JPH10283853A - セミリジッド同軸ケーブルおよびその製造方法 - Google Patents
セミリジッド同軸ケーブルおよびその製造方法Info
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- JPH10283853A JPH10283853A JP9102669A JP10266997A JPH10283853A JP H10283853 A JPH10283853 A JP H10283853A JP 9102669 A JP9102669 A JP 9102669A JP 10266997 A JP10266997 A JP 10266997A JP H10283853 A JPH10283853 A JP H10283853A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リフロー炉を通した時に，端末部での絶縁体
の突き出しや外部導体のクラックの発生を防止すること
ができ、めっきによる外部導体の形成が良好にでき、ま
た細径化が可能なセミリジッド同軸ケーブルおよびその
製造方法を提供する。 【解決手段】 中心導体１の外周に多孔質あるいは発泡
絶縁層２ａ，及び充実絶縁層２ｂを順次設け２層構造の
絶縁体２とすることにより、該絶縁体２の一部に多孔質
体あるいは発泡体を含み、且つ、該絶縁体最表面を充実
体にできる。次に前記絶縁体２の外周に、外部導体３と
して，無電解めっきによりアンカー金属層３ａを形成し
た後、電気めっきにより良導電性金属層３ｂを形成して
セミリジッド同軸ケーブル５とする。
の突き出しや外部導体のクラックの発生を防止すること
ができ、めっきによる外部導体の形成が良好にでき、ま
た細径化が可能なセミリジッド同軸ケーブルおよびその
製造方法を提供する。 【解決手段】 中心導体１の外周に多孔質あるいは発泡
絶縁層２ａ，及び充実絶縁層２ｂを順次設け２層構造の
絶縁体２とすることにより、該絶縁体２の一部に多孔質
体あるいは発泡体を含み、且つ、該絶縁体最表面を充実
体にできる。次に前記絶縁体２の外周に、外部導体３と
して，無電解めっきによりアンカー金属層３ａを形成し
た後、電気めっきにより良導電性金属層３ｂを形成して
セミリジッド同軸ケーブル５とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、同軸ケーブルおよびそ
の製造方法に関し、特に小型電子機器の高周波伝送路に
好適な，外部導体をめっきにより形成させたセミリジッ
ド同軸ケーブルおよびその製造方法に関する。
の製造方法に関し、特に小型電子機器の高周波伝送路に
好適な，外部導体をめっきにより形成させたセミリジッ
ド同軸ケーブルおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近時、携帯電話に代表される民生機器等
の高周波回路基板、高周波部品間の伝送線路としてセミ
リジッド同軸ケーブルが広く採用されるようになり、基
板へのはんだ付け作業に於いても、従来のはんだゴテに
よる手作業から自動化が可能なリフローはんだ付け炉
（以下リフロー炉と略記する）に変わりつつある。
の高周波回路基板、高周波部品間の伝送線路としてセミ
リジッド同軸ケーブルが広く採用されるようになり、基
板へのはんだ付け作業に於いても、従来のはんだゴテに
よる手作業から自動化が可能なリフローはんだ付け炉
（以下リフロー炉と略記する）に変わりつつある。
【０００３】従来より公知のセミリジッド同軸ケーブル
としては、銀めっき銅被覆鋼線からなる中心導体の外周
に充実絶縁体、例えばポリテトラフルオロエチレン（Ｐ
ＴＦＥ）をペースト押出しにより形成し、その外周に銅
等の良導電性金属パイプを封入し、ダイスにより引き抜
き加工を施し、絶縁体と密着させて外部導体を形成させ
たセミリジッド同軸ケーブル（以下、パイプ引抜セミリ
ジッド同軸ケーブルと略記する）がある。
としては、銀めっき銅被覆鋼線からなる中心導体の外周
に充実絶縁体、例えばポリテトラフルオロエチレン（Ｐ
ＴＦＥ）をペースト押出しにより形成し、その外周に銅
等の良導電性金属パイプを封入し、ダイスにより引き抜
き加工を施し、絶縁体と密着させて外部導体を形成させ
たセミリジッド同軸ケーブル（以下、パイプ引抜セミリ
ジッド同軸ケーブルと略記する）がある。
【０００４】また、前記良導電性金属パイプの引き抜き
加工の代わりに、外部導体をめっきにより形成させたセ
ミリジッド同軸ケーブル（以下、めっき形成セミリジッ
ド同軸ケーブルと略記する）もある。例えば、外部導体
にアンカー金属層からなる無電解めっきと、電気めっき
を併用させた特開平６−１８７８４７号の同軸ケーブル
の製造方法は、電気めっき厚さを容易にコントロールで
き細径化が可能であるため、軽薄・短小化の要求には好
適である。
加工の代わりに、外部導体をめっきにより形成させたセ
ミリジッド同軸ケーブル（以下、めっき形成セミリジッ
ド同軸ケーブルと略記する）もある。例えば、外部導体
にアンカー金属層からなる無電解めっきと、電気めっき
を併用させた特開平６−１８７８４７号の同軸ケーブル
の製造方法は、電気めっき厚さを容易にコントロールで
き細径化が可能であるため、軽薄・短小化の要求には好
適である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記パイプ引抜セミリ
ジッド同軸ケーブルは、リフロー炉を通した時、引き抜
き加工で生じた外部導体の歪みや絶縁体へのストレス、
または外部導体と絶縁体との熱膨張の違いにより、端末
部では絶縁体が突き出したり、外部導体にクラックが生
じ易くなり、それにより電圧定在波比の悪化やシールド
効果の低下を招来するという欠点を有している。そのた
め、外部導体厚さを必要以上に厚く（例えば１５０μ
ｍ）することで外部導体のクラックや絶縁体の突き出し
を抑制しており、軽薄・短小化の要求に答えられないと
いう問題があった。
ジッド同軸ケーブルは、リフロー炉を通した時、引き抜
き加工で生じた外部導体の歪みや絶縁体へのストレス、
または外部導体と絶縁体との熱膨張の違いにより、端末
部では絶縁体が突き出したり、外部導体にクラックが生
じ易くなり、それにより電圧定在波比の悪化やシールド
効果の低下を招来するという欠点を有している。そのた
め、外部導体厚さを必要以上に厚く（例えば１５０μ
ｍ）することで外部導体のクラックや絶縁体の突き出し
を抑制しており、軽薄・短小化の要求に答えられないと
いう問題があった。
【０００６】一方、前記めっき形成セミリジッド同軸ケ
ーブルに於いては、通常，絶縁体としてフッ素系樹脂の
充実体を用いているので、リフロー炉を通した時、前記
パイプ引抜セミリジッド同軸ケーブル程ではないが、端
末部では絶縁体が突き出したり、外部導体にクラックが
生じてしまうという問題があった。また、絶縁層の最表
面に多孔質体あるいは発泡体がある場合は、めっきによ
る外部導体の形成時、無電解めっき工程に於いてめっき
溶液が絶縁体内部までしみ込むため、アンカー金属層の
形成が困難であるという問題があった。
ーブルに於いては、通常，絶縁体としてフッ素系樹脂の
充実体を用いているので、リフロー炉を通した時、前記
パイプ引抜セミリジッド同軸ケーブル程ではないが、端
末部では絶縁体が突き出したり、外部導体にクラックが
生じてしまうという問題があった。また、絶縁層の最表
面に多孔質体あるいは発泡体がある場合は、めっきによ
る外部導体の形成時、無電解めっき工程に於いてめっき
溶液が絶縁体内部までしみ込むため、アンカー金属層の
形成が困難であるという問題があった。
【０００７】本発明は、上記従来技術が有する各種問題
点を解決するためになされたもので、リフロー炉を通し
た時に，端末部での絶縁体の突き出しや外部導体のクラ
ックの発生を防止することができ、めっきによる外部導
体の形成が良好にでき、また細径化が可能なセミリジッ
ド同軸ケーブルおよびその製造方法を提供することを目
的とする。
点を解決するためになされたもので、リフロー炉を通し
た時に，端末部での絶縁体の突き出しや外部導体のクラ
ックの発生を防止することができ、めっきによる外部導
体の形成が良好にでき、また細径化が可能なセミリジッ
ド同軸ケーブルおよびその製造方法を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の観点として本発明は、中心導体の外周に絶縁
体，及びめっきにより形成した外部導体を順次設けてな
る同軸ケーブルであって、前記絶縁体は、該絶縁体の一
部に多孔質体あるいは発泡体を含み、且つ、該絶縁体最
表面が充実体であるフッ素系樹脂絶縁体であり、また前
記外部導体は無電解めっきにより形成したアンカー金属
層と電気めっきにより形成した良導電性金属層からなる
セミリジッド同軸ケーブルにある。
に、第１の観点として本発明は、中心導体の外周に絶縁
体，及びめっきにより形成した外部導体を順次設けてな
る同軸ケーブルであって、前記絶縁体は、該絶縁体の一
部に多孔質体あるいは発泡体を含み、且つ、該絶縁体最
表面が充実体であるフッ素系樹脂絶縁体であり、また前
記外部導体は無電解めっきにより形成したアンカー金属
層と電気めっきにより形成した良導電性金属層からなる
セミリジッド同軸ケーブルにある。
【０００９】第２の観点として本発明は、前記フッ素系
樹脂絶縁体は、多孔質あるいは発泡絶縁層，及び充実絶
縁層を順次設けた２層構造の絶縁体であるセミリジッド
同軸ケーブルにある。
樹脂絶縁体は、多孔質あるいは発泡絶縁層，及び充実絶
縁層を順次設けた２層構造の絶縁体であるセミリジッド
同軸ケーブルにある。
【００１０】第３の観点として本発明は、前記フッ素系
樹脂絶縁体は、充実絶縁層，多孔質あるいは発泡絶縁
層，及び充実絶縁層を順次設けた３層構造の絶縁体であ
るセミリジッド同軸ケーブルにある。
樹脂絶縁体は、充実絶縁層，多孔質あるいは発泡絶縁
層，及び充実絶縁層を順次設けた３層構造の絶縁体であ
るセミリジッド同軸ケーブルにある。
【００１１】第４の観点として本発明は、中心導体の外
周にフッ素系樹脂の多孔質テープを巻回するテープ巻工
程により多孔質絶縁層を設け、次にこの多孔質絶縁層の
外周にフッソ系樹脂を溶融押出しする溶融押出し工程に
より充実絶縁層を設けて２層構造の絶縁体とし、次に該
絶縁体の外周に無電解めっき工程によりアンカー金属層
を形成した後，このアンカー金属層の外周に電気めっき
工程により良導電性金属層を形成して外部導体とするセ
ミリジッド同軸ケーブルの製造方法にある。
周にフッ素系樹脂の多孔質テープを巻回するテープ巻工
程により多孔質絶縁層を設け、次にこの多孔質絶縁層の
外周にフッソ系樹脂を溶融押出しする溶融押出し工程に
より充実絶縁層を設けて２層構造の絶縁体とし、次に該
絶縁体の外周に無電解めっき工程によりアンカー金属層
を形成した後，このアンカー金属層の外周に電気めっき
工程により良導電性金属層を形成して外部導体とするセ
ミリジッド同軸ケーブルの製造方法にある。
【００１２】第５の観点として本発明は、中心導体の外
周にフッ素系樹脂を未焼結ペースト押出しする未焼結ペ
ースト押出し工程により多孔質絶縁層を設け、次にこの
多孔質絶縁層の外周にフッソ系樹脂を溶融押出しする溶
融押出し工程により充実絶縁層を設けて２層構造の絶縁
体とし、次に該絶縁体の外周に無電解めっき工程により
アンカー金属層を形成した後，このアンカー金属層の外
周に電気めっき工程により良導電性金属層を形成して外
部導体とするセミリジッド同軸ケーブルの製造方法にあ
る。
周にフッ素系樹脂を未焼結ペースト押出しする未焼結ペ
ースト押出し工程により多孔質絶縁層を設け、次にこの
多孔質絶縁層の外周にフッソ系樹脂を溶融押出しする溶
融押出し工程により充実絶縁層を設けて２層構造の絶縁
体とし、次に該絶縁体の外周に無電解めっき工程により
アンカー金属層を形成した後，このアンカー金属層の外
周に電気めっき工程により良導電性金属層を形成して外
部導体とするセミリジッド同軸ケーブルの製造方法にあ
る。
【００１３】第６の観点として本発明は、中心導体の外
周にフッソ系樹脂を溶融押出しする際、ガスを混入させ
発泡させる発泡押出し工程により発泡絶縁層を設け、次
にこの発泡絶縁層の外周にフッソ系樹脂を溶融押出しす
る溶融押出し工程により充実絶縁層を設けて２層構造の
絶縁体とし、次に該絶縁体の外周に無電解めっき工程に
よりアンカー金属層を形成した後，このアンカー金属層
の外周に電気めっき工程により良導電性金属層を形成し
て外部導体とするセミリジッド同軸ケーブルの製造方法
にある。
周にフッソ系樹脂を溶融押出しする際、ガスを混入させ
発泡させる発泡押出し工程により発泡絶縁層を設け、次
にこの発泡絶縁層の外周にフッソ系樹脂を溶融押出しす
る溶融押出し工程により充実絶縁層を設けて２層構造の
絶縁体とし、次に該絶縁体の外周に無電解めっき工程に
よりアンカー金属層を形成した後，このアンカー金属層
の外周に電気めっき工程により良導電性金属層を形成し
て外部導体とするセミリジッド同軸ケーブルの製造方法
にある。
【００１４】第７の観点として本発明は、中心導体の外
周にフッソ系樹脂を溶融押出しする溶融押出し工程によ
り充実絶縁層を設け、次にこの充実絶縁層の外周にフッ
素系樹脂の多孔質テープを巻回するテープ巻工程により
多孔質絶縁層を設け、次にこの多孔質絶縁層の外周にフ
ッソ系樹脂を溶融押出しする溶融押出し工程により充実
絶縁層を設けて３層構造の絶縁体とし、次に該絶縁体の
外周に無電解めっき工程によりアンカー金属層を形成し
た後，このアンカー金属層の外周に電気めっき工程によ
り良導電性金属層を形成して外部導体とするセミリジッ
ド同軸ケーブルの製造方法にある。
周にフッソ系樹脂を溶融押出しする溶融押出し工程によ
り充実絶縁層を設け、次にこの充実絶縁層の外周にフッ
素系樹脂の多孔質テープを巻回するテープ巻工程により
多孔質絶縁層を設け、次にこの多孔質絶縁層の外周にフ
ッソ系樹脂を溶融押出しする溶融押出し工程により充実
絶縁層を設けて３層構造の絶縁体とし、次に該絶縁体の
外周に無電解めっき工程によりアンカー金属層を形成し
た後，このアンカー金属層の外周に電気めっき工程によ
り良導電性金属層を形成して外部導体とするセミリジッ
ド同軸ケーブルの製造方法にある。
【００１５】第８の観点として本発明は、中心導体の外
周にフッソ系樹脂を溶融押出しする溶融押出し工程によ
り充実絶縁層を設け、次にこの充実絶縁層の外周にフッ
素系樹脂を未焼結ペースト押出しする未焼結ペースト押
出し工程により多孔質絶縁層を設け、次にこの多孔質絶
縁層の外周にフッソ系樹脂を溶融押出しする溶融押出し
工程により充実絶縁層を設けて３層構造の絶縁体とし、
次に該絶縁体の外周に無電解めっき工程によりアンカー
金属層を形成した後，このアンカー金属層の外周に電気
めっき工程により良導電性金属層を形成して外部導体と
するセミリジッド同軸ケーブルの製造方法にある。
周にフッソ系樹脂を溶融押出しする溶融押出し工程によ
り充実絶縁層を設け、次にこの充実絶縁層の外周にフッ
素系樹脂を未焼結ペースト押出しする未焼結ペースト押
出し工程により多孔質絶縁層を設け、次にこの多孔質絶
縁層の外周にフッソ系樹脂を溶融押出しする溶融押出し
工程により充実絶縁層を設けて３層構造の絶縁体とし、
次に該絶縁体の外周に無電解めっき工程によりアンカー
金属層を形成した後，このアンカー金属層の外周に電気
めっき工程により良導電性金属層を形成して外部導体と
するセミリジッド同軸ケーブルの製造方法にある。
【００１６】第９の観点として本発明は、中心導体の外
周にフッソ系樹脂を溶融押出しする溶融押出し工程によ
り充実絶縁層を設け、次にこの充実絶縁層の外周にフッ
ソ系樹脂を溶融押出しする際、ガスを混入させ発泡させ
る発泡押出し工程により発泡絶縁層を設け、次にこの発
泡絶縁層の外周にフッソ系樹脂を溶融押出しする溶融押
出し工程により充実絶縁層を設けて３層構造の絶縁体と
し、次に該絶縁体の外周に無電解めっき工程によりアン
カー金属層を形成した後，このアンカー金属層の外周に
電気めっき工程により良導電性金属層を形成して外部導
体とするセミリジッド同軸ケーブルの製造方法にある。
周にフッソ系樹脂を溶融押出しする溶融押出し工程によ
り充実絶縁層を設け、次にこの充実絶縁層の外周にフッ
ソ系樹脂を溶融押出しする際、ガスを混入させ発泡させ
る発泡押出し工程により発泡絶縁層を設け、次にこの発
泡絶縁層の外周にフッソ系樹脂を溶融押出しする溶融押
出し工程により充実絶縁層を設けて３層構造の絶縁体と
し、次に該絶縁体の外周に無電解めっき工程によりアン
カー金属層を形成した後，このアンカー金属層の外周に
電気めっき工程により良導電性金属層を形成して外部導
体とするセミリジッド同軸ケーブルの製造方法にある。
【００１７】本発明の中心導体としては、銀めっき銅被
覆鋼線、銀めっき軟銅線、銀めっき銅合金線、銀めっき
撚線等を使用することができる。また、本発明のフッ素
系樹脂としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦ
Ｅ）、四フッ化エチレン−パーフロロアルキルビニルエ
ーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン−
ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＥＴＦＥ）等の何
れかを使用することができる。
覆鋼線、銀めっき軟銅線、銀めっき銅合金線、銀めっき
撚線等を使用することができる。また、本発明のフッ素
系樹脂としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦ
Ｅ）、四フッ化エチレン−パーフロロアルキルビニルエ
ーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン−
ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＥＴＦＥ）等の何
れかを使用することができる。
【００１８】
【作用】本発明の第１の観点のセミリジッド同軸ケーブ
ルは、絶縁体の一部に多孔質体あるいは発泡体を含み、
且つ、該絶縁体最表面が充実体であるので、はんだ付け
作業時の熱による膨張が緩和され、外部導体のクラック
が抑制される。また、絶縁体最表面が充実体であること
で、めっき溶液の絶縁体内部へのしみ込みが回避できる
ので、無電解めっきによりアンカー金属層が良好に形成
され、更に該アンカー金属層の外周に電気めっきによっ
て良導電性金属層を所望の厚さに形成できる。従って、
めっきにより外部導体を設けたセミリジッド同軸ケーブ
ルの細径化、例えば中心導体の外径が０．０５ｍｍ以
上，０．２０ｍｍ以下であり、同軸ケーブルの仕上外径
が０．９ｍｍ以下、が可能となり、軽薄・短小化にも好
適となる。
ルは、絶縁体の一部に多孔質体あるいは発泡体を含み、
且つ、該絶縁体最表面が充実体であるので、はんだ付け
作業時の熱による膨張が緩和され、外部導体のクラック
が抑制される。また、絶縁体最表面が充実体であること
で、めっき溶液の絶縁体内部へのしみ込みが回避できる
ので、無電解めっきによりアンカー金属層が良好に形成
され、更に該アンカー金属層の外周に電気めっきによっ
て良導電性金属層を所望の厚さに形成できる。従って、
めっきにより外部導体を設けたセミリジッド同軸ケーブ
ルの細径化、例えば中心導体の外径が０．０５ｍｍ以
上，０．２０ｍｍ以下であり、同軸ケーブルの仕上外径
が０．９ｍｍ以下、が可能となり、軽薄・短小化にも好
適となる。
【００１９】本発明の第２の観点のセミリジッド同軸ケ
ーブルは、中心導体の外周に設ける絶縁体を、多孔質あ
るいは発泡絶縁層，及び充実絶縁層を順次設けた２層構
造の絶縁体としているので、絶縁体の一部に多孔質体あ
るいは発泡体を含み、且つ該絶縁体最表面が充実体とな
るので第１の観点のセミリジッド同軸ケーブルと同様の
作用が良好に得られる。
ーブルは、中心導体の外周に設ける絶縁体を、多孔質あ
るいは発泡絶縁層，及び充実絶縁層を順次設けた２層構
造の絶縁体としているので、絶縁体の一部に多孔質体あ
るいは発泡体を含み、且つ該絶縁体最表面が充実体とな
るので第１の観点のセミリジッド同軸ケーブルと同様の
作用が良好に得られる。
【００２０】本発明の第３の観点のセミリジッド同軸ケ
ーブルは、中心導体の外周に設ける絶縁体を、充実絶縁
層，多孔質あるいは発泡絶縁層，及び充実絶縁層を順次
設けた３層構造の絶縁体としているので、絶縁体の一部
に多孔質体あるいは発泡体を含み、且つ該絶縁体最表面
が充実体となるので第１の観点のセミリジッド同軸ケー
ブルと同様の作用が良好に得られる。更に、中心導体の
外周に充実絶縁層を設けたことで、中心導体−絶縁体間
の密着が前記第２の観点の同軸ケーブルよりも優れ、且
つ、同軸処理機での端末ストリップ加工においてもカッ
ト刃が食い込み易く、加工面で優位である。
ーブルは、中心導体の外周に設ける絶縁体を、充実絶縁
層，多孔質あるいは発泡絶縁層，及び充実絶縁層を順次
設けた３層構造の絶縁体としているので、絶縁体の一部
に多孔質体あるいは発泡体を含み、且つ該絶縁体最表面
が充実体となるので第１の観点のセミリジッド同軸ケー
ブルと同様の作用が良好に得られる。更に、中心導体の
外周に充実絶縁層を設けたことで、中心導体−絶縁体間
の密着が前記第２の観点の同軸ケーブルよりも優れ、且
つ、同軸処理機での端末ストリップ加工においてもカッ
ト刃が食い込み易く、加工面で優位である。
【００２１】本発明の第４の観点のセミリジッド同軸ケ
ーブルの製造方法は、中心導体の外周にフッ素系樹脂の
多孔質テープを巻回することで、絶縁層下層の多孔質絶
縁層が形成でき、更にその外周にフッ素系樹脂を溶融押
出しすることで絶縁層上層の充実絶縁層を形成でき，絶
縁体の一部に多孔質体あるいは発泡体を含み、且つ絶縁
体の最表面が充実体である２層構造の絶縁体が容易に形
成できる。従って、めっき溶液の絶縁体内部へのしみ込
みが回避でき、無電解めっきによりアンカー金属層が良
好に形成される。更に電気めっきによって前記アンカー
金属層の外周に良導電性金属層を所望の径に形成でき
る。従って、めっきにより外部導体を設けたセミリジッ
ド同軸ケーブルの細径化が可能となり、軽薄・短小化に
も好適となる。
ーブルの製造方法は、中心導体の外周にフッ素系樹脂の
多孔質テープを巻回することで、絶縁層下層の多孔質絶
縁層が形成でき、更にその外周にフッ素系樹脂を溶融押
出しすることで絶縁層上層の充実絶縁層を形成でき，絶
縁体の一部に多孔質体あるいは発泡体を含み、且つ絶縁
体の最表面が充実体である２層構造の絶縁体が容易に形
成できる。従って、めっき溶液の絶縁体内部へのしみ込
みが回避でき、無電解めっきによりアンカー金属層が良
好に形成される。更に電気めっきによって前記アンカー
金属層の外周に良導電性金属層を所望の径に形成でき
る。従って、めっきにより外部導体を設けたセミリジッ
ド同軸ケーブルの細径化が可能となり、軽薄・短小化に
も好適となる。
【００２２】本発明の第５の観点のセミリジッド同軸ケ
ーブルの製造方法は、中心導体の外周にフッ素系樹脂を
未焼結ペースト押出しすることで多孔質絶縁層が形成で
き、また、その外周にフッ素系樹脂を溶融押し出しする
ことで、絶縁体内部に多孔質体あるいは発泡体を含み、
且つ絶縁体の最表面が充実体である２層構造の絶縁体が
容易に形成できる。従って、前記第４の観点のセミリジ
ッド同軸ケーブルの製造方法と同様の作用が良好に得ら
れる。
ーブルの製造方法は、中心導体の外周にフッ素系樹脂を
未焼結ペースト押出しすることで多孔質絶縁層が形成で
き、また、その外周にフッ素系樹脂を溶融押し出しする
ことで、絶縁体内部に多孔質体あるいは発泡体を含み、
且つ絶縁体の最表面が充実体である２層構造の絶縁体が
容易に形成できる。従って、前記第４の観点のセミリジ
ッド同軸ケーブルの製造方法と同様の作用が良好に得ら
れる。
【００２３】本発明の第６の観点のセミリジッド同軸ケ
ーブルの製造方法は、中心導体の外周にフッ素系樹脂を
溶融押し出しする際、フッ素あるいは窒素などのガスを
混入させることで発泡絶縁層が形成でき、更にその外周
にフッ素系樹脂を溶融押し出しすることで，絶縁体の一
部に多孔質体あるいは発泡体を含み、且つ絶縁体の最表
面が充実体である２層構造の絶縁体が容易に形成でき
る。従って、前記第４の観点のセミリジッド同軸ケーブ
ルの製造方法と同様の作用が良好に得られる。
ーブルの製造方法は、中心導体の外周にフッ素系樹脂を
溶融押し出しする際、フッ素あるいは窒素などのガスを
混入させることで発泡絶縁層が形成でき、更にその外周
にフッ素系樹脂を溶融押し出しすることで，絶縁体の一
部に多孔質体あるいは発泡体を含み、且つ絶縁体の最表
面が充実体である２層構造の絶縁体が容易に形成でき
る。従って、前記第４の観点のセミリジッド同軸ケーブ
ルの製造方法と同様の作用が良好に得られる。
【００２４】本発明の第７の観点のセミリジッド同軸ケ
ーブルの製造方法は、中心導体の外周にフッ素系樹脂を
溶融押し出しすることで充実絶縁層が形成でき、次いで
この外周にフッ素系樹脂の多孔質テープを巻回すること
で、多孔質絶縁層が形成でき、次いでこの外周にフッ素
系樹脂を溶融押出しすることで充実絶縁層を形成でき、
絶縁体の一部に多孔質体あるいは発泡体を含み、且つ絶
縁体の最表面が充実体である３層構造の絶縁体が容易に
形成できる。従って、めっき溶液の絶縁体内部へのしみ
込みが回避でき、無電解めっきによりアンカー金属層が
良好に形成される。更に電気めっきによって前記アンカ
ー金属層の外周に良導電性金属層を所望の径に形成でき
る。従って、めっきにより外部導体を設けたセミリジッ
ド同軸ケーブルの細径化が可能となり、軽薄・短小化に
も好適となる。
ーブルの製造方法は、中心導体の外周にフッ素系樹脂を
溶融押し出しすることで充実絶縁層が形成でき、次いで
この外周にフッ素系樹脂の多孔質テープを巻回すること
で、多孔質絶縁層が形成でき、次いでこの外周にフッ素
系樹脂を溶融押出しすることで充実絶縁層を形成でき、
絶縁体の一部に多孔質体あるいは発泡体を含み、且つ絶
縁体の最表面が充実体である３層構造の絶縁体が容易に
形成できる。従って、めっき溶液の絶縁体内部へのしみ
込みが回避でき、無電解めっきによりアンカー金属層が
良好に形成される。更に電気めっきによって前記アンカ
ー金属層の外周に良導電性金属層を所望の径に形成でき
る。従って、めっきにより外部導体を設けたセミリジッ
ド同軸ケーブルの細径化が可能となり、軽薄・短小化に
も好適となる。
【００２５】本発明の第８の観点のセミリジッド同軸ケ
ーブルの製造方法は、中心導体の外周にフッ素系樹脂を
溶融押し出しすることで充実絶縁層が形成でき、次いで
この外周にフッ素系樹脂を未焼結ペースト押出しするこ
とで多孔質絶縁層が形成でき、次いでこの外周にフッ素
系樹脂を溶融押出しすることで充実絶縁層が形成でき、
絶縁体の一部に多孔質体あるいは発泡体を含み、且つ絶
縁体の最表面が充実体である３層構造の絶縁体が容易に
形成できる。従って、前記第７の観点のセミリジッド同
軸ケーブルの製造方法と同様の作用が良好に得られる。
ーブルの製造方法は、中心導体の外周にフッ素系樹脂を
溶融押し出しすることで充実絶縁層が形成でき、次いで
この外周にフッ素系樹脂を未焼結ペースト押出しするこ
とで多孔質絶縁層が形成でき、次いでこの外周にフッ素
系樹脂を溶融押出しすることで充実絶縁層が形成でき、
絶縁体の一部に多孔質体あるいは発泡体を含み、且つ絶
縁体の最表面が充実体である３層構造の絶縁体が容易に
形成できる。従って、前記第７の観点のセミリジッド同
軸ケーブルの製造方法と同様の作用が良好に得られる。
【００２６】本発明の第９の観点のセミリジッド同軸ケ
ーブルの製造方法は、中心導体の外周にフッ素系樹脂を
溶融押し出しすることで充実絶縁層が形成でき、次いで
この外周にフッ素系樹脂を溶融押し出しする際，フッ素
あるいは窒素などのガスを混入させることで発泡絶縁層
が形成でき、次いでこの外周にフッ素系樹脂を溶融押出
しすることで充実絶縁層が形成でき、絶縁体の一部に多
孔質体あるいは発泡体を含み、且つ絶縁体の最表面が充
実体である３層構造の絶縁体が容易に形成できる。従っ
て、前記第７の観点のセミリジッド同軸ケーブルの製造
方法と同様の作用が良好に得られる。
ーブルの製造方法は、中心導体の外周にフッ素系樹脂を
溶融押し出しすることで充実絶縁層が形成でき、次いで
この外周にフッ素系樹脂を溶融押し出しする際，フッ素
あるいは窒素などのガスを混入させることで発泡絶縁層
が形成でき、次いでこの外周にフッ素系樹脂を溶融押出
しすることで充実絶縁層が形成でき、絶縁体の一部に多
孔質体あるいは発泡体を含み、且つ絶縁体の最表面が充
実体である３層構造の絶縁体が容易に形成できる。従っ
て、前記第７の観点のセミリジッド同軸ケーブルの製造
方法と同様の作用が良好に得られる。
【００２７】
【実施例】以下に本発明の実施例を図を用いて詳細に説
明する。なお、外部導体の形成方法は本発明者等の発明
である特開平６−１８７８４７号に準拠している。図１
は実施例１〜３の説明に用いる，本発明の２層構造の絶
縁体を設けたセミリジッド同軸ケーブルの一実施例を示
す断面図である。また、図２は実施例４〜６の説明に用
いる，本発明の３層構造の絶縁体を設けたセミリジッド
同軸ケーブルの一実施例を示す断面図である。これらの
図において、１は中心導体、２は絶縁体、２ａは多孔質
または発泡絶縁層、２ｂ，２ｂ’は充実絶縁層、３は外
部導体、３ａはアンカー金属層、３ｂは良導電性金属
層、また５はセミリジッド同軸ケーブルである。
明する。なお、外部導体の形成方法は本発明者等の発明
である特開平６−１８７８４７号に準拠している。図１
は実施例１〜３の説明に用いる，本発明の２層構造の絶
縁体を設けたセミリジッド同軸ケーブルの一実施例を示
す断面図である。また、図２は実施例４〜６の説明に用
いる，本発明の３層構造の絶縁体を設けたセミリジッド
同軸ケーブルの一実施例を示す断面図である。これらの
図において、１は中心導体、２は絶縁体、２ａは多孔質
または発泡絶縁層、２ｂ，２ｂ’は充実絶縁層、３は外
部導体、３ａはアンカー金属層、３ｂは良導電性金属
層、また５はセミリジッド同軸ケーブルである。
【００２８】実施例１ 中心導体１として、φ０．２００ｍｍの銀めっき銅被覆
鋼線を用い、この外周に厚さ６０μｍ，幅４ｍｍの多孔
質ＰＴＦＥテープを２／３ラップ重ね巻きすることによ
って、約３倍厚さの１８０μｍの多孔質絶縁層２ａを設
け、φ０．５６ｍｍとした。次いでこの外周にＰＦＡを
溶融押出しによって２５μｍ厚さに施した充実絶縁層２
ｂを設け、φ０．６１ｍｍの２層構造を有した絶縁体２
を形成した。続いて外部導体３として、無電解ニッケル
めっきによって１μｍ厚さのアンカー金属層３ａを設け
た後、硫酸銅めっきによって良導電性金属層３ｂとして
の銅層を１００μｍ厚さまで設け、仕上がり径０．８１
０ｍｍのセミリジッド同軸ケーブル５を製造した。
鋼線を用い、この外周に厚さ６０μｍ，幅４ｍｍの多孔
質ＰＴＦＥテープを２／３ラップ重ね巻きすることによ
って、約３倍厚さの１８０μｍの多孔質絶縁層２ａを設
け、φ０．５６ｍｍとした。次いでこの外周にＰＦＡを
溶融押出しによって２５μｍ厚さに施した充実絶縁層２
ｂを設け、φ０．６１ｍｍの２層構造を有した絶縁体２
を形成した。続いて外部導体３として、無電解ニッケル
めっきによって１μｍ厚さのアンカー金属層３ａを設け
た後、硫酸銅めっきによって良導電性金属層３ｂとして
の銅層を１００μｍ厚さまで設け、仕上がり径０．８１
０ｍｍのセミリジッド同軸ケーブル５を製造した。
【００２９】実施例２ 中心導体１として、φ０．２００ｍｍの銀めっき軟銅線
を用い、この外周にＰＴＦＥをペースト押出しし、最終
仕上げで焼結させず多孔質とし、１８０μｍ厚さの多孔
質絶縁層２ａを設け、φ０．５６ｍｍとした。次いでこ
の外周にＦＥＰを溶融押出しによって２５μｍ厚さに施
した充実絶縁層２ｂを設け、φ０．６１ｍｍの２層構造
を有した絶縁体２を形成した。続いて外部導体３とし
て、無電解ニッケルめっきによって１μｍ厚さのアンカ
ー金属層３ａを設けた後、硫酸銅めっきによって良導電
性金属層３ｂとしての銅層を３０μｍ厚さまで設け、仕
上がり径０．６７０ｍｍのセミリジッド同軸ケーブル５
を製造した。
を用い、この外周にＰＴＦＥをペースト押出しし、最終
仕上げで焼結させず多孔質とし、１８０μｍ厚さの多孔
質絶縁層２ａを設け、φ０．５６ｍｍとした。次いでこ
の外周にＦＥＰを溶融押出しによって２５μｍ厚さに施
した充実絶縁層２ｂを設け、φ０．６１ｍｍの２層構造
を有した絶縁体２を形成した。続いて外部導体３とし
て、無電解ニッケルめっきによって１μｍ厚さのアンカ
ー金属層３ａを設けた後、硫酸銅めっきによって良導電
性金属層３ｂとしての銅層を３０μｍ厚さまで設け、仕
上がり径０．６７０ｍｍのセミリジッド同軸ケーブル５
を製造した。
【００３０】実施例３ 中心導体１として、φ０．２００ｍｍの銀めっき銅合金
線を用い、この外周にＦＥＰの溶融押出しの際に、窒素
ガスを混入させ１８０μｍ厚さの発泡絶縁層２ａを設
け、φ０．５６ｍｍとした。次いでこの外周にＦＥＰを
溶融押出しによって２５μｍ厚さに施した充実絶縁層２
ｂを設け、φ０．６１ｍｍの２層構造を有した絶縁体２
を形成した。続いて外部導体３として、無電解ニッケル
めっきによって１μｍ厚さのアンカー金属層３ａを設け
た後、硫酸銅めっきによって良導電性金属層３ｂとして
の銅層を３０μｍ厚さまで設け、仕上がり径０．６７０
ｍｍのセミリジッド同軸ケーブル５を製造した。
線を用い、この外周にＦＥＰの溶融押出しの際に、窒素
ガスを混入させ１８０μｍ厚さの発泡絶縁層２ａを設
け、φ０．５６ｍｍとした。次いでこの外周にＦＥＰを
溶融押出しによって２５μｍ厚さに施した充実絶縁層２
ｂを設け、φ０．６１ｍｍの２層構造を有した絶縁体２
を形成した。続いて外部導体３として、無電解ニッケル
めっきによって１μｍ厚さのアンカー金属層３ａを設け
た後、硫酸銅めっきによって良導電性金属層３ｂとして
の銅層を３０μｍ厚さまで設け、仕上がり径０．６７０
ｍｍのセミリジッド同軸ケーブル５を製造した。
【００３１】実施例４ 中心導体１として、φ０．２００ｍｍの銀めっき銅被覆
鋼線を用い、この外周にＰＦＡを溶融押出しによって２
０μｍ厚さに施しφ０．２４ｍｍの充実絶縁層２ｂを設
けた。続いて厚さ５５μｍ，幅４ｍｍの多孔質ＰＴＦＥ
テープを２／３ラップ重ね巻きすることによって、約３
倍厚さの１６０μｍの多孔質絶縁層２ａを設け、φ０．
５６ｍｍとした。次いでこの外周にＰＦＡを溶融押出し
によって２５μｍ厚さに施した充実絶縁層２ｂ’を設
け、φ０．６１ｍｍの３層構造を有した絶縁体２を形成
した。続いて外部導体３として、無電解ニッケルめっき
によって１μｍ厚さのアンカー金属層３ａを設けた後、
硫酸銅めっきによって良導電性金属層３ｂとしての銅層
を１００μｍ厚さまで設け、仕上がり径０．８１０ｍｍ
のセミリジッド同軸ケーブル５を製造した。
鋼線を用い、この外周にＰＦＡを溶融押出しによって２
０μｍ厚さに施しφ０．２４ｍｍの充実絶縁層２ｂを設
けた。続いて厚さ５５μｍ，幅４ｍｍの多孔質ＰＴＦＥ
テープを２／３ラップ重ね巻きすることによって、約３
倍厚さの１６０μｍの多孔質絶縁層２ａを設け、φ０．
５６ｍｍとした。次いでこの外周にＰＦＡを溶融押出し
によって２５μｍ厚さに施した充実絶縁層２ｂ’を設
け、φ０．６１ｍｍの３層構造を有した絶縁体２を形成
した。続いて外部導体３として、無電解ニッケルめっき
によって１μｍ厚さのアンカー金属層３ａを設けた後、
硫酸銅めっきによって良導電性金属層３ｂとしての銅層
を１００μｍ厚さまで設け、仕上がり径０．８１０ｍｍ
のセミリジッド同軸ケーブル５を製造した。
【００３２】実施例５ 中心導体１として、φ0.05mm×7 本の銀めっき撚り線を
用い、この外周にＰＦＡを溶融押出しによって施しφ
０．２４ｍｍの充実絶縁層２ｂを設けた。次にこの外周
にＦＥＰをペースト押出しし、最終仕上げで焼結させず
多孔質とし、１６０μｍ厚さの多孔質絶縁層２ａを設
け、φ０．５６ｍｍとした。次いでこの外周にＦＥＰを
溶融押出しによって２５μｍ厚さに施した充実絶縁層２
ｂ’を設け、φ０．６１ｍｍの３層構造を有した絶縁体
２を形成した。続いて外部導体３として、無電解ニッケ
ルめっきによって１μｍ厚さのアンカー金属層３ａを設
けた後、硫酸銅めっきによって良導電性金属層３ｂとし
ての銅層を５０μｍ厚さまで設け、仕上がり径０．７１
０ｍｍのセミリジッド同軸ケーブル５を製造した。
用い、この外周にＰＦＡを溶融押出しによって施しφ
０．２４ｍｍの充実絶縁層２ｂを設けた。次にこの外周
にＦＥＰをペースト押出しし、最終仕上げで焼結させず
多孔質とし、１６０μｍ厚さの多孔質絶縁層２ａを設
け、φ０．５６ｍｍとした。次いでこの外周にＦＥＰを
溶融押出しによって２５μｍ厚さに施した充実絶縁層２
ｂ’を設け、φ０．６１ｍｍの３層構造を有した絶縁体
２を形成した。続いて外部導体３として、無電解ニッケ
ルめっきによって１μｍ厚さのアンカー金属層３ａを設
けた後、硫酸銅めっきによって良導電性金属層３ｂとし
ての銅層を５０μｍ厚さまで設け、仕上がり径０．７１
０ｍｍのセミリジッド同軸ケーブル５を製造した。
【００３３】実施例６ 中心導体１として、φ0.05mm×7 本の銀めっき撚り線を
用い、この外周にＰＦＡを溶融押出しによって施しφ
０．２４ｍｍの充実絶縁層２ｂを設けた。続いて、ＰＦ
Ａの溶融押出しの際に、窒素ガスを混入させ１６０μｍ
厚さの発泡絶縁層２ａを設け、φ０．５６ｍｍとした。
次いでこの外周にＰＦＡを溶融押出しによって２５μｍ
厚さに施した充実絶縁層２ｂ’を設け、φ０．６１ｍｍ
の３層構造を有した絶縁体２を形成した。続いて外部導
体３として、無電解ニッケルめっきによって１μｍ厚さ
のアンカー金属層３ａを設けた後、硫酸銅めっきによっ
て良導電性金属層３ｂとしての銅層を５０μｍ厚さまで
設け、仕上がり径０．７１０ｍｍのセミリジッド同軸ケ
ーブル５を製造した。
用い、この外周にＰＦＡを溶融押出しによって施しφ
０．２４ｍｍの充実絶縁層２ｂを設けた。続いて、ＰＦ
Ａの溶融押出しの際に、窒素ガスを混入させ１６０μｍ
厚さの発泡絶縁層２ａを設け、φ０．５６ｍｍとした。
次いでこの外周にＰＦＡを溶融押出しによって２５μｍ
厚さに施した充実絶縁層２ｂ’を設け、φ０．６１ｍｍ
の３層構造を有した絶縁体２を形成した。続いて外部導
体３として、無電解ニッケルめっきによって１μｍ厚さ
のアンカー金属層３ａを設けた後、硫酸銅めっきによっ
て良導電性金属層３ｂとしての銅層を５０μｍ厚さまで
設け、仕上がり径０．７１０ｍｍのセミリジッド同軸ケ
ーブル５を製造した。
【００３４】比較例 比較例について、図３を用いて説明する。 比較例１ 中心導体１として、φ０．２００ｍｍの銀めっき銅被覆
鋼線を用い、この外周にＰＴＦＥを溶融押出しによって
２３０μｍ厚さに施しφ０．６６ｍｍの充実絶縁体２’
を形成した。続いてこの外周に外部導体３として、無電
解ニッケルめっきによって１μｍ厚さのアンカー金属層
３ａを設けた後、硫酸銅めっきによって良導電性金属層
３ｂとしての銅層を１００μｍ厚さまで設け、仕上がり
径０．８６ｍｍのセミリジッド同軸ケーブル５’を製造
した。
鋼線を用い、この外周にＰＴＦＥを溶融押出しによって
２３０μｍ厚さに施しφ０．６６ｍｍの充実絶縁体２’
を形成した。続いてこの外周に外部導体３として、無電
解ニッケルめっきによって１μｍ厚さのアンカー金属層
３ａを設けた後、硫酸銅めっきによって良導電性金属層
３ｂとしての銅層を１００μｍ厚さまで設け、仕上がり
径０．８６ｍｍのセミリジッド同軸ケーブル５’を製造
した。
【００３５】特性試験 上記実施例および比較例により得られたセミリジッド同
軸ケーブルについて、７５ｍｍ長の試料を採取し、リフ
ロー炉によってはんだ付けを行った時の外部導体へのク
ラック数、絶縁体の突き出し長さについて試験した。そ
の結果を下記表１に示す。なお、リフロー作業条件は、
２５０℃，ベルトスピード０．７５ｍ／ｍｉｎで行っ
た。
軸ケーブルについて、７５ｍｍ長の試料を採取し、リフ
ロー炉によってはんだ付けを行った時の外部導体へのク
ラック数、絶縁体の突き出し長さについて試験した。そ
の結果を下記表１に示す。なお、リフロー作業条件は、
２５０℃，ベルトスピード０．７５ｍ／ｍｉｎで行っ
た。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【発明の効果】本発明により得られたセミリジッド同軸
ケーブルは、絶縁体の一部に多孔質体あるいは発泡体を
含むことで、はんだ付け作業時の熱による膨張が緩和さ
れ外部導体のクラックの発生を抑制できるばかりでな
く、端末加工した絶縁体の突き出しが無くなり、電圧定
在波比や減衰量等の伝送特性が阻害されなくなった。ま
た絶縁体の最表面が充実体であることから、めっき溶液
がしみ込まず、無電解めっきによりアンカー金属層が良
好に形成でき、続いて電気めっきにより所望の径に良導
電性金属層が形成できるため細径化が可能となり、軽薄
・短小化にも好適となる。従って、民生機器等の高周波
回路基板、高周波部品に利用されるセミリジッド同軸ケ
ーブルとして極めて有用であり、産業上に寄与する効果
は極めて大である。
ケーブルは、絶縁体の一部に多孔質体あるいは発泡体を
含むことで、はんだ付け作業時の熱による膨張が緩和さ
れ外部導体のクラックの発生を抑制できるばかりでな
く、端末加工した絶縁体の突き出しが無くなり、電圧定
在波比や減衰量等の伝送特性が阻害されなくなった。ま
た絶縁体の最表面が充実体であることから、めっき溶液
がしみ込まず、無電解めっきによりアンカー金属層が良
好に形成でき、続いて電気めっきにより所望の径に良導
電性金属層が形成できるため細径化が可能となり、軽薄
・短小化にも好適となる。従って、民生機器等の高周波
回路基板、高周波部品に利用されるセミリジッド同軸ケ
ーブルとして極めて有用であり、産業上に寄与する効果
は極めて大である。
【図１】 本発明の２層構造の絶縁体を設けたセミリジ
ッド同軸ケーブルの一実施例を示す断面図である。
ッド同軸ケーブルの一実施例を示す断面図である。
【図２】 本発明の３層構造の絶縁体を設けたセミリジ
ッド同軸ケーブルの一実施例を示す断面図である。
ッド同軸ケーブルの一実施例を示す断面図である。
【図３】 従来の充実絶縁体を設けたセミリジッド同軸
ケーブルを示す断面図である。
ケーブルを示す断面図である。
１ 中心導体 ２ 絶縁体 ２ａ 多孔質または発泡絶縁層 ２ｂ，２ｂ’ 充実絶縁層 ３ 外部導体 ３ａ アンカー金属層 ３ｂ 良導電性金属層 ５ セミリジッド同軸ケーブル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笹井 重広 長野県上田市大字大屋300番地 東京特殊 電線株式会社上田工場内 (72)発明者 山口 正 長野県上田市大字大屋300番地 東京特殊 電線株式会社上田工場内
Claims (9)
- 【請求項１】 中心導体の外周に絶縁体，及びめっきに
より形成した外部導体を順次設けてなる同軸ケーブルで
あって、 前記絶縁体は、該絶縁体の一部に多孔質体あるいは発泡
体を含み、且つ、該絶縁体最表面が充実体であるフッ素
系樹脂絶縁体であり、また前記外部導体は無電解めっき
により形成したアンカー金属層と電気めっきにより形成
した良導電性金属層からなることを特徴とするセミリジ
ッド同軸ケーブル。 - 【請求項２】 前記フッ素系樹脂絶縁体は、多孔質ある
いは発泡絶縁層，及び充実絶縁層を順次設けた２層構造
の絶縁体であることを特徴とする請求項１記載のセミリ
ジッド同軸ケーブル。 - 【請求項３】 前記フッ素系樹脂絶縁体は、充実絶縁
層，多孔質あるいは発泡絶縁層，及び充実絶縁層を順次
設けた３層構造の絶縁体であることを特徴とする請求項
１記載のセミリジッド同軸ケーブル。 - 【請求項４】 中心導体の外周にフッ素系樹脂の多孔質
テープを巻回するテープ巻工程により多孔質絶縁層を設
け、次にこの多孔質絶縁層の外周にフッソ系樹脂を溶融
押出しする溶融押出し工程により充実絶縁層を設けて２
層構造の絶縁体とし、次に該絶縁体の外周に無電解めっ
き工程によりアンカー金属層を形成した後，このアンカ
ー金属層の外周に電気めっき工程により良導電性金属層
を形成して外部導体とすることを特徴とするセミリジッ
ド同軸ケーブルの製造方法。 - 【請求項５】 中心導体の外周にフッ素系樹脂を未焼結
ペースト押出しする未焼結ペースト押出し工程により多
孔質絶縁層を設け、次にこの多孔質絶縁層の外周にフッ
ソ系樹脂を溶融押出しする溶融押出し工程により充実絶
縁層を設けて２層構造の絶縁体とし、次に該絶縁体の外
周に無電解めっき工程によりアンカー金属層を形成した
後，このアンカー金属層の外周に電気めっき工程により
良導電性金属層を形成して外部導体とすることを特徴と
するセミリジッド同軸ケーブルの製造方法。 - 【請求項６】 中心導体の外周にフッソ系樹脂を溶融押
出しする際、ガスを混入させ発泡させる発泡押出し工程
により発泡絶縁層を設け、次にこの発泡絶縁層の外周に
フッソ系樹脂を溶融押出しする溶融押出し工程により充
実絶縁層を設けて２層構造の絶縁体とし、次に該絶縁体
の外周に無電解めっき工程によりアンカー金属層を形成
した後，このアンカー金属層の外周に電気めっき工程に
より良導電性金属層を形成して外部導体とすることを特
徴とするセミリジッド同軸ケーブルの製造方法。 - 【請求項７】 中心導体の外周にフッソ系樹脂を溶融押
出しする溶融押出し工程により充実絶縁層を設け、次に
この充実絶縁層の外周にフッ素系樹脂の多孔質テープを
巻回するテープ巻工程により多孔質絶縁層を設け、次に
この多孔質絶縁層の外周にフッソ系樹脂を溶融押出しす
る溶融押出し工程により充実絶縁層を設けて３層構造の
絶縁体とし、次に該絶縁体の外周に無電解めっき工程に
よりアンカー金属層を形成した後，このアンカー金属層
の外周に電気めっき工程により良導電性金属層を形成し
て外部導体とすることを特徴とするセミリジッド同軸ケ
ーブルの製造方法。 - 【請求項８】 中心導体の外周にフッソ系樹脂を溶融押
出しする溶融押出し工程により充実絶縁層を設け、次に
この充実絶縁層の外周にフッ素系樹脂を未焼結ペースト
押出しする未焼結ペースト押出し工程により多孔質絶縁
層を設け、次にこの多孔質絶縁層の外周にフッソ系樹脂
を溶融押出しする溶融押出し工程により充実絶縁層を設
けて３層構造の絶縁体とし、次に該絶縁体の外周に無電
解めっき工程によりアンカー金属層を形成した後，この
アンカー金属層の外周に電気めっき工程により良導電性
金属層を形成して外部導体とすることを特徴とするセミ
リジッド同軸ケーブルの製造方法。 - 【請求項９】 中心導体の外周にフッソ系樹脂を溶融押
出しする溶融押出し工程により充実絶縁層を設け、次に
この充実絶縁層の外周にフッソ系樹脂を溶融押出しする
際、ガスを混入させ発泡させる発泡押出し工程により発
泡絶縁層を設け、次にこの発泡絶縁層の外周にフッソ系
樹脂を溶融押出しする溶融押出し工程により充実絶縁層
を設けて３層構造の絶縁体とし、次に該絶縁体の外周に
無電解めっき工程によりアンカー金属層を形成した後，
このアンカー金属層の外周に電気めっき工程により良導
電性金属層を形成して外部導体とすることを特徴とする
セミリジッド同軸ケーブルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10266997A JP3537288B2 (ja) | 1997-04-03 | 1997-04-03 | セミリジッド同軸ケーブルおよびその製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP10266997A JP3537288B2 (ja) | 1997-04-03 | 1997-04-03 | セミリジッド同軸ケーブルおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10283853A true JPH10283853A (ja) | 1998-10-23 |
| JP3537288B2 JP3537288B2 (ja) | 2004-06-14 |
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ID=14333647
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|---|---|
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Cited By (6)
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