JPH10256411A - 電力用半導体モジュール - Google Patents

電力用半導体モジュール

Info

Publication number
JPH10256411A
JPH10256411A JP7910197A JP7910197A JPH10256411A JP H10256411 A JPH10256411 A JP H10256411A JP 7910197 A JP7910197 A JP 7910197A JP 7910197 A JP7910197 A JP 7910197A JP H10256411 A JPH10256411 A JP H10256411A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
external connection
terminal
case
connection terminal
bent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7910197A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukifumi Yoshida
享史 吉田
Yoichi Makimoto
陽一 牧本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sansha Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Sansha Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sansha Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Sansha Electric Manufacturing Co Ltd
Priority to JP7910197A priority Critical patent/JPH10256411A/ja
Publication of JPH10256411A publication Critical patent/JPH10256411A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 外部接続用端子と外部配線との密着性を高め
る。 【解決手段】 金属ベース1に,電力用半導体チップ及
び外部配線と接続される外部接続用端子4が固着され,
その後樹脂及び樹脂ケース6により封止される電力用半
導体モジュールにおいて,外部接続用端子4が引き出さ
れるケース6面に設けられ,かつ外部接続端子4が折り
曲げられる側にスロープ6bが設けられた溝6aを備え
ている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は電力用半導体モジュ
ールに関し,特に外部接続用端子の引き出し部の整形に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の電力用半導体モジュールは,図2
に示ようなものがある。図において,1は金属ベース
で,この金属ベース1の一方の面には絶縁層2が設けら
れ,さらにこの絶縁層2の必要箇所に電気回路3が設け
られている。上記金属ベース1上に樹脂ケース6がシリ
コンゴムにより接着されている。図示しないが,電気回
路3上に電力半導体チップが半田等によって固着されて
いる。さらに電気回路3上に外部接続用端子4が半田5
によって固着されている。その後,図示しないがシリコ
ン系ゲル状樹脂を注入し、加熱し樹脂を硬化させてい
る。
【0003】一方,ケース6の上部に設けられた穴7に
ナット8が挿入され,ケースと一体成形された外部接続
端子4がケース6から出されて外部接続用端子引き出し
部4aで90゜折り曲げられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし,外部接続用端
子4を90゜折り曲げる時に,図に示すように外部接続
用引き出し部に膨らみが生じ,外部接続用端子4の先端
4bとナット8との間に水平性が得られず,外部接続用
端子4に図示しない外部配線の接続が難しく,また密着
性が悪いなどの問題がある。さらに,密着性を良くする
ように端子に溝を設ける場合や,引き出し部4aに強く
加圧して折り曲げると,折れるなどの問題もある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の電力用半導体モ
ジュールは,金属ベースに電力用半導体チップ及び外部
配線と接続される外部接続用端子が固着され,その後樹
脂及び樹脂ケースにより封止される電力用半導体モジュ
ールにおいて,上記外部接続用端子が引き出される上記
ケース面に設けられ,かつ上記外部接続用端子が折り曲
げられる側にスロープが設けられた溝を具備するもので
ある。
【0006】外部接続用端子は,樹脂内部の溝から引き
出され,スロープに沿って折り曲げられる。さらに上面
に沿って外部接続用端子が折り曲げられる。これにより
外部接続用端子は90゜折り曲げられ,外部接続用端子
の先端と配線固定用ナットとの間に水平性が得られる。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明を図1に基づいて説明す
る。図1において,図2と同一機能のものは同一符号を
付している。図1の電力用半導体モジュールが図2の電
力用半導体モジュールと異なる点は、図2の電力用半導
体モジュールは,外部接続用端子4の引き出し部4aに
おけるケース4上部が平面であるのに対し,図2の電力
用半導体モジュールは,ケース4の上部に溝6aが設け
られ、この溝6aの外部接続用端子4の折り曲げられる
側にスロープ6bが設けられたものである。
【0008】そして,外部接続用端子4は溝6aからス
ロープ6bに沿って折り曲げられ,さらにケース6の上
面に沿って折り曲げられる。このため外部接続用端子4
は,外部接続用端子引き出し部4aでR状になって90
゜折り曲げられる。
【0009】従って,外部接続用端子の先端4bと,固
定用ナット8との間に水平性が得られ,外部接続用端子
4に図示しない外部配線の接続が容易になり,端子と外
部配線との密着性が良い。
【0010】なお,上記スロープ66は直線でもR状で
あってもよい。また,上記実施の形態では,外部接続用
端子4がケース6と一体形成されているが,ケース6と
端子4を分離し,ケース6の上部に端子挿入できる開口
部を設けて,この開口部に端子を挿入する場合にも適用
できる。この場合もケースの開口部に溝とその溝の一方
側にスロープが設けられる。
【0011】
【発明の効果】本発明によれば,引き出し部に膨らみが
なく外部接続用端子の先端と固定用ナットとの間に水平
性が得られ,端子と外部接配線との接続が容易になり,
端子と外部配線との密着性が良くなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電力用半導体モジュールの一実施の形
態の概略断面図である。
【図2】従来の電力用半導体モジュールの概略断面図で
ある。
【符号の説明】
1 金属ベース 2 絶縁層 3 電気回路 4 外部接続用端子 4a 外部接続用端子引き出し部 4b (外部接続用端子の)先端 6 ケース 4a 溝 4b スロープ 8 ナット

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属ベースに電力用半導体チップ及び外
    部配線と接続される外部接続用端子が固着され,その後
    樹脂及び樹脂ケースにより封止される電力用半導体モジ
    ュールにおいて,上記外部接続用端子が引き出される上
    記ケース面に設けられ,かつ上記外部接続用端子が折り
    曲げられる側にスロープが設けられた溝を具備すること
    を特徴とする電力用半導体モジュール。
JP7910197A 1997-03-12 1997-03-12 電力用半導体モジュール Pending JPH10256411A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7910197A JPH10256411A (ja) 1997-03-12 1997-03-12 電力用半導体モジュール

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7910197A JPH10256411A (ja) 1997-03-12 1997-03-12 電力用半導体モジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10256411A true JPH10256411A (ja) 1998-09-25

Family

ID=13680502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7910197A Pending JPH10256411A (ja) 1997-03-12 1997-03-12 電力用半導体モジュール

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10256411A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6521983B1 (en) 2000-08-29 2003-02-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device for electric power
WO2008142758A1 (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Sansha Electric Manufacturing Co., Ltd. 電力用半導体モジュール
JP2011066255A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Toshiba Corp パワーモジュール
WO2014014066A1 (ja) * 2012-07-19 2014-01-23 富士電機株式会社 半導体モジュール用端子の折り曲げ方法
CN104584213A (zh) * 2012-08-24 2015-04-29 三菱电机株式会社 半导体装置
JP2017504968A (ja) * 2014-01-30 2017-02-09 クリー ファイエットヴィル インコーポレイテッド 薄型で高度に構成可能な電流共有並列化広バンドギャップ電力デバイス電力モジュール
JP2017079307A (ja) * 2015-10-22 2017-04-27 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US10136529B2 (en) 2014-01-30 2018-11-20 Cree Fayetteville, Inc. Low profile, highly configurable, current sharing paralleled wide band gap power device power module

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6521983B1 (en) 2000-08-29 2003-02-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device for electric power
WO2008142758A1 (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Sansha Electric Manufacturing Co., Ltd. 電力用半導体モジュール
JP2011066255A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Toshiba Corp パワーモジュール
US8519265B2 (en) 2009-09-18 2013-08-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Power module
WO2014014066A1 (ja) * 2012-07-19 2014-01-23 富士電機株式会社 半導体モジュール用端子の折り曲げ方法
CN104584213A (zh) * 2012-08-24 2015-04-29 三菱电机株式会社 半导体装置
JP2017504968A (ja) * 2014-01-30 2017-02-09 クリー ファイエットヴィル インコーポレイテッド 薄型で高度に構成可能な電流共有並列化広バンドギャップ電力デバイス電力モジュール
US10136529B2 (en) 2014-01-30 2018-11-20 Cree Fayetteville, Inc. Low profile, highly configurable, current sharing paralleled wide band gap power device power module
JP2019140418A (ja) * 2014-01-30 2019-08-22 クリー ファイエットヴィル インコーポレイテッド 薄型で高度に構成可能な電流共有並列化広バンドギャップ電力デバイス電力モジュール
JP2017079307A (ja) * 2015-10-22 2017-04-27 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN107039408A (zh) * 2015-10-22 2017-08-11 三菱电机株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法
CN107039408B (zh) * 2015-10-22 2020-01-07 三菱电机株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法
US10600765B2 (en) 2015-10-22 2020-03-24 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and method for producing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH10256411A (ja) 電力用半導体モジュール
WO2006048846A3 (en) Semiconductor chip connection based on carbon nanotubes
JPS611042A (ja) 半導体装置
EP1018762A3 (en) Semiconductor device and fabrication method thereof
JP4150508B2 (ja) 電力用半導体装置
JP2003197828A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP3347059B2 (ja) 複合半導体装置
JPH0617317Y2 (ja) 混成集積回路の接続構造
JPH0799276A (ja) 半導体装置
JPH02154457A (ja) 半導体装置
JP3587001B2 (ja) 圧力センサ
JPH07221419A (ja) 混成集積回路装置
JPH0436121Y2 (ja)
JP2754485B2 (ja) 回路基板
JPH01231415A (ja) 弾性表面波装置
JPS62202544A (ja) 半導体装置
JPS60202958A (ja) 混成集積回路装置
JP2707899B2 (ja) 混成集積回路装置
JP2890376B2 (ja) 回路装置
JPH05335709A (ja) 印刷配線基板
JPH05335480A (ja) 電力用半導体モジュール
JPH08213718A (ja) プリント回路板
JP2000260908A (ja) 表面実装型半導体装置およびその製造方法
JPH06268134A (ja) 電子部品搭載装置
JPS61279155A (ja) 半導体装置