JPH10270368A - SiCハイブリッド基板及びその製造方法 - Google Patents
SiCハイブリッド基板及びその製造方法Info
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- JPH10270368A JPH10270368A JP9159197A JP9159197A JPH10270368A JP H10270368 A JPH10270368 A JP H10270368A JP 9159197 A JP9159197 A JP 9159197A JP 9159197 A JP9159197 A JP 9159197A JP H10270368 A JPH10270368 A JP H10270368A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 SiC基板上に導電性と平坦性を備えたバッ
ファー層が形成されたSiCハイブリッド基板、及びそ
の製造方法を提供する。 【解決手段】 SiC基板1をアニールし、SiC基板
1の温度を低下させた状態で表面にアンモニアを吸着さ
せ、そののちSiC基板上にn−AlXGa1-XN層(0
≦x<1)2を形成する。
ファー層が形成されたSiCハイブリッド基板、及びそ
の製造方法を提供する。 【解決手段】 SiC基板1をアニールし、SiC基板
1の温度を低下させた状態で表面にアンモニアを吸着さ
せ、そののちSiC基板上にn−AlXGa1-XN層(0
≦x<1)2を形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザー、
発光ダイオード等の半導体素子を製造する際に用いられ
るSiCハイブリッド基板及びその製造方法に関する。
発光ダイオード等の半導体素子を製造する際に用いられ
るSiCハイブリッド基板及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、量子井戸、量子細線、量子箱(量
子ドット)等の半導体量子構造に閉じ込められた電子や
エキシトンを利用した電子デバイス、例えばレーザーや
各種の非線形光学素子、記憶素子についての研究が進め
られている。例えば、窒化ガリウム及びその他のIII族
窒化物は、高品質短波長発光ダイオード及びレーザーダ
イオードを実現できる素子として注目されており、 Jp
n. J. Appl. Phys. 35, L74(1996); Appl. Phys. Let
t. 68, 2105(1996) には、InGaN多重量子井戸から
のレーザー発振が報告されている。
子ドット)等の半導体量子構造に閉じ込められた電子や
エキシトンを利用した電子デバイス、例えばレーザーや
各種の非線形光学素子、記憶素子についての研究が進め
られている。例えば、窒化ガリウム及びその他のIII族
窒化物は、高品質短波長発光ダイオード及びレーザーダ
イオードを実現できる素子として注目されており、 Jp
n. J. Appl. Phys. 35, L74(1996); Appl. Phys. Let
t. 68, 2105(1996) には、InGaN多重量子井戸から
のレーザー発振が報告されている。
【0003】従来、窒化ガリウム(GaN)等のIII−
V族化合物半導体層を成長させるための基板としてはサ
ファイア基板が用いられていた。図7は、サファイア基
板上に形成されたGaN半導体レーザーの断面構造模式
図である。サファイアは電気絶縁体であるため、サファ
イア基板100上にGaNバッファー層101を介して
導電層であるn−GaN層102を形成し、その上にレ
ーザー構造としてn−AlGaN層103、n−GaN
層104、InGaN多重量子井戸層105、p−Ga
N層106、p−AlGaN層107を順に積層してい
る。n−GaN層104及びp−GaN層106はキャ
リア(電子)閉じこめ層であり、n−AlGaN層10
3及びp−AlGaN層107は光閉じこめ層である。
n−GaN層102及びp−AlGaN層107には電
極108,109が設けられ、電源110から電流が供
給される。
V族化合物半導体層を成長させるための基板としてはサ
ファイア基板が用いられていた。図7は、サファイア基
板上に形成されたGaN半導体レーザーの断面構造模式
図である。サファイアは電気絶縁体であるため、サファ
イア基板100上にGaNバッファー層101を介して
導電層であるn−GaN層102を形成し、その上にレ
ーザー構造としてn−AlGaN層103、n−GaN
層104、InGaN多重量子井戸層105、p−Ga
N層106、p−AlGaN層107を順に積層してい
る。n−GaN層104及びp−GaN層106はキャ
リア(電子)閉じこめ層であり、n−AlGaN層10
3及びp−AlGaN層107は光閉じこめ層である。
n−GaN層102及びp−AlGaN層107には電
極108,109が設けられ、電源110から電流が供
給される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】サファイア基板を用い
る場合、サファイアは電気絶縁体であるため、基板上に
導電性であるn−GaN層を形成し、このn−GaN層
を介してレーザー構造体に電流を供給する必要がある。
また、サファイアとGaNとは劈開面が違うためにレー
ザー構造に必要な良好なキャビティが得られない。
る場合、サファイアは電気絶縁体であるため、基板上に
導電性であるn−GaN層を形成し、このn−GaN層
を介してレーザー構造体に電流を供給する必要がある。
また、サファイアとGaNとは劈開面が違うためにレー
ザー構造に必要な良好なキャビティが得られない。
【0005】そこで、電気絶縁体であるサファイア基板
に代わって導電性基板であるSiC基板を用いることが
試みられている。SiC基板はドーピングによりn型と
することによって導電性を有するため基板に直接電極を
取り付けて基板側から電流を注入することができ、エッ
チングプロセスなしに素子を製造することができるの
で、素子の製造工程が簡素化されるとともに素子の構造
が簡単になるという利点がある。
に代わって導電性基板であるSiC基板を用いることが
試みられている。SiC基板はドーピングによりn型と
することによって導電性を有するため基板に直接電極を
取り付けて基板側から電流を注入することができ、エッ
チングプロセスなしに素子を製造することができるの
で、素子の製造工程が簡素化されるとともに素子の構造
が簡単になるという利点がある。
【0006】ところで、SiC基板に直接GaN薄膜を
成長させたのでは良好なGaN薄膜を得ることができな
い。そのため従来は、SiC基板上にAlNバッファー
層を100nm程度形成し、その上にGaN薄膜を形成
するようにしていた。しかし、AlNは電気絶縁性であ
り、ドーピングによる導電性の付与も困難であるため、
AlNバッファー層を形成したのではSiC基板が導電
性であることのメリットを生かすことができない。
成長させたのでは良好なGaN薄膜を得ることができな
い。そのため従来は、SiC基板上にAlNバッファー
層を100nm程度形成し、その上にGaN薄膜を形成
するようにしていた。しかし、AlNは電気絶縁性であ
り、ドーピングによる導電性の付与も困難であるため、
AlNバッファー層を形成したのではSiC基板が導電
性であることのメリットを生かすことができない。
【0007】そこで、n−AlGaNをバッファー層に
使う方法も提案されている。しかし、n−AlGaNバ
ッファー層成長の初期過程においてAlリッチな絶縁性
のAlGaN層が10nm程度形成されることが報告さ
れており(K. Horino, A. Kuramata, and T. Tanahash
i, MRS fall meeting 196)、この絶縁性のAlGaN
層がAlNバッファー層の場合と同様に電流注入時のバ
リアーとなる。さらに、GaN量子ドット形成のために
は、原子レベルで見て平坦なAlGaNクラッド層表面
が要求されるが、SiC基板上に成長させたn−AlG
aNバッファー層の表面はRMS(root mean square)
で1nm程度の表面粗さを有し、この要求に応えること
ができない。
使う方法も提案されている。しかし、n−AlGaNバ
ッファー層成長の初期過程においてAlリッチな絶縁性
のAlGaN層が10nm程度形成されることが報告さ
れており(K. Horino, A. Kuramata, and T. Tanahash
i, MRS fall meeting 196)、この絶縁性のAlGaN
層がAlNバッファー層の場合と同様に電流注入時のバ
リアーとなる。さらに、GaN量子ドット形成のために
は、原子レベルで見て平坦なAlGaNクラッド層表面
が要求されるが、SiC基板上に成長させたn−AlG
aNバッファー層の表面はRMS(root mean square)
で1nm程度の表面粗さを有し、この要求に応えること
ができない。
【0008】本発明は、半導体素子の基板としてSiC
を用いる際のこのような問題に鑑み、SiC基板上に導
電性と平坦性を備えたバッファー層が形成されたSiC
ハイブリッド基板、及びその製造方法を提供することを
目的とする。
を用いる際のこのような問題に鑑み、SiC基板上に導
電性と平坦性を備えたバッファー層が形成されたSiC
ハイブリッド基板、及びその製造方法を提供することを
目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、SiC基
板をアンモニア処理したのちn−AlGaNを成長させ
るとn−AlGaN薄膜の特性が大幅に改善されるこ
と、すなわちSiC基板表面にアンモニアを物理吸着さ
せ、そののちn−AlGaN層を成長させると、原子レ
ベルでみて良好な表面平坦性及び導電性を有するAlG
aN層を形成できることを見出し、本発明を完成するに
至った。
板をアンモニア処理したのちn−AlGaNを成長させ
るとn−AlGaN薄膜の特性が大幅に改善されるこ
と、すなわちSiC基板表面にアンモニアを物理吸着さ
せ、そののちn−AlGaN層を成長させると、原子レ
ベルでみて良好な表面平坦性及び導電性を有するAlG
aN層を形成できることを見出し、本発明を完成するに
至った。
【0010】すなわち、本発明のSiCハイブリッド基
板は、SiC基板上に表面が平滑な導電性のn−AlX
Ga1-XN層(0≦x<1)を形成したことを特徴とす
る。また、本発明によるSiCハイブリッド基板は、S
iC基板上に表面の平滑な導電性のn−AlXGa1-XN
層(0≦x<1)を形成し、その上にn−AlyGa1-y
N(0≦y<1,y<x)層を形成したことを特徴とす
る。n−AlyGa1-yN層は、レーザ構造に必要な電子
のバリア層として機能するものである。また、AlXG
a1-XN層は同時に光閉じこめ層としての役割を果たし
ていおり、このSiCハイブリッド基板は短波長レーザ
ー製造用の基板として有用である。
板は、SiC基板上に表面が平滑な導電性のn−AlX
Ga1-XN層(0≦x<1)を形成したことを特徴とす
る。また、本発明によるSiCハイブリッド基板は、S
iC基板上に表面の平滑な導電性のn−AlXGa1-XN
層(0≦x<1)を形成し、その上にn−AlyGa1-y
N(0≦y<1,y<x)層を形成したことを特徴とす
る。n−AlyGa1-yN層は、レーザ構造に必要な電子
のバリア層として機能するものである。また、AlXG
a1-XN層は同時に光閉じこめ層としての役割を果たし
ていおり、このSiCハイブリッド基板は短波長レーザ
ー製造用の基板として有用である。
【0011】また、本発明は、SiC基板上に表面の平
滑な導電性のn−AlXGa1-XN層(0≦x<1)を形
成したSiCハイブリッド基板の製造方法において、S
iC基板をアニールする工程と、前記SiC基板の温度
を低下させた状態で表面にアンモニアを吸着させる工程
と、そののちSiC基板上にn−AlXGa1-XN層(0
≦x<1)を形成する工程とを含むことを特徴とする。
滑な導電性のn−AlXGa1-XN層(0≦x<1)を形
成したSiCハイブリッド基板の製造方法において、S
iC基板をアニールする工程と、前記SiC基板の温度
を低下させた状態で表面にアンモニアを吸着させる工程
と、そののちSiC基板上にn−AlXGa1-XN層(0
≦x<1)を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【0012】アンモニアを吸着させる工程は、基板温度
を0℃(室温)〜700℃、好ましくは300〜500
℃にして行うことができる。SiC基板表面に低温でア
ンモニアを吸着させると、AlGaN成長に必要な核の
生成密度が低温における物理吸着によって改善される。
物理的には、「低温におけるNH3分子のSiC上への
吸着確率≫高温におけるNH3分子のSiC上への吸着
確率」という現象、すなわちガス分子の吸着確率の温度
依存性を利用している。
を0℃(室温)〜700℃、好ましくは300〜500
℃にして行うことができる。SiC基板表面に低温でア
ンモニアを吸着させると、AlGaN成長に必要な核の
生成密度が低温における物理吸着によって改善される。
物理的には、「低温におけるNH3分子のSiC上への
吸着確率≫高温におけるNH3分子のSiC上への吸着
確率」という現象、すなわちガス分子の吸着確率の温度
依存性を利用している。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図1は、本発明の方法によって作
製したSiCハイブリッド基板の断面模式図である。S
iC基板1上に厚さ0.4〜0.8μmの導電性AlG
aN層2が形成されている。SiC基板1としては、6
H−SiC(0001)基板、4H−SiC(000
1)基板等を用いることができる。
施の形態を説明する。図1は、本発明の方法によって作
製したSiCハイブリッド基板の断面模式図である。S
iC基板1上に厚さ0.4〜0.8μmの導電性AlG
aN層2が形成されている。SiC基板1としては、6
H−SiC(0001)基板、4H−SiC(000
1)基板等を用いることができる。
【0014】図2は、本発明の方法で使用した水平型の
減圧(76Torr)MOCVD薄膜成長装置の概略図
である。ステンレス製容器10中にグラファイト製の基
板サセプター11が配置されており、基板サセプター1
1上にSiC基板12が配置されている。基板サセプタ
ー11は高周波電源13に接続されたRFコイル14に
よって1060℃〜1100℃の温度に誘導加熱されて
いる。基板温度は基板サセプター11の位置に配置され
た熱電対によって計測される。SiC基板12の上流側
には石英ガラスによって3層に重ね合わせた流路が形成
され、上部の流路21からは窒素ガスが供給される。中
間の流路22からは水素をキャリアガスとしたトリメチ
ルアルミニウム(TMA)とトリメチルガリウム(TM
G)が供給可能であり、下部の流路23からはアンモニ
アガスが供給される。反応ガスは3つのガス流路21,
22,23から独立に供給され、基板サセプター11の
直前で混合される。25はTMA溶液の入った容器、2
6はTEM溶液のはいった容器、27はTESi溶液の
入った容器である。なお、上部流路21からの窒素ガス
は毎分0.5リットルの流量で常時供給されている。
減圧(76Torr)MOCVD薄膜成長装置の概略図
である。ステンレス製容器10中にグラファイト製の基
板サセプター11が配置されており、基板サセプター1
1上にSiC基板12が配置されている。基板サセプタ
ー11は高周波電源13に接続されたRFコイル14に
よって1060℃〜1100℃の温度に誘導加熱されて
いる。基板温度は基板サセプター11の位置に配置され
た熱電対によって計測される。SiC基板12の上流側
には石英ガラスによって3層に重ね合わせた流路が形成
され、上部の流路21からは窒素ガスが供給される。中
間の流路22からは水素をキャリアガスとしたトリメチ
ルアルミニウム(TMA)とトリメチルガリウム(TM
G)が供給可能であり、下部の流路23からはアンモニ
アガスが供給される。反応ガスは3つのガス流路21,
22,23から独立に供給され、基板サセプター11の
直前で混合される。25はTMA溶液の入った容器、2
6はTEM溶液のはいった容器、27はTESi溶液の
入った容器である。なお、上部流路21からの窒素ガス
は毎分0.5リットルの流量で常時供給されている。
【0015】次に、SiCハイブリッド基板の作製方法
について説明する。図1に示したSiC基板1として、
Nを2×1018cm-3ドーピングした厚さ350nmの
6H−SiC(0001)基板を用意した。このn−S
iC基板1を図2に示したMOCVD薄膜成長装置中に
配置し、約1100℃で10分間アニールしてSiC基
板1上の酸化物及び有機物を除去した。次に、基板温度
を500℃まで低下させ、アンモニア(NH3)を2L
SMで供給し、SiC基板1の表面にアンモニアを低温
で物理吸着させた。
について説明する。図1に示したSiC基板1として、
Nを2×1018cm-3ドーピングした厚さ350nmの
6H−SiC(0001)基板を用意した。このn−S
iC基板1を図2に示したMOCVD薄膜成長装置中に
配置し、約1100℃で10分間アニールしてSiC基
板1上の酸化物及び有機物を除去した。次に、基板温度
を500℃まで低下させ、アンモニア(NH3)を2L
SMで供給し、SiC基板1の表面にアンモニアを低温
で物理吸着させた。
【0016】続いて、SiC基板1上に厚さ約600n
mのn−AlXGa1-XN(x=0.26)層2を形成し
た。AlXGa1-XNクラッド層2の形成にあたっては、
中間流路22からTMAとTMGの混合ガスを供給し、
下部流路23からアンモニアを供給した。TMAは、密
閉容器25に入れられた18℃のTMA溶液にH2ガス
を流量15cc/minでバブリングさせることによ
り、H2をキャリアガスとして供給した。また、TMG
は、密閉容器26に入れられた−4℃のTMG溶液にH
2ガスを流量10cc/minでバブリングさせること
により、H2をキャリアガスとして供給した。アンモニ
アの流量は毎分2リットルとした。この例ではAlの含
有量xを0.26としたが、TMA及びTMGの流量を
変化させることによりxは0〜1.0の範囲で変化させ
ることができる。
mのn−AlXGa1-XN(x=0.26)層2を形成し
た。AlXGa1-XNクラッド層2の形成にあたっては、
中間流路22からTMAとTMGの混合ガスを供給し、
下部流路23からアンモニアを供給した。TMAは、密
閉容器25に入れられた18℃のTMA溶液にH2ガス
を流量15cc/minでバブリングさせることによ
り、H2をキャリアガスとして供給した。また、TMG
は、密閉容器26に入れられた−4℃のTMG溶液にH
2ガスを流量10cc/minでバブリングさせること
により、H2をキャリアガスとして供給した。アンモニ
アの流量は毎分2リットルとした。この例ではAlの含
有量xを0.26としたが、TMA及びTMGの流量を
変化させることによりxは0〜1.0の範囲で変化させ
ることができる。
【0017】また、同時にAlGaNのドナーとして働
くSiをTESi(テトラエチルシラン)によって供給
する。TESiの供給量を調整することによってキャリ
ア密度を変化させることが可能であるが、ここでは通常
のデバイスに必要な2×1018cm-3程度のドーピング
を行った。
くSiをTESi(テトラエチルシラン)によって供給
する。TESiの供給量を調整することによってキャリ
ア密度を変化させることが可能であるが、ここでは通常
のデバイスに必要な2×1018cm-3程度のドーピング
を行った。
【0018】比較のために、NH3処理を省略して表面
にAlGaN層を形成したSiCハイブリッド基板も作
製した。各基板について、AlGaN層の表面平坦性
と、基板両端のI−V特性を評価した。
にAlGaN層を形成したSiCハイブリッド基板も作
製した。各基板について、AlGaN層の表面平坦性
と、基板両端のI−V特性を評価した。
【0019】表面平坦性は原子間力顕微鏡(AFM)に
よって評価した。図3(a)はアンモニア低温吸着処理
を行った本発明によるSiCハイブリッド基板のAlG
aN層表面のAFM像、図3(b)はアンモニア低温吸
着処理を行わない比較例のSiCハイブリッド基板のA
lGaN層表面のAFM像である。表面粗さをRMS
(root mean square)で評価したところ、本発明による
SiCハイブリッド基板のRMSは約0.3nmであっ
た。これに対して、比較例のSiCハイブリッド基板の
RMSは約1.0nmであり、アンモニア低温吸着処理
の有効性が確認できた。
よって評価した。図3(a)はアンモニア低温吸着処理
を行った本発明によるSiCハイブリッド基板のAlG
aN層表面のAFM像、図3(b)はアンモニア低温吸
着処理を行わない比較例のSiCハイブリッド基板のA
lGaN層表面のAFM像である。表面粗さをRMS
(root mean square)で評価したところ、本発明による
SiCハイブリッド基板のRMSは約0.3nmであっ
た。これに対して、比較例のSiCハイブリッド基板の
RMSは約1.0nmであり、アンモニア低温吸着処理
の有効性が確認できた。
【0020】図4は、I−V特性測定用試料の断面構造
模式図である。図4に略示するように、前記した本発明
によるSiCハイブリッド基板と比較例のSiCハイブ
リッド基板に厚さ約100nmのn−GaN層3及び電
極層4,5を形成し、その電気抵抗を試料両端のI−V
特性から評価した。n−GaN層3は電極のオーミック
特性改善のために付加したもので、SiCハイブリッド
基板を図2に示したMOCVD薄膜成長装置中に配置
し、TMGとアンモニアを供給して成長させた。TES
i供給によるキャリアのドーピング量は2×1018cm
-3程度とした。また、SiC基板1の底面に真空蒸着法
によって厚さ1500ÅのNi電極を形成し、GaN層
3の上に真空蒸着法によって厚さ1500ÅのAlと厚
さ200ÅのTiの2層構造を有するAl/Ti電極層
5を形成した。
模式図である。図4に略示するように、前記した本発明
によるSiCハイブリッド基板と比較例のSiCハイブ
リッド基板に厚さ約100nmのn−GaN層3及び電
極層4,5を形成し、その電気抵抗を試料両端のI−V
特性から評価した。n−GaN層3は電極のオーミック
特性改善のために付加したもので、SiCハイブリッド
基板を図2に示したMOCVD薄膜成長装置中に配置
し、TMGとアンモニアを供給して成長させた。TES
i供給によるキャリアのドーピング量は2×1018cm
-3程度とした。また、SiC基板1の底面に真空蒸着法
によって厚さ1500ÅのNi電極を形成し、GaN層
3の上に真空蒸着法によって厚さ1500ÅのAlと厚
さ200ÅのTiの2層構造を有するAl/Ti電極層
5を形成した。
【0021】図5は、基板試料のI−V特性を示した図
である。図中、aは本発明によるSiCハイブリッド基
板のI−V特性を示し、その傾きから抵抗は1.4Ωで
あった。一方、bは比較例のSiCハイブリッド基板の
I−V特性を示し、その傾きから抵抗は2.5Ωであっ
た。このように、NH3処理をしたハイブリッド基板に
おいてエネルギーバリアの低減が認められた。
である。図中、aは本発明によるSiCハイブリッド基
板のI−V特性を示し、その傾きから抵抗は1.4Ωで
あった。一方、bは比較例のSiCハイブリッド基板の
I−V特性を示し、その傾きから抵抗は2.5Ωであっ
た。このように、NH3処理をしたハイブリッド基板に
おいてエネルギーバリアの低減が認められた。
【0022】本発明によるSiCハイブリッド基板は、
GaN量子ドットレーザー、GaN量子井戸レーザー、
電子デバイス等を製造する際の基板として用いることが
でき、サファイア基板とは違い複雑なプロセスを必要と
しないため有利である。量子ドットレーザー製造用のS
iCハイブリッド基板としては、図6に断面構造を略示
するように、n−AlGaN層2上にAl含有量を低減
させたn−AlGaN層7を積層した基板を用いると、
光閉じこめ/キャリア(電子)閉じこめが可能なため更
に有利である。Al含有量を低減させた上層のn−Al
GaN層7は、図2に示したMOCVD薄膜成長装置中
で成長させるとき、下層のn−AlGaN層2の成長時
に比較してTMAの供給量を減少させることにより形成
することができる。
GaN量子ドットレーザー、GaN量子井戸レーザー、
電子デバイス等を製造する際の基板として用いることが
でき、サファイア基板とは違い複雑なプロセスを必要と
しないため有利である。量子ドットレーザー製造用のS
iCハイブリッド基板としては、図6に断面構造を略示
するように、n−AlGaN層2上にAl含有量を低減
させたn−AlGaN層7を積層した基板を用いると、
光閉じこめ/キャリア(電子)閉じこめが可能なため更
に有利である。Al含有量を低減させた上層のn−Al
GaN層7は、図2に示したMOCVD薄膜成長装置中
で成長させるとき、下層のn−AlGaN層2の成長時
に比較してTMAの供給量を減少させることにより形成
することができる。
【0023】
【発明の効果】本発明によると、SiC基板上に導電性
と平坦性を備えたバッファー層が形成されたSiCハイ
ブリッド基板を得ることができる。
と平坦性を備えたバッファー層が形成されたSiCハイ
ブリッド基板を得ることができる。
【図1】本発明によるSiCハイブリッド基板の断面模
式図。
式図。
【図2】本発明の方法で使用した水平型の減圧MOCV
D薄膜成長装置の概略図。
D薄膜成長装置の概略図。
【図3】(a)は本発明によるSiCハイブリッド基板
のAlGaN層表面のAFM写真、(b)は比較例のS
iCハイブリッド基板のAlGaN層表面のAFM写
真。
のAlGaN層表面のAFM写真、(b)は比較例のS
iCハイブリッド基板のAlGaN層表面のAFM写
真。
【図4】I−V特性測定用試料の断面構造模式図。
【図5】基板試料のI−V特性を示した図。
【図6】本発明によるSiCハイブリッド基板の他の例
の断面模式図。
の断面模式図。
【図7】サファイア基板上に形成された従来のGaN半
導体レーザーの断面構造模式図。
導体レーザーの断面構造模式図。
1…SiC基板、2…n−AlGaN層、3…n−Ga
N層、4,5…電極層、7…n−AlGaN層、10…
容器、11…基板サセプター、12…SiC基板、13
…高周波電源、14…RFコイル、21,22,23…
ガス流路、25…TMA容器、26…TEM容器、27
…TESi容器、100…サファイア基板、101…G
aNバッファー層、102…n−GaN層102、10
3…n−AlGaN層、104…n−GaN層、105
…InGaN多重量子井戸層、106…p−GaN層、
107…p−AlGaN層、108,109…電極、1
10…電源
N層、4,5…電極層、7…n−AlGaN層、10…
容器、11…基板サセプター、12…SiC基板、13
…高周波電源、14…RFコイル、21,22,23…
ガス流路、25…TMA容器、26…TEM容器、27
…TESi容器、100…サファイア基板、101…G
aNバッファー層、102…n−GaN層102、10
3…n−AlGaN層、104…n−GaN層、105
…InGaN多重量子井戸層、106…p−GaN層、
107…p−AlGaN層、108,109…電極、1
10…電源
Claims (4)
- 【請求項1】 SiC基板上に表面が平滑な導電性のn
−AlXGa1-XN層(0≦x<1)を形成したことを特
徴とするSiCハイブリッド基板。 - 【請求項2】 SiC基板上に表面の平滑な導電性のn
−AlXGa1-XN層(0≦x<1)を形成し、その上に
n−AlyGa1-yN(0≦y<1,y<x)層を形成し
たことを特徴とするSiCハイブリッド基板。 - 【請求項3】 SiC基板上に表面の平滑な導電性のn
−AlXGa1-XN層(0≦x<1)を形成したSiCハ
イブリッド基板の製造方法において、 SiC基板をアニールする工程と、前記SiC基板の温
度を低下させた状態で表面にアンモニアを吸着させる工
程と、そののちSiC基板上にn−AlXGa1-XN層
(0≦x<1)を形成する工程とを含むことを特徴とす
るSiCハイブリッド基板の製造方法。 - 【請求項4】 前記アンモニアを吸着させる工程は基板
温度を0℃〜700℃にして行うことを特徴とする請求
項3記載のSiCハイブリッド基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9159197A JPH10270368A (ja) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | SiCハイブリッド基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9159197A JPH10270368A (ja) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | SiCハイブリッド基板及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10270368A true JPH10270368A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=14030802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9159197A Pending JPH10270368A (ja) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | SiCハイブリッド基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10270368A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6683327B2 (en) | 2001-11-13 | 2004-01-27 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Nucleation layer for improved light extraction from light emitting devices |
JP2004200384A (ja) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Ngk Insulators Ltd | エピタキシャル成長用基板 |
US6900067B2 (en) | 2002-12-11 | 2005-05-31 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Growth of III-nitride films on mismatched substrates without conventional low temperature nucleation layers |
-
1997
- 1997-03-26 JP JP9159197A patent/JPH10270368A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6683327B2 (en) | 2001-11-13 | 2004-01-27 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Nucleation layer for improved light extraction from light emitting devices |
US6900067B2 (en) | 2002-12-11 | 2005-05-31 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Growth of III-nitride films on mismatched substrates without conventional low temperature nucleation layers |
JP2004200384A (ja) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Ngk Insulators Ltd | エピタキシャル成長用基板 |
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