JPH10247747A - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents

半導体発光素子およびその製造方法

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JPH10247747A
JPH10247747A JP5011197A JP5011197A JPH10247747A JP H10247747 A JPH10247747 A JP H10247747A JP 5011197 A JP5011197 A JP 5011197A JP 5011197 A JP5011197 A JP 5011197A JP H10247747 A JPH10247747 A JP H10247747A
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light emitting
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Koichi Nitta
田 康 一 新
Haruhiko Okazaki
崎 治 彦 岡
Norihiko Matsunaga
永 徳 彦 松
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｉｎx Ａｌy Ｇａ1-x-y Ｎ層に対して、その
結晶性を維持しつつ、接触抵抗が低く、かつ、十分な付
着強度を有する電極構造を有する半導体発光素子および
その製造方法を提供することを目的とするものである。 【解決手段】 本発明の第１の実施の形態においては、
ｎ型Ｉｎx Ａｌy Ｇａ1- x-y Ｎ層上にＩＶ族元素または
ＶＩ族元素を含む金属からなる電極を堆積する。また、
本発明の第２の実施の形態においては、ｎ型Ｉｎx Ａｌ
y Ｇａ1-x-y Ｎ層またはｐ型Ｉｎx Ａｌy Ｇａ1-x-y Ｎ
層に対して、炭素、ゲルマニウム、セレン、ロジウム、
テルル、イリジウム、ジルコニウム、ハフニウム、銅、
窒化チタン、窒化タングステン、モリブデン或いは珪化
チタンなどの電極材料を堆積した後にこれらの半導体層
のキャリア濃度を上げるような不純物をイオン注入し、
アニールする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子お
よびその製造方法に関する。より詳しくは、本発明は、
密着性が良好でかつ接触抵抗の低い電極を有する化合物
半導体発光素子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化物系のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で
あるＩｎx Ａｌy Ｇａ1-x-y Ｎ（０≦ｘ，ｙ≦１，ｘ＋
ｙ≦１）系半導体は、直接遷移型の半導体であり、組成
ｘ及びｙを制御することによってバンドギャップが１．
８９〜６．２ｅＶまで変化するために、ＬＥＤや半導体
レーザの材料として有望視されている。特に、青色の波
長領域で高輝度に発光させることができれば、各種光デ
ィスクの記録容量を倍増させ、表示装置のフルカラー化
を可能にすることができる。そこで、Ｉｎx Ｇａy Ａｌ
1-x-y Ｎ系半導体を用いた青色発光素子は、特性の安定
化と信頼性の向上に向けて急速に開発が進められてい
る。なお、以後、本明細書において「ＩｎxＡｌy Ｇａ
1-x-y Ｎ」という時は、組成比ｘ及びｙを零から１の範
囲で変化させたすべての組成を含みうるものとする。例
えば、ＧａＮ（ｘ＝０、ｙ＝０）も「Ｉｎx Ｇａy Ａｌ
1-x-y Ｎ」に含まれるものとする。
【０００３】このような窒化物系半導体を用いた従来の
青色発光素子の構造を開示した参考文献としては、Ｊｐ
ｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，２８（１９８９）ｐ．
Ｌ２１１２、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２
（１９９３）ｐ．Ｌ８或いは特開平５−２９１６２１号
公報を挙げることができる。
【０００４】ところで、発光素子では、外部から駆動電
流を供給するための電極部が発光素子の諸特性に対して
非常に重要な役割を有する。窒化物系の化合物半導体層
に対しては、一般的に良好なオーミック接触が得られに
くい等の事情があるために、電極の構造や材料の選定は
特に重要である。
【０００５】例えば、前述したＪｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．，２８（１９８９）ｐ．Ｌ２１１２において
は、ｎ型Ｉｎx Ａｌy Ｇａ1-x-y Ｎ層に対する電極材料
としてアルミニウムを用いている。また、Ｊｐｎ．Ｊ．
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２（１９９３）ｐ．Ｌ８で
は、電極材料として金を用いている。さらに、特開平５
−２９１６２１号公報においては、電極材料としてクロ
ム、チタン及びインジウムのいずれかを用いることが記
載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ｎ型Ｉｎx Ａ
ｌy Ｇａ1-x-y Ｎ層について電極材料として前述したよ
うなアルミニウム、クロム、チタン或いはインジウムな
どを用いると、いずれの場合にも接触抵抗が比較的高い
という問題があった。すなわち、アルミニウムを電極に
用いてＬＥＤを作製し、電流−電圧特性を評価すると、
２０ｍＡにおける微分抵抗が数１００Ωと高い。半導体
レーザの場合は、ＬＥＤよりも電流密度を高くする必要
があるために、電極の接触面積をさらに小さくする必要
がある。従って、半導体レーザの場合は、電流−電圧特
性における微分抵抗がさらに大きくなる。その結果とし
て、レーザの動作電圧が上昇し、発熱により発振しきい
値が上昇したり、光出力が飽和するという問題があっ
た。上述したような問題は、アルミニウムの場合だけで
なく、クロム、チタン或いはインジウムなどを電極材料
として用いる場合にも同様に生じていた。
【０００７】また、接触抵抗を下げるために半導体層の
キャリア濃度を高くすると、結晶性が劣化するという問
題があった。すなわち、ｎ型Ｉｎx Ａｌy Ｇａ1-x-y Ｎ
層のキャリア濃度を高くするために、不純物を１×１０
19ｃｍ-3以上の高濃度にドープすると結晶性が劣化し
て、その表面モフォロジーも劣化する。一般に、窒化物
系の青色半導体素子は、ｎ型半導体層を下層にして、順
にｐ型半導体層をエピタキシャル成長させる。従って、
下層のｎ型半導体層の結晶性が劣化すると、その表面モ
フォロジーも劣化し、その上に成長する発光層などの半
導体層の結晶性も劣化して、良好な発光特性を得ること
ができないという致命的な問題を生ずることとなる。
【０００８】一方、前述したような従来の電極構造で
は、接触抵抗が比較的高いという問題があった。特に、
ｐ型Ｉｎx Ａｌy Ｇａ1-x-y Ｎ層に対しては、一般的に
良好なオーミック接触を確保することが容易でない。従
って、ｎ側だけでなく、ｐ側においても接触抵抗が高い
ために生ずる上述の問題が同様に発生していた。
【０００９】さらに、従来の電極はＩｎx Ａｌy Ｇａ
1-x-y Ｎ層に対する付着強度が十分でないために、素子
抵抗の増加や電極の剥離などが生じやすいという問題が
あった。従って、素子の初期特性のみならず、信頼性も
低下するという問題が生じやすかった。さらに、電極の
付着強度が十分でないと、いわゆるフリップ・チップ実
装を実施することが困難となる。従って、フリップ・チ
ップ実装により得られる、電気的、光学的な諸特性の向
上や実装寸法の縮小などを実現することができないとい
う問題があった。
【００１０】以上説明したような従来技術の問題点は、
すべて、従来の窒化物系発光素子の電極が、半導体層の
結晶性を維持しつつ付着強度の向上と接触抵抗の低減と
いう要求を両立し得ないことに起因している。本発明
は、かかる点に鑑みてなされたものである。すなわち、
本発明は、Ｉｎx Ａｌy Ｇａ1-x-y Ｎ層に対して、その
結晶性を維持しつつ、接触抵抗が低く、かつ、十分な付
着強度を有する電極構造を有する半導体発光素子および
その製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明による
第１の半導体発光素子は、複数の化合物半導体層を積層
した積層構造体のｎ型Ｉｎx Ａｌy Ｇａ1-x-y Ｎ層のコ
ンタクト領域上に、ＩＶ族元素及びＶＩ族元素のうちの
少なくともいずれかの元素成分を含む第１の金属層を堆
積し、その金属層に含まれていた前記ＩＶ族元素及びＶ
Ｉ族元素のうちの少なくともいずれかの前記元素成分が
拡散侵入されることにより、そのコンタクト領域のキャ
リア濃度が上昇して、前記第１の金属層との接触抵抗が
低下したものとして構成される。
【００１２】また、この第１の金属層としては、金、ニ
ッケル、銀、チタン及びアルミニウムからなるグループ
のうちの少なくとも１つの金属元素を主要成分として有
することが望ましい。
【００１３】さらに、この元素成分は、炭素、シリコ
ン、酸素、イオウ及びセレンからなるグループのうちの
少なくとも１つの元素成分であることが望ましい。
【００１４】本発明による第２の半導体発光素子は、複
数の化合物半導体層を積層した積層構造体のＩｎx Ａｌ
y Ｇａ1-x-y Ｎコンタクト領域上に、炭素、ゲルマニウ
ム、セレン、ロジウム、テルル、イリジウム、ジルコニ
ウム、ハフニウム、銅、窒化チタン、窒化タングステ
ン、モリブデン及び珪化チタンからなるグループのうち
の少なくとも１つにより構成されている第１の金属層が
堆積されていることを特徴とするものとして構成され
る。
【００１５】また、そのコンタクト領域は、前記第１の
金属層を介しての不純物のイオン注入により、そのキャ
リア濃度が上昇して、前記第１の金属層との接触抵抗が
低下したものとして構成されていることが望ましい。
【００１６】さらに、そのコンタクト領域の導電型はｐ
型であり、前記不純物は、ＩＩ族元素であることが望ま
しい。
【００１７】また、前記ＩＩ族元素は、ＺｎまたはＭｇ
のいずれかであることが望ましい。
【００１８】さらに、前記コンタクト領域の導電型はｎ
型であり、前記不純物は、ＩＶ族元素及びＶＩ族元素の
うちのいずれかであることが望ましい。
【００１９】また、前記不純物は、炭素、シリコン、酸
素、イオウ及びセレンからなるグループののうちの少な
くとも１つであることが望ましい。
【００２０】本発明による第１の半導体発光素子の製造
方法は、少なくとも一部分にｎ型Ｉｎx Ａｌy Ｇａ
1-x-y Ｎ（０≦ｘ，ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）コンタクト領
域を有する半導体ウェーハにおいて、前記ｎ型コンタク
ト領域の上にＩＶ族元素及びＶＩ族元素のうちの少なく
ともいずれかの元素成分を含む第１の金属層を堆積する
工程と、前記半導体ウェーハの熱処理により、前記第１
の金属層に含まれている前記元素成分を前記ｎ型Ｉｎx
Ａｌy Ｇａ1-x-y Ｎコンタクト領域に拡散させて、前記
コンタクト領域の表面キャリア濃度の上昇を図り、前記
第１の金属層との接触抵抗を低下させる工程と、を備え
たことを特徴とするものとして構成される。
【００２１】また、前記第１の金属層は、金、ニッケ
ル、銀、チタン及びアルミニウムからなるグループのう
ちの少なくとも１つの金属元素を主要成分として有する
ことが望ましい。
【００２２】また、前記元素成分は、炭素、シリコン、
酸素、イオウ及びセレンからなるグループのうちの少な
くとも１つの元素成分であることが望ましい。
【００２３】また、前記第１の金属層は、スパッタリン
グ法により堆積することが望ましい。
【００２４】本発明による第２の半導体発光装置の製造
方法は、少なくとも一部分にＩｎxＡｌy Ｇａ1-x-y Ｎ
（０≦ｘ，ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）コンタクト領域を有す
る半導体ウェーハにおいて、前記コンタクト領域の上に
第１の金属層を堆積する堆積工程と、前記第１の金属層
を介して前記コンタクト領域に不純物を注入するイオン
注入工程と、前記半導体ウェーハの熱処理により、前記
コンタクト領域に注入された前記不純物を活性化させ
て、前記コンタクト領域のキャリア濃度の上昇を図り前
記第１の電極層との接触抵抗を低下させる熱処理工程
と、を備えたことを特徴とするものとして構成される。
【００２５】また、前記第１の金属層は、炭素、ゲルマ
ニウム、セレン、ロジウム、テルル、イリジウム、ジル
コニウム、ハフニウム、銅、窒化チタン、窒化タングス
テン、モリブデン及び珪化チタンからなるグループのう
ちの少なくとも１つにより構成されていることが望まし
い。
【００２６】また、前記堆積工程における前記コンタク
ト領域の導電型はｐ型であり、前記イオン注入工程にお
ける前記不純物はＩＩ族元素であることが望ましい。
【００２７】また、前記ＩＩ族元素は、ＺｎまたはＭｇ
のいずれかであることが望ましい。
【００２８】さらに、前記堆積工程における前記コンタ
クト領域の導電型はｎ型であり、前記イオン注入工程に
おける前記不純物は、ＩＶ族元素及びＶＩ族元素のうち
のいずれかであることが望ましい。
【００２９】また、前記不純物は、炭素、シリコン、酸
素、イオウ及びセレンからなるグループののうちの少な
くとも１つであることが望ましい。
【００３０】また、前記堆積工程における前記第１金属
層の層厚は１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、前記イオ
ン注入工程における加速電圧は１０ｋｅＶ以上１０００
ｋｅＶ以下であり、ドーズ量は１×１０13イオン／ｃｍ
2 以上１×１０17イオン／ｃｍ2 以下であり、前記熱処
理工程における熱処理温度は、４００℃以上１２００℃
以下であることが望ましい。
【００３１】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態におい
ては、ｎ型Ｉｎx Ａｌy Ｇａ1-x-y Ｎ層上にＩＶ族元素
またはＶＩ族元素を含む金属からなる電極を堆積するこ
とにより、半導体層の結晶性を維持しつつ、接触抵抗を
低減し、電極の付着強度を向上させることをひとつの特
徴としている。
【００３２】また、本発明の第２の実施の形態において
は、ｎ型Ｉｎx Ａｌy Ｇａ1-x-y Ｎ層またはｐ型Ｉｎx
Ａｌy Ｇａ1-x-y Ｎ層に対して、炭素、ゲルマニウム、
セレン、ロジウム、テルル、イリジウム、ジルコニウ
ム、ハフニウム、銅、窒化チタン、窒化タングステン、
モリブデン或いは珪化チタンなどの電極材料を堆積した
後にこれらの半導体層のキャリア濃度を上げるような不
純物をイオン注入し、アニールすることをひとつの特徴
としている。このようにすれば、半導体層の結晶性を維
持しつつ、接触抵抗を低減し、電極の付着強度を向上さ
せることができる。
【００３３】以下、図面を参照しながら本発明の実施の
形態について説明する。図１は、本発明による半導体発
光素子の構成を表す概略構成図である。すなわち、同図
（ａ）は、その概略平面図であり、同図（ｂ）は、その
Ａ−Ａ’線概略断面図である。同図に例示した発光素子
１０は、紫外から緑色の波長帯において発光する窒化ガ
リウム系発光素子である。
【００３４】まず、その概略構成について以下に説明す
る。
【００３５】発光素子１０は、サファイア基板１２上に
積層された半導体の多層構造を有する。サファイア基板
１２上には、バッファ層１４、ｎ型コンタクト層１６、
ｎ型クラッド層１８、活性層２０、ｐ型クラッド層２２
およびｐ型コンタクト層２４がこの順序で形成されてい
る。
【００３６】バッファ層１４の材料は、例えばｎ型又は
アンドープのＩｎx Ａｌy Ｇａ1-x- y Ｎとすることがで
きる。ｎ型コンタクト層１６は、ｎ側電極３４とのオー
ミック接触を確保するように高いキャリア濃度を有する
ｎ型の半導体層であり、その材料は、例えば、Ｉｎx Ａ
ｌy Ｇａ1-x-y Ｎとすることができる。ｎ型クラッド層
１８およびｐ型クラッド層２２は、それぞれ活性層２０
に光を閉じこめる役割を有し、活性層よりも低い屈折率
を有することが必要とされる。その材料は、例えば、活
性層２０よりもバッドギャップの大きいＩｎx Ａｌy Ｇ
ａ1-x-y Ｎとすることができる。活性層２０は、発光素
子に電流として注入されたキャリアが再結合することに
より発光を生ずる半導体層である。その材料としては、
例えば、アンドープのＩｎx Ａｌy Ｇａ1-x-y Ｎを用い
ることができる。ｐ型コンタクト層２４は、ｐ側電極と
のオーミック接触を確保するように高いキャリア濃度を
有するｐ型の半導体層であり、その材料は、例えば、Ｉ
ｎx Ａｌy Ｇａ1-x-y Ｎとすることができる。
【００３７】ｐ型コンタクト層２４の上には、ｐ側電極
層２６が堆積されている。また、ｎ型コンタクト層１６
の上には、ｎ側電極層３４が堆積されている。
【００３８】ｐ型コンタクト層２４の上の一部分には、
電流阻止層３０が形成されている。電流阻止層３０の上
にはＡｕ電極３２が堆積され、その一部分は第２の電極
２６と接触している。Ａｕ電極３２は、ボンディング・
パッドとしての役割を有し、駆動電流を素子に供給する
ためのワイアがボンディングされる。
【００３９】電流阻止層３０は、Ａｕ電極３２の下部で
発光が生ずるのを抑制する役割を有する。
【００４０】すなわち、図１に示した発光素子では、活
性層で生じた発光を電極層２６を透過して上方に取り出
すようにされている。しかし、ボンディング・パッド部
３２では電極の厚さが厚いために光を透過させることが
できない。従って、電極３２の下で生ずる発光は、外部
に取り出すことができず無駄となる。そこで、電流阻止
層３０を設けることにより、電極３２の下に駆動電流が
注入されないようにして、光の取り出し効率を向上させ
るようにしている。
【００４１】また、ｎ側電極層３４の上にもボンディン
グ・パッド３２が積層されている。ボンディング・パッ
ド３２は、Ａｕを厚く堆積することにより形成すること
ができる。さらに、ボンディング・パッド３２以外の表
面部分は、酸化シリコン層４５により覆われている。
【００４２】発光素子１０の概略構成は、以上に説明し
た通りである。ここで、本発明の特徴点は、その電極部
にある。すなわち、本発明の第１の実施の形態において
は、ｎ型電極層３４として、ＩＶ族元素またはＶＩ族元
素の少なくともいずれかを含んだ金属を堆積する。ＩＶ
族元素やＶＩ族元素は、ｎ型コンタクト層２４に対し
て、そのキャリア濃度を上昇させるドーパントの役割を
有する。しかし、本発明の実験によれば、これらのＩＶ
族元素やＶＩ族元素を直接、ｎ型コンタクト層２４上に
堆積すると、極めて剥離が生じ易いことが分かった。そ
こで、種々の試作を行った結果、金などの金属と、これ
らのＩＶ族またはＶＩ族元素とを合金化させて堆積する
と、極めて良好な結果が得られることを知得した。すな
わち、ｎ型コンタクト層２４に対して十分な付着強度を
維持しつつ、電極の接触抵抗を十分に低下することがで
きた。ここで、電極の付着強度が維持されるのは、ホス
ト金属である金などの金属の作用であると推測される。
また、接触抵抗が低下するのは、ＩＶ族またはＶＩ族元
素がｎ型コンタクト層２４の表面層中に侵入拡散して、
そのキャリア濃度を上昇させるからであると推測され
る。
【００４３】本発明において採用できるＩＶ族またはＶ
Ｉ族元素としては、ホスト金属と合金化が容易であり、
ｎ型コンタクト層２４に拡散してドナーを形成しやすい
元素であることが望ましい。
【００４４】本発明者の実験によれば、ＩＶ族元素とし
ては、炭素、シリコン、ゲルマニウム、錫及び鉛を用い
ると良好な結果が得られることが分かった。これらのう
ちで、接触抵抗の低減効果が特に顕著であったのは、炭
素及びシリコンであった。
【００４５】一方、ＶＩ族元素としては、酸素、イオ
ウ、セレン、テルル及びポロニウムを用いると良好な結
果が得られることが分かった。これらのうちで接触抵抗
の低減が特に顕著であったのは、酸素、イオウ及びセレ
ンであった。
【００４６】また、これらの添加元素と合金化させるホ
スト金属は、これらの元素と合金化しやすく、且つｎ型
コンタクト層２４に対する付着強度が優れる金属が望ま
しい。均一な合金を得るという点では、添加元素と固溶
体を形成する金属であることが特に望ましい。
【００４７】本発明者の実験によれば、ホスト金属とし
ては、金の他に、ニッケル、銀、チタン、アルミニウム
あるいはプラチナを用いると良好な結果が得られること
が分かった。次に、本発明の第１の実施の形態による発
光素子１０の製造工程について概略的に説明する。図２
〜図４は、本発明による発光素子１０の製造工程を表す
概略工程断面図である。
【００４８】発光素子１０の製造に際しては、まず、図
２（ａ）に示したように、サファイア基板１２上に各半
導体層１４〜２４を順次エピタキシャル成長する。この
成長方法としては、例えば、分子線エピタキシャル成長
法（ＭＢＥ法）や有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）
を用いることができる。
【００４９】次に、図２（ｂ）に示したように、その最
上層２４の表面にドライ・エッチング用マスクの酸化シ
リコン膜４０を堆積する。
【００５０】次に、図２（ｃ）に示したように、レジス
ト４１を用いて酸化シリコン膜４０をパターニングす
る。
【００５１】続いて、図２（ｄ）に示したように、酸化
シリコン膜４０及びレジスト４１をマスクにして、半導
体層の一部分をｎ側コンタクト層１６の層中までドライ
・エッチングする。
【００５２】次に、図３（ａ）に示したように、酸化シ
リコン膜４０及びレジスト４１を剥離する。
【００５３】続いて、図３（ｂ）に示したように、酸化
シリコン膜３０を堆積し、レジスト４３によってパター
ニングして、ｎ側電極パターニング用のマスクを形成す
る。
【００５４】次に、図３（ｃ）に示したように、ｎ側電
極３４を、例えばＡｕ−２％Ｓｉを堆積する。この堆積
方法としては、例えばスパッタリング法を用いることが
できる。堆積した電極膜は、レジスト４３を用いてリフ
ト・オフすることにより、パターニングする。さらに、
熱処理することにより、ｎ側電極３４のオーミック接触
を形成する。本発明者の実験によれば、金などのホスト
金属とＩＶ族またはＶＩ族元素との合金を原料として用
いる場合に、抵抗加熱法を用いると、電極の剥離が生ず
る場合があった。これは、これらの金属元素の蒸気圧の
相違によるものと推測される。すなわち、本発明におい
て用いる金などのホスト金属の平衡蒸気圧は、添加元素
であるＩＶ族またはＶＩ族元素の平衡蒸気圧よりもはる
かに低い場合がある。例えば、１０００℃における平衡
蒸気圧は、金では５×１０-10 Ｔｏｒｒ程度であるのに
対して、セレンでは１０3 Ｔｏｒｒ以上で、両者は１０
13倍以上も異なる。このような場合に、両者の合金を原
料にして抵抗加熱法により蒸着を試みると、蒸気圧が高
いセレンの方が優先的に蒸発して、ｎ型コンタクト層２
４の表面に堆積する。その結果として、電極の剥離が生
じ易くなるものと推測される。
【００５５】従って、合金を原料として用いる場合のｎ
側電極３４の堆積法としては、一般的には、スパッタリ
ング法が望ましい。すなわち、スパッタリング法によれ
ば、合金の各元素の平衡蒸気圧が顕著に異なるような場
合でも、均一な組成分布の電極を堆積できるという効果
が得られる。
【００５６】しかし、合金の各元素の平衡蒸気圧がそれ
ほど相違しない場合には、抵抗加熱法によって堆積して
も良い。例えば、ホスト金属して金を選択し、ＩＶ族元
素としてシリコンを選択した場合には、両者の平衡蒸気
圧はおおむね近い値を有する。従って、金とシリコンの
合金を抵抗加熱法により堆積しても、前述したような極
端な偏析に起因する電極の剥離は生じない。抵抗加熱法
によれば、スパッタリング法のような高価なターゲット
を用意せずに堆積が可能であるという効果が得られる。
【００５７】さらに、ｎ側電極３４をいわゆる多元蒸着
法により堆積しても良い。すなわち、金などのホスト金
属と、ＶＩ族元素またはＶＩ族元素とを、それぞれ別の
蒸発源から蒸発させて、合金膜を堆積しても良い。この
方法によれば、ホスト金属と、添加元素との堆積速度を
独立して制御できるので、前述した偏析による剥離を防
止して所定の組成の合金電極膜を堆積することができる
という効果が得られる。さらに、予め原料としての合金
を用意する必要がなくなり、製造が容易になるという効
果も得られる。
【００５８】このようにして、所定の合金膜を堆積した
後に、パターニングして、さらに熱処理を施す。この熱
処理によって、ｎ側電極３４に含まれているＩＶ族また
はＶＩ族元素がｎ型コンタクト層２４の表面層中に拡散
侵入して、キャリア濃度を上昇させる。そして、電極３
４の接触抵抗を低下させることができる。さらに、電極
３４を構成しているホスト金属とｎ型コンタクト層２４
との合金化も生じ、電極の付着強度が向上する。この熱
処理の条件は、ｎ型電極３４のホスト金属及び添加元素
の種類、組成或いは膜厚などに応じて適宜設定すること
ができる。熱処理が不十分であると、接触抵抗が十分に
低下せず、電極の付着強度も向上しない。また、過度の
熱処理を施すと、ホスト金属と半導体層との合金化が過
度に生じて表面が凹凸状となり、良好な特性が得られな
くなる傾向が認められた。例えば、Ａｕ−２％Ｓｉを採
用した場合の熱処理条件としては、８００〜９００℃で
４０秒間程度のフラッシュアニールとすることが望まし
い。
【００５９】次に、図３（ｄ）に示したように、再びレ
ジスト４４を堆積し、パターニングして、ｐ側電極をパ
ターニングするためのマスクを形成する。
【００６０】そして、図４（ａ）に示したように、ｐ側
電極２６を堆積し、レジスト４４を用いてリフト・オフ
することにより、パターニングする。
【００６１】次に、図４（ａ）に示したように、酸化シ
リコン４５を堆積し、レジスト４６によってパターニン
グしてボンディング金属用のマスクを形成する。
【００６２】そして、図４（ｂ）に示したように、Ａｕ
を蒸着し、レジスト４６を用いてリフト・オフすること
により、パターニングする。このパターニングによっ
て、ｐ側電極およびｎ側電極の上にボンディング金属と
してＡｕが形成される。
【００６３】以上に説明した工程によりサファイア基板
１２上に形成された発光素子は、その後に劈開あるいは
スクライブにより分離され、ステム、チップキャリア或
いは実装基板上に所定の方法でマウントされる。さら
に、ｐ側電極及びｎ側電極にワイアがボンディングされ
て発光装置が完成する。
【００６４】このようにして得られた青色発光素子は、
従来の素子と比べて、動作電圧も微分抵抗値も低いこと
が分かった。これは、ｎ側電極の接触抵抗が顕著に低下
したためである。すなわち、結晶成長時には、ｎ型コン
タクト層１８の表面モフォロジーが劣化しないように、
そのキャリア濃度を１×１０17〜１×１０19ｃｍ-3程度
に設定して、成長後にその表面キャリア濃度を上昇させ
ることができた。
【００６５】さらに、本発明による青色発光素子は、従
来の素子と比べて、光出力の飽和レベルが高く、温度特
性が良好で従来よりもより高温で動作させることができ
るようになった。また、本発明による発光素子は、従来
の素子よりも寿命が長いことが分かった。これは、動作
電圧が低いために、従来よりも発熱量が少なく、発熱に
伴う光出力の低下や素子寿命の劣化が生じにくいためで
あると推測される。
【００６６】さらに、本発明による青色発光素子は、電
極の剥離も生ずることがなく、ワイアボンディング工程
の歩留まりも従来と変わることがなかった。
【００６７】つまり、本発明によれば、電極の剥離を抑
制しつつ、接触抵抗を低下させて、素子の発光特性や寿
命を改善することが可能となる。
【００６８】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。本実施形態による発光素子の概略構成は、図
１と近似するので、以降の説明では、便宜的に図１を流
用して説明する。
【００６９】本実施形態による発光素子１０’は、ｐ側
電極２６’またはｎ側電極３４’に関して特徴を有す
る。すなわち、本実施形態においては、ｐ型コンタクト
層２４または、ｎ型コンタクト層１８の上に導電性の電
極層２６’または３４’を堆積した後に、イオン注入法
により所定の不純物を各コンタクト層２４、１８に打ち
込み、さらに、熱処理を施す。
【００７０】本実施形態によれば、このように、電極層
の上からドーパントをイオン注入するので、イオン注入
に伴う半導体層の結晶の損傷を抑制できる。また、電極
層の存在によって、注入ドーパントの侵入深さが浅くな
り、各コンタクト層２４、１８の表面層付近にキャリア
濃度の高い領域を形成して、接触抵抗を効果的に低下す
ることができる。さらに、電極層２６、３４の上からイ
オン注入するので、電極層２６’、３４’と各コンタク
ト層２４、１８とのミキシングが生じて、電極の付着強
度が向上する。
【００７１】ここで電極層２６’、３４’の材料として
は、それぞれ、コンタクト層２４、１８に対して付着強
度の高いものが望ましい。このような材料としては、例
えば、炭素、ゲルマニウム、セレン、ロジウム、テル
ル、イリジウム、ジルコニウム、ハフニウム、銅、窒化
チタン、窒化タングステン、モリブデン或いは珪化チタ
ンを挙げることができる。
【００７２】これらのうちで、ロジウム、イリジウム
は、半導体層と強固に密着し、電極ハガレが抑制でき
る。
【００７３】また、Ｃ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｔｅは、半導体層
のドーパント材料であるため、半導体層となじみがよ
く、電極界面等に出来る酸化膜が、非常に少なくオーミ
ック性がよい。
【００７４】また、Ｃｕは、窒化物半導体層に侵入する
ことなく形成でき、発熱効果に優れ温度特性がさらに向
上する。ジルコニウム或いはハフニウムを用いた場合
は、半導体中で非発光センターを形成するＩ族元素の侵
入を特に抑制できるという効果が得られる。また、モリ
ブデンを用いた場合には、密着性が優れ高温の熱処理に
耐えしかも下地の半導体からの窒素の乖離蒸発を特に抑
制することができるという効果が得られる。一方、窒化
チタン或いは窒化タングステンを用いた場合には、熱処
理による下地の半導体からの窒素の乖離蒸発を抑制する
ために高温での熱処理が可能となり、コンタクト層のキ
ャリア濃度をさらに上昇させて接触抵抗を低減すること
ができるという効果が得られる。また、珪化チタンを用
いた場合には、ボンディング・パッドのＡｕなどの金属
元素の半導体層への拡散侵入を特に抑制することがで
き、素子のサージ耐圧が特に改善されるという効果が得
られる。
【００７５】また、イオン注入する不純物としては、各
コンタクト層２４、１８において、キャリア濃度を上昇
させるドーパントとなるものが望ましい。このような不
純物としては、例えば、ｐ型コンタクト層２４に対して
は、ＩＩ族元素が挙げられる。本発明者の実験によれ
ば、ベリリウム、マグネシウム及び亜鉛を用いた場合に
特に良好な結果が得られた。これは、これらの元素がＩ
ＩＩ−Ｖ族半導体中でアクセプタを形成しやすく、ま
た、コンタクト層の結晶性の損傷も少ないからである。
しかし、これらの元素の他に、カルシウム、ストロンチ
ウム、カドミウム或いは水銀なども採用することができ
る。
【００７６】一方、ｎ型コンタクト層１８に対する不純
物としては、ＩＶ族元素またはＶＩ族元素が挙げられ
る。本発明者の実験によれば、炭素、シリコン、錫、イ
オウ、セレン及びテルルを用いた場合に特に良好な結果
が得られた。
【００７７】次に、本実施形態による発光素子１０’の
製造工程について概略的に説明する。図５〜図７は、本
発明による発光素子１０’の製造工程を表す概略工程断
面図である。
【００７８】発光素子１０’の製造に際しては、まず、
図５（ａ）に示したように、サファイア基板１２上に各
半導体層１４〜２４を順次エピタキシャル成長する。こ
の成長方法としては、例えば、有機金属気相成長法（Ｍ
ＯＣＶＤ法）を用いることができる。
【００７９】さらに、その後の図５（ｂ）〜図６（ｂ）
に示した一連の工程は、図２（ｂ）〜図３（ｂ）に示し
た各工程と実質的に同一である。従って、同一の部分に
同一の符号を付して、説明を省略する。
【００８０】本実施形態のひとつの特徴は、まず、図６
（ｃ）に示したｐ側電極の形成工程にある。すなわち、
図６（ｃ）に示したように、ｎ側電極３４’を堆積す
る。この堆積方法としては、例えば電子ビーム蒸着法、
抵抗加熱法或いはスパッタリング法などを用いることが
できる。堆積した電極膜は、レジスト４３を用いてリフ
ト・オフすることにより、パターニングする。さらに、
イオン注入法により、不純物として、例えばマグネシウ
ムを打ち込む。この時に、打ち込まれた不純物は、電極
３４’を通り抜けて、ｐ型コンタクト層２４の表面層の
中まで侵入する。しかし、それ以外の部分では、酸化シ
リコン層３０がマスクとなるために、打ち込まれた不純
物は、半導体層１８まで侵入することは無い。
【００８１】次に、図６（ｄ）に示したように、再びレ
ジスト４４を堆積し、パターニングして、ｐ側電極をリ
フト・オフするためのマスクを形成する。
【００８２】そして、図６（ｅ）に示したように、ｐ側
電極２６’を堆積し、レジスト４４を用いてリフト・オ
フすることにより、パターニングする。ｐ側電極２６’
の堆積方法としては、例えば電子ビーム蒸着法、抵抗加
熱法或いはスパッタリング法などを用いることができ
る。
【００８３】次に、図７（ａ）に示したように、酸化シ
リコン４８を堆積し、パターニングしてイオン注入用の
マスクを形成する。そして、イオン注入法により、不純
物として、例えばシリコンを打ち込む。この時に、打ち
込まれた不純物は、電極２６’を通り抜けて、ｎ型コン
タクト層１８の表面層の中まで侵入する。しかし、それ
以外の部分では、酸化シリコン層４８がマスクとなるた
めに、打ち込まれた不純物は、ｐ型電極２６’や半導体
層２４まで侵入することは無い。
【００８４】さらに、熱処理を施して、不純物が打ち込
まれた半導体層１８の結晶性を回復するとともに、打ち
込まれた不純部を活性化させる。また、この熱処理によ
って、電極３４’中に含まれていた注入不純物が、コン
タクト層２４に拡散侵入して、そのキャリア濃度を上昇
させるという効果も得られる。熱処理の条件は、不純物
の種類やイオン注入の条件によって最適値を適宜決定す
る必要がある。本発明者の実験によれば、４００〜１２
００℃で５秒（フラッシュアニールを含む）〜６０分間
の熱処理を施すことにより、ｐ型コンタクト層２４の結
晶性が回復し、打ち込まれた不純物も十分に活性化する
ことが分かった。
【００８５】次に、図７（ｂ）に示したように、酸化シ
リコン４８を除去する。
【００８６】次に、図７（ｃ）に示したように、新たに
酸化シリコン４５を堆積し、レジスト４６によってパタ
ーニングしてボンディング金属用のマスクを形成する。
【００８７】そして、図７（ｄ）に示したように、Ａｕ
を蒸着し、レジスト４６を用いてリフト・オフすること
により、パターニングする。このパターニングによっ
て、ｐ側電極２６’およびｎ側電極３４’の上にボンデ
ィング金属としてＡｕが形成される。
【００８８】以上に説明した工程によりサファイア基板
１２上に形成された発光素子は、その後に劈開又はスク
ライブにより分離され、ステム、チップキャリア或いは
実装基板上に所定の方法でマウントされる。さらに、ｐ
側電極及びｎ側電極の上にそれぞれ堆積されたボンディ
ング金属上にワイアがボンディングされて発光装置１
０’が完成する。
【００８９】本発明者は、本実施形態におけるｐ側電極
２６’及びｎ側電極３４’の形成に際して、電極の膜厚
と、イオン注入の条件とを様々に変化させる実験を行っ
た。
【００９０】図８は、この実験の結果をまとめたグラフ
図である。すなわち、同図の横軸はイオン注入時の加速
電圧を表し、縦軸は、電極の膜厚を表す。同図中に斜線
で記した領域は、電極の接触抵抗と付着強度とがいずれ
も良好であった条件を表す。図８の斜線領域よりも左側
では、打ち込まれた不純物がコンタクト層まで到達せ
ず、接触抵抗の低下が不十分であった。また、斜線領域
の右側では、加速電圧が高すぎるために、コンタクト層
の結晶性が過度の損傷を受け、熱処理を施しても接触抵
抗が十分に低下しなかった。すなわち、本実施形態にお
いて良好な結果が得られるのは、加速電圧で１０〜１０
００ＫｅＶ、電極膜厚が１〜５００ｎｍの範囲であり、
両者は依存していることが分かった。
【００９１】また、イオン注入時のドーズ量の最適値も
電極の膜厚と加速電圧とに依存する。本発明者の実験に
よれば、上述の電極膜厚及び加速電圧の範囲に対応し
て、ドーズ量として１×１０13〜１×１０17イオン／ｃ
ｍ2 の範囲で良好な結果が得られた。
【００９２】本発明者は、本実施形態によりＧａＮ系の
青色発光素子を試作して、従来の発光素子と特性を比較
した。図９は、本発明による半導体発光素子の諸特性を
従来の発光素子と比較して表した特性図である。すなわ
ち、図９（ａ）は電流・電圧特性図、同図（ｂ）は電流
・光出力特性図、同図（ｃ）は信頼性特性図である。
【００９３】試作した発光素子は、本発明の第２の実施
形態によるものである。素子の積層構造は、図１に示し
たものを用いた。また、ｐ側電極としてはモリブデンを
１０ｎｍ堆積し、イオン注入法によりマグネシウムを注
入した。イオン注入の加速電圧は２００ＫｅＶ、ドーズ
量は１×１０16イオン／ｃｍ2 とした。また、イオン注
入後に８００℃で５分間の熱処理を施した。
【００９４】また、ｎ側電極としては珪化チタンを１０
ｎｍ堆積し、イオン注入法によりシリコンを注入した。
イオン注入の加速電圧は２００ＫｅＶ、ドーズ量は１×
１０16イオン／ｃｍ2 とした。また、イオン注入後に１
１００℃で３０秒の熱処理を施した。
【００９５】一方、比較のために作成した従来の発光素
子においては、ｐ側電極としてＡｕを採用し、それ以外
の素子構造および作成プロセスは、本発明による素子と
同一とした。
【００９６】図９（ａ）に示したように、本発明による
素子は、従来のものより、動作電圧も微分抵抗も低い。
例えば、電流値が２０ｍＡの時の動作電圧を比較する
と、従来は５Ｖであったのに対して、本発明による素子
は３．３Ｖと低い。また、立ち上がり後の傾斜も本発明
による素子の方が従来よりも大きく、微分抵抗が低いこ
とを示している。
【００９７】本発明によれば、このように動作電圧が低
いために、発光特性も大幅に改善される。すなわち、図
９（ｂ）に示したように、従来の素子では動作電流３０
ｍＡ程度で光出力が飽和して２ｍＷ以上の出力を得るこ
とができなかった。しかし、本発明によれば、動作電流
１００ｍＡまで光出力は飽和せず、８ｍＷ以上の出力を
得ることができる。本発明における光出力の向上は、動
作電圧が低いことに起因している。すなわち、本発明に
よれば、動作電圧が従来よりも低いために、電流供給に
伴う発熱が少なく、発熱に伴う発光特性の低下が生じに
くい。
【００９８】また、本発明によれば、発光素子の寿命も
大幅に改善することができる。すなわち、図９（ｃ）に
示したように、従来の素子では、発光動作の開始と同時
に連続的に光出力が劣化し続ける。この初期の劣化は、
非発光センターにより生ずる。すなわち、従来の素子で
は、電極の接触抵抗が高いために、発熱量が大きく、電
極の材料などの不純物元素が、時間の経過とともに半導
体層中に拡散侵入する。このような、不純物元素の拡散
侵入は、発光素子の発熱量が多いと、熱的に活性化され
て促進される。そして、半導体層中に拡散侵入した不純
物元素は、深い準位として、非発光性の再結合センタを
形成し、発光効率を低下させる。このようにして、初期
の劣化が生ずる。
【００９９】さらに、従来の素子においては、連続動作
時間が約１０００時間を経過すると、光出力は急速に劣
化する。これは、前述した非発光センターで生ずる再結
合エネルギにより、徐々に結晶欠陥が形成され、成長し
て、発光素子の活性層に達することにより生ずる。この
ような、結晶欠陥の成長も、発光素子の発熱量が多い
と、促進される。
【０１００】一方、本発明による発光素子は、１０００
０時間以上の動作時間に対して、光出力は極めて安定し
ている。すなわち、１００００時間経過時においても、
初期値の約９５％の光出力を維持している。このように
優れた信頼性を示すのは、電極の接触抵抗が低いためで
ある。すなわち、発光素子の発熱量が極めて少なく、前
述したような非発光センタとなる不純物元素の拡散侵入
や結晶欠陥の成長が生じにくいからである。
【０１０１】また、本発明によれば、ｐ側電極の密着性
も顕著に改善される。すなわち、Ａｕ電極を採用した従
来の素子では、ワイア・ボンディング工程において電極
の剥離が８０％前後も発生する場合があった。しかし、
本発明による発光素子では、ワイア・ボンディング工程
における電極剥離の割合は１％以下であり、組立歩留ま
りが顕著に改善された。
【０１０２】さらに、本発明によれば、サージ耐圧も改
善される。すなわち、従来の素子では、電極の接触抵抗
が高く、電極の付着強度も十分でなかったために、サー
ジ耐圧が低下し、ＥＩＡＪ規格による測定値は、約５０
Ｖに過ぎなかった。しかし、本発明による素子では、電
極の接触抵抗も付着強度も改善されたために、ＥＩＡＪ
規格による測定値は３００Ｖ以上と大きく向上した。
【０１０３】また、本発明によれば、半導体層の結晶性
や表面モフォロジーを劣化することなく、接触抵抗を低
下することができるという効果も得ることができる。す
なわち、従来の構造では、電極の接触抵抗を下げるため
には、コンタクト層にドーパントを高濃度にドープし
て、キャリア濃度を上げる必要があった。しかし、その
ように高濃度にドーピングすると、コンタクト層の結晶
性が低下し、表面モフォロジーが劣化するという問題が
生じていた。本発明によれば、このような問題を生じる
ことなく、コンタクト層のキャリア濃度を上げて、電極
の接触抵抗を低下させることができる。
【０１０４】また、図１においては、ｐ側電極２６とｎ
側電極３４とは、それぞれ単層の場合を例示したが、本
発明はこれに限定されるものではない。この他の例とし
て、例えば、ｐ側電極２６またはｎ側電極３４の少なく
ともいずれかを積層構造としても良い。すなわち、コン
タクト層の上にまず、密着性の優れたモリブデンなどの
薄い層を堆積し、その上にボンディング・パッドの金の
拡散に対するバリアとなるチタンなどの金属層を堆積す
るようにしても良い。
【０１０５】さらに、本発明においては、前述した第１
の実施の形態と第２の実施の形態とを組み合わせても良
い。すなわち、ｎ側電極３４として、例えばＩＶ族元素
を含んだ珪化チタンを堆積し、その上からイオン注入法
により、さらにＩＶ族元素として例えばシリコンを打ち
込んで、しかる後に熱処理を施しても良い。このように
すると、ｎ側電極３４の接触抵抗も付着強度もさらに改
善することができる。
【０１０６】次に、本発明による第３の発光素子につい
て説明する。図１０は、本発明による第２の半導体発光
素子の断面を表す概略構成図である。すなわち、同図に
示した発光素子５０は、多重量子井戸型の青色発光半導
体レーザである。発光素子５０は、サファイア基板５２
を有し、その上にＧａＮからなるパッファ層５４が堆積
され、さらに、ＧａＮからなるアンドープ層５６、Ｇａ
Ｎからなるｎ型コンタクト層５８、Ｉｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ
からなるクラック防止層６０、Ｇａ0.85Ａｌ0.15Ｎから
なるｎ型クラッド層６２、ＧａＮからなるｎ型光ガイド
層６４、Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ（ｘ＝０．２／０．０５）か
らなるＭＱＷ活性層６６、Ｇａ0.88Ａｌ0.12Ｎからなる
ｐ型蒸発防止層６８、ＧａＮからなるｐ型光ガイド層７
０、Ｇａ0.85Ａｌ0.15Ｎからなるｐ型クラッド層７２、
ＧａＮからなるｐ型コンタクト層７４が、この順序で堆
積されている。
【０１０７】ここで、ＭＱＷ層６６は、Ｉｎx Ｇａ1-x
Ｎのインジウム組成比ｘ＝０．２の結晶層とｘ＝０．０
５の結晶層とを、それぞれの層厚を４ｎｍ、８ｎｍとし
て、周期積層した多重量子井戸構造を有する。
【０１０８】ｐ型コンタクト層７４の上には、絶縁膜７
６を介してｐ側電極７８が形成されている。また、ｎ型
コンタクト層５８の上には、ｎ側電極８０が形成されて
いる。
【０１０９】それぞれの電極の上には、金を堆積するこ
とによって図示しないボンディング・パッドが形成され
る。これらのボンディング・パッドには、外部から駆動
電流を供給するための図示しないワイアがボンディング
される。
【０１１０】図１０に示した発光素子５０の製造に際し
ては、各半導体層５４〜７４は、例えば、有機金属気相
成長法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線エピタキシャル成長法
（ＭＢＥ法）によりサファイア基板５２上にエピタキシ
ャル成長することができる。
【０１１１】半導体発光素子５０の製造工程について
は、図２〜図４或いは図５〜図７に関連して前述した各
工程と概略同様であるために詳しい説明は省略する。
【０１１２】本発明者は、発光素子５０のｐ側電極７８
及びｎ側電極８０を、それぞれ本発明の実施形態により
形成した。すなわち、ｐ側電極７８は、窒化チタンを１
０ｎｍ堆積することにより形成し、さらに、その上から
イオン注入法により、亜鉛を加速電圧１００ｋｅＶ、ド
ーズ量１×１０16イオン／ｃｍ2 の条件で打ち込んだ。
さらに、７５０℃で３０分間のアニールを施すことによ
り、良好な接触抵抗と付着強度とを有するｐ側電極を形
成することができた。
【０１１３】さらに、ｎ側電極８０としては、２種類の
ものを作成した。まず、本発明の第１の実施形態に従っ
たのとして、珪化チタンを１００ｎｍ堆積して、８５０
℃で４０秒の熱処理を施した。また、本発明の第２の実
施形態に従ったものとして、モリブデンを１００ｎｍ堆
積し、その上からイオン注入法により、イオウを加速電
圧１５０ｋｅＶ、ドーズ量１×１０16イオン／ｃｍ2 の
条件で打ち込み、しかる後に１１００℃で２０秒のフラ
ッシュ・アニールを施した。
【０１１４】このようにして作成した素子においては、
第１の実施形態によるｎ側電極も、第２の実施形態によ
るｎ側電極も、極めて低い接触抵抗と良好な付着強度と
を示した。また、発光素子５０の諸特性を評価した結
果、図１に示した発光素子１０’に関して前述したよう
な種々の効果も得られることが確認された。すなわち、
発光素子５０は、従来の素子と比較して、駆動電圧が低
下し、光出力が上昇し、信頼性が向上するとともに、電
極の剥離が抑制され、サージ耐圧も改善された。
【０１１５】さらに、レーザ素子として極めて重要な特
性である、温度特性が顕著に改善された結果、室温にお
いて連続発振動作が得られた。
【０１１６】図１０においては、ｐ側電極７８及びｎ側
電極８０として、それぞれ単層の電極構造を図示した。
しかし、本発明は、これに限定されるものではない。こ
の他の例として、例えば、前述したように、各電極層が
積層構造を有していてもよい。また、これらの電極層の
上に、さらに、図示しない第３の電極層を堆積しても良
い。
【０１１７】また、図１０に示した発光素子５０は、Ｉ
ｎx Ｇａy Ａｌ1-x-y Ｎ系半導体（０≦ｘ，ｙ≦１，ｘ
＋ｙ≦１）発光素子としての一例を挙げたものに過ぎな
い。その他にも例えば、ｎ型クラッド層６２及びｐ型ク
ラッド層６８を屈折率が徐々に変化するグレーデッド層
としても良い。さらに、同図に例示した各半導体層の導
電型を反転させた構造の素子も本発明の範囲に包含され
る。さらに、本発明は、その他にも、Ｉｎx Ａｌy Ｇａ
1-x-y Ｎ系半導体（０≦ｘ，ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）層に
おいて電極を形成する必要のあるすべての発光素子に対
して適用することができる。
【０１１８】
【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に説明する効果を奏する。
【０１１９】まず、本発明によれば、半導体発光素子の
電極の接触抵抗が低減される。従って、発光素子の動作
電圧を低下することができ、発熱に起因する光出力の低
下や発振しきい値の上昇を抑制することにより、発光特
性を向上することができる。
【０１２０】また、本発明によれば、半導体発光素子の
電極の付着強度を改善することができる。従って、電極
の剥離による素子抵抗の増大や接触不良などの信頼性の
劣化を抑制することができる。また、振動などに対する
物理的な耐久性が向上することによって、半導体発光素
子を搭載したＤＶＤや光ディスク再生装置、光通信シス
テム、ディプレイなどの信頼性を顕著に向上させ、扱い
易くすることができる。同時に、電極の付着強度が改善
された結果として、いわゆるフリップ・チップ実装が容
易となる。したがって、実装工程が簡素化され、半導体
発光素子の実装状態での電気的、光学的性能が向上し、
また、外形寸法も縮小することができる。
【０１２１】さらに、本発明によれば、素子の発熱量が
少なくなるので、半導体発光素子の半導体層に結晶欠陥
を発生させる電極材料などの不純物元素の拡散侵入を抑
制することができる。従って、これらの結晶欠陥に起因
するＤＬＤなどによる発光特性の劣化を防ぐことがで
き、半導体発光素子の発光特性の寿命を延ばして信頼性
を改善することができる。
【０１２２】また、本発明によれば、サージ耐圧が改善
される。従って、発光素子の信頼性が向上し、サージに
対して従来必要とされていた保護手段や保護回路も不要
となる。
【０１２３】また、本発明によれば、従来の製造装置を
そのまま用い、特別な原料も用意することなく上述した
ような様々の顕著な効果を得ることができる。
【０１２４】このように、本発明によれば、高性能で高
信頼性を有する半導体発光素子を簡単なプロセスにより
高歩留まりで生産できるようになり、産業上のメリット
は多大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体発光素子の概略構成を表す
概略平面図及び断面図である。
【図２】本発明による半導体発光素子の製造工程の一部
を表す概略工程断面図である。
【図３】本発明による半導体発光素子の製造工程の一部
を表す概略工程断面図である。
【図４】本発明による半導体発光素子の製造工程の一部
を表す概略工程断面図である。
【図５】本発明による半導体発光素子の製造工程の一部
を表す概略工程断面図である。
【図６】本発明による半導体発光素子の製造工程の一部
を表す概略工程断面図である。
【図７】本発明による半導体発光素子の製造工程の一部
を表す概略工程断面図である。
【図８】本発明において、電極の膜厚とイオン注入の条
件とを変化させた結果を表わすグラフ図である。
【図９】本発明による半導体発光素子の特性を表す特性
図である。
【図１０】本発明による別の半導体発光素子の構成を表
す概略平面図及び断面図である。
【符号の説明】
１０、５０ 半導体発光素子 １２、５２ サファイア基板 １４、５４ バッファ層 １６、５８ ｎコンタクト層 １８、６２ ｎ型クラッド層 ２０、６６ 活性層 ２２、７２ ｐ型クラッド層 ２４、７４ ｐ型コンタクト層 ２６、２６’、７８ ｐ側電極層 ３０ 電流阻止層 ３２ ボンディング・パッド ３４、３４’、７０ ｎ側電極 ４０、４５、４８ 酸化シリコン ４１、４３、４４、４６ レジスト ５６ アンドープ層 ６０ クラック防止層 ６４ ｎ型光ガイド層 ７０ ｐ型光ガイド層

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】少なくともｎ型Ｉｎx Ａｌy Ｇａ1-x-y Ｎ
    （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）層を含む複数
    の化合物半導体層を積層した積層構造体と、この積層構
    造体における前記ｎ型Ｉｎx Ａｌy Ｇａ1-x-y Ｎ層のコ
    ンタクト領域上に堆積された第１の金属層と、を有し、 前記第１の金属層は、ＩＶ族元素及びＶＩ族元素のうち
    の少なくともいずれかの元素成分を含み、 前記ｎ型Ｉｎx Ａｌy Ｇａ1-x-y Ｎ層のコンタクト領域
    は、前記第１の金属層に含まれていた前記ＩＶ族元素及
    びＶＩ族元素のうちの少なくともいずれかの前記元素成
    分が拡散侵入されることにより、そのコンタクト領域の
    キャリア濃度が上昇して、前記第１の金属層との接触抵
    抗が低下したものとして構成されていることを特徴とす
    る半導体発光素子。
  2. 【請求項２】少なくともＩｎx Ａｌy Ｇａ1-x-y Ｎ（０
    ≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）層を含む複数の化
    合物半導体層を積層した積層構造体と、この積層構造体
    のコンタクト領域上に堆積された第１の金属層とを有
    し、 前記第１の金属層は、炭素、ゲルマニウム、セレン、ロ
    ジウム、テルル、イリジウム、ジルコニウム、ハフニウ
    ム、銅、窒化チタン、窒化タングステン、モリブデン及
    び珪化チタンからなるグループのうちの少なくとも１つ
    により構成されていることを特徴とする半導体発光素
    子。
  3. 【請求項３】前記コンタクト領域は、前記第１の金属層
    を介しての不純物のイオン注入により、そのキャリア濃
    度が上昇して、前記第１の金属層との接触抵抗が低下し
    たものとして構成されていることを特徴とする請求項２
    記載の素子。
  4. 【請求項４】少なくとも一部分にｎ型Ｉｎx Ａｌy Ｇａ
    1-x-y Ｎ（０≦ｘ，ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）コンタクト領
    域を有する半導体ウェーハに基づく半導体発光装置の製
    造方法において、 前記ｎ型コンタクト領域の上にＩＶ族元素及びＶＩ族元
    素のうちの少なくともいずれかの元素成分を含む第１の
    金属層を堆積する工程と、 前記半導体ウェーハの熱処理により、前記第１の金属層
    に含まれている前記元素成分を前記ｎ型Ｉｎx Ａｌy Ｇ
    ａ1-x-y Ｎコンタクト領域に拡散させて、前記コンタク
    ト領域の表面キャリア濃度の上昇を図り、前記第１の金
    属層との接触抵抗を低下させる工程と、を備えたことを
    特徴とする半導体発光素子の製造方法。
  5. 【請求項５】少なくとも一部分にＩｎx Ａｌy Ｇａ
    1-x-y Ｎ（０≦ｘ，ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）コンタクト領
    域を有する半導体ウェーハに基づく半導体発光素子の製
    造方法において、 前記コンタクト領域の上に第１の金属層を堆積する堆積
    工程と、 前記第１の金属層を介して前記コンタクト領域に不純物
    を注入するイオン注入工程と、 前記半導体ウェーハの熱処理により、前記コンタクト領
    域に注入された前記不純物を活性化させて、前記コンタ
    クト領域のキャリア濃度の上昇を図り前記第１の電極層
    との接触抵抗を低下させる熱処理工程と、 を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
  6. 【請求項６】前記堆積工程における前記第１の金属層
    は、炭素、ゲルマニウム、セレン、ロジウム、テルル、
    イリジウム、ジルコニウム、ハフニウム、銅、窒化チタ
    ン、窒化タングステン、モリブデン及び珪化チタンから
    なるグループのうちの少なくとも１つにより構成されて
    いることを特徴とする請求項５記載の方法。
  7. 【請求項７】前記堆積工程における前記第１金属層の層
    厚は１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、 前記イオン注入工程における加速電圧は１０ｋｅＶ以上
    １０００ｋｅＶ以下であり、ドーズ量は１×１０13イオ
    ン／ｃｍ2 以上１×１０17イオン／ｃｍ2 以下であり、 前記熱処理工程における熱処理温度は、４００℃以上１
    ２００℃以下であることを特徴とする請求項５〜６のい
    ずれか１つに記載の方法。
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US09/895,172 US6417020B2 (en) 1997-03-05 2001-07-02 Nitride compound light emitting device and method for fabricating the same

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001102678A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Toshiba Corp 窒化ガリウム系化合物半導体素子
JP2004006991A (ja) * 2002-08-27 2004-01-08 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子
US7358544B2 (en) 2004-03-31 2008-04-15 Nichia Corporation Nitride semiconductor light emitting device
EP2362435A1 (en) * 1999-12-02 2011-08-31 Cree Inc. High efficiency light emitters with reduced polarization-induced charges
KR101169036B1 (ko) 2010-10-21 2012-07-26 갤럭시아포토닉스 주식회사 전류 저지층을 포함하는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지
CN104409599A (zh) * 2014-11-20 2015-03-11 华灿光电股份有限公司 一种发光二极管芯片及其制造方法
US9620677B2 (en) 2001-10-26 2017-04-11 Lg Innotek Co., Ltd. Diode having vertical structure
KR20170083353A (ko) * 2016-01-08 2017-07-18 엘지이노텍 주식회사 발광소자

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7365369B2 (en) * 1997-07-25 2008-04-29 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
US6936859B1 (en) * 1998-05-13 2005-08-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound
US6423984B1 (en) * 1998-09-10 2002-07-23 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using gallium nitride compound semiconductor
JP3459607B2 (ja) * 1999-03-24 2003-10-20 三洋電機株式会社 半導体レーザ素子およびその製造方法
JP3705016B2 (ja) * 1999-06-28 2005-10-12 豊田合成株式会社 透光性電極用膜及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子
US6774449B1 (en) 1999-09-16 2004-08-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method for fabricating the same
JP4897133B2 (ja) * 1999-12-09 2012-03-14 ソニー株式会社 半導体発光素子、その製造方法および配設基板
JP3846150B2 (ja) * 2000-03-27 2006-11-15 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子および電極形成方法
US6344665B1 (en) * 2000-06-23 2002-02-05 Arima Optoelectronics Corp. Electrode structure of compound semiconductor device
JP3963068B2 (ja) * 2000-07-19 2007-08-22 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
US6635987B1 (en) * 2000-09-26 2003-10-21 General Electric Company High power white LED lamp structure using unique phosphor application for LED lighting products
WO2002031865A1 (en) * 2000-10-13 2002-04-18 Emcore Corporation Method of making an electrode
US7615780B2 (en) * 2000-10-23 2009-11-10 General Electric Company DNA biosensor and methods for making and using the same
US7102158B2 (en) * 2000-10-23 2006-09-05 General Electric Company Light-based system for detecting analytes
JP3912044B2 (ja) * 2001-06-06 2007-05-09 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法
US6753197B2 (en) 2001-06-29 2004-06-22 Xanoptix, Inc. Opto-electronic device integration
CN1274005C (zh) * 2001-06-29 2006-09-06 美莎诺普有限公司 光电子器件集成
US7831151B2 (en) 2001-06-29 2010-11-09 John Trezza Redundant optical device array
US6724794B2 (en) 2001-06-29 2004-04-20 Xanoptix, Inc. Opto-electronic device integration
US6620642B2 (en) * 2001-06-29 2003-09-16 Xanoptix, Inc. Opto-electronic device integration
US6633421B2 (en) 2001-06-29 2003-10-14 Xanoptrix, Inc. Integrated arrays of modulators and lasers on electronics
US6790691B2 (en) 2001-06-29 2004-09-14 Xanoptix, Inc. Opto-electronic device integration
US6753199B2 (en) * 2001-06-29 2004-06-22 Xanoptix, Inc. Topside active optical device apparatus and method
US6775308B2 (en) 2001-06-29 2004-08-10 Xanoptix, Inc. Multi-wavelength semiconductor laser arrays and applications thereof
US6731665B2 (en) 2001-06-29 2004-05-04 Xanoptix Inc. Laser arrays for high power fiber amplifier pumps
US8294172B2 (en) 2002-04-09 2012-10-23 Lg Electronics Inc. Method of fabricating vertical devices using a metal support film
US20030189215A1 (en) * 2002-04-09 2003-10-09 Jong-Lam Lee Method of fabricating vertical structure leds
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
US6958498B2 (en) * 2002-09-27 2005-10-25 Emcore Corporation Optimized contact design for flip-chip LED
KR100612832B1 (ko) * 2003-05-07 2006-08-18 삼성전자주식회사 고성능의 질화갈륨계 광소자 구현을 위한 니켈계 고용체를 이용한 오믹 접촉 형성을 위한 금속박막 및 그 제조방법
DE10321954A1 (de) * 2003-05-15 2004-12-02 Vishay Semiconductor Gmbh Einzelhalbleiterelement in Flip-Chip-Bauweise
DE10334353A1 (de) * 2003-07-25 2005-02-17 Forschungszentrum Jülich GmbH Verfahren zur Herstellung eines Kontaktes und elektronisches Bauelement, umfassend derartige Kontakte
KR100456063B1 (ko) 2004-02-13 2004-11-10 에피밸리 주식회사 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자
JP2006148032A (ja) * 2004-11-25 2006-06-08 Toshiba Corp 半導体レーザ装置
KR100631898B1 (ko) * 2005-01-19 2006-10-11 삼성전기주식회사 Ｅｓｄ보호 능력을 갖는 질화갈륨계 발광 소자 및 그 제조방법
JP2007158132A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法
JP2007005663A (ja) * 2005-06-27 2007-01-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
KR100631126B1 (ko) 2005-07-21 2006-10-02 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101041843B1 (ko) * 2005-07-30 2011-06-17 삼성엘이디 주식회사 질화물계 화합물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
WO2007040295A1 (en) * 2005-10-04 2007-04-12 Seoul Opto Device Co., Ltd. (al, ga, in)n-based compound semiconductor and method of fabricating the same
US8425858B2 (en) * 2005-10-14 2013-04-23 Morpho Detection, Inc. Detection apparatus and associated method
US20070086916A1 (en) * 2005-10-14 2007-04-19 General Electric Company Faceted structure, article, sensor device, and method
KR101241477B1 (ko) * 2006-01-27 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
JP2007273492A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Mitsubishi Electric Corp 窒化物半導体装置およびその製造方法
US20080116494A1 (en) * 2006-11-20 2008-05-22 Matthias Goldbach Method for manufacturing a semiconductor device
US7683398B2 (en) * 2007-03-02 2010-03-23 Mitsubishi Electric Corporation Nitride semiconductor device having a silicon-containing connection layer and manufacturing method thereof
JP5251038B2 (ja) * 2007-08-23 2013-07-31 豊田合成株式会社 発光装置
KR100882112B1 (ko) * 2007-09-28 2009-02-06 삼성전기주식회사 반도체 발광소자 및 그의 제조방법
JP2009164233A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Rohm Co Ltd 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法
JP5426124B2 (ja) 2008-08-28 2014-02-26 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置
JP2010245365A (ja) * 2009-04-08 2010-10-28 Sony Corp 半導体発光素子組立体の製造方法、半導体発光素子、電子機器、及び、画像表示装置
US8936976B2 (en) * 2009-12-23 2015-01-20 Intel Corporation Conductivity improvements for III-V semiconductor devices
KR101719623B1 (ko) * 2010-09-07 2017-03-24 엘지이노텍 주식회사 발광소자
US8952413B2 (en) * 2012-03-08 2015-02-10 Micron Technology, Inc. Etched trenches in bond materials for die singulation, and associated systems and methods
KR101929891B1 (ko) 2012-06-08 2018-12-17 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
CN102931309B (zh) * 2012-11-15 2015-04-01 安徽三安光电有限公司 一种倒装发光二极管及其制作方法
US11387392B2 (en) * 2018-12-25 2022-07-12 Nichia Corporation Light-emitting device and display device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61102730A (ja) * 1984-10-26 1986-05-21 Agency Of Ind Science & Technol オ−ミツク接触の形成方法
JPS62155562A (ja) * 1985-12-27 1987-07-10 Nec Corp ３−５族化合物半導体素子の電極構造
JPH0669546A (ja) * 1992-08-21 1994-03-11 Asahi Chem Ind Co Ltd 発光ダイオード
JPH08153892A (ja) * 1994-09-30 1996-06-11 Rohm Co Ltd 半導体発光素子、およびその製造方法
JPH1022494A (ja) * 1996-07-03 1998-01-23 Sony Corp オーミック電極およびその形成方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2778349B2 (ja) 1992-04-10 1998-07-23 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の電極
US5656832A (en) * 1994-03-09 1997-08-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor heterojunction device with ALN buffer layer of 3nm-10nm average film thickness
JP4183299B2 (ja) * 1998-03-25 2008-11-19 株式会社東芝 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61102730A (ja) * 1984-10-26 1986-05-21 Agency Of Ind Science & Technol オ−ミツク接触の形成方法
JPS62155562A (ja) * 1985-12-27 1987-07-10 Nec Corp ３−５族化合物半導体素子の電極構造
JPH0669546A (ja) * 1992-08-21 1994-03-11 Asahi Chem Ind Co Ltd 発光ダイオード
JPH08153892A (ja) * 1994-09-30 1996-06-11 Rohm Co Ltd 半導体発光素子、およびその製造方法
JPH1022494A (ja) * 1996-07-03 1998-01-23 Sony Corp オーミック電極およびその形成方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001102678A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Toshiba Corp 窒化ガリウム系化合物半導体素子
EP2362435A1 (en) * 1999-12-02 2011-08-31 Cree Inc. High efficiency light emitters with reduced polarization-induced charges
US9620677B2 (en) 2001-10-26 2017-04-11 Lg Innotek Co., Ltd. Diode having vertical structure
US10032959B2 (en) 2001-10-26 2018-07-24 Lg Innotek Co., Ltd. Diode having vertical structure
US10326055B2 (en) 2001-10-26 2019-06-18 Lg Innotek Co., Ltd. Diode having vertical structure
JP2004006991A (ja) * 2002-08-27 2004-01-08 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子
JP4507532B2 (ja) * 2002-08-27 2010-07-21 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US7358544B2 (en) 2004-03-31 2008-04-15 Nichia Corporation Nitride semiconductor light emitting device
US7791098B2 (en) 2004-03-31 2010-09-07 Nichia Corporation Nitride semiconductor light emitting device
KR101169036B1 (ko) 2010-10-21 2012-07-26 갤럭시아포토닉스 주식회사 전류 저지층을 포함하는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지
CN104409599A (zh) * 2014-11-20 2015-03-11 华灿光电股份有限公司 一种发光二极管芯片及其制造方法
KR20170083353A (ko) * 2016-01-08 2017-07-18 엘지이노텍 주식회사 발광소자

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