JPH10200345A - 比較装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】電源電圧を下げて１．４５Ｖ以下で動作し、
１．２５Ｖ以下で温度依存性が小さい基準電圧を内蔵
し、ヒステリシス特性を有する比較装置を得ること。 【解決手段】カレントミラー回路の入力に接続の抵抗２
２，２３からなる第１の抵抗分圧部と、第１の抵抗分圧
部の分圧出力に電流を流す第１の電流発生部２１と、カ
レントミラー回路の入力に接続した第２の電流発生部２
４と、カレントミラー回路の出力に接続した抵抗３２，
３３からなる第２の抵抗分圧部と、第２の抵抗分圧部の
分圧出力に電流を流す第３の電流発生部３１と、カレン
トミラー回路の出力に接続した第４の電流発生部３４と
で構成された比較手段と、該比較手段の出力に応じて第
１の値または第２の値を出力する可変電流発生手段とか
らなり、第１及び第３の電流発生部の電流値が絶対温度
に比例し且つ電流値設定抵抗に反比例の大きさに制御さ
れるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、低い電源電圧で動
作する電流または電圧の比較装置に関し、特に基準電圧
とヒステリシスの温度依存性を任意に設定することがで
きる比較装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、このような比較装置としては図３
に示すようなものがあった。図３は従来の比較装置の構
成を示す回路図である。まず、図３を参照して、従来の
比較装置の構成を説明する。図３において、８１は装置
入力である入力端子、１は入力端子８１に接続されてい
る電圧源、８２は装置出力である出力端子、９は出力端
子８２に接続されている抵抗、６２、６３、６５、６
６、６８、７１、７２はトランジスタ、６１、７０は抵
抗、６４、６７、６９は電流源であり、一つの半導体上
に形成されており、６は電源電圧源である。また、トラ
ンジスタ６６、６８及び７２はカレントミラー回路を構
成する。

【０００３】次に、図３を参照して、上記従来の比較装
置の動作を説明する。図３において、抵抗７０及びダイ
オード接続されたトランジスタ７１から成る直列回路に
電流源６９の電流Ｉｃｓとトランジスタ６８のコレクタ
電流Ｉｃ６８を流し込むことにより得られる基準電圧Ｖ
ｂ６３は、抵抗７０の端子電圧Ｖ７０とトランジスタ７
１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅ７１のそれぞれの温
度１度あたりの電圧変化の大きさが同じで、極性が逆に
なるように設定すると、温度依存性が小さい基準電圧に
なることが良く知られている。

【０００４】電流源６９を半導体集積回路で良く用いら
れている出力電流Ｉｃｓが〔数１〕で表されるような特
性を持つ電流源（例えば、特開昭６０−１９１５０８号
公報に開示されているような）で構成した場合、Ｖｂ６
３は〔数２〕で表される。

【０００５】

【数１】

【０００６】

【数２】

【０００７】Ｖｂｅ７１の温度変化率は約−２ｍＶ／ｄ
ｅｇであることが知られていて、Ｖ７０の温度変化率を
約＋２ｍＶ／ｄｅｇになるように、抵抗７０の抵抗値の
大きさを設定すると、その和である基準電圧Ｖｂ６３の
温度依存性は小さくなる。いま、トランジスタ６８のコ
レクタ電流Ｉｃ６８をゼロと仮定した場合、Ｔを常温の
３００°Ｋに設定すると、基準電圧Ｖｂ６３は約１．２
５Ｖになる。

【０００８】この基準電圧Ｖｂ６３は、トランジスタ６
２、６３から成る差動アンプの一方の入力であるトラン
ジスタ６３のベースに入力され、他方の入力であるトラ
ンジスタ６２のベースは、装置入力である入力端子８１
となり、装置入力である入力端子８１に接続された電圧
源１の電圧Ｖ１が基準電圧Ｖｂ６３と比較される。

【０００９】Ｖ１＞Ｖｂ６３のとき、トランジスタ６
２、６３のエミッタ電位は等しいので、トランジスタ６
２のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅ６２は、トランジス
タ６３のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅ６３より大き
く、電流源６４の電流のほとんどはトランジスタ６２の
コレクタ電流となる。トランジスタ６２のコレクタ電流
が抵抗６１に流れ込むことにより、トランジスタ６５の
ベース電位は下がりトランジスタ６５を飽和させる。そ
のため電流源６７の電流Ｉ６７はトランジスタ６５のコ
レクタ電流として流れ、トランジスタ６６のコレクタ電
流はゼロとなる。

【００１０】トランジスタ６６、６８、７２はカレント
ミラー回路を構成して、入力であるトランジスタ６６の
コレクタ電流がゼロなので、出力であるトランジスタ６
８のコレクタ電流Ｉｃ６８もゼロとなり、抵抗７０及び
ダイオード接続されたトランジスタ７１から成る直列回
路への流入電流は電流源６９の電流Ｉｃｓのみとなる。
このときの基準電圧Ｖｂ６３をＶｂ６３ＬとするとＶｂ
６３Ｌは、〔数３〕で表される。

【００１１】

【数３】

【００１２】また、この時のトランジスタ７２のコレク
タ電流もゼロで、抵抗９への流入電流もゼロとなり、出
力端子８２の電位は低くなる。

【００１３】Ｖ１＜Ｖｂ６３のとき、トランジスタ６２
のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅ６２はトランジスタ６
３のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅ６３より小さく、電
流源６４の電流のほとんどはトランジスタ６３のコレク
タ電流となり、抵抗６１に流れ込む電流はほとんどな
く、トランジスタ６５のベース電位は高く、トランジス
タ６５をカットオフにする。

【００１４】そのため電流源６７の電流Ｉ６７は、カレ
ントミラーの入力であるトランジスタ６６のコレクタ電
流として流れ、その出力であるトランジスタ６８のコレ
クタ電流Ｉｃ６８は、電流源６９の電流Ｉｃｓととも
に、抵抗７０及びダイオード接続されたトランジスタ７
１から成る直列回路への流入電流となる。このときの基
準電圧Ｖｂ６３をＶｂ６３Ｈとすると、Ｖｂ６３Ｈは
〔数４〕で表される。

【００１５】

【数４】

【００１６】また、この時トランジスタ７２のコレクタ
電流は、抵抗９への流入電流となり、出力端子８２の電
位は高くなる。

【００１７】すなわち、Ｖ１＞Ｖｂ６３の時にはトラン
ジスタ６５は飽和し、Ｖｂ６３はＶｂ６３Ｌとなる。Ｖ
１が低下しＶｂ６３Ｌを下回ると、トランジスタ６５の
コレクタ電流は減少し、基準電圧はＶｂ６３ＬからＶｂ
６３Ｈへ変化させ正帰還動作をする。そのため、Ｖ１と
Ｖｂ６３の差は拡大し、トランジスタ６５はカットオフ
になり、出力端子８２の電位を高くする。

【００１８】一方、Ｖ１＜Ｖｂ６３の時にはトランジス
タ６５はカットオフして、Ｖｂ６３はＶｂ６３Ｈとな
る。Ｖ１が増大しＶｂ６３Ｈを越えるとトランジスタ６
５のコレクタ電流は増加し、基準電圧はＶｂ６３Ｈから
Ｖｂ６３Ｌへ変化して正帰還動作をする。そのため、Ｖ
１とＶｂ６３の差は反対方向に拡大し、トランジスタ６
５は飽和し、出力端子８２の電位を低くする。このよう
に出力端子８２の電位は高くなる状態に対してはＶ１≦
Ｖｂ６３Ｌで、反対に低くなる状態に対してはＶ１≧Ｖ
ｂ６３Ｈで移行するような、ヒステリシスＶｈｙ〔数
５〕で表される電圧のヒステリシス特性を有する。

【００１９】

【数５】

【００２０】上記のように従来の比較装置においては、
温度依存性の小さい基準電圧Ｖｂ６３Ｌを内蔵し、温度
依存性の小さいヒステリシスを有する比較装置を構成し
ている。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３に
示すような従来例の構成では、基準電圧Ｖｂ６３Ｌの温
度依存性を小さくするように設定すると基準電圧Ｖｂ６
３Ｌは約１．２５Ｖとなり、そこに電流を流す電流源６
９の出力トランジスタとかトランジスタ６８の最小コレ
クタ−エミッタ間電圧Ｖｃｅ（ｍｉｎ）に対し基準電圧
Ｖｂ６３Ｌを加えた下記〔数６〕で表される大きさ以上
の電源電圧Ｖｃｃが必要となる。

【００２２】

【数６】

【００２３】すなわち、最小コレクタ−エミッタ間電圧
Ｖｃｅ（ｍｉｎ）を約０．２Ｖとすると、電源電圧Ｖｃ
ｃの最小値は約１．４５Ｖとなるため、電源電圧Ｖｃｃ
は約１．４５Ｖ以下に下げて使用することはできないと
いう第１の問題があった。

【００２４】また、基準電圧Ｖｂ６３Ｌの温度依存性を
小さくするように設定すると、Ｖｂ６３Ｌは約１．２５
Ｖで固定されて、これより低い電圧の設定は困難であ
り、上記〔数３〕の第２項の大きさを小さくして、温度
依存性が大きくなることを許容しながら利用しなければ
ならなくなり、基準電圧及び温度特性を個々に独立して
制御できないという第２の問題があった。

【００２５】本発明は、上記従来の第１および第２の問
題を解決するためになされたもので、電源電圧を１．４
５Ｖ以下に下げて動作し、１．２５Ｖ以下で温度依存性
が小さい基準電圧を内蔵（回路内部で生成、以下同じ）
し、ヒステリシス特性を有する比較装置を提供すること
を目的とする。

【００２６】

【課題を解決するための手段】本発明による比較装置
は、カレントミラー回路と、カレントミラー回路の入力
に接続された第１の抵抗分圧部と、第１の抵抗分圧部の
分圧出力に電流を流す第１の電流発生部と、カレントミ
ラー回路の入力に接続された第２の電流発生部と、カレ
ントミラー回路の出力に接続された第２の抵抗分圧部
と、第２の抵抗分圧部の分圧出力に電流を流す第３の電
流発生部と、カレントミラー回路の出力に接続された第
４の電流発生部とにより構成され、また第１の電流発生
部および第３の電流発生部がその電流値が絶対温度に比
例し且つ電流値設定抵抗に反比例した大きさに制御さ
れ、第１の電流発生部及び第３の電流発生部の電流値設
定抵抗の温度特性と第１の抵抗分圧部および第２の抵抗
分圧部を構成する抵抗の温度特性とが等しくなるよう構
成された比較手段と、該比較手段の出力に応じて第１の
値または第２の値を出力するようにした可変電流発生手
段とから構成されるようにしたものである。

【００２７】本発明によれば、電源電圧を下げて１．４
５Ｖ以下で動作し、１．２５Ｖ以下で温度依存性が小さ
い基準電圧を内蔵し、出力電圧にヒステリシス特性を有
する比較装置を得ることができる。

【００２８】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、基準電圧を内蔵する比較手段と、前該比較手段の出
力に応じて第１の値または第２の値を出力する可変電流
発生手段とからなり、前記比較手段は、カレントミラー
回路と、前記カレントミラー回路の入力に接続された第
１の抵抗分圧部と、前記第１の抵抗分圧部の分圧出力に
電流を流す第１の電流発生部と、前記カレントミラー回
路の入力に接続された第２の電流発生部と、前記カレン
トミラー回路の出力に接続された第２の抵抗分圧部と、
前記第２の抵抗分圧部の分圧出力に電流を流す第３の電
流発生部と、前記カレントミラー回路の出力に接続され
た第４の電流発生部とにより構成され、前記第１の電流
発生部および第３の電流発生部は電流値が絶対温度に比
例し且つ電流値設定抵抗に反比例した大きさに制御され
るよう構成され、前記第１の電流発生部及び第３の電流
発生部の電流値設定抵抗の温度特性と前記第１の抵抗分
圧部および第２の抵抗分圧部を構成する抵抗の温度特性
とが等しくなるよう構成されるようにしたものであり、
前記基準電圧は、等価的にカレントミラー回路の入力の
ダイオード接続されたトランジスタに電流発生部の電流
が流れて得られた温度に対して負の変化をする順方向電
圧と、温度に対して正の変化をする電流発生部と抵抗分
圧部により得た電圧とを加えた電圧に抵抗分圧部の分圧
比を乗じた値となるため、例えば、これら２つの電圧の
温度依存性が相殺されるように構成すれば、温度依存性
が小さく、約１．２５Ｖ以下に設定できるという作用を
有する。

【００２９】本発明の請求項２に記載の発明は、前記可
変電流発生手段の電流値が該可変電流発生手段の電流値
設定抵抗に反比例した大きさに制御されるように構成さ
れ、前記可変電流発生手段の電流値設定抵抗の温度特性
と前記第１の電流発生部および前記第３の電流発生部の
電流値設定抵抗の温度特性と前記第１の抵抗分圧部およ
び前記第２の抵抗分圧部を構成する抵抗の温度特性とが
等しくなるよう構成され、前記可変電流発生手段は前記
比較手段の出力に応じて第１の値または第２の値を出力
するよう構成されるようにしたものであり、温度依存性
が小さくなるように設定した前記基準電圧と、可変電流
発生手段の出力電流と抵抗分圧部により得た温度依存性
の小さい電圧を加えることにより、温度依存性の小さい
基準電圧と、同じく温度依存性の小さいヒステリシス特
性が設定できるという作用を有する。

【００３０】本発明の請求項３に記載の発明は、前記カ
レントミラー回路がバイポーラ・トランジスタにより構
成されるようにしたものであり、簡単な回路で効率よ
く、１．２５Ｖ以下で温度依存性が小さい基準電圧を内
蔵し、出力電圧にヒステリシス特性を有する比較装置を
得ることができるという作用を有する。

【００３１】（実施の形態）以下、添付図面、図１及び
図２に基づき、本発明の一実施の形態を詳細に説明す
る。図１は本発明の実施の形態における比較装置の構成
を示す回路図、図２は基準電圧の説明のため図１に示す
比較部の一部を抜き出した回路を示す図であり、（Ａ）
は図１に示す比較部の相似回路のカレントミラー回路の
入力側の方を示す図、（Ｂ）は図２の（Ａ）の電流源２
１をオープンとした回路を示す図、（Ｃ）は図２の
（Ｂ）の電流源２４とトランジスタ２５の部分の等価回
路を示す図、（Ｄ）は図２の（Ｂ）の電流源２４とトラ
ンジスタ２５と抵抗２２、２３の部分の等価回路を示す
図、（Ｅ）は図２の（Ｂ）の電流源２４とトランジスタ
２５と抵抗２２、２３の部分の等価回路に電流源２１を
接続した回路を示す図、（Ｆ）は図１に示す比較装置の
基準電圧源（Ｖｒｅｆ１、Ｖｒｅｆ２）の等価回路を示
す図である。

【００３２】まず、図１を参照して、本発明の一実施の
形態における比較装置の構成について説明する。図１に
おいて、１０は基準電圧を内蔵し比較部２０と増幅部４
０とから構成されている比較手段、５０は入力に対応し
て第１の値及び第２の値の電流（後述する）を出力する
可変電流発生手段であり、本実施の形態における比較装
置は比較手段１０と可変電流発生手段５０とにより構成
される。

【００３３】比較部２０において、２５、３５はカレン
トミラー回路（第１のカレントミラー回路）を構成する
バイポーラ・トランジスタ、２１、２４、３１、３４は
電流値が絶対温度に比例し内蔵する電流値設定抵抗に反
比例する低電圧動作型電流源（それぞれ、第１、第２、
第３及び第４の電流発生部、以下、単に電流源ともい
う）、２２、２３は抵抗分圧部（第１の抵抗分圧部）を
構成する抵抗、３２、３３は抵抗分圧部（第２の抵抗分
圧部）を構成する抵抗、２、３は比較手段１０の入力端
子、３６は比較部２０の出力端子、１は電圧源である。

【００３４】増幅部４０において、４１、４２はカレン
トミラー回路（第２のカレントミラー回路）を構成する
バイポーラ・トランジスタ、４３はバイポーラ・トラン
ジスタ２５、３５とカレントミラーに接続されたバイポ
ーラ・トランジスタ、４４は入力端子に接続されたバイ
ポーラ・トランジスタ、４６は比較手段の出力端子に接
続されたバイポーラ・トランジスタ、４５は電流値が絶
対温度に比例し内蔵する電流値設定抵抗に反比例する低
電圧動作型電流源（第５の電流発生部、以下、単に電流
源という）、３７は比較部２０からの入力端子、７は比
較手段１０の出力端子である。

【００３５】比較部２０においては、入力端子２に入力
された電圧Ｖ１と入力端子３の電圧である基準電圧Ｖ３
とを比較して、出力端子３６からその比較結果に応じた
信号を得るよう構成され、増幅部４０においては、入力
端子３７に入力された信号の変化に応じた信号を出力端
子７から出力するよう構成される。

【００３６】可変電流発生手段５０において、５１は入
力信号を受けるバイポーラ・トランジスタ、５４、５６
は第３のカレントミラーを構成するバイポーラ・トラン
ジスタ、５２、５３、５７第４のカレントミラーを構成
するバイポーラ・トランジスタ、５５は出力電流値が温
度依存性の小さい基準電圧に比例し且つ内蔵する電流値
設定抵抗に反比例した大きさに制御される低電圧動作型
電流源（第６の電流発生部、以下、単に電流源ともい
う）、８は可変電流発生手段５０の入力端子、４、５は
可変電流発生手段５０の出力端子、６は電源電圧源、９
は出力抵抗である。

【００３７】可変電流発生手段５０は、入力端子８に入
力された信号の変化に対応して、出力端子４、５におけ
る出力電流値を第１の値または第２の値（後述する）に
切り換えるよう構成される。比較手段１０及び可変電流
発生手段５０は１つの半導体チップ上に形成される。
尚、上記のバイポーラ・トランジスタは、以下、単にト
ランジスタという。

【００３８】次に、図１及び図２を参照して、本発明の
一実施の形態における比較装置の動作について説明す
る。まず、比較手段１０の入力端子２に接続された電圧
源１の電圧Ｖ１と基準電圧となる比較手段１０の入力端
子３の電圧Ｖ３とを比較し、Ｖ１が十分に高いときに
は、比較手段１０の出力端子７に接続された可変電流発
生手段５０の入力端子８の電位が高く、可変電流発生手
段５０の出力端子４、５の出力電流はゼロ（第１の値）
で、出力端子５に接続された入力端子３への流入電流も
ゼロであり、基準電圧はＶｒｅｆ１である。また、抵抗
９が接続された出力端子４の電位は低い状態である。

【００３９】そこで、Ｖ１が低くくなりＶｒｅｆ１を下
回ると、出力端子４、５には出力電流が流れ、入力端子
３に対して流入電流が流れ、基準電圧はＶｒｅｆ１から
Ｖｒｅｆ２に移行を開始し、出力端子４の電位は高く変
化する。そして、Ｖ１が十分に低くなると、入力端子８
の電位がさらに低くなり、出力端子４、５には出力電流
がさらに流れ（第２の値）、入力端子３に対して流入電
流がさらに流れ、基準電圧はＶｒｅｆ２となる。また、
出力端子４の電位は高い状態になる。

【００４０】再び、Ｖ１が高くなりＶｒｅｆ２を上回る
と、出力端子４、５の出力電流は減少し、入力端子３に
対する流入電流も減少し、基準電圧はＶｒｅｆ１からＶ
ｒｅｆ２に移行を開始し、出力端子４の電位を低く変化
する。そして、Ｖ１が十分高くなると、入力端子８の電
位がさらに高くなり、出力端子４、５の出力電流はさら
に減少し、入力端子３に対する流入電流もさらに減少
し、基準電圧はＶｒｅｆ１となる。また、出力端子４の
電位は再び低い状態になる。したがって、電圧源１の電
圧Ｖ１に応じて基準電圧をＶｒｅｆ１またはＶｒｅｆ２
に切り換えるようにしたヒステリシス特性を実現する。

【００４１】次に、各回路手段（比較部２０、増幅部４
０、可変電流発生手段５０）ごとにそれぞれ動作の詳細
について説明する。第１に、比較部２０において、カレ
ントミラー回路を構成している入力側のダイオード接続
されたトランジスタ２５のコレクタに、電流源２４と、
抵抗２２及び２３から構成された抵抗分圧部が接続さ
れ、この抵抗分圧部の分圧出力には、電流源２１と比較
手段１０の入力端子３が接続される。一方、カレントミ
ラー回路を構成している出力側のトランジスタ３５のコ
レクタに、電流源３４と、抵抗３２及び３３から構成さ
れる抵抗分圧部と、比較部２０の出力端子３６が接続さ
れ、この抵抗分圧部の分圧出力には、電流源３１と比較
手段１０の入力端子２が接続される。

【００４２】以下の説明で、説明を簡単にするため、入
力端子２、３及び出力端子３６には何も接続されず、ま
た増幅部４０のトランジスタ４３も接続されていない状
態とする。トランジスタ２５がダイオード接続されてい
る点を除けば、左右同様の構成で同様の定数を持ってい
る。すなわち、抵抗２２と抵抗３２、抵抗２３と抵抗３
３、電流源２１と電流源３１、電流源２４と電流源３
４、トランジスタ２５とトランジスタ３５がそれぞれ対
応して構成された状態とする。

【００４３】まず、比較部２０が内蔵する基準電圧につ
いて説明する。左側にある抵抗２２、２３と、電流源２
１、２４と、ダイオード接続されたトランジスタ２５
と、入力端子３とに着目する。図２の（Ａ）は、図１か
らこれらの部分を抜き出した図である。図２の（Ａ）お
いて信号源が２つあるので、重ね合わせの理を用いて解
析するため、電流源２１をオープンにして考える。図２
の（Ｂ）は電流源２１をオープンとしたものである。

【００４４】図２の（Ｃ）は、ダイオード接続されたト
ランジスタ２５と電流源２４を電圧源２５１と抵抗２５
２で構成された等価回路２５０で表したものである。電
圧源２５１の電圧Ｖ２５１と抵抗２５２の抵抗値Ｒ２５
２はそれぞれ〔数７〕及び〔数８〕で表される。

【００４５】

【数７】

【００４６】

【数８】

【００４７】更に、図２の（Ｄ）は、等価回路２５０と
抵抗２２、２３を鳳・テブナンの定理を用いて電圧源２
２１と抵抗２２２で構成された等価回路２２０で表した
ものである。電圧源２２１の電圧Ｖ２２１と抵抗２２２
の抵抗値Ｒ２２２はそれぞれ〔数９〕、〔数１０〕で表
される。

【００４８】

【数９】

【００４９】

【数１０】

【００５０】ここで電流源２１を考慮する。図２の
（Ｅ）は、図２の（Ｄ）に電流源２１を接続したもので
ある。電流源２１を〔数１〕にあるような電流源とする
と、電流源２１の電流値Ｉｃｓは抵抗２２２を通じて電
圧源２２１に流れ込むため、入力端子３の電圧Ｖ３は基
準電圧Ｖｒｅｆ１として〔数１１〕で表されるようにな
る。

【００５１】

【数１１】

【００５２】そして、〔数１１〕の｛ ｝内の第１項は
ダイオード接続されたトランジスタの順方向電圧で約６
５０ｍＶであり、温度に対して約−２ｍＶ／ｄｅｇで変
化するので、｛ ｝内の第２項の温度に対する変化を＋
２ｍＶ／ｄｅｇになるように（Ｒ２２＋Ｒ２５２）と電
流値設定抵抗Ｒｃｓを設定すれば、第１項、第２項の温
度に対する電圧変化は相殺することができる。これは、
｛ ｝内の第２項を６００ｍＶとすることにより達成す
ることができる。

【００５３】その結果、基準電圧Ｖｒｅｆ１の温度依存
性を小さくすることができる。更に、その基準電圧の大
きさも係数Ｍにより容易に設定することができる。ま
た、基準電圧Ｖｒｅｆ１は、ダイオード接続されたトラ
ンジスタ２５と電流源２４により得た順方向電圧Ｖｆ２
５に、抵抗２２及び２３から成る分圧抵抗Ｒ２２、２３
と電流源２１により得た電圧に絶対温度Ｔと抵抗比など
の温度に依存しない係数とを乗じた大きさの電圧を加え
た形で表されるため、それらの電圧の配合を変えること
により温度特性が制御でき、さらにその大きさをＭなる
係数により容易に設定することができる。

【００５４】次に、比較部２０の相似動作について説明
する。基準電圧Ｖｒｅｆ１を設定するために得られた回
路定数を図１に示す比較部２０の右側のそれぞれ対応す
る素子に割り付けると、比較部２０の左側と右側はトラ
ンジスタ２５、３５からなるカレントミラー回路により
対応する素子の電圧および電流が同一の相似回路を構成
する。電流源２４の電流Ｉ２４は、接続点Ａで抵抗２２
に流入するＩ２２と、トランジスタ２５のコレクタ電流
Ｉｃ２５と、トランジスタ２５及びトランジスタ３５の
ベース電流（Ｉｂ２５＋Ｉｂ３５）とに分流する。それ
は〔数１２〕に表されるようになる。

【００５５】

【数１２】

【００５６】〔数１２〕において、トランジスタ２５及
びトランジスタ３５のベース電流（Ｉｂ２５＋Ｉｂ３
５）を無視して考えると、〔数１２〕は〔数１３〕で表
すようになる。

【００５７】

【数１３】

【００５８】一方、電流源３４の電流Ｉ３４は、接続点
Ｂで抵抗３２に流入するＩ３２と、トランジスタ３５の
コレクタ電流Ｉｃ３５とに分流され、それは〔数１４〕
で表される。

【００５９】

【数１４】

【００６０】トランジスタ２５及び３５はミラー比が
１：１のカレントミラー回路を構成しているため、コレ
クタ電流Ｉｃ２５とコレクタ電流Ｉｃ３５とは等しくな
るので、〔数１４〕から〔数１５〕が得られる。

【００６１】

【数１５】

【００６２】ところで、電流値Ｉ２４と電流値Ｉ３４と
は同じ値に設定されているため、〔数１３〕と〔数１
５〕とから〔数１６〕が得られる。

【００６３】

【数１６】

【００６４】〔数１６〕から分かるように、比較部２０
の左側の回路と右側の回路それぞれの電流が等しく、素
子定数も等しいため、それぞれの電圧も等しくなり、両
回路は相似動作をするということが分かる。

【００６５】次に、図１に示すように、入力端子２に電
圧源１が接続された状態について考える。電圧源１の電
圧Ｖ１が入力端子３の電圧Ｖ３より高いと、抵抗３２の
電位が小さくなり抵抗３２に流れ込む電流Ｉ３２が減
り、電流源３４の電流Ｉ３４からＩ３２を減算した電流
（Ｉ３４−Ｉ３２）は増加し、Ｉ３４−Ｉ３２はＩｃ３
５よりも大きくなり、出力端子３６には電流が吐き出す
方向に流れようとして出力端子３６の電位は高くなる。

【００６６】一方、Ｖ１がＶ３より低いときは、逆に抵
抗３２の電位は大きくなり、Ｉ３２が増えてＩ３４−Ｉ
３２は減少し、Ｉ３４−Ｉ３２はＩｃ３５よりも小さく
なり、出力端子３６には電流を吸い込む方向に流れよう
とし、出力端子３６の電位は低くなる。この動作は、丁
度、入力端子２が非反転入力、入力端子３が反転入力で
基準電圧Ｖｒｅｆ１が接続され、出力が出力端子３６で
ある増幅器の動作と等価となる。そして、この基準電圧
Ｖｒｅｆ１は上記〔数１１〕で表され、前述のように、
温度依存性が小さく、１．２５Ｖ以下の値に設定するこ
とができる。

【００６７】次に、比較手段１０の入力端子３に可変電
流発生手段５０を接続した状態について考える。図２の
（Ｆ）は、図２の（Ｅ）の入力端子３に電流源５０１と
スイッチ５０２で構成される可変電流発生手段５０の等
価回路５００を接続したものである。スイッチ５０２が
オフの時、すなわち可変電流発生手段５０の出力電流が
ゼロの時は、入力端子３に対する流入電流はゼロとな
り、図２の（Ｅ）と等しくなる。この時の入力端子３の
電圧Ｖ３は、比較手段１０に内蔵される基準電圧Ｖｒｅ
ｆ１となり、上記〔数１１〕で表される。

【００６８】一方、スイッチ５０２がオンの時、すなわ
ち可変電流発生手段５０の出力電流が入力端子３へ流入
しているときには、可変電流発生手段５０の出力電流値
をＩ５５とすると、抵抗２２２への流入電流はＩｃｓ＋
Ｉ５５となり、入力端子３の電圧Ｖ３は比較手段１０に
内蔵される基準電圧Ｖｒｅｆ１と抵抗２２２にＩ５５を
流すことにより発生した電圧降下分とを加えた値である
基準電圧Ｖｒｅｆ２となり、〔数１７〕で表される。

【００６９】

【数１７】

【００７０】以上のように比較部２０は、ダイオード接
続したトランジスタの順方向電圧と、抵抗分圧部と電流
源より得た電圧とを加えて得られた温度依存性が小さい
基準電圧Ｖｒｅｆ１と、基準電圧Ｖｒｅｆ１と可変電流
発生手段の出力電流を抵抗分圧部に流すことにより発生
する電圧降下分とを加えて得られた基準電圧Ｖｒｅｆ２
も内蔵することになる。

【００７１】以上説明したように、比較部２０におい
て、Ｖ１＞Ｖ３のときは、Ｖ３は基準電圧Ｖｒｅｆ１と
なり、可変電流発生手段５０の入力端子８の電位は高
く、入力端子８に接続されたトランジスタ５１は飽和
し、装置出力である可変電流発生手段５０の出力端子４
の電位は低い状態である。いま、Ｖ１が低下してＶｒｅ
ｆ１を下回ると、入力端子８の電位は低下し、トランジ
スタ５１のコレクタ電流Ｉｃ５１は減少し、可変電流発
生手段５０の出力電流は増加し、基準電圧はＶｒｅｆ１
からＶｒｅｆ２へ変化する正帰還動作をする。

【００７２】一方、Ｖ１とＶ３とが逆転してその差が拡
大すると、トランジスタ５１はカットオフとなり、可変
電流発生手段５０の出力電流はＩ５５となる。そのた
め、カレントミラー回路を構成するトランジスタ５４、
５６及びトランジスタ５２、５３を介して制御された出
力端子４を通して抵抗９に流入する流入電流はＩ５５と
なり、出力端子４の電位は高くなる。すなわち、Ｖ１＜
Ｖ３のときには、逆に、Ｖ３は基準電圧Ｖｒｅｆ２とな
り、入力端子８の電位は低く、トランジスタ５１はカッ
トオフとなり、出力端子４の電位は高い状態である。

【００７３】再び、Ｖ１が上昇してＶｒｅｆ２を上回る
と、入力端子８の電位は上昇し、トランジスタ５１のコ
レクタ電流Ｉｃ５１は増加し、可変電流発生手段５０の
出力電流は減少し、基準電圧はＶｒｅｆ２からＶｒｅｆ
１へ変化する正帰還動作を行う。すなわち、Ｖ１とＶ３
の差が反対方向に拡大すると、トランジスタ５１は飽和
し、可変電流発生手段５０の出力電流はゼロとなり、出
力端子４に接続された抵抗９への流入電流はゼロとな
り、出力端子４の電位は低くなる。

【００７４】このように、Ｖ１≦Ｖｒｅｆ１の状態では
出力端子４の電位を高くするよう移行し、反対に、Ｖ１
≧Ｖｒｅｆ２の状態では出力端子４の電位を低くするよ
う移行するヒステリシス特性を有する。ヒステリシス電
圧Ｖｈｙは下記〔数１８〕で表される。

【００７５】

【数１８】

【００７６】第２に、増幅部４０の動作について説明す
る。比較部２０の出力端子３６に接続された増幅部４０
の入力端子３７の電位が高いときは、入力端子３７に接
続されたトランジスタ４４のベース電位が高くなり、ト
ランジスタ４４のコレクタ電流Ｉｃ４４は増加する。そ
のためコレクタ電流Ｉｃ４４と、トランジスタ４４のコ
レクタに接続されたトランジスタ４２のコレクタ電流Ｉ
ｃ４２との差の電流であるトランジスタ４４のコレクタ
に接続されたトランジスタ４６のベース電流Ｉｂ４６は
減少し、トランジスタ４６のコレクタ電流Ｉｃ４６も減
少する。

【００７７】そして、コレクタ電流Ｉｃ４６がトランジ
スタ４６のコレクタに接続された電流源４５の出力電流
Ｉ４５よりも小さくなり、トランジスタ４６のコレクタ
に接続された出力端子７には電流が吐き出す方向に流れ
ようとして出力端子７の電位は高くなる。

【００７８】一方、入力端子３７の電位が低いときに
は、逆に、トランジスタ４４のコレクタ電流Ｉｃ４４は
減少し、トランジスタ４６のベース電流Ｉｂ４６は増加
し、トランジスタ４６のコレクタ電流Ｉｃ４６も増加す
る。そしてコレクタ電流Ｉｃ４６が電流源４５の出力電
流Ｉ４５よりも大きくなると、出力端子７には電流が吸
い込む方向に流れようとし出力端子７の電位は低くな
る。

【００７９】トランジスタ４３、４１、４２から構成さ
れる回路は、比較部２０のトランジスタ２５、３５のベ
ース電流の影響を取り除くためのもので、トランジスタ
２５とトランジスタ３５のコレクタ電流を等しくするよ
うにトランジスタ４４のベース電流を設定する回路であ
る。比較部２０のトランジスタ２５、３５とカレントミ
ラー回路を構成するトランジスタ４３のコレクタはトラ
ンジスタ４１、４２で構成されるカレントミラー回路の
入力であるトランジスタ４１のコレクタに接続され、カ
レントミラー回路の出力であるトランジスタ４２のコレ
クタはトランジスタ４４のコレクタに接続される。

【００８０】トランジスタ４１、４２で構成されるのカ
レントミラー回路のミラー比は１：３で、トランジスタ
４４のコレクタ電流はトランジスタ４３のコレクタ電流
の３倍の電流が流れるように設定される。比較部２０の
接続点Ａにおいて、電流源２４の電流Ｉ２４は、抵抗２
２に流入する電流Ｉ２２と、トランジスタ２５のコレク
タ電流Ｉｃ２５と、トランジスタ２５、３５、４３の各
ベース電流を合わせたものである。

【００８１】一方、接続点Ｂにおいて、電流源３４の電
流Ｉ３４は、抵抗３２に流入する電流Ｉ３２と、トラン
ジスタ３５のコレクタ電流Ｉｃ３５と、トランジスタ４
４のベース電流Ｉｂ４４を合わせたものである。Ｉ２４
とＩ３４は回路構成上で等しく、またトランジスタ２
５、３５、４３はミラー比が１：１：１のカレントミラ
ー回路を構成してＩｃ２５とＩｃ３５とトランジスタ４
３のコレクタ電流Ｉｃ４３は等しい。

【００８２】もし、トランジスタ２５、３５、４３を同
じ特性のトランジスタで構成し、各ベース電流をＩｂと
すれば、トランジスタ４１、４２からなるカレントミラ
ー回路により、トランジスタ４４のコレクタ電流Ｉｃ４
４をＩｃ４３の３倍にして流すことにより、Ｉｂ４４の
大きさをＩｂ×３とすることで、左右の回路の各部分を
流れる電流を等しくすることができる。

【００８３】以上のようにして、比較部２０のトランジ
スタ２５、３５のベース電流の影響を取り除くことによ
り、入力端子２と入力端子３の端子電圧の差が、トラン
ジスタの電流増幅率ｈｆｅのばらつきに依存しないで働
くようにした。

【００８４】以上のように増幅部４０は、入力端子３７
の電位が高くなると出力端子７の電位が高くなり、逆に
入力端子３７の電位が低くなると出力端子７の電位が低
くなるように構成され、またトランジスタ４３、４１、
４２から構成される回路により、比較部２０のトランジ
スタ２５、３５のベース電流の影響を取り除くようにし
たものである。

【００８５】第３に、可変電流発生手段５０の動作につ
いて説明する。比較手段１０の出力端子７に接続されて
いる入力端子８の電位が高く、可変電流発生手段５０の
入力端子８にベースが接続されたトランジスタ５１が飽
和しているとき、トランジスタ５１のコレクタに接続さ
れた電流源５５の出力電流Ｉ５５は、トランジスタ５１
のコレクタ電流Ｉｃ５１として流れ、トランジスタ５１
のコレクタに接続されたトランジスタ５６、５４からな
る第１のカレントミラー回路への入力電流Ｉ５６はゼロ
となり、第１のカレントミラー回路の出力であるトラン
ジスタ５４のコレクタに接続されたトランジスタ５３、
５７、５２からなる第２のカレントミラー回路に対する
入力電流Ｉ５３もゼロとなり、第２のカレントミラー回
路の出力であるトランジスタ５７、５２にそれぞれ接続
された出力端子４、５の出力電流はゼロ（第１の値）と
なる。

【００８６】一方、可変電流発生手段５０の入力端子８
の電位が低くトランジスタ５１がカットオフのとき、電
流源５５の出力電流Ｉ５５は、第１のカレントミラー回
路の入力電流Ｉ５６として流れ、第２のカレントミラー
回路の入力電流Ｉ５３が流れ、出力端子４、５の出力電
流が流れる。第１のカレントミラー回路のミラー比が
１：１で、第２のカレントミラー比が１：１：１とすれ
ば、出力端子４、５の出力電流は、下記〔数１９〕で表
されるようなＩ５５（第２の値）となる。

【００８７】以上のように、可変電流発生手段５０は入
力端子８の電位に応じて出力端子４、５の出力電流を第
１の値または第２の値と切り換えることができる。そこ
で、〔数１９〕で表されるような電流値が温度依存性が
小さい基準電圧Ｖｒｅｆ５５に比例し、かつ電流値設定
抵抗に反比例した大きさに制御されるように構成した可
変電流発生部を電流源５５として用いれば、温度依存性
が小さい基準電圧Ｖｒｅｆ１を内蔵し、温度依存性が小
さいヒステリシス特性を有する比較装置を実現すること
ができる。

【００８８】

【数１９】

【００８９】〔数１７〕に〔数１９〕のＩ５５を代入す
ると、Ｖｒｅｆ２は〔数２０〕で表される。

【００９０】

【数２０】

【００９１】〔数２０〕のＶｒｅｆ１とＶｒｅｆ５５は
ともに温度依存性が小さい基準電圧であり、かつ、Ｒ２
２２と電流値設定抵抗Ｒ５５の温度特性を同じようにす
ると、（Ｒ２２２／Ｒ５５）は抵抗の比の形になってい
るので抵抗の温度特性は相殺され、Ｖｒｅｆ２は温度依
存性が小さくなる。よって、出力電圧のヒステリシス特
性Ｖｈｙは〔数２１〕で表され、温度依存が小さくな
る。

【００９２】

【数２１】

【００９３】このようにして、本発明の実施例によれ
ば、〔数１１〕で表される基準電圧Ｖｒｅｆ１が、ダイ
オード接続されたトランジスタ２５と電流源２４により
得た順方向電圧Ｖｆ２５に、抵抗２２及び２３から成る
分圧抵抗Ｒ２２、２３と電流源２１により得た電圧に絶
対温度Ｔや抵抗比などの温度に依存しない係数を乗じた
大きさの電圧を加えた形で表されるため、それらの電圧
の配分を変えることにより温度特性が制御でき、さらに
その大きさをＭなる係数により容易に設定できる利点を
有する。

【００９４】また、前記基準電圧Ｖｒｅｆ１を温度依存
性が小さいように設定し、さらに電流源５５として電流
値が温度依存性が小さい基準電圧に比例し、かつ電流値
設定抵抗に反比例した大きさに制御されるように構成し
た電流源を用いることにより、温度依存性が小さい基準
電圧Ｖｒｅｆ１と、〔数２１〕で表されるような温度依
存性が小さいヒステリシス特性を有する比較装置を実現
することができる。

【００９５】また、電流源２４、３４の端子電圧はダイ
オードの順方向電圧であり、各抵抗分圧部の分圧出力の
電圧をダイオードの順方向電圧以下に設定し、さらに電
流源２１、２４、３１、３４、４５として、絶対温度に
比例し、電流値設定抵抗に反比例する低電圧動作型電流
源（例えば、特開昭６０−１９１５０８にあるような）
を用いることにより、本比較装置の電源電圧は約０．９
Ｖまで下げて使うことが出来る。

【００９６】その上、電流源５５として、出力電流値が
温度依存性が小さい基準電圧に比例し、かつ電流値設定
抵抗に反比例した大きさに制御される低電圧動作型電流
源（例えば、特願平７−１４５１６にあるような）を用
いることにより、温度依存性が小さい基準電圧Ｖｒｅｆ
１を内蔵し、温度依存性が小さいヒステリシス特性を有
する比較装置を実現し、電源電圧を約０．９Ｖまで下げ
て使用することができる。

【００９７】また、〔数１１〕において、Ｒ２５２がＲ
２２よりも十分小さく設定すれば、基準電圧Ｖｒｅｆ１
に関係する抵抗Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒｃ
ｓは、比の形になっているので絶対値の精度に依存する
ことがなくなり、半導体集積回路でも精度良く構成する
ことができる。また、〔数２０〕において、基準電圧Ｖ
ｒｅｆ２に関係する抵抗Ｒ２２２、Ｒ５５も同様に、比
の形になっているので絶対値の精度に依存することがな
くなり、半導体集積回路でも精度良く構成することがで
きる。

【００９８】なお、本実施の形態では、比較手段１０の
入力端子２を装置入力とし、入力端子３に可変電流発生
手段の出力端子５を接続し、増幅部４０の入力端子３７
の電位が高くなると出力端子７の電位が高くなり、入力
端子３７の電位が低くなると出力端子７の電位が低くな
るように構成したが、これは装置入力となる比較手段１
０の入力端子２の電位が高くなると出力端子７の電位が
高くなり、反対に入力端子２の電位が低くなると出力端
子７の電位が低くなるような入力端子２の電位と出力端
子７の電位の関係が非反転であればよい。

【００９９】そのため、比較手段１０の入力端子３を装
置入力とし、入力端子２に可変電流発生手段の出力端子
５を接続し、増幅部４０の入力端子３７の電位が高くな
ると出力端子７の電位が低くなり、入力端子３７の電位
が低くなると出力端子７の電位が高くなるように構成し
たとしても、同様の効果を得ることができる。装置入力
を入力端子２とした場合の基準電圧は入力端子３の電圧
Ｖ３であったが、この場合の基準電圧は入力端子２の電
圧ではなく、可変電流発生手段５０の出力電流値が切り
替わったときの入力端子３の電圧が基準電圧となる。

【０１００】また、本発明の実施例では、可変電流発生
手段５０は、出力電流の第１の値を０として、出力電流
の第２の値をＩ５５とするように構成したが、出力電流
の第１の値を比較手段１０の入力端子２または入力端子
３に入力したときの基準電圧が出力電流の第２の値を入
力したときの基準電圧よりも低くなるような第１の値、
第２の値であれば良い。

【０１０１】また、本発明の実施例では、接続点Ａにお
けるトランジスタ２５、３５のベース電流の影響を補償
するために、トランジスタ４３、４１、４２から構成さ
れる回路で、接続点Ａから抜かれているトランジスタの
ベース電流と同じ大きさの電流を接続点Ｂから抜いてい
るが、結果として接続点Ａから抜かれているトランジス
タのベース電流と同じ大きさの電流を接続点Ｂより抜く
ものであれば、他の方法によって実現しても良い。

【０１０２】また、本実施の形態では、電流源２１、３
１をその電流値が絶対温度Ｔに比例し、電流値設定抵抗
Ｒｃｓに反比例するようにして、また電流源５５を温度
依存性が小さい基準電圧Ｖｒｅｆ５５に比例し、かつ電
流値設定抵抗Ｒ５５に反比例するようにしている。しか
し、これはどのような特性を持つ電流源であっても実現
することは可能である。但し、この場合、基準電圧の温
度または電源電圧の変動などに対する影響は本実施の形
態とは違った特性になるかもしれない。

【０１０３】また、本実施の形態では、カレントミラー
回路をバイポーラ・トランジスタで構成するようにして
いるが、これはどのような素子を用いたカレントミラー
回路であってもよい。この場合、基準電圧の温度特性は
その素子により違ったものとなるので、それに適応する
ように設定すればよい。

【０１０４】

【発明の効果】本発明による比較装置は、上記のように
構成し、特に、 （１）カレントミラー回路をバイポーラ・トランジスタ
で構成し、カレントミラー回路の入力のダイオード接続
されたトランジスタより得た温度に対して負の変化をす
る順方向電圧と、電流源と抵抗分圧部により得た温度に
対して正の変化をする電圧とを互いの温度に対する変化
を相殺するように加えた電圧に抵抗分圧部の分圧比を乗
じた値を比較手段に内蔵される基準電圧とするようにし
たことにより、１．２５Ｖ以下であり、且つ温度依存性
が小さい基準電圧を提供することができる。

【０１０５】（２）カレントミラー回路をバイポーラ・
トランジスタで構成し、カレントミラー回路の入力のダ
イオード接続されたトランジスタより得た温度に対して
負の変化をする順方向電圧と、電流源と抵抗分圧部によ
り得た温度に対して正の変化をする電圧とを加えた電圧
に抵抗分圧部の分圧比を乗じた値が比較手段に内蔵され
る基準電圧とするようにしたことにより、各電圧の配合
を変えることにより、１．２５Ｖ以下であり、且つ温度
特性を制御可能な基準電圧を提供することができる。

【０１０６】（３）カレントミラー回路をバイポーラ・
トランジスタで構成し、カレントミラー回路の入力のダ
イオード接続されたトランジスタより得た温度に対して
負の変化をする順方向電圧と、電流源と抵抗分圧部によ
り得た温度に対して正の変化をする電圧とを互いの温度
に対する変化を相殺するように加えた電圧に抵抗分圧部
の分圧比を乗じた値が比較手段に内蔵される基準電圧と
し、さらに可変電流発生手段の出力電流値が温度依存性
が小さい基準電圧に比例し、かつ電流値設定抵抗に反比
例した大きさに制御されるように構成したことにより、
１．２５Ｖ以下であり、温度依存性が小さく、且つヒス
テリシス特性の温度依存性が小さい基準電圧を提供する
ことができる。

【０１０７】（４）基準電圧および出力端子電圧を０．
７Ｖ以下に設定し、さらに比較手段の電流源として絶対
温度に比例し電流値設定抵抗に反比例する低電圧動作型
電流源を用い、また可変電流発生手段の電流源として出
力電流値が温度依存性が小さい基準電圧に比例し且つ電
流値設定抵抗に反比例した大きさに制御される低電圧動
作型電流源を用いるようにすれば、温度依存性が小さい
基準電圧を内蔵し、温度依存性が小さいヒステリシス特
性を有し、電源電圧を約０．９Ｖまで低くすることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態における比較装置の構成を
示す回路図

【図２】基準電圧の説明のため図１に示す比較部の一部
を抜き出した回路を示す図であり、 （Ａ） 図１に示す比較部の相似回路のカレントミラー
回路の入力側の方を示す図 （Ｂ） 図２の（Ａ）の電流源２１をオープンとした回
路を示す図 （Ｃ） 図２の（Ｂ）の電流源２４とトランジスタ２５
の部分の等価回路を示す図 （Ｄ） 図２の（Ｂ）の電流源２４とトランジスタ２５
と抵抗２２、２３の部分の等価回路を示す図 （Ｅ） 図２の（Ｂ）の電流源２４とトランジスタ２５
と抵抗２２、２３の部分の等価回路に電流源２１を接続
した回路を示す図 （Ｆ） 図１に示す比較装置の基準電圧源（Ｖｒｅｆ
１、Ｖｒｅｆ２）の等価回路を示す図

【図３】従来の比較装置の構成を示す回路図

【符号の説明】

１、６ 電圧源 ２、３ 比較装置の入力端子 ４、５ 可変電流発生手段の出力端子 ７ 比較手段の出力端子 ８ 可変電流発生手段の入力端子 ９、２２、２３、３２ 抵抗 ３３、６１、７０ 抵抗 ２１、２４、３１、３４、４５ 電流源 ５５、６４、６７、６９ 電流源 ２５、３５、４１、４２ トランジスタ ４３、４４、４６、５１ トランジスタ ５２、５３、５４、５６ トランジスタ ５７、６２、６３、６５ トランジスタ ６６、６８、７１、７２ トランジスタ １０ 基準電圧を内蔵する比較手段 ２０ 比較部 ３６ 比較部の出力端子 ３７ 増幅部の入力端子 ４０ 増幅部 ５０ 可変電流発生手段 ６０ 従来の比較装置 ８１ 比較装置の入力端子 ８２ 比較装置の出力端子 ２２０ トランジスタ２５、電流源２４、抵抗２２、２
３の部分の等価回路 ２２１ トランジスタ２５、電流源２４、抵抗２２、２
３の部分の等価回路内の等価電圧源 ２２２ トランジスタ２５、電流源２４、抵抗２２、２
３の部分の等価回路内の等価抵抗 ２５０ トランジスタ２５、電流源２４の部分の等価回
路 ２５１ トランジスタ２５、電流源２４の部分の等価回
路内の等価電圧源 ２５２ トランジスタ２５、電流源２４の部分の等価回
路内の等価抵抗 ５００ 可変電流発生手段の等価回路 ５０１ 可変電流発生手段の等価回路内の等価電流源 ５０２ 可変電流発生手段の等価回路内の等価スイッチ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基準電圧を内蔵する比較手段と、前該比較
   手段の出力に応じて第１の値または第２の値を出力する
   可変電流発生手段とからなり、前記比較手段は、カレン
   トミラー回路と、前記カレントミラー回路の入力に接続
   された第１の抵抗分圧部と、前記第１の抵抗分圧部の分
   圧出力に電流を流す第１の電流発生部と、前記カレント
   ミラー回路の入力に接続された第２の電流発生部と、前
   記カレントミラー回路の出力に接続された第２の抵抗分
   圧部と、前記第２の抵抗分圧部の分圧出力に電流を流す
   第３の電流発生部と、前記カレントミラー回路の出力に
   接続された第４の電流発生部とにより構成され、前記第
   １の電流発生部および第３の電流発生部は電流値が絶対
   温度に比例し且つ電流値設定抵抗に反比例した大きさに
   制御されるように構成され、前記第１の電流発生部及び
   第３の電流発生部の電流値設定抵抗の温度特性と前記第
   １の抵抗分圧部および第２の抵抗分圧部を構成する抵抗
   の温度特性とが等しくなるよう構成されたことを特徴と
   する比較装置。
2. 【請求項２】前記可変電流発生手段の電流値が該可変電
   流発生手段の電流値設定抵抗に反比例した大きさに制御
   されるように構成され、前記可変電流発生手段の電流値
   設定抵抗の温度特性と前記第１の電流発生部および前記
   第３の電流発生部の電流値設定抵抗の温度特性と前記第
   １の抵抗分圧部および前記第２の抵抗分圧部を構成する
   抵抗の温度特性とが等しくなるよう構成され、前記可変
   電流発生手段は前記比較手段の出力に応じて第１の値ま
   たは第２の値を出力するよう構成されたことを特長とす
   る請求項１記載の比較装置。
3. 【請求項３】前記カレントミラー回路はバイポーラ・ト
   ランジスタにより構成されることを特徴とする請求項１
   または２記載の比較装置。