JPH10290103A - 誘電体積層フィルタ - Google Patents
誘電体積層フィルタInfo
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- JPH10290103A JPH10290103A JP9993397A JP9993397A JPH10290103A JP H10290103 A JPH10290103 A JP H10290103A JP 9993397 A JP9993397 A JP 9993397A JP 9993397 A JP9993397 A JP 9993397A JP H10290103 A JPH10290103 A JP H10290103A
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- Japan
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- transmission line
- stripline
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ストリップライン共振器を用いた誘電体積層
フィルタにおいて、通過帯域外の減衰特性が従来のフィ
ルタは良くない。 【解決手段】 セラミックシート１０ａ上に形成された
ストリップライン共振器電極１１ａ，１１ｂによってバ
ンドパスフィルタを形成し、さらにノッチ用ストリップ
ライン共振器電極１１ｃによりノッチフィルタを形成す
る。ノッチフィルタの減衰極の周波数を調節することに
よって簡単な構造で減衰極を形成でき、フィルタの通過
帯域外の減衰特性を改善する。
フィルタにおいて、通過帯域外の減衰特性が従来のフィ
ルタは良くない。 【解決手段】 セラミックシート１０ａ上に形成された
ストリップライン共振器電極１１ａ，１１ｂによってバ
ンドパスフィルタを形成し、さらにノッチ用ストリップ
ライン共振器電極１１ｃによりノッチフィルタを形成す
る。ノッチフィルタの減衰極の周波数を調節することに
よって簡単な構造で減衰極を形成でき、フィルタの通過
帯域外の減衰特性を改善する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として携帯電話
機などの高周波無線機器に用いる誘電体積層フィルタに
関するものである。
機などの高周波無線機器に用いる誘電体積層フィルタに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、誘電体フィルタは携帯電話機など
の無線機器に多数使用され、一層の小型化、高性能化が
要望されている。以下に図面を参照しながら上記した従
来の誘電体フィルタの一例について説明する。
の無線機器に多数使用され、一層の小型化、高性能化が
要望されている。以下に図面を参照しながら上記した従
来の誘電体フィルタの一例について説明する。
【０００３】図１３は従来の積層型の誘電体フィルタの
分解斜視図を示す。図１３においてセラミックシート２
０ａ上にはストリップライン共振器電極２１ａ，２１ｂ
が形成され、セラミックシート２０ｂ上には容量電極２
２ａ，２２ｂ，２２ｃ、ローディング容量電極２２ｄが
形成されている。
分解斜視図を示す。図１３においてセラミックシート２
０ａ上にはストリップライン共振器電極２１ａ，２１ｂ
が形成され、セラミックシート２０ｂ上には容量電極２
２ａ，２２ｂ，２２ｃ、ローディング容量電極２２ｄが
形成されている。
【０００４】ストリップライン共振器電極２１ａ，２１
ｂは一端で共通接地電極２６を通じて接地されている。
第１のストリップライン共振器電極２１ａは、特性イン
ピーダンスが高い第１の伝送線路部２７ａと、一端が開
放され特性インピーダンスが低い第２の伝送線路部２８
ａとの縦続接続で構成され、同じく第２のストリップラ
イン共振器電極２１ｂは、特性インピーダンスが高い第
１の伝送線路部２７ｂと、一端が開放され特性インピー
ダンスが低い第２の伝送線路部２８ｂとの縦続接続で構
成されている。このような構成により全線路長が４分の
１波長より短いＳＩＲ(Stepped impedance Resonator)
構造となっている。
ｂは一端で共通接地電極２６を通じて接地されている。
第１のストリップライン共振器電極２１ａは、特性イン
ピーダンスが高い第１の伝送線路部２７ａと、一端が開
放され特性インピーダンスが低い第２の伝送線路部２８
ａとの縦続接続で構成され、同じく第２のストリップラ
イン共振器電極２１ｂは、特性インピーダンスが高い第
１の伝送線路部２７ｂと、一端が開放され特性インピー
ダンスが低い第２の伝送線路部２８ｂとの縦続接続で構
成されている。このような構成により全線路長が４分の
１波長より短いＳＩＲ(Stepped impedance Resonator)
構造となっている。
【０００５】第１の伝送線路２７ａ，２７ｂどうし、お
よび第２の伝送線路２８ａ，２８ｂどうしはそれぞれ互
いに電磁界結合している。また第２の伝送線路２８ａ，
２８ｂは容量電極２２ｂを介して容量結合している。第
１の伝送線路２７ａ，２７ｂの短絡端側は共通接地電極
２６を介して接地されている。
よび第２の伝送線路２８ａ，２８ｂどうしはそれぞれ互
いに電磁界結合している。また第２の伝送線路２８ａ，
２８ｂは容量電極２２ｂを介して容量結合している。第
１の伝送線路２７ａ，２７ｂの短絡端側は共通接地電極
２６を介して接地されている。
【０００６】ストリップライン共振器電極２１ａは、そ
の開放端の伝送線路２８ａで容量電極２２ａと容量結合
し、容量電極２２ａは入出力端子２４ａと接続されてい
る。ストリップライン共振器電極２１ｂは、その開放端
の伝送線路２８ｂで容量電極２２ｃと容量結合し、容量
電極２２ｃは入出力端子２４ｂと接続されている。スト
リップライン共振器電極２１ａ，２１ｂは第２の伝送線
路部２８ａ，２８ｂとローディング容量電極２２ｄとの
間に容量を形成している。
の開放端の伝送線路２８ａで容量電極２２ａと容量結合
し、容量電極２２ａは入出力端子２４ａと接続されてい
る。ストリップライン共振器電極２１ｂは、その開放端
の伝送線路２８ｂで容量電極２２ｃと容量結合し、容量
電極２２ｃは入出力端子２４ｂと接続されている。スト
リップライン共振器電極２１ａ，２１ｂは第２の伝送線
路部２８ａ，２８ｂとローディング容量電極２２ｄとの
間に容量を形成している。
【０００７】誘電体シート２０ｃ，２０ｄ上にはそれぞ
れシールド電極２３ａ，２３ｂが形成されている。各シ
ールド電極２３ａ，２３ｂ、およびローディング容量電
極２２ｄ，共通接地電極２６は、側面電極で形成された
接地端子２５ａ，２５ｂにより接地される。電極保護の
ためのセラミックシート２０ｅと各電極を形成したセラ
ミックシート２０ｃ，２０ａ，２０ｂ，２０ｄとを図の
順に重ねて全体を積層化して一体焼成する。
れシールド電極２３ａ，２３ｂが形成されている。各シ
ールド電極２３ａ，２３ｂ、およびローディング容量電
極２２ｄ，共通接地電極２６は、側面電極で形成された
接地端子２５ａ，２５ｂにより接地される。電極保護の
ためのセラミックシート２０ｅと各電極を形成したセラ
ミックシート２０ｃ，２０ａ，２０ｂ，２０ｄとを図の
順に重ねて全体を積層化して一体焼成する。
【０００８】図１４にこのように構成した従来の誘電体
積層フィルタの等価回路図を示す。図１４において、入
力端子ＩＮは、入出力容量Ｃｏを介して、第１のストリ
ップライン共振器Ｌ１の特性インピーダンスの低い開放
端に接続され、かつローディング容量ＣＬで接地される
とともに、段間結合容量Ｃｃで第２のストリップライン
共振器Ｌ２の開放端に接続されている。この接続点もロ
ーディング容量ＣＬで接地されるとともに入出力容量Ｃ
ｏを介して出力端子ＯＵＴに接続されている。第１、第
２のストリップライン共振器Ｌ１，Ｌ２の特性インピー
ダンスの高い他端は接地されている。
積層フィルタの等価回路図を示す。図１４において、入
力端子ＩＮは、入出力容量Ｃｏを介して、第１のストリ
ップライン共振器Ｌ１の特性インピーダンスの低い開放
端に接続され、かつローディング容量ＣＬで接地される
とともに、段間結合容量Ｃｃで第２のストリップライン
共振器Ｌ２の開放端に接続されている。この接続点もロ
ーディング容量ＣＬで接地されるとともに入出力容量Ｃ
ｏを介して出力端子ＯＵＴに接続されている。第１、第
２のストリップライン共振器Ｌ１，Ｌ２の特性インピー
ダンスの高い他端は接地されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の誘電体積層フィルタにおいては、図１５の通
過特性図に示すように、有極による減衰極によってわず
かしか減衰が得られない。一方、フィルタには他の通信
システムからの干渉や、通信システムの送受間隔の狭帯
域化などによってさらに通過帯域外の減衰量を高めるこ
とが要求されている。
うな従来の誘電体積層フィルタにおいては、図１５の通
過特性図に示すように、有極による減衰極によってわず
かしか減衰が得られない。一方、フィルタには他の通信
システムからの干渉や、通信システムの送受間隔の狭帯
域化などによってさらに通過帯域外の減衰量を高めるこ
とが要求されている。
【００１０】そこで、本発明は、上記のような要求に応
えて、さらなる減衰量を追求した誘電体積層フィルタを
提供することを目的としてなされたものである。
えて、さらなる減衰量を追求した誘電体積層フィルタを
提供することを目的としてなされたものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の誘電体積層フィルタは、請求項１において誘
電体積層フィルタ内にバンドパスフィルタとノッチフィ
ルタを設け、フィルタの通過帯域外の減衰特性を良くす
るように作用する。さらに請求項２において、バンドパ
スフィルタを形成する一端が接地された第１の伝送線路
部と一端が開放され第１の伝送線路部より特性インピー
ダンスが低い第２の伝送線路部との縦続接続で構成され
隣接する第２の伝送線路間を容量で結合した２組以上の
ストリップライン共振器と、ノッチフィルタを形成する
一端が接地された第１の伝送線路部と一端が開放され第
１の伝送線路より特性インピーダンスが低い第２の伝送
線路部との縦続接続で構成され、第２の伝送線路と隣接
するバンドパスフィルタ用ストリップライン共振器の１
組の第２の伝送線路とが容量で結合した１組のノッチ用
ストリップライン共振器とを備えた構成となっている。
に本発明の誘電体積層フィルタは、請求項１において誘
電体積層フィルタ内にバンドパスフィルタとノッチフィ
ルタを設け、フィルタの通過帯域外の減衰特性を良くす
るように作用する。さらに請求項２において、バンドパ
スフィルタを形成する一端が接地された第１の伝送線路
部と一端が開放され第１の伝送線路部より特性インピー
ダンスが低い第２の伝送線路部との縦続接続で構成され
隣接する第２の伝送線路間を容量で結合した２組以上の
ストリップライン共振器と、ノッチフィルタを形成する
一端が接地された第１の伝送線路部と一端が開放され第
１の伝送線路より特性インピーダンスが低い第２の伝送
線路部との縦続接続で構成され、第２の伝送線路と隣接
するバンドパスフィルタ用ストリップライン共振器の１
組の第２の伝送線路とが容量で結合した１組のノッチ用
ストリップライン共振器とを備えた構成となっている。
【００１２】この構成において、２組以上のストリップ
ライン共振器の第１の伝送線路どうしおよび第２の伝送
線路どうしをそれぞれ互いに電磁界結合させるととも
に、第２の伝送線路間を容量電極によって形成される容
量結合を用いバンドパスフィルタを構成している。さら
にバンドパスフィルタを構成している前記２組以上のス
トリップライン共振器に隣接するノッチ用ストリップラ
イン共振器による減衰極をバンドパスフィルタの通過帯
域の近傍に生じるように構成することによりフィルタの
通過帯域外の減衰特性を良くするように作用する。また
本発明の誘電体積層フィルタは請求項３において、ノッ
チフィルタによる減衰極を通過帯域近傍に設けることに
よりフィルタの減衰特性を良くしている。また本発明の
誘電体積層フィルタは請求項４において、ストリップラ
イン共振器の任意のいずれかまたは全部の第２の伝送線
路部を容量で接地し共振器長の短縮をはかっている。ま
た本発明の誘電体積層フィルタは請求項５において、ノ
ッチ用ストリップライン共振器の共振周波数を任意の周
波数にし、ノッチの周波数を通過帯域の上側または下側
にし帯域外の減衰特性を良くしている。
ライン共振器の第１の伝送線路どうしおよび第２の伝送
線路どうしをそれぞれ互いに電磁界結合させるととも
に、第２の伝送線路間を容量電極によって形成される容
量結合を用いバンドパスフィルタを構成している。さら
にバンドパスフィルタを構成している前記２組以上のス
トリップライン共振器に隣接するノッチ用ストリップラ
イン共振器による減衰極をバンドパスフィルタの通過帯
域の近傍に生じるように構成することによりフィルタの
通過帯域外の減衰特性を良くするように作用する。また
本発明の誘電体積層フィルタは請求項３において、ノッ
チフィルタによる減衰極を通過帯域近傍に設けることに
よりフィルタの減衰特性を良くしている。また本発明の
誘電体積層フィルタは請求項４において、ストリップラ
イン共振器の任意のいずれかまたは全部の第２の伝送線
路部を容量で接地し共振器長の短縮をはかっている。ま
た本発明の誘電体積層フィルタは請求項５において、ノ
ッチ用ストリップライン共振器の共振周波数を任意の周
波数にし、ノッチの周波数を通過帯域の上側または下側
にし帯域外の減衰特性を良くしている。
【００１３】また本発明の誘電体積層フィルタは請求項
６において、ノッチ用ストリップライン共振器を２組備
えた構成であり、この構成によりフィルタの通過帯域の
近傍にノッチによる複数の減衰極を生じさせることがで
き、通過帯域外の減衰量をさらに大きくすることができ
る。
６において、ノッチ用ストリップライン共振器を２組備
えた構成であり、この構成によりフィルタの通過帯域の
近傍にノッチによる複数の減衰極を生じさせることがで
き、通過帯域外の減衰量をさらに大きくすることができ
る。
【００１４】さらに本発明の誘電体積層フィルタは請求
項７、請求項８において、請求項６の構成で、ノッチ用
ストリップライン共振器の共振周波数を任意に設定する
ことにより通過帯域外の減衰特性を所望の特性にするこ
とができる構成であり、この構成により高性能な誘電体
積層フィルタを得ることができる。
項７、請求項８において、請求項６の構成で、ノッチ用
ストリップライン共振器の共振周波数を任意に設定する
ことにより通過帯域外の減衰特性を所望の特性にするこ
とができる構成であり、この構成により高性能な誘電体
積層フィルタを得ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。
面を参照して説明する。
【００１６】（実施の形態１）図１は本発明の実施の形
態１の誘電体積層フィルタの分解斜視図、図２は同じく
その等価回路図、図３はセラミックシートに印刷したノ
ッチ用を含むストリップライン共振器電極のパターン
図、図４はセラミックシートに印刷した容量電極パター
ン図、図５は通過特性図である。図１において、セラミ
ックシート１０ａ上にはストリップライン共振器電極１
１ａ，１１ｂおよびノッチ用ストリップライン共振器電
極１１ｃが形成され、セラミックシート１０ｂ上には容
量電極１２ａ，１２ｂ，１２ｃ、ローディング容量電極
１２ｄが形成されている。
態１の誘電体積層フィルタの分解斜視図、図２は同じく
その等価回路図、図３はセラミックシートに印刷したノ
ッチ用を含むストリップライン共振器電極のパターン
図、図４はセラミックシートに印刷した容量電極パター
ン図、図５は通過特性図である。図１において、セラミ
ックシート１０ａ上にはストリップライン共振器電極１
１ａ，１１ｂおよびノッチ用ストリップライン共振器電
極１１ｃが形成され、セラミックシート１０ｂ上には容
量電極１２ａ，１２ｂ，１２ｃ、ローディング容量電極
１２ｄが形成されている。
【００１７】従来技術と同様にストリップライン共振器
電極１１ａ，１１ｂは一端で共通接地電極１６を通じて
接地され、第１のストリップライン共振器電極１１ａ
は、特性インピーダンスが高い第１の伝送線路部１７ａ
と、一端が開放され特性インピーダンスが低い第２の伝
送線路部１８ａとの縦続接続で構成され、同じく第２の
ストリップライン共振器電極１１ｂは、特性インピーダ
ンスが高い第１の伝送線路部１７ｂと一端が開放され特
性インピーダンスが低い第２の伝送線路部１８ｂとの縦
続接続で構成されている。このような構成により全線路
長が４分の１波長より短いＳＩＲ(Stepped impedance R
esonator)構造となっている。
電極１１ａ，１１ｂは一端で共通接地電極１６を通じて
接地され、第１のストリップライン共振器電極１１ａ
は、特性インピーダンスが高い第１の伝送線路部１７ａ
と、一端が開放され特性インピーダンスが低い第２の伝
送線路部１８ａとの縦続接続で構成され、同じく第２の
ストリップライン共振器電極１１ｂは、特性インピーダ
ンスが高い第１の伝送線路部１７ｂと一端が開放され特
性インピーダンスが低い第２の伝送線路部１８ｂとの縦
続接続で構成されている。このような構成により全線路
長が４分の１波長より短いＳＩＲ(Stepped impedance R
esonator)構造となっている。
【００１８】第１の伝送線路１７ａ，１７ｂどうし、お
よび第２の伝送線路１８ａ，１８ｂどうしはそれぞれ互
いに電磁界結合している。また第２の伝送線路１８ａ，
１８ｂは容量電極１２ｂを介して容量結合している。第
１の伝送線路１７ａ，１７ｂの短絡端側は共通接地電極
１６を介して接地することにより、誘電体シートを切断
する際の切断誤差による共振周波数のばらつきを低減す
ることができる。
よび第２の伝送線路１８ａ，１８ｂどうしはそれぞれ互
いに電磁界結合している。また第２の伝送線路１８ａ，
１８ｂは容量電極１２ｂを介して容量結合している。第
１の伝送線路１７ａ，１７ｂの短絡端側は共通接地電極
１６を介して接地することにより、誘電体シートを切断
する際の切断誤差による共振周波数のばらつきを低減す
ることができる。
【００１９】ストリップライン共振器電極１１ａは、そ
の開放端側の伝送線路１８ａで容量電極１２ａとの間で
容量結合し、容量電極１２ａは入出力端子１４ａと接続
し、ストリップライン共振器電極１１ｂは、その開放端
側の伝送線路１８ｂで容量電極１２ｃとの間で容量結合
し、容量電極１２ｃは入出力端子１４ｂに接続されてい
る。
の開放端側の伝送線路１８ａで容量電極１２ａとの間で
容量結合し、容量電極１２ａは入出力端子１４ａと接続
し、ストリップライン共振器電極１１ｂは、その開放端
側の伝送線路１８ｂで容量電極１２ｃとの間で容量結合
し、容量電極１２ｃは入出力端子１４ｂに接続されてい
る。
【００２０】ストリップライン共振器電極１１ａ，１１
ｂは第２の伝送線路部１８ａ，１８ｂとローディング容
量電極１２ｄとの間に容量を形成している。このローデ
ィング容量によってストリップライン共振器電極１１
ａ，１１ｂの長さを短縮することができる。
ｂは第２の伝送線路部１８ａ，１８ｂとローディング容
量電極１２ｄとの間に容量を形成している。このローデ
ィング容量によってストリップライン共振器電極１１
ａ，１１ｂの長さを短縮することができる。
【００２１】本発明の誘電体積層フィルタが従来の技術
と異なる点は、共通接地電極１６から上記同様にノッチ
用ストリップライン共振器電極１１ｃが特性インピーダ
ンスが高い第１の伝送線路部１７ｃと、一端が開放され
特性インピーダンスが低い第２の伝送線路部１８ｃとの
縦続接続で構成されていることである。ノッチ用ストリ
ップライン共振器電極１１ｃは、その開放端側の第２の
伝送線路１８ｃで容量電極１２ｃを介して入出力端子１
４ｂと容量結合するとともにローディング容量電極１２
ｄとの間に容量を形成する。
と異なる点は、共通接地電極１６から上記同様にノッチ
用ストリップライン共振器電極１１ｃが特性インピーダ
ンスが高い第１の伝送線路部１７ｃと、一端が開放され
特性インピーダンスが低い第２の伝送線路部１８ｃとの
縦続接続で構成されていることである。ノッチ用ストリ
ップライン共振器電極１１ｃは、その開放端側の第２の
伝送線路１８ｃで容量電極１２ｃを介して入出力端子１
４ｂと容量結合するとともにローディング容量電極１２
ｄとの間に容量を形成する。
【００２２】誘電体シート１０ｃ，１０ｄ上にはそれぞ
れシールド電極１３ａ，１３ｂが形成されている。各シ
ールド電極１３ａ，１３ｂ、およびローディング容量電
極１２ｄ，共通接地電極１６は、側面電極で形成された
接地端子１５ａ，１５ｂにより接地される。電極保護の
ためのセラミックシート１０ｅと各電極を形成したセラ
ミックシート１０ｃ，１０ａ，１０ｂ，１０ｄとを図の
順に重ねて全体を積層化して一体焼成する。
れシールド電極１３ａ，１３ｂが形成されている。各シ
ールド電極１３ａ，１３ｂ、およびローディング容量電
極１２ｄ，共通接地電極１６は、側面電極で形成された
接地端子１５ａ，１５ｂにより接地される。電極保護の
ためのセラミックシート１０ｅと各電極を形成したセラ
ミックシート１０ｃ，１０ａ，１０ｂ，１０ｄとを図の
順に重ねて全体を積層化して一体焼成する。
【００２３】セラミックシートは誘電体材料として、た
とえばＢｉ−Ｃａ−Ｎｂ−Ｏ系のセラミックなどを厚さ
数十ミクロンに形成したグリーンシートを複数枚重ねて
必要な厚さにする。図１においてセラミックシート１０
ａは０．０５ｍｍ、１０ｂは０．４５ｍｍ、１０ｃは
０．５ｍｍ、１０ｄ，１０ｅはそれぞれ０．１ｍｍとし
た。電極パターンは銀、銅、金などの導電率の高い金属
ペーストで電極パターンを印刷する。
とえばＢｉ−Ｃａ−Ｎｂ−Ｏ系のセラミックなどを厚さ
数十ミクロンに形成したグリーンシートを複数枚重ねて
必要な厚さにする。図１においてセラミックシート１０
ａは０．０５ｍｍ、１０ｂは０．４５ｍｍ、１０ｃは
０．５ｍｍ、１０ｄ，１０ｅはそれぞれ０．１ｍｍとし
た。電極パターンは銀、銅、金などの導電率の高い金属
ペーストで電極パターンを印刷する。
【００２４】このような構成の誘電体積層フィルタの等
価回路図を図２に示す。図２において入力端子ＩＮは、
入出力容量Ｃｏを介して第１のストリップライン共振器
Ｌ１の開放端側に接続され、かつローディング容量ＣＬ
で接地されるとともに、段間結合容量Ｃｃで第２のスト
リップライン共振器Ｌ２の開放端側に接続されている。
この接続点もローディング容量ＣＬで接地されるととも
に入出力容量Ｃｏで出力端子ＯＵＴに接続されている。
この入出力容量Ｃｏの出力端子ＯＵＴ側にノッチ容量Ｃ
ｎを介してノッチ用共振器Ｎが接続されるとともにノッ
チ用ローディング容量ＣＬｎで接地されている。このノ
ッチ用ローディング容量ＣＬｎによってノッチ用ストリ
ップライン共振器電極の長さを短縮することができる。
価回路図を図２に示す。図２において入力端子ＩＮは、
入出力容量Ｃｏを介して第１のストリップライン共振器
Ｌ１の開放端側に接続され、かつローディング容量ＣＬ
で接地されるとともに、段間結合容量Ｃｃで第２のスト
リップライン共振器Ｌ２の開放端側に接続されている。
この接続点もローディング容量ＣＬで接地されるととも
に入出力容量Ｃｏで出力端子ＯＵＴに接続されている。
この入出力容量Ｃｏの出力端子ＯＵＴ側にノッチ容量Ｃ
ｎを介してノッチ用共振器Ｎが接続されるとともにノッ
チ用ローディング容量ＣＬｎで接地されている。このノ
ッチ用ローディング容量ＣＬｎによってノッチ用ストリ
ップライン共振器電極の長さを短縮することができる。
【００２５】図３のセラミックシート１０ａに印刷した
ノッチ用を含むストリップライン共振器電極のパター
ン、図４のセラミックシート１０ｂに印刷した容量電極
パターンともそれぞれ図示のような寸法に印刷した。図
４中の破線でノッチ用を含むストリップライン共振器電
極のパターンを示した。
ノッチ用を含むストリップライン共振器電極のパター
ン、図４のセラミックシート１０ｂに印刷した容量電極
パターンともそれぞれ図示のような寸法に印刷した。図
４中の破線でノッチ用を含むストリップライン共振器電
極のパターンを示した。
【００２６】上記のような条件で試作した結果、入出力
容量Ｃｏは３．４ｐＦ、段間結合容量Ｃｃは０．９ｐ
Ｆ、ローディング容量ＣＬは２．２ｐＦ、ノッチ容量Ｃ
ｎは１．８ｐＦ、ノッチ用ローディング容量ＣＬｎは
２．２ｐＦとなった。
容量Ｃｏは３．４ｐＦ、段間結合容量Ｃｃは０．９ｐ
Ｆ、ローディング容量ＣＬは２．２ｐＦ、ノッチ容量Ｃ
ｎは１．８ｐＦ、ノッチ用ローディング容量ＣＬｎは
２．２ｐＦとなった。
【００２７】図３では３個のストリップライン共振器の
パターンは同一寸法であるが、ノッチ容量Ｃｎが直列に
介在することによってノッチ用ストリップライン共振器
の共振周波数をバンドパスフィルタの通過帯域から低い
方へずらし、結果としてノッチの減衰極によって誘電体
積層フィルタの帯域外の減衰量をさらに大きくすること
ができる。
パターンは同一寸法であるが、ノッチ容量Ｃｎが直列に
介在することによってノッチ用ストリップライン共振器
の共振周波数をバンドパスフィルタの通過帯域から低い
方へずらし、結果としてノッチの減衰極によって誘電体
積層フィルタの帯域外の減衰量をさらに大きくすること
ができる。
【００２８】図５は上記実施形態の誘電体積層フィルタ
の通過特性図である。従来例の図１５に比べて図５にお
いては１，６００ＭＨｚ付近のノッチによる減衰極のデ
ィップが大きく、ノッチ回路の効果が生じているのが分
かる。ｆ0 の１，８７０ＭＨｚの点でのロスは２．７ｄ
Ｂ、バンドパスフィルタの有極による減衰極は１，５０
２ＭＨｚ、ノッチによる減衰極が１，５７２ＭＨｚであ
った。
の通過特性図である。従来例の図１５に比べて図５にお
いては１，６００ＭＨｚ付近のノッチによる減衰極のデ
ィップが大きく、ノッチ回路の効果が生じているのが分
かる。ｆ0 の１，８７０ＭＨｚの点でのロスは２．７ｄ
Ｂ、バンドパスフィルタの有極による減衰極は１，５０
２ＭＨｚ、ノッチによる減衰極が１，５７２ＭＨｚであ
った。
【００２９】上記のように本実施形態によれば、第１の
ストリップライン共振器電極１１ａと第２のストリップ
ライン共振器電極１１ｂとによる２段のバンドパスフィ
ルタにノッチ用ストリップライン共振器電極１１ｃを加
え、このノッチ用ストリップライン共振器の減衰極をフ
ィルタの減衰極に近づけることによって従来の誘電体積
層フィルタでの有極による減衰に比べ、より急峻で大き
な減衰特性の得られる誘電体積層フィルタを得ることが
できる。
ストリップライン共振器電極１１ａと第２のストリップ
ライン共振器電極１１ｂとによる２段のバンドパスフィ
ルタにノッチ用ストリップライン共振器電極１１ｃを加
え、このノッチ用ストリップライン共振器の減衰極をフ
ィルタの減衰極に近づけることによって従来の誘電体積
層フィルタでの有極による減衰に比べ、より急峻で大き
な減衰特性の得られる誘電体積層フィルタを得ることが
できる。
【００３０】（実施の形態２）図６に本発明の実施の形
態２の誘電体積層フィルタの等価回路図、図７にその通
過特性図を示す。図６において、実施の形態１の等価回
路図の図２に比べて異なる点はノッチ用ローディング容
量ＣＬｎがないことで、ノッチ用共振器Ｎのパターン形
状及びローディング容量ＣＬｎによってノッチ用共振器
Ｎの減衰極の周波数を任意に制御できる。これにより図
７に示すように通過帯域外の高い周波数側になるように
変えることが可能となり、第１および第２のストリップ
ライン共振器Ｌ１，Ｌ２によるバンドパスフィルタの減
衰極とノッチ用ストリップライン共振器Ｎによる減衰極
とを通過帯域の下側と上側に設けることができ、ノッチ
用ストリップライン共振器の減衰極の周波数を調整する
のみでバンドパスフィルタの通過域の高域側にも減衰極
を形成できる。これにより簡単な構造でフィルタの通過
帯域の両側に減衰極を形成でき通過帯域外の減衰特性を
さらに良くすることができる。
態２の誘電体積層フィルタの等価回路図、図７にその通
過特性図を示す。図６において、実施の形態１の等価回
路図の図２に比べて異なる点はノッチ用ローディング容
量ＣＬｎがないことで、ノッチ用共振器Ｎのパターン形
状及びローディング容量ＣＬｎによってノッチ用共振器
Ｎの減衰極の周波数を任意に制御できる。これにより図
７に示すように通過帯域外の高い周波数側になるように
変えることが可能となり、第１および第２のストリップ
ライン共振器Ｌ１，Ｌ２によるバンドパスフィルタの減
衰極とノッチ用ストリップライン共振器Ｎによる減衰極
とを通過帯域の下側と上側に設けることができ、ノッチ
用ストリップライン共振器の減衰極の周波数を調整する
のみでバンドパスフィルタの通過域の高域側にも減衰極
を形成できる。これにより簡単な構造でフィルタの通過
帯域の両側に減衰極を形成でき通過帯域外の減衰特性を
さらに良くすることができる。
【００３１】（実施の形態３）図８に本発明の実施の形
態３の誘電体積層フィルタの分解斜視図、図９に本発明
の実施の形態３の誘電体積層フィルタの等価回路図、図
１０にその通過特性図を示す。図９において、実施の形
態２の等価回路図の図６の入力端子ＩＮに、さらに第２
のノッチ用ストリップライン共振器Ｎ２を加えたもの
で、第１のノッチ用ストリップライン共振器Ｎ１よりさ
らに高い周波数で共振させることによって図１０のよう
に通過帯域より高い周波数における減衰量をさらに大き
くすることができる。
態３の誘電体積層フィルタの分解斜視図、図９に本発明
の実施の形態３の誘電体積層フィルタの等価回路図、図
１０にその通過特性図を示す。図９において、実施の形
態２の等価回路図の図６の入力端子ＩＮに、さらに第２
のノッチ用ストリップライン共振器Ｎ２を加えたもの
で、第１のノッチ用ストリップライン共振器Ｎ１よりさ
らに高い周波数で共振させることによって図１０のよう
に通過帯域より高い周波数における減衰量をさらに大き
くすることができる。
【００３２】（実施の形態４）図１１に本発明の実施の
形態４の誘電体積層フィルタの等価回路図、図１２にそ
の通過特性図を示す。図１１において、実施の形態１の
等価回路図の図２の入力端子ＩＮに、さらに第２のノッ
チ用ストリップライン共振器Ｎ２を加えたもので、第１
のノッチ用ストリップライン共振器Ｎ１はノッチ用ロー
ディング容量ＣＬｎによって実施の形態１と同じく通過
帯域より低い周波数側に減衰極を有し、第２のノッチ用
ストリップライン共振器Ｎ２は通過帯域より高い周波数
側に減衰極を有するので図１２のように通過帯域の上下
における減衰量をさらに大きくすることができる。
形態４の誘電体積層フィルタの等価回路図、図１２にそ
の通過特性図を示す。図１１において、実施の形態１の
等価回路図の図２の入力端子ＩＮに、さらに第２のノッ
チ用ストリップライン共振器Ｎ２を加えたもので、第１
のノッチ用ストリップライン共振器Ｎ１はノッチ用ロー
ディング容量ＣＬｎによって実施の形態１と同じく通過
帯域より低い周波数側に減衰極を有し、第２のノッチ用
ストリップライン共振器Ｎ２は通過帯域より高い周波数
側に減衰極を有するので図１２のように通過帯域の上下
における減衰量をさらに大きくすることができる。
【００３３】以上のように上記実施の形態２のバンドパ
スフィルタによる減衰極と異なる側にノッチによる減衰
極を設けたり、また実施の形態３および４のようにノッ
チ用ストリップライン共振器の数を増やすことによって
通過帯域外の減衰特性をさらに良くすることができる。
スフィルタによる減衰極と異なる側にノッチによる減衰
極を設けたり、また実施の形態３および４のようにノッ
チ用ストリップライン共振器の数を増やすことによって
通過帯域外の減衰特性をさらに良くすることができる。
【００３４】上記各実施形態からもわかるようにノッチ
用ストリップライン共振器は必要に応じて個々にローデ
ィング容量を負荷するか否かを任意に決めればよく、ま
た例示していないがバンドパスフィルタを形成する２組
以上のストリップライン共振器も同様である。
用ストリップライン共振器は必要に応じて個々にローデ
ィング容量を負荷するか否かを任意に決めればよく、ま
た例示していないがバンドパスフィルタを形成する２組
以上のストリップライン共振器も同様である。
【００３５】なおバンドパスフィルタを形成するストリ
ップライン共振器は２組の場合を例示したが、３組以上
を備えていても差し支えない。同じくノッチ用ストリッ
プライン共振器も必要に応じて２組以上備えていてもよ
い。また各実施形態に例示のものの数値、材質、加工条
件、パターンの形状等は一例であり、これに限定される
ものではない。
ップライン共振器は２組の場合を例示したが、３組以上
を備えていても差し支えない。同じくノッチ用ストリッ
プライン共振器も必要に応じて２組以上備えていてもよ
い。また各実施形態に例示のものの数値、材質、加工条
件、パターンの形状等は一例であり、これに限定される
ものではない。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明の誘電体積層
フィルタによれば、請求項１の構成によって、誘電体積
層フィルタ内にバンドパスフィルタとノッチフィルタを
設け通過帯域外の減衰特性を改善している。請求項２の
ようなストリップラインの構成を用いることにより容易
に実現できる。請求項３によってノッチ用ストリップラ
イン共振器による減衰極をバンドパスフィルタの通過帯
域の近傍に設け、フィルタの通過帯域の損失を増やすこ
となく通過帯域外の減衰特性を良くすることができる。
フィルタによれば、請求項１の構成によって、誘電体積
層フィルタ内にバンドパスフィルタとノッチフィルタを
設け通過帯域外の減衰特性を改善している。請求項２の
ようなストリップラインの構成を用いることにより容易
に実現できる。請求項３によってノッチ用ストリップラ
イン共振器による減衰極をバンドパスフィルタの通過帯
域の近傍に設け、フィルタの通過帯域の損失を増やすこ
となく通過帯域外の減衰特性を良くすることができる。
【００３７】また本発明の誘電体積層フィルタは請求項
４の構成によって共振器長を変えることなくフィルタの
共振周波数を下げることができる。
４の構成によって共振器長を変えることなくフィルタの
共振周波数を下げることができる。
【００３８】また本発明の誘電体積層フィルタは請求項
５のようにノッチ用ストリップライン共振器の共振周波
数を制御することにより所望の周波数に容易に減衰極を
入れることが出来る。
５のようにノッチ用ストリップライン共振器の共振周波
数を制御することにより所望の周波数に容易に減衰極を
入れることが出来る。
【００３９】また本発明の誘電体積層フィルタは請求項
６のようにノッチ用ストリップライン共振器を２本設け
ることによりさらに減衰特性の優れた誘電体積層フィル
タを構成できる。
６のようにノッチ用ストリップライン共振器を２本設け
ることによりさらに減衰特性の優れた誘電体積層フィル
タを構成できる。
【００４０】また請求項７または請求項８のようにノッ
チ用ストリップライン共振器を２本備えることによって
フィルタの通過帯域の近傍にノッチによる複数の減衰極
を生じさせることができ、通過帯域外の減衰特性を良く
することができる。
チ用ストリップライン共振器を２本備えることによって
フィルタの通過帯域の近傍にノッチによる複数の減衰極
を生じさせることができ、通過帯域外の減衰特性を良く
することができる。
【００４１】このように本発明によれば簡単な構造で減
衰特性の良い誘電体積層フィルタを提供することが出来
る。
衰特性の良い誘電体積層フィルタを提供することが出来
る。
【図１】本発明の実施の形態１の誘電体積層フィルタの
分解斜視図
分解斜視図
【図２】同じくその等価回路図
【図３】同じくセラミックシートに印刷したノッチ用を
含むストリップライン共振器電極のパターン図
含むストリップライン共振器電極のパターン図
【図４】同じくセラミックシートに印刷した容量電極パ
ターン図
ターン図
【図５】同じく誘電体積層フィルタの通過特性図
【図６】本発明の実施の形態２の誘電体積層フィルタの
等価回路図
等価回路図
【図７】本発明の実施の形態２の誘電体積層フィルタの
通過特性図
通過特性図
【図８】本発明の実施の形態３の誘電体積層フィルタの
分解斜視図
分解斜視図
【図９】実施の形態３の等価回路図
【図１０】実施の形態３の通過特性図
【図１１】本発明の実施の形態４の誘電体積層フィルタ
の等価回路図
の等価回路図
【図１２】本発明の実施の形態４の誘電体積層フィルタ
の通過特性図
の通過特性図
【図１３】従来の誘電体積層フィルタの分解斜視図
【図１４】同じくその等価回路図
【図１５】同じくその通過特性図
１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ セラミック
シート １１ａ，１１ｂ ストリップライン共振器電極 １１ｃ，１１ｄ ノッチ用ストリップライン共振器電
極 １２ａ，１２ｂ，１２ｃ 容量電極 １２ｄ ローディング容量電極 １３ａ，１３ｂ シールド電極 １４ａ，１４ｂ 入出力端子 １５ａ，１５ｂ 接地端子 １６ 共通接地電極 １７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ 第１の伝送線路部 １８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ 第２の伝送線路部 Ｃｏ 入出力容量 Ｃｃ 段間結合容量 ＣＬ ローディング容量 Ｃｎ ノッチ容量 ＣＬｎ ノッチ用ローディング容量 Ｌ１ 第１のフィルタ用のストリップライン共振器 Ｌ２ 第２のフィルタ用のストリップライン共振器 Ｎ ノッチ用ストリップライン共振器 Ｎ１ 第１のノッチ用ストリップライン共振器 Ｎ２ 第２のノッチ用ストリップライン共振器
シート １１ａ，１１ｂ ストリップライン共振器電極 １１ｃ，１１ｄ ノッチ用ストリップライン共振器電
極 １２ａ，１２ｂ，１２ｃ 容量電極 １２ｄ ローディング容量電極 １３ａ，１３ｂ シールド電極 １４ａ，１４ｂ 入出力端子 １５ａ，１５ｂ 接地端子 １６ 共通接地電極 １７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ 第１の伝送線路部 １８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ 第２の伝送線路部 Ｃｏ 入出力容量 Ｃｃ 段間結合容量 ＣＬ ローディング容量 Ｃｎ ノッチ容量 ＣＬｎ ノッチ用ローディング容量 Ｌ１ 第１のフィルタ用のストリップライン共振器 Ｌ２ 第２のフィルタ用のストリップライン共振器 Ｎ ノッチ用ストリップライン共振器 Ｎ１ 第１のノッチ用ストリップライン共振器 Ｎ２ 第２のノッチ用ストリップライン共振器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中久保 英明 京都府綴喜郡田辺町大字大住小字浜55番12 号 松下日東電器株式会社内 (72)発明者 藤川 誠 京都府綴喜郡田辺町大字大住小字浜55番12 号 松下日東電器株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 誘電体積層フィルタ内に、バンドパスフ
ィルタを構成する共振器と、ノッチフィルタを構成する
ノッチ共振器とが設けられ、前記バンドパスフィルタの
目標とする帯域外減衰特性は、前記ノッチフィルタによ
る減衰極により得られていることを特徴とする誘電体積
層フィルタ。 - 【請求項２】 一端が接地された第１の伝送線路部と、
一端が開放され前記第１の伝送線路部より特性インピー
ダンスが低い第２の伝送線路部との縦続接続で構成され
た、２組以上のストリップライン共振器を備え、前記第
１の伝送線路どうしおよび前記第２の伝送線路どうしを
それぞれ互いに電磁界結合させるとともに、隣接する前
記第２の伝送線路間を容量で結合しバンドパスフィルタ
を構成し、また、 一端が接地された別の第１の伝送線路部と、一端が開放
され前記別の第１の伝送線路より特性インピーダンスが
低い別の第２の伝送線路部との縦続接続で構成されたノ
ッチフィルタを構成する１組のノッチ用ストリップライ
ン共振器を備え、 前記ノッチ用ストリップライン共振器の第２の伝送線路
と、前記バンドパスフィルタを構成する２組以上のスト
リップライン共振器の１組の第２の伝送線路とが容量で
結合していることを特徴とする誘電体積層フィルタ。 - 【請求項３】 前記ノッチ用ストリップライン共振器の
減衰極を前記２組以上のストリップライン共振器からな
るバンドパスフィルタの通過帯域の近傍に生じるように
構成したことを特徴とする請求項１又は２記載の誘電体
積層フィルタ。 - 【請求項４】 前記２組以上のストリップライン共振器
と前記ノッチ用ストリップライン共振器の任意のいずれ
かまたはすべての第２の伝送線路部は、容量で接地され
ていることを特徴とする請求項２に記載の誘電体積層フ
ィルタ。 - 【請求項５】 前記ノッチ用ストリップライン共振器に
よる減衰極を、前記２組以上のストリップライン共振器
からなるバンドパスフィルタの通過帯域の高域側もしく
は低域側に設けたことを特徴とする請求項２に記載の誘
電体積層フィルタ。 - 【請求項６】 一端が接地された第１の伝送線路部と、
一端が開放され前記第１の伝送線路部より特性インピー
ダンスが低い第２の伝送線路部との縦続接続で構成され
た２組以上のストリップライン共振器を備え、前記第１
の伝送線路どうしおよび前記第２の伝送線路どうしをそ
れぞれ互いに電磁界結合させるとともに、隣接する前記
第２の伝送線路間を容量で結合しバンドパスフィルタを
構成し、 一端が接地された別の第１の伝送線路部と、一端が開放
され前記別の第１の伝送線路より特性インピーダンスが
低い別の第２の伝送線路部との縦続接続で構成されたノ
ッチフィルタを構成する２組のノッチ用ストリップライ
ン共振器とを備えたことを特徴とする誘電体積層フィル
タ。 - 【請求項７】 前記２組のノッチ用ストリップライン共
振器を前記２組以上のストリップライン共振器にそれぞ
れ隣接して備え、前記一方のノッチ用ストリップライン
共振器は、前記２組以上のストリップライン共振器から
なるフィルタの通過帯域の低域側に減衰極を設け、もう
一方は、高域側に減衰極を設けたことを特徴とする請求
項６に記載の誘電体積層フィルタ。 - 【請求項８】 前記２組のノッチ用ストリップライン共
振器を前記２組以上のストリップライン共振器にそれぞ
れ隣接して備え、前記ノッチ用ストリップライン共振器
による減衰極を、前記２組以上のストリップライン共振
器からなるフィルタの通過帯域の低域側に設け、若しく
は、高域側に減衰極を設けたことを特徴とする請求項６
に記載の誘電体積層フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9993397A JPH10290103A (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 誘電体積層フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9993397A JPH10290103A (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 誘電体積層フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10290103A true JPH10290103A (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=14260540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9993397A Pending JPH10290103A (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 誘電体積層フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10290103A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100313717B1 (ko) * | 1999-09-13 | 2001-11-15 | 최춘권 | 대칭적인 감쇄극 특성을 갖는 유전체 공진기형 대역 통과 필터 |
| JP2002252330A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波直列容量素子およびこれを用いた高域通過フィルタ |
| US6696903B1 (en) | 1999-08-05 | 2004-02-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laminated dielectric filter, and antenna duplexer and communication equipment using the same |
| JP2019117970A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-18 | Tdk株式会社 | バンドパスフィルタ |
| JP2019117971A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-18 | Tdk株式会社 | バンドパスフィルタ |
| JP2020155836A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | Tdk株式会社 | 積層型フィルタ装置 |
-
1997
- 1997-04-17 JP JP9993397A patent/JPH10290103A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6696903B1 (en) | 1999-08-05 | 2004-02-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laminated dielectric filter, and antenna duplexer and communication equipment using the same |
| KR100313717B1 (ko) * | 1999-09-13 | 2001-11-15 | 최춘권 | 대칭적인 감쇄극 특성을 갖는 유전체 공진기형 대역 통과 필터 |
| JP2002252330A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波直列容量素子およびこれを用いた高域通過フィルタ |
| JP2019117970A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-18 | Tdk株式会社 | バンドパスフィルタ |
| JP2019117971A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-18 | Tdk株式会社 | バンドパスフィルタ |
| JP2020155836A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | Tdk株式会社 | 積層型フィルタ装置 |
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