JPH10303004A - Thermistor element and its manufacture - Google Patents
Thermistor element and its manufactureInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、被計測対象の温度
を計測するためのサーミスタ素子と、その製造方法に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermistor element for measuring a temperature of an object to be measured and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】チップ状のサーミスタとしては、従来、
次の（１）、（２）のものが用いられている。2. Description of the Related Art Conventionally, a chip-type thermistor has been
The following (1) and (2) are used.
【０００３】（１） 遷移金属酸化物サーミスタ焼結体 Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ等の遷移金属のうち２種
以上を混合、成形、焼成、切断により６面体からなるチ
ップ状のサーミスタ焼結体を形成し、そのサーミスタ焼
結体の相対向する端面にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の電極を形
成したサーミスタ。なお、必要に応じて、サーミスタ焼
結体の側面の２面ないし４面にガラス保護膜を形成す
る。(1) Transition metal oxide thermistor sintered body A chip-shaped thermistor made of a hexahedron by mixing, molding, firing and cutting at least two types of transition metals such as Mn, Co, Ni, Fe and Cu. A thermistor in which a body is formed and electrodes such as Ag and Ag-Pd are formed on opposite end faces of the thermistor sintered body. If necessary, a glass protective film is formed on two to four side surfaces of the thermistor sintered body.
【０００４】（２） 遷移金属酸化物薄膜サーミスタ及
びＳｉＣ薄膜サーミスタ アルミナ等のセラミックス基板上にＡｇ−Ｐｄ、Ａｕ−
Ｐｔ等の対向櫛形電極膜をスクリーン印刷法等により形
成後、対向櫛形電極膜の一部を覆うように、ＳｉＣある
いはＭｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅなどの複合酸化物薄膜をス
パッタリング蒸着によってサーミスタ薄膜を形成し、さ
らに、リード線を接続し、サーミスタ膜上に保護膜を形
成したサーミスタ。(2) Transition metal oxide thin film thermistor and SiC thin film thermistor Ag-Pd, Au-
After forming an opposing comb-shaped electrode film such as Pt by a screen printing method or the like, a thermistor thin film is formed by sputtering evaporation of SiC or a complex oxide thin film of Mn, Ni, Co, Fe, etc. so as to cover a part of the opposing comb-shaped electrode film. A thermistor formed and connected to a lead wire, and a protective film is formed on the thermistor film.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記（１）の遷移金属
酸化物サーミスタ焼結体は、強度的に薄板化が難しく、
そのため熱応答性に劣るという問題がある。The transition metal oxide thermistor sintered body of the above (1) is difficult to make thin in terms of strength.
Therefore, there is a problem that thermal responsiveness is poor.
【０００６】上記（２）の遷移金属酸化物薄膜サーミス
タ及びＳｉＣ薄膜サーミスタにおいては、結晶性のよい
熱的に安定な薄膜サーミスタを得るためには、スパッタ
リング蒸着法において基板温度を高温度（４００℃以
上）にする必要があり、生産性が低く、製造コストがか
かるという問題がある。In the transition metal oxide thin film thermistor and the SiC thin film thermistor of the above (2), in order to obtain a thermally stable thin film thermistor having good crystallinity, the substrate temperature is increased to a high temperature (400 ° C.) in the sputtering deposition method. Above), there is a problem that productivity is low and manufacturing cost is high.
【０００７】本発明は、これらの問題点を解決し、熱応
答性に優れ、しかも生産性が良く製造コストが低いサー
ミスタ素子と、その製造方法を提供することを目的とす
る。An object of the present invention is to solve the above problems and to provide a thermistor element having excellent thermal responsiveness, high productivity and low manufacturing cost, and a method of manufacturing the same.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明のサーミスタ素子
は、セラミックス基板の一主表面に全面に亘って設けら
れた薄膜状のサーミスタと、該薄膜サーミスタの上に設
けられた一対の内部電極と、該内部電極を覆う絶縁性無
機物質層と、各内部電極上に該内部電極よりも小さい面
積にて形成されておりそれぞれ下層の該内部電極に対し
導通している外部電極とを備えたサーミスタ素子であっ
て、該絶縁性無機物質層を該内部電極の全面を覆うよう
に形成した後、その上に金属粉末と無機結合材を含む導
電性ペーストを焼き付けることにより前記外部電極を形
成すると共に、この焼き付けにより該絶縁性無機物質層
の一部を該外部電極に吸収させて外部電極と内部電極と
を導通させてなるものである。A thermistor element according to the present invention comprises a thin-film thermistor provided on the entire main surface of a ceramic substrate, and a pair of internal electrodes provided on the thin-film thermistor. A thermistor comprising: an insulating inorganic material layer covering the internal electrodes; and external electrodes formed on each of the internal electrodes with a smaller area than the internal electrodes, each of which is electrically connected to the lower internal electrodes. An element, wherein the insulating inorganic material layer is formed so as to cover the entire surface of the internal electrode, and then the external electrode is formed by baking a conductive paste containing a metal powder and an inorganic binder thereon. The baking causes a part of the insulating inorganic material layer to be absorbed by the external electrode, thereby making the external electrode and the internal electrode conductive.
【０００９】かかる本発明のサーミスタ素子は、薄膜よ
りなるサーミスタ層を有するものであり、熱応答性に優
れる。The thermistor element of the present invention has a thermistor layer made of a thin film and has excellent thermal responsiveness.
【００１０】本発明のサーミスタ素子の製造方法は、金
属含有有機溶液をセラミックス基板の一主表面にスピン
コート、仮焼を繰り返すことによりセラミックス基板の
全面に亘り成膜し、次いで焼成して薄膜状のサーミスタ
とする工程と、該薄膜状のサーミスタの上面に一対の内
部電極を形成する工程と、該内部電極の上面に全面に亘
り絶縁性無機物質層を形成する工程と、該無機物質層の
上面のうち内部電極の上側の部分に、金属粉末と無機結
合材とを含む導電性ペーストを該内部電極よりも小さな
面積となるように付着させた後焼成し、外部電極を形成
すると共に該絶縁性無機物質層の一部を外部電極に吸収
させて外部電極と内部電極とを導通させる工程と、該外
部電極を形成したウエハ状薄膜サーミスタをチップ状に
切断する工程と、を含むものである。In the method for manufacturing a thermistor element of the present invention, a metal-containing organic solution is spin-coated on one main surface of a ceramic substrate and calcined repeatedly to form a film over the entire surface of the ceramic substrate, and then fired to form a thin film. Forming a pair of internal electrodes on the upper surface of the thin film thermistor; forming an insulating inorganic material layer over the entire upper surface of the internal electrode; A conductive paste containing a metal powder and an inorganic binder is adhered to a portion of the upper surface above the internal electrode so as to have a smaller area than the internal electrode, and then baked to form an external electrode and form the insulating material. A step of absorbing a portion of the conductive inorganic material layer to the external electrode to conduct the external electrode and the internal electrode, and a step of cutting the wafer-like thin-film thermistor on which the external electrode is formed into chips, It is intended to include.
【００１１】このサーミスタ素子の製造方法において
は、外部電極の焼き付けにより外部電極と内部電極との
間の絶縁性無機物質層を該外部電極に吸収させて外部電
極を内部電極に導通させるようにしており、製造プロセ
スが簡略化され、量産化に適し、製造コストを低減でき
る。In this method of manufacturing a thermistor element, the baking of the external electrode causes the insulating inorganic material layer between the external electrode and the internal electrode to be absorbed by the external electrode so that the external electrode is electrically connected to the internal electrode. Therefore, the manufacturing process is simplified, suitable for mass production, and the manufacturing cost can be reduced.
【００１２】なお、外部電極部にリード線等の引き出し
線を接続する加熱処理を施しても、その下地に内部電極
膜があるので、外部電極部の剥離が発生しにくくなる。[0012] Even if a heat treatment for connecting a lead wire or the like to the external electrode portion is performed, the external electrode portion is less likely to be peeled off since the internal electrode film is provided under the heat treatment.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】図１（ａ）は実施の形態に係るサ
ーミスタ素子の製造方法を示す断面図、図１（ｂ），
（ｃ）はそれぞれ図１（ａ）のＢ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線に沿
う断面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1A is a sectional view showing a method for manufacturing a thermistor element according to an embodiment, and FIGS.
(C) is sectional drawing which follows the BB line and CC line of FIG. 1 (a), respectively.
【００１４】このサーミスタ素子を製造するには、まず
アルミナ等のセラミックス基板１の上に全面に亘り薄膜
サーミスタ２を形成する（図１（ａ）の〜）。この
薄膜サーミスタ２の上に１対の内部電極３を形成（同
）した後、この内部電極３及び露出した薄膜サーミス
タ２を覆うように絶縁性無機物質層４を形成する（同
）。In order to manufacture this thermistor element, first, a thin-film thermistor 2 is formed on the entire surface of a ceramic substrate 1 made of alumina or the like (FIG. 1A). After a pair of internal electrodes 3 are formed on the thin-film thermistor 2 (same as above), an insulating inorganic material layer 4 is formed so as to cover the internal electrodes 3 and the exposed thin-film thermistor 2 (same as above).
【００１５】次に、各内部電極３の上側の絶縁性無機物
質層４の上に、金属粉末と無機結合材を含む導電性ペー
ストをスクリーン印刷等により、内部電極３よりも小面
積となるように塗着し（同）、次いで乾燥及び焼成す
ることにより外部電極５を形成する。この外部電極５の
焼成（焼き付け）により、外部電極５と内部電極４との
間に介在していた絶縁性無機物質層４は外部電極５に吸
収され、外部電極５と内部電極３とが導通する（同
）。Next, a conductive paste containing a metal powder and an inorganic binder is screen-printed or the like on the insulating inorganic material layer 4 above each internal electrode 3 so as to have a smaller area than the internal electrodes 3. , And then dried and fired to form an external electrode 5. By firing (baking) of the external electrode 5, the insulating inorganic material layer 4 interposed between the external electrode 5 and the internal electrode 4 is absorbed by the external electrode 5, and the external electrode 5 and the internal electrode 3 are electrically connected. Yes (same).
【００１６】なお、図１（ａ）では、セラミックス基板
１は紙面と垂直方向及び左右方向に拡がっており、上記
〜の工程を経た後、この基板をチップ状に切断し、
複数個のサーミスタ素子を得る。図１（ｂ），（ｃ）は
このようにして得られたチップ状薄膜サーミスタの断面
図である。In FIG. 1A, the ceramic substrate 1 extends in the direction perpendicular to the plane of the drawing and in the left-right direction. After the above-mentioned steps (1) and (2), the substrate is cut into chips.
Obtain a plurality of thermistor elements. FIGS. 1B and 1C are cross-sectional views of the chip-shaped thin film thermistor thus obtained.
【００１７】上記〜の工程の好適な形態を詳しく説
明する。Preferred embodiments of the above steps (1) to (4) will be described in detail.
【００１８】工程，：セラミックス基板としてはア
ルミナ基板が好ましく、その厚さは例えば０．１〜１．
０μｍ程度とされる。Step: The ceramic substrate is preferably an alumina substrate, and has a thickness of, for example, 0.1 to 1.
It is about 0 μm.
【００１９】この基板上に薄膜サーミスタを成膜するに
は、金属含有有機溶液をスピンコートし、乾燥し、これ
を複数回繰り返して所定厚みのコート層を得た後、仮焼
及び焼成するのが好ましい。In order to form a thin film thermistor on this substrate, a metal-containing organic solution is spin-coated, dried, and repeated a plurality of times to obtain a coat layer having a predetermined thickness, and then calcined and fired. Is preferred.
【００２０】金属含有有機溶液としては有機金属化合物
を有機溶媒に混合したものであっても良く、有機溶媒に
溶解する無機化合物を該有機溶媒に溶解させたものであ
っても良く、要するに塗付、乾燥及び焼成によりサーミ
スタ組成の酸化物薄膜が基板上に形成されるものであれ
ば良い。サーミスタ組成は特に限定されるものではな
く、例えばＭｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ等の金
属の酸化物よりなる各種組成のものを採用できる。The metal-containing organic solution may be a mixture of an organic metal compound in an organic solvent, or a solution of an inorganic compound soluble in the organic solvent in the organic solvent. It is sufficient that an oxide thin film having a thermistor composition is formed on the substrate by drying and firing. The thermistor composition is not particularly limited, and for example, various compositions composed of oxides of metals such as Mn, Fe, Co, Ni, Cu, and Al can be employed.
【００２１】焼成温度、時間はサーミスタ組成に応じ適
宜選定すれば良い。The firing temperature and time may be appropriately selected according to the thermistor composition.
【００２２】薄膜サーミスタ２の膜厚は、特に限定され
るものではないが、通常は０．１〜２μｍ程度とされ
る。The thickness of the thin film thermistor 2 is not particularly limited, but is usually about 0.1 to 2 μm.
【００２３】工程：内部電極３を形成するには、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の貴金属レジネート（貴金属の樹脂酸
（例えばアビエチン酸）化合物を有機溶剤に溶解させた
もの）をスクリーン印刷し、焼き付けるのが好ましい。
内部電極３の厚さは０．１〜１μｍ程度が好ましい。Step: To form the internal electrode 3, A
It is preferable to screen-print and bake a noble metal resinate such as u, Ag, Pt or the like (a noble metal resin acid (eg, abietic acid) compound dissolved in an organic solvent).
The thickness of the internal electrode 3 is preferably about 0.1 to 1 μm.
【００２４】工程：絶縁性無機物質層４は、５０ｗｔ
％以上のＳｉＯ2 と、残部がＡｌ2Ｏ3 、ＭｇＯ、Ｚｒ
Ｏ2 及びＴｉＯ2 よりなる群から選ばれる１種または２
種以上の酸化物を主成分とするガラスより構成されるの
が好ましい。この絶縁性無機物質層４はスパッタリング
により厚さ０．１〜２μｍとなるように形成されるのが
好ましい。Step: The insulating inorganic material layer 4 is 50 wt.
% Of SiO 2 and the balance being Al 2 O 3 , MgO, Zr
O 2 and one or selected from the group consisting of TiO 2
It is preferable to be composed of glass containing at least one kind of oxide as a main component. The insulating inorganic material layer 4 is preferably formed by sputtering to a thickness of 0.1 to 2 μm.
【００２５】なお、絶縁性無機物質層４の厚さが０．１
μｍよりも小さいと、絶縁物性が低い。２μｍよりも大
きいときには、外部電極５と内部電極３との間に絶縁性
無機物質層が残留し、外部電極５と内部電極３との導通
が不十分になり、また、サーミスタの熱応答性も低下す
る。The thickness of the insulating inorganic material layer 4 is 0.1
If it is smaller than μm, the insulating properties are low. When the thickness is larger than 2 μm, the insulating inorganic material layer remains between the external electrode 5 and the internal electrode 3, the conduction between the external electrode 5 and the internal electrode 3 becomes insufficient, and the thermal response of the thermistor also decreases. descend.
【００２６】工程，：外部電極５はＡｕ、Ａｇ、Ｐ
ｔ等の貴金属の粉末と、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｎａ
2 Ｏ、ＰｂＯ、ＺｎＯ及びＢａＯの１又は２種以上の酸
化物を主成分とするガラス粉末とを含むペーストをスク
リーン印刷し、乾燥後、焼成されることにより形成され
るのが好ましい。前述の通り、この焼成過程において内
部電極３と外部電極用ペースト付着層との間の絶縁性無
機物質層４がこのペースト中のガラスと共に溶融し、外
部電極５中に吸収されて消滅し、形成された外部電極５
が内部電極３と直に導通するようになる。Step: The external electrode 5 is made of Au, Ag, P
powder of a noble metal such as t, SiO 2 , B 2 O 3 , Na
It is preferably formed by screen-printing a paste containing a glass powder mainly containing one or more oxides of 2 O, PbO, ZnO and BaO, drying and firing. As described above, in the firing process, the insulating inorganic material layer 4 between the internal electrode 3 and the external electrode paste-adhering layer is melted together with the glass in this paste, absorbed by the external electrode 5 and extinguished. External electrode 5
Are directly conducted to the internal electrodes 3.
【００２７】なお、上記の絶縁性無機物質層４のガラス
及び外部電極形成用ペーストの無機結合剤の組成として
は、例えば次の範囲のものが好適である。The composition of the glass of the insulating inorganic material layer 4 and the inorganic binder of the paste for forming the external electrode is preferably in the following range, for example.
【００２８】ＳｉＯ2 ４０ｗｔ％以上 ＰｂＯ2 ３０ｗｔ％以下 ＺｎＯ2 ３０ｗｔ％以下 ＢａＯ2 ３０ｗｔ％以下SiO 2 40 wt% or more PbO 2 30 wt% or less ZnO 2 30 wt% or less BaO 2 30 wt% or less
【００２９】[0029]
＜実施例１＞ （１） 炭酸マンガンと炭酸コバルトを３５モル：６５
モルの割合でエチレングリコールに溶解して酢酸を添加
混合して調製した有機金属塗布溶液を、アルミナ基板
（厚さ０．５μｍ）の表面にスピンコートし、１２０℃
で１０分間乾燥後、６００℃で１０分間仮焼した。この
工程を１５回繰り返した後、９００℃で１時間焼成を行
い１．５μｍの薄膜サーミスタを得た。 （２） 次に、薄膜サーミスタの一部にＡｕレジネート
ペーストをスクリーン印刷法により塗布し、１２０℃で
１０分間乾燥後、８５０℃で１０分間焼成を行い、０．
５μｍの薄膜状の内部電極を得た。 （３） 次に、ＳｉＯ2 ４２ｗｔ％、ＰｂＯ2 １９ｗｔ
％、ＺｎＯ2 １ｗｔ％、ＢａＯ2 ２４ｗｔ％を主成分と
する絶縁性無機焼結体をターゲットとし、圧力：０．４
Ｐａ、基板温度：室温の条件でスパッタリングを行って
該内部電極及び薄膜サーミスタの上面の全面に厚さ１μ
ｍの絶縁性無機物質層を形成した。 （４） 次に、Ａｕペーストをスクリーン印刷法によ
り、内部電極の面積よりも小さい面積で各内部電極の上
に塗布し、１２０℃で１０分間乾燥後、８２０℃で１０
分間焼成を行い、厚さ１０μｍの外部電極を形成した。 （５） 次に、この基板をパターンに沿ってチップ状に
切断し、１．６×０．８×０．５ｍｍの大きさの薄膜サ
ーミスタを得た。 （６） 作製した薄膜サーミスタ素子１０個の２５℃、
５０℃の抵抗値を測定し、その平均値と標準偏差から抵
抗値及びＢ定数のばらつきを計算した結果、抵抗値ばら
つきは２．４％、Ｂ定数ばらつきは０．０７％であっ
た。<Example 1> (1) 35 mol of manganese carbonate and cobalt carbonate: 65
An organometallic coating solution prepared by dissolving in ethylene glycol at a molar ratio and adding and mixing acetic acid was spin-coated on the surface of an alumina substrate (0.5 μm thick) at 120 ° C.
And then calcined at 600 ° C. for 10 minutes. After repeating this step 15 times, baking was performed at 900 ° C. for 1 hour to obtain a 1.5 μm thin film thermistor. (2) Next, an Au resinate paste was applied to a part of the thin film thermistor by a screen printing method, dried at 120 ° C. for 10 minutes, and baked at 850 ° C. for 10 minutes.
A 5 μm thin film internal electrode was obtained. (3) Next, 42 wt% of SiO 2 and 19 wt% of PbO 2
%, ZnO 2 1 wt%, and BaO 2 24 wt% as the main components.
Pa, substrate temperature: Sputtering is performed under the condition of room temperature, and a thickness of 1 μm is formed on the entire upper surface of the internal electrode and the thin film thermistor.
m of the insulating inorganic material layer was formed. (4) Next, an Au paste is applied on each internal electrode by a screen printing method in an area smaller than the area of the internal electrode, dried at 120 ° C. for 10 minutes, and then dried at 820 ° C. for 10 minutes.
Baking was performed for 10 minutes to form an external electrode having a thickness of 10 μm. (5) Next, the substrate was cut into chips along the pattern to obtain a thin film thermistor having a size of 1.6 × 0.8 × 0.5 mm. (6) 10 thin film thermistor elements manufactured at 25 ° C.
The resistance value at 50 ° C. was measured, and the variation in the resistance value and the B constant was calculated from the average value and the standard deviation. As a result, the variation in the resistance value was 2.4%, and the variation in the B constant was 0.07%.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上の通り、本発明によると熱応答性が
良好な薄膜サーミスタが提供される。この薄膜サーミス
タは、その製造プロセスが簡略化され、量産化に適し、
製造コストが低い。この薄膜サーミスタは、外部電極が
内部電極に付着するように形成されているため、外部電
極にリード線等の引出線を接続する際に加熱処理を施し
ても、外部電極が剥離しにくい。As described above, according to the present invention, a thin film thermistor having good thermal responsiveness is provided. This thin film thermistor simplifies its manufacturing process and is suitable for mass production.
Low production cost. Since the thin-film thermistor is formed such that the external electrode adheres to the internal electrode, the external electrode is unlikely to be peeled off even when a heat treatment is performed when a lead wire such as a lead wire is connected to the external electrode.
【図１】実施の形態に係る薄膜サーミスタの製造工程図
と断面図である。FIG. 1 is a manufacturing process diagram and a cross-sectional view of a thin-film thermistor according to an embodiment.
１ セラミックス基板 ２ 薄膜サーミスタ ３ 内部電極 ４ 絶縁性無機物質層 ５ 外部電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic substrate 2 Thin film thermistor 3 Internal electrode 4 Insulating inorganic material layer 5 External electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 越村 正己 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社電子技術研究所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Masaki Koshimura 2270 Yokoze, Yokoze-cho, Chichibu-gun, Saitama Pref.
Claims (4)
って設けられた薄膜状のサーミスタと、 該薄膜サーミスタの上に設けられた一対の内部電極と、
該内部電極を覆う絶縁性無機物質層と、 各内部電極上に該内部電極よりも小さい面積にて形成さ
れておりそれぞれ下層の該内部電極に対し導通している
外部電極とを備えたサーミスタ素子であって、 該絶縁性無機物質層を該内部電極の全面を覆うように形
成した後、その上に金属粉末と無機結合材を含む導電性
ペーストを焼き付けることにより前記外部電極を形成す
ると共に、この焼き付けにより該絶縁性無機物質層の一
部を該外部電極に吸収させて外部電極と内部電極とを導
通させてなるサーミスタ素子。A thin-film thermistor provided on the entire main surface of a ceramic substrate; a pair of internal electrodes provided on the thin-film thermistor;
A thermistor element comprising: an insulating inorganic material layer covering the internal electrodes; and external electrodes formed on each of the internal electrodes with a smaller area than the internal electrodes and each of which is electrically connected to the lower internal electrodes. And forming the external electrode by forming the insulating inorganic material layer so as to cover the entire surface of the internal electrode, and then baking a conductive paste containing a metal powder and an inorganic binder thereon. A thermistor element in which a part of the insulating inorganic material layer is absorbed by the external electrode by this baking to make the external electrode and the internal electrode conductive.
層の厚さが０．１〜２μｍであることを特徴とするサー
ミスタ素子。2. The thermistor element according to claim 1, wherein the thickness of the insulating inorganic material layer is 0.1 to 2 μm.
物質層が５０ｗｔ％以上のＳｉＯ2 と、残部がＡｌ2 Ｏ
3 、ＭｇＯ、ＺｒＯ2 及びＴｉＯ2 よりなる群から選ば
れる１種または２種以上の酸化物を主成分とするガラス
より構成され、無機結合材がＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｎａ
2 Ｏ、ＰｂＯ、ＺｎＯ及びＢａＯの１種または２種以上
の酸化物を主成分とするガラス微粒子より構成されてい
ることを特徴とするサーミスタ素子。3. The insulating inorganic material layer according to claim 1, wherein the insulating inorganic material layer comprises at least 50 wt% of SiO 2, and the remainder comprises Al 2 O.
3 , glass composed mainly of one or more oxides selected from the group consisting of MgO, ZrO 2 and TiO 2 , wherein the inorganic binder is SiO 2 , B 2 O 3 , Na
A thermistor element comprising glass fine particles containing one or more oxides of 2 O, PbO, ZnO and BaO as main components.
一主表面にスピンコート、仮焼を繰り返すことによりセ
ラミックス基板の全面に亘り成膜し、次いで焼成して薄
膜状のサーミスタとする工程と、 該薄膜状のサーミスタの上面に一対の内部電極を形成す
る工程と、 該内部電極の上面に全面に亘り絶縁性無機物質層を形成
する工程と、 該無機物質層の上面のうち内部電極の上側の部分に、金
属粉末と無機結合材とを含む導電性ペーストを該内部電
極よりも小さな面積となるように付着させた後焼成し、
外部電極を形成すると共に該絶縁性無機物質層の一部を
外部電極に吸収させて外部電極と内部電極とを導通させ
る工程と、 該外部電極を形成したウエハ状薄膜サーミスタをチップ
状に切断する工程と、を含む薄膜サーミスタの製造方
法。4. A step of forming a film over the entire surface of the ceramic substrate by repeatedly spin-coating and calcining a metal-containing organic solution on one main surface of the ceramic substrate, and then firing to form a thin-film thermistor; Forming a pair of internal electrodes on the upper surface of the thin-film thermistor; forming an insulating inorganic material layer over the entire upper surface of the internal electrode; To the portion, a conductive paste containing a metal powder and an inorganic binder is attached so as to have a smaller area than the internal electrode, and then baked,
Forming an external electrode and absorbing a part of the insulating inorganic material layer into the external electrode to conduct the external electrode and the internal electrode; cutting the wafer-like thin film thermistor on which the external electrode is formed into chips; And a method for producing a thin film thermistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9105979A JPH10303004A (en) | 1997-04-23 | 1997-04-23 | Thermistor element and its manufacture |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9105979A JPH10303004A (en) | 1997-04-23 | 1997-04-23 | Thermistor element and its manufacture |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303004A true JPH10303004A (en) | 1998-11-13 |
Family
ID=14421880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9105979A Pending JPH10303004A (en) | 1997-04-23 | 1997-04-23 | Thermistor element and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10303004A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5216947B1 (en) * | 2012-10-19 | 2013-06-19 | 株式会社岡崎製作所 | RTD element for cryogenic use |
| JP2022551043A (en) * | 2020-09-02 | 2022-12-07 | テーデーカー エレクトロニクス アーゲー | Sensor element and method for manufacturing sensor element |
-
1997
- 1997-04-23 JP JP9105979A patent/JPH10303004A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5216947B1 (en) * | 2012-10-19 | 2013-06-19 | 株式会社岡崎製作所 | RTD element for cryogenic use |
| JP2022551043A (en) * | 2020-09-02 | 2022-12-07 | テーデーカー エレクトロニクス アーゲー | Sensor element and method for manufacturing sensor element |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A02 | Decision of refusal |
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