JPH1027574A - 放電ランプアークチューブおよび同アークチューブの製造方法 - Google Patents
放電ランプアークチューブおよび同アークチューブの製造方法Info
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- JPH1027574A JPH1027574A JP8182958A JP18295896A JPH1027574A JP H1027574 A JPH1027574 A JP H1027574A JP 8182958 A JP8182958 A JP 8182958A JP 18295896 A JP18295896 A JP 18295896A JP H1027574 A JPH1027574 A JP H1027574A
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ピンチシール部内で箔浮き現象の生じない放
電ランプアークチューブの提供。 【解決手段】 電極棒６とモリブデン箔７とリード線８
が直列に接続一体化された電極アッシーＡがガラス管Ｗ
のそれぞれの開口端から挿入され、ガラス管のモリブデ
ン箔７を含む領域がピンチシールされて、発光物質等を
封入した密閉ガラス球１２内に電極が対設された放電ラ
ンプアークチューブにおいて、ピンチシール部１３に封
着されたモリブデン箔７の表面に酸化膜を形成するよう
に構成し、モリブデン層とガラス層間に形成されたＭｏ
−Ｏ−Ｓｉ系中間層が、モリブデン箔７とガラスを強固
に接着する接着層として機能するとともに、モリブデン
とガラスの線膨張係数の差に起因して生じる熱応力等の
種々の応力を吸収低減するので、箔浮きがなく、長期安
定した放電が保証される。
電ランプアークチューブの提供。 【解決手段】 電極棒６とモリブデン箔７とリード線８
が直列に接続一体化された電極アッシーＡがガラス管Ｗ
のそれぞれの開口端から挿入され、ガラス管のモリブデ
ン箔７を含む領域がピンチシールされて、発光物質等を
封入した密閉ガラス球１２内に電極が対設された放電ラ
ンプアークチューブにおいて、ピンチシール部１３に封
着されたモリブデン箔７の表面に酸化膜を形成するよう
に構成し、モリブデン層とガラス層間に形成されたＭｏ
−Ｏ−Ｓｉ系中間層が、モリブデン箔７とガラスを強固
に接着する接着層として機能するとともに、モリブデン
とガラスの線膨張係数の差に起因して生じる熱応力等の
種々の応力を吸収低減するので、箔浮きがなく、長期安
定した放電が保証される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電極が対設され発
光物質等が封入された密閉ガラス球をもつ放電ランプア
ークチューブ、特に、チップオフ部をもたない密閉ガラ
ス球をもつアークチューブおよびその製造方法に関す
る。
光物質等が封入された密閉ガラス球をもつ放電ランプア
ークチューブ、特に、チップオフ部をもたない密閉ガラ
ス球をもつアークチューブおよびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来の放電ランプであり、絶縁性
ベース２の前方に突出する一対のリードサポート３，４
によってアークチューブ５の前後端部が支持された構造
となっている。符号Ｇは、アークチューブ５から発した
光の中で、人体に有害な波長域の紫外線成分をカットす
る紫外線遮蔽用グローブである。
ベース２の前方に突出する一対のリードサポート３，４
によってアークチューブ５の前後端部が支持された構造
となっている。符号Ｇは、アークチューブ５から発した
光の中で、人体に有害な波長域の紫外線成分をカットす
る紫外線遮蔽用グローブである。
【０００３】そしてアークチューブ５は、前後一対のピ
ンチシール部５ｂ，５ｂ間に、電極棒６，６を対設しか
つ発光物質を封入した密閉ガラス球５ａが形成された構
造となっている。ピンチシール部５ｂ内には、密閉ガラ
ス球５ａ内に突出する電極棒６とピンチシール部５ｂか
ら導出するリード線８とを接続するモリブデン箔７が封
着されており、ピンチシール部５ｂにおける気密性が確
保されている。
ンチシール部５ｂ，５ｂ間に、電極棒６，６を対設しか
つ発光物質を封入した密閉ガラス球５ａが形成された構
造となっている。ピンチシール部５ｂ内には、密閉ガラ
ス球５ａ内に突出する電極棒６とピンチシール部５ｂか
ら導出するリード線８とを接続するモリブデン箔７が封
着されており、ピンチシール部５ｂにおける気密性が確
保されている。
【０００４】即ち、電極棒６としては、耐久性に優れた
タングステン製が最も望ましいが、タングステンはガラ
スと線膨張係数が大きく異なり、ガラスとのなじみも悪
く気密性に劣る。したがって、タングステン製電極棒６
に、線膨張係数がガラスに近く、ガラスと比較的なじみ
の良いモリブデン箔７を接続し、モリブデン箔７をピン
チシール部５ｂで封着することで、ピンチシール部５ｂ
における気密性を確保するようになっている。
タングステン製が最も望ましいが、タングステンはガラ
スと線膨張係数が大きく異なり、ガラスとのなじみも悪
く気密性に劣る。したがって、タングステン製電極棒６
に、線膨張係数がガラスに近く、ガラスと比較的なじみ
の良いモリブデン箔７を接続し、モリブデン箔７をピン
チシール部５ｂで封着することで、ピンチシール部５ｂ
における気密性を確保するようになっている。
【０００５】またこのアークチューブ５の製造方法とし
ては、例えば特開平６−２３１７２９に開示されてい
る。まず図７（ａ）に示されるように、直線状延出部ｗ
1 の途中に球状膨出部ｗ2 の形成されている円筒形ガラ
ス管Ｗの一方の開口端側から、電極棒６とモリブデン箔
７とリード線８を接続一体化した電極アッシーＡを挿入
し、球状膨出部ｗ2 の近傍位置Ｐ1 を一次ピンチシール
する。次いで、図７（ｂ）に示されるように、他方の開
口端側から、球状膨出部ｗ2 に発光物質Ｐ等を投入し、
つづいて図７（ｃ）に示されるように、他の電極アッシ
ーＡを挿入した後、発光物質等が気化しないように球状
膨出部ｗ2 を液体窒素で冷却しながら、球状膨出部ｗ2
の近傍位置Ｐ2 を加熱しつつ二次ピンチシールして、球
状膨出部ｗ 2 を密封することで、チップレス密閉ガラス
球５ａをもつアークチューブ５が完成する。なお、図７
（ｂ）に示す一次ピンチシール工程は、電極アッシーＡ
が酸化されないように、不活性ガス（一般には、安価な
アルゴンガス）をフォーミングガスとしてガラス管Ｗ内
へ供給しつつ、ピンチシールを行なう。また図７（ｃ）
に示す二次ピンチシール工程では、発光物質等を気化さ
せないように、開口端を閉じ、液体窒素で冷却するた
め、真空に近い状態でピンチシールが行われる。
ては、例えば特開平６−２３１７２９に開示されてい
る。まず図７（ａ）に示されるように、直線状延出部ｗ
1 の途中に球状膨出部ｗ2 の形成されている円筒形ガラ
ス管Ｗの一方の開口端側から、電極棒６とモリブデン箔
７とリード線８を接続一体化した電極アッシーＡを挿入
し、球状膨出部ｗ2 の近傍位置Ｐ1 を一次ピンチシール
する。次いで、図７（ｂ）に示されるように、他方の開
口端側から、球状膨出部ｗ2 に発光物質Ｐ等を投入し、
つづいて図７（ｃ）に示されるように、他の電極アッシ
ーＡを挿入した後、発光物質等が気化しないように球状
膨出部ｗ2 を液体窒素で冷却しながら、球状膨出部ｗ2
の近傍位置Ｐ2 を加熱しつつ二次ピンチシールして、球
状膨出部ｗ 2 を密封することで、チップレス密閉ガラス
球５ａをもつアークチューブ５が完成する。なお、図７
（ｂ）に示す一次ピンチシール工程は、電極アッシーＡ
が酸化されないように、不活性ガス（一般には、安価な
アルゴンガス）をフォーミングガスとしてガラス管Ｗ内
へ供給しつつ、ピンチシールを行なう。また図７（ｃ）
に示す二次ピンチシール工程では、発光物質等を気化さ
せないように、開口端を閉じ、液体窒素で冷却するた
め、真空に近い状態でピンチシールが行われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のアーク
チューブでは、ピンチシール部５ｂに封着されているモ
リブデン箔７は、ガラスとなじみがよいとはいっても、
線膨張係数がガラスと全く同一と言うわけではない。そ
して、ランプの点灯と消灯時の温度差が大きく、モリブ
デン箔７とガラスの界面には、温度変化に伴って熱応力
が生じ、しかもアークチューブには、エンジンの震動や
自動車の走行に伴って生ずる振動も伝達される。このた
め、長期の使用で、モリブデン箔７とガラス材間に隙間
が形成され、即ち、密閉ガラス球内封止物質のリークに
つながる箔浮きが起こるという問題があった。
チューブでは、ピンチシール部５ｂに封着されているモ
リブデン箔７は、ガラスとなじみがよいとはいっても、
線膨張係数がガラスと全く同一と言うわけではない。そ
して、ランプの点灯と消灯時の温度差が大きく、モリブ
デン箔７とガラスの界面には、温度変化に伴って熱応力
が生じ、しかもアークチューブには、エンジンの震動や
自動車の走行に伴って生ずる振動も伝達される。このた
め、長期の使用で、モリブデン箔７とガラス材間に隙間
が形成され、即ち、密閉ガラス球内封止物質のリークに
つながる箔浮きが起こるという問題があった。
【０００７】そこで発明者は、前記した従来技術の問題
点につき実験と考察を重ねた結果、表面を酸化させたモ
リブデン箔をピンチシール部で封着するようにすれば、
箔浮きが減るということを確認し、本発明をなすに至っ
たものである。即ち、本発明は前記した従来技術の問題
点および発明者の知見に基ずいてなされたもので、その
目的は、ピンチシール部内で箔浮きの生じない放電ラン
プアークチューブおよび同アークチューブの製造方法を
提供することにある。
点につき実験と考察を重ねた結果、表面を酸化させたモ
リブデン箔をピンチシール部で封着するようにすれば、
箔浮きが減るということを確認し、本発明をなすに至っ
たものである。即ち、本発明は前記した従来技術の問題
点および発明者の知見に基ずいてなされたもので、その
目的は、ピンチシール部内で箔浮きの生じない放電ラン
プアークチューブおよび同アークチューブの製造方法を
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、請求項１に係る放電ランプアークチューブにおいて
は、電極棒とモリブデン箔とリード線が直列に接続一体
化された電極アッシーがガラス管のそれぞれの開口端か
ら挿入され、ガラス管のモリブデン箔を含む領域がピン
チシールされて、発光物質等を封入した密閉ガラス球内
に電極が対設された放電ランプアークチューブにおい
て、前記ピンチシール部に封着されるモリブデン箔の表
面に酸化膜を形成するように構成したもので、モリブデ
ン層とガラス層の間に形成されたＭｏ−Ｏ−Ｓｉ系中間
層が、モリブデン層をガラス層に強固に接着する接着層
として作用するとともに、モリブデンとガラスの線膨張
係数の差に起因して両者の界面に生じる熱応力等の種々
の応力を吸収する。請求項２では、請求項１記載の放電
ランプアークチューブにおいて、前記モリブデン箔表面
の酸化量を１５重量％以上８０重量％以下にしたもの
で、モリブデン箔表面の酸化量が１５重量％以下では、
箔浮きを阻止する上で、効果がなく、一方、酸化量が８
０重量％以上では、モリブデン箔の内部まで酸化され
て、モリブデン箔の機械的強度および耐久性が低下し、
箔切れ等の不具合が発生するため、モリブデン箔表面の
酸化量は１５重量％以上８０重量％以下が望ましい。請
求項３に係るアークチューブの製造方法においては、電
極棒とモリブデン箔とリード線を直列に接続一体化した
電極アッシーをガラス管の一方の開口端より挿入し、ガ
ラス管のモリブデン箔を含む領域を一次ピンチシール
し、次に、ガラス管の他方の開口端より、発光物質等を
投入し、さらに電極棒とモリブデン箔とリード線を直列
に接続一体化した電極アッシーを挿入し、ガラス管のモ
リブデン箔を含む領域を二次ピンチシールすることで、
電極が対設され発光物質等が封入された密閉ガラス球を
もつアークチューブを製造する放電ランプアークチュー
ブの製造方法において、前記一次ピンチシール工程で
は、フォーミングガスをガラス管内に供給しながらモリ
ブデン箔の表面を酸化処理し、前記二次ピンチシール工
程では、モリブデン箔の表面に予め酸化処理を施した電
極アッシーをガラス管内に挿入するようにしたもので、
一次ピンチシール工程で不可欠なフォーミングガスの供
給の際に、モリブデン箔を酸化処理できるので、一次ピ
ンチシール工程の作業は従来と何ら変わらない。請求項
４では、請求項３記載の放電ランプアークチューブの製
造方法において、前記ガラス管内へ供給するフォーミン
グガスは、電極アッシーの過剰な酸化を防ぐためにアル
ゴン等の不活性ガスで構成し、フォーミングガスのガラ
ス管内への流入に伴うエジェクター作用により、ガラス
管の開口端周りの空気をガラス管内に流入させて、酸素
を供給するようにしたもので、ガラス管の開口端に挿入
されるフォーミングガス供給ノズルの内径をガラス管の
内径より小さくすることで、エジェクター作用により、
ガラス管の開口端周りの空気がガラス管内に流入し、モ
リブデン箔の酸化に寄与する。請求項５では、請求項３
記載の放電ランプアークチューブの製造方法において、
前記ガラス管内に供給されるフォーミングガスとして、
電極アッシーの過剰な酸化を防ぐためのアルゴン等の不
活性ガスに、予め微量の酸素を含むように調整したガス
を使用するようにしたもので、二次ピンチシール工程で
は、酸素を含むように予め成分調整されたフォーミング
ガスを使用すればよい。請求項６に係る放電ランプアー
クチューブの製造方法においては、電極棒とモリブデン
箔とリード線を直列に接続一体化した電極アッシーをガ
ラス管の一方の開口端より挿入し、ガラス管のモリブデ
ン箔を含む領域を一次ピンチシールし、次に、ガラス管
の他方の開口端より、発光物質等を投入し、さらに電極
棒とモリブデン箔とリード線を直列に接続一体化した電
極アッシーを挿入し、ガラス管のモリブデン箔を含む領
域を二次ピンチシールすることで、電極が対設され発光
物質等が封入された密閉ガラス球をもつアークチューブ
を製造する放電ランプアークチューブの製造方法におい
て、前記一次ピンチシール工程および二次ピンチシール
工程では、予めモリブデン箔に表面酸化処理を施した電
極アッシーをガラス管内へ挿入するようにしたもので、
一次ピンチシール側及び二次ピンチシール側に使用され
る電極アッシーとして、モリブデン箔表面を酸化処理し
た電極アッシーを予め用意しておけばよい。
に、請求項１に係る放電ランプアークチューブにおいて
は、電極棒とモリブデン箔とリード線が直列に接続一体
化された電極アッシーがガラス管のそれぞれの開口端か
ら挿入され、ガラス管のモリブデン箔を含む領域がピン
チシールされて、発光物質等を封入した密閉ガラス球内
に電極が対設された放電ランプアークチューブにおい
て、前記ピンチシール部に封着されるモリブデン箔の表
面に酸化膜を形成するように構成したもので、モリブデ
ン層とガラス層の間に形成されたＭｏ−Ｏ−Ｓｉ系中間
層が、モリブデン層をガラス層に強固に接着する接着層
として作用するとともに、モリブデンとガラスの線膨張
係数の差に起因して両者の界面に生じる熱応力等の種々
の応力を吸収する。請求項２では、請求項１記載の放電
ランプアークチューブにおいて、前記モリブデン箔表面
の酸化量を１５重量％以上８０重量％以下にしたもの
で、モリブデン箔表面の酸化量が１５重量％以下では、
箔浮きを阻止する上で、効果がなく、一方、酸化量が８
０重量％以上では、モリブデン箔の内部まで酸化され
て、モリブデン箔の機械的強度および耐久性が低下し、
箔切れ等の不具合が発生するため、モリブデン箔表面の
酸化量は１５重量％以上８０重量％以下が望ましい。請
求項３に係るアークチューブの製造方法においては、電
極棒とモリブデン箔とリード線を直列に接続一体化した
電極アッシーをガラス管の一方の開口端より挿入し、ガ
ラス管のモリブデン箔を含む領域を一次ピンチシール
し、次に、ガラス管の他方の開口端より、発光物質等を
投入し、さらに電極棒とモリブデン箔とリード線を直列
に接続一体化した電極アッシーを挿入し、ガラス管のモ
リブデン箔を含む領域を二次ピンチシールすることで、
電極が対設され発光物質等が封入された密閉ガラス球を
もつアークチューブを製造する放電ランプアークチュー
ブの製造方法において、前記一次ピンチシール工程で
は、フォーミングガスをガラス管内に供給しながらモリ
ブデン箔の表面を酸化処理し、前記二次ピンチシール工
程では、モリブデン箔の表面に予め酸化処理を施した電
極アッシーをガラス管内に挿入するようにしたもので、
一次ピンチシール工程で不可欠なフォーミングガスの供
給の際に、モリブデン箔を酸化処理できるので、一次ピ
ンチシール工程の作業は従来と何ら変わらない。請求項
４では、請求項３記載の放電ランプアークチューブの製
造方法において、前記ガラス管内へ供給するフォーミン
グガスは、電極アッシーの過剰な酸化を防ぐためにアル
ゴン等の不活性ガスで構成し、フォーミングガスのガラ
ス管内への流入に伴うエジェクター作用により、ガラス
管の開口端周りの空気をガラス管内に流入させて、酸素
を供給するようにしたもので、ガラス管の開口端に挿入
されるフォーミングガス供給ノズルの内径をガラス管の
内径より小さくすることで、エジェクター作用により、
ガラス管の開口端周りの空気がガラス管内に流入し、モ
リブデン箔の酸化に寄与する。請求項５では、請求項３
記載の放電ランプアークチューブの製造方法において、
前記ガラス管内に供給されるフォーミングガスとして、
電極アッシーの過剰な酸化を防ぐためのアルゴン等の不
活性ガスに、予め微量の酸素を含むように調整したガス
を使用するようにしたもので、二次ピンチシール工程で
は、酸素を含むように予め成分調整されたフォーミング
ガスを使用すればよい。請求項６に係る放電ランプアー
クチューブの製造方法においては、電極棒とモリブデン
箔とリード線を直列に接続一体化した電極アッシーをガ
ラス管の一方の開口端より挿入し、ガラス管のモリブデ
ン箔を含む領域を一次ピンチシールし、次に、ガラス管
の他方の開口端より、発光物質等を投入し、さらに電極
棒とモリブデン箔とリード線を直列に接続一体化した電
極アッシーを挿入し、ガラス管のモリブデン箔を含む領
域を二次ピンチシールすることで、電極が対設され発光
物質等が封入された密閉ガラス球をもつアークチューブ
を製造する放電ランプアークチューブの製造方法におい
て、前記一次ピンチシール工程および二次ピンチシール
工程では、予めモリブデン箔に表面酸化処理を施した電
極アッシーをガラス管内へ挿入するようにしたもので、
一次ピンチシール側及び二次ピンチシール側に使用され
る電極アッシーとして、モリブデン箔表面を酸化処理し
た電極アッシーを予め用意しておけばよい。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を実施
例に基づいて説明する。図１〜図５は本発明の一実施例
を示すもので、図１は本発明の一実施例である放電ラン
プアークチューブの縦断面図、図２は同アークチューブ
のピンチシール部の水平断面図、図３はピンチシール部
に封着されたモリブデン箔の酸化量と箔浮き発生率との
関係を示す図、図４はモリブデン箔表面の原子の配列構
造を示す図、図５はアークチューブの製造工程説明図で
ある。
例に基づいて説明する。図１〜図５は本発明の一実施例
を示すもので、図１は本発明の一実施例である放電ラン
プアークチューブの縦断面図、図２は同アークチューブ
のピンチシール部の水平断面図、図３はピンチシール部
に封着されたモリブデン箔の酸化量と箔浮き発生率との
関係を示す図、図４はモリブデン箔表面の原子の配列構
造を示す図、図５はアークチューブの製造工程説明図で
ある。
【００１０】これらの図において、アークチューブ１０
の装着される放電ランプは、図６に示す従来構造と同一
であり、その説明は省略する。アークチューブ１０は、
直線状延出部ｗ1 の長手方向途中に球状膨出部ｗ2 が形
成された円パイプ形状の石英ガラス管Ｗの球状膨出部ｗ
2 寄りがピンチシールされて、放電空間を形成する楕円
体形状のチップレス密閉ガラス球１２の両端部に横断面
矩形状のピンチシール部１３，１３が形成された構造
で、密閉ガラス球１２内には、始動用希ガス，水銀及び
金属ハロゲン化物（以下、発光物質等という）が封入さ
れている。また密閉ガラス球１２内には、放電電極を構
成するタングステン製の電極棒６，６が対向配置されて
おり、電極棒６，６はピンチシール部１３に封着された
モリブデン箔７に接続され、ピンチシール部１３の端部
からはモリブデン箔７に接続されたモリブテン製リード
線８が導出し、後端側リード線８は非ピンチシール部で
ある円パイプ形状部１４を挿通して外部に延びている。
の装着される放電ランプは、図６に示す従来構造と同一
であり、その説明は省略する。アークチューブ１０は、
直線状延出部ｗ1 の長手方向途中に球状膨出部ｗ2 が形
成された円パイプ形状の石英ガラス管Ｗの球状膨出部ｗ
2 寄りがピンチシールされて、放電空間を形成する楕円
体形状のチップレス密閉ガラス球１２の両端部に横断面
矩形状のピンチシール部１３，１３が形成された構造
で、密閉ガラス球１２内には、始動用希ガス，水銀及び
金属ハロゲン化物（以下、発光物質等という）が封入さ
れている。また密閉ガラス球１２内には、放電電極を構
成するタングステン製の電極棒６，６が対向配置されて
おり、電極棒６，６はピンチシール部１３に封着された
モリブデン箔７に接続され、ピンチシール部１３の端部
からはモリブデン箔７に接続されたモリブテン製リード
線８が導出し、後端側リード線８は非ピンチシール部で
ある円パイプ形状部１４を挿通して外部に延びている。
【００１１】図１に示すアークチューブ１０の外観構造
については、図６に示す従来のアークチューブ５と見た
ところ変わるものではないが、ピンチシールされたモリ
ブデン箔７の表面には、酸化膜（酸化量１５重量％以上
８０重量％以下）が形成されて、長期間使用してもピン
チシール部１３内で箔浮きが生じない構造となってい
る。
については、図６に示す従来のアークチューブ５と見た
ところ変わるものではないが、ピンチシールされたモリ
ブデン箔７の表面には、酸化膜（酸化量１５重量％以上
８０重量％以下）が形成されて、長期間使用してもピン
チシール部１３内で箔浮きが生じない構造となってい
る。
【００１２】即ち、表面を酸化したモリブデン箔７がピ
ンチシールされることで、モリブデン箔と石英ガラスと
の界面に、Ｍｏ−Ｏ−Ｓｉ系中間層が形成され、このＭ
ｏ−Ｏ−Ｓｉ系中間層の存在によって、モリブデン層と
ガラス層が強固に接着されるとともに、モリブデンと石
英ガラスの線膨張係数の差に起因して両者の界面に作用
する熱応力等の種々の応力が吸収されて、箔浮きが生じ
ないのである。
ンチシールされることで、モリブデン箔と石英ガラスと
の界面に、Ｍｏ−Ｏ−Ｓｉ系中間層が形成され、このＭ
ｏ−Ｏ−Ｓｉ系中間層の存在によって、モリブデン層と
ガラス層が強固に接着されるとともに、モリブデンと石
英ガラスの線膨張係数の差に起因して両者の界面に作用
する熱応力等の種々の応力が吸収されて、箔浮きが生じ
ないのである。
【００１３】図３は、発明者が行なった実験から得られ
た、アークチューブのピンチシール部に封着されたモリ
ブデン箔の酸化量と箔浮き発生率との関係を示すもので
ある。即ち、後に詳しく説明する図５（ａ）に示す工程
において、電極アッシーＡをガラス管Ｗに挿入配置し、
ガラス管Ｗに差し込んだフォーミングガス（アルゴンガ
ス）供給ノズル２０からフォーミングガスを供給しつ
つ、ガラス管Ｗのピンチシール予定位置をバーナ２４に
より十分に加熱し、ピンチャー２６によりガラス管Ｗを
ピンチシールする直前に、ピンチャー２６の作動を停止
する。そしてフォーミングガス（アルゴンガス）を供給
しながら、ガラス管Ｗを冷却した後、電極アッシーＡを
取り出す。この工程におけるノズル２０の口径を種々変
えて、エジェクター作用によりガラス管Ｗに取り込まれ
る空気量を異ならしめることで、又は予め微量の酸素を
含むように調整したフォーミングガスを使用すること
で、ピンチシールされるモリブデン箔の酸化の程度を変
化させた。
た、アークチューブのピンチシール部に封着されたモリ
ブデン箔の酸化量と箔浮き発生率との関係を示すもので
ある。即ち、後に詳しく説明する図５（ａ）に示す工程
において、電極アッシーＡをガラス管Ｗに挿入配置し、
ガラス管Ｗに差し込んだフォーミングガス（アルゴンガ
ス）供給ノズル２０からフォーミングガスを供給しつ
つ、ガラス管Ｗのピンチシール予定位置をバーナ２４に
より十分に加熱し、ピンチャー２６によりガラス管Ｗを
ピンチシールする直前に、ピンチャー２６の作動を停止
する。そしてフォーミングガス（アルゴンガス）を供給
しながら、ガラス管Ｗを冷却した後、電極アッシーＡを
取り出す。この工程におけるノズル２０の口径を種々変
えて、エジェクター作用によりガラス管Ｗに取り込まれ
る空気量を異ならしめることで、又は予め微量の酸素を
含むように調整したフォーミングガスを使用すること
で、ピンチシールされるモリブデン箔の酸化の程度を変
化させた。
【００１４】そしてモリブデン箔の中央部位置における
酸素（Ｏ）と珪素（Ｓｉ）について、ＥＰＭＡにより分
析を行い、標準試料と比較することで定量した。上記分
析より求めたＭｏ箔の酸化量と箔浮き発生率との関係を
調べたところ、図３に示すようなデータ（酸化量１２．
８６ｗｔ％で７１％、酸化量１４．４８ｗｔ％で１８
％、酸化量１５．５４ｗｔ％，１５．８１ｗｔ％および
１６．５４ｗｔ％で０％）が得られた。
酸素（Ｏ）と珪素（Ｓｉ）について、ＥＰＭＡにより分
析を行い、標準試料と比較することで定量した。上記分
析より求めたＭｏ箔の酸化量と箔浮き発生率との関係を
調べたところ、図３に示すようなデータ（酸化量１２．
８６ｗｔ％で７１％、酸化量１４．４８ｗｔ％で１８
％、酸化量１５．５４ｗｔ％，１５．８１ｗｔ％および
１６．５４ｗｔ％で０％）が得られた。
【００１５】この図３から判るように、Ｍｏ箔表面の酸
化量が多い程、箔浮き発生率が低下し、Ｍｏ箔表面の酸
化量が１３乃至１５重量％を境に、箔浮き発生率が７０
％から０％になる。またこの酸化されたＭｏ箔表面の原
子の配列は、図４に示されるように、バーナによる加熱
で気化した石英ガラスがＭｏ箔表面に凝集して形成され
たＳｉＯ2格子中に、Ｍｏの酸化に寄与する余剰酸素原
子（Ｏ）が分散しているものと考えられる。そしてピン
チシール部におけるＭｏ箔と石英ガラスの接合のメカニ
ズムとしては、Ｍｏ箔の一部が酸化されて生成する酸化
モリブデン（ＭｏＯ2 またはＭｏＯ3 ）と石英ガラス
（ＳｉＯ2 ）が反応するか、又はＭｏイオンがＳｉＯ2
結晶中に拡散することにより、接合界面にＭｏ−Ｏ−Ｓ
ｉ系の中間層が形成され、強固で真空気密性の接合がな
されると考えられる。そしてＭｏ箔表面の酸化量が多い
程、Ｍｏ箔と石英ガラスの接合力が高くなって、箔浮き
が発生しにくいものと考えられる。
化量が多い程、箔浮き発生率が低下し、Ｍｏ箔表面の酸
化量が１３乃至１５重量％を境に、箔浮き発生率が７０
％から０％になる。またこの酸化されたＭｏ箔表面の原
子の配列は、図４に示されるように、バーナによる加熱
で気化した石英ガラスがＭｏ箔表面に凝集して形成され
たＳｉＯ2格子中に、Ｍｏの酸化に寄与する余剰酸素原
子（Ｏ）が分散しているものと考えられる。そしてピン
チシール部におけるＭｏ箔と石英ガラスの接合のメカニ
ズムとしては、Ｍｏ箔の一部が酸化されて生成する酸化
モリブデン（ＭｏＯ2 またはＭｏＯ3 ）と石英ガラス
（ＳｉＯ2 ）が反応するか、又はＭｏイオンがＳｉＯ2
結晶中に拡散することにより、接合界面にＭｏ−Ｏ−Ｓ
ｉ系の中間層が形成され、強固で真空気密性の接合がな
されると考えられる。そしてＭｏ箔表面の酸化量が多い
程、Ｍｏ箔と石英ガラスの接合力が高くなって、箔浮き
が発生しにくいものと考えられる。
【００１６】なお、Ｍｏ箔表面の酸化量が多い程、箔浮
きが発生しにくいとはいっても、酸化量が８０重量％以
上となると、Ｍｏ箔内部まで酸化されて脆弱となり、機
械的強度および耐久性に劣るため、Ｍｏ箔表面の酸化量
は、８０重量％以下が望ましい。次に、図１に示すチッ
プレス密閉ガラス球１２をもつアークチューブの製造工
程を、図５に基づいて説明する。
きが発生しにくいとはいっても、酸化量が８０重量％以
上となると、Ｍｏ箔内部まで酸化されて脆弱となり、機
械的強度および耐久性に劣るため、Ｍｏ箔表面の酸化量
は、８０重量％以下が望ましい。次に、図１に示すチッ
プレス密閉ガラス球１２をもつアークチューブの製造工
程を、図５に基づいて説明する。
【００１７】まず、直線状延出部ｗ1 の途中に球状膨出
部ｗ2 の形成されたガラス管Ｗを予め製造しておく。そ
して、図５（ａ）に示されるように、ガラス管Ｗを垂直
に保持し、ガラス管Ｗの下方の開口端側から、電極アッ
シーＡを挿入して所定位置に保持するとともに、ガラス
管Ｗの上方開口端にフォーミングガス（アルゴンガス）
供給ノズル２０を差し込む。このフォーミングガスは、
ピンチシール時のガラス管Ｗ内を余圧状態に保持し、か
つ電極アッシーが酸化されるのを防止するためのもので
ある。符号２２はガラス管把持部材である。
部ｗ2 の形成されたガラス管Ｗを予め製造しておく。そ
して、図５（ａ）に示されるように、ガラス管Ｗを垂直
に保持し、ガラス管Ｗの下方の開口端側から、電極アッ
シーＡを挿入して所定位置に保持するとともに、ガラス
管Ｗの上方開口端にフォーミングガス（アルゴンガス）
供給ノズル２０を差し込む。このフォーミングガスは、
ピンチシール時のガラス管Ｗ内を余圧状態に保持し、か
つ電極アッシーが酸化されるのを防止するためのもので
ある。符号２２はガラス管把持部材である。
【００１８】そしてノズル２０からフォーミングガスを
ガラス管Ｗ内に供給しつつ、直線状延出部ｗ1 における
球状膨出部ｗ2 の近傍位置（モリブデン箔を含む位置）
をバーナ２４で加熱し、ピンチャー２６で一次ピンチシ
ールする。なお符号２１は、ガラス管Ｗの下端部に向け
て配設されたフォーミングガス（アルゴンガス）供給ノ
ズルで、ガラス管Ｗから導出するリード線８の酸化を防
ぐためのものである。
ガラス管Ｗ内に供給しつつ、直線状延出部ｗ1 における
球状膨出部ｗ2 の近傍位置（モリブデン箔を含む位置）
をバーナ２４で加熱し、ピンチャー２６で一次ピンチシ
ールする。なお符号２１は、ガラス管Ｗの下端部に向け
て配設されたフォーミングガス（アルゴンガス）供給ノ
ズルで、ガラス管Ｗから導出するリード線８の酸化を防
ぐためのものである。
【００１９】ノズル２０の内径はガラス管Ｗの内径より
小さくされて、ガラス管Ｗとノズル２０の間には隙間が
形成されている。このため、図５（ａ）に示す一次ピン
チシール工程で、フォーミングガスのガラス管Ｗ内への
流入に伴って、ガラス管Ｗ内のノズル２０先端部周りに
は負圧が発生し、ガラス管Ｗの開口端周りの空気がガラ
ス管Ｗ内に流入する。即ち、エジェクター作用により、
ガラス管Ｗの開口端周りの空気がガラス管Ｗ内に取り込
まれる。そしてガラス管Ｗ内に取り込まれた空気は、フ
ォーミングガスとともにガラス管Ｗ内を下方に流れ、ガ
ラス管Ｗの下方開口端から管外に排出される。このため
ガラス管Ｗ内の電極アッシーＡはこの空気（酸素）を含
むフォーミングガス（アルゴンガス）に晒されて酸化さ
れ、モリブデン７箔の表面に酸化モリブデン層が形成さ
れる。そして所定時間、空気を含むフォーミングガスと
接触することで、表面の酸化（酸化量１５重量％以上８
０重量％以下）されたモリブデン箔は、加熱されて軟化
した石英ガラス管Ｗがピンチされることで、ピンチシー
ル部１３に封着された形態となる。そしてピンチシール
部１３におけるモリブデン箔と石英ガラスとは、モリブ
デン箔とガラス間に形成されたＭｏ−Ｏ−Ｓｉ系中間層
によって、強固に接合一体化された構造となる。
小さくされて、ガラス管Ｗとノズル２０の間には隙間が
形成されている。このため、図５（ａ）に示す一次ピン
チシール工程で、フォーミングガスのガラス管Ｗ内への
流入に伴って、ガラス管Ｗ内のノズル２０先端部周りに
は負圧が発生し、ガラス管Ｗの開口端周りの空気がガラ
ス管Ｗ内に流入する。即ち、エジェクター作用により、
ガラス管Ｗの開口端周りの空気がガラス管Ｗ内に取り込
まれる。そしてガラス管Ｗ内に取り込まれた空気は、フ
ォーミングガスとともにガラス管Ｗ内を下方に流れ、ガ
ラス管Ｗの下方開口端から管外に排出される。このため
ガラス管Ｗ内の電極アッシーＡはこの空気（酸素）を含
むフォーミングガス（アルゴンガス）に晒されて酸化さ
れ、モリブデン７箔の表面に酸化モリブデン層が形成さ
れる。そして所定時間、空気を含むフォーミングガスと
接触することで、表面の酸化（酸化量１５重量％以上８
０重量％以下）されたモリブデン箔は、加熱されて軟化
した石英ガラス管Ｗがピンチされることで、ピンチシー
ル部１３に封着された形態となる。そしてピンチシール
部１３におけるモリブデン箔と石英ガラスとは、モリブ
デン箔とガラス間に形成されたＭｏ−Ｏ−Ｓｉ系中間層
によって、強固に接合一体化された構造となる。
【００２０】次に、図５（ｂ）に示されるように、ガラ
ス管Ｗの上方の開口端側から、球状膨出部ｗ2 に発光物
質Ｐ等を投入し、予め表面を酸化（酸化量１５重量％以
上８０重量％以下）処理したモリブデン箔７をもつ他の
電極アッシーＡ’挿入して所定位置に保持する。符号３
０は、電極アッシーＡ’リード線にスポット溶接により
一体化された鉄合金製のリードワイヤで、リードワイヤ
３０の他端部には、リード用のモリブデン箔３２がスポ
ット溶接により一体化されている。そして磁石３４をガ
ラス管Ｗに沿って移動させることで、リードワイヤ付電
極アッシーＡ’を所定位置に移動させ、かつ保持するこ
とができる。
ス管Ｗの上方の開口端側から、球状膨出部ｗ2 に発光物
質Ｐ等を投入し、予め表面を酸化（酸化量１５重量％以
上８０重量％以下）処理したモリブデン箔７をもつ他の
電極アッシーＡ’挿入して所定位置に保持する。符号３
０は、電極アッシーＡ’リード線にスポット溶接により
一体化された鉄合金製のリードワイヤで、リードワイヤ
３０の他端部には、リード用のモリブデン箔３２がスポ
ット溶接により一体化されている。そして磁石３４をガ
ラス管Ｗに沿って移動させることで、リードワイヤ付電
極アッシーＡ’を所定位置に移動させ、かつ保持するこ
とができる。
【００２１】そしてガラス管Ｗ内を排気した後、図５
（ｃ）に示されるように、Ｘｅガスを供給しつつ、ガラ
ス管Ｗの上方所定部位をチップオフすることで、ガラス
管Ｗ内にリードワイヤ付電極アッシーＡ’を仮止めし、
かつ発光物質等を封止する。その後、図５（ｄ）に示す
ように、発光物質Ｐ等が気化しないように球状膨出部ｗ
2 を液体窒素（ＬＮ2 ）で冷却しながら、直線状延出部
ｗ1 における球状膨出部ｗ2 の近傍位置（モリブデン箔
を含む位置）をバーナー２４で加熱し、ピンチャー２６
で二次ピンチシールして、球状膨出部ｗ2 を密封するこ
とで、電極が対設され発光物質Ｐ等が封止されたチップ
レス密閉ガラス球１２をもつガラス管ができ上がる。即
ち、二次ピンチシール側に挿入しようとする電極アッシ
ーＡ’のモリブデン箔７は、予め酸化処理（酸化量１５
重量％以上８０重量％以下）されて、その表面に酸化モ
リブデン層が形成されており、二次ピンチシール工程に
おいて、加熱されて軟化した石英ガラス管Ｗがピンチシ
ールされることで、モリブデン箔７がピンチシール部１
３に封着された形態となる。そしてピンチシール部１３
内のモリブデン箔とガラス層間には、Ｍｏ−Ｏ−Ｓｉ系
中間層が形成されて、両者が強固に接合一体化された構
造となる。そして最後に、ガラス管の端部を所定の長さ
だけ切断することにより、図１に示すアークチューブ１
０が得られる。
（ｃ）に示されるように、Ｘｅガスを供給しつつ、ガラ
ス管Ｗの上方所定部位をチップオフすることで、ガラス
管Ｗ内にリードワイヤ付電極アッシーＡ’を仮止めし、
かつ発光物質等を封止する。その後、図５（ｄ）に示す
ように、発光物質Ｐ等が気化しないように球状膨出部ｗ
2 を液体窒素（ＬＮ2 ）で冷却しながら、直線状延出部
ｗ1 における球状膨出部ｗ2 の近傍位置（モリブデン箔
を含む位置）をバーナー２４で加熱し、ピンチャー２６
で二次ピンチシールして、球状膨出部ｗ2 を密封するこ
とで、電極が対設され発光物質Ｐ等が封止されたチップ
レス密閉ガラス球１２をもつガラス管ができ上がる。即
ち、二次ピンチシール側に挿入しようとする電極アッシ
ーＡ’のモリブデン箔７は、予め酸化処理（酸化量１５
重量％以上８０重量％以下）されて、その表面に酸化モ
リブデン層が形成されており、二次ピンチシール工程に
おいて、加熱されて軟化した石英ガラス管Ｗがピンチシ
ールされることで、モリブデン箔７がピンチシール部１
３に封着された形態となる。そしてピンチシール部１３
内のモリブデン箔とガラス層間には、Ｍｏ−Ｏ−Ｓｉ系
中間層が形成されて、両者が強固に接合一体化された構
造となる。そして最後に、ガラス管の端部を所定の長さ
だけ切断することにより、図１に示すアークチューブ１
０が得られる。
【００２２】なお、前記実施例では、ガラス管に供給す
るフォーミングガスをアルゴンガスとして説明したが、
Ｈ2 ガス，Ｎ2 ガス，Ｋｒガス，Ｘｅガス等の不活性ガ
スであればよい。また、前記実施例では、一次ピンチシ
ール後、二次ピンチシールする前に、ガラス管をチップ
オフして発光物質等をガラス管内に封止するようになっ
ているが、図７（ｃ）に示す従来の工程と同様、一次ピ
ンチシール後にガラス管をチップオフすることなく、直
接ピンチシールすることで、発光物質等を封止するよう
にしてもよい。
るフォーミングガスをアルゴンガスとして説明したが、
Ｈ2 ガス，Ｎ2 ガス，Ｋｒガス，Ｘｅガス等の不活性ガ
スであればよい。また、前記実施例では、一次ピンチシ
ール後、二次ピンチシールする前に、ガラス管をチップ
オフして発光物質等をガラス管内に封止するようになっ
ているが、図７（ｃ）に示す従来の工程と同様、一次ピ
ンチシール後にガラス管をチップオフすることなく、直
接ピンチシールすることで、発光物質等を封止するよう
にしてもよい。
【００２３】また前記実施例では、一次ピンチシール側
のモリブデン箔を酸化する方法として、ガラス管へのフ
ォーミングガスの供給に伴うエジェクター作用により空
気を積極的に取り込むようになっているが、フォーミン
グガス中に予め所定量の酸素（Ｏ2 ）を混入させてガス
構成成分を調整するようにしたり、二次ピンチシール側
のモリブデン箔と同様に、予め表面酸化処理を施してお
くようにしてもよい。
のモリブデン箔を酸化する方法として、ガラス管へのフ
ォーミングガスの供給に伴うエジェクター作用により空
気を積極的に取り込むようになっているが、フォーミン
グガス中に予め所定量の酸素（Ｏ2 ）を混入させてガス
構成成分を調整するようにしたり、二次ピンチシール側
のモリブデン箔と同様に、予め表面酸化処理を施してお
くようにしてもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る放電ランプ装置用アークチューブによれば、ピン
チシール部内のモリブデン層とガラス層間に形成された
Ｍｏ−Ｏ−Ｓｉ系中間層の存在により、モリブデン箔と
ガラスに強固に接合一体化されるとともに、接合界面に
生ずる種々の応力が吸収低減されるので、長期の使用に
よっても箔浮きがなく、したがって、安定した放電が長
期にわたって保証される。請求項２によれば、確実に箔
浮きがなくなるため、安定した放電が長期にわたって確
実に保証される。請求項３に係るアークチューブの製造
方法によれば、従来のアークチューブの製造方法のそれ
ぞれの工程をほとんど変えることなく、表面酸化処理し
たモリブデン箔をピンチシール部に封着することができ
るので、安定した放電を長期保証できるアークチューブ
を安価に提供できる。請求項４によれば、一次ピンチシ
ール工程では、フォーミングガスをガラス管に供給する
際のエジェクター作用により、ガラス管の開口端周りの
空気をガラス管内に取り込んで、モリブデン箔を酸化処
理するように構成したため、一次ピンチシール側モリブ
デン箔の酸化処理は、一連のアークチューブの製造工程
の中で自ずと行なわれ、従来のアークチューブの製造工
程とほとんど変わらないため、安定した放電を長期保証
できるアークチューブを安価に提供できる。請求項５に
よれば、一次ピンチシール工程では、電極アッシーの酸
化防止に有効な不活性ガスに微量の酸素を含むように調
整したガスをフォーミングガスとして使用するようにし
たので、一次ピンチシール側モリブデン箔の酸化処理
は、一連のアークチューブの製造工程の中で自ずと行な
われ、従来のアークチューブの製造工程とほとんど変わ
らないため、安定した放電を長期保証できるアークチュ
ーブを安価に提供できる。請求項６に係るアークチュー
ブの製造方法においては、一次ピンチシール側および二
次ピンチシール側に使用される電極アッシーとして、そ
れぞれモリブデン箔表面を酸化処理した電極アッシーを
予め用意するようにしたので、ピンチシール部に封着さ
れるモリブデン箔表面の酸化量を常に一定に管理するこ
とができ、箔浮きのない耐久性に優れた略均一の特性を
もつアークチューブを量産できる。
に係る放電ランプ装置用アークチューブによれば、ピン
チシール部内のモリブデン層とガラス層間に形成された
Ｍｏ−Ｏ−Ｓｉ系中間層の存在により、モリブデン箔と
ガラスに強固に接合一体化されるとともに、接合界面に
生ずる種々の応力が吸収低減されるので、長期の使用に
よっても箔浮きがなく、したがって、安定した放電が長
期にわたって保証される。請求項２によれば、確実に箔
浮きがなくなるため、安定した放電が長期にわたって確
実に保証される。請求項３に係るアークチューブの製造
方法によれば、従来のアークチューブの製造方法のそれ
ぞれの工程をほとんど変えることなく、表面酸化処理し
たモリブデン箔をピンチシール部に封着することができ
るので、安定した放電を長期保証できるアークチューブ
を安価に提供できる。請求項４によれば、一次ピンチシ
ール工程では、フォーミングガスをガラス管に供給する
際のエジェクター作用により、ガラス管の開口端周りの
空気をガラス管内に取り込んで、モリブデン箔を酸化処
理するように構成したため、一次ピンチシール側モリブ
デン箔の酸化処理は、一連のアークチューブの製造工程
の中で自ずと行なわれ、従来のアークチューブの製造工
程とほとんど変わらないため、安定した放電を長期保証
できるアークチューブを安価に提供できる。請求項５に
よれば、一次ピンチシール工程では、電極アッシーの酸
化防止に有効な不活性ガスに微量の酸素を含むように調
整したガスをフォーミングガスとして使用するようにし
たので、一次ピンチシール側モリブデン箔の酸化処理
は、一連のアークチューブの製造工程の中で自ずと行な
われ、従来のアークチューブの製造工程とほとんど変わ
らないため、安定した放電を長期保証できるアークチュ
ーブを安価に提供できる。請求項６に係るアークチュー
ブの製造方法においては、一次ピンチシール側および二
次ピンチシール側に使用される電極アッシーとして、そ
れぞれモリブデン箔表面を酸化処理した電極アッシーを
予め用意するようにしたので、ピンチシール部に封着さ
れるモリブデン箔表面の酸化量を常に一定に管理するこ
とができ、箔浮きのない耐久性に優れた略均一の特性を
もつアークチューブを量産できる。
【図１】本発明の一実施例であるアークチューブの縦断
面図
面図
【図２】アークチューブのピンチシール部の水平断面図
【図３】ピンチシール部に封着されたモリブデン箔の酸
化量と箔浮き発生率との関係を示す図
化量と箔浮き発生率との関係を示す図
【図４】モリブデン箔表面の原子の配列構造を示す図
【図５】アークチューブの製造工程説明図 （ａ）一次ピンチシール工程説明図 （ｂ）発光物質等の投入工程説明図 （ｃ）チップオフ工程説明図 （ｄ）二次ピンチシール工程説明図
【図６】従来の放電ランプの断面図
【図７】従来のアークチューブの製造工程説明図
１０ アークチューブ １２ チップレス密閉ガラス球 １３ ピンチシール部 ６ 電極棒 ７ モリブデン箔 ８ リード線 Ｗ アークチューブ用ガラス管 ｗ1 ガラス管の直線状延出部 ｗ2 ガラス管の球状膨出部 Ａ，Ａ’ 電極アッシー
Claims (6)
- 【請求項１】 電極棒とモリブデン箔とリード線が直列
に接続一体化された電極アッシーがガラス管のそれぞれ
の開口端から挿入され、ガラス管のモリブデン箔を含む
領域がピンチシールされて、発光物質等を封入した密閉
ガラス球内に電極が対設された放電ランプアークチュー
ブにおいて、前記ピンチシール部に封着されたモリブデ
ン箔の表面に酸化膜が形成されたことを特徴とする放電
ランプアークチューブ。 - 【請求項２】 前記モリブデン箔表面の酸化量が１５重
量％以上８０重量％以下であることを特徴とする請求項
１記載の放電ランプアークチューブ。 - 【請求項３】 電極棒とモリブデン箔とリード線を直列
に接続一体化した電極アッシーをガラス管の一方の開口
端より挿入し、ガラス管のモリブデン箔を含む領域を一
次ピンチシールし、次に、ガラス管の他方の開口端よ
り、発光物質等を投入し、さらに電極棒とモリブデン箔
とリード線を直列に接続一体化した電極アッシーを挿入
し、ガラス管のモリブデン箔を含む領域を二次ピンチシ
ールすることで、電極が対設され発光物質等が封入され
た密閉ガラス球をもつアークチューブを製造する放電ラ
ンプアークチューブの製造方法において、前記一次ピン
チシール工程では、フォーミングガスをガラス管内に供
給しながらモリブデン箔の表面を酸化処理し、前記二次
ピンチシール工程では、電極アッシーのガラス管内への
挿入に先立って、モリブデン箔に表面酸化処理を施した
ことを特徴とする放電ランプアークチューブの製造方
法。 - 【請求項４】 前記ガラス管内に供給されるフォーミン
グガスは、電極アッシーの過剰な酸化を防ぐためにアル
ゴンガス等の不活性ガスで構成され、フォーミングガス
のガラス管内への流入に伴うエジェクター作用により、
ガラス管の開口端周りの空気をガラス管内に流入させ
て、酸素を供給することを特徴とする請求項３記載の放
電ランプアークチューブの製造方法。 - 【請求項５】 前記ガラス管内に供給されるフォーミン
グガスは、電極アッシーの過剰な酸化を防ぐためのアル
ゴン等の不活性ガスに、予め微量の酸素を含むように調
整されたことを特徴とする請求項３記載の放電ランプア
ークチューブの製造方法。 - 【請求項６】 電極棒とモリブデン箔とリード線を直列
に接続一体化した電極アッシーをガラス管の一方の開口
端より挿入し、ガラス管のモリブデン箔を含む領域を一
次ピンチシールし、次に、ガラス管の他方の開口端よ
り、発光物質等を投入し、さらに電極棒とモリブデン箔
とリード線を直列に接続一体化した電極アッシーを挿入
し、ガラス管のモリブデン箔を含む領域を二次ピンチシ
ールすることで、電極が対設され発光物質等が封入され
た密閉ガラス球をもつアークチューブを製造する放電ラ
ンプアークチューブの製造方法において、前記一次ピン
チシール工程および二次ピンチシール工程では、電極ア
ッシーのガラス管内への挿入に先立って、モリブデン箔
に表面酸化処理を施したことを特徴とする放電ランプア
ークチューブの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8182958A JPH1027574A (ja) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | 放電ランプアークチューブおよび同アークチューブの製造方法 |
| US08/891,345 US5877590A (en) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | Discharge lamp arc tube and method of producing the same |
| EP97111776A EP0818805B1 (en) | 1996-07-12 | 1997-07-10 | Discharge lamp ARC tube and method of producing the same |
| DE69712834T DE69712834T2 (de) | 1996-07-12 | 1997-07-10 | Bogenentladungslampenröhre und Herstellungsverfahren derselben |
| US09/092,893 US5993279A (en) | 1996-07-12 | 1998-06-08 | Discharge lamp arc tube and method of producing the same |
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|---|---|---|---|
| JP8182958A JPH1027574A (ja) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | 放電ランプアークチューブおよび同アークチューブの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1027574A true JPH1027574A (ja) | 1998-01-27 |
Family
ID=16127322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8182958A Pending JPH1027574A (ja) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | 放電ランプアークチューブおよび同アークチューブの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5877590A (ja) |
| EP (1) | EP0818805B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1027574A (ja) |
| DE (1) | DE69712834T2 (ja) |
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| US6580200B2 (en) | 2000-06-13 | 2003-06-17 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | Discharge lamp and manufacturing method thereof |
| DE10030807B4 (de) * | 1999-06-25 | 2009-09-10 | Koito Mfg. Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung einer Bogenentladungsröhre für eine Entladungslampeneinheit |
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- 1996-07-12 US US08/891,345 patent/US5877590A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-12 JP JP8182958A patent/JPH1027574A/ja active Pending
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- 1997-07-10 EP EP97111776A patent/EP0818805B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-10 DE DE69712834T patent/DE69712834T2/de not_active Expired - Fee Related
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- 1998-06-08 US US09/092,893 patent/US5993279A/en not_active Expired - Fee Related
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