JPH10239866A - 剥離処理用リンス液組成物及びそれを用いた基板の処理方法 - Google Patents
剥離処理用リンス液組成物及びそれを用いた基板の処理方法Info
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- JPH10239866A JPH10239866A JP34085897A JP34085897A JPH10239866A JP H10239866 A JPH10239866 A JP H10239866A JP 34085897 A JP34085897 A JP 34085897A JP 34085897 A JP34085897 A JP 34085897A JP H10239866 A JPH10239866 A JP H10239866A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】基板上の微細部分の洗浄が良好に行える上に、
Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕなどの金属薄膜に
腐食を起こすことのない剥離処理用リンス液組成物及び
それを用いた基板の処理方法を提供すること。 【解決手段】フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基
との塩を主要成分とする剥離液で処理した基板をリンス
処理するためのリンス液組成物であって、前記リンス液
組成物が低級アルキレングリコールとそれ以外の水溶性
有機溶媒とを含有することを特徴とする剥離処理用リン
ス液組成物及び前記剥離処理用リンス液組成物で剥離処
理後の基板をリンス処理する方法。
Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕなどの金属薄膜に
腐食を起こすことのない剥離処理用リンス液組成物及び
それを用いた基板の処理方法を提供すること。 【解決手段】フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基
との塩を主要成分とする剥離液で処理した基板をリンス
処理するためのリンス液組成物であって、前記リンス液
組成物が低級アルキレングリコールとそれ以外の水溶性
有機溶媒とを含有することを特徴とする剥離処理用リン
ス液組成物及び前記剥離処理用リンス液組成物で剥離処
理後の基板をリンス処理する方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、剥離処理用リンス液組
成物、さらに詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子或
いは液晶パネル素子作成の際に使用する基板を剥離処理
したのちリンス処理する際に使用するリンス液組成物、
及び該リンス液組成物を用いた基板の処理方法に関す
る。
成物、さらに詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子或
いは液晶パネル素子作成の際に使用する基板を剥離処理
したのちリンス処理する際に使用するリンス液組成物、
及び該リンス液組成物を用いた基板の処理方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液
晶パネル素子は、基板上に形成されたアルミニウム、
銅、アルミニウム合金等の導電性金属膜やＳｉＯ2膜等
の絶縁膜上にホトレジストを均一に塗布し、それを露光
又は電子線により描画したのち、現像してレジストパタ
ーンを形成し、このパターンをマスクとして前記導電性
金属膜や絶縁膜を選択的にエッチングし、微細回路を形
成したのち、不要のレジスト層を剥離液で除去して製造
している。
晶パネル素子は、基板上に形成されたアルミニウム、
銅、アルミニウム合金等の導電性金属膜やＳｉＯ2膜等
の絶縁膜上にホトレジストを均一に塗布し、それを露光
又は電子線により描画したのち、現像してレジストパタ
ーンを形成し、このパターンをマスクとして前記導電性
金属膜や絶縁膜を選択的にエッチングし、微細回路を形
成したのち、不要のレジスト層を剥離液で除去して製造
している。
【０００３】上記レジストを除去する剥離液としては、
アルキルベンゼンスルホン酸を主要成分とした有機スル
ホン酸系剥離液、モノエタノールアミン等の有機アミン
を主要成分とした有機アミン系剥離液、フッ化水素酸を
主要成分としたフッ酸系剥離液などが挙げられる。前記
有機スルホン酸系剥離液は、毒性が高いフェノール化合
物やクロロベンゼン等の有機溶剤が併用されるところか
ら作業性が悪く、環境問題が発生する上に、基板の導電
性金属膜等を腐食し易い欠点を有する。また、有機アミ
ン系剥離液は有機スルホン酸系剥離液に比べ毒性が低
く、廃液処理に煩雑な処理が必要でなく、ドライエッチ
ング、アッシング、イオン注入などの処理で形成される
変質したレジスト膜の剥離性が良い上に、ＡｌやＣｕな
どを含む基板の腐食防止効果にも優れているが、無機的
性質にまで変質したレジスト膜の剥離性が充分でなく、
しかも剥離処理温度が６０〜１３０℃と比較的高温のた
め、剥離液中の可燃性有機化合物が揮発し、それに引火
する危険性があり、多額の防災施設を必要としコスト高
となる等の欠点を有する。さらに、フッ化水素酸を主要
成分とするフッ酸系剥離液は前記無機的変質膜の剥離性
には優れているが、人体に対する安全性に問題があり取
り扱い難い上に、組成物が酸性となるところから剥離槽
と剥離液が入ったコンテナを結ぶ薬液供給装置等の周辺
装置を腐食し易く、煩雑な排気処理、廃液処理が必要で
あるなどの問題点がある。
アルキルベンゼンスルホン酸を主要成分とした有機スル
ホン酸系剥離液、モノエタノールアミン等の有機アミン
を主要成分とした有機アミン系剥離液、フッ化水素酸を
主要成分としたフッ酸系剥離液などが挙げられる。前記
有機スルホン酸系剥離液は、毒性が高いフェノール化合
物やクロロベンゼン等の有機溶剤が併用されるところか
ら作業性が悪く、環境問題が発生する上に、基板の導電
性金属膜等を腐食し易い欠点を有する。また、有機アミ
ン系剥離液は有機スルホン酸系剥離液に比べ毒性が低
く、廃液処理に煩雑な処理が必要でなく、ドライエッチ
ング、アッシング、イオン注入などの処理で形成される
変質したレジスト膜の剥離性が良い上に、ＡｌやＣｕな
どを含む基板の腐食防止効果にも優れているが、無機的
性質にまで変質したレジスト膜の剥離性が充分でなく、
しかも剥離処理温度が６０〜１３０℃と比較的高温のた
め、剥離液中の可燃性有機化合物が揮発し、それに引火
する危険性があり、多額の防災施設を必要としコスト高
となる等の欠点を有する。さらに、フッ化水素酸を主要
成分とするフッ酸系剥離液は前記無機的変質膜の剥離性
には優れているが、人体に対する安全性に問題があり取
り扱い難い上に、組成物が酸性となるところから剥離槽
と剥離液が入ったコンテナを結ぶ薬液供給装置等の周辺
装置を腐食し易く、煩雑な排気処理、廃液処理が必要で
あるなどの問題点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記諸問題点を解決す
る剥離液として、本発明者等はフッ化水素酸と金属イオ
ンを含まない塩基との塩を主要成分とした剥離液（以下
フッ化水素酸塩系剥離液という）を特願平８−１７９８
７２号で既に提案している。前記フッ化水素酸塩系剥離
液は低温での剥離処理が短時間で行える上に、基板上の
金属薄膜や周辺装置等の腐食が防止でき、しかも毒性が
低く、排気処理、廃液処理が容易に行える利点を有する
が、剥離処理後の水洗浄工程での洗浄時間が約１０分間
を超えると、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕなどの金属薄膜を腐食するという問題があった。ま
た、前記水洗浄工程の水をメタノール、エタノール、イ
ソプロピルアルコール、アセトン等の有機溶媒に代えた
ところ、基板上にフッ化水素酸塩の結晶が析出する欠点
があった。さらに、この有機溶媒に代えて、エチレング
リコールを使用したが、粘度が高く微細な部分の洗浄が
十分行えず剥離液の完全洗浄が困難であった。
る剥離液として、本発明者等はフッ化水素酸と金属イオ
ンを含まない塩基との塩を主要成分とした剥離液（以下
フッ化水素酸塩系剥離液という）を特願平８−１７９８
７２号で既に提案している。前記フッ化水素酸塩系剥離
液は低温での剥離処理が短時間で行える上に、基板上の
金属薄膜や周辺装置等の腐食が防止でき、しかも毒性が
低く、排気処理、廃液処理が容易に行える利点を有する
が、剥離処理後の水洗浄工程での洗浄時間が約１０分間
を超えると、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕなどの金属薄膜を腐食するという問題があった。ま
た、前記水洗浄工程の水をメタノール、エタノール、イ
ソプロピルアルコール、アセトン等の有機溶媒に代えた
ところ、基板上にフッ化水素酸塩の結晶が析出する欠点
があった。さらに、この有機溶媒に代えて、エチレング
リコールを使用したが、粘度が高く微細な部分の洗浄が
十分行えず剥離液の完全洗浄が困難であった。
【０００５】こうした現状に鑑み、本発明者等は鋭意研
究を重ねた結果、フッ化水素酸塩系剥離液で剥離処理し
た基板をリンス処理するリンス処理液を低級アルキレン
グリコールとそれ以外の水溶性有機溶媒とを含有する組
成物とすることで、金属薄膜の腐食が防止できる上に、
基板の微細部分の洗浄が良好に行うことができ、しかも
リンス処理後の純水洗浄液の廃液処理にかかる負担が軽
減できることを見出し、本発明を完成したものである。
すなわち、
究を重ねた結果、フッ化水素酸塩系剥離液で剥離処理し
た基板をリンス処理するリンス処理液を低級アルキレン
グリコールとそれ以外の水溶性有機溶媒とを含有する組
成物とすることで、金属薄膜の腐食が防止できる上に、
基板の微細部分の洗浄が良好に行うことができ、しかも
リンス処理後の純水洗浄液の廃液処理にかかる負担が軽
減できることを見出し、本発明を完成したものである。
すなわち、
【０００６】本発明は、基板上の微細部分の洗浄が良好
にできる上に基板の金属薄膜を腐食することのない剥離
処理用リンス液組成物を提供することを目的とする。
にできる上に基板の金属薄膜を腐食することのない剥離
処理用リンス液組成物を提供することを目的とする。
【０００７】また、本発明は、上記剥離処理用リンス液
組成物を用いる基板の処理方法を提供することを目的と
する。
組成物を用いる基板の処理方法を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩
を主要成分とする剥離液で処理した基板をリンス処理す
るためのリンス液組成物であって、前記リンス液組成物
が低級アルキレングリコールとそれ以外の水溶性有機溶
媒とを含有することを特徴とする剥離処理用リンス液組
成物、及び該剥離処理用リンス液組成物を用いる基板の
処理方法に係る。
明は、フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩
を主要成分とする剥離液で処理した基板をリンス処理す
るためのリンス液組成物であって、前記リンス液組成物
が低級アルキレングリコールとそれ以外の水溶性有機溶
媒とを含有することを特徴とする剥離処理用リンス液組
成物、及び該剥離処理用リンス液組成物を用いる基板の
処理方法に係る。
【０００９】本発明の剥離処理用リンス液組成物は、上
述のとおりフッ化水素酸塩系剥離液で剥離処理した半導
体素子や液晶パネル素子製造用の基板をリンス処理する
ためのリンス液であって、低級アルキレングリコールと
それ以外の水溶性有機溶媒とを含有するリンス液組成物
である。前記低級アルキレングリコールは一般式（Ｉ
Ｉ）
述のとおりフッ化水素酸塩系剥離液で剥離処理した半導
体素子や液晶パネル素子製造用の基板をリンス処理する
ためのリンス液であって、低級アルキレングリコールと
それ以外の水溶性有機溶媒とを含有するリンス液組成物
である。前記低級アルキレングリコールは一般式（Ｉ
Ｉ）
【００１０】
【化２】Ｒn（ＯＨ）2 （ＩＩ） （式中、Ｒは直鎖状又は分枝状の飽和炭化水素残基であ
り、ｎは２〜６の整数で ある。）で表される化合物
から選ばれる少なくとも１種であり、具体的には、エチ
レングリコール、プロピレングリコール、トリメチレン
グリコール、１，２−ブチレングリコール、２，３−ブ
チレングリコール等が挙げられる。そして前記化合物の
１種又は２種以上を組み合わせて使用できる。特に水に
対する溶解性の点からエチレングリコール、プロピレン
グリコール又はそれらの混合物が好適に使用できる。
り、ｎは２〜６の整数で ある。）で表される化合物
から選ばれる少なくとも１種であり、具体的には、エチ
レングリコール、プロピレングリコール、トリメチレン
グリコール、１，２−ブチレングリコール、２，３−ブ
チレングリコール等が挙げられる。そして前記化合物の
１種又は２種以上を組み合わせて使用できる。特に水に
対する溶解性の点からエチレングリコール、プロピレン
グリコール又はそれらの混合物が好適に使用できる。
【００１１】上記それ以外の水溶性有機溶媒とは、低級
アルキレングリコール以外の水溶性有機溶媒であって、
メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルア
ルコール等の一価のアルコール類、アセトンのようなケ
トン類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、ジ
メチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロ
キシエチル）スルホン、テトラメチレンスルホン等のス
ルホン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル
ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メ
チルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等の
アミド類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−
２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−
ヒドロキシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエ
チル−２−ピロリドン等のラクタム類、１，３−ジメチ
ル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イ
ミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダ
ゾリジノン等のイミダゾリジノン類、γ−ブチロラクト
ン、δ−バレロラクトン等のラクトン類、エチレングリ
コールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテ
ル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノ
メチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエー
テル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等の多
価アルコール類及びその誘導体が挙げられる。これらの
中で、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロ
ピルアルコール、アセトン、ジメチルスルホキシド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメ
チル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコール
モノブチルエーテルが好ましいが、特にメチルアルコー
ル、エチルアルコール、イソプロピルアルコールなどの
一価のアルコール、中でもイソプロピルアルコールが安
価である上にリンス液の廃液処理時に複雑な処理が不要
で好ましい。
アルキレングリコール以外の水溶性有機溶媒であって、
メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルア
ルコール等の一価のアルコール類、アセトンのようなケ
トン類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、ジ
メチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロ
キシエチル）スルホン、テトラメチレンスルホン等のス
ルホン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル
ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メ
チルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等の
アミド類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−
２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−
ヒドロキシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエ
チル−２−ピロリドン等のラクタム類、１，３−ジメチ
ル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イ
ミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダ
ゾリジノン等のイミダゾリジノン類、γ−ブチロラクト
ン、δ−バレロラクトン等のラクトン類、エチレングリ
コールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテ
ル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノ
メチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエー
テル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等の多
価アルコール類及びその誘導体が挙げられる。これらの
中で、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロ
ピルアルコール、アセトン、ジメチルスルホキシド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメ
チル−２−イミダゾリジノン及びジエチレングリコール
モノブチルエーテルが好ましいが、特にメチルアルコー
ル、エチルアルコール、イソプロピルアルコールなどの
一価のアルコール、中でもイソプロピルアルコールが安
価である上にリンス液の廃液処理時に複雑な処理が不要
で好ましい。
【００１２】本発明の剥離処理用リンス液組成物は、低
級アルキレングリコールを５〜６０重量％、好ましくは
２０〜５０重量％、それ以外の水溶性有機溶媒を４０〜
９５重量％、好ましくは５０〜８０重量％の範囲で含有
する。低級アルキレングリコール以外の水溶性有機溶媒
が４０重量％未満では微細な部分の洗浄性に劣り、また
それ以外の水溶性有機溶媒が９５重量％を超えると基板
上にフッ化水素酸塩の結晶が析出し易くなり好ましくな
い。
級アルキレングリコールを５〜６０重量％、好ましくは
２０〜５０重量％、それ以外の水溶性有機溶媒を４０〜
９５重量％、好ましくは５０〜８０重量％の範囲で含有
する。低級アルキレングリコール以外の水溶性有機溶媒
が４０重量％未満では微細な部分の洗浄性に劣り、また
それ以外の水溶性有機溶媒が９５重量％を超えると基板
上にフッ化水素酸塩の結晶が析出し易くなり好ましくな
い。
【００１３】本発明の剥離処理用リンス液組成物は上記
成分に加えて防食剤を含有することができる。前記防食
剤としては、芳香族ヒドロキシ化合物、アセチレンアル
コール、カルボキシル基含有有機化合物及びその無水
物、トリアゾール化合物及び糖類が挙げられる。芳香族
ヒドロキシ化合物としては、具体的にフェノール、クレ
ゾール、キシレノール、ピロカテコール、レゾルシノー
ル、ヒドロキノン、ピロガロール、１，２，４−ベンゼ
ントリオール、サリチルアルコール、ｐ−ヒドロキシベ
ンジルアルコール、ｏ−ヒドロキシベンジルアルコー
ル、ｐ−ヒドロキシフェネチルアルコール、ｐ−アミノ
フェノール、ｍ−アミノフェノール、ジアミノフェノー
ル、アミノレゾルシノール、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、
ｏ−ヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香
酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロ
キシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸等を挙げ
ることができ、中でもピロカテコールが好適である。
成分に加えて防食剤を含有することができる。前記防食
剤としては、芳香族ヒドロキシ化合物、アセチレンアル
コール、カルボキシル基含有有機化合物及びその無水
物、トリアゾール化合物及び糖類が挙げられる。芳香族
ヒドロキシ化合物としては、具体的にフェノール、クレ
ゾール、キシレノール、ピロカテコール、レゾルシノー
ル、ヒドロキノン、ピロガロール、１，２，４−ベンゼ
ントリオール、サリチルアルコール、ｐ−ヒドロキシベ
ンジルアルコール、ｏ−ヒドロキシベンジルアルコー
ル、ｐ−ヒドロキシフェネチルアルコール、ｐ−アミノ
フェノール、ｍ−アミノフェノール、ジアミノフェノー
ル、アミノレゾルシノール、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、
ｏ−ヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香
酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロ
キシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸等を挙げ
ることができ、中でもピロカテコールが好適である。
【００１４】アセチレンアルコールとしては、具体的に
２−ブチン−１，４−ジオール、３，５−ジメチル−１
−ヘキシン−３−オール、２−メチル−３−ブチン−２
−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オール、
３，６−ジメチル−４−オクチン−３，６−ジオール、
２，４，７，９−テトラメチル−５−デシン−４，７−
ジオール、２，５−ジメチル−３−ヘキシン−２，５−
ジオール等を挙げることができる。中でも２−ブチン−
１，４−ジオールが好適である。
２−ブチン−１，４−ジオール、３，５−ジメチル−１
−ヘキシン−３−オール、２−メチル−３−ブチン−２
−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オール、
３，６−ジメチル−４−オクチン−３，６−ジオール、
２，４，７，９−テトラメチル−５−デシン−４，７−
ジオール、２，５−ジメチル−３−ヘキシン−２，５−
ジオール等を挙げることができる。中でも２−ブチン−
１，４−ジオールが好適である。
【００１５】カルボキシル基含有有機化合物及びその無
水物としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ
酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マ
レイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、１，２，３
−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、乳酸、リン
ゴ酸、クエン酸 、無水酢酸、無水フタル酸、無水マレ
イン酸、無水コハク酸、サリチル酸等を挙げることがで
きる。好ましいカルボキシル基含有有機化合物として
は、蟻酸、フタル酸、安息香酸、無水フタル酸、及びサ
リチル酸があり、特にフタル酸、無水フタル酸及びサリ
チル酸が好適である。
水物としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ
酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マ
レイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、１，２，３
−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、乳酸、リン
ゴ酸、クエン酸 、無水酢酸、無水フタル酸、無水マレ
イン酸、無水コハク酸、サリチル酸等を挙げることがで
きる。好ましいカルボキシル基含有有機化合物として
は、蟻酸、フタル酸、安息香酸、無水フタル酸、及びサ
リチル酸があり、特にフタル酸、無水フタル酸及びサリ
チル酸が好適である。
【００１６】トリアゾール化合物としては、ベンゾトリ
アゾール、ｏ−トリルトリアゾール、ｍ−トリルトリア
ゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カルボキシベンゾト
リアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、ニト
ロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロピルベンゾト
リアゾール等を挙げることができ、中でもベンゾトリア
ゾールが好適である。
アゾール、ｏ−トリルトリアゾール、ｍ−トリルトリア
ゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カルボキシベンゾト
リアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、ニト
ロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロピルベンゾト
リアゾール等を挙げることができ、中でもベンゾトリア
ゾールが好適である。
【００１７】糖類としては、具体的にＤ−ソルビトー
ル、アラビトール、マンニトール、蔗糖、澱粉等を挙げ
ることができ、中でもＤ−ソルビトールが好適である。
ル、アラビトール、マンニトール、蔗糖、澱粉等を挙げ
ることができ、中でもＤ−ソルビトールが好適である。
【００１８】上記各防食剤は１種又は２種以上を組み合
わせて使用できる。
わせて使用できる。
【００１９】上記防食剤を含有する剥離処理用リンス液
組成物は、低級アルキレングリコール５〜４０重量％、
好ましくは１０〜３０重量％、それ以外の水溶性有機溶
媒５５〜９０重量％、好ましくは６０〜８５重量％及び
防食剤０．５〜１５重量％、好ましくは１〜５重量％の
範囲がよい。前記範囲の防食剤を含有することで金属薄
膜の腐食が一段と抑制できて好適である。
組成物は、低級アルキレングリコール５〜４０重量％、
好ましくは１０〜３０重量％、それ以外の水溶性有機溶
媒５５〜９０重量％、好ましくは６０〜８５重量％及び
防食剤０．５〜１５重量％、好ましくは１〜５重量％の
範囲がよい。前記範囲の防食剤を含有することで金属薄
膜の腐食が一段と抑制できて好適である。
【００２０】上記フッ化水素酸塩系剥離液は、（ａ）フ
ッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩を主要成
分とする剥離液であり、該（ａ）成分を主要な成分とす
る剥離液であれば特に限定されないが、前記（ａ）成
分、（ｂ）水溶性有機溶媒及び（ｃ）水を含有し、かつ
水素イオン濃度（ｐＨ）が５〜８の範囲にあるほぼ中性
のレジスト用剥離液が好適である。前記金属イオンを含
まない塩基としては、ヒドロキシルアミン類、第１級、
第２級又は第３級の脂肪族アミン、脂環式アミン、芳香
族アミン、複素環式アミンなどの有機アミン、アンモニ
ア水又は低級アルキル第４級アンモニウム塩基のように
水溶液とした際に、水溶液中に金属イオンを含有しない
塩基をいう。これは、周知のように半導体素子や液晶素
子の製造においては、金属イオンが素子特性に悪影響を
与えることから、なるべく剥離液においても、金属イオ
ンを低減する必要があるためである。前記ヒドロキシル
アミン類としては、具体的にヒドロキシルアミン、Ｎ，
Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン等が、第１級脂肪族ア
ミンとしては、具体的にモノエタノールアミン、エチレ
ンジアミン、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノー
ル等が、第２級脂肪族アミンとしては、具体的にジエタ
ノールアミン、ジプロピルアミン、２−エチルアミノエ
タノール等が、第３級の脂肪族アミンとしては、具体的
にジメチルアミノエタノール、エチルジエタノールアミ
ン等が、脂環式アミンとしては、具体的にシクロヘキシ
ルアミン、ジシクロヘキシルアミン等が、芳香族アミン
としては、具体的にベンジルアミン、ジベンジルアミ
ン、Ｎ−メチルベンジルアミン等が、複素環式アミンと
しては、具体的にピロール、ピロリジン、ピロリドン、
ピリジン、モルホリン、ピラジン、ピペリジン、Ｎ−ヒ
ドロキシエチルピペリジン、オキサゾール、チアゾール
等が挙げられる。さらに低級アルキル第４級アンモニウ
ム塩基としては、具体的にテトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アン
モニウムヒドロキシド（コリン）等が挙げられる。中で
もアンモニア水、モノエタノールアミン、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシドは入手が容易である上に安全
性に優れているところから好ましい。前記金属イオンを
含まない塩基とフッ化水素酸との塩は、市販のフッ化水
素５０〜６０％濃度のフッ化水素酸に金属イオンを含ま
ない塩基をｐＨが５〜８となるように添加することで製
造できる。前記塩として市販のフッ化アンモニウムが使
用できることはいうまでもない。前記フッ化水素酸塩系
剥離液組成物のｐＨを５〜８のほぼ中性にするには
（ａ）成分をほぼ中性に調製すればよいが、フッ化水素
酸に添加する金属イオンを含まない塩基の種類により中
性にするための添加量が異なるところから一義的に規定
することができないが例えば、アンモニア水の場合、等
モル濃度のフッ化水素酸とアンモニア水を等容積混合す
れば目的とするｐＨの（ａ）成分が調製できる。また、
モノエタノールアミンの場合、１モル／ｌのフッ化水素
酸１０００ｍｌとモノエタノールアミン１モルとを混合
すれば同じように（ａ）成分が調製できる。（ａ）成分
のｐＨ値が前記範囲にあることにより変質膜の剥離性の
低下がなく、基板上の金属膜や薬液供給装置等の周辺装
置の腐食を抑制でき、安全に取り扱うことができる。さ
らに、フッ化水素の含有量が少ないところから前記フッ
化水素の発生に起因する煩雑な排気処理、廃液処理を必
要とせず好適である。
ッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩を主要成
分とする剥離液であり、該（ａ）成分を主要な成分とす
る剥離液であれば特に限定されないが、前記（ａ）成
分、（ｂ）水溶性有機溶媒及び（ｃ）水を含有し、かつ
水素イオン濃度（ｐＨ）が５〜８の範囲にあるほぼ中性
のレジスト用剥離液が好適である。前記金属イオンを含
まない塩基としては、ヒドロキシルアミン類、第１級、
第２級又は第３級の脂肪族アミン、脂環式アミン、芳香
族アミン、複素環式アミンなどの有機アミン、アンモニ
ア水又は低級アルキル第４級アンモニウム塩基のように
水溶液とした際に、水溶液中に金属イオンを含有しない
塩基をいう。これは、周知のように半導体素子や液晶素
子の製造においては、金属イオンが素子特性に悪影響を
与えることから、なるべく剥離液においても、金属イオ
ンを低減する必要があるためである。前記ヒドロキシル
アミン類としては、具体的にヒドロキシルアミン、Ｎ，
Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン等が、第１級脂肪族ア
ミンとしては、具体的にモノエタノールアミン、エチレ
ンジアミン、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノー
ル等が、第２級脂肪族アミンとしては、具体的にジエタ
ノールアミン、ジプロピルアミン、２−エチルアミノエ
タノール等が、第３級の脂肪族アミンとしては、具体的
にジメチルアミノエタノール、エチルジエタノールアミ
ン等が、脂環式アミンとしては、具体的にシクロヘキシ
ルアミン、ジシクロヘキシルアミン等が、芳香族アミン
としては、具体的にベンジルアミン、ジベンジルアミ
ン、Ｎ−メチルベンジルアミン等が、複素環式アミンと
しては、具体的にピロール、ピロリジン、ピロリドン、
ピリジン、モルホリン、ピラジン、ピペリジン、Ｎ−ヒ
ドロキシエチルピペリジン、オキサゾール、チアゾール
等が挙げられる。さらに低級アルキル第４級アンモニウ
ム塩基としては、具体的にテトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アン
モニウムヒドロキシド（コリン）等が挙げられる。中で
もアンモニア水、モノエタノールアミン、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシドは入手が容易である上に安全
性に優れているところから好ましい。前記金属イオンを
含まない塩基とフッ化水素酸との塩は、市販のフッ化水
素５０〜６０％濃度のフッ化水素酸に金属イオンを含ま
ない塩基をｐＨが５〜８となるように添加することで製
造できる。前記塩として市販のフッ化アンモニウムが使
用できることはいうまでもない。前記フッ化水素酸塩系
剥離液組成物のｐＨを５〜８のほぼ中性にするには
（ａ）成分をほぼ中性に調製すればよいが、フッ化水素
酸に添加する金属イオンを含まない塩基の種類により中
性にするための添加量が異なるところから一義的に規定
することができないが例えば、アンモニア水の場合、等
モル濃度のフッ化水素酸とアンモニア水を等容積混合す
れば目的とするｐＨの（ａ）成分が調製できる。また、
モノエタノールアミンの場合、１モル／ｌのフッ化水素
酸１０００ｍｌとモノエタノールアミン１モルとを混合
すれば同じように（ａ）成分が調製できる。（ａ）成分
のｐＨ値が前記範囲にあることにより変質膜の剥離性の
低下がなく、基板上の金属膜や薬液供給装置等の周辺装
置の腐食を抑制でき、安全に取り扱うことができる。さ
らに、フッ化水素の含有量が少ないところから前記フッ
化水素の発生に起因する煩雑な排気処理、廃液処理を必
要とせず好適である。
【００２１】上記フッ化水素酸塩系剥離液組成物の
（ｂ）成分としては、前述の剥離処理用リンス液組成物
の水溶性有機溶媒とほぼ同様の水溶性有機溶媒が使用で
きる。ただし、（ｂ）成分の水溶性有機溶媒としてはエ
チレングリコールも含まれる。この水溶性有機溶媒の中
でもジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノ
ン、エチレングリコール及びジエチレングリコールモノ
ブチルエーテルがレジスト変質膜の剥離性に優れ好まし
い。特に、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール
或はこれらの混合物が好ましい。前記混合物としてはエ
チレングリコールとジメチルスルホキシドの重量比で
１：９ないし６：４の混合物が好ましい。
（ｂ）成分としては、前述の剥離処理用リンス液組成物
の水溶性有機溶媒とほぼ同様の水溶性有機溶媒が使用で
きる。ただし、（ｂ）成分の水溶性有機溶媒としてはエ
チレングリコールも含まれる。この水溶性有機溶媒の中
でもジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノ
ン、エチレングリコール及びジエチレングリコールモノ
ブチルエーテルがレジスト変質膜の剥離性に優れ好まし
い。特に、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール
或はこれらの混合物が好ましい。前記混合物としてはエ
チレングリコールとジメチルスルホキシドの重量比で
１：９ないし６：４の混合物が好ましい。
【００２２】上記フッ化水素酸塩系剥離液の成分割合
は、（ａ）成分が０．２〜１０重量％、好ましくは０．
５〜５重量％、（ｂ）成分が３０〜９０重量％、好まし
くは４０〜７０重量％及び（ｃ）成分が５〜５０重量
％、好ましくは２０〜４０重量％の範囲がよい。前記範
囲で各成分が含有されることにより変質膜の剥離性、室
温での剥離性、及び基板の腐食防止効果が向上する。特
に剥離される基板が腐食され易い金属蒸着の基板、例え
ばＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕなどの基板の場
合には前記範囲とすることを必須とする。（ａ）成分が
前記範囲より少ない場合には、変質膜の剥離性が低下
し、多い場合には基板が腐食し易くなる。
は、（ａ）成分が０．２〜１０重量％、好ましくは０．
５〜５重量％、（ｂ）成分が３０〜９０重量％、好まし
くは４０〜７０重量％及び（ｃ）成分が５〜５０重量
％、好ましくは２０〜４０重量％の範囲がよい。前記範
囲で各成分が含有されることにより変質膜の剥離性、室
温での剥離性、及び基板の腐食防止効果が向上する。特
に剥離される基板が腐食され易い金属蒸着の基板、例え
ばＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕなどの基板の場
合には前記範囲とすることを必須とする。（ａ）成分が
前記範囲より少ない場合には、変質膜の剥離性が低下
し、多い場合には基板が腐食し易くなる。
【００２３】さらに、上記フッ化水素酸塩系剥離液は
（ｄ）防食剤を含有することができる。（ｄ）成分とし
ては、前述の剥離処理用リンス液組成物の防食剤と同様
のものが使用できる。前記（ｄ）成分を含有することで
Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の基板の変質膜
の剥離性を低下することなく防食性を一段と向上でき
る。
（ｄ）防食剤を含有することができる。（ｄ）成分とし
ては、前述の剥離処理用リンス液組成物の防食剤と同様
のものが使用できる。前記（ｄ）成分を含有することで
Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の基板の変質膜
の剥離性を低下することなく防食性を一段と向上でき
る。
【００２４】上記（ｄ）成分を含有するフッ化水素酸塩
系剥離液の成分割合は、（ａ）成分が０．２〜１０重
量、好ましくは０．５〜５重量％、（ｂ）成分が３０〜
８０重量％、好ましくは４０〜７０重量％、（ｃ）成分
が５〜５０重量％、好ましくは２０〜４０重量％、
（ｄ）成分が０．５〜１５重量％、好ましくは、０．５
〜１０重量％の範囲が好適である。各成分が前記範囲を
逸脱すると、変質膜の剥離性、防食性に劣る。
系剥離液の成分割合は、（ａ）成分が０．２〜１０重
量、好ましくは０．５〜５重量％、（ｂ）成分が３０〜
８０重量％、好ましくは４０〜７０重量％、（ｃ）成分
が５〜５０重量％、好ましくは２０〜４０重量％、
（ｄ）成分が０．５〜１５重量％、好ましくは、０．５
〜１０重量％の範囲が好適である。各成分が前記範囲を
逸脱すると、変質膜の剥離性、防食性に劣る。
【００２５】本発明の基板の処理方法は、基板上に所望
のレジストパターンを設けエッチング処理したのち、
（Ｉ）レジストパターンをフッ化水素酸と金属イオンを
含まない塩基との塩を主要成分とする剥離液組成物で処
理する工程、（ＩＩ）基板を低級アルキレングリコール
とそれ以外の水溶性有機溶媒とを含有する剥離処理用リ
ンス液組成物でリンス処理する工程、および（ＩＩＩ）
水で洗浄処理する工程からなる。前記レジストパターン
を設ける工程は、通常行われているパターン形成方法で
よい。例えば、半導体素子や液晶パネル素子作成の際に
使用されるシリコンウェーハやガラス基板などの基板に
ポジ型又はネガ型のレジスト組成物を回転塗布法、ロー
ルコーター法、バーコーター法等の塗布法を用いて、レ
ジスト層を形成し、次いでマスクパターンを介して紫外
線、エキシマレーザーを含む遠紫外線、電子線、Ｘ線等
の放射線を照射又は描画することにより潜像を形成し、
アルカリ水溶液等の現像液を用いて現像し、レジストパ
ターンを形成する方法等がある。前記剥離処理において
は、浸漬法等により室温で、１〜２０分間処理すればよ
い。また、リンス処理においては、浸漬法等により室温
で、３〜２０分間処理すればよい。従来の剥離処理法で
は本発明の（ＩＩ）の工程であるリンス処理なしで直接
水で洗浄処理を行っていたが、繰り返し大量の水で洗浄
するので、洗浄槽にフッ素イオンやフッ化物が増大し、
廃液処理に複雑な処理を必要としたが、本発明の基板の
処理方法では洗浄処理前にリンス処理をするため洗浄槽
にフッ素イオンやフッ化物が残存しないので、洗浄槽中
の廃液処理にかかる負担が軽減できる上に、剥離処理、
リンス処理、洗浄処理を連続して効率よく行える利点が
ある。
のレジストパターンを設けエッチング処理したのち、
（Ｉ）レジストパターンをフッ化水素酸と金属イオンを
含まない塩基との塩を主要成分とする剥離液組成物で処
理する工程、（ＩＩ）基板を低級アルキレングリコール
とそれ以外の水溶性有機溶媒とを含有する剥離処理用リ
ンス液組成物でリンス処理する工程、および（ＩＩＩ）
水で洗浄処理する工程からなる。前記レジストパターン
を設ける工程は、通常行われているパターン形成方法で
よい。例えば、半導体素子や液晶パネル素子作成の際に
使用されるシリコンウェーハやガラス基板などの基板に
ポジ型又はネガ型のレジスト組成物を回転塗布法、ロー
ルコーター法、バーコーター法等の塗布法を用いて、レ
ジスト層を形成し、次いでマスクパターンを介して紫外
線、エキシマレーザーを含む遠紫外線、電子線、Ｘ線等
の放射線を照射又は描画することにより潜像を形成し、
アルカリ水溶液等の現像液を用いて現像し、レジストパ
ターンを形成する方法等がある。前記剥離処理において
は、浸漬法等により室温で、１〜２０分間処理すればよ
い。また、リンス処理においては、浸漬法等により室温
で、３〜２０分間処理すればよい。従来の剥離処理法で
は本発明の（ＩＩ）の工程であるリンス処理なしで直接
水で洗浄処理を行っていたが、繰り返し大量の水で洗浄
するので、洗浄槽にフッ素イオンやフッ化物が増大し、
廃液処理に複雑な処理を必要としたが、本発明の基板の
処理方法では洗浄処理前にリンス処理をするため洗浄槽
にフッ素イオンやフッ化物が残存しないので、洗浄槽中
の廃液処理にかかる負担が軽減できる上に、剥離処理、
リンス処理、洗浄処理を連続して効率よく行える利点が
ある。
【００２６】
【発明の実施の態様】次に、実施例により本発明をさら
に詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなん
ら限定されるものではない。
に詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなん
ら限定されるものではない。
【００２７】
【実施例】 実施例１〜１３ 約１．０μｍ厚のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を蒸着したシリコ
ンウエーハ上にナフトキノンジアジド化合物とノボラッ
ク樹脂からなるポジ型ホトレジストであるＴＨＭＲ−ｉ
Ｐ３３００（東京応化工業社製）をスピンナー塗布し
て、９０℃で、９０秒間のプレベークを施し、膜厚２．
０μｍのレジスト層を形成した。このレジスト層をＮＳ
Ｒー２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製）を用いてマスクパ
ターンを介して、露光し、２．３８重量％のテトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像し、レジスト
パターンを形成した。次いで、１２０℃で９０秒間のポ
ストベークを行った。
ンウエーハ上にナフトキノンジアジド化合物とノボラッ
ク樹脂からなるポジ型ホトレジストであるＴＨＭＲ−ｉ
Ｐ３３００（東京応化工業社製）をスピンナー塗布し
て、９０℃で、９０秒間のプレベークを施し、膜厚２．
０μｍのレジスト層を形成した。このレジスト層をＮＳ
Ｒー２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製）を用いてマスクパ
ターンを介して、露光し、２．３８重量％のテトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像し、レジスト
パターンを形成した。次いで、１２０℃で９０秒間のポ
ストベークを行った。
【００２８】次に、上記レジストパターンを有するシリ
コンウエーハをエッチング装置ＴＳＳ−６０００（東京
応化工業社製）を用い、塩素と三塩化硼素の混合ガスを
エッチャントとして、圧力５Ｔｏｒｒ、ステージ温度２
０℃で１６８秒間エッチング処理し、次いで、酸素とト
リフルオロメタンの混合ガスを用い、圧力２０Ｔｏｒ
ｒ、ステージ温度２０℃で３０秒間アフターコロージョ
ン処理をした。前記処理後更にアッシング装置ＴＣＡ−
２４００（東京応化工業社製）で、酸素ガスを用いて圧
力０．３Ｔｏｒｒ、ステージ温度６０℃の条件で１５０
秒間のアッシング処理を行った。
コンウエーハをエッチング装置ＴＳＳ−６０００（東京
応化工業社製）を用い、塩素と三塩化硼素の混合ガスを
エッチャントとして、圧力５Ｔｏｒｒ、ステージ温度２
０℃で１６８秒間エッチング処理し、次いで、酸素とト
リフルオロメタンの混合ガスを用い、圧力２０Ｔｏｒ
ｒ、ステージ温度２０℃で３０秒間アフターコロージョ
ン処理をした。前記処理後更にアッシング装置ＴＣＡ−
２４００（東京応化工業社製）で、酸素ガスを用いて圧
力０．３Ｔｏｒｒ、ステージ温度６０℃の条件で１５０
秒間のアッシング処理を行った。
【００２９】処理済シリコンウエーハを、フッ化アンモ
ニウム塩１．０重量％、ジメチルスルホキシド６９．０
重量％、水３０重量％の剥離液に２３℃で５分間浸漬し
剥離処理を行った。処理した基板を表１に示す組成の剥
離処理用リンス液組成物で各々リンス処理（２３℃、２
０分間の浸漬処理）を行い、さらに純水洗浄した。純水
洗浄処理後の基板の腐食状態を観察した結果を表１に示
す。
ニウム塩１．０重量％、ジメチルスルホキシド６９．０
重量％、水３０重量％の剥離液に２３℃で５分間浸漬し
剥離処理を行った。処理した基板を表１に示す組成の剥
離処理用リンス液組成物で各々リンス処理（２３℃、２
０分間の浸漬処理）を行い、さらに純水洗浄した。純水
洗浄処理後の基板の腐食状態を観察した結果を表１に示
す。
【００３０】比較例１ 実施例において、剥離処理用リンス液組成物の組成を水
のみに代えた以外は、上記実施例と同様にして腐食性の
評価を行った。その結果を表１に示す。
のみに代えた以外は、上記実施例と同様にして腐食性の
評価を行った。その結果を表１に示す。
【００３１】比較例２ 実施例において、剥離処理用リンス液組成物の組成をイ
ソプロピルアルコールのみに代えた以外は、上記実施例
と同様にして腐食性の評価を行った。その結果、腐食は
現れなかったが、リンス処理時にフッ化アンモニウム塩
が析出した。
ソプロピルアルコールのみに代えた以外は、上記実施例
と同様にして腐食性の評価を行った。その結果、腐食は
現れなかったが、リンス処理時にフッ化アンモニウム塩
が析出した。
【００３２】
【表 １】 注）腐食状態 ○：腐食なし ×：腐食あり
【００３３】
【発明の効果】本発明の剥離処理用リンス液組成物を使
用することにより基板上の微細部分の洗浄が良好に行え
る上に、腐食され易いＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−
Ｃｕ等の金属薄膜に腐食が起こることがない。また、本
発明の剥離処理用リンス液組成物を用いた基板の処理方
法にあっては、リンス処理後の純水洗浄液にフッ素イオ
ンが極めて少量含有するにとどまるところから純水洗浄
処理後の廃水処理が不要で、剥離処理、リンス処理及び
洗浄処理を連続して効率よく行うことができる。
用することにより基板上の微細部分の洗浄が良好に行え
る上に、腐食され易いＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−
Ｃｕ等の金属薄膜に腐食が起こることがない。また、本
発明の剥離処理用リンス液組成物を用いた基板の処理方
法にあっては、リンス処理後の純水洗浄液にフッ素イオ
ンが極めて少量含有するにとどまるところから純水洗浄
処理後の廃水処理が不要で、剥離処理、リンス処理及び
洗浄処理を連続して効率よく行うことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/308 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｂ (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (19)
- 【請求項１】フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基
との塩を主要成分とする剥離液で処理した基板をリンス
処理するためのリンス液組成物であって、前記リンス液
組成物が低級アルキレングリコールとそれ以外の水溶性
有機溶媒とを含有することを特徴とする剥離処理用リン
ス液組成物。 - 【請求項２】低級アルキレングリコールが一般式（Ｉ） 【化１】Ｒn（ＯＨ）2 （Ｉ） （式中、Ｒは直鎖状又は分枝状の飽和炭化水素残基であ
り、ｎは２〜６の整数で ある。）で表される化合物
から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請
求項１記載の剥離処理用リンス液組成物。 - 【請求項３】低級アルキレングリコールがエチレングリ
コール及びプロピレングリコールから選ばれる少なくと
も１種であることを特徴とする請求項１記載の剥離処理
用リンス液組成物。 - 【請求項４】低級アルキレングリコール５〜６０重量％
及びそれ以外の水溶性有機溶媒４０〜９５重量％を含有
することを特徴とする請求項１記載の剥離処理用リンス
液組成物。 - 【請求項５】それ以外の水溶性有機溶媒がアルコール
類、グリコールモノエーテル類及び非プロトン性極性溶
媒から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする
請求項１〜４のいずれかに記載の剥離処理用リンス液組
成物。 - 【請求項６】アルコール類がメチルアルコール、エチル
アルコール及びイソプロピルアルコールから選ばれる少
なくとも１種であることを特徴とする請求項５記載の剥
離処理用リンス液組成物。 - 【請求項７】グリコールモノエーテル類がジエチレング
リコールモノブチルエーテルであることを特徴とする請
求項５記載の剥離処理用リンス液組成物。 - 【請求項８】非プロトン性極性溶媒がジメチルスルホキ
シド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン及び１，
３−ジメチル−２−イミダゾリジノンから選ばれる少な
くとも１種であることを特徴とする請求項５記載の剥離
処理用リンス液組成物。 - 【請求項９】請求項１〜８のいずれかに記載の剥離処理
用リンス液組成物がさらに防食剤を含有することを特徴
とする剥離処理用リンス液組成物。 - 【請求項１０】防食剤がピロカテコール、２−ブチン−
１，４−ジオール、ベンゾトリアゾール及びＤ−ソルビ
トールから選ばれる少なくとも１種であることを特徴と
する請求項９記載の剥離処理用リンス液組成物。 - 【請求項１１】低級アルキレングリコール５〜４０重量
％、それ以外の水溶性有機溶媒５５〜８５重量％及び防
食剤０．５〜１５重量％を含有することを特徴とする請
求項９記載の剥離処理用リンス液組成物。 - 【請求項１２】フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩
基との塩を主要成分とする剥離液が、（ａ）フッ化水素
酸と金属イオンを含まない塩基との塩、（ｂ）ジメチル
スルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、エチレ
ングリコール及びジエチレングリコールモノブチルエー
テルから選ばれる少なくとも１種、並びに（ｃ）水を含
有し、かつその水素イオン濃度（ｐＨ）が５〜８の範囲
にあるレジスト用剥離液であることを特徴とする請求項
１記載の剥離処理用リンス液組成物。 - 【請求項１３】フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩
基との塩を主要成分とする剥離液が、（ａ）成分０．２
〜１０重量％、（ｂ）成分３０〜９０重量％、及び
（ｃ）成分５〜５０重量％を含有するレジスト用剥離液
であることを特徴とする請求項１２記載の剥離処理用リ
ンス液組成物。 - 【請求項１４】フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩
基との塩を主要成分とする剥離液が、（ａ）成分がフッ
化アンモニウム、（ｂ）成分がジメチルスルホキシドで
あるレジスト用剥離液であることを特徴とする請求項１
２記載の剥離処理用リンス液組成物。 - 【請求項１５】基板上に所望のレジストパターンを設け
エッチング処理したのち、順次次の各工程で処理するこ
とを特徴とする基板の処理方法。 （Ｉ）レジストパターンをフッ化水素酸と金属イオンを
含まない塩基との塩を主要成分とする剥離液で処理する
工程 （ＩＩ）基板を低級アルキレングリコールとそれ以外の
水溶性有機溶媒とを含有する剥離処理用リンス液組成物
でリンス処理する工程 （ＩＩＩ）水で洗浄処理する工程 - 【請求項１６】請求項１５記載の基板の処理方法におけ
る（Ｉ）工程の剥離液が（ａ）フッ化水素酸と金属イオ
ンを含まない塩基との塩、（ｂ）ジメチルスルホキシ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−
ジメチル−２−イミダゾリジノン、エチレングリコール
及びジエチレングリコールモノブチルエーテルから選ば
れる少なくとも１種、並びに（ｃ）水を含有し、かつそ
の水素イオン濃度（ｐＨ）が５〜８の範囲にあるレジス
ト用剥離液であることを特徴とする基板の処理方法。 - 【請求項１７】（Ｉ）工程の剥離液における（ａ）成分
がフッ化アンモニウム、（ｂ）成分がジメチルスルホキ
シドであることを特徴とする請求項１６記載の基板の処
理方法。 - 【請求項１８】（Ｉ）工程の剥離液が（ａ）成分０．２
〜１０重量％、（ｂ）成分３０〜９０重量％及び（ｃ）
成分５〜５０重量％を含有するレジスト用剥離液である
ことを特徴とする請求項１６記載の基板の処理方法。 - 【請求項１９】（ＩＩ）工程の剥離処理用リンス液組成
物が請求項２〜１１のいずれかである請求項１５記載の
基板の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34085897A JP3755785B2 (ja) | 1996-12-27 | 1997-11-27 | 剥離処理用リンス液組成物及びそれを用いた基板の処理方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-356731 | 1996-12-27 | ||
| JP35673196 | 1996-12-27 | ||
| JP34085897A JP3755785B2 (ja) | 1996-12-27 | 1997-11-27 | 剥離処理用リンス液組成物及びそれを用いた基板の処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10239866A true JPH10239866A (ja) | 1998-09-11 |
| JP3755785B2 JP3755785B2 (ja) | 2006-03-15 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP34085897A Expired - Fee Related JP3755785B2 (ja) | 1996-12-27 | 1997-11-27 | 剥離処理用リンス液組成物及びそれを用いた基板の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3755785B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN115291483A (zh) * | 2022-09-02 | 2022-11-04 | 昆山晶科微电子材料有限公司 | 一种半导体剥离液及其制备方法 |
-
1997
- 1997-11-27 JP JP34085897A patent/JP3755785B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| KR101152139B1 (ko) | 2005-12-06 | 2012-06-15 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치용 세정제 및 이를 사용하는 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법 |
| US8389454B2 (en) | 2005-12-06 | 2013-03-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Manufacturing and cleansing of thin film transistor panels |
| CN115291483A (zh) * | 2022-09-02 | 2022-11-04 | 昆山晶科微电子材料有限公司 | 一种半导体剥离液及其制备方法 |
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|---|---|
| JP3755785B2 (ja) | 2006-03-15 |
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