JPH10275793A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】外気が侵入してきても、当該外気が基板に直接
当たるのを防止することができる基板処理装置を提供す
る。 【解決手段】チャンバ20内の上部には、減圧乾燥処理時
にウエハＷが収容される遮蔽部100 が配置されている。
遮蔽部100 の上端と閉塞状態のカバー120 との間は、ラ
ビリンス機構301 によってシールされている。減圧乾燥
処理が開始されると、チャンバ20内には上方から下方に
向く気流が生じる。このとき、チャンバ20とカバー120
との間をシールするリップパッキン123 の隙間から外気
がチャンバ20内に吸い込まれると、当該外気はラビリン
ス機構301 によって遮蔽部100 内に侵入するのを阻止さ
れ、上記気流に導かれて遮蔽部100 の外側を通って下方
にある減圧ポンプ31に吸い込まれる。そのため、遮蔽部
100 内に収容されているウエハＷに外気が当たることは
ない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示装置用ガラス基板のような各種の被処理基板に対
して処理を施すための装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程では、複数枚の半
導体ウエハ（以下単に「ウエハ」という。 ）を一括して
処理するバッチ式のウエハ処理装置が用いられる場合が
ある。この種のウエハ処理装置は、複数枚のウエハを一
括して薬液などに浸漬させ、これによりウエハ表面を洗
浄したりウエハ表面に形成された薄膜を除去したりする
ために用いられ、たとえばこのような薬液処理を行うた
めの複数の薬液処理部と、薬液処理後のウエハを水洗い
し、さらに減圧乾燥させる減圧乾燥部とを備えている。

【０００３】図１０は、減圧乾燥部の概略断面図であ
る。減圧乾燥部は、純水によってウエハＷを水洗いする
とともに、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）ベーパを
利用してウエハＷを乾燥させるもので、チャンバ７００
と、チャンバ７００の上面に開閉可能に装着されたカバ
ー７０１と、カバー７０１が閉塞されている場合に、チ
ャンバ７００内に外気が侵入しないようにするために、
チャンバ７００とカバー７０１との間をシールするＯリ
ング７０２と、チャンバ７００内に設けられた昇降可能
なウエハガイド７０３と、チャンバ７００内の下方に配
置され、純水が貯留される貯留槽７０４と、チャンバ７
００内の上方に配置され、ＩＰＡベーパが吐出されるノ
ズル７０５と、チャンバ７００内を減圧するための減圧
ポンプ７０６が接続された排気管７０７とを備えてい
る。

【０００４】図示しないウエハ搬送ロボットによってウ
エハＷが搬送されてくると、カバー７０１が開けられ、
この状態においてウエハ搬送ロボットからウエハガイド
７０３にウエハＷが渡される。ウエハガイド７０３で
は、当該ウエハＷが鉛直に一括して整列保持される。そ
の後、ウエハガイド７０３が下降させられ、二点鎖線で
示すように、純水が貯留されている貯留槽７０４に収容
され、この貯留槽７０４にて水洗いされる。その後、Ｉ
ＰＡベーパがノズル７０５からチャンバ７００内に供給
されるとともに、ウエハガイド７０３が実線で示す位置
まで上昇させられる。この上昇過程において、ウエハＷ
に付着している水滴がＩＰＡベーパと置換され、水滴が
ウエハＷから除去されるとともにウエハＷの表面がＩＰ
Ａベーパによって覆われる。さらに、この状態において
減圧ポンプ７０６が駆動され、チャンバ７００内が減圧
される。その結果、ウエハＷの表面を覆っていたＩＰＡ
ベーパが蒸発する。これにより、ウエハＷが乾燥され
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】チャンバ７００内が減
圧されている場合、チャンバ７００内では、チャンバ７
００の上方から排気管７０７が接続されている下方に向
く気流が発生する。Ｏリング７０２によってチャンバ７
００とカバー７０１との間が確実にシールされている場
合には特に問題はないが、Ｏリング７０２のシール面７
０２ａが経年変化等によって劣化すると、Ｏリング７０
２とカバー７０１との間に隙間ができ、この隙間から外
気がチャンバ７００内に吸い込まれる。その結果、白抜
き矢印で示すように、パーティクルを含む外気が乾燥処
理中のウエハＷに直接当たる。その結果、半導体装置の
歩留まりの低下を招くという不具合が生じていた。

【０００６】そこで、本発明の目的は、上述の技術的課
題を解決し、パーティクルを含む外気が侵入してきて
も、当該外気が基板に直接当たるのを防止することがで
きる基板処理装置を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記目
的を達成するための請求項１記載の発明は、減圧手段に
より内部を減圧され、基板を収容して処理を施すための
減圧処理容器と、この減圧処理容器を開閉可能な蓋体
と、上記減圧処理容器が上記蓋体で閉塞された場合に、
上記減圧処理容器と上記蓋体との間をシール面にてシー
ルするためのシール部材と、上記シール面の隙間から上
記減圧処理容器内に流入する気流が上記減圧処理容器に
収容されている基板に直接当たるのを防止するために、
上記シール部材と上記基板との間に設けられた遮蔽手段
とを含むことを特徴とする基板処理装置である。

【０００８】本発明によれば、シール部材と基板との間
に遮蔽手段が設けられているから、たとえシール部材の
シール面が劣化して外気が減圧処理容器内に吸い込まれ
てきたとしても、当該外気が基板に直接当たるのを防止
できる。したがって、基板にパーティクルが付着するの
を防止できるから、処理を良好に行うことができる。そ
のため、高品質な基板を提供できるから、基板処理の歩
留まりの低下を抑えることができる。

【０００９】請求項２記載の発明は、上記遮蔽手段は、
上記減圧処理容器の内部に上記基板を収容可能に設けら
れ、上記蓋体に対向する開口を有する遮蔽容器であり、
上記減圧手段は、上記減圧処理容器と上記遮蔽容器との
間に形成される遮蔽空間を減圧するものであることを特
徴とする請求項１または請求項２に記載の基板処理装置
である。

【００１０】本発明では、たとえば基板を遮蔽容器の内
部に収容した状態において減圧手段によって遮蔽空間を
減圧し、処理を行うことができる。したがって、遮蔽容
器の内部空間と遮蔽空間とが連通していれば、遮蔽容器
の内部空間から遮蔽空間に向く気流が生じる。そのた
め、シール部材のシール面の隙間から外気が減圧処理容
器内に吸い込まれても、当該外気は上記気流によって遮
蔽容器の内部に導かれるのを阻止される。よって、外気
が遮蔽容器内の基板に直接当たることがない。そのた
め、上記請求項１記載の発明と同様の作用効果を奏す
る。

【００１１】請求項３記載の発明は、上記遮蔽容器と蓋
体との間の隙間をシールするためのシール手段をさらに
含み、上記遮蔽容器の上記基板が収容される位置よりも
下方には、上記遮蔽容器の内部空間と上記遮蔽空間とを
連通する連通口が形成されていることを特徴とする請求
項２記載の基板処理装置である。本発明では、遮蔽容器
と蓋体との間の隙間がシールされる一方、遮蔽容器の基
板収容位置よりも下方に遮蔽容器の内部空間と遮蔽空間
とを連通する連通口が形成されているから、遮蔽容器の
内部から上記連通口を介して遮蔽空間に向く気流を生じ
させることができる。したがって、シール部材のシール
面から外気が減圧処理容器内に吸い込まれても、当該外
気は上記気流によって連通口から遮蔽容器の内部に導か
れるのを阻止される。また、遮蔽容器と蓋体との間の隙
間もシールされているから、当該隙間から遮蔽容器の内
部に導かれるのも阻止される。そのため、外気が遮蔽容
器内の基板に直接当たることがない。よって、上記請求
項２記載の発明と同様の作用効果を奏する。

【００１２】しかも、遮蔽容器の内部空間から空気が流
出されるのは、遮蔽容器と蓋体との間の隙間ではなく連
通口であるから、上記請求項２記載の発明に比べて多量
の空気を短時間に流出させることができる。よって、減
圧速度が速くなるから、効率的な処理を行うことができ
る。請求項４記載の発明は、上記シール手段は、遮蔽容
器と蓋体との間の隙間をシールするためのＯリングであ
ることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置であ
る。

【００１３】本発明によれば、Ｏリングによって遮蔽容
器と蓋体との間の隙間がシールされるから、上記隙間を
確実にシールすることができる。そのため、外気の遮蔽
容器の内部への侵入を確実に阻止できるから、基板への
パーティクルの付着を一層確実に防止できる。よって、
上記請求項１ないし３に記載の発明に比べて一層高品質
な基板を提供することができる。

【００１４】請求項５記載の発明は、上記シール手段
は、遮蔽容器と蓋体との間の隙間を非接触にてシールす
るためのラビリンス機構であることを特徴とする請求項
３記載の基板処理装置である。本発明によれば、遮蔽容
器と蓋体との間の隙間が非接触にてシールされるから、
シール部分におけるパーティクルの発生がない。したが
って、シール面にてシールする上記請求項４記載の発明
に比べて基板へのパーティクルを一層確実に防止でき
る。よって、上記請求項４記載の発明に比べて一層高品
質な基板を提供することができる。

【００１５】請求項６記載の発明は、上記シール部材
は、リップパッキンであることを特徴とする請求項１な
いし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置である。
本発明によれば、減圧処理容器と蓋体との間の隙間を良
好にシールすることができるから、外気の減圧処理容器
への侵入を最小限に抑えることができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発
明の第１実施形態の基板処理装置である減圧乾燥部が適
用されるウエットステーションの全体構成を示す斜視図
である。このウエットステーション１は、カセットＣに
収納されている複数枚（たとえば２６枚）のウエハＷに
対して薬液処理を施すためのものである。

【００１７】ウエットステーション１は、２カセット分
の枚数（たとえば５２枚）のウエハＷの向きを整えるた
めの整列部２と、向きが整えられた後のウエハＷをカセ
ットＣから一括して取り出すための取出部３と、取出部
３によってカセットから取り出されたウエハＷに対して
薬液処理を施すための複数の薬液処理部４、５、６、
７、８および９と、薬液処理後の複数枚のウエハＷを一
括して水洗いし、かつ減圧乾燥させる減圧乾燥部１０と
を備えている。整列部２、取出部３、薬液処理部４〜９
および減圧乾燥部１０は、所定の処理部配列方向ａに沿
って直線状に配置されている。

【００１８】薬液処理部４〜９は、複数枚のウエハＷを
一括して所定の薬液に浸漬させることによってウエハＷ
を処理するものである。すなわち、各薬液処理部４〜９
の内部には、たとえばアンモニア、フッ酸、硫酸などの
薬液を貯留できる貯留槽（図示せず）が配置されてお
り、薬液が貯留されている貯留槽内にウエハＷを浸漬さ
せることによって、ウエハＷの表面が洗浄されたりウエ
ハＷの表面に形成されている薄膜が除去されたりするよ
うになっている。

【００１９】また、このウエットステーション１は、取
出部３から減圧乾燥部１０までの間において、複数枚の
ウエハＷを一括して搬送するためのウエハ搬送ロボット
１１を備えている。ウエハ搬送ロボット１１は、処理部
配列方向ａに沿って移動可能なもので、処理部配列方向
ａに関して開閉可能なウエハ保持チャック１２を有して
いる。ウエハ保持チャック１２は、ウエハ搬送ロボット
１１に対して昇降自在に取り付けられている。この構成
により、薬液処理部４〜９および減圧乾燥部１０の内部
にまで下降してウエハＷの受け渡しを行うことができる
ようになっている。

【００２０】図２は、ウエハ保持チャック１２の構成を
示す正面図である。ウエハ保持チャック１２は、処理部
配列方向ａに関して互いに対向するように配置された一
対のチャック部１３を有している。各チャック部１３
は、それぞれ、処理部配列方向ａにほぼ直交するウエハ
配列方向ｂに関して所定間隔離れて配置された一対のア
ーム部１４（一方側のみ図示）と、ウエハ配列方向ｂに
沿って延び、アーム部１４の下端部においてアーム部同
士をつなぐ上下一対の保持部１５とを有している。各チ
ャック部１３の保持部１５には、Ｖ字状の保持溝１６が
多数形成されている。

【００２１】ウエハＷを保持する際には、一対のチャッ
ク部１３が互いに近づけられる。その結果、一対のチャ
ック部１３の各保持溝１６にウエハＷの周縁部が係合す
る。これにより、ウエハＷは、ウエハ保持チャック１２
に鉛直に保持される。そのため、複数枚のウエハＷは、
ウエハ保持チャック１２にウエハ配列方向ｂに沿って鉛
直に整列保持される。

【００２２】図３は、減圧乾燥部１０の内部構成を薬液
処理部９が位置する側から見た断面図、図４は、減圧乾
燥部１０の内部構成をウエハ保持ロボット１１が位置す
る側から見た断面図である。減圧乾燥部１０は、純水を
用いてウエハＷに付着している薬液等を洗い流し、かつ
ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）ベーパを利用して洗
浄後のウエハＷを乾燥させるためのものである。減圧乾
燥部１０は、チャンバ２０と、チャンバ２０内において
複数枚のウエハＷを一括して保持するためのウエハガイ
ド４０と、ウエハガイド４０を昇降させるためのリフタ
６０と、チャンバ２０内の下部に配置され、純水が貯留
される貯留槽８０と、チャンバ２０内の上部に配置され
た遮蔽部１００とを備えている。

【００２３】チャンバ２０は、平面視においてほぼ矩形
のもので、側壁２１、２２、２３および２４によって囲
まれている。チャンバ２０の上面には、オートカバー１
２０が開閉可能に装着されている。オートカバー１２０
は、ウエハ保持ロボット１１が備えられている側と反対
側の支点部１２１を支点にして、開閉機構１２２によっ
て自動的に開閉することができる。オートカバー１２０
は、ウエハ保持チャック１３とチャンバ２０内のウエハ
ガイド４０との間でウエハＷの受け渡しが行われる際に
開けられ、純水洗浄処理および乾燥処理時には閉塞され
る。

【００２４】チャンバ２０の上面には、オートカバー１
２０の閉塞状態において、オートカバー１２０とチャン
バ２０との間をシールするためのリップパッキン１２３
が設けられている。これにより、チャンバ２０の外部か
らパーティクルを含む外気がチャンバ２０内に侵入する
のが防止されるとともに、ＩＰＡベーパがチャンバ２０
外に漏れるのが防止される。

【００２５】遮蔽部１００は、主として、リップパッキ
ン１２３のシール面が劣化した場合に、チャンバ２０内
に侵入するおそれのある外気から基板処理位置に置かれ
ているウエハＷを遮蔽するためのもので、チャンバ２０
のほぼ上半分の空間内に配置されている。遮蔽部１００
は、チャンバ２０の側壁２１〜２４の近傍に当該各側壁
２１〜２４に沿うように配置された４つの側壁１０１、
１０２、１０３および１０４を有している。各側壁１０
１〜１０４の上端付近には、チャンバ２０の内側に入り
込む段差部１０１ａ、１０２ａ、１０３ａおよび１０４
ａが形成されている。遮蔽部１００の上面は、主とし
て、ウエハ保持チャック１２をチャンバ２０内に進入さ
せるために、開口している。

【００２６】オートカバー１２０の内壁には、オートカ
バー１２０の閉じ状態において下方に突出する突出部３
００が取り付けられている。突出部３００は、オートカ
バー１２０の閉塞状態において、遮蔽部１００の側壁１
０１〜１０４の上端に形成された段差部１０１ａ〜１０
４ａの外側に位置するように、配置されている。すなわ
ち、突出部３００と段差部１０１ａ〜１０４ａとによっ
て、遮蔽部１００の上面とオートカバー１２０との間の
隙間を非接触にてシールするラビリンス機構３０１が構
成されている。

【００２７】各側壁１０１〜１０４のうちリフタ６０が
配置されている側の側壁１０２には、リフタ６０の上下
動を許容するために上下に長い切欠き１０６が形成され
ている。また、チャンバ２０の下面は開口している。こ
の構成により、を収容空間１０５内の基板処理位置にウ
エハＷが達するまでウエハガイド４０を上昇させること
ができる。

【００２８】このように、チャンバ２０の内部空間は、
上端側がラビリンス機構３０１によってシールされた遮
蔽部１００によって、遮蔽部１００の内部空間である収
容空間１０５とその外部空間である遮蔽空間１０７とに
区画されている。ただし、遮蔽部１００の下面が開口し
ていることから、収容空間１０５と遮蔽空間１０７とは
この下面の開口（以下「連通口」という。）１０８によ
って連通されている。

【００２９】ウエハガイド４０は、ウエハ配列方向ｂに
沿って長く形成され、このウエハ配列方向ｂと直交する
処理部配列方向ａに関して互いに所定間隔だけ離れてい
る４つのガイド部４１、４２、４３および４４と、これ
らガイド部４１〜４４の先端部を互いに連結するための
連結部４５とを備えている。ガイド部４１には、当該ガ
イド部４１を挟んで対向し、かつウエハ配列方向ｂに沿
って長い２つの保持板４６および４７がそれぞれボルト
５２および５３によって取り付けられている。ガイド部
４４には、当該ガイド部４４を挟んで対向し、かつウエ
ハ配列方向ｂに沿って長い２つの保持板４８および４９
がボルト５４および５５によって取り付けられている。
また、ガイド部４２および４３には、それぞれ、当該各
ガイド部４２および４３の外側の面に、ウエハ配列方向
ｂに沿って長い１つの保持板５０および５１がボルト５
６および５７によって取り付けられている。

【００３０】各保持板４６〜５１の上辺には、それぞ
れ、ほぼＶ字状の複数の保持溝５８が形成されている。
いずれかの保持板に形成されている１つの保持溝は、他
の保持板の平面視において処理部配列方向ａに沿う直線
上に位置する他の５つの保持溝とともに、１つのグルー
プを形成している。この１つのグループに含まれる６つ
の保持溝５８はウエハＷの周縁部の形状に沿うように配
置されている。１枚のウエハＷは、１つのグループに含
まれる保持溝５８にその周縁部が係合した状態で鉛直に
保持される。ウエハガイド４０には、上述のような６つ
の保持溝５８で構成されるグループがウエハ配列方向ｂ
に関して複数形成されており、これによりウエハガイド
４０では、複数枚のウエハＷを一括してウエハ配列方向
ｂに沿って整列保持することができる。

【００３１】このように、ウエハＷは、６つの保持溝５
８によって保持されるから、保持状態が非常に安定す
る。したがって、ウエハＷが倒れるなどの不具合の発生
を防止できる。そのため、ウエハＷを傷つけることを回
避できるから、高品質なウエハＷを提供できる。リフタ
６０は、このようなウエハガイド４０を予め定める純水
処理位置（実線で示す）と基板処理位置（二点鎖線で示
す）との間で昇降させる。純水処理位置は、貯留槽８０
の内部であって、貯留槽８０内に純水が貯留されている
場合に、当該純水にウエハＷが完全に浸漬されるような
位置に設定されている。基板処理位置は、ウエハガイド
４０に保持されているウエハＷの下端部が遮蔽部１００
の収容空間１０５内に完全に収まるような位置に設定さ
れている。ウエハガイド４０が純水処理位置まで下降さ
れるのは、主として、ウエハＷに純水洗浄処理を施す場
合である。また、ウエハガイド４０が基板処理位置まで
上昇されるのは、ウエハ保持チャック１２からウエハＷ
を受け取る場合、および純水洗浄処理が終了した後にウ
エハＷを乾燥させる場合である。

【００３２】リフタ６０は、ガイド部４１〜４４を連結
板４５の側壁２２側で連結し、支持する支持アーム６１
と、支持アーム６１の上端に取り付けられた支持部６２
と、支持部６２の下端に取り付けられ、下方に向けて延
びた支持軸６３と、この支持軸６３を上下方向に移動さ
せる昇降機構６４とを備えている。昇降機構６４によっ
て支持軸６３が昇降されると、これに伴って支持部６２
および支持アーム６１も昇降し、その結果ウエハガイド
４０が昇降する。

【００３３】なお、参照符号７８は、ウエハＷを乾燥さ
せる際に用いられるＩＰＡベーパから昇降機構６４など
を保護したり、昇降機構６４で発生するパーティクルが
チャンバ２０内に侵入するのを防止するためのベローズ
である。貯留槽８０は、平面視においてほぼ矩形のもの
で、側壁８１、８２、８３および８４、ならびに底壁８
５を有し、上面が開口している。貯留槽８０の底壁８５
付近にはノズル８６が配置されている。ノズル８６に
は、図示しない純水用タンクから純水が導かれる純水供
給路８７が連結されている。純水供給路８７の途中部に
は、純水供給弁８８が介装されている。この構成によ
り、純水供給弁８８の開閉を制御することで、貯留槽８
０に純水を供給することができる。

【００３４】貯留槽８０の側壁８１〜８４の上辺には、
所定間隔で所定深さのＶ字状のノッチ９０が複数個形成
されている。この構成により、貯留槽８０に貯留されて
いる純水をノッチ９０を介して貯留槽８０の外部にオー
バーフローさせることができる。これにより、元々ウエ
ハＷに付着していて純水洗浄処理中に純水中に溶けだし
た薬液やパーティクル等を貯留槽８０外に排出すること
ができる。

【００３５】チャンバ２０の底壁２５には、チャンバ２
０外にまで延びたドレン排出路２６が連結されている。
これにより、純水洗浄処理中に貯留槽８０からオーバー
フローされた薬液やパーティクル等の溶けだした純水を
チャンバ２０外に排出することができる。また、貯留槽
８０の底壁８５には、ドレン弁９１が介装されたドレン
排出路９２が連結されている。この構成により、ドレン
弁９１の開閉を制御することで、貯留槽８０に貯留され
ている純水を貯留槽８０の外部に排出することができ
る。これにより、純水洗浄処理後において使用済の純水
を排出することができるようになっている。

【００３６】収容空間１０５内の上部には、ウエハ配列
方向ｂに沿って長く延びた２つのＩＰＡ管１４０が配置
されている。ＩＰＡ管１４０には、ＩＰＡベーパをチャ
ンバ２０内に供給するためのＩＰＡ吐出孔１４１が複数
形成されている。ＩＰＡ吐出孔１４１からは、純水洗浄
処理後の乾燥処理時においてＩＰＡベーパが吐出される
ようになっている。一方、純水洗浄処理後においては、
ウエハガイド４０が上位置に向けて上昇させられる。こ
の上昇途中において、チャンバ２０内に供給されたＩＰ
ＡベーパとウエハＷの表面に付着している水滴とが置換
される。すなわち、ウエハＷ表面から水滴が除去される
とともに、ウエハＷ表面がＩＰＡベーパによって覆われ
る。

【００３７】排出路２６の途中部には、排気管３０が連
結されている。また、純水供給路８７は、純水排出弁９
５が介装された純水排出路９６を介して、排気管３０に
接続されている。排気管３０には、減圧ポンプ３１が接
続されている。減圧ポンプ３１は、乾燥処理時に駆動さ
れるようになっている。この場合、チャンバ２０内の空
気が排気管３０を介して吸引され、チャンバ２０内が減
圧される。その結果、ウエハＷ表面を覆っているＩＰＡ
ベーパが蒸発する。これにより、ウエハＷを乾燥させる
ことができる。

【００３８】また、減圧ポンプ３１が駆動されると同時
に、純水排出弁９５が開成される。その結果、ノズル８
６から閉成状態にある純水供給弁８８に至る純水供給路
８７内の純水が純水排出路９６を介して吸引される。こ
れにより、純水供給路８７内が乾燥されるようになって
いる。図５は、開閉機構１２２の構成を示すための図で
あって、図４のｈ方向から見た図である。開閉機構１２
２は、オートカバー１２０をチャンバ２０の背面２６側
にある支点部１２１を支点にして自動的に開閉させるた
めのもので、図示しない制御部によってその動作が制御
される。開閉機構１２２は、オートカバー１２０の支点
側に取り付けられた可動部２５０を備えている。可動部
２５０は、側面視においてほぼ長方形状のもので、オー
トカバー１２０が取り付けられている取付端において支
点部１２１に回動自在に取り付けられている。可動部２
５０の取付端の反対側である揺動端には、当該可動部２
５０を支点部１２１を中心にして回動させるための第１
シリンダ２５１の第１ロッド２５２が連結ピン２５３を
介して連結されている。

【００３９】さらに具体的には、第１シリンダ２５１
は、可動部２５０を、当該可動部２５０がほぼ水平にな
る閉塞位置と揺動端が取付端に対して下方に位置する開
放位置との間で、支点部１２１を中心にして回動させる
ものである。第１シリンダ２５１は、チャンバ２０の背
面２６の上部に向けて斜めに進退するように、チャンバ
２０の側壁２４の外側に斜めに取り付けられている。可
動部２５０の揺動端は、第１シリンダ２５１の第１ロッ
ド２５２に固定された連結ピン２５３に回動可能に取り
付けられている。

【００４０】この構成により、第１ロッド２５２が延ば
されると、可動部２５０が支点部１２１を中心して回動
し、やがて、実線で示すように、閉塞位置に達する。そ
の結果、オートカバー１２０は閉塞状態となる。一方、
この状態から第１ロッド２５２が引っ込むと、可動部２
５０は支点部１２１を中心にして上述とは反対方向に回
動し、やがて、二点鎖線で示すように、開放位置に達す
る。その結果、オートカバー１２０は開放状態となる。

【００４１】また、開閉機構１２２は、オートカバー１
２０が閉じられる際に、オートカバー１２０を確実に閉
じるための先端閉じ部２６０を備えている。オートカバ
ー１２０の先端１２０ａには、閉塞状態において下方に
突出する係合爪２７０が取り付けられている。係合爪２
７０の先端は、オートカバー１２０の閉塞状態において
水平に突出している。先端閉じ部２６０は、オートカバ
ー１２０が閉じられたときに、係合爪２７０を上方から
押さえつけることによって、オートカバー１２０を確実
に閉塞させる。

【００４２】先端閉じ部２６０は、側面視において細長
く、かつその先端部が係合爪２７０に上方から係合する
ようにされた係合爪２６１を、当該係合爪２６１が係合
爪２７０に係合する位置と当該係合が解除される位置と
の間で回動させるための第２シリンダ２６２を備えてい
る。係合爪２６１は、側壁２４に取り付けられた固定ピ
ン２６４に回動可能に取り付けられ、かつ先端部の反対
側の端部が第２ロッド２６３に固定されている取付ピン
２６５に回動可能に取り付けられている。第２シリンダ
２６２の第２ロッド２６３は、上下方向に沿って進退可
能なものである。

【００４３】この構成により、第２ロッド２６３が上方
向に延びると、これに伴って係合爪２６１が固定ピン２
６４を中心にして回動し、やがて、実線で示すように、
係合爪２６１の先端部が係合爪２７０に係合する。その
結果、係合爪２７０が係合爪２６１によって上方から押
さえつけられる。これにより、オートカバー１２０が確
実に閉塞される。この状態から第２ロッド２６３が下方
向に引っ込むと、係合爪２６１が上記とは反対方向に回
動する。その結果、上記係合状態が解除される。

【００４４】図６は、減圧乾燥部１０の概略断面図であ
る。上述のように、乾燥処理時においては、オートカバ
ー１２０は閉塞されている。この場合、チャンバ２０の
内外は、リップパッキン１２３によって遮断されてい
る。このような状態で減圧ポンプ３１が駆動されると、
遮蔽空間１０７内の空気は、チャンバ２０の上方から下
方にある排気管３０に向かって吸引される。一方、収容
空間１０５は遮蔽部１００の連通口１０８によって遮蔽
空間１０７に連通されているから、収容空間１０５内の
空気は、当該連通口１０８を通って遮蔽空間１０７に導
かれ、さらに、排気管３０に向かって吸引される。すな
わち、収容空間１０５から遮蔽部１００の下方の遮蔽空
間１０７に向く気流４００が生じる。

【００４５】ところで、チャンバ２０の内外を遮断して
いるリップパッキン１２３は、経年変化等によって、そ
のシール面１２３ａが劣化する場合がある。この場合、
オートカバー１２０とチャンバ２０との間に隙間ができ
る。このような状態で乾燥処理が行われると、白抜き矢
印で示すように、外気が上記隙間からチャンバ２０内に
吸い込まれる。

【００４６】この吸い込まれた外気は、ラビリンス機構
３０１によって遮蔽部１００の上面に導かれるのが阻止
されるために、遮蔽部１００の側壁１０１〜１０４とチ
ャンバ２０の側壁２１〜２４との間を通って遮蔽部１０
０の下方まで導かれる。一方、収容空間１０５からその
下方の遮蔽空間１０７に向く気流４００が生じている。
したがって、外気は、気流４００によって遮蔽部１００
の下面の開口に向かうことなく、排気管３０に向けて導
かれる。すなわち、外気は、収容空間１０５の基板処理
位置に位置しているウエハＷに当たることなく、排気管
３０に吸引されていく。

【００４７】以上のように第１実施形態によれば、ウエ
ハＷを完全に収容できる遮蔽部１００をチャンバ２０内
に配置し、かつ遮蔽部１００の上面をラビリンス機構３
０１によってシールしているから、たとえ乾燥処理時に
外気がチャンバ２０内に吸い込まれても、当該外気がウ
エハＷに直接当たることはない。したがって、ウエハＷ
にパーティクルが付着するのが防止されるから、乾燥処
理を良好に行うことができる。よって、高品質なウエハ
Ｗを提供することができる。

【００４８】なお、上記説明では、遮蔽部１００の上面
とオートカバー１２０との間をラビリンス機構３０１に
よって非接触にシールしている。しかし、たとえば図７
に示すように、遮蔽部１００の上面とオートカバー１２
０との間を、遮蔽部１００の上端に設けられたベース部
４１０に取り付けられたＯリング４１１によってシール
するようにしてもよい。このようにすれば、リップパッ
キン１２３周辺と遮蔽部１００の上部とをさらに確実に
シールするから、外気がウエハＷに直接当たるのをさら
に確実に防止する。

【００４９】図８は、本発明の第２実施形態の基板処理
装置である減圧乾燥部の概略断面図である。図８におい
て、図６と同じ機能部分については同一の参照符号を使
用する。上記第１実施形態にかかる遮蔽部１００は、チ
ャンバ２０のほぼ上半分の空間内に配置され、かつその
下面が開口しているのに対して、この第２実施形態にか
かる遮蔽部１００は、チャンバ２０の内部空間のほぼ全
体に配置され、かつ下面は開口していないものである。
すなわち、遮蔽部１００の底壁１０９は、チャンバ２０
の底壁２５の近傍に当該底壁２５に沿って配置されてお
り、遮蔽空間１０７は、遮蔽部１００の側壁１０１〜１
０４および底壁１０９とチャンバ２０の側壁２１〜２４
および底壁２５との間の空間となる。

【００５０】また、上記第１実施形態では、遮蔽部１０
０の上面とオートカバー１２０との間はラビリンス機構
３０１やＯリング４１１などのシール手段によってシー
ルされているのに対して、この第２実施形態では、シー
ル手段は備えられていない。すなわち、オートカバー１
２０の内壁に取り付けられた突出部３００は備えられて
おらず、したがって遮蔽部１００の上面とオートカバー
１２０との間は隙間があいたままとなっている。

【００５１】以上のことから、この第２実施形態では、
遮蔽部１００によって区画された収容空間１０５と遮蔽
空間１０７とは、遮蔽部１００の下面において連通され
ているのではなく、遮蔽部１００の上面において連通さ
れていると言える。減圧ポンプ３１が連結されている排
気管３０は、遮蔽空間１０７に直結している。したがっ
て、減圧ポンプ３１が駆動されると、遮蔽空間１０７内
の空気が排気管３０に吸引される。これに伴って、収容
空間１０５内の空気は、遮蔽部１００の上面から遮蔽空
間１０７に吸い込まれ、収容空間１０５から遮蔽空間１
０７に向く気流４３０が生じる。この気流４３０は、遮
蔽空間１０７から収容空間１０５への空気の流れを阻止
しているから、実質的に、遮蔽部１００とオートカバー
１２０との間の隙間をシールする機能を果たしている。
したがって、リップパッキン１２３のシール面１２３ａ
の隙間から外気がチャンバ２０内に吸い込まれても、上
記気流４３０によって当該外気は収容空間１０５に導か
れるのを阻止され、そのまま遮蔽空間１０７を通って排
気管３０に吸い込まれる。よって、外気が収容空間１０
５内に収容されているウエハＷに当たることがない。

【００５２】以上のようにこの第２実施形態によって
も、外気がウエハＷに直接当たるのを防止できるから、
乾燥処理を良好に行うことができ、したがって高品質な
ウエハＷの提供に貢献できる。図９は、本発明の第３実
施形態の基板処理装置である減圧乾燥部の概略断面図で
ある。図９において、図６と同じ機能部分については同
一の参照符号を使用する。

【００５３】なお、この第３実施形態では、上記第１実
施形態において説明した遮蔽部１００の構成および遮蔽
部１００に関連する構成をベースにしているが、上記図
７に示した構成、および上記第２実施形態において説明
した構成をベースにしてもよいのはもちろんである。上
記実施形態では、チャンバ２０の底壁２５に連結された
排出路２６の途中部に排気管３０が連結され、チャンバ
２０の上方から下方に向く気流を発生させているのに対
して、この第３実施形態では、チャンバ２０の側壁２４
の上部に排気管３０が連結され、チャンバ２０の下方か
ら上方に向く気流を発生させている。具体的には、排気
管３０は、側壁２４の上部であって、かつリップパッキ
ン１２３が設けられている位置の近傍に配置されてい
る。

【００５４】この構成では、減圧ポンプ３１が駆動され
ると、チャンバ２０の下方から遮蔽部１００の側壁１０
４とチャンバ２０の側壁２４との間を通って排気管３０
に向く気流４４０が発生する。また、この気流４４０に
は、遮蔽部１００の下面に向けて下降し、さらに連通口
１０８から遮蔽部１００の側壁１０４とチャンバ２０の
側壁２４との間に導かれる収容空間１０５内の空気も含
まれる。一方、排気管３０が連結されている側壁２４側
のリップパッキン１２３のシール面１２３ａの隙間から
チャンバ２０内に吸い込まれた外気は、ラビリンス機構
３０１によって収容空間１０５内に侵入するのが阻止さ
れるから、遮蔽空間１０７に導かれ、その後すぐに、排
気管３０に吸い込まれる。また、排気管３０が連結され
ていない側壁２１〜２３側から吸い込まれた空気は、遮
蔽部１００の側壁１０１〜１０３に沿って排気管３０に
吸引されていく。

【００５５】以上のように第３実施形態によれば、排気
管３０をチャンバ２０の側壁２４の上部であって、かつ
リップパッキン１２３の近傍に連結しているから、チャ
ンバ２０内に吸い込まれた外気をすぐに回収することが
できる。したがって、上記実施形態に比べてウエハＷに
外気が当たる可能性をさらに低くすることができるか
ら、乾燥処理を一層良好に行うことができる。よって、
一層高品質なウエハＷを提供することができる。

【００５６】本発明の実施の形態は以上のとおりである
が、本発明は上述の実施形態に限定されるものではな
い。たとえば、上記実施形態では、オートカバー１２０
は、チャンバ２０の上端に取り付けられた支点部１２１
を支点にして開閉できるようになっているが、たとえば
上下方向に開閉できるようなものであってもよい。この
場合、遮蔽部１００をチャンバ２０内に固定するのでは
なく、たとえばオートカバー１２０に固定するようにし
てもよい。この構成によれば、オートカバー１２０と遮
蔽部１００との間に隙間が形成されることはない。すな
わち、収容空間１０５内に外気が入り込む可能性のある
経路を１つなくすことができるから、外気がウエハＷに
直接当たるのを一層確実に防止することができる。

【００５７】また、上記実施形態では、本発明をウエハ
Ｗに処理を施す装置に適用する場合について説明してい
るが、本発明は、液晶表示装置用ガラス基板やＰＤＰ
（プラズマディスプレイパネル）などの各種の被処理基
板に処理を施す装置に対しても広く適用することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態の基板処理装置である減
圧乾燥部を含むウエットステーションの全体構成を示す
斜視図である。

【図２】ウエハ保持チャックを示す正面図である。

【図３】減圧乾燥部の内部構成を薬液処理部が位置する
側から見た断面図である。

【図４】減圧乾燥部の内部構成をウエハ保持ロボットが
位置する側から見た断面図である。

【図５】開閉機構の構成を説明するために、図４のｈ方
向から見た側面図である。

【図６】減圧乾燥部の概略断面図である。

【図７】シール手段としてＯリングを用いた場合の減圧
乾燥部の概略断面図である。

【図８】本発明の第２実施形態の基板処理装置である減
圧乾燥部の概略断面図である。

【図９】本発明の第３実施形態の基板処理装置である減
圧乾燥部の概略断面図である。

【図１０】従来の減圧乾燥部の概略断面図である。

【符号の説明】

１ ウエットステーション １０ 減圧乾燥部 ２０ チャンバ（減圧処理容器） ３１ 減圧ポンプ（減圧手段） １００ 遮蔽部（遮蔽手段） １２０ オートカバー（蓋体） １２３ リップパッキン（シール部材） １２３ａ シール面 ３０１ ラビリンス機構（シール手段） ４１１ Ｏリング（シール手段）

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】減圧手段により内部を減圧され、基板を収
   容して処理を施すための減圧処理容器と、 この減圧処理容器を開閉可能な蓋体と、 上記減圧処理容器が上記蓋体で閉塞された場合に、上記
   減圧処理容器と上記蓋体との間をシール面にてシールす
   るためのシール部材と、 上記シール面の隙間から上記減圧処理容器内に流入する
   気流が上記減圧処理容器に収容されている基板に直接当
   たるのを防止するために、上記シール部材と上記基板と
   の間に設けられた遮蔽手段とを含むことを特徴とする基
   板処理装置。
2. 【請求項２】上記遮蔽手段は、上記減圧処理容器の内部
   に上記基板を収容可能に設けられ、上記蓋体に対向する
   開口を有する遮蔽容器であり、 上記減圧手段は、上記減圧処理容器と上記遮蔽容器との
   間に形成される遮蔽空間を減圧するものであることを特
   徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 【請求項３】上記遮蔽容器と蓋体との間の隙間をシール
   するためのシール手段をさらに含み、 上記遮蔽容器の上記基板が収容される位置よりも下方に
   は、上記遮蔽容器の内部空間と上記遮蔽空間とを連通す
   る連通口が形成されていることを特徴とする請求項２記
   載の基板処理装置。
4. 【請求項４】上記シール手段は、遮蔽容器と蓋体との間
   の隙間をシールするためのＯリングであることを特徴と
   する請求項３記載の基板処理装置。
5. 【請求項５】上記シール手段は、遮蔽容器と蓋体との間
   の隙間を非接触にてシールするためのラビリンス機構で
   あることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
6. 【請求項６】上記シール部材は、リップパッキンである
   ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに
   記載の基板処理装置。