JPH10297908A - Production of coating liquid for forming dielectric coating film, coating liquid for forming dielectric coating film and formation of dielectric coating film - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To eliminate problems in that a dielectric coating film excellent in orienting properties cannot be formed in a method for forming the dielectric coating film according to a sol-gel method. SOLUTION: The hydrolytic treatment using <=1 mol. water based on 1 mol. organic compound containing respective elements constituting a dielectric material represented by [A][B]O3 (A is at least one element selected from lithium, sodium and potassium; B is at least one element selected from niobium and tantalum) is repetitively carried out plural times in a method for conducting the hydrolytic treatment and thereby producing a coating liquid for forming a dielectric coating film containing a precursor of the dielectric material. Thereby, the total hydrolyzable amount is increased while preventing the organic compound from gelling due to an excessive amount of water at the time of the hydrolysis. The gasification of organic groups is suppressed when backing a coating film composed of the coating liquid for forming the dielectric coating film.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、不揮発性メモリキ
ャパシタ、光導波路、光スイッチ、変調素子、光偏向素
子等に用いられる誘電体被膜を形成するための塗布液の
製造方法、誘電体被膜形成用塗布液及び誘電体被膜の形
成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a coating liquid for forming a dielectric film used for a nonvolatile memory capacitor, an optical waveguide, an optical switch, a modulation element, an optical deflection element, and the like, and a method of forming a dielectric film. The present invention relates to a coating liquid for use and a method for forming a dielectric film.

【０００２】[0002]

【従来の技術】ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ₃ ）系誘
電体材料は、圧電性，焦電性、電気光学効果、音響光学
効果、光誘起屈折率変化等に優れた特性を有することか
ら、不揮発性メモリキャパシタ、光導波路、光スイッ
チ、変調素子、光偏向素子等への適用が期待されてい
る。このような誘電体材料を薄い誘電体被膜として形成
する方法の一つに、ゾル−ゲル法がある。2. Description of the Related Art Lithium niobate (LiNbO ₃ ) -based dielectric materials have excellent characteristics such as piezoelectricity, pyroelectricity, electro-optic effect, acousto-optic effect, and photo-induced refractive index change. Application to memory capacitors, optical waveguides, optical switches, modulation elements, optical deflection elements, and the like is expected. One of the methods for forming such a dielectric material as a thin dielectric film is a sol-gel method.

【０００３】この方法は、例えば特開昭６３−２７０３
９７号公報及び特開昭６３−２３８２８２号公報に記載
されているように、先ず、エトキシリチウムとペンタエ
トキシニオブとを溶媒に溶解させて複合金属アルコキシ
ドを作製し、次にこの複合金属アルコキシドの加水分解
処理を行うことによってニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ
₃ ）の前駆体とし、この前駆体を含有する加水分解液を
作製する。次に、この加水分解液を濃縮して誘電体被膜
形成用塗布液を作製する。その後、この溶媒で適宜希釈
した誘電体被膜形成用塗布液を基板上に塗布して塗布膜
を形成した後、この塗布膜を焼成することによって基板
上に結晶性の上記誘電体材料からなる誘電体被膜を成膜
する。This method is disclosed, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-2703.
No. 97 and JP-A-63-238282, ethoxylithium and pentaethoxyniobium are first dissolved in a solvent to prepare a composite metal alkoxide. By performing the decomposition treatment, lithium niobate (LiNbO
_As a precursor of ₃ ), a hydrolysis solution containing this precursor is prepared. Next, the hydrolyzed solution is concentrated to prepare a coating solution for forming a dielectric film. Thereafter, a coating liquid for forming a dielectric film appropriately diluted with this solvent is applied to the substrate to form a coating film, and then the coating film is baked to form a dielectric material comprising the above-mentioned crystalline dielectric material on the substrate. A body coat is formed.

【０００４】上記方法によれば、スパッタリング法、真
空蒸着法または気相反応法等の成膜方法と比較して、化
学量論比組成が均質な上記誘電体被膜を得ることができ
る。According to the above method, it is possible to obtain the above-mentioned dielectric film having a more uniform stoichiometric composition than a film forming method such as a sputtering method, a vacuum deposition method or a gas phase reaction method.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記ゾル−
ゲル法では、複合金属アルコキシドの加水分解処理を行
う際に複合金属アルコキシド１モル（最終的に得られる
結晶性の誘電体材料に換算した量）に対して１モルを越
える水を用いると、複合金属アルコキシドのゲル化が生
じ、加水分解液を塗布液として用いることができなくな
る。このため、上記製造方法における加水分解処理にお
いては、使用する水の量が複合金属アルコキシド１モル
に対して１モル以下に制限され、複合金属アルコキシド
の加水分解を十分に進めることができない。したがっ
て、加水分解液を加熱濃縮して得られた誘電体被膜形成
用塗布液からなる塗布膜中には、複合金属アルコキシド
を加水分解してなる前駆体と共に、この複合金属アルコ
キシドにおいて未反応のアルコキシル基やアルコキシア
ルコキシル基等の有機基が多量に残されることになる。However, the above sol-
In the gel method, when the complex metal alkoxide is hydrolyzed, if more than 1 mol of water is used per 1 mol of the complex metal alkoxide (the amount converted into the crystalline dielectric material finally obtained), the complex Gelation of the metal alkoxide occurs, and the hydrolysis liquid cannot be used as a coating liquid. Therefore, in the hydrolysis treatment in the above production method, the amount of water used is limited to 1 mol or less per 1 mol of the composite metal alkoxide, and the hydrolysis of the composite metal alkoxide cannot be sufficiently advanced. Therefore, in the coating film composed of the coating liquid for forming a dielectric film obtained by heating and concentrating the hydrolysis liquid, the unreacted alkoxyl in the composite metal alkoxide is contained together with the precursor obtained by hydrolyzing the composite metal alkoxide. A large amount of organic groups such as groups and alkoxyalkoxyl groups are left.

【０００６】そして、塗布膜を焼成する際には、この塗
布膜中に残された未反応の有機基が熱分解されてその有
機成分がガス化する現象が生じる。このため、この塗布
膜を焼成してなる誘電体被膜には、上記有機成分のガス
化による体積消失に起因して、クラックやピンホールが
生じる。When the coating film is baked, unreacted organic groups remaining in the coating film are thermally decomposed and the organic components are gasified. For this reason, cracks and pinholes occur in the dielectric film formed by baking this coating film due to the loss of volume due to the gasification of the organic component.

【０００７】また、上記焼成の際には、上記前駆体を焼
成することによって結晶化してなる誘電体材料が基板面
に対して配向しながら誘電体被膜が形成される。ところ
が、上述のように焼成中に有機成分のガス化が生じる
と、上記基板面に対する誘電体材料の配向が阻害され、
十分な配向性を有する誘電体被膜を得ることができな
い。[0007] In the firing, a dielectric film is formed while the dielectric material crystallized by firing the precursor is oriented with respect to the substrate surface. However, when gasification of the organic component occurs during firing as described above, the orientation of the dielectric material with respect to the substrate surface is inhibited,
A dielectric film having a sufficient orientation cannot be obtained.

【０００８】さらに、光導波路を形成するために、チタ
ン（Ｔｉ）やネオジウム（Ｎｄ）を含有する誘電体被膜
を形成する場合には、例えば誘電体被膜上に成膜したチ
タン含有膜やネオジウム含有膜中からの熱拡散によって
誘電体材料中に上記添加物を導入する方法がある。Further, when a dielectric film containing titanium (Ti) or neodymium (Nd) is formed to form an optical waveguide, for example, a titanium-containing film or a neodymium-containing film formed on the dielectric film may be used. There is a method of introducing the above additive into the dielectric material by thermal diffusion from the film.

【０００９】しかし、熱拡散法によって誘電体被膜中へ
添加物を導入する場合には、添加物の導入量が低い値
に制限される、誘電体被膜面内における添加物の導入
量が不均一になる、添加物の拡散によって誘電体材料
の結晶性が乱れる、添加物の導入量を制御し難い等の
問題がある。However, when the additive is introduced into the dielectric coating by the thermal diffusion method, the introduction amount of the additive is limited to a low value, and the introduction amount of the additive within the dielectric coating surface is not uniform. , The crystallinity of the dielectric material is disturbed by the diffusion of the additive, and it is difficult to control the amount of the additive to be introduced.

【００１０】以上のことから、従来のゾル−ゲル法を用
いた誘電体被膜の形成では、上記誘電体材料としての優
れた特性を有する誘電体被膜を得ることができなかっ
た。From the above, it has not been possible to obtain a dielectric film having excellent characteristics as the above-mentioned dielectric material by forming a dielectric film using the conventional sol-gel method.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために成された誘電体被膜形成用塗布液の製造方
法、誘電体被膜形成用塗布液及び誘電体被膜の形成方法
である。そして、本発明の誘電体被膜形成用塗布液の製
造方法（以下、製造方法と記す）は、下記式（１５）で
示される誘電体材料を構成する各元素を含有する有機化
合物を加水分解処理することによって、当該誘電体材料
の前駆体を含有する誘電体被膜形成用塗布液を製造する
方法であり、特に第１の製造方法では、上記有機化合物
の加水分解処理を複数回繰り返して行うことを特徴とし
ている。 〔Ａ〕〔Ｂ〕Ｏ₃ …（１５）SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a method for producing a coating solution for forming a dielectric film, a coating solution for forming a dielectric film, and a method for forming a dielectric film, which have been made to solve the above-mentioned problems. . The method for producing a coating solution for forming a dielectric film of the present invention (hereinafter referred to as the production method) is a method of subjecting an organic compound containing each element constituting a dielectric material represented by the following formula (15) to hydrolysis treatment. Is a method for producing a coating liquid for forming a dielectric film containing a precursor of the dielectric material. In particular, in the first production method, the hydrolysis treatment of the organic compound is performed a plurality of times. It is characterized by. [A] [B] O ₃ ... (15)

【００１２】上記式（１５）中及び以下に示される各式
中において、Ａはリチウム，ナトリウム及びカリウムの
中から選ばれる少なくとも１種類の元素であり、Ｂはニ
オブ及びタンタルの中の少なくとも１種類の元素であ
る。In the above formula (15) and each formula shown below, A is at least one element selected from lithium, sodium and potassium, and B is at least one element selected from niobium and tantalum. Element.

【００１３】上記第１の製造方法は、出発物質によって
２つの製造手順に分けられる。第１手順では、先ず、下
記式（１６）で示される金属アルコキシドと下記式（１
７）で示される金属アルコキシドとを出発物質とし、こ
れらの出発物質を溶媒中で反応させることによって下記
式（１８）で示される複合金属アルコキシドからなる有
機化合物を得る。 Ａ（ＯＲ¹ ） …（１６） Ｂ（ＯＲ² ）₅ …（１７） ＡＢ（ＯＲ¹ ）（ＯＲ² ）₅ …（１８）[0013] The first production method is divided into two production procedures depending on the starting materials. In the first procedure, first, a metal alkoxide represented by the following formula (16) and a metal alkoxide represented by the following formula (1)
By using the metal alkoxide represented by 7) as a starting material and reacting these starting materials in a solvent, an organic compound comprising a composite metal alkoxide represented by the following formula (18) is obtained. A (OR ¹ ) ... (16) B (OR ² ) ₅ ... (17) AB (OR ¹ ) (OR ² ) ₅ ... (18)

【００１４】上記式（１６）及び式（１８）中におい
て、Ｒ¹ は炭素原子数１〜６のアルキル基あるいはアル
コキシアルキル基であり、式（１７）及び式（１８）中
において、Ｒ² は炭素原子数１〜６のアルキル基あるい
はアルコキシアルキル基である。また、上記式（１６）
に示した金属アルコキシドと上記式（１７）に示した金
属アルコキシドとは、そのＡ，Ｂ，Ｒ¹ 及びＲ² によっ
て特に組み合わせが限定されることはなく、全ての組み
合わせが可能である。In the above formulas (16) and (18), R ¹ is an alkyl group or an alkoxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and in the formulas (17) and (18), R ² is An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxyalkyl group. In addition, the above equation (16)
The combination of the metal alkoxide shown in (1) and the metal alkoxide shown in the above formula (17) is not particularly limited by A, B, R ¹ and R ² , and all combinations are possible.

【００１５】この際、先ず、上記式（１６）に示した金
属アルコキシドを、例えばエチレングリコールモノメチ
ルエーテル（ＭＣ）やプロピレングリコールモノメチル
エーテル（ＰＧＭＥ）のような溶媒に溶解させた第１の
溶液を調整する。また、上記式（１７）に示した金属ア
ルコキシドを同様の溶媒に溶解させた第２の溶液を調整
する。次に、上記第２の溶液に上記第１の溶液を少量ず
つ滴下し、滴下終了後、加熱または加熱条件下での還流
を行う。これによって、上記式（１８）に示す複合金属
アルコキシドからなる有機化合物を含有する溶液を得
る。At this time, first, a first solution is prepared by dissolving the metal alkoxide represented by the above formula (16) in a solvent such as ethylene glycol monomethyl ether (MC) or propylene glycol monomethyl ether (PGME). I do. Further, a second solution in which the metal alkoxide represented by the above formula (17) is dissolved in a similar solvent is prepared. Next, the first solution is added dropwise to the second solution little by little, and after the completion of the addition, heating or reflux under heating conditions is performed. As a result, a solution containing the organic compound comprising the composite metal alkoxide represented by the above formula (18) is obtained.

【００１６】その後、水と例えばエタノールのような溶
媒を混合して均一に溶解させた溶媒液を作製し、この溶
媒液を上記溶液中に少量づつ滴下する。この際、上記有
機化合物１モルに対して１モル以下の水を用いて上記有
機化合物のゲル化を防止すると共に、好ましくは上記有
機化合物１モルに対して０．５モル以上の水を用いるこ
とで工程数の増加を抑えることとする。そして、滴下終
了後、溶媒液を滴下した溶液を攪拌し、さらに加熱条件
下で還流を行うことによって上記有機化合物の加水分解
処理を行う。これによって、上記式（１５）に示した誘
電体材料の前駆体を含有する加水分解液を得る。すなわ
ち、上記前駆体は、上記有機化合物を加水分解処理して
なるものになる。次に、この前駆体を含有する加水分解
液の加熱濃縮を行って濃縮液を得た後、この濃縮液を室
温にまで放冷する。ここで、本発明でいう加水分解処理
とは、上記加水分解液の加熱濃縮をも含むこととする。
尚、上記で示した有機化合物量は、上記式（１５）で示
された誘電体材料に換算した場合の量であることとし、
以下同様とする。After that, a solvent solution in which water and a solvent such as ethanol are mixed to prepare a uniform solution is prepared, and the solvent solution is added dropwise to the solution in small portions. At this time, gelation of the organic compound is prevented by using water of 1 mol or less per 1 mol of the organic compound, and preferably 0.5 mol or more of water is used with respect to 1 mol of the organic compound. To suppress the increase in the number of steps. Then, after completion of the dropping, the solution in which the solvent liquid is dropped is stirred, and the solution is refluxed under a heating condition to hydrolyze the organic compound. Thereby, a hydrolyzate containing the precursor of the dielectric material represented by the above formula (15) is obtained. That is, the precursor is obtained by hydrolyzing the organic compound. Next, the hydrolyzed solution containing the precursor is concentrated by heating to obtain a concentrated solution, and the concentrated solution is allowed to cool to room temperature. Here, the term “hydrolysis treatment” as used in the present invention also includes heat concentration of the above-mentioned hydrolysis solution.
Note that the amount of the organic compound shown above is an amount when converted to the dielectric material represented by the above formula (15),
The same applies hereinafter.

【００１７】次いで、上記加水分解処理（加熱濃縮を含
む）を少なくとも１回繰り返す。この繰り返し工程にお
ける加水分解処理では、上記１回目の加水分解処理と同
様に有機化合物１モルに対して０．５モル〜１モルの水
を用いることとする。そして、２回〜４回程度の加水分
解処理を繰り返し、全加水分解処理で使用する水の総量
が、有機化合物１モルに対して１モルよりも多くかつ２
モル以下になるようにする。そして、最終的に得られた
濃縮液を誘電体被膜形成用塗布液とする。Next, the above-mentioned hydrolysis treatment (including heat concentration) is repeated at least once. In the hydrolysis treatment in this repetition step, 0.5 mol to 1 mol of water is used per 1 mol of the organic compound as in the first hydrolysis treatment. Then, the hydrolysis treatment is repeated about 2 to 4 times, and the total amount of water used in the total hydrolysis treatment is more than 1 mol and 2 mol per 1 mol of the organic compound.
Mol or less. Then, the finally obtained concentrated liquid is used as a coating liquid for forming a dielectric film.

【００１８】また、本発明の第１の製造方法における第
２手順では、先ず、下記式（１９）で示される金属酢酸
塩と下記式（２０）で示される金属アルコキシドとを出
発物質とし、これらの出発物質を溶媒中で反応させるこ
とによって下記式（２１）で示される縮合金属アルコキ
シドからなる有機化合物を得る。 Ａ（ＯＣＯＣＨ₃ ） …（１９） Ｂ（ＯＲ³ ）₅ …（２０） （ＡＯ）_n Ｂ（ＯＲ³ ）_5-n …（２１）In the second step of the first production method of the present invention, first, a metal acetate represented by the following formula (19) and a metal alkoxide represented by the following formula (20) are used as starting materials. Is reacted in a solvent to obtain an organic compound comprising a condensed metal alkoxide represented by the following formula (21). A (OCOCH ₃ ) (19) B (OR ³ ) ₅ (20) (AO) _n B (OR ³ ) _5-n (21)

【００１９】上記（２０）及び式（２１）中において、
Ｒ³ は炭素原子数１〜６のアルキル基あるいはアルコキ
シアルキル基であり、式（２１）中において、ｎは１〜
４の整数である。In the above (20) and equation (21),
R ³ is an alkyl group or an alkoxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and in the formula (21), n represents 1 to
4 is an integer.

【００２０】ここでは、先ず、式（１９）に示した金属
酢酸塩の無水物を微粒子化する。また、上記式（２０）
に示した金属アルコキシドを、例えば上記ＭＣやＰＧＭ
Ｅのような溶媒に溶解させた溶媒液を調整する。そし
て、この溶媒液中に、上記微粒子化した金属酢酸塩の無
水物を少量ずつ添加し、添加終了後、加熱または加熱条
件下で還流を行う。これによって、上記式（２１）に示
す縮合金属アルコキシドからなる上記有機化合物を含有
する溶液を得る。Here, first, the anhydride of the metal acetate represented by the formula (19) is finely divided. In addition, the above equation (20)
The metal alkoxide shown in the above, for example, MC or PGM
A solvent solution dissolved in a solvent such as E is prepared. Then, into the solvent liquid, the anhydride of the finely divided metal acetate is added little by little, and after the addition is completed, the mixture is heated or refluxed under heating conditions. Thereby, a solution containing the organic compound comprising the condensed metal alkoxide represented by the formula (21) is obtained.

【００２１】その後、上記第１手順で説明したと同様
に、加水分解処理を２回〜４回程度繰り返して行い、最
終的に得られた濃縮液を誘電体被膜形成用塗布液とす
る。そして、以上の第１手順または第２手順のようにし
て得られた誘電体被膜形成用塗布液が、本発明の第１の
誘電体被膜形成用塗布液になる。Thereafter, in the same manner as described in the first procedure, the hydrolysis treatment is repeated about 2 to 4 times, and the finally obtained concentrated liquid is used as a coating liquid for forming a dielectric film. The coating liquid for forming a dielectric film obtained according to the first procedure or the second procedure becomes the first coating liquid for forming a dielectric film of the present invention.

【００２２】上記第１手順または第２手順による第１の
製造方法では、誘電体材料を構成する各元素を含有する
有機化合物の加水分解処理を複数回繰り返し行うこと
で、１回の加水分解処理に使用する水分量を低く抑えな
がらも、全体的な加水分解量が確保される。このため、
各加水分解処理に際しては水分量過多による有機化合物
のゲル化が抑えられ、全加水分解処理を通して当該有機
化合物を構成する有機基の加水分解可能量が増加する。
したがって、これらの加水分解処理によって得られた誘
電体被膜形成用塗布液中における未反応の有機基が少量
に抑えられる。In the first manufacturing method according to the first procedure or the second procedure, the hydrolysis treatment of the organic compound containing each element constituting the dielectric material is repeatedly performed a plurality of times, whereby one hydrolysis treatment is performed. The overall amount of hydrolysis is ensured while keeping the amount of water used low. For this reason,
In each hydrolysis treatment, gelling of the organic compound due to an excessive amount of water is suppressed, and the hydrolyzable amount of the organic group constituting the organic compound increases through the entire hydrolysis treatment.
Therefore, the amount of unreacted organic groups in the coating liquid for forming a dielectric film obtained by these hydrolysis treatments is suppressed to a small amount.

【００２３】そして、本発明の誘電体被膜の形成方法
（以下形成方法と記す）における第１の形成方法は、上
記第１の製造方法で得られた誘電体被膜形成用塗布液を
用いて、基板の被塗布面上に上記式（１５）で示される
誘電体材料からなる誘電体被膜を形成する方法であり、
以下のようにする。The first method of forming a dielectric film according to the present invention (hereinafter, referred to as a forming method) includes the step of using the coating liquid for forming a dielectric film obtained by the first manufacturing method. A method of forming a dielectric film made of a dielectric material represented by the above formula (15) on a surface to be coated of a substrate,
Do the following:

【００２４】先ず、上述の第１の製造方法によって得ら
れた誘電体被膜形成用塗布液を、必要に応じて溶媒で希
釈調整する。次に、ディッピング法や回転塗布法によっ
て基板の被塗布面に上記誘電体被膜形成用塗布液を塗布
し、この被塗布面上に塗布膜を形成する。First, the coating liquid for forming a dielectric film obtained by the above-mentioned first manufacturing method is diluted and adjusted with a solvent, if necessary. Next, the coating liquid for forming a dielectric film is applied to the surface to be coated of the substrate by dipping or spin coating, and a coating film is formed on the surface to be coated.

【００２５】その後、上記塗布膜の乾燥及び仮焼成を行
い、形成する塗布膜の膜厚に応じて塗布膜の形成、乾燥
及び仮焼成を繰り返し行なう。次に、塗布膜の焼成（本
焼成）を行うことによって、基板の被塗布面に、塗布膜
中の前駆体を結晶化させた誘電体材料、すなわち上記式
（１５）に示した誘電体材料からなる誘電体被膜を形成
する。Thereafter, the coating film is dried and calcined, and the formation, drying and calcining of the coating film are repeated according to the thickness of the coating film to be formed. Next, by firing (final firing) the coating film, a dielectric material in which the precursor in the coating film is crystallized on the coating surface of the substrate, that is, the dielectric material represented by the above formula (15) Is formed.

【００２６】上記第１の形成方法では、第１の製造方法
によって得られた誘電体被膜形成用塗布液からなる塗布
膜を焼成することから、未反応の有機基の含有量が低く
抑えられた塗布膜に対して焼成が行なわれる。したがっ
て、焼成によって前駆体を結晶化させた誘電体材料を得
る際、上記有機基の分解によるガスの発生が抑制され、
基板面への誘電体材料の配向が確保される。そして、配
向性が良好でかつピンホール及びクラックのない緻密な
誘電体被膜が得られる。In the first forming method, since the coating film made of the coating liquid for forming a dielectric film obtained by the first manufacturing method is baked, the content of unreacted organic groups is kept low. Baking is performed on the coating film. Therefore, when obtaining a dielectric material in which the precursor is crystallized by firing, generation of gas due to decomposition of the organic group is suppressed,
The orientation of the dielectric material with respect to the substrate surface is ensured. Then, a dense dielectric film having good orientation and no pinholes and cracks can be obtained.

【００２７】また、本発明の塗布液の製造方法における
第２の製造方法では、上記式（１５）で示される誘電体
材料を構成する各元素を含有する有機化合物を加水分解
処理する前に、上記有機化合物とカルボン酸誘導体とを
反応させる前処理を行うことを特徴としている。In the second production method of the production method of the coating liquid of the present invention, before the organic compound containing each element constituting the dielectric material represented by the above formula (15) is hydrolyzed, It is characterized in that a pretreatment for reacting the organic compound with a carboxylic acid derivative is performed.

【００２８】上記カルボン酸誘導体は、下記式（２２）
で示されるモノカルボン酸類，下記式（２３）で示され
るジカルボン酸モノエステル類または下記式（２４）あ
るいは式（２５）の何れかで示されるジカルボン酸無水
物類を用いて好適である。 Ｒ⁴ ＣＯＯＨ …（２２） Ｒ⁵ ＯＣＯＲ⁶ ＣＯＯＨ …（２３） （Ｒ⁷ ＣＯ）Ｏ（ＣＯＲ⁸ ） …（２４） Ｒ⁹ （ＣＯ）₂ Ｏ …（２５）The carboxylic acid derivative is represented by the following formula (22)
It is preferable to use monocarboxylic acids represented by the following formulas, dicarboxylic acid monoesters represented by the following formula (23), or dicarboxylic anhydrides represented by any of the following formulas (24) or (25). R ⁴ COOH (22) R ⁵ OCOR ⁶ COOH (23) (R ⁷ CO) O (COR ⁸ ) (24) R ⁹ (CO) ₂ O (25)

【００２９】上記式（２２）におけるＲ⁴ は炭素原子数
１〜６の炭化水素基であり、上記式（２３）におけるＲ
⁵ は炭素原子数１〜６の炭化水素基であり、Ｒ⁶ は炭素
原子数１〜６の２価の炭化水素基である。また、上記式
（２４）におけるＲ⁷ は炭素原子数１〜６の炭化水素基
であり、Ｒ⁸ は炭素原子数１〜６の炭化水素基であり、
上記式（２５）におけるＲ⁹ は炭素原子数１〜６の２価
の炭化水素基である。R ⁴ in the above formula (22) is a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and R ⁴ in the above formula (23)
⁵ is a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and R ⁶ is a divalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms. R ⁷ in the above formula (24) is a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, R ⁸ is a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms,
R ⁹ in the above formula (25) is a divalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms.

【００３０】上記モノカルボン酸類としては、例えば酢
酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸等がある。Examples of the above monocarboxylic acids include acetic acid, propionic acid, butyric acid and valeric acid.

【００３１】また、上記ジカルボン酸モノエステル類と
しては、２塩基のカルボン酸とアルコールとを公知の方
法によりエステル化反応させて合成したものが用いられ
る。上記２塩基のカルボン酸としては、シュウ酸、マロ
ン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン
酸、スベリン酸、アゼリン酸、セバシン酸、マレイン
酸、シトラコン酸、イタコン酸、メチルコハク酸、α−
メチルグルタル酸、α，α−ジメチルグルタル酸または
トリメチルグルタル酸等がある。また、上記アルコール
類としては、メチルアルコール、エチルアルコール、プ
ロピルアルコール、ブチルアルコール、アミルアルコー
ル、ヘキシルアルコール、エチレングリコールモノメチ
ルエーテルまたはプロピレングリコールモノメチルエー
テル等がある。As the dicarboxylic acid monoesters, those synthesized by subjecting a dibasic carboxylic acid and an alcohol to an esterification reaction by a known method are used. Examples of the dibasic carboxylic acids include oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelic acid, sebacic acid, maleic acid, citraconic acid, itaconic acid, methyl succinic acid, α-
Examples include methyl glutaric acid, α, α-dimethyl glutaric acid, and trimethyl glutaric acid. Examples of the alcohols include methyl alcohol, ethyl alcohol, propyl alcohol, butyl alcohol, amyl alcohol, hexyl alcohol, ethylene glycol monomethyl ether, and propylene glycol monomethyl ether.

【００３２】そして、上記ジカルボン酸無水物類として
は、無水マレイン酸、無水シトラコン酸、無水イタコン
酸、無水コハク酸、無水メチルコハク酸、無水グルタル
酸、無水α−メチルグルタル酸、無水α，α−ジメチル
グルタル酸または無水トリメチルグルタル酸等がある。Examples of the dicarboxylic anhydrides include maleic anhydride, citraconic anhydride, itaconic anhydride, succinic anhydride, methylsuccinic anhydride, glutaric anhydride, α-methylglutaric anhydride, α, α- Examples include dimethyl glutaric acid or trimethyl glutaric anhydride.

【００３３】この前処理では、先ず、上記の中から適宜
選択された１種類のカルボン酸誘導体とエタノールのよ
うな溶媒とを混合してカルボン酸溶媒液を調整する。そ
して、上記第１の製造方法の第１手順で調整した上記式
（１８）に示す有機化合物を含有する溶液中にこのカル
ボン酸溶媒液を少量ずつ滴下するか、または、上記第１
の製造方法の第２手順で調整した上記式（２１）に示す
有機化合物を含有する溶液中にこのカルボン酸溶媒液を
少量ずつ滴下する。滴下終了後、溶液を攪拌して加熱条
件下で還流を行い、上記有機化合物を上記カルボン酸誘
導体と反応させてエステル化させる。ここでは、有機化
合物１モルに対して、０．５モル以上のカルボン酸誘導
体を用いることで、その後の加水分解処理における有機
化合物のゲル抑制効果が十分に得られるようにする。ま
た、３モル以下のカルボン酸誘導体を用いることで、誘
電体被膜形成用塗布膜中における有機成分（カルボン酸
誘導体の添加に起因する）量を抑えることとする。さら
に好ましくは、１モル〜２モルのカルボン酸誘導体を用
いることとする。In this pretreatment, first, one kind of carboxylic acid derivative appropriately selected from the above is mixed with a solvent such as ethanol to prepare a carboxylic acid solvent solution. Then, the carboxylic acid solvent solution is added dropwise to the solution containing the organic compound represented by the formula (18) prepared in the first procedure of the first manufacturing method,
The carboxylic acid solvent solution is added dropwise little by little into the solution containing the organic compound represented by the above formula (21) prepared in the second step of the production method. After completion of the dropwise addition, the solution is stirred and refluxed under heating conditions, and the organic compound is reacted with the carboxylic acid derivative to be esterified. Here, by using 0.5 mol or more of the carboxylic acid derivative with respect to 1 mol of the organic compound, it is possible to sufficiently obtain the gel suppressing effect of the organic compound in the subsequent hydrolysis treatment. Further, by using 3 mol or less of the carboxylic acid derivative, the amount of organic components (attributable to the addition of the carboxylic acid derivative) in the coating film for forming the dielectric film is suppressed. More preferably, 1 to 2 mol of a carboxylic acid derivative is used.

【００３４】その後、上記溶液（前処理によってカルボ
キシル化された有機化合物を含有する）に対して、上記
第１の製造方法で説明した加水分解処理を１回行い、得
られた濃縮液を誘電体被膜形成用塗布液とする。ただ
し、加水分解処理による有機化合物（エステル化された
後の）のゲル化を防止するため、加水分解処理で使用す
る水の量は、有機化合物１モルに対して３モル以下にな
るようにする。ここでは、上記第１の製造方法と同様
に、加水分解処理を複数回繰り返し行なっても良い。こ
の場合、最終的に得られた濃縮液を誘電体被膜形成用塗
布液とする。そして、このようにして得られた誘電体被
膜形成用塗布液が、本発明の第２の誘電体被膜形成用塗
布液になる。Thereafter, the above-mentioned solution (containing the organic compound carboxylated by the pretreatment) is subjected to the hydrolysis treatment described in the first production method once, and the obtained concentrated liquid is subjected to dielectric treatment. A coating solution for forming a film. However, in order to prevent gelation of the organic compound (after esterification) due to the hydrolysis treatment, the amount of water used in the hydrolysis treatment should be 3 mol or less per 1 mol of the organic compound. . Here, similarly to the first manufacturing method, the hydrolysis treatment may be repeated a plurality of times. In this case, the finally obtained concentrated liquid is used as a coating liquid for forming a dielectric film. The coating liquid for forming a dielectric film thus obtained is the second coating liquid for forming a dielectric film of the present invention.

【００３５】以上のように、上記第２の製造方法では、
有機化合物の加水分解処理に先立って前処理を行うこと
で、有機化合物がエステル化される。このため、第１の
製造方法において加水分解処理を行なった複合金属アル
コキシドまたは縮合金属アルコキシドからなる有機化合
物よりも、水分量過多によるゲル化が起こり難い有機化
合物（すなわちエステル化された有機化合物）に対して
加水分解が行われることになる。したがって、１回の加
水分解処理における加水分解可能量が増加し、より少な
い加水分解処理回数で有機化合物の加水分解が進められ
て誘電体被膜形成用塗布液中における未反応の有機基が
少量に抑えられる。また、前処理後の加水分解処理を複
数回繰り返すことで、有機化合物の加水分解可能量がさ
らに増加する。As described above, in the second manufacturing method,
By performing a pretreatment prior to the hydrolysis treatment of the organic compound, the organic compound is esterified. For this reason, an organic compound (ie, an esterified organic compound) that is less likely to gel due to an excessive amount of water than an organic compound composed of a composite metal alkoxide or a condensed metal alkoxide that has been subjected to a hydrolysis treatment in the first production method. On the contrary, hydrolysis is performed. Accordingly, the amount of hydrolysis that can be performed in one hydrolysis treatment increases, and the hydrolysis of the organic compound proceeds with a smaller number of hydrolysis treatments, so that the unreacted organic groups in the coating liquid for forming the dielectric film are reduced to a small amount. Can be suppressed. Further, by repeating the hydrolysis treatment after the pretreatment a plurality of times, the hydrolyzable amount of the organic compound is further increased.

【００３６】そして、本発明の誘電体被膜の形成方法に
おける第２の形成方法は、上記第２の製造方法で得られ
た誘電体被膜形成用塗布液を用いて、基板の被塗布面上
に上記式（１５）で示される誘電体材料からなる誘電体
被膜を形成する方法である。ここでは、上記第２の製造
方法で得られた誘電体被膜形成用塗布液を用いて、上記
第１の形成方法と同様の手順で誘電体被膜を形成する。In the second method of forming a dielectric film according to the present invention, the coating liquid for forming a dielectric film obtained by the second manufacturing method is used to coat a dielectric film on a surface to be coated of a substrate. This is a method for forming a dielectric film made of the dielectric material represented by the above formula (15). Here, using the coating liquid for forming a dielectric film obtained by the second manufacturing method, a dielectric film is formed in the same procedure as in the first forming method.

【００３７】上記第２の形成方法では、第１の形成方法
と同様に未反応の有機基の含有量が低く抑えられた塗布
膜に対して焼成が行なわれるため、配向性が良好でかつ
ピンホール及びクラックのない緻密な誘電体被膜が得ら
れる。In the second forming method, similarly to the first forming method, since the coating film in which the content of the unreacted organic groups is suppressed to a low level is fired, the orientation is good and the pin is good. A dense dielectric film without holes and cracks is obtained.

【００３８】また、本発明の誘電体被膜形成用塗布液の
製造方法における第３の製造方法では、上記式（１５）
で示される誘電体材料を構成する各元素を含有する有機
化合物を加水分解処理する前の溶液あるいは、当該有機
化合物を加水分解処理して得られる加水分解液に、チタ
ン化合物を添加することを特徴としている。上記チタン
化合物としては、チタンアルコキシドまたは、チタンの
酢酸塩やチタンの２エチルヘキサン塩等のチタンカルボ
ン酸塩等を用いて好適であるが、これらの化合物に限定
されるものではない。In the third method of the present invention for producing a coating solution for forming a dielectric film, the above formula (15)
Characterized in that a titanium compound is added to a solution before hydrolyzing an organic compound containing each element constituting the dielectric material represented by or a hydrolyzed solution obtained by hydrolyzing the organic compound. And As the titanium compound, titanium alkoxide or a titanium carboxylate such as an acetate of titanium or a 2-ethylhexane salt of titanium is preferably used, but it is not limited to these compounds.

【００３９】ここで、上記有機化合物を加水分解処理す
る前の溶液とは、上記第１の製造方法の第１手順で調整
した上記式（１７）に示す金属アルコキシドを溶解させ
た第１の溶液、上記式（１８）に示す有機化合物を含有
する溶液、上記第１の製造方法の第２手順で調整した上
記式（２０）に示す金属アルコキシドを溶解させた溶
液、あるいは上記式（２１）に示す有機化合物を含有す
る溶液であることとする。そして、上記加水分解処理す
る前の溶液にチタン化合物を添加する場合には、加熱分
解処理後の塗布液の安定性の点からチタンアルコキシド
の形態で添加することが好ましい。Here, the solution before hydrolyzing the organic compound is the first solution prepared by dissolving the metal alkoxide represented by the above formula (17) prepared in the first procedure of the first production method. A solution containing an organic compound represented by the formula (18), a solution prepared by dissolving the metal alkoxide represented by the formula (20) prepared in the second procedure of the first production method, or It is assumed that the solution contains the organic compound shown. When the titanium compound is added to the solution before the hydrolysis treatment, the titanium compound is preferably added in the form of a titanium alkoxide from the viewpoint of the stability of the coating solution after the thermal decomposition treatment.

【００４０】一方、上記加水分解液とは、上記第１の製
造方法あるいは第２の製造方法での加水分解処理によっ
て得られた加水分解液に限定されず、繰り返しの加水分
解処理や前処理を行なわない単独の加水分解処理で得ら
れた加水分解液、さらにはこれらの加水分解液を濃縮し
た濃縮液、あるいはこの濃縮液を必要に応じて溶媒で希
釈した液であることとする。そして、このような加水分
解液にチタン化合物を添加する場合には、チタンアルコ
キシドまたは、チタンの酢酸塩やチタンの２エチルヘキ
サン塩等のチタンカルボン酸塩等を用いることができ
る。On the other hand, the above-mentioned hydrolysis solution is not limited to the hydrolysis solution obtained by the hydrolysis treatment in the above-mentioned first production method or the second production method. A hydrolyzed solution obtained by a single hydrolysis treatment that is not performed, a concentrated solution obtained by concentrating the hydrolyzed solution, or a solution obtained by diluting the concentrated solution with a solvent as necessary. When a titanium compound is added to such a hydrolyzate, a titanium alkoxide or a titanium carboxylate such as a titanium acetate or a titanium 2-ethylhexane salt can be used.

【００４１】以上のようにして得られた誘電体被膜形成
用塗布液が、本発明の第３の誘電体被膜形成用塗布液に
なる。The coating liquid for forming a dielectric film obtained as described above becomes the third coating liquid for forming a dielectric film of the present invention.

【００４２】上記第３の製造方法では、有機化合物を加
水分解処理してなる前駆体が誘電体材料の状態に結晶化
する前に、この前駆体に対してチタンが均一に混ぜ合わ
される。したがって、チタンの拡散状態が均一でかつ、
チタン化合物の添加量によってチタン含有量が制御され
た誘電体被膜形成用塗布液が得られる。In the third production method, before a precursor obtained by hydrolyzing an organic compound is crystallized into a dielectric material, titanium is uniformly mixed with the precursor. Therefore, the diffusion state of titanium is uniform and
A coating liquid for forming a dielectric film in which the titanium content is controlled by the addition amount of the titanium compound is obtained.

【００４３】そして、本発明の誘電体被膜の形成方法に
おける第３の形成方法は、上記第３の製造方法で得られ
た誘電体被膜形成用塗布液を用いて、基板の被塗布面上
に上記式（１５）で示される誘電体材料にチタンを含有
させてなる誘電体被膜を形成する方法である。ここで
は、上記第３の製造方法で得られた誘電体被膜形成用塗
布液を用いて、上記第１の形成方法と同様の手順で誘電
体被膜を形成する。In a third method of forming a dielectric film according to the present invention, the dielectric film forming coating solution obtained by the third manufacturing method is used to form a dielectric film on a surface of a substrate to be coated. This is a method of forming a dielectric film formed by adding titanium to the dielectric material represented by the above formula (15). Here, using the coating liquid for forming a dielectric film obtained by the third manufacturing method, a dielectric film is formed in the same procedure as in the first forming method.

【００４４】上記第３の形成方法では、第３の製造方法
によって得られた誘電体被膜形成用塗布液からなる塗布
膜を焼成することから、チタンが均一に拡散された塗布
膜に対して焼成が行なわれる。このため、塗布膜を焼成
して得られる誘電体被膜中においては、チタンが均一に
拡散された状態になる。さらに、この誘電体被膜中のチ
タン濃度は、誘電体被膜形成用塗布液へのチタン化合物
の添加量によって精度良く制御される。また、結晶化し
た誘電体材料中に熱拡散によってチタンを導入する方法
と比較して、この形成方法では、結晶化前の誘電体材料
の前駆体に対してチタンが混ざり合わされていることか
ら、より多量のチタンを誘電体材料中に導入することが
できる。したがって、チタン濃度の高い誘電体被膜を得
ることができる。In the third forming method, since the coating film composed of the coating liquid for forming a dielectric film obtained by the third manufacturing method is fired, the coating film in which titanium is uniformly diffused is fired. Is performed. For this reason, in the dielectric film obtained by baking the coating film, titanium is uniformly diffused. Further, the concentration of titanium in the dielectric film is precisely controlled by the amount of the titanium compound added to the coating liquid for forming the dielectric film. Also, in comparison with the method of introducing titanium into the crystallized dielectric material by thermal diffusion, in this formation method, titanium is mixed with the precursor of the dielectric material before crystallization, Greater amounts of titanium can be introduced into the dielectric material. Therefore, a dielectric film having a high titanium concentration can be obtained.

【００４５】また、本発明の誘電体被膜形成用塗布液の
製造方法における第４の製造方法では、上記式（１５）
で示される誘電体材料を構成する各元素を含有する有機
化合物を加水分解処理する前の溶液あるいは、当該有機
化合物を加水分解処理して得られる加水分解液に、希土
類元素化合物を添加することを特徴としている。上記希
土類元素化合物としては、希土類元素のアルコキシド、
カルボン酸塩、硝酸塩、亜硝酸塩等を用いて好適であ
が、これらの化合物に限定されるものではない。In the fourth method of the present invention for producing a coating liquid for forming a dielectric film, the above formula (15)
The addition of a rare earth element compound to a solution before hydrolysis treatment of an organic compound containing each element constituting the dielectric material represented by or to a hydrolysis solution obtained by hydrolysis treatment of the organic compound. Features. As the rare earth element compound, an alkoxide of a rare earth element,
It is preferable to use carboxylate, nitrate, nitrite and the like, but it is not limited to these compounds.

【００４６】ここで、上記有機化合物を加水分解処理す
る前の溶液及び加水分解液とは、上記第３の製造方法と
同様の液である。そして、上記加水分解処理する前の溶
液に希土類元素化合物を添加する場合には、希土類元素
のアルコキシドの形態で添加することが加熱分解処理後
の塗布液の安定性の点からは好ましい。また、加水分解
液に希土類元素化合物を添加する場合には、希土類元素
のアルコキシド、カルボン酸塩、硝酸塩、亜硝酸塩等を
用いることができる。Here, the solution before the hydrolysis treatment of the organic compound and the hydrolysis solution are the same solutions as in the third production method. When the rare earth element compound is added to the solution before the hydrolysis treatment, it is preferable to add the rare earth compound in the form of an alkoxide of the rare earth element from the viewpoint of the stability of the coating solution after the thermal decomposition treatment. In addition, when a rare earth element compound is added to the hydrolysis solution, an alkoxide, a carboxylate, a nitrate, a nitrite, or the like of the rare earth element can be used.

【００４７】以上のようにして得られた誘電体被膜形成
用塗布液が、本発明の第４の誘電体被膜形成用塗布液に
なる。The coating liquid for forming a dielectric film obtained as described above becomes the fourth coating liquid for forming a dielectric film of the present invention.

【００４８】上記第４の製造方法では、前駆体が誘電体
材料の状態に結晶化する前に、この前駆体に対して希土
類元素が均一に混ぜ合わされる。したがって、希土類元
素の拡散状態が均一でかつ、希土類元素化合物の添加量
によって希土類元素含有量が制御された誘電体被膜形成
用塗布液が得られる。In the fourth manufacturing method, before the precursor is crystallized into a dielectric material, the rare earth element is uniformly mixed with the precursor. Therefore, a coating liquid for forming a dielectric film can be obtained in which the diffusion state of the rare earth element is uniform and the content of the rare earth element is controlled by the amount of the rare earth element compound added.

【００４９】そして、本発明の誘電体被膜の形成方法に
おける第４の形成方法は、上記第４の製造方法で得られ
た誘電体被膜形成用塗布液を用いて、基板の被塗布面上
に上記式（１５）で示される誘電体材料に希土類元素を
含有してなる誘電体被膜を形成する方法である。ここで
は、上記第４の製造方法で得られた誘電体被膜形成用塗
布液を用いて、上記第１の形成方法と同様の手順で誘電
体被膜を形成する。In a fourth method of forming a dielectric film according to the present invention, the dielectric film forming coating solution obtained by the fourth manufacturing method is used to form a dielectric film on a surface to be coated of a substrate. This is a method of forming a dielectric film containing a rare earth element in the dielectric material represented by the above formula (15). Here, using the coating liquid for forming a dielectric film obtained by the fourth manufacturing method, a dielectric film is formed in the same procedure as in the first forming method.

【００５０】上記第４の形成方法では、第４の製造方法
によって得られた誘電体被膜形成用塗布液からなる塗布
膜を焼成することから、希土類元素が均一に拡散された
塗布膜に対して焼成が行なわれる。このため、塗布膜を
焼成して得られる誘電体被膜は、希土類元素が均一に拡
散したものになると共に、結晶化した誘電体材料中に熱
拡散によって希土類元素を導入する方法と比較して結晶
性の優れたものになる。さらに、誘電体被膜中の希土類
元素濃度は、誘電体被膜形成用塗布液に添加された希土
類元素化合物の添加量によって精度良く制御される。ま
た、結晶化した誘電体材料中に熱拡散によって希土類元
素を導入する方法と比較して、この形成方法では結晶化
前の誘電体材料の前駆体に対して希土類元素が混ざり合
わされていることから、より多量の希土類元素を誘電体
材料中に導入することができる。したがって、希土類元
素濃度の高い誘電体被膜を得ることができる。In the fourth forming method, the coating film made of the coating liquid for forming a dielectric film obtained by the fourth manufacturing method is baked, so that the coating film in which the rare earth element is uniformly diffused is used. Firing is performed. For this reason, the dielectric film obtained by firing the coating film has a rare earth element diffused uniformly, and has a higher crystallinity than a method in which the rare earth element is introduced into the crystallized dielectric material by thermal diffusion. Will be excellent. Further, the concentration of the rare earth element in the dielectric film is accurately controlled by the amount of the rare earth element compound added to the coating liquid for forming the dielectric film. Also, in comparison with the method of introducing a rare earth element by thermal diffusion into the crystallized dielectric material, the rare earth element is mixed with the precursor of the dielectric material before crystallization in this formation method. , More rare earth elements can be introduced into the dielectric material. Therefore, a dielectric film having a high rare earth element concentration can be obtained.

【００５１】尚、誘電体被膜形成用塗布液の作製及び希
釈調整には、以下に示す溶媒が用いられる。メチルアル
コール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチ
ルアルコール、アミルアルコール、ヘキシルアルコール
等のアルコール類。メチレングリコール、エチレングリ
コール、プロピレングリコール等のグリコール類。上記
グリコールのモノメチルエーテル、モノエチルエーテ
ル、モノプロピルエーテル等のアルキレングリコールモ
ノエーテル類。上記グリコールのモノメチルエステル、
モノエチルエステル、モノプロピルエステル等のアルキ
レングリコールモノエステル類。これらの他にも、ケト
ン類、エステル類、エーテル類等を用いることができ
る。ただし、好ましくは、アルコール類、グリコール
類、アルキレングリコールモノエーテル類、アルキレン
グリコールモノエステル類等のアルコール系溶媒を用い
ることとする。The following solvents are used for preparing and adjusting the dilution of the dielectric film forming coating solution. Alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol, propyl alcohol, butyl alcohol, amyl alcohol and hexyl alcohol. Glycols such as methylene glycol, ethylene glycol and propylene glycol. Alkylene glycol monoethers such as monomethyl ether, monoethyl ether and monopropyl ether of the above glycols; A monomethyl ester of the glycol,
Alkylene glycol monoesters such as monoethyl ester and monopropyl ester; Besides these, ketones, esters, ethers and the like can be used. However, preferably, alcohol solvents such as alcohols, glycols, alkylene glycol monoethers, and alkylene glycol monoesters are used.

【００５２】[0052]

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。尚、実施
例中に記載された有機化合物量、有機化合物濃度、前駆
体量及び前駆体濃度は、最終的に得られる誘電体材料に
換算した値であることとする。Embodiments of the present invention will be described below. The amounts of organic compounds, the concentrations of organic compounds, the amounts of precursors, and the concentrations of precursors described in the examples are values converted into a dielectric material finally obtained.

【００５３】（実施例１）先ず、以下のようにしてニオ
ブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ₃ ）からなる誘電体被膜を形
成するための誘電体被膜形成用塗布液を製造した。上記
式（１６）（上述の課題を解決するための手段に記載、
以下同様）に示した金属アルコキシドのうちの一つであ
るＬｉ（リチウム）エトキシド５２．５ｇをＭＣ５００
ｇに溶解させた第１の溶液を調整した。また、上記式
（１７）に示した金属アルコキシドのうちの一つである
Ｎｂ（ニオブ）ペンタエトキシド３１８．２ｇをＭＣ３
００ｇに溶解させた第２の溶液を調整した。Example 1 First, a coating solution for forming a dielectric film for forming a dielectric film made of lithium niobate (LiNbO ₃ ) was manufactured as follows. Equation (16) (described in Means for Solving the Problem)
52.5 g of Li (lithium) ethoxide, one of the metal alkoxides shown in
g of the first solution was prepared. Further, 318.2 g of Nb (niobium) pentaethoxide, which is one of the metal alkoxides represented by the above formula (17), was added to MC3.
A second solution dissolved in 00 g was prepared.

【００５４】次に、上記第２の溶液に上記第１の溶液を
少量ずつ滴下し、滴下終了後、７０℃〜８０℃にまで昇
温した。その後、第１の溶液と第２の溶液とを混合した
溶液を９０℃で１０時間還流させ、ＬｉエトキシドとＮ
ｂペンタエトキシドとの複合金属アルコキシドからなる
有機化合物を含有する溶液を得た。次に、上記溶液を１
００℃〜１１０℃で加熱して８２２．６ｇになるまで濃
縮した後、室温まで放冷し、上記溶液中の有機化合物の
濃度を１７．９ｗｔ％にした。Next, the first solution was added dropwise to the second solution little by little. After the completion of the dropwise addition, the temperature was raised to 70 to 80 ° C. Thereafter, the solution obtained by mixing the first solution and the second solution is refluxed at 90 ° C. for 10 hours, and Li ethoxide and N 2
b A solution containing an organic compound consisting of a composite metal alkoxide with pentaethoxide was obtained. Next, add the above solution to 1
After heating at 00 ° C. to 110 ° C. to concentrate to 822.6 g, the mixture was allowed to cool to room temperature, and the concentration of the organic compound in the solution was set to 17.9 wt%.

【００５５】次いで、純水３．２８ｇ（０．１８モル）
とエタノール１２９．５７ｇとを混合して均一に溶解さ
せた溶媒液を作製し、この溶媒液を上記溶液１５０ｇ
（０．１８モルの上記有機化合物を含む）中に少量づつ
滴下し、滴下終了後、１時間の攪拌を行った。その後、
上記溶媒液を加えた溶液を７０℃〜８０℃まで昇温し、
次に９０℃で２時間還流させた。これによって、上記溶
液中における上記有機化合物の加水分解処理を行い、当
該有機化合物を加水分解してなる誘電体材料の前駆体を
含有する加水分解液を得た。Next, 3.28 g (0.18 mol) of pure water was used.
Was mixed with 129.57 g of ethanol to prepare a solvent solution in which the solvent was uniformly dissolved, and this solvent solution was mixed with 150 g of the above solution.
(Containing 0.18 mol of the above organic compound), and the mixture was stirred for 1 hour after completion of the addition. afterwards,
The solution to which the solvent solution was added was heated to 70 ° C to 80 ° C,
Then, the mixture was refluxed at 90 ° C. for 2 hours. As a result, the organic compound in the solution was hydrolyzed to obtain a hydrolyzed solution containing a precursor of a dielectric material obtained by hydrolyzing the organic compound.

【００５６】次に、上記加水分解液を１００℃〜１１０
℃に加熱し、当該加水分解液の全量が１５０ｇになるま
で濃縮した。その後、この加熱濃縮処理によって得られ
た濃縮液を室温にまで放冷した。Next, the above-mentioned hydrolyzed solution was heated at 100 ° C. to 110 ° C.
The solution was heated to ° C. and concentrated until the total amount of the hydrolyzed liquid became 150 g. Thereafter, the concentrated solution obtained by this heat concentration treatment was allowed to cool to room temperature.

【００５７】次いで、純水３．２８ｇ（０．１８モル）
とエタノール１２９．５７ｇとを混合して均一に溶解さ
せた溶媒液を作製し、上述の加水分解処理と加熱濃縮処
理とを再び繰り返し行った。以上によって、０．１８モ
ルの有機化合物に対して０．１８モル×２回の水分量で
加水分解を行なった。そして、２２ｗｔ％の上記前駆体
を含有する濃縮液からなる誘電体被膜形成用塗布液１２
３．１６ｇを得た。Next, 3.28 g (0.18 mol) of pure water was used.
Was mixed with 129.57 g of ethanol to prepare a solvent solution in which the solvent solution was uniformly dissolved, and the above-described hydrolysis treatment and heat concentration treatment were repeated again. As described above, 0.18 mol of the organic compound was hydrolyzed with 0.18 mol of water twice. Then, a coating liquid 12 for forming a dielectric film comprising a concentrated liquid containing 22 wt% of the above precursor.
3.16 g were obtained.

【００５８】次に、以下のようにして、上記誘電体被膜
形成用塗布膜を用いて誘電体被膜を形成した。先ず、攪
拌した上記誘電体被膜形成用塗布液１２３．１６ｇにＭ
Ｃ１４７．５０ｇを添加し、室温にて１時間攪拌を続け
た。次に、１０μｍ、５μｍ及び０．４５μｍのテフロ
ンフィルターを重ね合わせたフィルターを用いて、上記
ＭＣで希釈した誘電体被膜形成用塗布液を加圧ろ過し、
液中の不溶分を取り除いた。これによって、１０ｗｔ％
の前駆体を含有する塗布液を調整した。Next, a dielectric film was formed using the above-mentioned coating film for forming a dielectric film as follows. First, 123.16 g of the agitated coating liquid for forming a dielectric film was added to
C147.50 g was added and stirring was continued at room temperature for 1 hour. Next, using a filter in which 10 μm, 5 μm, and 0.45 μm Teflon filters are overlapped, the coating liquid for forming a dielectric film diluted with the MC is pressure-filtered,
The insolubles in the liquid were removed. By this, 10wt%
A coating solution containing the precursor was prepared.

【００５９】次いで、研磨したサファイア基板の被塗布
面上に、回転塗布法によって上記塗布液を塗布して塗布
膜を得た。この際、５００ｒｐｍで５秒間の回転塗布
と、２０００ｒｐｍで３０秒間の回転塗布とを続けて行
った。次に、塗布膜を１５０℃で３０分間乾燥させた
後、６５０℃で３０分間の仮焼成を行った。Next, the above-mentioned coating solution was applied on the polished surface of the sapphire substrate by a spin coating method to obtain a coating film. At this time, spin coating at 500 rpm for 5 seconds and spin coating at 2000 rpm for 30 seconds were successively performed. Next, the coating film was dried at 150 ° C. for 30 minutes, and then pre-baked at 650 ° C. for 30 minutes.

【００６０】上記塗布膜の形成、乾燥及び仮焼成の一連
の工程を１０回繰り返し行った後、酸素雰囲気下で６０
分間の本焼成を行った。この際、温度条件を８００℃に
設定し、これによってサファイア基板上にＬｉＮｂＯ₃
からなる誘電体被膜を形成した。After repeating a series of the steps of forming the coating film, drying and pre-baking 10 times, the coating film was dried under an oxygen atmosphere for 60 times.
The main baking was performed for minutes. At this time, the temperature condition was set to 800 ° C., whereby the LiNbO ₃ was deposited on the sapphire substrate.
Was formed.

【００６１】上記ＬｉＮｂＯ₃ からなる誘電体被膜のＸ
線回折分析を行った。その結果、図１に示すＸ線スペク
トルが得られた。このＸ線スペクトルには、ＬｉＮｂＯ
₃ の（００６）面のピークと（００１２）面のピークの
みが現れており、サファイア（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）基板の塗布
面に対してＬｉＮｂＯ₃ が良く配向していることが確認
された。X of the dielectric film made of LiNbO ₃
Line diffraction analysis was performed. As a result, the X-ray spectrum shown in FIG. 1 was obtained. This X-ray spectrum contains LiNbO
Only the peak of ₃ of (006) plane of a peak (0012) plane has appeared, it was confirmed that the oriented good LiNbO ₃ with respect to sapphire (Al ₂ O ₃₎ coated surface of the substrate.

【００６２】また、上記各誘電体被膜の表面観察を行な
ったところ、ピンホールやクラックの発生がないミラー
面が確認された。When the surface of each of the dielectric films was observed, a mirror surface free of pinholes and cracks was confirmed.

【００６３】（実施例２）先ず、以下のようにしてＬｉ
ＮｂＯ₃ からなる誘電体被膜を形成するための誘電体被
膜形成用塗布液を製造した。上記式（１６）に示した金
属アルコキシドのうちの一つであるＬｉエトキシド５
２．０ｇをＰＧＭＥ５００ｇに溶解させた第１の溶液を
調整した。また、上記式（１７）に示した金属アルコキ
シドのうちの一つであるＮｂペンタエトキシド３１８．
２ｇをＰＧＭＥ３００ｇに溶解させた第２の溶液を調整
した。(Example 2) First, Li
A coating solution for forming a dielectric film for forming a dielectric film made of NbO ₃ was produced. Li ethoxide 5 which is one of the metal alkoxides represented by the above formula (16)
A first solution was prepared by dissolving 2.0 g in 500 g of PGME. Further, one of the metal alkoxides represented by the above formula (17), Nb pentaethoxide 318.
A second solution was prepared by dissolving 2 g in 300 g of PGME.

【００６４】次に、上記第２の溶液に上記第１の溶液を
少量ずつ滴下し、滴下終了後、７０℃〜８０℃にまで昇
温した。その後、第１の溶液と第２の溶液との混合溶液
を９０℃で１０時間還流させ、ＬｉエトキシドとＮｂペ
ンタエトキシドとの複合金属アルコキシドからなる有機
化合物を含有する溶液を得た。次に、上記溶液を１００
℃〜１１０℃で加熱して６２０．２ｇにまで濃縮した
後、室温まで放冷し、溶液中における有機化合物の濃度
を２３．７ｗｔ％にした。Next, the first solution was added dropwise to the second solution little by little. After the completion of the dropwise addition, the temperature was raised to 70 ° C. to 80 ° C. Thereafter, the mixed solution of the first solution and the second solution was refluxed at 90 ° C. for 10 hours to obtain a solution containing an organic compound composed of a composite metal alkoxide of Li ethoxide and Nb pentaethoxide. Next, the above solution was added to 100
After heating at a temperature of from 110 ° C. to 110 ° C. and concentrating to 620.2 g, the mixture was allowed to cool to room temperature, and the concentration of the organic compound in the solution was adjusted to 23.7 wt%.

【００６５】次いで、純水５．６８ｇ（０．３１５モ
ル）とエタノール１０４．３２ｇとを混合して均一に溶
解させた溶媒液を作製し、上記溶液１９５．３５ｇ
（０．３１５モルの上記有機化合物を含む）中にこの溶
媒液を少量づつ滴下し、滴下終了後、１時間の攪拌を行
った。その後、上記溶媒液を加えた溶液を７０℃〜８０
℃まで昇温し、次に９０℃で２時間還流させた。これに
よって、上記溶液中における上記有機化合物の加水分解
処理を行い、当該有機化合物を加水分解してなる誘電体
材料の前駆体を含有する加水分解液を得た。Next, 5.68 g (0.315 mol) of pure water and 104.32 g of ethanol were mixed to prepare a solvent solution which was uniformly dissolved, and 195.35 g of the above solution was prepared.
This solvent solution was added dropwise little by little to (containing 0.315 mol of the above organic compound), and after the completion of the addition, stirring was performed for 1 hour. Thereafter, the solution to which the above-mentioned solvent solution was added was heated to 70 ° C.
C. and then refluxed at 90.degree. C. for 2 hours. As a result, the organic compound in the solution was hydrolyzed to obtain a hydrolyzed solution containing a precursor of a dielectric material obtained by hydrolyzing the organic compound.

【００６６】次に、上記加水分解液を１００℃〜１１０
℃に加熱し、２７．２５ｗｔ％の上記前駆体濃度にまで
濃縮した。その後、この加熱濃縮処理によって得られた
濃縮液を室温にまで放冷した。Next, the above-mentioned hydrolyzed solution is heated at 100 ° C. to 110 ° C.
C. and concentrated to the above precursor concentration of 27.25 wt%. Thereafter, the concentrated solution obtained by this heat concentration treatment was allowed to cool to room temperature.

【００６７】次いで、純水５．６８ｇ（０．３１５モ
ル）とエタノール１０４．３２ｇとを混合して均一に溶
解させた溶媒液を作製し、上記加水分解処理と加熱濃縮
処理とを再び繰り返し行った。以上によって、０．３１
５モルの有機化合物に対して０．３１５モル×２の水分
量で加水分解処理を行なった。そして、３２．４２ｗｔ
％の上記前駆体を含有する濃縮液からなる誘電体被膜形
成用塗布液１４３．６５ｇを得た。Next, 5.68 g (0.315 mol) of pure water and 104.32 g of ethanol were mixed to prepare a solvent solution which was uniformly dissolved, and the above-mentioned hydrolysis treatment and heat concentration treatment were repeated again. Was. By the above, 0.31
The hydrolysis treatment was performed on 5 mol of the organic compound at a water content of 0.315 mol × 2. And 32.42wt
% Of the above-mentioned precursor was obtained, and 143.65 g of a coating liquid for forming a dielectric film was obtained.

【００６８】次に、以下のようにして、上記誘電体被膜
形成用塗布膜を用いて誘電体被膜を形成した。先ず、攪
拌した上記誘電体被膜形成用塗布液１４３．６５ｇにＰ
ＧＭＥ５２１．５５ｇを添加し、さらに室温にて１時間
攪拌を続けた。次に、上記実施例１と同様に上記ＰＧＭ
Ｅで希釈した誘電体被膜形成用塗布液を加圧ろ過し、液
中の不溶分を取り除いた。これによって、７．０ｗｔ％
の前駆体を含有する塗布液を調整した。Next, a dielectric film was formed using the coating film for forming a dielectric film as described below. First, P was added to 143.65 g of the stirred coating liquid for forming a dielectric film.
521.55 g of GME was added, and stirring was further continued at room temperature for 1 hour. Next, as in the first embodiment, the PGM
The coating liquid for forming a dielectric film diluted with E was filtered under pressure to remove insoluble components in the liquid. By this, 7.0 wt%
A coating solution containing the precursor was prepared.

【００６９】次いで、上記実施例１と同様にして、サフ
ァイア基板の被塗布面上に塗布膜を形成し、さらに乾
燥、仮焼成及び本焼成を行なうことによってＬｉＮｂＯ
₃ からなる誘電体被膜を形成した。尚、本焼成は８００
℃で行なった。Next, in the same manner as in Example 1, a coating film is formed on the surface to be coated of the sapphire substrate, and further dried, pre-baked, and baked to obtain LiNbO 2.
₃ was formed. In addition, main firing is 800
C. was performed.

【００７０】上記ＬｉＮｂＯ₃ からなる誘電体被膜のＸ
線回折分析を行った。その結果、図２に示すＸ線スペク
トルが得られた。このＸ線スペクトルには、ＬｉＮｂＯ
₃ の（００６）面のピークと（００１２）面のピークと
が強く現れてれており、サファイア基板の塗布面に対し
てＬｉＮｂＯ₃ が良く配向していることが確認された。The X of the dielectric film made of LiNbO ₃
Line diffraction analysis was performed. As a result, the X-ray spectrum shown in FIG. 2 was obtained. This X-ray spectrum contains LiNbO
₃ (006) plane of the peak and the peak of the (0012) plane are not represented strongly, it was confirmed that the oriented good LiNbO ₃ with respect to the coated surface of the sapphire substrate.

【００７１】また、上記各誘電体被膜の表面観察を行な
ったところ、ピンホールやクラックの発生がないミラー
面が確認された。When the surface of each of the dielectric films was observed, a mirror surface free of pinholes and cracks was confirmed.

【００７２】（実施例３）先ず、以下のようにしてＬｉ
ＮｂＯ₃ からなる誘電体被膜を形成するための誘電体被
膜形成用塗布液を製造した。上記式（１９）で示される
金属酢酸塩のうちの一つであるＬｉ酢酸塩の無水物（純
度９８％：和光純薬工業（株）製）を、乾燥窒素雰囲気
中で粉砕して微粒子化した。また、上記式（２０）に示
した金属アルコキシドのうちの一つであるＮｂペンタエ
トキシド３１８．２１ｇをＭＣ５５ｇに均一に溶解させ
た溶液を調整した。(Embodiment 3) First, Li
A coating solution for forming a dielectric film for forming a dielectric film made of NbO ₃ was produced. Anhydrous Li acetate which is one of the metal acetates represented by the above formula (19) (purity: 98%, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) is pulverized in a dry nitrogen atmosphere to form fine particles. did. A solution was prepared by uniformly dissolving 318.21 g of Nb pentaethoxide, one of the metal alkoxides represented by the above formula (20), in 55 g of MC.

【００７３】次に、攪拌した上記溶液中に、微粒子化し
た上記Ｌｉ酢酸塩の無水物６７．３３ｇ（１．００モ
ル）を少量づつ添加した。滴下終了後、７０℃〜８０℃
にまで昇温した。その後、この溶液を９０℃で３時間還
流させたところ、溶液の変色が見られ、Ｌｉ酢酸塩とＮ
ｂペンタエトキシドとを反応させて得られた縮合金属ア
ルコキシドからなる有機化合物を含有する溶液を得た。
次に、上記溶液を１００℃〜１１０℃で加熱濃縮した
後、室温まで放冷し、１８ｗｔ％の上記有機化合物を含
有する溶液（８２１．４０ｇ）にした。Next, 67.33 g (1.00 mol) of the finely divided anhydride of Li acetate was added little by little to the stirred solution. After dropping, 70 ° C to 80 ° C
The temperature was raised to. Thereafter, when this solution was refluxed at 90 ° C. for 3 hours, discoloration of the solution was observed, and Li acetate and N 2
b) A solution containing an organic compound composed of a condensed metal alkoxide obtained by reacting with pentaethoxide was obtained.
Next, the solution was heated and concentrated at 100 ° C. to 110 ° C., and then allowed to cool to room temperature to obtain a solution (821.40 g) containing 18% by weight of the organic compound.

【００７４】次いで、純水４．５１ｇ（０．２５モル）
とエタノール２００ｇとを混合して均一に溶解させた溶
媒液を作製し、上記溶液２３３．８９ｇ（０．２５モル
の上記有機化合物を含む）中にこの溶媒液を少量づつ滴
下し、滴下終了後、１時間の攪拌を行った。その後、上
記溶媒液を加えた溶液を７０℃〜８０℃まで昇温し、次
に９０℃で２時間還流させた。これによって、上記溶液
中における上記有機化合物の加水分解処理を行い、当該
有機化合物を加水分解してなる誘電体材料の前駆体を含
有する加水分解液を得た。Next, 4.51 g (0.25 mol) of pure water was used.
And 200 g of ethanol were mixed to prepare a solvent solution in which the solvent was homogeneously dissolved, and this solvent solution was added dropwise to 233.89 g of the above solution (containing the organic compound of 0.25 mol) little by little. Stirring was performed for 1 hour. Thereafter, the temperature of the solution to which the solvent was added was raised to 70 ° C to 80 ° C, and then the solution was refluxed at 90 ° C for 2 hours. As a result, the organic compound in the solution was hydrolyzed to obtain a hydrolyzed solution containing a precursor of a dielectric material obtained by hydrolyzing the organic compound.

【００７５】次に、１００℃〜１１０℃の温度で上記加
水分解液を加熱し、１５．１ｗｔ％の上記前駆体濃度に
まで濃縮した。その後、この加熱濃縮処理によって得ら
れた濃縮液を室温にまで放冷した。Next, the hydrolyzed solution was heated at a temperature of 100 ° C. to 110 ° C., and concentrated to a concentration of 15.1% by weight of the precursor. Thereafter, the concentrated solution obtained by this heat concentration treatment was allowed to cool to room temperature.

【００７６】次いで、純水４．５１ｇ（０．２５モル）
とエタノール２００ｇとを混合して均一に溶解させた溶
媒液を作製し、上記加水分解処理と加熱濃縮処理とを再
び繰り返し行った。以上によって、０．２５モルの有機
化合物に対して０．２５モル×２の水分量での加水分解
処理を行なった。そして、１６．７ｗｔ％の上記前駆体
を含有する濃縮液からなる誘電体被膜形成用塗布液を得
た。Next, 4.51 g (0.25 mol) of pure water was used.
And 200 g of ethanol were mixed to prepare a uniformly dissolved solvent solution, and the above-mentioned hydrolysis treatment and heat concentration treatment were repeated again. As described above, 0.25 mol of the organic compound was subjected to a hydrolysis treatment with a water content of 0.25 mol × 2. Then, a coating liquid for forming a dielectric film was obtained which was composed of a concentrated liquid containing 16.7% by weight of the precursor.

【００７７】次に、以下のようにして、上記誘電体被膜
形成用塗布膜を用いて誘電体被膜を形成した。先ず、攪
拌した上記誘電体被膜形成用塗布液２２１．５４ｇにＭ
Ｃ１４８．４３ｇを添加し、さらに室温にて１時間攪拌
を続けた。次に、上記実施例１と同様に上記誘電体被膜
形成用塗布液を加圧ろ過し、液中の不溶分を取り除い
た。これによって、１０ｗｔ％の前駆体を含有する塗布
液を調整した。Next, a dielectric film was formed using the above-mentioned coating film for forming a dielectric film as follows. First, M was added to 221.54 g of the stirred coating liquid for forming a dielectric film.
C148.43 g was added, and stirring was further continued at room temperature for 1 hour. Next, the coating liquid for forming a dielectric film was filtered under pressure in the same manner as in Example 1 to remove insolubles in the liquid. Thus, a coating liquid containing 10 wt% of the precursor was prepared.

【００７８】次いで、上記実施例１と同様にして、サフ
ァイア基板の被塗布面上に塗布膜を形成し、さらに乾
燥、仮焼成及び本焼成を行なうことによってＬｉＮｂＯ
₃ からなる各誘電体被膜を形成した。尚、本焼成は、８
００℃及び１１００℃の２通りの温度条件で行った。Next, in the same manner as in Example 1, a coating film is formed on the surface of the sapphire substrate to be coated, and further dried, temporarily baked, and finally baked to obtain LiNbO 3.
Each dielectric film consisting of ₃ was formed. In addition, this firing is 8
The test was performed under two temperature conditions of 00 ° C. and 1100 ° C.

【００７９】上記ＬｉＮｂＯ₃ からなる各誘電体被膜の
Ｘ線回折分析を行った。その結果、図３及び図４に示す
Ｘ線スペクトルが得られた。図３は８００℃で本焼成を
行うことで得られた誘電体被膜のＸ線スペクトルであ
る。このＸ線スペクトルには、ＬｉＮｂＯ₃ の（００
６）面のピークと（００１２）面のピークのみが現れて
おり、サファイア基板の塗布面に対してＬｉＮｂＯ₃ が
良く配向していることが確認された。また、図４は１１
００℃で本焼成を行うことで得られた誘電体被膜のＸ線
スペクトルである。このＸ線スペクトルには、ＬｉＮｂ
Ｏ₃ の（００６）面のピークと（００１２）面のピーク
のみが現れており、サファイア基板の塗布面に対してＬ
ｉＮｂＯ₃ が良く配向していることが確認された。An X-ray diffraction analysis of each of the dielectric films made of LiNbO ₃ was performed. As a result, X-ray spectra shown in FIGS. 3 and 4 were obtained. FIG. 3 is an X-ray spectrum of a dielectric film obtained by performing main firing at 800 ° C. This X-ray spectrum shows (00) of LiNbO ₃ .
Only the peak of the 6) plane and the peak of the (0012) plane appeared, confirming that LiNbO ₃ was well oriented with respect to the coated surface of the sapphire substrate. FIG.
4 is an X-ray spectrum of a dielectric film obtained by performing main firing at 00 ° C. This X-ray spectrum contains LiNb
Only the peak of the (006) plane and the peak of the (0012) plane of O ₃ appear, and L
It was confirmed that iNbO ₃ was well oriented.

【００８０】さらに、上記各誘電体被膜の表面観察を行
なったところ、ピンホールやクラックの発生がないミラ
ー面が確認された。Further, when the surface of each of the dielectric films was observed, a mirror surface free of pinholes and cracks was confirmed.

【００８１】（実施例４）先ず、以下のようにしてＬｉ
ＮｂＯ₃ からなる誘電体被膜を形成するための誘電体被
膜形成用塗布液を製造した。上記式（２５）で示される
ジカルボン酸無水物類（カルボン酸誘導体）の一つであ
る無水マレイン酸３０．０ｇ（０．１５３×２モル）と
エタノール１６０．４ｇとを混合して均一なカルボン酸
溶媒液を調整した。(Embodiment 4) First, Li
A coating solution for forming a dielectric film for forming a dielectric film made of NbO ₃ was produced. A mixture of 30.0 g (0.153 × 2 mol) of maleic anhydride, which is one of the dicarboxylic anhydrides (carboxylic acid derivatives) represented by the above formula (25), and 160.4 g of ethanol is mixed to form a uniform carboxylic acid. An acid solvent solution was prepared.

【００８２】また、実施例１と同様の手順で、Ｌｉエト
キシドとＮｂペンタエトキシドとの複合金属アルコキシ
ドからなる有機化合物を、１７．９ｗｔ％の濃度で含有
する溶液を得た。In the same procedure as in Example 1, a solution containing an organic compound composed of a composite metal alkoxide of Li ethoxide and Nb pentaethoxide at a concentration of 17.9 wt% was obtained.

【００８３】次に、上記溶液１２５．９７ｇ（０．１５
３モルの上記有機化合物を含む）中に、上記カルボン酸
溶媒液を少量づつ滴下し、滴下終了後、１時間の攪拌を
行なった。Next, 125.97 g of the above solution (0.15 g)
The above-mentioned carboxylic acid solvent solution was added dropwise little by little into 3 mol of the above-mentioned organic compound), and after the completion of the addition, stirring was carried out for 1 hour.

【００８４】その後、カルボン酸溶媒液を添加した溶液
を、７０℃〜８０℃まで昇温し、次に９０℃で３時間還
流させることによって、上記有機化合物と無水マレイン
酸とを反応させて当該有機化合物をカルボキシル化させ
た。次に、上記溶液を１００℃〜１１０℃に加熱し、上
記カルボキシル化した有機化合物の濃度が１４．９ｗｔ
％にまなるまで濃縮した。その後、この加熱濃縮処理に
よって得られた溶液を室温にまで放冷した。Thereafter, the solution to which the carboxylic acid solvent solution was added was heated to 70 ° C. to 80 ° C., and then refluxed at 90 ° C. for 3 hours, whereby the organic compound was reacted with maleic anhydride to cause the reaction. The organic compound was carboxylated. Next, the solution is heated to 100 ° C. to 110 ° C., and the concentration of the carboxylated organic compound is 14.9 wt.
%. Thereafter, the solution obtained by this heat concentration treatment was allowed to cool to room temperature.

【００８５】次いで、純水５．５２ｇ（０．１５３×２
モル）とエタノール４９．６８ｇとを混合して均一に溶
解させた溶媒液を作製し、上記溶液１５１．８１ｇ
（０．１５３モルの上記カルボキシル化した有機化合物
を含む）中にこの溶媒液を少量づつ滴下し、滴下終了
後、２時間の攪拌を行った。その後、上記溶媒液を加え
た溶液９３．７４ｇ（０．０７モルの上記前駆体が含有
されている）を９０℃で２時間還流させた。これによっ
て、上記溶液中における上記有機化合物の加水分解処理
を行った。ここでは、０．１５３モルの有機化合物に対
して、０．１５３×２モルの水分量での加水分解を行な
った。そして、上記有機化合物を加水分解してなる誘電
体材料の前駆体を含有する加水分解液を得た。Next, 5.52 g of pure water (0.153 × 2
Mol) and 49.68 g of ethanol to prepare a solvent solution in which the solvent is uniformly dissolved, and 151.81 g of the above solution is prepared.
This solvent solution was added dropwise little by little into (containing 0.153 mol of the above carboxylated organic compound), and after completion of the addition, stirring was performed for 2 hours. Thereafter, 93.74 g (containing 0.07 mol of the above precursor) of the solution to which the above solvent solution was added was refluxed at 90 ° C. for 2 hours. Thereby, the hydrolysis treatment of the organic compound in the solution was performed. Here, 0.153 mol of the organic compound was hydrolyzed at a water content of 0.153 × 2 mol. And the hydrolysis liquid containing the precursor of the dielectric material obtained by hydrolyzing the said organic compound was obtained.

【００８６】次に、上記加水分解液を１００℃〜１１０
℃に加熱し、１５．７６ｗｔ％の上記前駆体濃度にまで
濃縮した。その後、この加熱濃縮処理によって得られた
濃縮液を室温にまで放冷し、濃縮液からなる誘電体被膜
形成用塗布液を得た。Next, the above-mentioned hydrolyzed solution was heated at 100 ° C. to 110 ° C.
C. and concentrated to the above precursor concentration of 15.76 wt%. Thereafter, the concentrated solution obtained by the heating and concentration treatment was allowed to cool to room temperature to obtain a coating solution for forming a dielectric film composed of the concentrated solution.

【００８７】次に、以下のようにして、上記誘電体被膜
形成用塗布膜を用いて誘電体被膜を形成した。先ず、攪
拌した上記誘電体被膜形成用塗布液３０．０ｇにＭＣ１
６．２８ｇを添加し、さらに室温にて１時間攪拌を続け
た。次に、上記実施例１と同様に上記塗布液を加圧ろ過
し、塗布液中の不溶分を取り除いた。これによって、１
０ｗｔ％の前駆体を含有する塗布液に調整した。Next, a dielectric film was formed using the above-mentioned coating film for forming a dielectric film as follows. First, MC1 was added to 30.0 g of the agitated coating liquid for forming a dielectric film.
6.28 g was added, and stirring was further continued at room temperature for 1 hour. Next, the coating solution was filtered under pressure in the same manner as in Example 1 to remove insoluble components in the coating solution. This gives 1
It was adjusted to a coating solution containing 0 wt% of the precursor.

【００８８】次いで、上記実施例１と同様にして、サフ
ァイア基板の被塗布面上に塗布膜を形成し、さらに仮焼
成及び本焼成を行なうことによってＬｉＮｂＯ₃ からな
る誘電体被膜を形成した。尚、本焼成は８００℃で行な
った。Next, in the same manner as in Example 1, a coating film was formed on the surface to be coated of the sapphire substrate, and calcination and main calcination were performed to form a dielectric film made of LiNbO ₃ . Note that the main firing was performed at 800 ° C.

【００８９】上記ＬｉＮｂＯ₃ からなる誘電体被膜のＸ
線回折分析を行った結果、サファイア基板の塗布面に対
してＬｉＮｂＯ₃ が良く配向していることが確認され
た。また、上記各誘電体被膜の表面観察を行なったとこ
ろ、ピンホールやクラックの発生がないミラー面が確認
された。The X of the dielectric film made of LiNbO _{3 is}
As a result of a line diffraction analysis, it was confirmed that LiNbO ₃ was well oriented with respect to the coating surface of the sapphire substrate. When the surface of each dielectric film was observed, a mirror surface free of pinholes and cracks was confirmed.

【００９０】（実施例５）先ず、上記実施例１と同様の
手順で、誘電体被膜形成用塗布液を製造した後、１０ｗ
ｔ％の前駆体を含有してなる塗布液を調整した。次に、
この塗布液中に、添加物濃度が２モル％になるようにテ
トラエトキシドチタンを添加した。(Example 5) First, a coating liquid for forming a dielectric film was prepared in the same procedure as in Example 1 described above.
A coating solution containing t% of the precursor was prepared. next,
Titanium tetraethoxide was added to this coating solution so that the additive concentration became 2 mol%.

【００９１】その後、上記第１実施形態と同様の手順
で、サファイア基板上に誘電体被膜を形成した。尚、本
焼成は８００℃で行なった。これによって、０．６６ｗ
ｔ％のＴｉ（チタン）を含有するＬｉＮｂＯ₃ からなる
誘電体被膜が得られた。また、この誘電体被膜を用い
て、良好でかつ安定した諸特性を有する光導波路を得る
ことができた。Thereafter, a dielectric film was formed on the sapphire substrate in the same procedure as in the first embodiment. Note that the main firing was performed at 800 ° C. Thereby, 0.66w
A dielectric film of LiNbO ₃ containing t% of Ti (titanium) was obtained. Further, using this dielectric film, an optical waveguide having good and stable various characteristics could be obtained.

【００９２】（実施例６）先ず、上記実施例１と同様の
手順で、誘電体被膜形成用塗布液を製造した後、１０ｗ
ｔ％の前駆体を含有してなる塗布液を調整した。次に、
この塗布液中に、添加物濃度が２モル％になるようにト
リエトキシドネオジウムを添加した。(Example 6) First, a coating liquid for forming a dielectric film was prepared in the same procedure as in Example 1 described above.
A coating solution containing t% of the precursor was prepared. next,
To this coating solution, triethoxide neodymium was added such that the additive concentration became 2 mol%.

【００９３】その後、上記第１実施形態と同様の手順
で、サファイア基板上に誘電体被膜を形成した。尚、本
焼成は８００℃で行なった。これによって、１．９５ｗ
ｔ％のＮｄ（ネオジウム）を含有するＬｉＮｂＯ₃ から
なる誘電体被膜が得られた。また、この誘電体被膜を用
いて、良好でかつ安定した諸特性を有する光導波路を得
ることができた。Thereafter, a dielectric film was formed on the sapphire substrate in the same procedure as in the first embodiment. Note that the main firing was performed at 800 ° C. Thereby, 1.95w
A dielectric coating consisting of LiNbO ₃ containing t% of Nd (neodymium) was obtained. Further, using this dielectric film, an optical waveguide having good and stable various characteristics could be obtained.

【００９４】（実施例７）先ず、上記実施例１と同様の
手順で、誘電体被膜形成用塗布液を製造した後、１０ｗ
ｔ％の前駆体を含有してなる塗布液を調整した。次に、
この塗布液中に、添加物濃度が２モル％になるようにト
リエトキシドエルビウムを添加した。(Example 7) First, a coating solution for forming a dielectric film was prepared in the same procedure as in Example 1 described above.
A coating solution containing t% of the precursor was prepared. next,
To this coating solution, triethoxide erbium was added such that the additive concentration became 2 mol%.

【００９５】その後、上記第１実施形態と同様の手順
で、サファイア基板上に誘電体被膜を形成した。尚、本
焼成は８００℃で行なった。これによって、０．６５ｗ
ｔ％のＥｒ（エルビウム）を含有するＬｉＮｂＯ₃ から
なる誘電体被膜が得られた。また、この誘電体被膜を用
いて、良好でかつ安定した諸特性を有する光導波路を得
ることができた。Thereafter, a dielectric film was formed on the sapphire substrate in the same procedure as in the first embodiment. Note that the main firing was performed at 800 ° C. By this, 0.65w
A dielectric film of LiNbO ₃ containing t% Er (erbium) was obtained. Further, using this dielectric film, an optical waveguide having good and stable various characteristics could be obtained.

【００９６】[0096]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によればゾ
ル−ゲル法を適用して、特性に優れたリチウム、ナトリ
ウム、カリウム、ニオブまたはタンタルの酸化物からな
る誘電体被膜を得ることが可能になる。As described above, according to the present invention, a dielectric film made of an oxide of lithium, sodium, potassium, niobium or tantalum having excellent characteristics can be obtained by applying the sol-gel method. Will be possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】実施例１（本焼成 800℃）で形成した誘電体被
膜のＸ線スペクトル図である。FIG. 1 is an X-ray spectrum diagram of a dielectric film formed in Example 1 (main firing at 800 ° C.).

【図２】実施例２（本焼成 800℃）で形成した誘電体被
膜のＸ線スペクトル図である。FIG. 2 is an X-ray spectrum diagram of a dielectric film formed in Example 2 (main firing at 800 ° C.).

【図３】実施例３（本焼成 800℃）で形成した誘電体被
膜のＸ線スペクトル図である。FIG. 3 is an X-ray spectrum diagram of a dielectric film formed in Example 3 (main firing at 800 ° C.).

【図４】実施例３（本焼成1100℃）で形成した誘電体被
膜のＸ線スペクトル図である。FIG. 4 is an X-ray spectrum diagram of a dielectric film formed in Example 3 (main firing at 1100 ° C.).

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｆ 1/00 Ｃ０７Ｆ 1/00 Ｂ 9/00 9/00 Ｚ Ｃ３０Ｂ 29/30 Ｃ３０Ｂ 29/30 Ａ Ｈ０１Ｂ 3/00 Ｈ０１Ｂ 3/00 Ｆ 3/12 ３１２ 3/12 ３１２ ３１３ ３１３ (72)発明者 橋本 晃 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 (72)発明者 澤田 佳宏 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内Continued on the front page (51) Int.Cl. ⁶ Identification symbol FI C07F 1/00 C07F 1/00 B 9/00 9/00 Z C30B 29/30 C30B 29/30 A H01B 3/00 H01B 3/00 F 3 / 12 312 3/12 312 313 313 (72) Inventor Akira Hashimoto 150 Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. (72) Inventor Yoshihiro Sawada 150 Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 下記式（１）で示される誘電体材料を構
成する各元素を含有する有機化合物を加水分解処理する
ことによって、当該誘電体材料の前駆体を含有する誘電
体被膜形成用塗布液を製造する方法において、 前記加水分解処理を複数回繰り返して行うこと、 を特徴とする誘電体被膜形成用塗布液の製造方法。 〔Ａ〕〔Ｂ〕Ｏ₃ …（１） （ただし、式（１）中において、Ａはリチウム，ナトリ
ウム及びカリウムの中から選ばれる少なくとも１種類の
元素であり、Ｂはニオブ及びタンタルの中の少なくとも
１種類の元素である。）An application for forming a dielectric film containing a precursor of the dielectric material by hydrolyzing an organic compound containing each element constituting the dielectric material represented by the following formula (1): A method for producing a coating liquid, comprising: performing the hydrolysis treatment a plurality of times; [A] [B] O ₃ (1) (where, in the formula (1), A is at least one element selected from lithium, sodium and potassium, and B is niobium and tantalum) It is at least one kind of element.) 【請求項２】 下記式（２）で示される誘電体材料を構
成する各元素を含有する有機化合物を加水分解処理する
ことによって、当該誘電体材料の前駆体を含有する誘電
体被膜形成用塗布液を製造する方法において、 前記加水分解処理を行う前に、前記有機化合物とカルボ
ン酸誘導体とを反応させる前処理を行うこと、 を特徴とする誘電体被膜形成用塗布液の製造方法。 〔Ａ〕〔Ｂ〕Ｏ₃ …（２） （ただし、式（２）中において、Ａはリチウム，ナトリ
ウム及びカリウムの中から選ばれる少なくとも１種類の
元素であり、Ｂはニオブ及びタンタルの中の少なくとも
１種類の元素である。）2. A coating for forming a dielectric film containing a precursor of the dielectric material by hydrolyzing an organic compound containing each element constituting the dielectric material represented by the following formula (2): In the method for producing a liquid, a pretreatment for reacting the organic compound with a carboxylic acid derivative is performed before performing the hydrolysis treatment. A method for producing a coating liquid for forming a dielectric film, comprising: [A] [B] O ₃ (2) (wherein, in the formula (2), A is at least one element selected from lithium, sodium and potassium, and B is niobium and tantalum) It is at least one kind of element.) 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の誘電体
被膜形成用塗布液の製造方法において、 前記有機化合物は、下記式（３）で示される金属アルコ
キシドと、下記式（４）で示される金属アルコキシドと
を溶媒中で反応させることによって得られる下記式
（５）で示される複合金属アルコキシドであること、 を特徴とする誘電体被膜形成用塗布液の製造方法。Ａ
（ＯＲ¹ ） …（３） Ｂ（ＯＲ² ）₅ …（４） ＡＢ（ＯＲ¹ ）（ＯＲ² ）₅ …（５） （だだし、式（３）及び式（５）中において、Ａはリチ
ウム，ナトリウム及びカリウムの中から選ばれる少なく
とも１種類の元素であり、Ｒ¹ は炭素原子数１〜６のア
ルキル基またはアルコキシアルキル基であり、式（４）
及び式（５）中において、Ｂはニオブ及びタンタルの中
の少なくとも１種類の元素であり、Ｒ² は炭素原子数１
〜６のアルキル基またはアルコキシアルキル基であ
る。）3. The method for producing a coating solution for forming a dielectric film according to claim 1, wherein the organic compound comprises a metal alkoxide represented by the following formula (3) and a metal alkoxide represented by the following formula (4): A composite metal alkoxide represented by the following formula (5) obtained by reacting the metal alkoxide shown in a solvent with a metal alkoxide represented by the following formula: A
(OR ¹ ) (3) B (OR ² ) ₅ (4) AB (OR ¹ ) (OR ² ) ₅ (5) (In the formulas (3) and (5), A is At least one element selected from the group consisting of lithium, sodium, and potassium; R ¹ is an alkyl group or an alkoxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms;
And in the formula (5), B is at least one kind of element among niobium and tantalum, and R ² has 1 carbon atom.
To 6 alkyl groups or alkoxyalkyl groups. ) 【請求項４】 請求項１または請求項２に記載の誘電体
被膜形成用塗布液の製造方法において、 前記有機化合物は、下記式（６）で示される金属酢酸塩
と、下記式（７）で示される金属アルコキシドとを溶媒
中で反応させることによって得られる下記式（８）で示
される縮合金属アルコキシドであること、 を特徴とする誘電体被膜形成用塗布液の製造方法。 Ａ（ＯＣＯＣＨ₃ ） …（６） Ｂ（ＯＲ³ ）₅ …（７） （ＡＯ）_n Ｂ（ＯＲ³ ）_5-n …（８） （だだし、式（６）及び式（８）中において、Ａはリチ
ウム，ナトリウム及びカリウムの中から選ばれる少なく
とも１種類の元素であり、式（７）及び式（８）中にお
いて、Ｂはニオブ及びタンタルの中の少なくとも１種類
の元素であり、Ｒ ³ は炭素原子数１〜６のアルキル基ま
たアルコキシアルキル基であり、式（８）中において、
ｎは１〜４の整数である。）4. The dielectric according to claim 1, wherein
In the method for producing a coating solution for forming a film, the organic compound is a metal acetate represented by the following formula (6):
And a metal alkoxide represented by the following formula (7) in a solvent
Represented by the following formula (8) obtained by reacting
A method for producing a coating liquid for forming a dielectric film, comprising: A (OCOCH_Three…… (6) B (OR^Three)_Five … (7) (AO)_nB (OR^Three)_5-n ... (8) (In the equations (6) and (8), A is
Um, sodium and potassium
Are one type of element, and are represented by the formulas (7) and (8).
And B is at least one of niobium and tantalum
Element of R ^ThreeIs an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
In formula (8),
n is an integer of 1 to 4. ) 【請求項５】 請求項２に記載の誘電体被膜形成用塗布
液の製造方法において、 前記前処理に用いるカルボン酸誘導体は、モノカルボン
酸類、ジカルボン酸モノエステル類あるいはジカルボン
酸無水物類であること、 を特徴とする誘電体被膜形成用塗布液の製造方法。5. The method for producing a coating liquid for forming a dielectric film according to claim 2, wherein the carboxylic acid derivative used for the pretreatment is a monocarboxylic acid, a dicarboxylic monoester, or a dicarboxylic anhydride. A method for producing a coating liquid for forming a dielectric film, comprising: 【請求項６】 下記式（９）で示される誘電体材料を構
成する各元素を含有する有機化合物を加水分解処理する
ことによって、当該誘電体材料の前駆体を含有する誘電
体被膜形成用塗布液を製造する方法において、 前記有機化合物を加水分解処理する前の溶液あるいは当
該有機化合物を加水分解処理して得られる加水分解液
に、チタン化合物を添加すること、 を特徴とする誘電体被膜形成用塗布液の製造方法。 〔Ａ〕〔Ｂ〕Ｏ₃ …（９） （ただし、式（９）中において、Ａはリチウム，ナトリ
ウム及びカリウムの中から選ばれる少なくとも１種類の
元素であり、Ｂはニオブ及びタンタルの中の少なくとも
１種類の元素である。）6. An application for forming a dielectric film containing a precursor of the dielectric material by hydrolyzing an organic compound containing each element constituting the dielectric material represented by the following formula (9): In a method for producing a liquid, a titanium compound is added to a solution before hydrolyzing the organic compound or a hydrolyzate obtained by hydrolyzing the organic compound, and a dielectric film is formed. Method of producing coating liquid for use. [A] [B] O ₃ (9) (wherein, in the formula (9), A is at least one element selected from lithium, sodium and potassium, and B is niobium and tantalum) It is at least one kind of element.) 【請求項７】 下記式（１０）で示される誘電体材料を
構成する各元素を含有する有機化合物を加水分解処理す
ることによって、当該誘電体材料の前駆体を含有する誘
電体被膜形成用塗布液を製造する方法において、 前記有機化合物を加水分解処理する前の溶液あるいは当
該有機化合物を加水分解処理して得られる加水分解液
に、希土類元素化合物を添加すること、 を特徴とする誘電体被膜形成用塗布液の製造方法。 〔Ａ〕〔Ｂ〕Ｏ₃ …（１０） （ただし、式（１０）中において、Ａはリチウム，ナト
リウム及びカリウムの中から選ばれる少なくとも１種類
の元素であり、Ｂはニオブ及びタンタルの中の少なくと
も１種類の元素である。）7. An application for forming a dielectric film containing a precursor of the dielectric material by hydrolyzing an organic compound containing each element constituting the dielectric material represented by the following formula (10): In the method of producing a liquid, a rare earth element compound is added to a solution before hydrolyzing the organic compound or to a hydrolyzate obtained by hydrolyzing the organic compound, A method for producing a coating liquid for formation. [A] [B] O ₃ (10) (wherein, in the formula (10), A is at least one element selected from lithium, sodium and potassium, and B is niobium and tantalum) It is at least one kind of element.) 【請求項８】 請求項１または請求項２に記載の誘電体
被膜形成用塗布液の製造方法において、 前記有機化合物を加水分解処理する前の溶液あるいは当
該有機化合物を加水分解処理して得られる加水分解液
に、チタン化合物を添加すること、 を特徴とする誘電体被膜形成用塗布液の製造方法。8. The method for producing a coating solution for forming a dielectric film according to claim 1 or 2, wherein the solution is obtained by subjecting the organic compound to hydrolysis before the organic compound is hydrolyzed. A method for producing a coating liquid for forming a dielectric film, comprising adding a titanium compound to a hydrolysis liquid. 【請求項９】 請求項１または請求項２に記載の誘電体
被膜形成用塗布液の製造方法において、 前記有機化合物を加水分解処理する前の溶液あるいは当
該有機化合物を加水分解処理して得られる加水分解液
に、希土類元素化合物を添加すること、 を特徴とする誘電体被膜形成用塗布液の製造方法。9. The method for producing a coating solution for forming a dielectric film according to claim 1, wherein the solution is obtained by hydrolyzing the organic compound before or after the organic compound is hydrolyzed. A method for producing a coating liquid for forming a dielectric film, comprising adding a rare earth element compound to the hydrolysis liquid. 【請求項１０】 下記式（１１）で示される誘電体材料
からなる誘電体被膜を形成するための塗布液であって、 前記誘電体材料を構成する各元素を含有する有機化合物
の加水分解処理を複数回繰り返し行うことによって得ら
れたこと、 を特徴とする誘電体被膜形成用塗布液。 〔Ａ〕〔Ｂ〕Ｏ₃ …（１１） （ただし、式（１１）中において、Ａはリチウム，ナト
リウム及びカリウムの中から選ばれる少なくとも１種類
の元素であり、Ｂはニオブ及びタンタルの中の少なくと
も１種類の元素である。）10. A coating solution for forming a dielectric film made of a dielectric material represented by the following formula (11), wherein the coating solution is a hydrolysis treatment of an organic compound containing each element constituting the dielectric material. A coating liquid for forming a dielectric film, wherein the coating liquid is obtained by repeating a plurality of times. [A] [B] O ₃ (11) (wherein, in the formula (11), A is at least one element selected from lithium, sodium and potassium, and B is niobium and tantalum) It is at least one kind of element.) 【請求項１１】 下記式（１２）で示される誘電体材料
からなる誘電体被膜を形成するための塗布液であって、 前記誘電体材料を構成する各元素を含有する有機化合物
とカルボン酸誘導体とを反応させる前処理を行なった
後、当該有機化合物の加水分解処理を行うことによって
得られたこと、 を特徴とする誘電体被膜形成用塗布液。 〔Ａ〕〔Ｂ〕Ｏ₃ …（１２） （ただし、式（１２）中において、Ａはリチウム，ナト
リウム及びカリウムの中から選ばれる少なくとも１種類
の元素であり、Ｂはニオブ及びタンタルの中の少なくと
も１種類の元素である。）11. A coating solution for forming a dielectric film made of a dielectric material represented by the following formula (12): an organic compound containing each element constituting the dielectric material and a carboxylic acid derivative. A coating liquid for forming a dielectric film, wherein the coating liquid is obtained by performing a pretreatment for reacting the compound and then performing a hydrolysis treatment of the organic compound. [A] [B] O ₃ (12) (wherein, in the formula (12), A is at least one element selected from lithium, sodium and potassium, and B is niobium and tantalum) It is at least one kind of element.) 【請求項１２】 下記式（１３）で示される誘電体材料
にチタンを含有させてなる誘電体被膜を形成するための
塗布液であって、 前記誘電体被膜を構成する各元素を含有する有機化合物
を加水分解処理する前の溶液あるいは当該有機化合物を
加水分解処理して得られる加水分解液に、チタン化合物
を添加して得られたこと、 を特徴とする誘電体被膜形成用塗布液。 〔Ａ〕〔Ｂ〕Ｏ₃ …（１３） （ただし、式（１３）中において、Ａはリチウム，ナト
リウム及びカリウムの中から選ばれる少なくとも１種類
の元素であり、Ｂはニオブ及びタンタルの中の少なくと
も１種類の元素である。）12. A coating liquid for forming a dielectric film formed by adding titanium to a dielectric material represented by the following formula (13), wherein the organic liquid contains each element constituting the dielectric film. A coating liquid for forming a dielectric film, which is obtained by adding a titanium compound to a solution before hydrolyzing a compound or a hydrolyzing liquid obtained by hydrolyzing the organic compound. [A] [B] O ₃ (13) (wherein, in the formula (13), A is at least one element selected from lithium, sodium and potassium, and B is niobium and tantalum) It is at least one kind of element.) 【請求項１３】 下記式（１４）で示される誘電体材料
に希土類元素を含有させてなる誘電体被膜を形成するた
めの塗布液であって、 前記誘電体被膜を構成する各元素を含有する有機化合物
を加水分解処理する前の溶液あるいは当該有機化合物を
加水分解処理して得られる加水分解液に、希土類元素化
合物を添加して得られたこと、 を特徴とする誘電体被膜形成用塗布液。 〔Ａ〕〔Ｂ〕Ｏ₃ …（１４） （ただし、式（１４）中において、Ａはリチウム，ナト
リウム及びカリウムの中から選ばれる少なくとも１種類
の元素であり、Ｂはニオブ及びタンタルの中の少なくと
も１種類の元素である。）13. A coating solution for forming a dielectric film formed by adding a rare earth element to a dielectric material represented by the following formula (14), wherein each of the elements comprises the dielectric film. A coating solution obtained by adding a rare earth element compound to a solution before hydrolyzing an organic compound or a hydrolyzing solution obtained by hydrolyzing the organic compound, a coating liquid for forming a dielectric film. . [A] [B] O ₃ (14) (wherein, in the formula (14), A is at least one element selected from lithium, sodium and potassium, and B is niobium and tantalum) It is at least one kind of element.) 【請求項１４】 基体の被塗布面に、請求項１０に記載
の誘電体被膜形成用塗布液を塗布して当該被塗布面上に
塗布膜を形成し、 次いで前記塗布膜の焼成を行うこと、 を特徴とする誘電体被膜の形成方法。14. A method for forming a coating film on the surface to be coated by applying the coating solution for forming a dielectric film according to claim 10 on the surface to be coated of the substrate, and then firing the coating film. A method for forming a dielectric film, comprising: 【請求項１５】 基体の被塗布面に、請求項１１に記載
の誘電体被膜形成用塗布液を塗布して当該被塗布面上に
塗布膜を形成し、 次いで前記塗布膜の焼成を行うこと、 を特徴とする誘電体被膜の形成方法。15. A method for applying the coating liquid for forming a dielectric film according to claim 11 to a surface to be coated of a substrate to form a coating film on the surface to be coated, and then firing the coating film. A method for forming a dielectric film, comprising: 【請求項１６】 基体の被塗布面に、請求項１２に記載
の誘電体被膜形成用塗布液を塗布して当該被塗布面上に
塗布膜を形成し、 次いで前記塗布膜の焼成を行うこと、 を特徴とする誘電体被膜の形成方法。16. A method for applying the coating liquid for forming a dielectric film according to claim 12 to a surface to be coated of a substrate to form a coating film on the surface to be coated, and then firing the coating film. A method for forming a dielectric film, comprising: 【請求項１７】 基体の被塗布面に、請求項１３に記載
の誘電体被膜形成用塗布液を塗布して当該被塗布面上に
塗布膜を形成し、 次いで前記塗布膜の焼成を行うこと、 を特徴とする誘電体被膜の形成方法。17. A method for applying the coating liquid for forming a dielectric film according to claim 13 on an application surface of a substrate to form an application film on the application surface, and then baking the application film. A method for forming a dielectric film, comprising: