JPH10281912A - 圧力センサ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】大型化やコストアップ、並びに煩雑な処理等を
好適に回避して、センサ毎の特性のばらつきや機差等を
補正したより精度の高いセンサ値を得ることのできる圧
力センサ装置を提供する。 【解決手段】圧力情報抽出用ブリッジ回路１と温度情報
抽出用ブリッジ回路２と基準情報抽出用ブリッジ回路３
を有する。ＥＰＲＯＭ１２には補正データとして温度情
報Ｔに関する温度係数ａと、基準温度における温度情報
Ｔのオフセット値ｂと、圧力情報Ｄに対する感度の温度
特性係数ｃと、基準温度における圧力情報Ｄに対する感
度ｄと、圧力情報Ｄのオフセットにおける温度係数ｅ
と、基準温度における圧力情報Ｄのオフセット値ｆとが
用意されている。マイクロコンピュータ１１は、Ｐ＝
｛（Ｔ／Ａ−ｂ）×（−ｅ／ａ）＋（Ｄ／Ａ−ｆ）｝／
｛（Ｔ／Ａ−ｂ）×（ｃ／ａ）＋ｄ｝にて最終圧力Ｐを
算出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、圧力センサ信号
をマイクロコンピュータ等の処理装置にて処理する圧力
センサ装置に関し、特により精度の高いセンサ値をより
効率よく得るための圧力センサ装置構造の具現に関する
するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、各種の制御や処理にマイクロコン
ピュータが導入されるに及び、それら制御や処理のため
の各種情報を検出するセンサについてもその出力をマイ
クロコンピュータによって処理することが普通に行われ
つつある。

【０００３】ここに従来、センサ及びそのセンサ信号を
処理するマイクロコンピュータ等の処理装置を有して構
成されるセンサ装置としては、例えば特開平３−６８８
１５号公報に記載の装置が知られている。

【０００４】因みに、同センサ装置では、その処理ユニ
ット（マイクロコンピュータ）内に検索テーブル（マッ
プ）を持ち、センサ側から入力される情報に応じてこの
検索テーブルでの関連付け（マップ演算）を行うことに
よってその所望のセンサ値を得るようにしている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このように、センサ信
号をマイクロコンピュータ等により処理するようにした
ことで、各種の演算を極めて柔軟に行うことができると
ともに、それら得られる値の補正も容易である等、より
信頼性の高いセンサ値を得ることができるようになる。

【０００６】ところで通常、圧力センサが複数製造され
る場合には、たとえその仕様が同一のものであったとし
ても、それらセンサ毎に特性のばらつきや機差が存在す
る。このため、マイクロコンピュータ等の処理装置にお
いて、それらセンサの出力に対し上記演算や補正を一様
に施したのでは、センサ値として所望の精度が得られな
いこともある。

【０００７】したがって、そうした高い精度が要求され
る場合には、上記センサ毎の特性のばらつきや機差につ
いてもこれを的確に補正する必要がある。しかし、それ
らセンサ毎の特性のばらつきや機差等を補正するための
データを上記処理装置に書き込むようにしたのではその
処理が煩雑となり、かといって、それら特性のばらつき
や機差等をセンサ内部で補正、吸収しようとすると、そ
のための何らかの処理回路を同センサ内部に必要とする
こととなり、センサ自身の大型化やコストアップも避け
られない。

【０００８】この発明は、こうした実情に鑑みてなされ
たものであり、大型化やコストアップ、並びに煩雑な処
理等を好適に回避して、センサ毎の特性のばらつきや機
差等を補正したより精度の高いセンサ値を得ることので
きる圧力センサ装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明に
よれば、上記温度情報抽出手段や基準情報抽出手段や不
揮発性メモリを設け、圧力情報Ｄ、温度情報Ｔ、基準情
報Ａ、及び補正データａ〜ｆに基づく演算を行うように
することで、センサ自身の温度特性やその他の特性ばら
つきによる影響を好適に除去することができるようにな
る。

【００１０】つまり、前記補正データとして、温度情報
Ｔに関する温度係数ａと、基準温度における温度情報Ｔ
のオフセット値ｂと、圧力情報Ｄに対する感度の温度特
性係数ｃと、基準温度における圧力情報Ｄに対する感度
ｄと、圧力情報Ｄのオフセットにおける温度係数ｅと、
基準温度における圧力情報Ｄのオフセット値ｆとを用意
し、演算手段は、 Ｐ＝｛（Ｔ／Ａ−ｂ）×（−ｅ／ａ）＋（Ｄ／Ａ−ｆ）｝ ／｛（Ｔ／Ａ−ｂ）×（ｃ／ａ）＋ｄ｝ …（１） にて最終圧力Ｐを算出する。といった演算構造を採用す
ることで、同検出対象とする圧力Ｐについての極めて精
度の高いセンサ値を得ることができるようになる。

【００１１】つまり、圧力情報Ｄ、温度情報Ｔ、基準情
報Ａは、温度をｔとしたとき、上記ａ〜ｆを用いて、 Ｄ＝｛（ｃｔ＋ｄ）Ｐ＋ｅｔ＋ｆ｝×β（ｔ） …（２） Ｔ＝（ａｔ＋ｂ）×β（ｔ） …（３） Ａ＝β（ｔ） …（４） で表せる。（２）式において、（ｃｔ＋ｄ）Ｐは、圧力
に関する感度項であり、ｆはオフセット量であり、ｅｔ
はシフト量の補正項であり、×β（ｔ）の項にて補正係
数をかけている。（３）式において、ｂはオフセット量
であり、ａｔは温度に対する感度を示し、×β（ｔ）の
項にて補正係数をかけている。（４）式は基準情報Ａが
回路部の温度特性（非直線性）で表されることを示す。

【００１２】そして、この（２），（３），（４）式か
ら、最終圧力Ｐを求めるためにＰについて解くと、上述
の（１）式を得る。このように、温度ｔに関する感度を
１次関数にて表すことにより容易に最終圧力Ｐを得るこ
とができる。

【００１３】なお、前述した基準温度としては、例えば
室温とすることができる。ここで、請求項２に記載のよ
うにすると、センサ自身の温度特性やその他の特性ばら
つきによる影響を好適に除去することができるようにな
る。

【００１４】すなわち、上記検出対象となる圧力データ
そのものは、上記圧力情報抽出手段によって時定数変化
の付与された上記第１及び第２のＣＲ発振回路による発
振出力の周波数差として得ることができるが、これには
通常、センサ自身の温度特性による誤差分や上記第１及
び第２のＣＲ発振回路並びに上記周波数差演算手段等の
温度特性その他（第１及び第２系統間の特性ばらつき
等）による誤差分なども含まれている。

【００１５】また、請求項３記載の発明にようにする
と、それらブリッジ回路としての高い感度やパストラン
ジスタ型ＣＲ発振回路としての高い発振精度に基づき、
上述した圧力情報、温度情報、並びに基準情報の各情報
もより効率よく、且つ正確に得られるようになる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、この発明を具体化した実施
の形態を図面に従って説明する。図１に、この発明にか
かる圧力センサ装置の一実施形態を示す。

【００１７】この実施形態の圧力センサ装置は、センサ
毎の特性のばらつきや機差等を補正したより精度の高い
センサ値を得ることのできる装置として構成されてい
る。以下、同図１を参照して、この実施形態にかかる圧
力センサ装置の構成並びに動作について順次説明する。

【００１８】図１に示されるように、圧力センサ装置は
大きく圧力センサ１００とそのセンサ信号を所要に処理
するマイクロコンピュータ１１とによって構成されてい
る。圧力センサ１００は、その検出対象となる物理情報
を抽出する部分として、圧力情報抽出用ブリッジ回路
１、温度情報抽出用ブリッジ回路２、及び基準情報抽出
用ブリッジ回路３の３つのフルブリッジ回路を有してい
る。

【００１９】このうち、圧力情報抽出用ブリッジ回路１
は、検出対象となる圧力の印加に応じてそれぞれ同図１
に矢指する態様で、ピエゾ抵抗効果によりその抵抗値が
変化する感圧抵抗素子Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、及びＲ14を有
して構成されている。

【００２０】このため、抵抗素子Ｒ11及びＲ12の中点電
位は、該圧力の印加量に応じて低くなり、逆に、抵抗素
子Ｒ13及びＲ14の中点電位は、同圧力の印加量に応じて
高くなる。そして、これら中点電位の電位差が、同ブリ
ッジ回路１によるブリッジ出力として取り出されるよう
になる。なお、該ブリッジ回路１による出力電圧は、上
記印加される圧力の他、当該センサの温度にも依存した
ものとなっている。

【００２１】一方、温度情報抽出用ブリッジ回路２は、
センサ自身の温度に応じて抵抗値変化を生じる感温抵抗
素子Ｒ21及びＲ24と基本的に温度特性を持たない抵抗素
子Ｒ22及びＲ23とが、同図１に示される態様で接続され
たブリッジ回路として構成されている。

【００２２】このため、抵抗素子Ｒ21及びＲ22の中点電
位と抵抗素子Ｒ23及びＲ24の中点電位とでは、同センサ
自身の温度に応じた電位差を生じることとなり、こうし
た電位差が、同ブリッジ回路２によるブリッジ出力とし
て取り出されるようになる。なお、このブリッジ回路２
による出力電圧は基本的に、当該センサの温度のみに依
存したものとなっている。

【００２３】そして、第３のブリッジ回路である基準情
報抽出用ブリッジ回路３は、何れも基本的には温度特性
を持たない抵抗素子Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、及びＲ34が同図
１に示される態様で接続されたブリッジ回路として構成
されている。

【００２４】このため、該ブリッジ回路３にあっては、
本来であれば、抵抗素子Ｒ31及びＲ32の中点電位と抵抗
素子Ｒ33及びＲ34の中点電位とで電位差を生じることは
ない。このことは、後述する時間数値変換回路（時間Ａ
−Ｄ）９において同ブリッジ回路３の出力（電位差）に
ついての何らかの時間測定値が得られる場合、その測定
値は、以降の回路であるＣＲ発振回路５及び６、分周回
路７及び８、並びに時間数値変換回路９の温度特性その
他のばらつきを示すようになることを意味する。この
「その他のばらつき」としては、上記ＣＲ発振回路や分
周回路での第１及び第２系統間での特性ばらつき等があ
る。

【００２５】また、セレクタ４は、上記圧力情報抽出用
ブリッジ回路１、温度情報抽出用ブリッジ回路２、及び
基準情報抽出用ブリッジ回路３の各ブリッジ出力を、後
述する制御回路１０から与えられる選択信号ｓｅｌに基
づき選択出力する回路である。それら選択されたブリッ
ジ出力は、同図１に示されるように、ＣＲ発振回路５及
び６の各ＭＯＳトランジスタ（以下、パストランジスタ
という）Ｔ5 及びＴ6に対し、それぞれ逆極性の電圧と
して与えられるようになる。

【００２６】これらパストランジスタ型のＣＲ発振回路
として構成されている第１及び第２のＣＲ発振回路５及
び６は、それら各パストランジスタＴ5 及びＴ6 のオン
抵抗変化に応じて周波数（若しくは周期）の変化する交
番信号（ここでの例ではパルス信号）を発振する回路で
ある。

【００２７】因みに、こうしたＣＲ発振回路にあって
は、その発振周波数ｆが ｆ＝１／２πＣＲ …（５） として決定されることから、上記パストランジスタＴ5
及びＴ6 のオン抵抗Ｒが大きければ低い周波数（長い周
期）の交番信号が発振され、同パストランジスタＴ5 及
びＴ6 のオン抵抗Ｒが小さければ高い周波数（短い周
期）のパルス信号が発振される。

【００２８】したがって、例えば上記圧力情報抽出用ブ
リッジ回路１のブリッジ出力が選択されている場合のよ
うに、検出対象となる圧力の印加に応じて、・第１のＣ
Ｒ発振回路５側のパストランジスタＴ5 は、そのＰチャ
ネル電極が低電位、Ｎチャネル電極が高電位となり、そ
のオン抵抗が小さくなる。・第２のＣＲ発振回路６側の
パストランジスタＴ6 は、そのＰチャネル電極が高電
位、Ｎチャネル電極が低電位となり、そのオン抵抗が大
きくなる。といった状況となる場合には、第１のＣＲ発
振回路５からは比較的周波数の高い（周期の短い）パル
ス信号が、また第２のＣＲ発振回路６からは、それより
も周波数の低い（周期の長い）パルス信号がそれぞれ発
振出力されるようになる。

【００２９】上記温度情報抽出用ブリッジ回路２のブリ
ッジ出力、及び基準情報抽出用ブリッジ回路３のブリッ
ジ出力についても、各々これに準じたかたちで、それら
電位差に応じた周波数（周期）を有するパルス信号が同
第１及び第２のＣＲ発振回路５及び６から発振されるよ
うになることは云うまでもない。

【００３０】こうして第１及び第２のＣＲ発振回路５及
び６から発振されたパルス信号は何れも、第１及び第２
の分周回路７及び８によりそれぞれ例えば数１００倍の
時間幅に分周されて、時間数値変換回路９に取り込まれ
る。

【００３１】時間数値変換回路９は、これら分周された
第１及び第２のＣＲ発振回路５及び６の２つの発振パル
スに基づきその周波数差（周期時間差）を求めてこれを
ディジタル信号に変換する回路である。その処理態様の
一例を図２に示す。

【００３２】すなわちこの図２に示されるように、上記
第１のＣＲ発振回路５からは、図２（ａ）にその分周出
力として示されるような比較的周波数の高い（周期の短
い）パルス信号が出力され、他方の第２のＣＲ発振回路
６からは、図２（ｂ）に同じくその分周出力として示さ
れるようなそれよりも周波数の低い（周期の長い）パル
ス信号が出力されているとするとき、該時間数値変換回
路９では、図２（ｃ）に示される態様で、それら周期時
間Ｔ１及びＴ２の差（Ｔ１−Ｔ２）を求め、その求めた
時間差（Ｔ１−Ｔ２）を所定の分解能にてディジタル信
号に変換することとなる。なお、同時間数値変換回路９
の詳細については、「電子情報通信学会論文誌 Ｃ−Ｉ
Ｉ Ｖｏｌ．Ｊ７８−Ｃ−ＩＩ Ｎｏ．６ ｐｐ．３６
６−３７４ １９９５年６月 『ディジタル処理による
高精度化と複数パルス測定を可能とした時間Ａ−Ｄ変換
ＬＳＩ』 渡辺高元 他著」に記述されているため、こ
こでの重複する説明は割愛する。

【００３３】こうして、入力される２つのパルス信号に
ついてその周波数差（周期時間差）を求め、ディジタル
変換した時間数値変換回路９は、これを周波数差（周期
時間差）情報ｆｓとして、マイクロコンピュータ１１に
出力する。なお、以下では便宜上、上記圧力情報抽出用
ブリッジ回路１のブリッジ出力について求めた周波数差
（周期時間差）情報ｆｓについてはこれを圧力情報Ｄと
云い、上記温度情報抽出用ブリッジ回路２のブリッジ出
力について求めた周波数差（周期時間差）情報ｆｓにつ
いてはこれを温度情報Ｔと云い、上記基準情報抽出用ブ
リッジ回路３のブリッジ出力について求めた周波数差
（周期時間差）情報ｆｓについてはこれを基準情報Ａと
云う。

【００３４】本例では、分周回路７，８及び時間数値変
換回路９にて周波数差演算手段が構成されている。制御
回路１０は、上記セレクタ４を通じたブリッジ出力の選
択や上記時間数値変換回路９の起動を制御する。演算手
段としてのマイクロコンピュータ１１は得られた圧力情
報Ｄ、温度情報Ｔ、及び基準情報Ａに、不揮発性メモリ
であるＥＰＲＯＭ１２に予め記憶されている当該センサ
自身の特性のばらつきや機差等を補正するための補正デ
ータ（定数ａ〜ｆ）を付加して演算を行い最終圧力値Ｐ
を出力する回路である。

【００３５】具体的には上記ＥＰＲＯＭ１２に予め記憶
する補正データとして、 ・温度情報Ｔに関する温度係数ａ、 ・基準温度における温度情報Ｔのオフセット値ｂ、 ・圧力情報Ｄに対する感度の温度特性係数ｃ、 ・基準温度における圧力情報Ｄに対する感度ｄ、 ・圧力情報Ｄのオフセットにおける温度係数ｅ、 ・基準温度における圧力情報Ｄのオフセット値ｆ の６つのデータ（定数）が用意されている。これらデー
タは何れも、センサの製造ばらつき等によって異なるの
が普通であり、同実施形態の装置では、当該センサの作
り込みの段階で、これら補正データａ〜ｆを上記ＥＰＲ
ＯＭ１２に書き込むようにしている。

【００３６】マイクロコンピュータ１１は、ＣＰＵ１１
ａをはじめ、プログラムメモリとしてのＲＯＭ１１ｂ、
及びデータメモリとしてのＲＡＭ１１ｃ等により構成さ
れており、上記分離復調された補正データａ〜ｆ、圧力
情報Ｄ、温度情報Ｔ、及び基準情報ＡをＲＡＭ１１ｃの
それぞれ所定領域に一括して取り込んだ後、ＲＯＭ１１
ｂに予登録されている図３に例示する演算プログラムを
上記ＣＰＵ１１ａを通じて実行する。

【００３７】すなわち、この図３に示す演算ルーチンに
おいて、ＣＰＵ１１ａは、ステップ２０１及びステップ
２０２にて、ＲＡＭ１１ｃに格納した圧力情報Ｄ、温度
情報Ｔ、基準情報Ａ、並びに補正データａ〜ｆを読み込
んだ後、ステップ２０３にて、演算 Ｐ＝｛（Ｔ／Ａ−ｂ）×（−ｅ／ａ）＋（Ｄ／Ａ−ｆ）｝ ／｛（Ｔ／Ａ−ｂ）×（ｃ／ａ）＋ｄ｝ …（６） を実行して、最終の圧力情報Ｐを算出する。

【００３８】この式の算出の根拠となった式は前述の
（２）〜（４）式であるが、それについては前述した通
りであり、ここではその説明は省略する。なお、「Ｄ／
Ａ」及び「Ｔ／Ａ」は、それぞれ上記圧力情報Ｄ及び温
度情報Ｔについて、センサ内の上記第１及び第２のＣＲ
発振回路５及び６、分周回路７及び８、並びに時間数値
変換回路９の温度特性や系統間の特性ばらつきを正規化
するための処理である。基準情報Ａがこれら回路におけ
る温度特性や系統間の特性ばらつきに対応した情報とな
ることは前述した。

【００３９】上記圧力情報抽出用ブリッジ回路１を通じ
て抽出される圧力情報Ｄ（出力電圧）がセンサに印加さ
れる圧力の他、センサ自身の温度にも依存したものとな
っていることは前述した通りであるが、このような圧力
情報Ｄに対して上記（６）式の演算を施すことにより、
検出対象とする物理情報である圧力Ｐについての極めて
精度の高いセンサ値を得ることができるようになる。具
体的には精度として２％ＦＳ以内とすることができる。

【００４０】以上説明したように、この実施形態にかか
る圧力センサ装置によれば、 （１）上記圧力情報抽出用ブリッジ回路１、温度情報抽
出用ブリッジ回路２、及び基準情報抽出用ブリッジ回路
３といった３つのブリッジ回路を設けるとともに、補正
データａ〜ｆを記憶したＥＰＲＯＭ１２を設け、圧力情
報抽出用ブリッジ回路１を通じて得られる圧力情報Ｄ
を、温度情報抽出用ブリッジ回路２を通じて得られる温
度情報Ｔ、基準情報抽出用ブリッジ回路３を通じて得ら
れる基準情報Ａ、並びに補正データａ〜ｆによって、そ
れぞれ補償するようにしたことで、センサ自身の温度特
性やその他の特性ばらつきによる影響を好適に除去する
ことができるようになる。具体的には、上記（６）式に
基づいてその最終的な圧力Ｐを算出するようにしたこと
で、その物理情報として、極めて精度の高い値を得るこ
とができるようになる。

【００４１】なお、同実施形態においては、圧力情報抽
出用ブリッジ回路１を構成する全ての抵抗素子に感圧抵
抗素子を用いるようにしたが、例えば抵抗素子Ｒ11及び
Ｒ12の何れか一方のみ、或いは抵抗素子Ｒ13及びＲ14の
何れか一方のみに該感圧抵抗素子を用いる等の構成も適
宜可能である。要は、圧力の印加に応じた電位差がその
ブリッジ出力を通じて得られる構成であればよい。

【００４２】また同様に、温度情報抽出用ブリッジ回路
２においても、例えば抵抗素子Ｒ24のみに感温抵抗素子
を用いる等の構成が可能である。これも要は、センサの
温度に応じた電位差がそのブリッジ出力を通じて得られ
さえすればよい。

【００４３】また、同実施形態においては、第１及び第
２のＣＲ発振回路としてパストランジスタ型のＣＲ発振
回路を用いたが、パストランジスタに代わって抵抗素子
が挿入され、そのＣＲ時定数に応じた周期を有する交番
信号を発振するタイプの発振回路なども適宜採用するこ
とができる。

【００４４】そしてこの場合、上記圧力情報をはじめ、
温度情報や基準情報を抽出する手段が必ずしもブリッジ
回路を構成している必要はなく、圧力情報を抽出する手
段であれば、 ・検出対象となる圧力の印加に応じたそれぞれ異なる時
定数変化をそれら第１及び第２のＣＲ発振回路に対して
付与し得るもの。また、温度情報を抽出する手段であれ
ば、 ・当該センサの温度に応じたそれぞれ異なる時定数変化
をそれら第１及び第２のＣＲ発振回路に対して付与し得
るもの。そして、基準情報を抽出する手段であれば、 ・検出対象となる圧力の印加及び当該センサの温度と無
関係にそれぞれ異なる時定数変化をそれら第１及び第２
のＣＲ発振回路に対して付与し得るもの。でありさえす
ればよい。

【００４５】また、それらセンサ固有の補正データを記
憶保持する手段としても、上記ＥＰＲＯＭ１２に限ら
ず、他の書き換え可能なＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭやフラッ
シュＲＯＭ等）、或いはＳＲＡＭ等の不揮発性メモリを
採用することができる。

【００４６】また、発振周波数を数値化する回路として
は、上記実施形態以外に、単一時間内の発振パルス数を
カウントする方法などもよく用いられる。また、マイク
ロコンピュータ１１を用いる代わりに、同じ機能を有す
る演算処理回路を圧力センサ１００を構成するチップ上
に形成して全体を１チップ化してもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明にかかる圧力センサ装置の一実施形態
を示すブロック図。

【図２】図１に示される時間数値変換回路（時間Ａ−
Ｄ）の処理態様を示すタイムチャート。

【図３】センサ値演算手順を示すフローチャート。

【符号の説明】

１…圧力情報抽出用ブリッジ回路、２…温度情報抽出用
ブリッジ回路、３…基準情報抽出用ブリッジ回路、５…
第１のＣＲ発振回路、６…第２のＣＲ発振回路、７…第
１の分周回路、８…第２の分周回路、９…時間数値変換
回路、１１…マイクロコンピュータ、１１ａ…ＣＰＵ、
１１ｂ…ＲＯＭ、１１ｃ…ＲＡＭ、１２…ＥＰＲＯＭ。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 検出対象となる圧力の印加に応じた圧力
   情報を抽出する圧力情報抽出手段と、 センサの温度に応じた温度情報を抽出する温度情報抽出
   手段と、 前記検出対象となる圧力の印加及び当該センサの温度と
   は無関係な基準情報を抽出する基準情報抽出手段と、 センサの特性のばらつきや機差等を補正するためのデー
   タが予め記憶された不揮発性メモリと、 前記圧力情報Ｄ、温度情報Ｔ、基準情報Ａおよび補正デ
   ータに基づき最終圧力を算出する演算手段とを備えた圧
   力センサ装置であって、 前記補正データとして、 温度情報Ｔに関する温度係数ａと、 基準温度における温度情報Ｔのオフセット値ｂと、 圧力情報Ｄに対する感度の温度特性係数ｃと、 基準温度における圧力情報Ｄに対する感度ｄと、 圧力情報Ｄのオフセットにおける温度係数ｅと、 基準温度における圧力情報Ｄのオフセット値ｆとを用意
   し、 前記演算手段は、 Ｐ＝｛（Ｔ／Ａ−ｂ）×（−ｅ／ａ）＋（Ｄ／Ａ−
   ｆ）｝／｛（Ｔ／Ａ−ｂ）×（ｃ／ａ）＋ｄ｝ にて最終圧力Ｐを算出するようにしたことを特徴とする
   圧力センサ装置。
2. 【請求項２】 静電容量（Ｃ）−抵抗（Ｒ）時定数に応
   じた周期を有する交番信号を発振する第１のＣＲ発振回
   路と、 同じく静電容量−抵抗時定数に応じた周期を有する交番
   信号を発振する第２のＣＲ発振回路と、 を備え、 前記圧力情報抽出手段は、検出対象となる圧力の印加に
   応じたそれぞれ異なる時定数変化を前記第１及び第２の
   ＣＲ発振回路に対して付与し、 前記温度情報抽出手段は、センサの温度に応じたそれぞ
   れ異なる時定数変化を前記第１及び第２のＣＲ発振回路
   に対して付与し、 前記基準情報抽出手段は、検出対象となる圧力の印加及
   び当該センサの温度と無関係にそれぞれ異なる時定数変
   化を前記第１及び第２のＣＲ発振回路に対して付与し、 前記圧力情報抽出手段によって時定数変化の付与された
   前記第１及び第２のＣＲ発振回路による発振出力の周波
   数差、及び前記温度情報抽出手段によって時定数変化の
   付与された前記第１及び第２のＣＲ発振回路による発振
   出力の周波数差、そして前記基準情報抽出手段によって
   時定数変化の付与された前記第１及び第２のＣＲ発振回
   路による発振出力の周波数差をそれぞれ演算する周波数
   差演算手段と、を備えた請求項１記載の圧力センサ装
   置。
3. 【請求項３】 前記圧力情報抽出手段は、検出対象とな
   る圧力の印加に応じて第１の方向への抵抗値変化を生じ
   る第１の感圧抵抗素子と、同じく検出対象となる圧力の
   印加に応じて前記第１の方向とは逆の第２の方向への抵
   抗値変化を生じる第２の感圧抵抗素子とによって構成さ
   れる第１のブリッジ回路であり、 前記温度情報抽出手段は、当該センサの温度に応じて抵
   抗値変化を生じる感温抵抗素子と、基本的に温度特性を
   持たない抵抗素子とによって構成される第２のブリッジ
   回路であり、 前記基準情報抽出手段は、基本的に温度特性を持たない
   抵抗素子によって構成される第３のブリッジ回路であ
   り、 前記第１及び第２のＣＲ発振回路は、前記第１〜第３の
   ブリッジ回路の各出力電圧がそれぞれ逆極性にて印加さ
   れるＭＯＳトランジスタを有し、それらＭＯＳトランジ
   スタのオン抵抗変化に応じて前記発振する交番信号の周
   期が変化するＭＯＳトランジスタ型のＣＲ発振回路であ
   る請求項２記載の圧力センサ装置。