JPH10209794A - 圧電薄膜共振子 - Google Patents
圧電薄膜共振子Info
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- JPH10209794A JPH10209794A JP864697A JP864697A JPH10209794A JP H10209794 A JPH10209794 A JP H10209794A JP 864697 A JP864697 A JP 864697A JP 864697 A JP864697 A JP 864697A JP H10209794 A JPH10209794 A JP H10209794A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気機械結合係数が大きく、共振子、フィル
タ等に適用した場合の帯域幅及び発振周波数範囲が広
く、かつ、Ｑ値が高い圧電薄膜共振子であって、下部電
極を露出させる必要がなく、製造が容易な圧電薄膜共振
子を提供する。 【解決手段】 ダイヤモンド薄膜１が形成されたＳｉ基
板２上に、下部電極３、ＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜４及び
２個の上部電極５Ａ，５Ｂを有する圧電薄膜共振子。上
部電極５Ａ，５Ｂの間隔はＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜４の
膜厚よりも大きい。 【効果】 圧電体膜がＰＺＴ又はＰＴで形成されている
ため、広帯域なフィルタや発振周波数範囲の広い共振器
を実現できる。上部電極間に電界を印加することにより
圧電体膜を厚み方向に分極処理することができる。従っ
て、下部電極を端子電極として露出させる必要がない。
タ等に適用した場合の帯域幅及び発振周波数範囲が広
く、かつ、Ｑ値が高い圧電薄膜共振子であって、下部電
極を露出させる必要がなく、製造が容易な圧電薄膜共振
子を提供する。 【解決手段】 ダイヤモンド薄膜１が形成されたＳｉ基
板２上に、下部電極３、ＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜４及び
２個の上部電極５Ａ，５Ｂを有する圧電薄膜共振子。上
部電極５Ａ，５Ｂの間隔はＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜４の
膜厚よりも大きい。 【効果】 圧電体膜がＰＺＴ又はＰＴで形成されている
ため、広帯域なフィルタや発振周波数範囲の広い共振器
を実現できる。上部電極間に電界を印加することにより
圧電体膜を厚み方向に分極処理することができる。従っ
て、下部電極を端子電極として露出させる必要がない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は圧電薄膜共振子に係
り、特に、高周波帯域で動作する圧電薄膜の厚み方向の
バルク波を利用した共振器、フィルタ等に好適な圧電薄
膜共振子に関する。
り、特に、高周波帯域で動作する圧電薄膜の厚み方向の
バルク波を利用した共振器、フィルタ等に好適な圧電薄
膜共振子に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、高周波帯域において使用される
圧電振動子では、薄板の厚み振動が利用されている。従
来、提供されている高周波用の圧電振動子としては、次
の〜の構成のものなどがある。
圧電振動子では、薄板の厚み振動が利用されている。従
来、提供されている高周波用の圧電振動子としては、次
の〜の構成のものなどがある。
【０００３】 水晶、圧電セラミックス等の圧電板を
薄く研磨し、その基本振動を用いた圧電振動子。 水晶、圧電セラミックス等の高次振動を利用した高
次モード振動子。 圧電性蒸着膜を基板上に形成し、この圧電性蒸着膜
を励振して基板を高次振動させて用いる複合振動子。
薄く研磨し、その基本振動を用いた圧電振動子。 水晶、圧電セラミックス等の高次振動を利用した高
次モード振動子。 圧電性蒸着膜を基板上に形成し、この圧電性蒸着膜
を励振して基板を高次振動させて用いる複合振動子。
【０００４】上記従来の圧電振動子のうち、の構成の
ものでは、水晶、圧電セラミックス等の圧電板を薄くす
れば、板厚に反比例して基本共振周波数が高くなるが、
板厚を薄くすればするほど、機械加工が困難となる。こ
のため、現在では、板厚３０〜４０μｍで共振周波数５
０ＭＨｚ程度が限界である。
ものでは、水晶、圧電セラミックス等の圧電板を薄くす
れば、板厚に反比例して基本共振周波数が高くなるが、
板厚を薄くすればするほど、機械加工が困難となる。こ
のため、現在では、板厚３０〜４０μｍで共振周波数５
０ＭＨｚ程度が限界である。
【０００５】の構成のものでは、高次振動を用いるた
め電気機械結合係数が小さくなり、周波数帯域幅が小さ
すぎて実用的ではなく、また、電気機械結合係数が大き
い低次振動ではスプリアスとなる欠点がある。また、
の構成のものでも同様の欠点がある。
め電気機械結合係数が小さくなり、周波数帯域幅が小さ
すぎて実用的ではなく、また、電気機械結合係数が大き
い低次振動ではスプリアスとなる欠点がある。また、
の構成のものでも同様の欠点がある。
【０００６】なお、のような高次振動モードを利用し
たものでは、基板に対して圧電体薄膜が相当に薄くなる
ことから、共振のＱや温度特性が主に基板材料で決定さ
れることとなるため、基板の構成材料が極めて重要とな
る。
たものでは、基板に対して圧電体薄膜が相当に薄くなる
ことから、共振のＱや温度特性が主に基板材料で決定さ
れることとなるため、基板の構成材料が極めて重要とな
る。
【０００７】ところで、圧電素子用の高周波用圧電材料
としては、例えば、常誘電体のＡｌＮ、ＣｄＳ、ＺｎＯ
等が用いられている。これらの材料は、機械加工により
薄く加工したとしても、４０μｍ程度の厚みが限界であ
り、この程度の厚みのものでは、基本波の共振周波数
は、いずれの材料でも数十ＭＨｚが限界である。これら
の材料を用いた高周波用圧電薄膜共振子においては、例
えば、５００ＭＨｚ以上の高い共振周波数の基本振動を
得るためには、板厚を１０μｍ以下にする必要がある。
としては、例えば、常誘電体のＡｌＮ、ＣｄＳ、ＺｎＯ
等が用いられている。これらの材料は、機械加工により
薄く加工したとしても、４０μｍ程度の厚みが限界であ
り、この程度の厚みのものでは、基本波の共振周波数
は、いずれの材料でも数十ＭＨｚが限界である。これら
の材料を用いた高周波用圧電薄膜共振子においては、例
えば、５００ＭＨｚ以上の高い共振周波数の基本振動を
得るためには、板厚を１０μｍ以下にする必要がある。
【０００８】一方、数百ＭＨｚの高周波帯域において、
電気機械結合係数の大きな圧電振動子を得る方法として
は、スパッタ法等の薄膜製造技術とエッチング技術を用
いる方法があり、例えば、特開昭６０−３１３０５号公
報には、スパッタ法で酸化亜鉛及びチタン酸鉛の薄膜を
形成した圧電素子が記載されている。この特開昭６０−
３１３０５号公報に記載される圧電素子は、基板の影響
をなくし、圧電体薄膜の振動特性を活かすために、基板
の一部をエッチングで除去している。
電気機械結合係数の大きな圧電振動子を得る方法として
は、スパッタ法等の薄膜製造技術とエッチング技術を用
いる方法があり、例えば、特開昭６０−３１３０５号公
報には、スパッタ法で酸化亜鉛及びチタン酸鉛の薄膜を
形成した圧電素子が記載されている。この特開昭６０−
３１３０５号公報に記載される圧電素子は、基板の影響
をなくし、圧電体薄膜の振動特性を活かすために、基板
の一部をエッチングで除去している。
【０００９】なお、従来、厚み振動を用いた圧電薄膜共
振子では、特開平８−１４８９６８号公報に記載される
圧電薄膜共振子に代表されるように、圧電体膜の上下の
電極に電界を印加することよりバルク波を励振させてい
る。
振子では、特開平８−１４８９６８号公報に記載される
圧電薄膜共振子に代表されるように、圧電体膜の上下の
電極に電界を印加することよりバルク波を励振させてい
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】スパッタ法による酸化
亜鉛、その他、従来の圧電材料は、いずれも電気機械結
合係数が２０〜３０％程度と小さいため、共振子、フィ
ルタ等を構成した場合、帯域幅及び発振周波数範囲が限
定される。なお、特開昭６０−３１３０５号公報では、
この点を改善するために、基板の一部を除去している
が、このように基板を除去した場合、素子強度が低下す
るという欠点がある。
亜鉛、その他、従来の圧電材料は、いずれも電気機械結
合係数が２０〜３０％程度と小さいため、共振子、フィ
ルタ等を構成した場合、帯域幅及び発振周波数範囲が限
定される。なお、特開昭６０−３１３０５号公報では、
この点を改善するために、基板の一部を除去している
が、このように基板を除去した場合、素子強度が低下す
るという欠点がある。
【００１１】また、従来提供されている厚み振動を用い
た圧電薄膜共振子では、圧電体膜の上下の電極に電界を
印加して厚み方向に分極処理することでバルク波を励振
させている。このため、下部電極をこの分極処理におけ
る端子電極とするべく、下部電極を露出させる必要があ
る。従って、圧電体膜を下部電極上に一様に形成した
後、エッチングにより圧電体膜の一部を除去して下部電
極を露出させたり、圧電体膜の形成に当り、下部電極を
部分的にマスクするなどして、下部電極の一部を残して
圧電体膜を形成する必要があり、下部電極を露出させる
ための煩雑な工程を必要とするという欠点がある。
た圧電薄膜共振子では、圧電体膜の上下の電極に電界を
印加して厚み方向に分極処理することでバルク波を励振
させている。このため、下部電極をこの分極処理におけ
る端子電極とするべく、下部電極を露出させる必要があ
る。従って、圧電体膜を下部電極上に一様に形成した
後、エッチングにより圧電体膜の一部を除去して下部電
極を露出させたり、圧電体膜の形成に当り、下部電極を
部分的にマスクするなどして、下部電極の一部を残して
圧電体膜を形成する必要があり、下部電極を露出させる
ための煩雑な工程を必要とするという欠点がある。
【００１２】また、前述の如く、高次振動モードを利用
したものでは、圧電薄膜共振子特性が基板材料に大きく
影響を受けるため、基板材料の選定が極めて重要となる
が、従来において、圧電薄膜共振子に最適な基板材料の
検討は十分に行われていない。
したものでは、圧電薄膜共振子特性が基板材料に大きく
影響を受けるため、基板材料の選定が極めて重要となる
が、従来において、圧電薄膜共振子に最適な基板材料の
検討は十分に行われていない。
【００１３】本発明は上記従来の問題点を解決し、電気
機械結合係数が大きく、共振子、フィルタ等に適用した
場合の帯域幅及び発振周波数範囲が広く、かつ高いＱ値
が得られる圧電薄膜共振子であって、下部電極を露出さ
せる必要がなく、従って製造が容易な圧電薄膜共振子を
提供することを目的とする。
機械結合係数が大きく、共振子、フィルタ等に適用した
場合の帯域幅及び発振周波数範囲が広く、かつ高いＱ値
が得られる圧電薄膜共振子であって、下部電極を露出さ
せる必要がなく、従って製造が容易な圧電薄膜共振子を
提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の圧電薄膜共振子
は、単結晶又は多結晶基板と、該基板上に形成された下
部電極と、該下部電極上に形成された圧電体薄膜と、該
圧電体薄膜上に形成された２個の上部電極とを備えてな
る圧電薄膜共振子であって、該圧電体薄膜がＰＺＴ薄膜
又はＰＴ薄膜であり、該２個の上部電極同士の間の間隔
が、該圧電体薄膜の膜厚よりも大きいよりも大きいこと
を特徴とする。
は、単結晶又は多結晶基板と、該基板上に形成された下
部電極と、該下部電極上に形成された圧電体薄膜と、該
圧電体薄膜上に形成された２個の上部電極とを備えてな
る圧電薄膜共振子であって、該圧電体薄膜がＰＺＴ薄膜
又はＰＴ薄膜であり、該２個の上部電極同士の間の間隔
が、該圧電体薄膜の膜厚よりも大きいよりも大きいこと
を特徴とする。
【００１５】本発明の圧電薄膜共振子は、圧電体膜が電
気機械結合係数の大きい圧電材料であるＰＺＴ（チタン
酸ジルコン酸鉛）、或いは、キューリー点が約５００度
と高く、厚み方向の結合係数と広がり方向の結合係数の
値が大きく異なる等の特徴を有するＰＴ（チタン酸鉛）
で形成されているため、広帯域なフィルタや発振周波数
範囲の広い共振器を実現できる。
気機械結合係数の大きい圧電材料であるＰＺＴ（チタン
酸ジルコン酸鉛）、或いは、キューリー点が約５００度
と高く、厚み方向の結合係数と広がり方向の結合係数の
値が大きく異なる等の特徴を有するＰＴ（チタン酸鉛）
で形成されているため、広帯域なフィルタや発振周波数
範囲の広い共振器を実現できる。
【００１６】また、単結晶又は多結晶ダイヤモンド基板
等の単結晶又は多結晶基板を用いるため、高いＱ値が得
られ、従って、挿入損失を低減できる。この単結晶又は
多結晶基板は特に、Ｓｉ基板上に厚さ１〜３０μｍのダ
イヤモンド薄膜を形成したものが好ましい。
等の単結晶又は多結晶基板を用いるため、高いＱ値が得
られ、従って、挿入損失を低減できる。この単結晶又は
多結晶基板は特に、Ｓｉ基板上に厚さ１〜３０μｍのダ
イヤモンド薄膜を形成したものが好ましい。
【００１７】しかも、上部電極が間隔をあけて２個形成
されているため、この上部電極間に電界を印加すること
により圧電体膜を厚み方向に分極処理することができ
る。従って、下部電極を端子電極とする必要がなく、こ
のため下部電極を露出させるための煩雑な工程が不要と
なる。
されているため、この上部電極間に電界を印加すること
により圧電体膜を厚み方向に分極処理することができ
る。従って、下部電極を端子電極とする必要がなく、こ
のため下部電極を露出させるための煩雑な工程が不要と
なる。
【００１８】ところで、ＰＺＴ又はＰＴは、良質な膜質
の圧電体薄膜を得ることが困難である。例えば、スパッ
タ法では、厚み振動の共振を十分確認できるほど良好な
ＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜を形成できない。
の圧電体薄膜を得ることが困難である。例えば、スパッ
タ法では、厚み振動の共振を十分確認できるほど良好な
ＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜を形成できない。
【００１９】これに対して、ゾルゲル法によるＰＺＴ薄
膜又はＰＴ薄膜の成膜であれば、厚み振動に対して高い
共振を示し、圧電体薄膜として有効に機能する良好な膜
質のＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜を形成することができる。
このＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜の膜厚は０．１〜１０μｍ
であることが好ましい。
膜又はＰＴ薄膜の成膜であれば、厚み振動に対して高い
共振を示し、圧電体薄膜として有効に機能する良好な膜
質のＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜を形成することができる。
このＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜の膜厚は０．１〜１０μｍ
であることが好ましい。
【００２０】また、分極処理効果の面から、上部電極同
士の間の間隔（以下、「上部電極間隔」と称す。）は、
圧電体薄膜のＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜の膜厚の２〜２０
０倍であることが好ましい。
士の間の間隔（以下、「上部電極間隔」と称す。）は、
圧電体薄膜のＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜の膜厚の２〜２０
０倍であることが好ましい。
【００２１】本発明におては、基板の下部電極形成面と
反対側の面を一部エッチングで除去して凹部を形成して
も良く、これにより、発信周波数、挿入損失の特性を向
上させることができる。この場合において、基板がダイ
ヤモンド薄膜を有することにより、凹部を形成しても強
度を十分に維持することができる。
反対側の面を一部エッチングで除去して凹部を形成して
も良く、これにより、発信周波数、挿入損失の特性を向
上させることができる。この場合において、基板がダイ
ヤモンド薄膜を有することにより、凹部を形成しても強
度を十分に維持することができる。
【００２２】本発明によれば、ＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜
の膜厚０．１〜１０μｍであり、上部電極間隔０．２μ
ｍ〜２ｍｍで、共振周波数帯域５０ＭＨｚ〜１０ＧＨｚ
の高特性圧電薄膜共振子が提供される。
の膜厚０．１〜１０μｍであり、上部電極間隔０．２μ
ｍ〜２ｍｍで、共振周波数帯域５０ＭＨｚ〜１０ＧＨｚ
の高特性圧電薄膜共振子が提供される。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。
施の形態を説明する。
【００２４】図１は本発明の実施の形態を示す斜視図、
図２は本発明の他の実施の形態を示す正面図、図３は本
発明の別の実施の形態を示す斜視図、図４は本発明の異
なる実施の形態を示す図であって、図４（ａ）は正面
図、図４（ｂ）は側面図である。
図２は本発明の他の実施の形態を示す正面図、図３は本
発明の別の実施の形態を示す斜視図、図４は本発明の異
なる実施の形態を示す図であって、図４（ａ）は正面
図、図４（ｂ）は側面図である。
【００２５】図１〜４において、同一機能を奏する部材
には同一符号を付してある。
には同一符号を付してある。
【００２６】本実施の形態では、基板として、表面にダ
イヤモンド薄膜１が形成されたＳｉ基板２を用いる。こ
のダイヤモンド薄膜１付きＳｉ基板２であれば機械的強
度も十分であるため、ゾルゲル法により、良好な膜質の
ＰＺＴ薄膜を形成することができる。なお、２Ａは絶縁
膜としての酸化膜（ＳｉＯ2 膜）である。
イヤモンド薄膜１が形成されたＳｉ基板２を用いる。こ
のダイヤモンド薄膜１付きＳｉ基板２であれば機械的強
度も十分であるため、ゾルゲル法により、良好な膜質の
ＰＺＴ薄膜を形成することができる。なお、２Ａは絶縁
膜としての酸化膜（ＳｉＯ2 膜）である。
【００２７】このダイヤモンド薄膜付きＳｉ基板２のダ
イヤモンド薄膜１の厚さは、薄過ぎると、ダイヤモンド
の方位がそろわず、配向しにくい。また、平滑化が困難
で強度向上効果も低い。逆に、厚過ぎると成膜に時間が
かかり、コスト面で不利であり、また、音響的に損失の
原因となりうるので、１〜３０μｍ程度であることが好
ましい。
イヤモンド薄膜１の厚さは、薄過ぎると、ダイヤモンド
の方位がそろわず、配向しにくい。また、平滑化が困難
で強度向上効果も低い。逆に、厚過ぎると成膜に時間が
かかり、コスト面で不利であり、また、音響的に損失の
原因となりうるので、１〜３０μｍ程度であることが好
ましい。
【００２８】なお、Ｓｉ基板２の裏面側のＳｉＯ2 膜２
Ａの厚さは０．５〜１．５μｍであることが好ましい。
Ａの厚さは０．５〜１．５μｍであることが好ましい。
【００２９】また、ダイヤモンド薄膜付きＳｉ基板２と
しては、薄膜圧電素子としての用途上、できる限り薄い
ことが望ましいが、過度に薄いと機械的強度が低下する
ため、厚さ２００〜６００μｍ程度であることが好まし
い。
しては、薄膜圧電素子としての用途上、できる限り薄い
ことが望ましいが、過度に薄いと機械的強度が低下する
ため、厚さ２００〜６００μｍ程度であることが好まし
い。
【００３０】このようなダイヤモンド薄膜付きＳｉ基板
２は、Ｓｉ基板上に気相合成法により、所望の厚さのダ
イヤモンド薄膜を形成することにより製造することがで
きる。
２は、Ｓｉ基板上に気相合成法により、所望の厚さのダ
イヤモンド薄膜を形成することにより製造することがで
きる。
【００３１】本発明の圧電薄膜共振子は、このようなダ
イヤモンド薄膜付きＳｉ基板２上に、下部電極３、ＰＺ
Ｔ薄膜又はＰＴ薄膜４及び上部電極５（５Ａ，５Ｂ）を
順次成膜して得られるが、下部電極３の成膜に先立ち、
Ｔｉ層（図示せず）を形成するのが、ＰＺＴ薄膜又はＰ
Ｔ薄膜４の成膜の上で有利である。
イヤモンド薄膜付きＳｉ基板２上に、下部電極３、ＰＺ
Ｔ薄膜又はＰＴ薄膜４及び上部電極５（５Ａ，５Ｂ）を
順次成膜して得られるが、下部電極３の成膜に先立ち、
Ｔｉ層（図示せず）を形成するのが、ＰＺＴ薄膜又はＰ
Ｔ薄膜４の成膜の上で有利である。
【００３２】即ち、ゾルゲル法によるＰＺＴ薄膜又はＰ
Ｔ薄膜の成膜では、乾燥、焼成時に収縮を伴うため、５
μｍを超える膜厚の薄膜を形成することは困難である
が、膜厚０．１μｍ以下のＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜で
は、圧電体薄膜として機能するには薄すぎて好ましくな
い。これに対して、基板上にＴｉ層を形成しておくこと
により、基板と下地電極との密着層としての作用で、Ｐ
ＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜を比較的厚い薄膜として形成する
ことが可能となる。
Ｔ薄膜の成膜では、乾燥、焼成時に収縮を伴うため、５
μｍを超える膜厚の薄膜を形成することは困難である
が、膜厚０．１μｍ以下のＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜で
は、圧電体薄膜として機能するには薄すぎて好ましくな
い。これに対して、基板上にＴｉ層を形成しておくこと
により、基板と下地電極との密着層としての作用で、Ｐ
ＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜を比較的厚い薄膜として形成する
ことが可能となる。
【００３３】このＴｉ層はスパッタ法等により形成する
ことができ、その厚さは５０〜５００Å程度であること
が好ましい。Ｔｉ層の厚さが５０Å未満ではＴｉ層を形
成したことによる効果が十分に得られない。
ことができ、その厚さは５０〜５００Å程度であること
が好ましい。Ｔｉ層の厚さが５０Å未満ではＴｉ層を形
成したことによる効果が十分に得られない。
【００３４】下部電極３としては、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｌ等
の導電性金属層をスパッタ法等で形成することができ、
その厚さは、通常の場合１０００〜２０００Å程度であ
る。
の導電性金属層をスパッタ法等で形成することができ、
その厚さは、通常の場合１０００〜２０００Å程度であ
る。
【００３５】本発明において、圧電体薄膜としてのＰＺ
Ｔ薄膜又はＰＴ薄膜４は、高周波対応とするために膜厚
１０μｍ以下であることが必要とされ、好ましくは０．
１〜１０μｍ、より好ましくは０．２〜３μｍの範囲で
使用目的に応じて適宜決定される。なお、ＰＺＴ薄膜又
はＰＴ薄膜の膜厚が薄過ぎると圧電効果が十分得られ
ず、逆に、厚過ぎると良好な膜質が得られない。
Ｔ薄膜又はＰＴ薄膜４は、高周波対応とするために膜厚
１０μｍ以下であることが必要とされ、好ましくは０．
１〜１０μｍ、より好ましくは０．２〜３μｍの範囲で
使用目的に応じて適宜決定される。なお、ＰＺＴ薄膜又
はＰＴ薄膜の膜厚が薄過ぎると圧電効果が十分得られ
ず、逆に、厚過ぎると良好な膜質が得られない。
【００３６】ＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜４上の上部電極５
（５Ａ，５Ｂ）としては、前述の下部電極３と同様の導
電性金属層をスパッタ法等によりパターニング形成する
ことができ、その厚さは、通常の場合、１０００〜２０
００Å程度である。
（５Ａ，５Ｂ）としては、前述の下部電極３と同様の導
電性金属層をスパッタ法等によりパターニング形成する
ことができ、その厚さは、通常の場合、１０００〜２０
００Å程度である。
【００３７】本発明においては、上部電極として２個の
上部電極５Ａ，５Ｂを形成し、この上部電極５Ａ，５Ｂ
同士の間隔をＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜４の膜厚よりも大
きくする。
上部電極５Ａ，５Ｂを形成し、この上部電極５Ａ，５Ｂ
同士の間隔をＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜４の膜厚よりも大
きくする。
【００３８】上部電極間隔がＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜４
の膜厚以下であると、分極処理に当り上部電極５Ａ，５
Ｂ間に電界を印加した際、短絡が生じ、ＰＺＴ薄膜又は
ＰＴ薄膜４を厚み方向に分極処理することができない。
ただし、上部電極間隔が過度に大きいと素子寸法が徒に
大きくなり、好ましくない。
の膜厚以下であると、分極処理に当り上部電極５Ａ，５
Ｂ間に電界を印加した際、短絡が生じ、ＰＺＴ薄膜又は
ＰＴ薄膜４を厚み方向に分極処理することができない。
ただし、上部電極間隔が過度に大きいと素子寸法が徒に
大きくなり、好ましくない。
【００３９】この上部電極間隔はＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄
膜の膜厚の２〜２００倍、即ち、膜厚０．１〜１０μｍ
のＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜に対して上部電極間隔０．２
〜２０００μｍであることが好ましい。上部電極間隔は
特にＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜の膜厚の１０〜１００倍で
あることが好ましい。
膜の膜厚の２〜２００倍、即ち、膜厚０．１〜１０μｍ
のＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜に対して上部電極間隔０．２
〜２０００μｍであることが好ましい。上部電極間隔は
特にＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜の膜厚の１０〜１００倍で
あることが好ましい。
【００４０】本発明においては、図２に示す如く、Ｓｉ
基板２の下部電極３形成面と反応側の面をエッチング処
理して凹部６を形成しても良く、このように凹部６を形
成することにより、圧電薄膜共振子の機械的強度は若干
劣るものの低次モードをより強く励振することが可能と
なり、発信周波数、挿入損失の特性を向上させることが
できる。この場合において、Ｓｉ基板２にはダイヤモン
ド薄膜１が形成されているため、エッチングによる強度
低下は抑えられ、基板強度を維持することができる。
基板２の下部電極３形成面と反応側の面をエッチング処
理して凹部６を形成しても良く、このように凹部６を形
成することにより、圧電薄膜共振子の機械的強度は若干
劣るものの低次モードをより強く励振することが可能と
なり、発信周波数、挿入損失の特性を向上させることが
できる。この場合において、Ｓｉ基板２にはダイヤモン
ド薄膜１が形成されているため、エッチングによる強度
低下は抑えられ、基板強度を維持することができる。
【００４１】この凹部６は、上部電極５Ａ，５Ｂの形成
位置に対向する位置（上部電極を基板上に厚さ方向に透
影した位置）にＳｉ基板２の厚さの５０〜１００％の深
さで形成するのが好ましい。
位置に対向する位置（上部電極を基板上に厚さ方向に透
影した位置）にＳｉ基板２の厚さの５０〜１００％の深
さで形成するのが好ましい。
【００４２】また、本発明においては、図３に示す如
く、ＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜４上にＳｉＯ2 膜等の絶縁
膜７を部分的に形成し、上部電極５Ａ，５Ｂを、この絶
縁膜７とＰＺＴ膜又はＰＴ薄膜４の表出面とにまたがる
ように形成することにより、端子電極としての上部電極
５Ａ，５Ｂの形成位置をずらして構造上の補強を図るこ
とができる。この場合、この絶縁膜７はＳｉＯ2 ，Ｓｉ
Ｎ，ＡｌＮ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等により形成するこ
とができ、その厚さは０．０５〜１μｍ程度であること
が好ましい。
く、ＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜４上にＳｉＯ2 膜等の絶縁
膜７を部分的に形成し、上部電極５Ａ，５Ｂを、この絶
縁膜７とＰＺＴ膜又はＰＴ薄膜４の表出面とにまたがる
ように形成することにより、端子電極としての上部電極
５Ａ，５Ｂの形成位置をずらして構造上の補強を図るこ
とができる。この場合、この絶縁膜７はＳｉＯ2 ，Ｓｉ
Ｎ，ＡｌＮ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等により形成するこ
とができ、その厚さは０．０５〜１μｍ程度であること
が好ましい。
【００４３】また、このように絶縁膜７を形成した場合
においても、図４に示す如く、Ｓｉ基板２に凹部６を形
成しても良い。
においても、図４に示す如く、Ｓｉ基板２に凹部６を形
成しても良い。
【００４４】次に、本発明の圧電薄膜共振子の製造方法
の好適例について説明する。
の好適例について説明する。
【００４５】まず、ダイヤモンド薄膜付きＳｉ基板の表
面に、スパッタ法によりＴｉ層及び下部電極を順次形成
する。
面に、スパッタ法によりＴｉ層及び下部電極を順次形成
する。
【００４６】次いで、下部電極上に、酢酸鉛等の鉛化合
物及びチタニウムイソプロポキシド、チタニウムブトキ
シド等のチタン化合物（ＰＴ薄膜の場合）、或いは更に
ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムプロポキシド等
のジルコニウム化合物（ＰＺＴ薄膜の場合）を所定のモ
ル比で、合計濃度が１０〜２０重量％程度となるよう
に、メトキシエタノール、酢酸エステル等の溶剤に溶解
したＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜形成用組成物を塗布し、１
５０〜４００℃で乾燥し、所定の膜厚となるように、こ
の塗布、乾燥を繰り返し、最後に５００〜８００℃で
０．１〜２ｈｒ焼成する。
物及びチタニウムイソプロポキシド、チタニウムブトキ
シド等のチタン化合物（ＰＴ薄膜の場合）、或いは更に
ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムプロポキシド等
のジルコニウム化合物（ＰＺＴ薄膜の場合）を所定のモ
ル比で、合計濃度が１０〜２０重量％程度となるよう
に、メトキシエタノール、酢酸エステル等の溶剤に溶解
したＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜形成用組成物を塗布し、１
５０〜４００℃で乾燥し、所定の膜厚となるように、こ
の塗布、乾燥を繰り返し、最後に５００〜８００℃で
０．１〜２ｈｒ焼成する。
【００４７】このようにして形成したＰＺＴ薄膜又はＰ
Ｔ薄膜上に、必要に応じて熱処理，ＣＶＤ等によりＳｉ
Ｏ2 等の絶縁膜を形成した後、スパッタ法により、２個
の上部電極を所定のパターンで形成する。その後、２個
の上部電極間に１２０〜２００℃で２００〜５００ｋＶ
／ｃｍ程度の直流電界を１０〜６０分程度印加してＰＺ
Ｔ薄膜又はＰＴ薄膜の分極処理を行う。この分極処理を
行うことでＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜振圧電体薄膜として
機能するようになる。
Ｔ薄膜上に、必要に応じて熱処理，ＣＶＤ等によりＳｉ
Ｏ2 等の絶縁膜を形成した後、スパッタ法により、２個
の上部電極を所定のパターンで形成する。その後、２個
の上部電極間に１２０〜２００℃で２００〜５００ｋＶ
／ｃｍ程度の直流電界を１０〜６０分程度印加してＰＺ
Ｔ薄膜又はＰＴ薄膜の分極処理を行う。この分極処理を
行うことでＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜振圧電体薄膜として
機能するようになる。
【００４８】圧電薄膜共振子において、良好な膜質のＰ
ＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜を形成することは極めて重要であ
る。即ち、ＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜は、十分な分極処理
をすることで圧電体薄膜として機能するが、膜質が不良
である分極処理の電界を十分に印加できず、圧電体薄膜
として機能しないことになる。このため、本発明におい
ては、基板、下部電極、ＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜、上部
電極の形成条件の最適化により、膜質の良好なＰＺＴ薄
膜又はＰＴ薄膜を形成することが重要である。
ＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜を形成することは極めて重要であ
る。即ち、ＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜は、十分な分極処理
をすることで圧電体薄膜として機能するが、膜質が不良
である分極処理の電界を十分に印加できず、圧電体薄膜
として機能しないことになる。このため、本発明におい
ては、基板、下部電極、ＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜、上部
電極の形成条件の最適化により、膜質の良好なＰＺＴ薄
膜又はＰＴ薄膜を形成することが重要である。
【００４９】Ｓｉ基板をエッチングして凹部を形成する
場合には、ＴＭＡＨ（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ ａｍｍ
ｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）等のエッチング液を
用いて、部分的に基板を除去すれば良い。
場合には、ＴＭＡＨ（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ ａｍｍ
ｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）等のエッチング液を
用いて、部分的に基板を除去すれば良い。
【００５０】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。
説明する。
【００５１】実施例１，２ 基板として、表面に厚さ２０μｍのダイヤモンド薄膜を
形成した厚さ２５０μｍのＳｉ基板を用い、このＳｉ基
板のダイヤモンド薄膜上にスパッタ法により、厚さ５０
０ÅのＴｉ層及び厚さ２０００ÅのＰｔ下部電極層を順
次形成した。
形成した厚さ２５０μｍのＳｉ基板を用い、このＳｉ基
板のダイヤモンド薄膜上にスパッタ法により、厚さ５０
０ÅのＴｉ層及び厚さ２０００ÅのＰｔ下部電極層を順
次形成した。
【００５２】このＰｔ下部電極層上に、ゾルゲル法によ
り、厚さ０．８μｍのＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜を形成し
た。
り、厚さ０．８μｍのＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜を形成し
た。
【００５３】なお、ＰＺＴ薄膜の形成には、酢酸鉛とジ
ルコニウムブトキシドとチタニウムイソプロポキシドと
を所定のモル比で合計濃度１８重量％となるように溶解
したＰＺＴ薄膜形成用溶液を用い、また、ＰＴ薄膜の形
成には、酢酸鉛とチタニウムイソプロポキシドとを所定
のモル比で合計濃度１０重量％となるように溶解したＰ
Ｔ薄膜形成用溶液を用い、各々、スピンコートにより塗
布した後４００℃で乾燥し、この塗布、乾燥を所定の膜
厚になるまで繰り返し、最後に６５０℃で１ｈｒ焼成し
た。
ルコニウムブトキシドとチタニウムイソプロポキシドと
を所定のモル比で合計濃度１８重量％となるように溶解
したＰＺＴ薄膜形成用溶液を用い、また、ＰＴ薄膜の形
成には、酢酸鉛とチタニウムイソプロポキシドとを所定
のモル比で合計濃度１０重量％となるように溶解したＰ
Ｔ薄膜形成用溶液を用い、各々、スピンコートにより塗
布した後４００℃で乾燥し、この塗布、乾燥を所定の膜
厚になるまで繰り返し、最後に６５０℃で１ｈｒ焼成し
た。
【００５４】更に、ＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜上にスパッ
タ法により、図１に示す如く、厚さ１５００Åで、７０
μｍ×７５μｍの長方形状のＡｌ上部電極２個を上部電
極間隔７５μｍでパターニング形成した。
タ法により、図１に示す如く、厚さ１５００Åで、７０
μｍ×７５μｍの長方形状のＡｌ上部電極２個を上部電
極間隔７５μｍでパターニング形成した。
【００５５】その後、上部電極同士の間に１５０℃で３
００ｋＶ／ｃｍの直流電界を１０ｍｉｎ印加したとこ
ろ、ＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜が厚み方向に分極処理さ
れ、圧電薄膜共振子が得られた。
００ｋＶ／ｃｍの直流電界を１０ｍｉｎ印加したとこ
ろ、ＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜が厚み方向に分極処理さ
れ、圧電薄膜共振子が得られた。
【００５６】得られた圧電薄膜共振子の厚み振動の基本
共振周波数及び挿入損失は表１に示す通りであった。
共振周波数及び挿入損失は表１に示す通りであった。
【００５７】比較例１，２ 実施例１，２において、基板として、表面に厚さ１μｍ
の酸化膜が形成された厚さ２５０μｍのＳｉ基板を用い
たこと以外は同様にして圧電薄膜共振子を製造し、得ら
れた圧電薄膜共振子の厚み振動の基本共振周波数及び挿
入損失を表１に示した。
の酸化膜が形成された厚さ２５０μｍのＳｉ基板を用い
たこと以外は同様にして圧電薄膜共振子を製造し、得ら
れた圧電薄膜共振子の厚み振動の基本共振周波数及び挿
入損失を表１に示した。
【００５８】
【表１】
【００５９】比較例３，４ 実施例１，２において、上部電極間隔をＰＺＴ薄膜又は
ＰＴ薄膜の膜厚より小さい０．２μｍとしたこと以外は
同様にして行ったところ、上部電極間に直流電界を印加
しても短絡してしまい分極処理を行うことができなかっ
た。
ＰＴ薄膜の膜厚より小さい０．２μｍとしたこと以外は
同様にして行ったところ、上部電極間に直流電界を印加
しても短絡してしまい分極処理を行うことができなかっ
た。
【００６０】実施例３ 実施例１において、ＰＺＴ膜厚を０．８μｍとし、８０
μｍ×７５μｍの長方形状のＡｌ上部電極２個を上部電
極間隔７５μｍで形成したこと以外は同様にして圧電薄
膜共振子を作製し、その共振周波数及び挿入損失を表２
に示した。
μｍ×７５μｍの長方形状のＡｌ上部電極２個を上部電
極間隔７５μｍで形成したこと以外は同様にして圧電薄
膜共振子を作製し、その共振周波数及び挿入損失を表２
に示した。
【００６１】実施例４ 実施例３において、図２に示す如く、上部電極形成位置
に対向するＳｉ基板の裏面側に、２３５μｍ×７５μｍ
×２３５μｍ深さの凹部を形成したこと以外は同様にし
て圧電薄膜共振子を作製し、その共振周波数及び挿入損
失を表２に示した。本実施例では、基板に凹部を形成し
たが、基板表面にダイヤモンド薄膜が形成されているた
め、凹部形成による強度低下の問題はなかった。
に対向するＳｉ基板の裏面側に、２３５μｍ×７５μｍ
×２３５μｍ深さの凹部を形成したこと以外は同様にし
て圧電薄膜共振子を作製し、その共振周波数及び挿入損
失を表２に示した。本実施例では、基板に凹部を形成し
たが、基板表面にダイヤモンド薄膜が形成されているた
め、凹部形成による強度低下の問題はなかった。
【００６２】
【表２】
【００６３】実施例５ 実施例１において、ＰＺＴ薄膜の成膜後、図３に示す如
く、振動領域以外に厚さ１μｍのＳｉＯ2 膜をスパッタ
により形成し、その後、このＳｉＯ2 膜とＰＺＴ薄膜と
にまたがるように、厚さ１５００ÅのＡｌ上部電極を上
部電極間隔１８０μｍで形成したこと以外は同様にして
圧電薄膜共振子を作製した。この圧電薄膜共振子の上部
電極は、ＰＺＴ薄膜上に形成された部分の面積が７０μ
ｍ×７０μｍで、ＳｉＯ2 薄膜上に形成された部分の面
積が１００μｍ×１００μｍで連結部の幅が２０μｍの
ものである。
く、振動領域以外に厚さ１μｍのＳｉＯ2 膜をスパッタ
により形成し、その後、このＳｉＯ2 膜とＰＺＴ薄膜と
にまたがるように、厚さ１５００ÅのＡｌ上部電極を上
部電極間隔１８０μｍで形成したこと以外は同様にして
圧電薄膜共振子を作製した。この圧電薄膜共振子の上部
電極は、ＰＺＴ薄膜上に形成された部分の面積が７０μ
ｍ×７０μｍで、ＳｉＯ2 薄膜上に形成された部分の面
積が１００μｍ×１００μｍで連結部の幅が２０μｍの
ものである。
【００６４】この圧電薄膜共振子について、上部電極の
面積のちがいによる、インピーダンスを調べ、実施例１
の圧電薄膜共振子と比較したところ、実施例１の圧電薄
膜共振子は５０Ω付近であるのに対して、本実施例の圧
電薄膜共振子も５０Ω付近であり、このような構成とし
ても、特性に変化はなく、上部電極形成位置をずらし
て、補強構造とすることができることがわかった。
面積のちがいによる、インピーダンスを調べ、実施例１
の圧電薄膜共振子と比較したところ、実施例１の圧電薄
膜共振子は５０Ω付近であるのに対して、本実施例の圧
電薄膜共振子も５０Ω付近であり、このような構成とし
ても、特性に変化はなく、上部電極形成位置をずらし
て、補強構造とすることができることがわかった。
【００６５】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の圧電薄膜共
振子によれば、圧電体膜として電気機械結合係数の大き
いＰＺＴ薄膜、又は、キューリー点が約５００度と高く
厚み方向の結合係数と広がり方向の結合係数の値が大き
く異なる等の特徴を有するＰＴ薄膜を用いるため、簡単
な構造においても広帯域なフィルタや発信周波数の広い
共振器を実現する圧電薄膜共振子を得ることができる。
また、上部電極を所定の間隔をあけて２個設けたため、
下部電極を端子電極として用いる必要がなく、この結
果、下部電極を露出するための煩雑な工程が不要とな
り、圧電薄膜共振子を容易に製造することが可能とな
る。しかも、基板として単結晶又は多結晶基板を用いる
ため、高いＱ値を得ることができる。
振子によれば、圧電体膜として電気機械結合係数の大き
いＰＺＴ薄膜、又は、キューリー点が約５００度と高く
厚み方向の結合係数と広がり方向の結合係数の値が大き
く異なる等の特徴を有するＰＴ薄膜を用いるため、簡単
な構造においても広帯域なフィルタや発信周波数の広い
共振器を実現する圧電薄膜共振子を得ることができる。
また、上部電極を所定の間隔をあけて２個設けたため、
下部電極を端子電極として用いる必要がなく、この結
果、下部電極を露出するための煩雑な工程が不要とな
り、圧電薄膜共振子を容易に製造することが可能とな
る。しかも、基板として単結晶又は多結晶基板を用いる
ため、高いＱ値を得ることができる。
【図１】本発明の実施の形態を示す斜視図である。
【図２】本発明の他の実施の形態を示す正面図である。
【図３】本発明の別の実施の形態を示す斜視図である。
【図４】本発明の異なる実施の形態を示す図であって、
図４（ａ）は正面図、図４（ｂ）は側面図である。
図４（ａ）は正面図、図４（ｂ）は側面図である。
１ ダイヤモンド薄膜 ２ Ｓｉ基板 ３ 下部電極 ４ ＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜 ５Ａ，５Ｂ 上部電極 ６ 凹部 ７ 絶縁膜
Claims (7)
- 【請求項１】 単結晶又は多結晶基板と、該基板上に形
成された下部電極と、該下部電極上に形成された圧電体
薄膜と、該圧電体薄膜上に形成された２個の上部電極と
を備えてなる圧電薄膜共振子であって、 該圧電体薄膜がＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜であり、 該２個の上部電極同士の間の間隔が、該圧電体薄膜の膜
厚よりも大きいことを特徴とする圧電薄膜共振子。 - 【請求項２】 請求項１において、前記単結晶又は多結
晶基板が単結晶又は多結晶ダイヤモンド基板であること
を特徴とする圧電薄膜共振子。 - 【請求項３】 請求項２において、前記単結晶又は多結
晶基板がＳｉ基板上に単結晶又は多結晶ダイヤモンド薄
膜が形成されたものであり、前記下部電極は、該基板の
ダイヤモンド薄膜上に形成されていることを特徴とする
圧電薄膜共振子。 - 【請求項４】 請求項３において、前記ダイヤモンド薄
膜の厚さが１〜２０μｍであることを特徴とする圧電薄
膜共振子。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれか１項におい
て、前記ＰＺＴ薄膜又はＰＴ薄膜はゾルゲル法により形
成されたものであり、その膜厚が０．１〜１０μｍであ
ることを特徴とする圧電薄膜共振子。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれか１項におい
て、前記２個の上部電極同士の間の間隔が前記圧電体薄
膜の膜厚の２〜２００倍であることを特徴とする圧電薄
膜共振子。 - 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれか１項におい
て、前記基板の下部電極形成面と反対側の面にエッチン
グにより凹部が形成されていることを特徴とする圧電薄
膜共振子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP864697A JPH10209794A (ja) | 1997-01-21 | 1997-01-21 | 圧電薄膜共振子 |
| DE1997112496 DE19712496A1 (de) | 1996-03-26 | 1997-03-25 | Piezoelektrische Dünnfilm-Bauelemente |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP864697A JPH10209794A (ja) | 1997-01-21 | 1997-01-21 | 圧電薄膜共振子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209794A true JPH10209794A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11698720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP864697A Withdrawn JPH10209794A (ja) | 1996-03-26 | 1997-01-21 | 圧電薄膜共振子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209794A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000196404A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Kyocera Corp | 圧電共振子 |
| EP1274168A2 (en) | 2001-07-02 | 2003-01-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric resonator, manufacturing method for the same, piezoelectric filter, manufacturing method for the same, duplexer, and electronic communication device |
| KR20030073841A (ko) * | 2002-03-13 | 2003-09-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 박막용적 탄성공진기 필터의 전극 배치 구조 |
| US7042137B2 (en) * | 2002-06-20 | 2006-05-09 | Samsung Electronics Co. Ltd. | Actuator using organic film membrane and manufacturing method thereof |
| JP2007088819A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Seiko Epson Corp | 圧電薄膜振動子 |
| JP2007295306A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Matsushita Electric Works Ltd | バルク弾性波共振器、フィルタ回路、及びバルク弾性波共振器の製造方法 |
| US7812692B2 (en) * | 2007-06-01 | 2010-10-12 | Georgia Tech Research Corporation | Piezo-on-diamond resonators and resonator systems |
| JP2020524453A (ja) * | 2017-06-19 | 2020-08-13 | アールエフエイチアイシー コーポレイション | 体積弾性波フィルタ |
-
1997
- 1997-01-21 JP JP864697A patent/JPH10209794A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP1274168A3 (en) * | 2001-07-02 | 2009-12-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric resonator, manufacturing method for the same, piezoelectric filter, manufacturing method for the same, duplexer, and electronic communication device |
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| JP2022003838A (ja) * | 2017-06-19 | 2022-01-11 | アールエフエイチアイシー コーポレイション | 体積弾性波フィルタ |
| JP2022003837A (ja) * | 2017-06-19 | 2022-01-11 | アールエフエイチアイシー コーポレイション | 体積弾性波フィルタ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040406 |