JPH10242035A - 位置検出方法及び半導体基板と露光マスク - Google Patents
位置検出方法及び半導体基板と露光マスクInfo
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- JPH10242035A JPH10242035A JP9046525A JP4652597A JPH10242035A JP H10242035 A JPH10242035 A JP H10242035A JP 9046525 A JP9046525 A JP 9046525A JP 4652597 A JP4652597 A JP 4652597A JP H10242035 A JPH10242035 A JP H10242035A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
置検出が可能な高精度なアライメントを行うことができ
る位置検出方法を提供する。 【解決手段】 入射光を散乱させるエッジを有するウエ
ハマークを露光面上に有し、エッジを露光面と平行な平
面へ垂直投影した像が曲線状であるウエハと、入射光を
散乱させるエッジを有するウエハマークを表面上に有
し、エッジを表面と平行な平面へ垂直投影した像が曲線
状である露光マスクとを、露光面が露光マスクに対向す
るように間隙を挟んで配置する。ウエハマーク及びマス
クマークの曲線状のエッジ部分に照明光を照射し、曲線
状のエッジからの散乱光を露光面に対して斜め方向から
観測することにより、ウエハと露光マスクとの相対位置
を検出する。
Description
位置検出方法、及びアライメントマークに関し、特に、
近接露光のスループット向上に適した位置検出方法、及
びアライメントマークに関する。
アライメント装置を用いてウエハとマスクの位置合わせ
を行う方法として、垂直検出法と斜方検出法が知られて
いる。垂直検出法は、アライメントマークをマスク面に
垂直な方向から観測する方法であり、斜方検出法は、斜
めから観測する方法である。
色収差二重焦点法が知られている。色収差二重焦点法
は、マスクに形成されたマスクマークとウエハに形成さ
れたウエハマーク(ウエハマークとマスクマークとを総
称してアライメントマークと呼ぶ。)とを異なる波長の
光で観測し、レンズ系の色収差を利用して同一平面に結
像させる方法である。色収差二重焦点法は、原理的にレ
ンズの光学的な分解能を高く設定できるため、絶対的な
位置検出精度を高めることができる。
観測するために、観測のための光学系が露光領域に入り
込む。このままで露光すると、光学系が露光光を遮るこ
とになるため、露光時には光学系を露光領域から退避さ
せる必要がある。退避させるための移動時間が必要にな
るため、スループットが低下する。また、露光時にアラ
イメントマークを観測できないため位置検出ができなく
なる。これは、露光中のアライメント精度低下の原因に
なる。
めになるように光学系を配置するため、露光光を遮らな
いように配置することができる。このため、露光中に光
学系を退避させる必要がなく、露光中でもアライメント
マークを観測することができる。従って、スループット
を低下させることなく、かつ露光中の位置ずれを防止す
ることができる。
マークとマスクマークを斜方から観測して結像させるた
め、像歪により位置検出の絶対精度が低下する。また、
照明光の光軸と観測光の光軸が一致していないため、照
明光の光軸を観測光の光軸と同軸に配置することができ
ない。従って、照明光軸が理想的な光軸からずれ易くな
る。照明光軸が理想的な光軸からずれると、像が変化し
正確な位置検出を行うことが困難になる。
となく、露光中も位置検出が可能な高精度なアライメン
トを行うことができる位置検出方法を提供することであ
る。
と、入射光を散乱させるエッジを有するウエハマークを
露光面上に有するウエハであって、該ウエハのエッジが
露光面と平行な平面へ垂直投影した像が曲線状になる曲
線状部分を有する前記ウエハと、入射光を散乱させるエ
ッジを有するマスクマークを表面上に有する露光マスク
であって、該露光マスクのエッジが、露光マスクの表面
と平行な平面へ垂直投影した像が曲線状になる曲線状部
分を有する前記露光マスクとを、前記露光面が前記露光
マスクに対向するように間隙を挟んで配置する工程と、
前記ウエハマーク及びマスクマークのエッジのうち曲線
状部分に照明光を照射し、曲線状部分からの散乱光を前
記露光面に対して斜め方向から観測して、前記ウエハと
前記露光マスクとの相対位置を検出する工程とを含む位
置検出方法が提供される。
め、観測光学系が露光領域に入り込まないような構成と
することが可能である。このため、露光時に光学系を退
避させる必要なく、また露光期間中もエッジからの散乱
光を観測することができる。エッジが曲線状であるた
め、製造プロセスのばらつきの影響によるエッジ形状及
び位置のばらつきを低減することができる。
させるエッジを有する位置合わせ用ウエハマークが形成
された露光面を有し、前記ウエハマークが、前記入射光
の入射面に対して垂直な方向に沿って複数個配置され、
各エッジの前記露光面への垂直投影像の少なくとも一部
が曲線になる半導体基板が提供される。
させるエッジを有する位置合わせ用マスクマークが形成
され、前記マスクマークが、前記入射光の入射面に対し
て垂直な方向に沿って複数個配置された露光マスクであ
って、各エッジの該露光マスク表面への垂直投影像の少
なくとも一部が曲線になる前記露光マスクが提供され
る。
のばらつきの影響によるエッジ形状及び位置のばらつき
を低減することができる。また、入射面に対して垂直な
方向に複数個のエッジが配列しているため、同時に複数
の像を観測することができる。これらの像を平行移動し
て重ね合わせることにより、容易に相対位置を検出する
ことができる。
本願発明者の先の提案(特願平7−294485)につ
いて説明する。
位置検出装置の概略断面図を示す。位置検出装置はウエ
ハ/マスク保持部10、光学系20、及び制御装置30
を含んで構成されている。
台15、マスク保持台16、及び駆動機構17から構成
されている。位置合わせ時には、ウエハ保持台15の上
面にウエハ11を保持し、マスク保持台16の下面にマ
スク12を保持する。ウエハ11とマスク12とは、ウ
エハ11の露光面とマスク12の下面(マスク面)との
間に一定の間隙が形成されるように平行に配置される。
ウエハ11の露光面には、位置合わせ用のウエハマーク
13が形成され、マスク12のマスク面には位置合わせ
用のマスクマーク14が形成されている。
は、入射光を散乱させるエッジが形成されている。これ
らのマークに光が入射すると、エッジに当たった入射光
は散乱し、その他の領域に当たった入射光は正反射す
る。ここで、正反射とは、入射光のうちほとんどの成分
が、同一の反射方向に反射するような態様の反射をい
う。
スク保持台16を相対的に移動させることができる。図
の左から右にX軸、紙面に垂直な方向に表面から裏面に
向かってY軸、露光面の法線方向にZ軸をとると、ウエ
ハ11とマスク12は相対的に、X軸方向、Y軸方向、
Z軸方向、Z軸の回りの回転方向(θZ 方向)、X軸及
びY軸の回りの回転(あおり)方向(θX 及びθY 方
向)に移動可能である。
2、ハーフミラー23、及び光源24を含んで構成され
ている。
して斜めになるように配置されている。光源24から放
射された照明光はハーフミラー23で反射して光軸25
に沿った光線束とされ、レンズ22を通して露光面に斜
入射される。光源24はレンズ22の像側の焦点に配置
されており、光源24から放射された照明光はレンズ2
2でコリメートされて平行光線束になる。なお、光源2
4は、照射光の強度を調整することができる。
エッジで散乱された散乱光のうちレンズ22に入射する
光は、レンズ22で収束されて像検出装置21の受光面
上に結像する。このように、光学系20による照明はテ
レセン照明とされ、照明光軸と観測光軸は同一光軸とさ
れている。
ハマーク及びマスクマークからの散乱光による像を光電
変換し画像信号を得る。画像信号は制御装置30に入力
される。
された画像信号を処理して、ウエハマーク13とマスク
マーク14の相対位置を検出する。さらに、ウエハマー
ク13とマスクマーク14が所定の相対位置関係になる
ように、駆動機構17に対して制御信号を送出する。駆
動機構17は、この制御信号に基づいて、ウエハ保持台
15もしくはマスク保持台16を移動させる。
クマーク14の相対位置関係を示す平面図である。四辺
がX軸もしくはY軸に平行に配置された長方形パターン
をX軸方向に3個配列して、1個のマークが構成されて
いる。なお、後述するように3個以上の長方形パターン
を配列してもよい。ウエハマーク13は一対で構成され
ており、マスクマーク14が一対のウエハマーク13の
間に配置されている。
マーク14は、図1(B)の一点鎖線A1−A1におけ
る断面を示している。ウエハマーク13及びマスクマー
ク14に入射した照明光は、図1(B)の各長方形パタ
ーンの光軸に向かって突き出したエッジで散乱される。
エッジ以外の領域に照射された光は正反射し、レンズ2
2には入射しない。従って、像検出装置21でエッジか
らの散乱光のみを検出することができる。
て説明する。インコヒーレントな単色光による像の光強
度分布Iは、
物体表面からの反射光の強度分布、PSF(x,y)は
レンズの点像強度分布(point spread function )、積
分は観測物体の表面全域における積分を表す。
ッジに着目すると、光を反射する微小な点がy軸に平行
に配列したものと考えることができる。この微小な1点
からの反射光強度分布をディラックのデルタ関数δと仮
定する。実際に、微小な1点からの散乱光の強度分布は
デルタ関数に近似することができるであろう。レンズの
アイソプラナティズムが成立する範囲で、エッジがy軸
方向に延びているとすると、O(x,y)=δ(x)と
おくことができる。
像強度分布(line spread function)であり、
線像強度分布を表す。
は、
Fλは波長λの線像強度分布、Δxλは波長λの光に対
するレンズの色収差による線像の横ずれ量、積分は全波
長領域における積分を表す。
することはレンズの線像強度分布を観測していることと
等価になることがわかる。従って、エッジからの散乱光
を観測することにより、観測物体からの反射光の面内強
度分布に左右されることなく、常に安定した像を得るこ
とができる。
装置21の受光面に結像した散乱光による像の形状を示
す。観測光軸を含む入射面と受光面との交線方向(露光
面のX軸方向に対応する方向)をx軸、受光面内のx軸
に直交する方向(露光面のY軸方向に対応する方向)を
y軸とすると、1つのエッジによる像はy軸に平行な直
線状形状になる。従って、各マークの像は、y軸に平行
な直線状の像がx軸方向に3個配列した形状になる。
対の像13Aの間に、マスクマーク14のエッジ散乱光
による像14Aが現れている。また、観測光軸が露光面
に対して斜めであるため、マスクマークの像14Aとウ
エハマークの像13Aとは、x軸方向に関して異なる位
置に検出される。
像13A及びマスクマークの像14Aのy軸方向の光強
度分布を示す。一方のウエハマークの像13Aとマスク
マークの像14Aとのy軸方向の距離をy1、他方のウ
エハマークの像13Aとマスクマークの像14Aとのy
軸方向の距離をy2とする。y1とy2を測定すること
により、図1(B)におけるウエハマーク13とマスク
マーク14のy軸方向、すなわち照明光の入射面に対し
て垂直な方向の相対位置関係を知ることができる。
一対のウエハマークの中央に位置するように位置決めし
たい場合には、y1とy2とが等しくなるように、ウエ
ハもしくはマスクのうち一方を他方に対して相対的に移
動させればよい。このようにして、図1(B)における
Y軸方向に関して位置合わせすることができる。図1
(A)、(B)に示すような位置合わせ用のマークと光
学系とを3組配置することにより、X軸、Y軸及びθZ
方向に関して位置合わせすることができる。なお、図1
(A)では、照明光軸と観測光軸とが同軸である場合を
説明したが、必ずしも同軸である必要はない。正反射光
が観測光学系の対物レンズに入射せず、散乱光のみが入
射する条件であればよい。
る方法について説明する。光学系20の物空間において
光軸25に垂直な1つの平面上にある点からの散乱光
が、像検出装置21の受光面に同時に結像する。受光面
に結像している物空間内の点の集合した平面を「物面」
とよぶ。
のうち、物面上にあるエッジからの散乱光は受光面上に
合焦するが、物面上にないエッジからの散乱光は合焦せ
ず物面から遠ざかるに従ってピントがぼける。従って、
各マークのエッジのうち物面に最も近い位置にあるエッ
ジからの散乱光による像が最も鮮明になり、そのエッジ
からX軸方向に離れるに従ってぼけた像が得られる。
マークの像13Aとマスクマークの像14Aのそれぞれ
最もピントの合っている点のx軸方向の距離を表す。す
なわち、距離x1 は、ウエハマークの合焦点とマスクマ
ークの合焦点とを入射面へ垂直投影した点の間隔にほぼ
等しい。
2の物面近傍の入射面における断面図を示す。点Q2 は
ウエハ面11と物面との交線上の点、点Q1 はマスク面
12と物面との交線上の点である。線分Q1 Q2 の長さ
が図1(C)における距離x 1 に対応する。
すと、露光面11とマスク面12との間隔δは、
25とのなす角である。従って、図1(C)における距
離x1 を測定して線分Q1 Q2 の長さを求めることによ
り、間隔δを知ることができる。間隔δをより正確に知
るためには、距離x1 を正確に測定することが好まし
い。このためには、レンズの焦点深度が浅いほうがよ
い。また、図1(B)において、長方形パターンをX軸
方向に多数配列することが好ましい。
記憶させておき、測定された距離x 1 が目標値に近づく
ように駆動機構17を制御することにより、露光面11
とマスク面12との間隔を所望の間隔に設定することが
できる。
形パターンの斜視図の一例を示す。図のXZ平面内の斜
光軸に沿って照明光を斜入射させ、Y軸に沿って延在す
るエッジからの散乱光を観測する。この場合、散乱光に
よる像は、前述の式(4)で示す強度分布になるため、
図2(B)に示すように、受光面のy軸に沿って延在す
る一方向に長い像が得られる。この像は、レンズの線像
強度分布に相当する。
ターンのY軸方向の長さを短くしたパターンを示す。エ
ッジの長さがレンズの解像度よりも短くなると、式
(1)における反射光の強度分布O(x,y)はδ
(x,y)とおくことができるであろう。従って、式
(1)は、
(x,y)は、レンズの点像強度分布を表す。
は、
長、PSFλは波長λの点像強度分布、Δxλは波長λ
の光に対するレンズの色収差による点像のx軸方向の横
ずれ量、Δyλは波長λの光に対するレンズの色収差に
よる点像のy軸方向の横ずれ量、積分は全波長領域にお
ける積分を表す。
能以下にすることにより、図2(D)に示すようにレン
ズの点像強度分布に近似される点像を得ることができ
る。
近傍により照明光を散乱させる長方形パターンの斜視図
を示す。図2(E)に示すような頂点近傍からの散乱光
による像も、式(6)及び(7)に示すような点像強度
分布に近似されると考えられる。本明細書において、照
明光を散乱させるエッジを有するパターンの一単位をエ
ッジパターンと呼ぶ。
マスクマーク及びウエハマークの一配置例を示す。ウエ
ハマーク52Aと52Bとの間にマスクマーク62が配
置されている。各アライメントマーク52A、52B、
及び62は、正方形の平面形状を有するエッジパターン
をX軸方向にピッチPで3行、Y軸方向に2列配列して
構成されている。正方形状の各エッジパターンの1つの
頂点がX軸の正の向き、すなわち観測光軸の方向を向く
ように配置されている。
点を有するエッジパターンを配列して、頂点からの散乱
光を観測しても、図1(A)〜(C)で説明した方法と
同様の方法でウエハとマスクの位置合わせを行うことが
できる。
について説明する。実施例で用いる斜方検出光学系は、
図1(A)に示すものと同様である。図1(B)及び図
2(A)では、直線状のエッジからの散乱光を観測して
位置合わせを行う場合を説明し、図2(E)及び図3で
は、頂点からの散乱光を観測して位置合わせを行う場合
を説明した。本実施例では、露光面もしくはマスク面へ
の垂直投影像が曲線となるエッジからの散乱光を観測す
る。
エハマークの平面図を示し、図4(B)は、その斜視図
を示す。このウエハマークは、シリコン基板表面に形成
されたSiC層の上に堆積したTa4 B膜をパターニン
グすることにより形成され、長さ約3μm、幅約1μm
のメサ構造を有するエッジパターン3個から構成され
る。各エッジパターンの両端は、曲率半径約0.5μm
の半円周状とされている。なお、バックエッチングによ
りシリコン基板の一部を除去し、SiC層を残すことに
より、X線マスクが形成される。
乱光を観測する場合には、エッジパターンの長手方向、
それに直交する面内方向、及び基板法線方向が、それぞ
れ図1(A)のX軸、Y軸、及びZ軸となるように、シ
リコン基板を図1(A)のウエハ保持台15の上に載置
する。すなわち、曲率半径0.5μmの曲線状エッジか
らの散乱光を観測することになる。
つの曲線状エッジからの散乱光を、図1(A)に示す斜
方検出光学系で観測したのきの光強度分布の測定結果を
示す。図5の縦方向が光強度を表し、横方向がシリコン
基板表面のY軸に対応する。すなわち、横方向が図1
(C)のy軸に相当し、奥行き方向がx軸に相当する。
なお、観測光学系のレンズの拡大倍率は100倍、対物
レンズの開口角(NA)は0.35、照明光は白色光で
ある。
乱光による像はほぼ点状となり、その光強度はほぼ一点
で最大値をとる。すなわち、頂点を有するウエハマーク
の頂点からの散乱光とほぼ同様の像が得られることがわ
かる。
エハマーク形成時の製造プロセスのばらつきの影響を受
けやすい。これに対し、円周状のエッジの位置は、製造
プロセスのばらつきの影響を受けにくい。このため、安
定して高精度な位置合わせを行うことが可能になる。な
お、図4では、ウエハマークのエッジを半円周状とした
場合を示したが、ほぼ点状の像を得られる形状であれ
ば、その他の滑らかな曲線状としてもよい。また、この
ような形状のウエハマークを形成するためには、必ずし
もウエハマーク形成のためのウエハマークパターン外周
を滑らかにする必要はない。フォトマスクの外周を矩形
状とし、エッチング時のサイドエッチにより滑らかなエ
ッジを形成してもよい。
径は、0.5μm程度であった。これは、レンズの解像
度にほぼ等しい。エッジの曲率半径をレンズの解像度と
ほぼ同程度もしくは解像度以下とすると、エッジからの
散乱光によりほぼ点状の像が得られる。従って、高精度
の位置合わせを行うためには、エッジの曲率半径をレン
ズの解像度と同程度もしくはそれ以下とすることが好ま
しい。これは、レンズの解像度よりも大きな曲率半径を
有するエッジを使用できないという意味ではない。所望
の位置合わせ精度を得るために、どの程度の曲率半径が
好ましいか、種々の形状のエッジを用いて実験的に確か
めることが好ましい。
及びウエハマークの一配置例を示す。共に2つのウエハ
マーク40Aと40B、及びウエハマーク42Aと42
BがY軸方向に配列している。マスクマーク41及び4
3が、それぞれ2つのウエハマーク40Aと40B、及
び42Aと42Bの間に配置される。
0A、40B、及び41は、X軸方向に長い長円状の平
面形状を有するエッジパターンをX軸方向に2行、Y軸
方向に2列配列して構成されている。
2A、42B、及び43は、円形状の平面形状を有する
エッジパターンをX軸方向に3行、Y軸方向に2列配列
して構成されている。
かなエッジを有するエッジパターンを配列して、エッジ
からの散乱光を観測しても、図1(A)〜(C)で説明
した方法と同様の方法でウエハとマスクの位置合わせを
行うことができる。図6(A)及び6(B)において、
各アライメントマークは、位置合わせが完了した状態で
は、1つのアライメントマークを平行移動して他のアラ
イメントマークに重ねることができるような構成とされ
ている。このため、アライメントマーク間のY軸方向の
距離を容易に測定することができる。また、エッジパタ
ーンをX軸方向に所定のピッチで複数配列することによ
り、いずれかのエッジにピントを合わせることができ、
安定して位置検出を行うことができる。また、図2
(D)で説明したように、ウエハとマスクとの間隔を求
めることができる。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
斜方からウエハマーク及びマスクマークのエッジからの
散乱光を観測して、高精度に位置検出することができ
る。エッジが滑らかな曲線形状を有するため、エッジパ
ターン形成時の製造プロセスのばらつきの影響を軽減す
ることができる。位置合わせを行った後にウエハを露光
する場合、露光範囲に光学系を配置する必要がないた
め、露光期間中も常時位置検出を行うことができる。こ
のため、高精度な露光が可能になる。
使用する位置検出装置の概略断面図、図1(B)は、先
の提案によるウエハマーク及びマスクマークの平面図、
図1(C)は、図1(B)のウエハマーク及びマスクマ
ークからのエッジ散乱光による像及び像面内の光強度分
布を示す図、図1(D)は、ウエハ面及びマスク面の物
面近傍の断面図である。
面に現れた像を示す図である。
及びマスクマークの平面図である。
エッジパターンの平面図及び斜視図である。
光による像の光強度分布を示す図である。
マークの配置例を示す平面図である。
Claims (10)
- 【請求項1】 入射光を散乱させるエッジを有するウエ
ハマークを露光面上に有するウエハであって、該ウエハ
のエッジが露光面と平行な平面へ垂直投影した像が曲線
状になる曲線状部分を有する前記ウエハと、入射光を散
乱させるエッジを有するマスクマークを表面上に有する
露光マスクであって、該露光マスクのエッジが、露光マ
スクの表面と平行な平面へ垂直投影した像が曲線状にな
る曲線状部分を有する前記露光マスクとを、前記露光面
が前記露光マスクに対向するように間隙を挟んで配置す
る工程と、 前記ウエハマーク及びマスクマークのエッジのうち曲線
状部分に照明光を照射し、曲線状部分からの散乱光を前
記露光面に対して斜め方向から観測して、前記ウエハと
前記露光マスクとの相対位置を検出する工程とを含む位
置検出方法。 - 【請求項2】 前記マスクマーク及びウエハマークのエ
ッジのうち曲線状部分を露光面もしくはマスク表面へ垂
直投影した像の曲率半径が、観測光学系の分解能とほぼ
等しいかまたはそれ以下である請求項1に記載の位置検
出方法。 - 【請求項3】 前記相対位置を検出する工程において、
前記露光面に対して斜めの観測光軸を有する光学系で前
記散乱光を観測し、前記照明光は前記ウエハマーク及び
マスクマークからの正反射光が前記光学系に入射しない
方向から照射される請求項1または2に記載の位置検出
方法。 - 【請求項4】 前記照明光の光軸と前記観測光軸とが共
通である請求項3に記載の位置検出方法。 - 【請求項5】 前記ウエハマークが、前記照明光の入射
面に対して垂直な方向に沿って複数個配列し、前記マス
クマークが、前記照明光の入射面に対して垂直な方向に
沿って複数個配列し、 前記相対位置を検出する工程において、前記照明光の入
射面に対して垂直な方向に関する相対位置を検出する請
求項4に記載の位置検出方法。 - 【請求項6】 前記ウエハマークのエッジと前記マスク
マークのエッジとは、位置合わせが完了した状態では一
方を平行移動して他方に重ねることができるように配置
されており、 前記相対位置を検出する工程が、前記ウエハマークのエ
ッジと前記マスクマークのエッジのうち一方を平行移動
すると他方に重ね合わせることができるように、前記ウ
エハと前記露光マスクとの位置を移動する工程を含む請
求項5に記載の位置検出方法。 - 【請求項7】 入射光を散乱させるエッジを有する位置
合わせ用ウエハマークが形成された露光面を有し、前記
ウエハマークが、前記入射光の入射面に対して垂直な方
向に沿って複数個配置され、各エッジの前記露光面への
垂直投影像の少なくとも一部が曲線になる半導体基板。 - 【請求項8】 前記ウエハマークが、前記入射光の入射
面に対して平行な方向に沿って複数個配列されている請
求項7に記載の半導体基板。 - 【請求項9】 入射光を散乱させるエッジを有する位置
合わせ用マスクマークが形成され、前記マスクマーク
が、前記入射光の入射面に対して垂直な方向に沿って複
数個配置された露光マスクであって、各エッジの該露光
マスク表面への垂直投影像の少なくとも一部が曲線にな
る前記露光マスク。 - 【請求項10】 前記マスクマークが、前記入射光の入
射面に対して平行な方向に沿って複数個配列されている
請求項9に記載の露光マスク。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04652597A JP3235782B2 (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 位置検出方法及び半導体基板と露光マスク |
US09/031,184 US6049373A (en) | 1997-02-28 | 1998-02-26 | Position detection technique applied to proximity exposure |
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