
aは、光学レンズ17が設けられた窓を有しており、該
光学レンズは照明光ビームを、対物レンズ13とカメラ
12のセンサ15との間に配列された半透明板18に向
け、これにより、照明光ビームは、カメラの光学路、す
なわち、対物レンズ13の光学軸13aをたどる。板の
形態にある第1の光トラップ19が半透明板18の後部
に配置されており、これにより、半透明板18を通過し
た照明光ビームの部分を吸収して監視ユニット4におけ
る光学的妨害を減少する。
【0033】レーザービーム源20はダイオードレーザ
ーを含んでおり、半透明板21を介して、対物レンズ1
3とカメラ12のセンサ15との間の光学通路に挿間さ
れたもう1つの半透明板22に投影される狭いビームを
発し、これにより、このレーザービームも、対物レンズ
13の光学軸13aと一致するカメラ12の光学路をた
どる。板の形態にあるもう1つの光トラップ23が、半
透明板22の後部に配列されている。
【0034】変形例として、レーザー源20に代えて、
ケーシング11の外側に配列されて光ファイバ(図示せ
ず)を介してそれに接続されて良い、キセノンアークを
用いた白色光源を用いても良い。
【0035】ウォラストンプリズム24が、半透明板2
1および半透明板22間で、レーザー源20によって発
せられるレーザービームの通路上に配列される。このプ
リズムの効果は、レーザー源20によって出力されたビ
ームを、30分の角度分離を有して偏光状態(polarizat
ion states) が線型かつ相互に直交する2つの狭いビー
ム25および26に分割することである。2つの干渉性
レーザービームがこのようにして与えられる。明瞭性の
ために、ビーム25および26の角度オフセットは図2
では故意に誇張されている。線型偏光(linear polariza
tions)は、ウォラストンプリズムを去る際の線型偏光方
向が、実際それぞれ、板22への入射面と平行および直
角であるという条件で、通路に沿って一定に保たれ、そ
うでなければ、ビームの各々は楕円偏光(elliptical po
larization) を取るであろう。
【0036】このように、監視ユニット4のコンパクト
なケーシング11は、照明源14およびレーザービーム
源20と共にビデオカメラ12を封入しており、照明源
14およびレーザービーム源20は、照明源14によっ
て発せられる照明光ビームと、レーザービーム源20に
よって発せられ、ウォラストンプリズム24によって分
割される狭いレーザービーム25および26とから成る
光ビームを、カメラ12の対物レンズ13を通る光学路
に沿って発する。結合された光ビームは、監視ユニット
4により、対物レンズ13および処理室1の窓3を通し
て送られ、薄膜構造(thin-film structure) のサンプル
2(図1)に達する。
【0037】サンプル2により反射された光ビームは、
対物レンズ13を通って監視ユニット4のケーシング1
1に入る。半透明板22は、反射された光ビームを2つ
の部分に分割する。第1の透過された部分は、半透明板
22および18を通過した後、カメラ12のセンサ15
に達する。板22によって反射された部分は、ウォラス
トンプリズム24を通過し、2つの反射された狭いレー
ザービームが単一のビームに結合される。ウォラストン
プリズム24の出口における単一の反射されたレーザー
ビームは、偏光子27を通過して、光ファイバ6によっ
て動作ユニット8に接続された検出セル28に達する。
【0038】カメラ12のセンサ15に向けられた反射
されたビームは、2つの高い強度で反射されたレーザー
ビームを持った、照明光ビームのスペクトルに対応す
る。反射されたレーザービームの効果による、センサ1
5、従ってビデオカメラ12の眩惑を避けるために、カ
メラ12の光学通路に、センサ15の直ぐ前で、フィル
タ29が配列されている。
【0039】光学フィルタ29は、特有の波長に対して
は透明であり、他の波長に対しては不透明であり、実質
的に単色光だけをカメラ12のセンサ15に透過する。
このように、センサ15の各CCDセルは、カメラ12
の平面画像の画素を表す干渉計として個々に振る舞う。
ビデオカメラ12はこのように、マトリクスで装着され
た複数個の干渉計として振る舞い、従って、スクリーン
10に表示されかつサンプル2の照明された場所の表面
を表す単色マップに対応するビデオ信号を出力する。光
学フィルタ29の特有の波長は、照明され局所化された
領域の内側の2つのレーザースポットも、ビデオカメラ
12を眩惑することなく、スクリーン10上に表示され
るように、反射されたレーザービームの波長に充分に近
くに選択されるのが好ましい。
【0040】ビームの干渉は、2つのビームの電界ベク
トルが投影される透過軸上に、偏光子27により可能で
ある。出口で、これは、直角であり、従って対応の光線
が正確に一致しているとしても干渉することができない
偏光子の前の電界とは違って、干渉することができる位
相シフトされた同一直線上の振動を提供する。
【0041】偏光子27は、電磁界の第1の方向に対し
て光を吸収し、第1と直交する第2の方向に対して透過
する二色性の粒子を含む膜の形態にある。反射されたレ
ーザービームの偏光(polarizations) は、ウォラストン
プリズム24を通るそれらの進行によって変更されない
ので、偏光子27の回転は、第1の角度位置において、
反射されたレーザービームの1つを選択し、第1に対し
て90°だけオフセットされた第2の位置において、第
2の反射されたレーザービームを選択し、第1に対して
45°の程度でオフセットされた第3の位置において、
2つの反射されたレーザービーム、特にそれらの干渉性
を分析することを可能とする。検出セル28は、種々の
型、特にスペクトルグラフのものであって良い。
【0042】源14から生じる光の検出セル28による
検出を制限するように、偏光子27の前に、反射された
レーザービームの直径に対応する直径の穴を有する絞り
(diaphragm) 30を装着しても良い。偏光子27と検出
セル28との間に配列された干渉フィルタ(図示せず)
を設けて偏光(polarization)への影響を有するフィルタ
を避けることも可能であり、該フィルタの通過帯域は、
源14からも直接もしくは反射を通して生じる他の色の
光を減少するよう、源20の波長に対応する。これは、
特に使用が青領域に富んでいるキセノンアークについて
為されるときに検出セル28の信号対雑音比を改善し、
これに対し、源14は赤領域に富んでおり、分析は後者
の領域で行われる。
【0043】図3および図4は、本発明の方法を表す画
像を概略的に示す。処理されるべきサンプル2は、エッ
チングにより絞り(diaphragms)を製造する際に使用され
る薄膜構造である。サンプル2は、シリコン基板31を
備えており、その幾つかの部分は、マスク32によって
保護されている。マスク32により保護されない基板3
1の領域31aは、それ自体既知のプラズマプロセス(a
plasma process)により所定の厚さに侵される。
【0044】監視ユニット4により発せられる入射光ビ
ームは、サンプル2の上部表面の場所2aを照明する。
場所2aは、白色光照明ビーム33によって範囲を定め
られる。第1のレーザービーム25は、マスク32によ
って保護された領域でサンプル2に達する。マスク32
は光に対して透明であるので、レーザービーム25は、
マスク32の下に配列された基板31の表面から反射さ
れる。第2のレーザービーム26は、エッチングを受け
ている基板31の領域31aから反射される。レーザー
ビーム25および26の位置は、監視ユニット4のスク
リーンに表示され、それらは、一方がマスク32によっ
て保護された領域から反射され、他方が、基板31にエ
ッチングされている溝から反射されるように、動かされ
得る。
【0045】レーザービーム25および26は、一方で
は水平面でテーブル5をシフトすることによって、他方
ではウォラストンプリズム24を移動することによっ
て、サンプル2に対してシフトされる。ウォラストンプ
リズム24は、その光学軸に沿って並進的に動くことが
でき、これにより、サンプル2上でレーザービーム25
および26間の分離を調節することができる。ウォラス
トンプリズム24は、それらの元の軸34の回りの回転
によりレーザービーム25および26を動かすことを可
能とする回転フレーム(図示せず)に装着される。偏光
子27もウォラストンプリズム24の回転フレームに装
着される。ウォラストンプリズム24を回転させれば、
偏光子27が回転され、それ故、レーザービーム25お
よび26を動かすことは偏光子27の調整を変更しな
い。偏光子27は、ウォラストンプリズム24のフレー
ムに対して回転することができる支持体(図示せず)に
装着される。偏光子27はこのように、ウォラストンプ
リズム24とは独立して調整される。
【0046】2つの反射されたレーザービームが進行す
る距離の差のために、サンプル2の基板31の露出され
た領域31aのエッチング深さに起因して、2つの反射
されたレーザービームの強度は、ウォラストンプリズム
24を通過した後、全く等しいものではなく、これによ
り干渉縞のコントラストを減少する。2つの反射された
レーザービーム間の干渉を研究することが望まれると
き、偏光子27は次に、45°からわずかに異なり得る
角度に設定され、2つの反射されたレーザービームから
それぞれ発生した成分の強度を平衡させる。反射された
レーザービームの強度の差は、また、部分的に、板22
からの反射にも起因し得、その間、板22への入射面と
平行な偏光が奨励される。
【0047】ビーム間の位相シフトが、一方では、サン
プル2からの反射から生じ(これは層の厚さまたはエッ
チング深さを測定するのを可能とする有用な位相シフト
である)、他方では、板21、22およびウォラストン
プリズム24を通しての反射から生じる(特に、後者が
正当に中心付けられていない場合)。単色光(レーザ
ー)において、サンプル2の単一表面に2つのビームを
向けることにより、較正が行われ得る。
【0048】偏光立方(polarization cube) もしくは第
2のウォラストンプリズムが、ウォラストンプリズム2
4を通るその戻り進行の後に、反射されたビームの光学
路上に配列され得、これにより、それらの偏光に従って
空間的にビームを分離し、それらの振幅RxおよびRy
を別々に測定し、そしてそれらの比を計算する。偏光立
方は、90°の角度で空間的な分離を許容する。方解石
から成るウォラストンプリズムは、数度の角度で空間的
な分離を許容する。
【0049】図5に示されるように、カメラ12は、偏
光子27と、光の偏光を変調するために電気モータ37
によってその中心の回りに回転される四分の一波長板3
6とを支持するアセンブリ35を備える。
【0050】このことは、サンプル上の表面条件の変更
に関係した情報を提供する。
【0051】
【発明の効果】本発明により、半導体層上の深いエッチ
ング動作が、単一の源から生じるという理由で干渉性で
ある2つのレーザービームでもって監視され得る。エッ
チング深さの正確な測定がこのようにして行われる。エ
ッチングの開始前に、サンプルの複数個のパターンの各
々に連続的に向けることにより、サンプルの複数個のパ
ターンを観察し、それにより、大規模な工業的なエッチ
ングプロセスにとって有益であるサンプルのモデルをそ
こから推論することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の方法を実施するために用いられる装
置の説明図である。
【図2】 本発明の装置の説明図である。
【図3】 本発明の技術により監視される薄膜構造の断
面図である。
【図4】 図3に対応する平面図である。
【図5】 図2の変形例である。
【符号の説明】
1 真空室 4 監視ユニット 5 テーブル 8 制御ユニット 12 ビデオカメラ 14 広いビームの照明源 20 狭いビームの照明源 24 ウォラストンプリズム 27 偏光子 28 検出セル 29 絞り

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ビデオカメラ(12)、広いビームの照明
    源(14)、狭いビームの照明源(20)および光学要
    素を密封するコンパクトケーシングを含む監視ユニット
    (4)と、監視ユニットをそれぞれファイバ光ケーブル
    および電気ケーブルを介して動作および制御ユニットに
    接続するために、監視ユニットのケーシングに装着され
    る光コネクタおよび電気コネクタを含む動作および制御
    ユニット(8)と、一方では、場所を選択するために2
    つの軸(X,Y)に沿って水平に監視ユニットを動かす
    ために、他方では、2つの入射ビームおよび表面層で反
    射された2つのビームが、ビデオカメラの光学軸に近接
    した近隣の光学路に追随するように正確な位置付けを提
    供するために処理室の上部に装着されたテーブル(5)
    と、を備えた、1つの壁に窓が装備された真空室(1)
    で処理を受ける薄膜構造の表面層の本来の場所における
    リアルタイムでの三次元測定および観察のための装置で
    あって、狭い光ビームの光学路に配列されるウォラスト
    ンプリズム(24)を備えて、該ウォラストンプリズム
    の出口で、角度αだけオフセットされた異なった方向を
    有しかつ直角の偏光を有する2つの狭い干渉性の偏光ビ
    ーム(25、26)を得、ウォラストンプリズムは、層
    によって反射される狭い光ビームがそれを通過するよう
    に配列され、偏光子(27)は、反射された狭い光ビー
    ムが、前記ウォラストンプリズムを通ってその戻り走行
    の後にそれを通過するようにウォラストンプリズムの光
    軸に配列され、前記偏光子は、前記ウォラストンプリズ
    ムおよび検出セル(28)に対して回転することができ
    るように装着されていることを特徴とする装置。
  2. 【請求項2】ウォラストンプリズムは並進的に動くこと
    ができ、偏光子をも支持する回転フレームに装着され、
    それ故、ウォラストンプリズムの回転は、偏光子の回転
    をもたらし、後者は、前記フレームに対して回転するこ
    とができる支持体に装着されることを特徴とする請求項
    1に記載の装置。
  3. 【請求項3】狭い光ビームを発生するためのレーザービ
    ームを備えたことを特徴とする請求項1または2に記載
    の装置。
  4. 【請求項4】狭い光ビームを発生するための白色源を備
    えたことを特徴とする請求項1または2に記載の装置。
  5. 【請求項5】ウォラストンプリズムおよび偏光子間に配
    列された絞り(29)を備え、該絞りの穴は、反射され
    た狭い光ビームの直径に対応する直径を有することを特
    徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の装
    置。
  6. 【請求項6】2つの絞りおよび中間レンズが設けられ、
    検出セルの前に置かれるアセンブリを備えたことを特徴
    とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の装置。
  7. 【請求項7】偏光子および検出セル間に配列された干渉
    フィルタを備え、該フィルタの帯域は、反射された狭い
    光ビームの周波数に対応する請求項1乃至請求項6のい
    ずれかに記載の装置。
  8. 【請求項8】2つの反射された狭いビームの光の偏光の
    変調器を備え、該変調器は、前記反射された狭いビーム
    の通路で偏光子の上流に配列され、かつ2つのビーム間
    の位相差を測定する目的で、回転する四分の一波長板の
    形態にあり、該位相差は、2つの狭いビームが反射され
    る表面層の領域間のレベル差を表すことを特徴とする請
    求項1乃至請求項7のいずれかに記載の装置。
  9. 【請求項9】1つの壁に窓が装備された真空室に置かれ
    た薄膜構造の表面層の本来の場所におけるリアルタイム
    での測定および観察のための方法であって、 観察されるべき構造の場所に広い照明光ビームを送り、
    観察されるべき構造の第1の特定の領域に第1の狭い照
    明光ビームを送り、観察されるべき構造の第2の特定の
    領域に第2の狭い照明光ビームを送り、これらビーム
    は、ビデオカメラの光学軸に近接した近隣の光学路に追
    随し、かつ処理室の窓を通過して場所に達し、第1およ
    び第2の狭い光ビームは、互いに干渉性であり、かつそ
    れらの方向は角度αだけオフセットされており、前記第
    1および第2の狭い光ビームは単一の光源によって発生
    され、 薄膜構造の場所によって反射された光ビームを広い分野
    のビデオカメラのマトリクスセンサに送り、2つの特定
    の領域によって反射され、共通の光学路をたどる2つの
    光ビームを、それらを光学的に結合することができる手
    段に送り、結合され反射された光ビームは、偏光子の出
    口で干渉し、その後、2つの特定の領域間でのレベル差
    を測定する目的で検出セルによって続けられる、ことを
    特徴とする方法。
  10. 【請求項10】単一の源から得られる狭い光ビームが、
    第1および第2の入射する狭い光ビームを得るためにウ
    ォラストンプリズムに送られ、2つの反射された狭い光
    ビームは、それらのそれぞれの偏光の直交を維持しつ
    つ、それらを単一の光学軸上で結合するためにウォラス
    トンプリズムに送られ、偏光子は、少なくとも90°の
    角度を通しての回転で動くことができ、それにより、単
    一の偏光において第1の反射された狭い光ビームを選択
    することができ、第1のビームの偏光に対して90°だ
    けオフセットされた単一の偏光で第2の反射された狭い
    光ビームを選択することができ、そして第1に対して4
    5°程度オフセットされた角度位置において2つの反射
    された狭い光ビームの結合を選択することができること
    を特徴とする請求項9に記載の方法。
  11. 【請求項11】2つの特定の領域間の距離は、ウォラス
    トンプリズムを並進させることにより調整され、それら
    はウォラストンプリズムおよび偏光子を回転させること
    により回転で動かされることを特徴とする請求項10に
    記載の方法。
  12. 【請求項12】2つの反射された光ビームは、偏光子に
    入る前に偏光を変調するための手段を通過することを特
    徴とする請求項9乃至請求項11のいずれかに記載の方
    法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009031166A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Chuo Seiki Kk 干渉縞生成方法および干渉計
WO2024128048A1 (ja) * 2022-12-13 2024-06-20 株式会社東京精密 検査装置及び検査方法

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7714995B2 (en) * 1997-09-22 2010-05-11 Kla-Tencor Corporation Material independent profiler
US7688435B2 (en) * 1997-09-22 2010-03-30 Kla-Tencor Corporation Detecting and classifying surface features or defects by controlling the angle of the illumination plane of incidence with respect to the feature or defect
US7630086B2 (en) * 1997-09-22 2009-12-08 Kla-Tencor Corporation Surface finish roughness measurement
IL123727A (en) * 1998-03-18 2002-05-23 Nova Measuring Instr Ltd Method and apparatus for measurement of patterned structures
US6836324B2 (en) * 1998-03-18 2004-12-28 Nova Measuring Instruments Ltd. Method and apparatus for measurements of patterned structures
US6476920B1 (en) 1998-03-18 2002-11-05 Nova Measuring Instruments, Ltd. Method and apparatus for measurements of patterned structures
DE19922919C2 (de) * 1999-05-19 2002-01-17 Infineon Technologies Ag Anlage zur Bearbeitung von Wafern
US6160621A (en) * 1999-09-30 2000-12-12 Lam Research Corporation Method and apparatus for in-situ monitoring of plasma etch and deposition processes using a pulsed broadband light source
US6582619B1 (en) 1999-09-30 2003-06-24 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for trench depth detection and control
EP1098166B1 (en) * 1999-11-08 2008-12-03 Leica Microsystems CMS GmbH Method and apparatus for thickness measurement on transparent films
US6547458B1 (en) * 1999-11-24 2003-04-15 Axcelis Technologies, Inc. Optimized optical system design for endpoint detection
US6411389B1 (en) * 2000-05-03 2002-06-25 The Regents Of The University Of Claifornia Optical monitor for real time thickness change measurements via lateral-translation induced phase-stepping interferometry
US6804009B2 (en) * 2000-05-03 2004-10-12 The Regents Of The University Of California Wollaston prism phase-stepping point diffraction interferometer and method
US7453577B2 (en) * 2004-12-14 2008-11-18 Asml Netherlands B.V. Apparatus and method for inspecting a patterned part of a sample
US7161669B2 (en) 2005-05-06 2007-01-09 Kla- Tencor Technologies Corporation Wafer edge inspection
FR2891904B1 (fr) * 2005-10-06 2007-12-21 Horiba Jobin Yvon Sas Soc Par Procede de mesure optique d'une couche en temps reel, en incidence normale
US7397553B1 (en) 2005-10-24 2008-07-08 Kla-Tencor Technologies Corporation Surface scanning
US7554654B2 (en) * 2007-01-26 2009-06-30 Kla-Tencor Corporation Surface characteristic analysis
JP5010978B2 (ja) * 2007-05-22 2012-08-29 株式会社ディスコ レーザー加工装置
EP3726274B1 (en) * 2010-04-26 2023-08-23 Nikon Corporation Structured illumination microscope apparatus and an image forming apparatus
FR3060736B1 (fr) 2016-12-16 2019-05-24 Horiba Jobin Yvon Sas Methode et instrument de mesure de profondeur de gravure par interferometrie polarimetrique differentielle et appareil de spectrometrie de decharge luminescente comprenant un tel instrument de mesure

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62211503A (ja) * 1986-03-13 1987-09-17 Hitachi Ltd 段差計測装置
JPH02251707A (ja) * 1989-03-27 1990-10-09 Nikon Corp 位置検出装置
JPH05264250A (ja) * 1992-03-18 1993-10-12 Kosaka Kenkyusho:Kk 表面形状の光学的測定装置
JPH07239212A (ja) * 1994-02-28 1995-09-12 Nikon Corp 位置検出装置
JPH0854210A (ja) * 1994-04-05 1996-02-27 Sofie 薄層構造体の表面層の局限区域の形態と厚さを原位置実時間観測する方法と装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1447254A1 (de) * 1963-11-29 1968-12-19 Polskie Zaklady Optyczne Interferenz-Polarisationsmikroskop
JPS567006A (en) * 1979-06-22 1981-01-24 Ibm Method of extending measurement range of interference
FR2680414B1 (fr) * 1991-08-14 1995-05-24 Sofie Ensemble d'observation et de mesures interferometriques simultanees par laser, en particulier sur des structures a couches minces.
JPH05232384A (ja) * 1992-02-18 1993-09-10 Olympus Optical Co Ltd 干渉顕微鏡
EP0561015A1 (de) * 1992-03-17 1993-09-22 International Business Machines Corporation Interferometrische Phasenmessung
US5469259A (en) * 1994-01-03 1995-11-21 International Business Machines Corporation Inspection interferometer with scanning autofocus, and phase angle control features
US5710631A (en) * 1995-04-11 1998-01-20 International Business Machines Corporation Apparatus and method for storing interferometric images of scanned defects and for subsequent static analysis of such defects
FR2737560B1 (fr) * 1995-08-02 1997-09-19 Sofie Instr Procede et dispositif pour quantifier in situ, par reflectometrie, la morphologie d'une zone localisee lors de la gravure de la couche superficielle d'une structure a couches minces
US5784163A (en) * 1996-09-23 1998-07-21 International Business Machines Corporation Optical differential profile measurement apparatus and process

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62211503A (ja) * 1986-03-13 1987-09-17 Hitachi Ltd 段差計測装置
JPH02251707A (ja) * 1989-03-27 1990-10-09 Nikon Corp 位置検出装置
JPH05264250A (ja) * 1992-03-18 1993-10-12 Kosaka Kenkyusho:Kk 表面形状の光学的測定装置
JPH07239212A (ja) * 1994-02-28 1995-09-12 Nikon Corp 位置検出装置
JPH0854210A (ja) * 1994-04-05 1996-02-27 Sofie 薄層構造体の表面層の局限区域の形態と厚さを原位置実時間観測する方法と装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009031166A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Chuo Seiki Kk 干渉縞生成方法および干渉計
WO2024128048A1 (ja) * 2022-12-13 2024-06-20 株式会社東京精密 検査装置及び検査方法

Also Published As

Publication number Publication date
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US5898500A (en) 1999-04-27
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