JPH10270939A - 電圧制御発振器 - Google Patents
電圧制御発振器Info
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- JPH10270939A JPH10270939A JP7166697A JP7166697A JPH10270939A JP H10270939 A JPH10270939 A JP H10270939A JP 7166697 A JP7166697 A JP 7166697A JP 7166697 A JP7166697 A JP 7166697A JP H10270939 A JPH10270939 A JP H10270939A
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＶＨＦ〜ＳＨＦ帯域に対応し、広帯域可変、
高安定の電圧制御発振器を提供する。 【解決手段】 半導体基板５１と、半導体基板上に形成
された圧電体薄膜５３と、圧電体薄膜上に形成された導
電性膜５４とを備える圧電共振子を用いた電圧制御発振
器。圧電体薄膜はチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）薄膜
又はチタン酸鉛（ＰＴ）薄膜よりなる。 【効果】 ＰＺＴ及びＰＴは、電気機械結合係数ｋ2 が
大きく、かつＱ値が大きく、しかも温度特性が良好であ
るため、ＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜を形成した圧電共振子
を用いることにより、ＶＨＦ〜ＳＨＦ帯域に対応し、広
帯域可変、高安定の電圧制御発振器を提供することがで
きる。
高安定の電圧制御発振器を提供する。 【解決手段】 半導体基板５１と、半導体基板上に形成
された圧電体薄膜５３と、圧電体薄膜上に形成された導
電性膜５４とを備える圧電共振子を用いた電圧制御発振
器。圧電体薄膜はチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）薄膜
又はチタン酸鉛（ＰＴ）薄膜よりなる。 【効果】 ＰＺＴ及びＰＴは、電気機械結合係数ｋ2 が
大きく、かつＱ値が大きく、しかも温度特性が良好であ
るため、ＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜を形成した圧電共振子
を用いることにより、ＶＨＦ〜ＳＨＦ帯域に対応し、広
帯域可変、高安定の電圧制御発振器を提供することがで
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電共振子を用い
た電圧制御発振器に係り、特に、圧電共振子の圧電体薄
膜としてチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）又はチタン酸
鉛（ＰｂＴｉＯ3：ＰＴ）を成膜した電圧制御発振器に
関する。
た電圧制御発振器に係り、特に、圧電共振子の圧電体薄
膜としてチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）又はチタン酸
鉛（ＰｂＴｉＯ3：ＰＴ）を成膜した電圧制御発振器に
関する。
【０００２】
【従来の技術】圧電性基板を使用した共振子には、水晶
振動子や弾性表面波共振子及び圧電薄膜共振子等がある
が、このような圧電共振子は電気的等価回路で表すと、
いずれも図１のように表すことができる。図１におい
て、Ｃ0 は電極間の静電容量と端子間の浮遊容量を加算
したものであり、インダクタンスＬ1 、キャパシタンス
Ｃ1 、及び抵抗Ｒ1 の直列共振回路は共振子の共振現象
を表している。
振動子や弾性表面波共振子及び圧電薄膜共振子等がある
が、このような圧電共振子は電気的等価回路で表すと、
いずれも図１のように表すことができる。図１におい
て、Ｃ0 は電極間の静電容量と端子間の浮遊容量を加算
したものであり、インダクタンスＬ1 、キャパシタンス
Ｃ1 、及び抵抗Ｒ1 の直列共振回路は共振子の共振現象
を表している。
【０００３】図２は、上記共振子を用いて従来最も多く
使用されているコルピッツ型の電圧制御発振器を示す基
本構成図である。図２において、１は共振子、３は破線
より右側の発振用トランジスタＴｒを含む回路、Ｃ
j は、パラクタ（可変容量ダイオード）２の容量、Ｃ11
〜Ｃ13はそれぞれキャパシタンス、Ｒ11〜Ｒ14はそれぞ
れ抵抗を示している。この発振器の等価回路は、共振子
１の側と、それ以外の回路３とに区別して考えれば、図
３のように表すことができる。このようなコルピッツ型
発振器においては、共振子１を共振−***振の間の周波
数で使用し、誘電性リアクタンス即ちインダクタンスＬ
として働かせている。この場合、回路３側のリアクタン
スは容量性となり、キャパシタンス（負荷容量）ＣL で
表すことができ、発振周波数はおおむねインダクタンス
ＬとパラクタＣj 及び負荷容量ＣL との直列共振周波数
となる。
使用されているコルピッツ型の電圧制御発振器を示す基
本構成図である。図２において、１は共振子、３は破線
より右側の発振用トランジスタＴｒを含む回路、Ｃ
j は、パラクタ（可変容量ダイオード）２の容量、Ｃ11
〜Ｃ13はそれぞれキャパシタンス、Ｒ11〜Ｒ14はそれぞ
れ抵抗を示している。この発振器の等価回路は、共振子
１の側と、それ以外の回路３とに区別して考えれば、図
３のように表すことができる。このようなコルピッツ型
発振器においては、共振子１を共振−***振の間の周波
数で使用し、誘電性リアクタンス即ちインダクタンスＬ
として働かせている。この場合、回路３側のリアクタン
スは容量性となり、キャパシタンス（負荷容量）ＣL で
表すことができ、発振周波数はおおむねインダクタンス
ＬとパラクタＣj 及び負荷容量ＣL との直列共振周波数
となる。
【０００４】そこで、共振子１に直列に接続したパラク
タ２に印加される逆バイアス電圧（制御電圧）Ｖr を変
えることにより、Ｃj がＶr-X に比例し発振周波数ｆ0
を下記式（１）に従って可変することができる。
タ２に印加される逆バイアス電圧（制御電圧）Ｖr を変
えることにより、Ｃj がＶr-X に比例し発振周波数ｆ0
を下記式（１）に従って可変することができる。
【０００５】
【数１】
【０００６】ここで、広い周波数帯域に亘り発振周波数
ｆ0 を可変するには、共振−***振周波数の幅の広い共
振子、即ち、容量比γの小さい共振子と容量変化の大き
いパラクタを使途しなければならない。
ｆ0 を可変するには、共振−***振周波数の幅の広い共
振子、即ち、容量比γの小さい共振子と容量変化の大き
いパラクタを使途しなければならない。
【０００７】ところが、従来の発振器では、図３に示す
如く、共振子と直列にパラクタの容量Ｃj 及び回路の負
荷容量ＣL が入るため、共振周波数が上昇し共振子の見
かけ上の容量比が大きくなることから、図４のようにイ
ンダクタンスＬs （伸張Ｌ）を共振子１に直列に挿入し
た回路４とし、直列容量によって共振周波数を低下さ
せ、共振子の誘導性領域を広くして使用している。
如く、共振子と直列にパラクタの容量Ｃj 及び回路の負
荷容量ＣL が入るため、共振周波数が上昇し共振子の見
かけ上の容量比が大きくなることから、図４のようにイ
ンダクタンスＬs （伸張Ｌ）を共振子１に直列に挿入し
た回路４とし、直列容量によって共振周波数を低下さ
せ、共振子の誘導性領域を広くして使用している。
【０００８】しかしながら、この場合でもパラクタの容
量変化量が有限でしかも小さいために、広帯域可変のも
のを実現することは困難であった。
量変化量が有限でしかも小さいために、広帯域可変のも
のを実現することは困難であった。
【０００９】特開昭６１−１３５２０５号公報には、上
記問題を解決するために、負性抵抗を伴ったインダクテ
ィブトランジスタ回路を発振回路として使用し、これに
より、共振子の容量比を劣化することなく周波数可変幅
を広くすることが提案されているが、近年の移動体通信
のデジタル化に伴い、周波数の広帯域特性のより一層の
向上が求められ、電圧制御発振器においても、更に広帯
域かつ高安定の可変周波数を持つものが求められている
のが現状である。
記問題を解決するために、負性抵抗を伴ったインダクテ
ィブトランジスタ回路を発振回路として使用し、これに
より、共振子の容量比を劣化することなく周波数可変幅
を広くすることが提案されているが、近年の移動体通信
のデジタル化に伴い、周波数の広帯域特性のより一層の
向上が求められ、電圧制御発振器においても、更に広帯
域かつ高安定の可変周波数を持つものが求められている
のが現状である。
【００１０】ところで、容量比γの小さい共振子は、式
（２）、（３）に示す関係からも明らかなように、電気
機械結合係数ｋ2 の大きい圧電体材料を用いることで実
現できると考えられる。
（２）、（３）に示す関係からも明らかなように、電気
機械結合係数ｋ2 の大きい圧電体材料を用いることで実
現できると考えられる。
【００１１】 容量比γ＝Ｃ0 ／Ｃ1 ……（２） 電気機械結合係数ｋ2 ＝１／（１＋γ）……（３） なお、従来、電圧制御発振器の共振子の圧電体材料につ
いては、圧電体基板としてタンタル酸リチウム（ＬｉＴ
ａＯ3 ）やニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）等を用い
ることが提案されている（特開平２−１０４１２０号公
報、特開平２−１２５８５号公報）。
いては、圧電体基板としてタンタル酸リチウム（ＬｉＴ
ａＯ3 ）やニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）等を用い
ることが提案されている（特開平２−１０４１２０号公
報、特開平２−１２５８５号公報）。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
電圧制御発振器の共振子の圧電体材料として提案されて
いるＬｉＴａＯ3 やＬｉＮｂＯ3 は、電気機械結合係数
ｋ2 は小さいが温度特性は良好であるか、或いは、電気
機械結合係数ｋ2 は大きいが温度特性が悪いというよう
に、電気機械結合係数ｋ2 と温度特性の少なくとも一方
が劣り、両特性を共に満足するものではない。
電圧制御発振器の共振子の圧電体材料として提案されて
いるＬｉＴａＯ3 やＬｉＮｂＯ3 は、電気機械結合係数
ｋ2 は小さいが温度特性は良好であるか、或いは、電気
機械結合係数ｋ2 は大きいが温度特性が悪いというよう
に、電気機械結合係数ｋ2 と温度特性の少なくとも一方
が劣り、両特性を共に満足するものではない。
【００１３】このため、電気機械結合係数ｋ2 が大きい
圧電体材料により容量比γの小さい共振子を実現して、
要求特性を満足する広帯域可変の電圧制御発振器を提供
することが困難であった。
圧電体材料により容量比γの小さい共振子を実現して、
要求特性を満足する広帯域可変の電圧制御発振器を提供
することが困難であった。
【００１４】本発明は上記従来の問題点を解決し、従来
の圧電体材料に比べて電気機械結合係数ｋ2 が大きく、
かつＱ値が大きく、しかも、温度特性の良好な圧電体材
料を用いた共振子を組み込むことで、ＶＨＦ〜ＳＨＦ帯
域に対応し、広帯域可変、高安定の電圧制御発振器を提
供することを目的とする。
の圧電体材料に比べて電気機械結合係数ｋ2 が大きく、
かつＱ値が大きく、しかも、温度特性の良好な圧電体材
料を用いた共振子を組み込むことで、ＶＨＦ〜ＳＨＦ帯
域に対応し、広帯域可変、高安定の電圧制御発振器を提
供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の電圧制御発振器
は、半導体基板と、該半導体基板上に形成された圧電体
薄膜と、該圧電体薄膜上に形成された導電性膜とを備え
る圧電共振子を用いた電圧制御発振器において、該圧電
体薄膜がチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）薄膜又はチタ
ン酸鉛（ＰＴ）薄膜であることを特徴とする。
は、半導体基板と、該半導体基板上に形成された圧電体
薄膜と、該圧電体薄膜上に形成された導電性膜とを備え
る圧電共振子を用いた電圧制御発振器において、該圧電
体薄膜がチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）薄膜又はチタ
ン酸鉛（ＰＴ）薄膜であることを特徴とする。
【００１６】ＰＺＴ及びＰＴは、電気機械結合係数ｋ2
が大きく、かつＱ値が大きく、しかも温度特性が良好で
あるため、ＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜を形成した圧電共振
子を用いることにより、ＶＨＦ〜ＳＨＦ帯域に対応し、
広帯域可変、高安定の電圧制御発振器を提供することが
できる。
が大きく、かつＱ値が大きく、しかも温度特性が良好で
あるため、ＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜を形成した圧電共振
子を用いることにより、ＶＨＦ〜ＳＨＦ帯域に対応し、
広帯域可変、高安定の電圧制御発振器を提供することが
できる。
【００１７】本発明において、圧電共振子としては次の
ものが挙げられる。
ものが挙げられる。
【００１８】 半導体基板と、該半導体基板上に形成
された圧電体薄膜と、該圧電体薄膜上に形成された導電
性膜よりなる櫛形電極とを備える弾性表面波共振子 半導体基板と、該半導体基板上に形成された圧電体
薄膜と、該圧電体薄膜上に形成された導電性膜よりなる
櫛形電極とを備える１ポート型弾性表面波共振子 半導体基板と、該半導体基板上に構成された圧電体
薄膜と、該圧電体薄膜の両面に形成された導電性膜より
なる電極とを備える圧電薄膜共振子 半導体基板と、該半導体基板上に形成された圧電体
薄膜と、該圧電体薄膜上に形成された導電性膜よりなる
電極とを備える圧電薄膜共振子
された圧電体薄膜と、該圧電体薄膜上に形成された導電
性膜よりなる櫛形電極とを備える弾性表面波共振子 半導体基板と、該半導体基板上に形成された圧電体
薄膜と、該圧電体薄膜上に形成された導電性膜よりなる
櫛形電極とを備える１ポート型弾性表面波共振子 半導体基板と、該半導体基板上に構成された圧電体
薄膜と、該圧電体薄膜の両面に形成された導電性膜より
なる電極とを備える圧電薄膜共振子 半導体基板と、該半導体基板上に形成された圧電体
薄膜と、該圧電体薄膜上に形成された導電性膜よりなる
電極とを備える圧電薄膜共振子
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の電
圧制御発振器の実施の形態を説明する。
圧制御発振器の実施の形態を説明する。
【００２０】本発明の電圧制御発振器は、圧電共振子と
して半導体基板と、この半導体基板上に形成されたＰＺ
Ｔ薄膜又はＰＴ薄膜の圧電体薄膜と、この圧電体薄膜上
に形成された導電性膜とを備える圧電共振子を用いるこ
と以外は従来の圧電共振子を用いた電圧制御発振器と同
様の構成とすることができ、従って、その回路にはコル
ピッツ型回路を用いて、図２又は図４に示すような構成
の電圧制御発振器とすることができる。
して半導体基板と、この半導体基板上に形成されたＰＺ
Ｔ薄膜又はＰＴ薄膜の圧電体薄膜と、この圧電体薄膜上
に形成された導電性膜とを備える圧電共振子を用いるこ
と以外は従来の圧電共振子を用いた電圧制御発振器と同
様の構成とすることができ、従って、その回路にはコル
ピッツ型回路を用いて、図２又は図４に示すような構成
の電圧制御発振器とすることができる。
【００２１】本発明に係る圧電共振子の半導体基板とし
ては、表面に酸化膜（ＳｉＯ2 膜）が形成されたＳｉ基
板が好適であるが、その他、ＧａＡｓ基板等を用いるこ
とができる。
ては、表面に酸化膜（ＳｉＯ2 膜）が形成されたＳｉ基
板が好適であるが、その他、ＧａＡｓ基板等を用いるこ
とができる。
【００２２】半導体基板として酸化膜付きＳｉ基板を用
いる場合、その酸化膜の厚さは、薄過ぎると熱処理時の
元素の拡散防止効果がなく、厚過ぎるとクラックの発生
や基板のそりの問題があるので０．５〜２μｍ程度であ
ることが好ましい。
いる場合、その酸化膜の厚さは、薄過ぎると熱処理時の
元素の拡散防止効果がなく、厚過ぎるとクラックの発生
や基板のそりの問題があるので０．５〜２μｍ程度であ
ることが好ましい。
【００２３】また、半導体基板の厚さは、圧電共振子と
しての用途上、できる限り薄いことが望ましいが、過度
に薄いと機械的強度が低下するため、厚さ１００〜３０
０μｍ程度であることが好ましい。
しての用途上、できる限り薄いことが望ましいが、過度
に薄いと機械的強度が低下するため、厚さ１００〜３０
０μｍ程度であることが好ましい。
【００２４】このような半導体基板には、圧電体薄膜を
形成した側とは反対側の面の圧電体薄膜形成位置に相当
する部分に凹部を形成しても良く、このような凹部を形
成することにより圧電共振子の機械的強度は若干劣るも
のの低次モードをより強く励振することが可能となり、
発振周波数、挿入損失の特性を向上させることができ
る。この場合、凹部はエッチング等により形成すること
ができ、例えばＳｉ基板に凹部を形成するには、ＴＭＡ
Ｈ(tetramethyl ammonium hydroxide)等のエッチング液
を用いて、部分的に基板を除去すれば良い。
形成した側とは反対側の面の圧電体薄膜形成位置に相当
する部分に凹部を形成しても良く、このような凹部を形
成することにより圧電共振子の機械的強度は若干劣るも
のの低次モードをより強く励振することが可能となり、
発振周波数、挿入損失の特性を向上させることができ
る。この場合、凹部はエッチング等により形成すること
ができ、例えばＳｉ基板に凹部を形成するには、ＴＭＡ
Ｈ(tetramethyl ammonium hydroxide)等のエッチング液
を用いて、部分的に基板を除去すれば良い。
【００２５】また、半導体基板としてＳｉ基板を用いる
場合、ＳｉＯ2 酸化膜とＳｉ基板本体の間には、空洞
（Ａｉｒ−ｇａｐ）を形成しても良い。このＡｉｒ−ｇ
ａｐは、例えば特開昭６３−１８７７１３号公報，特開
平６−４０６１１号公報記載の方法により形成すること
ができる。
場合、ＳｉＯ2 酸化膜とＳｉ基板本体の間には、空洞
（Ａｉｒ−ｇａｐ）を形成しても良い。このＡｉｒ−ｇ
ａｐは、例えば特開昭６３−１８７７１３号公報，特開
平６−４０６１１号公報記載の方法により形成すること
ができる。
【００２６】このようなＡｉｒ−ｇａｐを形成すること
により後掲の図７（ａ）、（ｂ）のような上部電極に対
峙するＳｉ基板部分を異方性エッチングして、ダイヤフ
ラム構造にする構造と同じ効果が奏される。
により後掲の図７（ａ）、（ｂ）のような上部電極に対
峙するＳｉ基板部分を異方性エッチングして、ダイヤフ
ラム構造にする構造と同じ効果が奏される。
【００２７】このような半導体基板上に圧電体薄膜を形
成するには、ゾルゲル法を採用するのが好ましく、例え
ば、次のような方法で形成することができる。
成するには、ゾルゲル法を採用するのが好ましく、例え
ば、次のような方法で形成することができる。
【００２８】即ち、ＰＺＴ薄膜の形成には、酢酸鉛等の
鉛化合物、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムプロ
ポキシド等のジルコニウム化合物及びチタニウムイソプ
ロポキシド、チタニウムブトキシド等のチタン化合物を
所定のモル比で、合計濃度が１０〜２０重量％程度とな
るように、メトキシエタノール、酢酸エステル等の溶剤
に溶解したＰＺＴ薄膜形成用組成物を基板に塗布し、１
５０〜４００℃で乾燥し、所定の膜厚になるように、こ
の塗布、乾燥を繰り返す。最後に５００〜８００℃で１
分〜１時間焼成する。
鉛化合物、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムプロ
ポキシド等のジルコニウム化合物及びチタニウムイソプ
ロポキシド、チタニウムブトキシド等のチタン化合物を
所定のモル比で、合計濃度が１０〜２０重量％程度とな
るように、メトキシエタノール、酢酸エステル等の溶剤
に溶解したＰＺＴ薄膜形成用組成物を基板に塗布し、１
５０〜４００℃で乾燥し、所定の膜厚になるように、こ
の塗布、乾燥を繰り返す。最後に５００〜８００℃で１
分〜１時間焼成する。
【００２９】また、ＰＴ薄膜の形成には、酢酸鉛等の鉛
化合物及びチタニウムイソプロポキシド、チタニウムブ
トキシド等のチタン化合物の所定のモル比で、合計濃度
が１０〜２０重量％程度になるように、メトキシエタノ
ール、酢酸エステル等の溶剤に溶解したＰＴ薄膜形成用
組成物を基板に塗布し、１５０〜４００℃で乾燥し、所
定の膜厚になるように、この塗布、乾燥を繰り返す、最
後に５００〜８００℃で１分〜１時間焼成する。
化合物及びチタニウムイソプロポキシド、チタニウムブ
トキシド等のチタン化合物の所定のモル比で、合計濃度
が１０〜２０重量％程度になるように、メトキシエタノ
ール、酢酸エステル等の溶剤に溶解したＰＴ薄膜形成用
組成物を基板に塗布し、１５０〜４００℃で乾燥し、所
定の膜厚になるように、この塗布、乾燥を繰り返す、最
後に５００〜８００℃で１分〜１時間焼成する。
【００３０】本発明において、圧電体薄膜としてのＰＺ
Ｔ薄膜又はＰＴ薄膜は、高周波対応とするために膜厚１
０μｍ以下であることが必要とされ、好ましくは０．１
〜１０μｍ、より好ましくは０．２〜３μｍの範囲で使
用目的に応じて適宜決定される。なお、ＰＺＴ薄膜又は
ＰＴ薄膜の膜厚が薄過ぎると圧電効果が得られず、逆
に、厚過ぎると良好な膜質が得られない。
Ｔ薄膜又はＰＴ薄膜は、高周波対応とするために膜厚１
０μｍ以下であることが必要とされ、好ましくは０．１
〜１０μｍ、より好ましくは０．２〜３μｍの範囲で使
用目的に応じて適宜決定される。なお、ＰＺＴ薄膜又は
ＰＴ薄膜の膜厚が薄過ぎると圧電効果が得られず、逆
に、厚過ぎると良好な膜質が得られない。
【００３１】本発明においては、このＰＺＴ又はＰＴ薄
膜の形成に先立ち、基板上にチタン酸バリウムストロン
チウム（ＢＳＴ）、チタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）
又はチタン酸バリウム（ＢＴＯ）等のバッファー層を形
成しても良い。このようなバッファー層を形成すること
により、鉛拡散防止作用により、ＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄
膜の鉛欠損が防止されるという効果が奏される。このバ
ッファー層はゾルゲル法により形成することができ、そ
の膜厚は通常の場合、０．０１〜２μｍ、特に０．０１
〜０．２μｍであることが好ましい。
膜の形成に先立ち、基板上にチタン酸バリウムストロン
チウム（ＢＳＴ）、チタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）
又はチタン酸バリウム（ＢＴＯ）等のバッファー層を形
成しても良い。このようなバッファー層を形成すること
により、鉛拡散防止作用により、ＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄
膜の鉛欠損が防止されるという効果が奏される。このバ
ッファー層はゾルゲル法により形成することができ、そ
の膜厚は通常の場合、０．０１〜２μｍ、特に０．０１
〜０．２μｍであることが好ましい。
【００３２】圧電体薄膜上の導電性膜としては、Ａｌ，
Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ等の導電性金属膜が好適であり、この
ような導電性膜はスパッタ法等で形成することができ、
その厚さは、通常の場合１０００〜２０００Å程度であ
る。
Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ等の導電性金属膜が好適であり、この
ような導電性膜はスパッタ法等で形成することができ、
その厚さは、通常の場合１０００〜２０００Å程度であ
る。
【００３３】本発明において、圧電体薄膜の下面側にも
導電性膜よりなる電極を形成し、圧電共振子を基板／下
部電極／圧電体薄膜／上部電極の構成とする場合、この
下部電極としての導電性膜としても上記と同様のものを
採用することができ、同様にスパッタ法等により１００
０〜２０００Å程度の厚さに形成される。
導電性膜よりなる電極を形成し、圧電共振子を基板／下
部電極／圧電体薄膜／上部電極の構成とする場合、この
下部電極としての導電性膜としても上記と同様のものを
採用することができ、同様にスパッタ法等により１００
０〜２０００Å程度の厚さに形成される。
【００３４】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明の電圧制御発振
器の構成及び効果をより具体的に説明する。
器の構成及び効果をより具体的に説明する。
【００３５】なお、以下において、圧電体薄膜としての
ＰＺＴ薄膜は、酢酸鉛とジルコニウムブトキシドとチタ
ニウムイソプロポキシドとを所定のモル比で合計濃度２
０重量％となるように２−メトキシエタノールに溶解し
たＰＺＴ薄膜形成用溶液を用い、スピンコートにより塗
布した後４００℃で乾燥し、この塗布、乾燥を所定の膜
厚になるまで繰り返し、最後に６５０℃で６０分焼成す
ることにより形成し、ＰＴ薄膜は、酢酸鉛とチタニウム
イソプロポキシドを所定のモル比で合計濃度１０重量％
となるように２−メトキシエタノールに溶解したＰＴ薄
膜形成用溶液を用い、スピンコートにより塗布した後４
００℃で乾燥し、この塗布、乾燥を所定の膜厚になるま
で繰り返し、最後に６５０℃で６０分焼成することによ
り形成した。
ＰＺＴ薄膜は、酢酸鉛とジルコニウムブトキシドとチタ
ニウムイソプロポキシドとを所定のモル比で合計濃度２
０重量％となるように２−メトキシエタノールに溶解し
たＰＺＴ薄膜形成用溶液を用い、スピンコートにより塗
布した後４００℃で乾燥し、この塗布、乾燥を所定の膜
厚になるまで繰り返し、最後に６５０℃で６０分焼成す
ることにより形成し、ＰＴ薄膜は、酢酸鉛とチタニウム
イソプロポキシドを所定のモル比で合計濃度１０重量％
となるように２−メトキシエタノールに溶解したＰＴ薄
膜形成用溶液を用い、スピンコートにより塗布した後４
００℃で乾燥し、この塗布、乾燥を所定の膜厚になるま
で繰り返し、最後に６５０℃で６０分焼成することによ
り形成した。
【００３６】また、導電性膜はスパッタ法により形成し
た。
た。
【００３７】実施例１及び２におけるバッファー層とし
ては、ＢＳＴ薄膜を所望の膜厚までゾルゲル法により成
膜することにより形成した。
ては、ＢＳＴ薄膜を所望の膜厚までゾルゲル法により成
膜することにより形成した。
【００３８】また、以下の実施例においては、いずれも
圧電共振子を図２に示すコルピッツ回路に組み込んで特
性を調べたが、比較のため、特開昭６１−１３５２０５
号公報に記載される電圧制御発振器（Ａ）及び同公報に
おいて従来例として挙げた電圧制御発振器（Ｂ）につい
て以下の実施例と同様にして測定した発振周波数の変化
を図１６に示した。
圧電共振子を図２に示すコルピッツ回路に組み込んで特
性を調べたが、比較のため、特開昭６１−１３５２０５
号公報に記載される電圧制御発振器（Ａ）及び同公報に
おいて従来例として挙げた電圧制御発振器（Ｂ）につい
て以下の実施例と同様にして測定した発振周波数の変化
を図１６に示した。
【００３９】実施例１：図２のコルピッツ回路に共振子
１として１ポート型弾性表面波共振子を組み込んで９０
０ＭＨｚ帯の電圧制御発振器にて起用した例 図５（ａ）は本実施例で用いた１ポート型弾性表面波共
振子の電極構成を示す平面図、図５（ｂ）は同断面の拡
大図である。この１ポート型弾性表面波共振子の圧電基
板５０は酸化膜（厚さ１μｍのＳｉＯ2 膜５１Ａ）付き
Ｓｉ基板（厚さ２５０μｍ）５１上に厚さ０．２μｍの
バッファー層（ＢＳＴ薄膜）５２、厚さ０．８μｍのＰ
ＺＴ薄膜５３及び厚さ１５００ÅのＡｌ電極５４よりな
り、Ａｌ電極（反射電極５４Ａ，櫛形電極５４Ｂ）５４
の間隙Ｗは２μｍ（弾性表面波の波長λの１／２）であ
る。
１として１ポート型弾性表面波共振子を組み込んで９０
０ＭＨｚ帯の電圧制御発振器にて起用した例 図５（ａ）は本実施例で用いた１ポート型弾性表面波共
振子の電極構成を示す平面図、図５（ｂ）は同断面の拡
大図である。この１ポート型弾性表面波共振子の圧電基
板５０は酸化膜（厚さ１μｍのＳｉＯ2 膜５１Ａ）付き
Ｓｉ基板（厚さ２５０μｍ）５１上に厚さ０．２μｍの
バッファー層（ＢＳＴ薄膜）５２、厚さ０．８μｍのＰ
ＺＴ薄膜５３及び厚さ１５００ÅのＡｌ電極５４よりな
り、Ａｌ電極（反射電極５４Ａ，櫛形電極５４Ｂ）５４
の間隙Ｗは２μｍ（弾性表面波の波長λの１／２）であ
る。
【００４０】この電圧制御発振器において、制御電圧Ｖ
r を０〜５Ｖまで可変した場合の発振周波数の変化を図
８に示す。
r を０〜５Ｖまで可変した場合の発振周波数の変化を図
８に示す。
【００４１】実施例２：図２のコルピッツ回路に共振子
１として１ポート型弾性表面波共振子を組み込んで９０
０ＭＨｚ帯の電圧制御発振器にて起用した例 図６（ａ）は本実施例で用いた１ポート型弾性表面波共
振子の電極構成を示す平面図、図６（ｂ）は同断面の拡
大図である。この１ポート型弾性表面波共振子の圧電基
板６０は酸化膜（厚さ１μｍのＳｉＯ2 膜６１Ａ）付き
Ｓｉ基板（厚さ２５０μｍ）６１上に厚さ０．２μｍの
バッファー層（ＢＳＴ薄膜）６２、厚さ０．８５μｍの
ＰＴ薄膜６３及び厚さ１５００ÅのＡｌ電極６４よりな
り、Ａｌ電極（反射電極６４Ａ，櫛形電極６４Ｂ）６４
の間隙Ｗは２μｍ（弾性表面波の波長λの１／２）であ
る。
１として１ポート型弾性表面波共振子を組み込んで９０
０ＭＨｚ帯の電圧制御発振器にて起用した例 図６（ａ）は本実施例で用いた１ポート型弾性表面波共
振子の電極構成を示す平面図、図６（ｂ）は同断面の拡
大図である。この１ポート型弾性表面波共振子の圧電基
板６０は酸化膜（厚さ１μｍのＳｉＯ2 膜６１Ａ）付き
Ｓｉ基板（厚さ２５０μｍ）６１上に厚さ０．２μｍの
バッファー層（ＢＳＴ薄膜）６２、厚さ０．８５μｍの
ＰＴ薄膜６３及び厚さ１５００ÅのＡｌ電極６４よりな
り、Ａｌ電極（反射電極６４Ａ，櫛形電極６４Ｂ）６４
の間隙Ｗは２μｍ（弾性表面波の波長λの１／２）であ
る。
【００４２】この電圧制御発振器において、制御電圧Ｖ
r を０〜５Ｖまで可変した場合の発振周波数の変化を図
９に示す。
r を０〜５Ｖまで可変した場合の発振周波数の変化を図
９に示す。
【００４３】実施例３：図２のコルピッツ回路に共振子
１として圧電体薄膜の両面に形成された導電性膜からな
る電極を設けてなる圧電薄膜共振子を組み込んで２．４
ＧＨｚ帯の電圧制御発振器に起用した例 図７（ａ）は本実施例で用いた圧電薄膜共振子の構成を
示す断面図であり、各部の寸法及び材質等は次の通りで
ある。
１として圧電体薄膜の両面に形成された導電性膜からな
る電極を設けてなる圧電薄膜共振子を組み込んで２．４
ＧＨｚ帯の電圧制御発振器に起用した例 図７（ａ）は本実施例で用いた圧電薄膜共振子の構成を
示す断面図であり、各部の寸法及び材質等は次の通りで
ある。
【００４４】 Ｓｉ基板７１：厚さ２５０μｍ ＳｉＯ2 膜７１Ａ：厚さ１μｍ 凹部７１Ｂの底部：１００μｍ×１００μｍ 下部電極７２：Ｐｔ／Ｔｉ 厚さ２０００Å／２００Å ＰＺＴ薄膜７３：９０μｍ×９０μｍ×０．４７μｍ厚さ 上部電極７４：Ａｌ 厚さ１５００Å この電圧制御発振器において、制御電圧Ｖr を０〜５Ｖ
まで可変した場合の発振周波数の変化を図１０に示す。
まで可変した場合の発振周波数の変化を図１０に示す。
【００４５】実施例４：図２のコルピッツ回路に共振子
１として圧電体薄膜の両面に形成された導電性膜からな
る電極を設けてなる圧電薄膜共振子を組み込んで２．４
ＧＨｚ帯の電圧制御発振器に起用した例 図７（ｂ）は本実施例で用いた圧電薄膜共振子の構成を
示す断面図であり、各部の寸法及び材質等は次の通りで
ある。
１として圧電体薄膜の両面に形成された導電性膜からな
る電極を設けてなる圧電薄膜共振子を組み込んで２．４
ＧＨｚ帯の電圧制御発振器に起用した例 図７（ｂ）は本実施例で用いた圧電薄膜共振子の構成を
示す断面図であり、各部の寸法及び材質等は次の通りで
ある。
【００４６】 Ｓｉ基板７５：厚さ２５０μｍ ＳｉＯ2 膜７５Ａ：厚さ１μｍ 凹部７５Ｂの底部：１００μｍ×１００μｍ 下部電極７６：Ｐｔ／Ｔｉ 厚さ２０００Å／２００Å ＰＴ薄膜７７：９０μｍ×９０μｍ×０．４５μｍ厚さ 上部電極７８：Ａｌ 厚さ１５００Å この電圧制御発振器において、制御電圧Ｖr を０〜５Ｖ
まで可変した場合の発振周波数の変化を図１１に示す。
まで可変した場合の発振周波数の変化を図１１に示す。
【００４７】実施例５：図２のコルピッツ回路に共振子
１として圧電体薄膜の両面に形成された導電性膜からな
る電極を設けてなる圧電薄膜共振子を組み込んで２．４
ＧＨｚ帯の電圧制御発振器に起用した例 図７（ｃ）は本実施例で用いた圧電薄膜共振子の構成を
示す断面図であり、各部の寸法及び材質等は次の通りで
ある。
１として圧電体薄膜の両面に形成された導電性膜からな
る電極を設けてなる圧電薄膜共振子を組み込んで２．４
ＧＨｚ帯の電圧制御発振器に起用した例 図７（ｃ）は本実施例で用いた圧電薄膜共振子の構成を
示す断面図であり、各部の寸法及び材質等は次の通りで
ある。
【００４８】 Ｓｉ基板７９：厚さ２５０μｍ ＳｉＯ2 膜７９Ａ：厚さ２μｍ Ａｉｒ−ｇａｐ７９Ｂ：２１０μｍ×７５μｍ×１μｍ 下部電極８０：Ｐｔ／Ｔｉ 厚さ２０００Å／２００Å ＰＺＴ薄膜８１：厚さ０．４７μｍ 上部電極８２Ａ，８２Ｂ：Ａｌ ７０μｍ×７０μｍ×１５００Å厚さ 上部電極８２Ａ，８２Ｂの間隔は７０μｍ この電圧制御発振器において、制御電圧Ｖr を０〜５Ｖ
まで可変した場合の発振周波数の変化を図１２に示す。
まで可変した場合の発振周波数の変化を図１２に示す。
【００４９】実施例６：図２のコルピッツ回路に共振子
１として圧電体薄膜の両面に形成された導電性膜からな
る電極を設けてなる圧電薄膜共振子を組み込んで２．４
ＧＨｚ帯の電圧制御発振器に起用した例 図７（ｄ）は本実施例で用いた圧電薄膜共振子の構成を
示す断面図であり、各部の寸法及び材質等は次の通りで
ある。
１として圧電体薄膜の両面に形成された導電性膜からな
る電極を設けてなる圧電薄膜共振子を組み込んで２．４
ＧＨｚ帯の電圧制御発振器に起用した例 図７（ｄ）は本実施例で用いた圧電薄膜共振子の構成を
示す断面図であり、各部の寸法及び材質等は次の通りで
ある。
【００５０】 Ｓｉ基板８３：厚さ２５０μｍ ＳｉＯ2 膜８３Ａ：厚さ２μｍ Ａｉｒ−ｇａｐ８３Ｂ：２１０μｍ×７５μｍ×１μｍ 下部電極８４：Ｐｔ／Ｔｉ 厚さ２０００Å／２００Å ＰＴ薄膜８５：厚さ０．４５μｍ 上部電極８６Ａ，８６Ｂ：Ａｌ ７０μｍ×７０μｍ×１５００Å厚さ 上部電極８６Ａ，８６Ｂの間隔は７０μｍ この電圧制御発振器において、制御電圧Ｖr を０〜５Ｖ
まで可変した場合の発振周波数の変化を図１３に示す。
まで可変した場合の発振周波数の変化を図１３に示す。
【００５１】実施例７：図２のコルピッツ回路に共振子
１として圧電体薄膜の両面に形成された導電性膜からな
る電極を設けてなる圧電薄膜共振子を組み込んで２．４
ＧＨｚ帯の電圧制御発振器に起用した例 図７（ｅ）は本実施例で用いた圧電薄膜共振子の構成を
示す断面図であり、各部の寸法及び材質等は次の通りで
ある。
１として圧電体薄膜の両面に形成された導電性膜からな
る電極を設けてなる圧電薄膜共振子を組み込んで２．４
ＧＨｚ帯の電圧制御発振器に起用した例 図７（ｅ）は本実施例で用いた圧電薄膜共振子の構成を
示す断面図であり、各部の寸法及び材質等は次の通りで
ある。
【００５２】 Ｓｉ基板８７：厚さ２５０μｍ ＳｉＯ2 膜８７Ａ：厚さ１μｍ 凹部８７Ｂの底部：１００μｍ×１００μｍ 下部電極８８：Ｐｔ／Ｔｉ 厚さ２０００Å／２００Å ＰＺＴ薄膜８９：厚さ０．４７μｍ 上部電極９０Ａ，９０Ｂ：Ａｌ ７０ｍｍ×７０ｍｍ×１５００Å厚さ 上部電極９０Ａ，９０Ｂの間隔は７０μｍ この電圧制御発振器において、制御電圧Ｖr を０〜５Ｖ
まで可変した場合の発振周波数の変化を図１４に示す。
まで可変した場合の発振周波数の変化を図１４に示す。
【００５３】実施例８：図２のコルピッツ回路に共振子
１として圧電体薄膜の両面に形成された導電性膜からな
る電極を設けてなる圧電薄膜共振子を組み込んで２．４
ＧＨｚ帯の電圧制御発振器に起用した例 図７（ｆ）は本実施例で用いた圧電薄膜共振子の構成を
示す断面図であり、各部の寸法及び材質等は次の通りで
ある。
１として圧電体薄膜の両面に形成された導電性膜からな
る電極を設けてなる圧電薄膜共振子を組み込んで２．４
ＧＨｚ帯の電圧制御発振器に起用した例 図７（ｆ）は本実施例で用いた圧電薄膜共振子の構成を
示す断面図であり、各部の寸法及び材質等は次の通りで
ある。
【００５４】 Ｓｉ基板９１：厚さ２５０μｍ ＳｉＯ2 膜９１Ａ：厚さ１μｍ 凹部９１Ｂの底部：１００μｍ×１００μｍ 下部電極９２：Ｐｔ／Ｔｉ 厚さ２０００Å／２００Å ＰＴ薄膜９３：厚さ０．４５μｍ 上部電極９４Ａ，９４Ｂ：Ａｌ ７０ｍｍ×７０ｍｍ×１５００Åｍ厚さ 上部電極９４Ａ，９４Ｂの間隔は７０μｍ この電圧制御発振器において、制御電圧Ｖr を０〜５Ｖ
まで可変した場合の発振周波数の変化を図１５に示す。
まで可変した場合の発振周波数の変化を図１５に示す。
【００５５】以上の結果から、本発明の電圧制御発振器
は、従来の圧電基板を用いたものに比べ、非常に広帯域
な、制御感度の高いものであることが明らかである。
は、従来の圧電基板を用いたものに比べ、非常に広帯域
な、制御感度の高いものであることが明らかである。
【００５６】
【発明の効果】本発明の電圧制御発振器は、ＩＣ等の半
導体回路内にモノシリックに作製できるため、共振器を
小型化できる。また、本発明では、大きな電気機械結合
係数ｋ2 、優れたＱ特性を有するＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄
膜を用いているため、非常に広帯域の周波数をカバーす
るＳ／Ｎ比の優れた電圧制御発振器を提供できる。
導体回路内にモノシリックに作製できるため、共振器を
小型化できる。また、本発明では、大きな電気機械結合
係数ｋ2 、優れたＱ特性を有するＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄
膜を用いているため、非常に広帯域の周波数をカバーす
るＳ／Ｎ比の優れた電圧制御発振器を提供できる。
【図１】圧電共振子の電気的等価回路図である。
【図２】コルピッツ型電圧制御発振器の基本構成図であ
る。
る。
【図３】図２の電圧制御発振器の等価回路図である。
【図４】広帯域可変にしたコルピッツ型電圧制御発振器
の構成図である。
の構成図である。
【図５】図５（ａ）は実施例１で用いた１ポート型弾性
表面波共振子の電極構成を示す平面図、図５（ｂ）は同
断面の拡大図である。
表面波共振子の電極構成を示す平面図、図５（ｂ）は同
断面の拡大図である。
【図６】図６（ａ）は実施例２で用いた１ポート型弾性
表面波共振子の電極構成を示す平面図、図６（ｂ）は同
断面の拡大図である。
表面波共振子の電極構成を示す平面図、図６（ｂ）は同
断面の拡大図である。
【図７】図７（ａ）は、実施例３で用いた１ポート型弾
性表面波共振子の構成を示す断面図、図７（ｂ）は、実
施例４で用いた１ポート型弾性表面波共振子の構成を示
す断面図、図７（ｃ）は、実施例５で用いた１ポート型
弾性表面波共振子の構成を示す断面図、図７（ｄ）は、
実施例６で用いた１ポート型弾性表面波共振子の構成を
示す断面図、図７（ｅ）は、実施例７で用いた１ポート
型弾性表面波共振子の構成を示す断面図、図７（ｆ）
は、実施例８で用いた１ポート型弾性表面波共振子の構
成を示す断面図である。
性表面波共振子の構成を示す断面図、図７（ｂ）は、実
施例４で用いた１ポート型弾性表面波共振子の構成を示
す断面図、図７（ｃ）は、実施例５で用いた１ポート型
弾性表面波共振子の構成を示す断面図、図７（ｄ）は、
実施例６で用いた１ポート型弾性表面波共振子の構成を
示す断面図、図７（ｅ）は、実施例７で用いた１ポート
型弾性表面波共振子の構成を示す断面図、図７（ｆ）
は、実施例８で用いた１ポート型弾性表面波共振子の構
成を示す断面図である。
【図８】実施例１の電圧制御発振器の特性を示すグラフ
である。
である。
【図９】実施例２の電圧制御発振器の特性を示すグラフ
である。
である。
【図１０】実施例３の電圧制御発振器の特性を示すグラ
フである。
フである。
【図１１】実施例４の電圧制御発振器の特性を示すグラ
フである。
フである。
【図１２】実施例５の電圧制御発振器の特性を示すグラ
フである。
フである。
【図１３】実施例６の電圧制御発振器の特性を示すグラ
フである。
フである。
【図１４】実施例７の電圧制御発振器の特性を示すグラ
フである。
フである。
【図１５】実施例８の電圧制御発振器の特性を示すグラ
フである。
フである。
【図１６】比較例に係る電圧制御発振器の特性を示すグ
ラフである。
ラフである。
５０，６０ 圧電基板 ５１，６１，７１，７５，７９，８３，８７，９１ Ｓ
ｉ基板 ５２，６２ バッファー層 ５３，７３，８１，８９ ＰＺＴ薄膜 ５４，６４ Ａｌ電極 ６３，７７，８５，９３ ＰＴ薄膜 ７２，７６，８０，８４，８８，９２ 下部電極 ７４，７８，８２Ａ，８２Ｂ，８６Ａ，８６Ｂ，９０
Ａ，９０Ｂ，９４Ａ，９４Ｂ 上部電極
ｉ基板 ５２，６２ バッファー層 ５３，７３，８１，８９ ＰＺＴ薄膜 ５４，６４ Ａｌ電極 ６３，７７，８５，９３ ＰＴ薄膜 ７２，７６，８０，８４，８８，９２ 下部電極 ７４，７８，８２Ａ，８２Ｂ，８６Ａ，８６Ｂ，９０
Ａ，９０Ｂ，９４Ａ，９４Ｂ 上部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 疋田 和康 東京都千代田区大手町一丁目５番１号 三 菱マテリアル株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板と、該半導体基板上に形成さ
れた圧電体薄膜と、該圧電体薄膜上に形成された導電性
膜とを備える圧電共振子を用いた電圧制御発振器におい
て、該圧電体薄膜がチタン酸ジルコン酸鉛薄膜又はチタ
ン酸鉛薄膜であることを特徴とする電圧制御発振器。 - 【請求項２】 請求項１において、該圧電共振子は、半
導体基板と、該半導体基板上に形成された圧電体薄膜
と、該圧電体薄膜上に形成された導電性膜よりなる櫛形
電極とを備える弾性表面波共振子であることを特徴とす
る電圧制御発振器。 - 【請求項３】 請求項１において、該圧電共振子は、半
導体基板と、該半導体基板上に形成された圧電体薄膜
と、該圧電体薄膜上に形成された導電性膜よりなる櫛形
電極とを備える１ポート型弾性表面波共振子であること
を特徴とする電圧制御発振器。 - 【請求項４】 請求項１において、該圧電共振子は、半
導体基板と、該半導体基板上に構成された圧電体薄膜
と、該圧電体薄膜の両面に形成された導電性膜よりなる
電極とを備える圧電薄膜共振子であることを特徴とする
電圧制御発振器。 - 【請求項５】 請求項１において、該圧電共振子は、半
導体基板と、該半導体基板上に形成された圧電体薄膜
と、該圧電体薄膜上に形成された導電性膜よりなる電極
とを備える圧電薄膜共振子であることを特徴とする電圧
制御発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7166697A JPH10270939A (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 電圧制御発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7166697A JPH10270939A (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 電圧制御発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270939A true JPH10270939A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13467160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7166697A Withdrawn JPH10270939A (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 電圧制御発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10270939A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002182652A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-06-26 | Agilent Technol Inc | 音響共振器及びその製造方法 |
| US7215067B2 (en) * | 2003-02-07 | 2007-05-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric thin film element, piezoelectric actuator and liquid discharge head |
-
1997
- 1997-03-25 JP JP7166697A patent/JPH10270939A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002182652A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-06-26 | Agilent Technol Inc | 音響共振器及びその製造方法 |
| US7215067B2 (en) * | 2003-02-07 | 2007-05-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric thin film element, piezoelectric actuator and liquid discharge head |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040601 |