JP2003197828A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

Info

Publication number
JP2003197828A
JP2003197828A JP2001395704A JP2001395704A JP2003197828A JP 2003197828 A JP2003197828 A JP 2003197828A JP 2001395704 A JP2001395704 A JP 2001395704A JP 2001395704 A JP2001395704 A JP 2001395704A JP 2003197828 A JP2003197828 A JP 2003197828A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor device
lead terminal
sealed
encapsulated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001395704A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshimasa Kobayashi
義政 小林
Kozo Ikeda
鉱三 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2001395704A priority Critical patent/JP2003197828A/ja
Publication of JP2003197828A publication Critical patent/JP2003197828A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L24/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/37147—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/4005—Shape
    • H01L2224/4009—Loop shape
    • H01L2224/40095—Kinked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/848—Bonding techniques
    • H01L2224/84801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 信頼度が高く、小型、軽量化され、実装時の
半田付け部の外観検査がし易い電子及び電気機器等に表
面実装型樹脂封止型半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体素子１１と、この半導体素子１１
と接続されたリード端子１２、１３を樹脂封止してなる
樹脂封止型半導体装置において、リード端子１２、１３
に凸部となる打ち出し成形部１２ａ、１３ａを設け、こ
の凸部の接地面１２ｂ、１３ｂを含む凸部１２ａ、１３
ａの一部を樹脂封止部より露出するように配置し、リー
ド端子１２、１３の凸部１２ａ、１３ａの他方となる凹
部１６の一部と半導体素子を含む樹脂封止型半導体装置
の中央部とを一体として樹脂封止してなることを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、電気及び電子機器等に
使用される小形、薄型、軽量化された表面実装型の樹脂
封止型半導体装置の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電気及び電子機器等に使用される電子回
路基板の小形、薄型、軽量化並びに高密度実装の要求に
応えるため、ダイオード、バイポーラトランジスタ、Ｍ
ＯＳＦＥＴなどの表面実装型の樹脂封止型半導体装置に
おける小型、薄型、軽量化が、急激に進んでいる。
【０００３】図６は従来の面実装型小型ダイオードの第
１の例を説明する断面図である。本図には、ダイオード
チップ６１、第一のリード端子６２、第二のリード端子
６３、接続子６４および樹脂部６５からなる面実装型小
型ダイオードが示されている。ダイオードチップ６１は
第二のリード端子６３に搭載されており、ダイオードチ
ップ６１のもう一方の面と第一のリード端子６２は接続
子６４で接続される。第一のリード端子６２、接続子６
４、ダイオードチップ６１、第二のリード端子６３の間
は半田付けされる。第一のリード端子６２と第二のリー
ド端子６３は予め折曲部６２ａ、６３ａが設けられてお
り、その折曲部６２ａ、６３aの一部を樹脂部６５の下
側から露出させる。その折り曲げ部の設置面６２ｂ、６
３ｂを回路基板のパッドと低融点半田で接続することに
より表面実装できる。
【０００４】図７は従来の面実装型小型ダイオードの第
2の例を説明する断面図である。本図には、ダイオード
チップ７１、第一のリード端子７２、第二のリード端子
７３、接続子７４および樹脂部７５からなる面実装型小
型ダイオードが示されている。ダイオードチップ７１は
第二のリード端子端子７３に搭載され、ダイオードチッ
プ７１のもう一方の面と第一のリード端子７２は接続子
７４で接続される。第一のリード端子７２、接続子７
４、ダイオードチップ７１、第二のリード端子７３の間
は半田付けされる。第一のリード端子７２と第二のリー
ド端子７３は予め二段に折り曲げられ、上記接続の各平
面の反対側に接地面７２ｂ、７３ｂが設けられている。
第一のリード端子７２、第二のリード端子７３はそれぞ
れ、内方分が上記樹脂部７５の底面より内部に入り込ん
で位置していると共に、樹脂部７５の下面両端部におい
て下面が樹脂部７５の下面を面一上に露出させられたう
え、そのまま水平方向に延出させられていることを特徴
としている。
【０００５】図６に示される従来の面実装型小型ダイオ
ードの場合、接地面付近以外全部樹脂に覆われているの
で、使用する樹脂量は図７の第２の実施例より多く、小
型軽量化の支障になる。また、外部回路との接続を行な
うために回路基板に半田接続すると、樹脂部が邪魔にな
って、半田接続部の接続状態が見えなく接続状態の外観
検査ができない。
【０００６】図７に示される従来の面実装型小型ダイオ
ードの第２の例の場合、図６の従来の面実装型小型ダイ
オードの第１の例に比較し、樹脂の量が大幅に少なくな
っている。しかしながら、第一のリード端子７２、第二
のリード端子７３の切断時などにおいて、樹脂部７５と
第一のリード端子７２及び第二のリード端子７３のリー
ド樹脂界面７７の部分に応力がかかりやすく、特に樹脂
封止後のリード切断時において、この部分より両者が剥
離し易いため湿度に弱いなど信頼度上の問題がある。接
地面７２ｂ、７３ｂ以外樹脂部で覆うことにより信頼度
は改善できる可能性はあるが必要な樹脂の量は大幅に多
くなり、図６に示される従来の面実装型小型ダイオード
の第１の例とほとんど同じ状況になってしまう。
【０００７】一般に、リードフレームを使用して面実装
型小型ダイオードを量産するが、樹脂封止、リード端子
の半田めっき後リードフレームを切断するため、第一の
リード端子７２、第二のリード端子７３の折曲部７２
ｂ、７３ｂの側壁部７２ｄ、７３ｄが切断面になり、半
田メッキがない。このため、半田強度は第一のリード端
子７２、第二のリード端子７３の接地面２２ｂ、７３ｂ
できまる。図６の折曲部６２ａ、６３ａのように突出部
の形状であってこの側面にも半田がつくものと同様な強
度を保つためには、接地面７２ｂ、７３ｂを広げざるを
得なく、小型、軽量化の障害になっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点を鑑みてなされたもので、その目的は、実装
時の半田接続部の外観検査ができ、信頼度を落とすこと
なく必要な樹脂量を少なくできると共に小型軽量化も可
能な面実装型小型ダイオードの構造にある。
【０００９】
【課題を解決しようとする手段】上記課題を解決するた
めに、請求項１記載の発明は半導体素子と、この半導体
素子と接続されたリード端子を樹脂封止してなる樹脂封
止型半導体装置において、前記リード端子に凸部を設
け、この凸部底面を含む凸部の一部を樹脂封止部より露
出するように配置し、前記リード端子の前記凸部の他方
となる凹部の一部と前記半導体素子を含む前記樹脂封止
型半導体装置の中央部とを一体として前記樹脂封止部に
樹脂封止してなることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置である。請求項２記載の発明は請求項1の樹脂封止型
半導体装置において、前記凸部の底面が前記樹脂封止部
の下面と同一面となるように前記樹脂封止部より露出す
るように配置されたことを特徴とする樹脂封止型半導体
装置である。請求項３記載の発明は請求項1又は請求項2
いずれか１項記載の樹脂封止型半導体装置において、前
記凹部に充填された樹脂部を有することを特徴とする樹
脂封止型半導体装置である。請求項４記載の発明は請求
項３の樹脂封止型半導体装置において、前記凹部に充填
された樹脂部の少なくとも一部から前記樹脂封止部の側
壁まで緩い傾斜をもって上方に延在せしめた樹脂部を有
することを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。請
求項５記載の発明は請求項３の樹脂封止型半導体装置に
おいて、前記凹部に充填された樹脂部の少なくとも一部
から前記樹脂封止部の上面の高さを限度としてほぼ垂直
に延在せしめた樹脂部を有することを特徴とする樹脂封
止型半導体装置である。
【００１０】
【発明の実施の形態】樹脂封止型半導体装置として、半
導体素子としてダイオードチップを用いた面実装型小型
ダイオードの実施例を述べる。
【００１１】第１の実施例について説明する。図１は本
発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置の
構造を説明するための平面図である。図２は本発明の第
１の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置の構造を説
明するための図１の切断線Ａ−Ａ線断面図である。図３
は本発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装
置の構造を説明するための斜視図である。図１、図２及
び図３の同一部分には同じ符号を付す。
【００１２】図１の平面図に見られるように樹脂封止型
半導体装置の中心部は樹脂部１５で被覆されており、こ
の樹脂部１５の左右に第一のリード端子１２、第二のリ
ード端子１３が出ている。第一のリード端子１２及び第
二のリード端子１３における樹脂部１５の左右の部分に
は凹部１６（図示していない）が設けられており、樹脂
部１５の本体部分である樹脂封止部１５ａはこの凹部１
６の一部と樹脂封止型半導体装置の中央部側を含め矩形
に成形されている。凹部１６の残りの部分も樹脂で充填
されており、その一部が樹脂封止部１５aの側壁上部ま
で延びている。
【００１３】本発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止
型半導体装置の構造を説明するための図１の切断線Ａ−
Ａ線の断面図である図２により、断面構造、製造方法に
ついて説明する。銅板材から切り出した矩形の第一のリ
ード端子１２、第二のリード端子１３の一部を打ち出し
成形により凸部１２a、１３aを作り外部回路との接続用
の部分、接地面１２ｂ、１３ｂを作る。第一のリード端
子１２、第二のリード端子１３を左右向かい合わせに組
立て治具内に配置すると共に、接続用の接地面１２ｂ、
１３ｂの面が同一平面になるように設置し、第二のリー
ド端子１３の上面にダイオードチップ１１を搭載し、銅
板で作られた接続子１４をダイオードチップ上面と、第
一のリード端子１２上に搭載し、各界面に半田を塗布
し、この治具を熱処理することにより、半田接続する。
樹脂封止部１５aの側壁の延長部（または仮想的に延長
したところ）が第一のリード端子１２、第二のリード端
子１３の凹部１６にかかるように、また、同凹部１６が
樹脂により充填されるように、また、この充填された樹
脂１５ｃの一部が樹脂封止部１５aの側壁上部まで緩い
傾斜をもって上方に延在せしめた樹脂部１５ｄの形状に
なるように、また、樹脂封止部１５aの下面が外部回路
との接続用の接地面１２ｂ、１３ｂの面と一致するよう
に樹脂モールドの金型を作製する。この金型により、半
田付けされた第一のリード端子１２、第二のリード端子
１３、ダイオードチップ１１、接続子１４とモールド用
樹脂とを一体成形する。樹脂封止されていない第一のリ
ード端子１２、第二のリード端子１３の面、少なくとも
接地面１２ｂ、１３ｂの金属酸化膜をとり、必要におい
て、半田接続用に半田メッキをしておくのがよい。ここ
では、樹脂封止部１５の下面が外部回路との接続用の接
地面１２ｂ、１３ｂの面と一致するように樹脂モールド
の金型を作製したが、実装方法に合わせて、樹脂封止部
１５の下面と接地面１２ｂ、１３ｂとに差を設けること
もできる。
【００１４】半田接続にあたっては接地面１２ｂ、１３
ｂだけではなく、樹脂に覆われていない凸部側面１２
c、１３cにも半田がつくため、接続強度が強くなる。
【００１５】樹脂封止型半導体の全体図を示す斜視図、
図３に見られるように凹部の下面は第一のリード端子１
２より下側に打ち出し成形部１２ａのように突出し、外
部回路との接続部分となる。凹部１６の残りの部分を埋
めた樹脂が樹脂封止部１５ａの側壁上部まで延びてお
り、図において１５ｄの符号で示されている。凹部１６
の残りの部分を埋めた樹脂の一部が樹脂封止部１５ａの
側壁上部まで延びていてもよい。
【００１６】第２の実施例について説明する。図４は本
発明の第２の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置の
構造を説明するための斜視図である。
【００１７】第一の実施例と異なる所は樹脂部１５の形
状である。凹部（図２における１６に相当する）を充填
した樹脂を樹脂封止部１５aと同じ急激な角度で、上方
に柱状に作る。勿論樹脂封止部１５aの高さを限度とす
る。また、溝部分と同じ底面での柱でなくてもよいし、
柱の底面に対応する凹部１６だけが樹脂で充填されてい
てもよい。
【００１８】第３の実施例について説明する。図５は本
発明の第３の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置の
構造を説明するための斜視図である。
【００１９】第一、第二の実施例と異なる所は樹脂部１
５の形状である。凹部（図２における１６に相当する）
を充填した樹脂から上方に延びる樹脂、第一の実施例と
第二の実施例で示した１５dがない。この実施例では凹
部全部を充填した例を示したが、樹脂封止部１５ａ側面
延長線から外側に外れる部分の凹部の樹脂はなくともよ
い。
【００２０】本発明において半導体素子としてダイオー
ドチップの例を示したが、半導体素子はバイポーラトラ
ンジスタ、ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴなどのチップであっ
てもよい。半導体素子とリード間の接続に対し半田接続
の例を示したが、導電性接着剤あるいは金線などのボン
ディング技術を利用してもよい。接続子を用いず半導体
素子とリード端子を直接つなぐことも本発明に属する。
また半導体素子は複数であってもよいし、複数の異なる
組み合わせ、例えばＩＧＢＴチップとダイオードのチッ
プの組み合わせであってもよい。従って、リード端子は
２本に限らず更に多くの本数であってもよいし、奇数で
あることもある。また、場合によっては半導体素子と接
続しないリードもあり得る。リード端子の凹部より先の
リード端子は本発明の効果に直接影響しないため、種々
の加工を施すことが可能であり、この部分で外部回路と
接続をとることも可能である。従って、本発明を表面実
装型でない構造に適用することも可能である。
【００２１】
【発明の効果】接続子の凹部を横切る面は、リード端子
に加えられた応力の影響を受けづらい。このため、この
部分まで、樹脂封止部１５ａがきているものは、樹脂部
とリード端子の界面が剥離しやすい現象は少なく、湿度
に対して強い。樹脂を凹部に充填し、この部分を上方ま
で延在させれば、密着強度もあがり樹脂の剥離現象が少
なくなる。外部雰囲気から半導体素子までの樹脂とリー
ド端子間の沿面距離も長くなり耐湿性もよくなる。この
部分の樹脂を断面から見て、樹脂本体側面まで、緩やか
に伸ばしても同様に沿面距離が長いままであり、応力が
かかった場合に、この角度により応力が分散しクラック
が入りにくく、内部に剥離現象が進行しない特徴があ
る。いずれも、リード端子、半導体素子、接続子全部を
樹脂で覆う方法に比べ、使用する樹脂量を大幅に少なく
し、対湿等の信頼度を落とすことない。リード端子の周
辺まで樹脂で覆うこともないため、使用する樹脂量を減
らし、小型軽量にできる。リード端子の凸部の接地面を
回路基板に半田付けした場合、接地面より外側には樹脂
がないため、半田の接着具合が外観検査できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止型
半導体装置の構造を説明するための平面図である。
【図２】 本発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止型
半導体装置の構造を説明するための図１のＡ−Ａ線断面
図である。
【図３】 本発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止型
半導体装置の構造を説明するための斜視図である。
【図４】 本発明の第２の実施の形態に係る樹脂封止型
半導体装置の構造を説明するための斜視図である。
【図５】 本発明の第３の実施の形態に係る樹脂封止型
半導体装置の構造を説明するための斜視図である。
【図６】 従来の面実装型小型ダイオードの第１の例を
説明する断面図である。
【図７】 従来の面実装型小型ダイオードの第2の例を説
明する断面図である。
【符号の説明】
１１ ダイオードチップ １２ 第一のリード端子 １３ 第二のリード端子 １２ａ、１３ａ 凸部 １２ｂ、１３ｂ 接地面 １２ｃ、１３ｃ 樹脂に覆われていない凸部側面 １２ｄ リード端子側面 １４ 接続子 １５ 樹脂部 １５ａ 樹脂封止部 １５ｂ 凹部にかかる樹脂封止部の一部 １５ｃ 凹部に充填された樹脂部 １５ｄ 凹部に充填された樹脂部から樹脂封止部側壁に
延在せしめた樹脂部 １５ｅ 凹部に充填された樹脂部から垂直に延在する樹
脂部 １６ 凹部 ６１ ダイオードチップ ６２ 第一のリード端子 ６２ 第二のリード端子 ６２ａ、６３ａ 折曲部 ６２ｂ、６３ｂ 接地面 ６４ 接続子 ６５ 樹脂部 ７１ ダイオードチップ ７２ 第一のリード端子 ７２ 第二のリード端子 ７２ａ、７３ａ 折曲部 ７２ｂ、７３ｂ 接地面 ７２ｄ、７３ｄ 切断面 ７４ 接続子 ７５ 樹脂部 ７７ リード樹脂部界面

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体素子と、この半導体素子と接続さ
    れたリード端子を樹脂封止してなる樹脂封止型半導体装
    置において、前記リード端子に凸部を設け、この凸部底
    面を含む凸部の一部を樹脂封止部より露出するように配
    置し、前記リード端子の前記凸部の他方となる凹部の一
    部と前記半導体素子を含む前記樹脂封止型半導体装置の
    中央部とを一体として前記樹脂封止部に樹脂封止してな
    ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項２】 請求項1の樹脂封止型半導体装置におい
    て、前記凸部の底面が前記樹脂封止部の下面と同一面と
    なるように前記樹脂封止部より露出するように配置され
    たことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  3. 【請求項３】 請求項1又は請求項2いずれか１項記載の
    樹脂封止型半導体装置において、前記凹部に充填された
    樹脂部を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装
    置。
  4. 【請求項４】 請求項３の樹脂封止型半導体装置におい
    て、前記凹部に充填された樹脂部の少なくとも一部から
    前記樹脂封止部の側壁まで緩い傾斜をもって上方に延在
    せしめた樹脂部を有することを特徴とする樹脂封止型半
    導体装置。
  5. 【請求項５】 請求項３の樹脂封止型半導体装置におい
    て、前記凹部に充填された樹脂部の少なくとも一部から
    前記樹脂封止部の上面の高さを限度としてほぼ垂直に延
    在せしめた樹脂部を有することを特徴とする樹脂封止型
    半導体装置。
JP2001395704A 2001-12-27 2001-12-27 樹脂封止型半導体装置 Pending JP2003197828A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001395704A JP2003197828A (ja) 2001-12-27 2001-12-27 樹脂封止型半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001395704A JP2003197828A (ja) 2001-12-27 2001-12-27 樹脂封止型半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003197828A true JP2003197828A (ja) 2003-07-11

Family

ID=27602009

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001395704A Pending JP2003197828A (ja) 2001-12-27 2001-12-27 樹脂封止型半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003197828A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011066178A2 (en) * 2009-11-25 2011-06-03 Miasolé Diode leadframe for solar module assembly
CN102752966A (zh) * 2011-04-22 2012-10-24 杰特普拉斯株式会社 印刷电路板用垫片
US8586857B2 (en) 2008-11-04 2013-11-19 Miasole Combined diode, lead assembly incorporating an expansion joint
US9018513B2 (en) 2008-05-15 2015-04-28 Apollo Precision (Kunming) Yuanhong Limited Solar-cell module with in-laminate diodes and external-connection mechanisms mounted to respective edge regions
US9059351B2 (en) 2008-11-04 2015-06-16 Apollo Precision (Fujian) Limited Integrated diode assemblies for photovoltaic modules

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9018513B2 (en) 2008-05-15 2015-04-28 Apollo Precision (Kunming) Yuanhong Limited Solar-cell module with in-laminate diodes and external-connection mechanisms mounted to respective edge regions
US8586857B2 (en) 2008-11-04 2013-11-19 Miasole Combined diode, lead assembly incorporating an expansion joint
US9059351B2 (en) 2008-11-04 2015-06-16 Apollo Precision (Fujian) Limited Integrated diode assemblies for photovoltaic modules
WO2011066178A2 (en) * 2009-11-25 2011-06-03 Miasolé Diode leadframe for solar module assembly
WO2011066178A3 (en) * 2009-11-25 2011-09-22 Miasolé Diode leadframe for solar module assembly
US8203200B2 (en) 2009-11-25 2012-06-19 Miasole Diode leadframe for solar module assembly
CN102752966A (zh) * 2011-04-22 2012-10-24 杰特普拉斯株式会社 印刷电路板用垫片

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2819285B2 (ja) 積層型ボトムリード半導体パッケージ
US8035221B2 (en) Clip mount for integrated circuit leadframes
US6521987B1 (en) Plastic integrated circuit device package and method for making the package
US6175149B1 (en) Mounting multiple semiconductor dies in a package
KR100294719B1 (ko) 수지밀봉형 반도체장치 및 그 제조방법, 리드프레임
US7446397B2 (en) Leadless semiconductor package
US7049684B2 (en) Lead frame and method of producing the same, and resin-encapsulated semiconductor device and method of producing the same
JP3165078B2 (ja) 表面実装部品の製造方法
US11842948B2 (en) SMDs integration on QFN by 3D stacked solution
US20090032977A1 (en) Semiconductor device
JP2915282B2 (ja) プラスチックモールドした集積回路パッケージ
KR19980055815A (ko) 볼 그리드 어레이 반도체 패키지
JPH11214606A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びリードフレーム
KR100253376B1 (ko) 칩 사이즈 반도체 패키지 및 그의 제조 방법
US10366943B2 (en) Packaged electronic device having stepped conductive structure and related methods
JP2003197828A (ja) 樹脂封止型半導体装置
US7521778B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2533012B2 (ja) 表面実装型半導体装置
JP2533011B2 (ja) 表面実装型半導体装置
JP2001203301A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
US11227820B2 (en) Through hole side wettable flank
KR100351920B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US20130264714A1 (en) Semiconductor device and method of assembling same
KR200159861Y1 (ko) 반도체 패키지
KR19980058476A (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법