JPH10206458A - 外力計測装置およびその製造方法 - Google Patents
外力計測装置およびその製造方法Info
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- JPH10206458A JPH10206458A JP2612397A JP2612397A JPH10206458A JP H10206458 A JPH10206458 A JP H10206458A JP 2612397 A JP2612397 A JP 2612397A JP 2612397 A JP2612397 A JP 2612397A JP H10206458 A JPH10206458 A JP H10206458A
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Abstract
コン板と凹陥部を有するガラス板と陽極接合するとき
に、ガラス板から発生するガスが密閉空間中に残留する
のを低減して、可動部の動きを機敏にして検出感度を高
める。 【解決手段】 検出部3が形成されたシリコンウエハ2
1と、隔壁43によって格子状に画成された凹陥部42
を有するガラス板41とを有し、該ガラス板41の隔壁
43先端の接合面43Aに連通溝44を形成する。そし
て、前記シリコンウエハ21とガラス板41とを真空雰
囲気中で陽極接合する。このとき、ガラス板41に形成
した連通溝44は常に外部の真空と連通して減圧されて
いるから、凹陥部42から発生するガスを連通溝44を
介して排出でき、密閉空間33内を確実に減圧する。
Description
する加速度、角速度等の外力(慣性力)を計測するのに
用いて好適な外力計測装置およびその製造方法に関す
る。
や角速度の検出、カメラの手振れ等を検出する加速度計
測装置や角速度計測装置等に用いられている。
技術による外力計測装置として、加速度計測装置を例に
挙げて説明する。
作成された加速度計測装置、2は該加速度計測装置1の
本体をなすように例えば高抵抗な単結晶のシリコン板か
らなる基板をそれぞれ示し、該基板2上には後述する検
出部3および該検出部3を覆う蓋体12が形成されてい
る。
該検出部3は例えば低抵抗なシリコン膜にエッチング処
理を施すことにより形成されている。そして、該検出部
3は、基板2上の左,右に位置した固定部4,4と、該
固定部4,4間に配設された後述する可動部6とから大
略構成されている。
左,右に離間して設けられ、互いに対向する内側面には
5枚の薄板状の電極板5Aを有する固定側くし状電極
5,5が突出形成されている。
上の前,後に離間して配設された支持部7,7と、該各
支持部7に梁8を介して支持され、前記各固定部4間に
配設された質量部9と、該質量部9から左,右方向に突
出形成された5枚の薄板状の電極板10Aを有する可動
側くし状電極10,10とを一体的に形成することによ
って構成されている。
グによって形成することにより、支持部7,7は基板2
上に固着され、梁8と質量部9は基板2から高さ方向に
離間して配設されている。
(例えばポリシリコン)からなる枠部で、該枠部11は
前記検出部3を取囲むように基板2上に設けられてい
る。
示し、該蓋体12は基板2上に位置して検出部3を覆っ
て設けられ、該蓋体12の下面の中央部には後述の凹陥
部23が形成されている。また、該凹陥部23を形成す
ることによりこれを取囲むように切断隔壁13が形成さ
れ、この切断隔壁13の先端面は検出部3の固定部4、
可動部6の支持部7、枠部11と陽極接合するための接
合面13Aとなる。
4を半分に切断することによって得られるものである。
そして、蓋体12は、検出部3の固定部4、可動部6の
支持部7、枠部11に陽極接合され、前記基板2と蓋体
12との間に密閉空間14を画成し、該密閉空間14内
には前記基板2上に形成された検出部3が収容されてい
る。
示し、該スルーホール15は、蓋体12の検出部3の固
定部4、支持部7に対応する箇所にそれぞれ形成されて
おり、該スルーホール15内に例えば銀等を主成分とす
る導電性ペースト16が充填されている。従って、該ス
ルーホール15および導電性ペースト16は、検出部3
と外部に設けられた信号処理回路(図示せず)とを電気
的に接続するための接続路として機能する。
度計測装置1の製造方法について述べる。
晶シリコンからなるシリコンウエハで、該シリコンウエ
ハ21は例えば直径7.5〜15.5cm,厚さ500
μm程度の円板状に形成されている。また、該シリコン
ウエハ21の周囲には、図22のようなオリエンテーシ
ョンフラット21Aが形成されている。
ンウエハ21上に、低抵抗なシリコン膜を形成した後
に、シリコンのエッチング処理によって複数個の検出部
3を形成したもので、該各検出部3は、図22に示すよ
うに、シリコンウエハ21上に例えば52個が所定間隔
を離間して形成される。また、この際、同時に各検出部
3を取囲むように枠部11がシリコンウエハ21上に形
成される。
成するガラス板で、該ガラス板22の周囲には図25の
ようなオリエンテーションフラット22Aが形成されて
いる。
22の下面にエッチングによって多数個(例えば、52
個)の凹陥部23を格子状に形成する。これにより、該
各凹陥部23の間は隔壁24となり、該隔壁24の先端
面がシリコンウエハ21との接合面24Aとなる(図2
5参照)。さらに、サンドブラスト、エッチング、レー
ザ等によってスルーホール15を形成する。そして、該
各凹陥部23は、ガラス板22がシリコンウエハ21と
を接合することにより密閉空間14を形成する。
コンウエハ21とガラス板22とを真空雰囲気中で陽極
接合(基板温度350℃、印加電圧1000V)するこ
とによって、シリコンウエハ21とガラス板22とを接
合すると共に、接合により形成される密閉空間14内を
減圧する。この際、シリコンウエハ21とガラス板22
は、図22および図25において、「○」、「×」で示
したようなアライメントパターンによって位置合わせを
行う。
された円板状のシリコンウエハ21とガラス板22によ
り形成された複数個の加速度計測装置1を示すもので、
シリコンウエハ21とガラス板22を二点鎖線で示す隔
壁24の位置で切断することにより、複数個の加速度計
測装置1を一度に製造できる(切断工程)。
ト16をスルーホール15内に充填し、該導電性ペース
ト16は固定部4および支持部7に電気的に接続され
る。
測装置1は、図18に示すように外部から矢示A方向に
加速度が加わると、梁8が変形して質量部9が矢示A方
向に変位する。このとき、質量部8の可動側くし状電極
10,10の各電極板10Aは、固定側くし状電極5,
5の各電極板5Aに対して接近または離間するので、対
向する電極板10Aと5Aとの離間寸法の変位を、静電
容量の変化として外部の図示しない信号処理回路に出力
する。そして、該信号処理回路では、この静電容量の変
化に基づき加速度に応じた信号を出力する。
くし状電極10の各電極板10Aと固定側くし状電極5
の各電極板5Aとの間の静電容量により加速度を検出
し、しかも各電極板10Aと各電極板5Aはそれぞれ電
気的に並列接続されているから、対向した電極板10A
と5A間の静電容量は加算した値となり、検出感度を高
めることができる。
細であるために大気中ではダンピングの影響が大きくな
り、質量部9を加速度に対して応答性が良くない。この
ため、加速度計測装置1では、検出部3が収容される密
閉空間14内を減圧することにより、質量部9に対する
空気抵抗を低減し、加速度に対する応答性を良くして検
出精度を高めている。
来技術による加速度計測装置1では、前述した如く、表
面に複数個の検出部3が形成されたシリコンウエハ21
と、多数個の凹陥部23が形成されたガラス板22と
は、真空雰囲気中で陽極接合を行うようになっている。
このため、シリコンウエハ21とガラス板22とを衝合
させて加圧した状態で電気を印加して接合を開始する
と、該ガラス板22からは酸素ガスが発生する。
ての隔壁24の接合面24Aがシリコンウエハ21に同
時に接合されないため、ガラス板22から発生した酸素
ガスは、矢示のように流れて、最後に接合される接合面
24Aで囲まれた密閉空間14内に残留してしまう。
1では、製造された全ての加速度計測装置1の密閉空間
14内を理想的な減圧状態にすることができず、該密閉
空間14内が減圧されていないものでは、質量部9に加
わる空気抵抗が大きくなり加速度の応答性が悪くなり、
検出感度を低下させてしまうという問題がある。
計測装置1は、シリコンウエハ21とガラス板22によ
って一度に複数個を製造しているから、シリコンウエハ
21の位置によっては密閉空間14内の酸素ガスが効率
よく排出されたものと、密閉空間14内に酸素ガスが封
入されたものとが混入して製造されてしまう。この結
果、製造された各加速度計測装置1は、密閉空間14内
の圧力が個々に異なり、良品と不良品のバラツキが生
じ、歩留りが悪くなるという問題がある。
されたもので、本発明はシリコン板とガラス板とを陽極
接合するときに発生する酸素ガスを密閉空間内から排出
して該密閉空間内を減圧し、検出部における外力の検出
精度を高めることのできる外力計測装置およびその製造
方法を提供することを目的としている。
ために、請求項1の発明は、シリコン板と、該シリコン
板に減圧雰囲気中で陽極接合して設けられたガラス板
と、前記シリコン板とガラス板とを接合したときに前記
シリコン板とガラス板との間に画成された密閉空間と、
前記シリコン板上に位置して該密閉空間内に設けられ外
部から加わる力を検出する検出部とを備えた外力測定装
置において、前記シリコン板またはガラス板のうち少な
くともいずれか一方の接合面には、前記密閉空間と離間
した状態で該密閉空間を取囲み、かつ外部に対して連通
する連通溝を形成したことを特徴とする。
陽極接合するときでも外部と連通して常に減圧状態に保
たれているから、接合時に発生するガスは密閉空間の周
囲に位置した連通溝を通して外部に排出され、該密閉空
間内を減圧状態にできる。
を隔壁によって囲んでなる凹陥部をシリコン板で閉塞す
ることによって形成し、連通溝を該隔壁先端の接合面に
設けたことにある。
に形成した隔壁先端の接合面に形成した連通溝は、陽極
接合するときでも外部と連通して常に減圧状態に保たれ
ているから、接合時に発生するガスを該連通溝を通して
外部に排出でき、該密閉空間内を減圧状態にできる。
を隔壁によって囲んでなる凹陥部をシリコン板で閉塞す
ることによって形成し、連通溝を前記シリコン板上で、
かつ該隔壁先端の接合面が接合する部位に設けたことに
ある。
板の接合面が接合する部位に形成した連通溝は、陽極接
合するときでも外部と連通して常に減圧状態に保たれて
いるから、接合時に発生するガスを該連通溝を通して外
部に排出でき、該密閉空間内を減圧状態にできる。
コン板に減圧雰囲気中で陽極接合して設けられたガラス
板と、前記シリコン板とガラス板とを接合したときに前
記シリコン板とガラス板との間に画成された密閉空間
と、前記シリコン板上に位置して該密閉空間内に設けら
れ外部から加わる力を検出する検出部とを備えた外力測
定装置の製造方法であって、前記シリコン板を形成する
シリコンウエハまたはガラス板のうち少なくともいずれ
か一方の接合面に外部に対して連通する連通溝を形成す
る連通溝形成工程と、前記シリコンウエハに検出部を形
成する検出部形成工程と、前記連通溝を通して前記密閉
空間を外部に連通させた状態で前記シリコンウエハとガ
ラス板とを減圧雰囲気中で陽極接合する接合工程とから
なる。
においてシリコンウエハとガラス板とを減圧雰囲気中で
陽極接合するときでも、連通溝は外部と連通して常に減
圧状態に保たれているから、接合時に発生するガスは密
閉空間の周囲に位置した連通溝を通して外部に排出さ
れ、該密閉空間内を減圧状態にして接合することができ
る。
壁の位置で密閉空間を単位としてシリコンウエハとガラ
ス板とを切断する切断工程を設けたことにある。
ウエハとガラス板とを接合した後に、隔壁の位置で切断
することによって、密閉空間を減圧した外力計測装置を
複数個製造することができる。
添付図面の図1ないし図17に従って詳細に説明する。
なお、実施例では、前述した従来技術と同一の構成要素
に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
第1の実施例を説明するに、31は本実施例による外力
計測装置となる加速度計測装置で、該加速度計測装置3
1は、従来技術による加速度計測装置1とほぼ同様に、
高抵抗な単結晶シリコンからなる基板2と、該基板2上
に形成された検出部3と、該検出部3を覆う前記基板2
上に陽極接合された後述の蓋体32とから構成されてい
る。
し、該蓋体32は基板2上に位置して検出部3を覆うよ
うに設けられ、該蓋体32は後述するガラス板41の下
面に凹陥部42を形成することによって構成されてい
る。
該密閉空間33は前記基板2と蓋体32との間に形成さ
れ、該密閉空間33内には前記基板2上に形成された検
出部3が収容されている。
面が接合面34Aとなった切断隔壁34によって囲まれ
ており、該切断隔壁34を陽極接合して検出部3の固定
部4、支持部7および枠部11に接合することにより、
蓋体32と基板2との間に密閉空間33が画成される。
なお、切断隔壁34は後述する隔壁43を半分に切断す
ることによって得られるものである。
して形成された連通溝としての切欠部を示し、該切欠部
35は密閉空間33と離間した状態で該密閉空間33を
取囲むようにして形成されている。なお、該切欠部35
は後述する製造工程においては、連通溝44として形成
されている。
示し、該スルーホール36は、蓋体32の検出部3の固
定部4、支持部7に対応する箇所にそれぞれ形成されて
おり、該スルーホール36内に例えば銀等を主成分とす
る導電性ペースト37が充填されている。従って、該ス
ルーホール36および導電性ペースト37は、検出部3
と外部に設けられた信号処理回路(図示せず)とを電気
的に接続するための接続路として機能する。
測装置31の製造方法について述べる。
するガラス板で、該ガラス板41には従来技術で述べた
ガラス板22と同様にオリエンテーションフラット(図
示せず)が形成されている。
1の下面にエッチングによって多数個の凹陥部42を格
子状に形成する。これにより、該各凹陥部42の間は隔
壁43となり、該隔壁43の先端面はシリコンウエハ2
1との接合面43Aとなる。そして、該各凹陥部42
は、ガラス板41が検出部3が形成されたシリコンウエ
ハ21と接合することにより密閉空間33を形成する。
さらに、サンドブラスト、エッチング、レーザ等によっ
てスルーホール36を形成する。
ラス板41上を格子状に延びる隔壁43先端の接合面4
3Aに、凹陥部42を取囲みかつ外部に対して連通する
連通溝44をエッチングによって形成する。
は、検出部3の固定部4、支持部7、枠部11とガラス
板41とを真空雰囲気中で陽極接合(基板温度350
℃、印加電圧1000V)することによって接合すると
共に、シリコンウエハ21とガラス板41との間に形成
される密閉空間33内を減圧する。
れた円板状のシリコンウエハ21とガラス板41により
形成された複数個の加速度計測装置31を示すもので、
シリコンウエハ21とガラス板41を二点鎖線で示す隔
壁43の位置で切断することにより、複数個の加速度計
測装置31が製造することができる(切断工程)。
ト37をスルーホール36内に充填し、該導電性ペース
ト37は固定部4および支持部7に電気的に接続され
る。
測装置31においても、矢示A方向に加わる加速度を検
出する動作については、従来技術による加速度計測装置
1と格別差異はない。
1では、ガラス板41と固定部4、支持部7、枠部11
とを接合する前に、ガラス板41の隔壁43の先端に位
置した接合面43Aに、凹陥部42を取囲みかつ外部に
対して連通する連通溝44を形成する。これにより、該
連通溝44は、陽極接合するときでも真空度の高い周囲
と連通して常に減圧状態に保たれているから、凹陥部4
2内の空気や接合時にガラス板41から発生する酸素ガ
スは、該連通溝44を通して外部に排出され、該密閉空
間33内を減圧状態にできる。
板41から発生する酸素ガスは、矢示のように、凹陥部
42を取囲むように形成された連通溝44を通して周囲
に吸引されるため、全ての隔壁43の接合面43Aがシ
リコンウエハ21に同時に接合されないときでも、ガラ
ス板41から発生した酸素ガスが最後に接合される密閉
空間33内に残留するのを防止することができる。
31は、密閉空間33内を理想的な減圧状態にすること
ができ、検出部3の質量部9に加わる空気抵抗を低減し
て加速度の検出感度を高めることができる。
ウエハ21とガラス板41によって複数個を一度に製造
するようにしているが、ガラス板41のどの位置にある
凹陥部42に対しても連通溝44による吸引動作は等し
く働くから、どの位置の密閉空間33でも等しい減圧状
態にすることができ、製造時における加速度計測装置3
1の不良品を低減し、歩留りを高めることができる。
よる第2の実施例を説明するに、本実施例の特徴は、連
通溝をシリコン材料からなる基板側に形成したことにあ
る。なお、本実施例では、前述した第1の実施例と同一
の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するも
のとする。
となる加速度計測装置を示し、該加速度計測装置51
は、従来技術による加速度計測装置1とほぼ同様に、高
抵抗な単結晶シリコンからなる基板52と、該基板52
上に形成された検出部3と、該検出部3を覆うように前
記基板2上に陽極接合された蓋体12とからなり、該検
出部3は基板52と蓋体12の凹陥部23との間に形成
される密閉空間53内に収容されている。
(例えばポリシリコン)からなる枠部で、該枠部54は
前記検出部3を取囲むように基板52上に設けられてい
る。
た連通溝としての切欠部を示し、該切欠部55は、枠部
54の側部に位置しかつ蓋体12の切断隔壁13の先端
に位置した接合面13Aが接合する部位に形成され、密
閉空間53と離間した状態で該密閉空間53を取囲むよ
うにしている。
度計測装置51の製造方法について述べる。
抗な単結晶シリコンからなるシリコンウエハで、該シリ
コンウエハ61は例えば直径7.5〜15.5cm,厚
さ500μm程度の円板状に形成されている。
工程では、シリコンウエハ61上に、低抵抗なシリコン
膜を形成した後に、シリコンのエッチング処理によって
複数個の検出部3を形成する。この際、同時に各検出部
3を取囲むように枠部54がシリコンウエハ61上に形
成され、該枠部54のほぼ中央部には、連通溝62がシ
リコンウエハ61まで貫通するように形成されている。
そして、該枠部54は、この連通溝62によって2つに
分割した形状となる。なお、後述の切断工程による切断
位置は、連通溝62のほぼ中央部(図15の二点鎖線)
となる。
は、シリコンウエハ61と検出部3の固定部4、可動部
6の支持部7とを真空雰囲気中で陽極接合(基板温度3
50℃、印加電圧1000V)することによって接合す
ると共に、シリコンウエハ61とガラス板22との間に
検出部3を収容する密閉空間53内を減圧する。
された円板状のシリコンウエハ61とガラス板22によ
り形成された複数個の加速度計測装置51を示すもの
で、シリコンウエハ61とガラス板22を二点鎖線の位
置で切断することにより、複数個の加速度計測装置51
が製造できる。
ト16をスルーホール15内に充填し、該導電性ペース
ト16は固定部4および支持部7に電気的に接続され
る。
測装置51では、矢示A方向に加わる加速度を検出する
動作については、従来技術による加速度計測装置1と格
別差異はない。
1においても、前述した第1の実施例と同様に、図16
と図17に示すように、接合時にガラス板22から発生
する酸素ガスは、矢示のように、凹陥部23を取囲むよ
うに形成された連通溝62を通して周囲に吸引されるた
め、全ての接合面24Aがシリコンウエハ61に同時に
接合されないときでも、ガラス板22から発生した酸素
ガスが最後に接合される密閉空間53内に残留するのを
防止することができる。
51は、密閉空間53内を理想的な減圧状態にすること
ができ、検出部3の質量部9に加わる空気抵抗を低減し
て加速度に対する応答性が良くなり、検出感度を高める
ことができる。
1,51に切欠部35,55として連通溝44,62を
残すようにしたが、切断時に該連通溝44,62を切り
落として切欠部35,55をなくすようにしてもよい。
さらに、第2の実施例では連通溝62を枠部54の中央
部に貫通させて形成したが、枠部54の上面に凹部とし
て形成してもよい。
2は、断面積の大きいほど酸素が外部に排出されやすく
するため、密閉空間33,53内の圧力をより減圧する
ことができる。
いて述べたが、本発明はこれに限らず、角速度を検出す
る検出部を有する角速度計測装置に用いてもよいことは
勿論である。
Ωが作用したときに振動子に発生するコリオリ力Fは、
F=2mVΩ(ただし、mは振動子の質量、Vは振動子
の振動速度、Ωは角速度)の式によって算定することが
知られているが、角速度計測装置の密閉空間を理想的な
減圧状態にすることができなければ、空気のダンピング
作用により振動子の振動速度(V)を高速にすることが
できず、角速度の検出感度が低下してしまうことにな
る。
極接合の際にガラス板から発生する酸素ガスが、凹陥部
を取囲むように形成された連通溝を通して周囲に吸引さ
れることにより、角速度計測装置の密閉空間内を理想的
な減圧状態にすることができ、振動子の振動速度を高速
にでき、角速度の検出感度を高めることができる。
よれば、シリコン板またはガラス板のうち少なくともい
ずれか一方の接合面に、密閉空間と離間した状態で該密
閉空間を取囲みかつ外部に対して連通する連通溝を形成
したから、該連通溝は、真空雰囲気中での陽極接合する
ときでも外部と連通して常に減圧状態に保たれているか
ら、接合時に発生するガスは密閉空間の周囲に位置した
連通溝を通して外部に排出され、該密閉空間内を減圧状
態にでき、検出部に対する空気抵抗を低減して外力の検
出感度を高めることができる。
の隔壁をシリコン板に接合することによって画成し、連
通溝を該隔壁先端の接合面に設けることにより、該連通
溝は陽極接合するときでも外部と連通して常に減圧状態
に保たれるから、接合時に発生するガスは該連通溝を通
して外部に排出して該密閉空間内を減圧状態にし、検出
部における検出感度を高めることができる。
の隔壁をシリコン板に接合することによって画成し、連
通溝をシリコン板上に位置しかつ該隔壁先端の接合面が
接合する部位に設けることにより、該連通溝は陽極接合
するときでも外部と連通して常に減圧状態に保たれるか
ら、接合時に発生するガスは該連通溝を通して外部に排
出して該密閉空間内を減圧状態にし、検出部における検
出感度を高めることができる。
コンウエハとガラス板とを減圧雰囲気中で陽極接合する
接合工程の前に、連通溝形成工程によって、前記シリコ
ンウエハまたはガラス板のうち少なくともいずれか一方
の接合面に、密閉空間を取囲みかつ外部に対して連通す
る連通溝を形成したから、該連通溝は外部と連通して常
に減圧状態に保たれている。これにより、接合時に発生
するガスは密閉空間の周囲に位置した連通溝を通して外
部に排出され、該密閉空間内を減圧状態にでき、検出部
に対する空気抵抗の影響を低減して外力の検出感度を高
めることができる。
壁の位置で密閉空間を単位としてシリコンウエハとガラ
ス板とを切断する切断工程を設けることにより、密閉空
間内を減圧した外力計測装置を複数個製造することがで
きる。
示す縦断面図である。
面図である。
した状態を示す縦断面図である。
通溝を形成した状態を示す縦断面図である。
成した状態を示す平面図である。
ラス板とを陽極接合する状態を示す縦断面図である。
す縦断面図である。
ガラス板とを陽極接合する状態を示す縦断面図である。
る。
を示す縦断面図である。
エハの縦断面図である。
シリコンウエハに検出部を形成し、検出部を取囲むよう
に形成した枠部に連通溝を形成した状態を示す縦断面図
である。
状態を示す平面図である。
ガラス板とを陽極接合する状態を示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
とガラス板とを陽極接合する状態を示す縦断面図であ
る。
ある。
して示す平面図である。
面図である。
エハの縦断面図である。
出部を形成した状態を示す縦断面図である。
出部を形成した状態を示す平面図である。
断面図である。
成した状態を示す縦断面図である。
成した状態を示す平面図である。
ガラス板とを陽極接合する状態を示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
とガラス板とを陽極接合する状態を示す縦断面図であ
る。
ある。
Claims (5)
- 【請求項1】 シリコン板と、該シリコン板に減圧雰囲
気中で陽極接合して設けられたガラス板と、前記シリコ
ン板とガラス板とを接合したときに前記シリコン板とガ
ラス板との間に画成された密閉空間と、前記シリコン板
上に位置して該密閉空間内に設けられ外部から加わる力
を検出する検出部とを備えた外力測定装置において、前
記シリコン板またはガラス板のうち少なくともいずれか
一方の接合面には、前記密閉空間と離間した状態で該密
閉空間を取囲み、かつ外部に対して連通する連通溝を形
成したことを特徴とする外力計測装置。 - 【請求項2】 前記密閉空間はガラス板を隔壁によって
囲んでなる凹陥部を前記シリコン板で閉塞することによ
って形成し、前記連通溝は該隔壁先端の接合面に設けて
なる請求項1記載の外力計測装置。 - 【請求項3】 前記密閉空間はガラス板を隔壁によって
囲んでなる凹陥部を前記シリコン板で閉塞することによ
って形成し、前記連通溝は前記シリコン板上で、かつ該
隔壁先端の接合面が接合する部位に設けてなる請求項1
記載の外力計測装置。 - 【請求項4】 シリコン板と、該シリコン板に減圧雰囲
気中で陽極接合して設けられたガラス板と、前記シリコ
ン板とガラス板とを接合したときに前記シリコン板とガ
ラス板との間に画成された密閉空間と、前記シリコン板
上に位置して該密閉空間内に設けられ外部から加わる力
を検出する検出部とを備えた外力測定装置の製造方法で
あって、 前記シリコン板を形成するシリコンウエハまたはガラス
板のうち少なくともいずれか一方の接合面に外部に対し
て連通する連通溝を形成する連通溝形成工程と、 前記シリコンウエハに検出部を形成する検出部形成工程
と、 前記連通溝を通して前記密閉空間を外部に連通させた状
態で前記シリコンウエハとガラス板とを減圧雰囲気中で
陽極接合する接合工程とからなる外力計測装置の製造方
法。 - 【請求項5】 前記接合工程の後に、前記隔壁の位置で
前記密閉空間を単位としてシリコンウエハとガラス板と
を切断する切断工程を設けてなる請求項4記載の外力計
測装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02612397A JP3405108B2 (ja) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | 外力計測装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02612397A JP3405108B2 (ja) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | 外力計測装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10206458A true JPH10206458A (ja) | 1998-08-07 |
JP3405108B2 JP3405108B2 (ja) | 2003-05-12 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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JP (1) | JP3405108B2 (ja) |
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JP2019139236A (ja) * | 2017-07-06 | 2019-08-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | ミラーユニットの製造方法 |
US11624605B2 (en) | 2017-07-06 | 2023-04-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Mirror unit and optical module |
US11629946B2 (en) | 2017-07-06 | 2023-04-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Mirror unit and optical module |
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US11879731B2 (en) | 2017-07-06 | 2024-01-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Mirror unit and optical module |
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