JPH10172894A - Apparatus and method for applying resist - Google Patents
Apparatus and method for applying resistInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハ上にレジス
トを塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置お
よびレジスト塗布方法に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a resist coating apparatus and a resist coating method for forming a resist film by coating a resist on a wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】スピンコータにウェハをセットして、当
該ウェハを回転させてウェハ表面にレジストを塗布する
際、ウェハ上にパターンが形成されて段差部を有する場
合には、当該段差部までレジストが浸入できないことが
ある。例えば、図４に示すように、ウェハ基板Ｗ上にＳ
ｉＮ膜層５１が分離して形成され、これらＳｉＮ膜層５
１上にレジスト膜Ｒを形成する際に、ＳｉＮ膜層５１に
よって形成される段差部５１ａまで十分にレジストが入
り込む必要がある。しかしながら、例えば、図５（ａ）
に示すように、段差部５１ａの上方には全くレジスト膜
Ｒが形成されないことがある。また、図５（ｂ）に示す
ように、段差部５１ａの上方にのみレジスト膜Ｒが形成
され、段差部５１ａに空間が形成されてしまうこともあ
る。さらには、図５（ｃ）に示すように、ウェハＷの一
部Ｐのみレジスト膜Ｒが所望の状態で形成されないこと
がある。2. Description of the Related Art When a wafer is set on a spin coater and the wafer is rotated to apply a resist on the wafer surface, when a pattern is formed on the wafer and the wafer has a step, the resist is applied to the step. May not penetrate. For example, as shown in FIG.
An iN film layer 51 is formed separately, and these SiN film layers 5 are formed.
When the resist film R is formed on the substrate 1, it is necessary that the resist sufficiently penetrates to the step portion 51 a formed by the SiN film layer 51. However, for example, FIG.
As shown in FIG. 7, the resist film R may not be formed at all above the step 51a. In addition, as shown in FIG. 5B, the resist film R is formed only above the step 51a, and a space may be formed in the step 51a. Further, as shown in FIG. 5C, the resist film R may not be formed in a desired state only on a part P of the wafer W.
【０００３】上記のような現象は、ウェハ上のパターン
が密集した箇所において特に顕著である。このような、
段差部へレジスト膜Ｒが所望の状態で形成されない（入
り込めない）理由として、レジストの粘度が高すぎる、
レジストの量が少なすぎる、ウェハ表面が疎水化してい
る等の原因が考えられる。[0003] The above phenomenon is particularly remarkable in a place where patterns on a wafer are dense. like this,
The reason that the resist film R is not formed (entered) in a desired state on the step portion is that the viscosity of the resist is too high,
Possible causes are that the amount of the resist is too small, the surface of the wafer becomes hydrophobic, and the like.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】このため、従来におい
ては、密集したパターンが形成されて段差を有するウェ
ハにレジストをコーティングする際には、例えば、レジ
ストのコーティング前に、ウェハを現像液中に浸し、こ
のウェハを流水後乾燥させ、その後にレジストのコーテ
ィングを行っていた。ウェハを現像液中に浸し、このウ
ェハを流水後乾燥させるのは、ウェハ表面の状態を疎水
面から親水面に変化させるためである。しかしながら、
上記のような現像液を使用してウェハ表面の状態を親水
面に変化させても、パターンによって形成された段差部
にレジストを十分に入り込ませるには、段差部を有しな
いウェハのレジストのコーティングに必要なレジスト量
の、例えば８倍程度のレジストが必要であった。Therefore, conventionally, when coating a resist on a wafer having a dense pattern and a step, for example, the wafer is immersed in a developing solution before coating the resist. The wafer was immersed and dried after running water, and then the resist was coated. The reason why the wafer is immersed in the developing solution and the wafer is dried after running water is to change the state of the wafer surface from a hydrophobic surface to a hydrophilic surface. However,
Even if the state of the wafer surface is changed to a hydrophilic surface by using the developing solution as described above, in order for the resist to sufficiently penetrate into the steps formed by the pattern, it is necessary to coat the resist on the wafer having no steps. For example, about 8 times the amount of resist required for the above was required.
【０００５】本発明は、かかる従来の課題に鑑みてなさ
れたものであって、パターンによって段差が形成された
ウェハにレジストを塗布する際に、レジストが少量で済
み、かつ段差部に確実にレジストを塗布することができ
るレジスト塗布装置およびレジスト塗布方法を提供する
ことを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems. When applying a resist to a wafer having a step formed by a pattern, only a small amount of the resist is required, and the resist is reliably formed on the step. It is an object of the present invention to provide a resist coating apparatus and a resist coating method that can apply a resist.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明に係るレジスト塗
布装置は、ウェハを基体とする対象物上にレジスト供給
手段からレジストを供給し、当該対象物を所定速度で回
転させて当該対象物にレジスト膜を形成するレジスト塗
布装置であって、前記対象物の表面と前記レジストとの
親和性を促進する液体を前記対象物上に供給可能な液体
供給手段と、前記液体供給手段から前記対象物上の所定
の位置に液体を供給し、所定速度で当該対象物を回転さ
せて当該液体を塗布し、当該液体が塗布された対象物上
に前記レジスト供給手段から当該対象物上の所定の位置
にレジストを供給し、再度所定速度で当該対象物を回転
させてレジストを塗布する制御手段とを有する。A resist coating apparatus according to the present invention supplies a resist from a resist supply means onto an object having a wafer as a base, rotates the object at a predetermined speed, and applies the resist to the object. A resist coating apparatus for forming a resist film, comprising: a liquid supply unit capable of supplying a liquid that promotes affinity between the surface of the target object and the resist onto the target object; The liquid is supplied to a predetermined position on the object, the object is rotated at a predetermined speed, the liquid is applied, and the resist supply unit applies a predetermined position on the object to the object on which the liquid is applied. Control means for supplying the resist to the substrate and rotating the object again at a predetermined speed to apply the resist.
【０００７】本発明に係るレジスト塗布装置では、ウェ
ハ上にレジストを塗布する前に、液体供給手段によって
レジストとの親和性を向上させる液体を適切な状態でか
つ自動的に塗布することができる。In the resist coating apparatus according to the present invention, before applying the resist on the wafer, the liquid for improving the affinity with the resist can be automatically applied in an appropriate state by the liquid supply means.
【０００８】本発明に係るレジスト塗布方法は、ウェハ
を基体とする対象物上に当該対象物の表面とレジストと
の親和性を促進する液体を供給し、当該対象物を所定速
度で回転させて対象物に当該液体を塗布する工程と、前
記液体が塗布された対象物上にレジストを供給し、当該
を対象物を所定速度で回転させて対象物に当該レジスト
を塗布する工程とを有する。According to the resist coating method of the present invention, a liquid for promoting the affinity between the surface of the object and the resist is supplied onto the object having a wafer as a base, and the object is rotated at a predetermined speed. The method includes a step of applying the liquid to the object, and a step of supplying a resist onto the object to which the liquid is applied, and rotating the object at a predetermined speed to apply the resist to the object.
【０００９】本発明に係るレジスト塗布方法では、ウェ
ハ上にレジストを塗布する前に、液体供給手段によって
レジストとの親和性を促進する液体を塗布するため、ウ
ェハとレジストとの親和性が向上する。この結果、パタ
ーンによって段差部が形成されたウェハにレジストを塗
布する場合でも、当該段差部に少量のレジストで十分に
レジストが入り込む。In the resist coating method according to the present invention, before the resist is coated on the wafer, a liquid for promoting the affinity with the resist is applied by the liquid supply means, so that the affinity between the wafer and the resist is improved. . As a result, even when resist is applied to a wafer having a step formed by a pattern, a small amount of the resist sufficiently enters the resist into the step.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るレジスト塗布
装置およびレジスト塗布方法の実施の形態について図面
を参照して詳細に説明する。図１は、本発明に係るレジ
スト塗布装置の一実施形態を示す説明図であって、レジ
スト塗布装置の基本構成図であり、図２は、図１のレジ
ストコートカップ４の断面図である。図１に示すレジス
ト塗布装置は、図示しないレジスト塗布ユニット内に設
けられており、レジストコートカップ４とレジストを塗
布するレジスト塗布機構２と溶剤を塗布する溶剤塗布機
構３とから構成されている。また、上記レジスト塗布ユ
ニットの外部には、サーマルチャンバが設けられてお
り、温度および湿度を所定の値に調整したエアをレジス
トコートカップ４内に供給するようになっている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a resist coating apparatus and a resist coating method according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is an explanatory view showing one embodiment of a resist coating apparatus according to the present invention, and is a basic configuration diagram of the resist coating apparatus. FIG. 2 is a cross-sectional view of the resist coat cup 4 of FIG. The resist coating apparatus shown in FIG. 1 is provided in a resist coating unit (not shown), and includes a resist coat cup 4, a resist coating mechanism 2 for coating a resist, and a solvent coating mechanism 3 for coating a solvent. Further, a thermal chamber is provided outside the resist coating unit so that air whose temperature and humidity are adjusted to predetermined values is supplied into the resist coat cup 4.
【００１１】上記のレジスト塗布機構２は、レジストを
供給する供給ノズル４８と、供給ノズル４８に接続され
た供給管４６と、供給管４６を保持するアーム４２と、
アーム４２のｘ軸およびｙ軸方向の移動を行うｘｙテー
ブル４０と、ｘｙテーブル４０を支持するシリンダ軸４
４のｚ軸方向の移動およびθ方向の回転を行う回転リフ
ト３８と、上記の供給管４６にレジストＲを供給する図
示しないレジスト供給装置と、ｘｙテーブル４０および
回転リフト３８の駆動制御並びにレジスト供給装置から
のレジストの供給／停止を制御する図示しない制御装置
とから基本的に構成される。The resist coating mechanism 2 includes a supply nozzle 48 for supplying a resist, a supply pipe 46 connected to the supply nozzle 48, an arm 42 for holding the supply pipe 46,
An xy table 40 for moving the arm 42 in the x-axis and y-axis directions, and a cylinder shaft 4 for supporting the xy table 40
4, a rotary lift 38 for moving in the z-axis direction and rotating in the θ direction, a resist supply device (not shown) for supplying the resist R to the supply pipe 46, drive control of the xy table 40 and the rotary lift 38, and resist supply It basically comprises a control unit (not shown) for controlling the supply / stop of the resist from the apparatus.
【００１２】供給ノズル４８は、例えばステンレスやテ
フロン樹脂等の材料から形成されるが、レジストのぼた
落ち防止やサックバック特性の向上の観点から形状、内
径、外径等に種々の工夫がなされているのが通例であ
る。供給管４６を通じて供給ノズル４８にレジストＲを
供給する図示しないレジスト供給装置は、例えば、レジ
ストＲを精密かつ再現性よく吐出するために使用される
いわゆるダイヤフラムポンプと呼ばれる空気圧制御ポン
プ等を有するものを使用することができ、供給ノズル４
８からのレジストＲの滴下量を精密かつ再現性良く制御
可能になっている。The supply nozzle 48 is formed of a material such as stainless steel or Teflon resin, but various modifications are made to the shape, inner diameter, outer diameter and the like from the viewpoint of preventing resist dripping and improving suck-back characteristics. It is customary. The resist supply device (not shown) that supplies the resist R to the supply nozzle 48 through the supply pipe 46 includes, for example, a device having an air pressure control pump called a diaphragm pump used to discharge the resist R precisely and with good reproducibility. Can be used, supply nozzle 4
8, the amount of the resist R dropped can be controlled precisely and with good reproducibility.
【００１３】アーム４２は、Ｌ字状に形成され、水平方
向に延びる水平部によって供給管４６を保持していると
ともに、ｘｙテーブル４０上に固定されている。ｘｙテ
ーブル４０は、例えば、ｘ軸およびｙ軸方向に移動可能
に保持されたテーブルにｘ軸およびｙ軸方向にそれぞれ
ねじ込まれた送りねじをモータによって回転させること
によって当該テーブルを２軸方向に移動させる構成とす
ることができる。回転リフト３８は、例えば高圧エア等
によって駆動され、シリンダ軸４４のｚ軸方向の移動お
よびθ方向の回転を行う。The arm 42 is formed in an L shape, holds the supply pipe 46 by a horizontal portion extending in the horizontal direction, and is fixed on the xy table 40. The xy table 40 moves the table in the two-axis direction by rotating feed screws screwed in the x-axis and the y-axis directions on a table held movably in the x-axis and the y-axis directions by a motor, for example. Configuration. The rotary lift 38 is driven by, for example, high-pressure air or the like, and moves the cylinder shaft 44 in the z-axis direction and rotates in the θ direction.
【００１４】ｘｙテーブル４０および回転リフト３８の
位置制御は、図示しない制御装置によって行われ、この
制御装置によるｘｙテーブル４０および回転リフト３８
の位置制御によって、レジストＲを供給する供給ノズル
４８は、所定の範囲の任意の位置に移動可能となる。The position of the xy table 40 and the rotary lift 38 is controlled by a controller (not shown).
By the position control described above, the supply nozzle 48 for supplying the resist R can be moved to an arbitrary position within a predetermined range.
【００１５】上記のレジストコートカップ４は、図２に
示すように、内腔部にウェハＷを真空でチャッキングす
るスピンチャック１０と、スピンチャック１０によって
チャッキングされたウェハＷを所定の回転速度で回転さ
せる回転軸８とが設けられている。なお、この回転軸８
は、図示しない例えばモータ等の駆動手段によって所定
の速度で駆動される。また、ウェーハＷはスピンチャッ
ク１０上に図示しない搬送装置により載置される。ま
た、ウェハＷには、密集したパターンが形成されてお
り、このパターンによって、ウェハＷのレジスト塗布面
は段差部を有している。As shown in FIG. 2, the resist coat cup 4 has a spin chuck 10 for chucking the wafer W in a cavity in a vacuum, and a wafer W chucked by the spin chuck 10 at a predetermined rotation speed. And a rotating shaft 8 for rotating the shaft. The rotation shaft 8
Is driven at a predetermined speed by driving means such as a motor (not shown). Further, the wafer W is mounted on the spin chuck 10 by a transfer device (not shown). Further, a dense pattern is formed on the wafer W, and the resist applied surface of the wafer W has a step due to the pattern.
【００１６】上記の溶剤塗布機構３は、溶剤Ｌを供給す
る供給ノズル２８と、供給ノズル２８に接続された供給
管２６と、供給管２６を保持するアーム２２と、アーム
２２のｘ軸およびｙ軸方向の移動を行うｘｙテーブル２
０と、ｘｙテーブル２０を支持するシリンダ軸２４のｚ
軸方向の移動およびθ方向の回転を行う回転リフト１８
と、上記の供給管２６に溶剤Ｌを供給する図示しない溶
剤供給装置とから基本的に構成される。なお、ｘｙテー
ブル２０および回転リフト１８の駆動制御ならびに溶剤
供給装置からの溶剤の供給／停止の制御は、上記したｘ
ｙテーブル４０および回転リフト３８の駆動制御並びに
レジスト供給装置からのレジストの供給／停止を制御す
る制御装置によって行われる。また、レジストコートカ
ップ４の回転軸８の駆動制御も同様にこの制御装置によ
って行われる。The solvent application mechanism 3 includes a supply nozzle 28 for supplying the solvent L, a supply pipe 26 connected to the supply nozzle 28, an arm 22 for holding the supply pipe 26, an x-axis and a y-axis of the arm 22. Xy table 2 for axial movement
0 and z of the cylinder shaft 24 supporting the xy table 20
Rotary lift 18 for axial movement and rotation in θ direction
And a solvent supply device (not shown) for supplying the solvent L to the supply pipe 26. The drive control of the xy table 20 and the rotary lift 18 and the control of the supply / stop of the solvent from the solvent supply device are performed as described above.
The control is performed by a control device that controls the driving of the y-table 40 and the rotary lift 38 and the supply / stop of the resist from the resist supply device. The drive control of the rotating shaft 8 of the resist coat cup 4 is also performed by this control device.
【００１７】アーム２２、ｘｙテーブル２０および回転
リフト１８は、上記したレジスト塗布機構２のアーム４
２、ｘｙテーブル４０および回転リフト３８と同一の構
造となっている。したがって、アーム２２はｘ軸，ｙ軸
およびｚ軸の３軸方向の移動ならびにθ方向の回転が可
能となっている。The arm 22, the xy table 20, and the rotary lift 18 are connected to the arm 4 of the resist coating mechanism 2 described above.
2. It has the same structure as the xy table 40 and the rotary lift 38. Therefore, the arm 22 can move in the three-axis directions of the x-axis, the y-axis, and the z-axis and rotate in the θ direction.
【００１８】溶剤Ｌは、ウェハＷの表面とレジストＲと
の親和性を促進する低粘度でかつ揮発性の液体であり、
例えば、レジストを希釈する溶剤を使用することができ
る。レジストの溶剤には、例えば、エヌメチル２ピロリ
ドン（ＮＭＰ）・シンナーを使用することができる。こ
のエヌメチル２ピロリドン・シンナーの揮発性は、酢酸
ブチルの揮発性を１とすると、相対比で０．０３程度で
あり、揮発性が比較的低い。なお、本実施形態において
は、溶剤Ｌとしてエヌメチル２ピロリドン・シンナーを
使用するが、他にも、エヌメチル２ピロリドン・シンナ
ーと同等の揮発性の低い溶剤であれば使用可能である。
揮発性が比較的低い溶剤を使用するのは、レジストを塗
布する際に、溶剤が揮発して消失するのを防止するため
である。さらに、上記の溶剤には界面活性剤を混合する
ことができる。これにより、ウェハ表面とレジストＲと
の親和性を一層促進させることができる。The solvent L is a low-viscosity and volatile liquid that promotes the affinity between the surface of the wafer W and the resist R.
For example, a solvent that dilutes the resist can be used. As the solvent for the resist, for example, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) thinner can be used. Assuming that the volatility of butyl acetate is 1, the volatility of this N-methyl-2-pyrrolidone thinner is about 0.03 in a relative ratio, and the volatility is relatively low. In the present embodiment, N-methyl-2-pyrrolidone thinner is used as the solvent L, but any other solvent having a low volatility equivalent to N-methyl 2-pyrrolidone thinner can be used.
The reason for using a solvent having a relatively low volatility is to prevent the solvent from volatilizing and disappearing when the resist is applied. Further, a surfactant can be mixed with the above-mentioned solvent. Thereby, the affinity between the wafer surface and the resist R can be further promoted.
【００１９】以下、上記のように構成されるレジスト塗
布装置を用いて本発明に係るレジスト塗布方法の一実施
形態について説明する。まず、図示しないサーマルチャ
ンバから所定の温度および湿度のエアをレジスト塗布ユ
ニット内に供給する。ここで、溶剤塗布機構３側のアー
ム２２のみをレジストコートカップ４の上方に移動さ
せ、ウェハＷの中央上方の所定位置に位置決めする。一
方、レジスト塗布機構２側のアーム４２はレジストコー
トカップ４の外側に退避させておく。この状態で、図示
せぬ搬送装置によって、ウェーハＷをスピンチャック１
０上に載置し、スピンチャック１０によってウェハＷを
真空引きした状態でウェーハＷをチャッキングする。Hereinafter, an embodiment of the resist coating method according to the present invention using the resist coating apparatus configured as described above will be described. First, air at a predetermined temperature and humidity is supplied from a thermal chamber (not shown) into the resist coating unit. Here, only the arm 22 on the solvent application mechanism 3 side is moved above the resist coat cup 4 and positioned at a predetermined position above the center of the wafer W. On the other hand, the arm 42 on the side of the resist coating mechanism 2 is retracted outside the resist coat cup 4. In this state, the wafer W is held on the spin chuck 1 by a transfer device (not shown).
The wafer W is placed on the wafer W, and the wafer W is chucked while the wafer W is evacuated by the spin chuck 10.
【００２０】この状態で、図３に示すように、溶剤Ｌを
ウェハＷ上に供給する。溶剤Ｌの供給量は、例えば供給
ノズル２８から一定量の溶剤Ｌを供給しその供給時間で
調整する。In this state, the solvent L is supplied onto the wafer W as shown in FIG. The supply amount of the solvent L is adjusted, for example, by supplying a fixed amount of the solvent L from the supply nozzle 28 and the supply time.
【００２１】所定量の溶剤ＬがウェハＷ上に供給された
ら、ウェハＷを所定の回転速度で回転させる。ウェハの
回転速度は、低すぎると、レジストＲをウェハＷに塗布
した際に塗布むらが発生しやすくなる。また、ウェハＷ
の回転速度が高すぎると、溶剤Ｒが飛散してウェハＷに
十分塗布されず、ウェハＷの有する段差部にレジストＲ
を十分浸透させることができない。このため、ウェハＷ
の回転速度は、ウェハＷへのレジストＲの塗布時の回転
速度と同等にするのが望ましい。When a predetermined amount of the solvent L is supplied onto the wafer W, the wafer W is rotated at a predetermined rotation speed. If the rotation speed of the wafer is too low, application unevenness is likely to occur when the resist R is applied to the wafer W. In addition, the wafer W
Is too high, the solvent R scatters and is not sufficiently applied to the wafer W, and the resist R
Cannot be sufficiently penetrated. Therefore, the wafer W
Is preferably equal to the rotation speed when the resist R is applied to the wafer W.
【００２２】これにより、ウェハＷの全面に、遠心力に
より溶剤Ｌが行き渡るとともに、ウェハＷの有する段差
部に溶剤Ｌが浸透する。また、溶剤Ｌは上記したよう
に、レジストＲに比較して十分低粘度であるため、アス
ペクト比の高い段差部にも、十分に浸透する。As a result, the solvent L spreads over the entire surface of the wafer W due to the centrifugal force, and the solvent L permeates into the step portion of the wafer W. Further, as described above, since the solvent L has a sufficiently low viscosity as compared with the resist R, the solvent L sufficiently penetrates into a step portion having a high aspect ratio.
【００２３】ウェハＷへの溶剤Ｌの塗布が完了すると、
アーム２２をθ方向に旋回させてレジストコートカップ
４の外側に退避させる。この状態で、上記したレジスト
塗布機構２を動作させ、レジストＲを供給する供給ノズ
ル４８をウェハＷの中央上方の所定位置に位置決めす
る。なお、図３に示すように、レジストＲの供給は、溶
剤Ｌの塗布の完了の直後に行う。When the application of the solvent L to the wafer W is completed,
The arm 22 is turned in the θ direction and retracted to the outside of the resist coat cup 4. In this state, the above-described resist coating mechanism 2 is operated to position the supply nozzle 48 for supplying the resist R at a predetermined position above the center of the wafer W. As shown in FIG. 3, the supply of the resist R is performed immediately after the completion of the application of the solvent L.
【００２４】そして、図３に示すように、供給ノズル４
８から所定量のレジストＲをウェーハＷ上に供給滴下
し、ウェハＷを所定の回転速度で回転させる。このとき
のウェハＷの回転速度は、上記したように溶剤Ｌの塗布
時における回転速度と同等とする。Then, as shown in FIG.
From 8, a predetermined amount of resist R is supplied and dropped on the wafer W, and the wafer W is rotated at a predetermined rotation speed. The rotation speed of the wafer W at this time is equal to the rotation speed at the time of applying the solvent L as described above.
【００２５】ウェハＷ上に供給されたレジストＲは、ウ
ェハＷの回転により、ウェハＷの全面に均一な膜厚で広
がる。このとき、ウェハＷの段差部においては、溶剤Ｌ
が浸透しているため、この溶剤ＬとレジストＲとが混ざ
り合い、当該段差部にレジストＲが十分に浸透する。こ
の結果、密集したパターンが形成されていることによ
り、段差部を有するウェハＷの当該段差部へのレジスト
膜の形成が確実に行われる。The resist R supplied onto the wafer W spreads over the entire surface of the wafer W with a uniform film thickness due to the rotation of the wafer W. At this time, in the step portion of the wafer W, the solvent L
The solvent L and the resist R are mixed with each other, and the resist R sufficiently penetrates into the step. As a result, since the dense pattern is formed, the formation of the resist film on the step portion of the wafer W having the step portion is reliably performed.
【００２６】レジスト膜が形成されたら、アーム４６を
旋回させて供給ノズル４８をレジストコートカップ４の
外側に退避することにより、ウェハＷへのレジストＲの
塗布が完了する。After the formation of the resist film, the arm 46 is turned to retract the supply nozzle 48 to the outside of the resist coat cup 4, thereby completing the application of the resist R onto the wafer W.
【００２７】以上のように、本実施形態に係るレジスト
塗布方法によれば、段差部を有するウェハＷの当該段差
部へのレジスト膜の形成を確実行うことができる。ま
た、本実施形態に係るレジスト塗布方法によれば、従来
現像液を使用してウェハ表面の状態を親水面に変化させ
て段差部にレジストを十分に入り込ませるのに必要なレ
ジスト量と比較して、約１／８程度のレジスト量で段差
部へのレジスト膜の形成を確実行うことができた。As described above, according to the resist coating method according to the present embodiment, it is possible to reliably form a resist film on the step portion of the wafer W having the step portion. Further, according to the resist coating method according to the present embodiment, the amount of resist required to change the state of the wafer surface to a hydrophilic surface using a conventional developing solution and allow the resist to sufficiently penetrate into the stepped portion is compared. As a result, it was possible to reliably form the resist film on the step with about 1/8 of the resist amount.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るレジ
スト塗布装置によれば、パターンによって段差が形成さ
れたウェハにレジストを塗布する際に、レジストが少量
で済み、かつ段差部に確実にレジストを塗布するのに必
要な処理を自動的に行うことができ、生産効率を向上さ
せることができる。As described above, according to the resist coating apparatus of the present invention, when applying a resist to a wafer having a step formed by a pattern, only a small amount of the resist is required and the step is reliably formed on the step. The processing required for applying the resist can be automatically performed, and the production efficiency can be improved.
【００２９】本発明に係るレジスト塗布方法によれば、
段差部を有するウェハＷの当該段差部へのレジスト膜の
形成を少量のレジストで確実に行うことができる。According to the resist coating method of the present invention,
The formation of the resist film on the stepped portion of the wafer W having the stepped portion can be reliably performed with a small amount of resist.
【図１】本発明に係るレジスト塗布装置の一実施形態を
示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory view showing one embodiment of a resist coating apparatus according to the present invention.
【図２】図１に示すレジスト塗布装置におけるレジスト
コートカップ内の基本的構造を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a basic structure in a resist coat cup in the resist coating apparatus shown in FIG.
【図３】図３（ａ）は本発明に係るレジスト塗布方法の
工程例を示す説明図である。FIG. 3A is an explanatory view showing an example of a process of a resist coating method according to the present invention.
【図４】段差を有するウェハにレジストを塗布した一例
を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example in which a resist is applied to a wafer having a step.
【図５】段差を有するウェハにレジストを塗布した際に
発生する不具合を示す説明図であって、（ａ）は、段差
部に全くレジスト膜が形成されない場合、（ｂ）は、段
差部の上方にのみレジスト膜が形成される場合、（ｃ）
は、ウェハの一部にレジストの塗布不良が発生した場合
を示す図である。FIGS. 5A and 5B are explanatory diagrams illustrating a problem that occurs when a resist is applied to a wafer having a step; FIG. 5A is a diagram illustrating a case where no resist film is formed at the step; FIG. When a resist film is formed only above, (c)
FIG. 3 is a diagram showing a case where a coating failure of a resist has occurred on a part of a wafer.
２…レジスト塗布機構、３…溶剤塗布機構、４…レジス
トコートカップ、６…基台、８…回転軸、１６…基台、
２０…ｘｙステージ、２２…アーム、２４…シリンダ
軸、２６…供給管、２８…供給ノズル、３６…基台、３
８…回転リフト、４０…ｘｙステージ、４２…アーム、
４４…シリンダ軸、４６…供給管、４８…供給ノズル、
Ｒ…レジスト、Ｌ…溶剤。2: resist coating mechanism, 3: solvent coating mechanism, 4: resist coat cup, 6: base, 8: rotating shaft, 16: base,
20 xy stage, 22 arm, 24 cylinder axis, 26 supply pipe, 28 supply nozzle, 36 base, 3
8 ... rotary lift, 40 ... xy stage, 42 ... arm,
44: cylinder shaft, 46: supply pipe, 48: supply nozzle,
R: resist, L: solvent.
Claims (12)
給手段からレジストを供給し、当該対象物を所定速度で
回転させて当該対象物にレジスト膜を形成するレジスト
塗布装置であって、 前記対象物の表面と前記レジストとの親和性を促進する
液体を前記対象物上に供給可能な液体供給手段と、 前記液体供給手段から前記対象物上の所定の位置に液体
を供給し、所定速度で当該対象物を回転させて当該液体
を塗布し、当該液体が塗布された対象物上に前記レジス
ト供給手段から当該対象物上の所定の位置にレジストを
供給し、再度所定速度で当該対象物を回転させてレジス
トを塗布する制御手段とを有するレジスト塗布装置。1. A resist coating apparatus for supplying a resist from a resist supply unit onto an object having a wafer as a base, and rotating the object at a predetermined speed to form a resist film on the object. A liquid supply unit capable of supplying a liquid for promoting the affinity between the surface of the object and the resist onto the object; and supplying the liquid from the liquid supply unit to a predetermined position on the object, at a predetermined speed. The object is rotated to apply the liquid, and the resist is supplied from the resist supply unit to a predetermined position on the object on the object on which the liquid is applied, and the object is again applied at a predetermined speed. And a control means for applying a resist by rotating the resist.
に記載のレジスト塗布装置。2. The liquid according to claim 1, wherein said liquid is a volatile liquid.
3. The resist coating apparatus according to 1.
る請求項１に記載のレジスト塗布装置。3. The resist coating apparatus according to claim 1, wherein a surfactant is mixed with the liquid.
なる請求項１に記載のレジスト塗布装置。4. The resist coating apparatus according to claim 1, wherein said liquid is formed from N-methyl-2-pyrrolidone.
任意に制御可能であるとともに、前記対象物を回転させ
る時間を任意に制御可能である請求項１に記載のレジス
ト塗布装置。5. The resist coating apparatus according to claim 1, wherein said control means is capable of arbitrarily controlling a rotation speed of said object and arbitrarily controlling a time for rotating said object.
の表面とレジストとの親和性を促進する液体を供給し、
当該対象物を所定速度で回転させて対象物に当該液体を
塗布する工程と、 前記液体が塗布された対象物上にレジストを供給し、当
該対象物を所定速度で回転させて対象物に当該レジスト
を塗布する工程とを有するレジスト塗布方法。6. A liquid which promotes affinity between the surface of the object and the resist on the object having the wafer as a base,
Applying the liquid to the object by rotating the object at a predetermined speed, supplying a resist on the object to which the liquid has been applied, rotating the object at a predetermined speed, and applying the resist to the object. Applying a resist.
項６に記載のレジスト塗布方法。7. The method according to claim 6, wherein the liquid is a liquid having low volatility.
を塗布する際に、塗布された液体が揮発する前にレジス
トを塗布する請求項７に記載のレジスト塗布方法。8. The resist coating method according to claim 7, wherein the resist is applied before the applied liquid is volatilized when applying the resist on the object to which the liquid is applied.
物上に供給する請求項６に記載のレジスト塗布方法。9. The resist coating method according to claim 6, wherein a surfactant is mixed with the liquid and supplied onto the object.
当該対象物の回転速度を、当該対象物に当該レジストを
塗布する際の回転速度と略同じとする請求項６に記載の
レジスト塗布方法。10. When applying the liquid to the object,
7. The resist coating method according to claim 6, wherein a rotation speed of the object is substantially the same as a rotation speed when the resist is applied to the object.
らなる請求項６に記載のレジスト塗布方法。11. The resist coating method according to claim 6, wherein the liquid comprises Nmethylupyrrolidone.
性よりも低い請求項６に記載のレジスト塗布方法。12. The method according to claim 6, wherein the volatility of the liquid is lower than the volatility of butyl acetate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33431896A JPH10172894A (en) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | Apparatus and method for applying resist |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33431896A JPH10172894A (en) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | Apparatus and method for applying resist |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10172894A true JPH10172894A (en) | 1998-06-26 |
Family
ID=18276022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33431896A Abandoned JPH10172894A (en) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | Apparatus and method for applying resist |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10172894A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000155424A (en) * | 1998-11-20 | 2000-06-06 | Tokyo Electron Ltd | Coating applicator and coating application method |
| JP2014093371A (en) * | 2012-11-01 | 2014-05-19 | Tokyo Electron Ltd | Method and device for forming coating film, and storage medium |
| JP2015088678A (en) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 日亜化学工業株式会社 | Method for manufacturing semiconductor element |
-
1996
- 1996-12-13 JP JP33431896A patent/JPH10172894A/en not_active Abandoned
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000155424A (en) * | 1998-11-20 | 2000-06-06 | Tokyo Electron Ltd | Coating applicator and coating application method |
| JP2014093371A (en) * | 2012-11-01 | 2014-05-19 | Tokyo Electron Ltd | Method and device for forming coating film, and storage medium |
| JP2015088678A (en) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 日亜化学工業株式会社 | Method for manufacturing semiconductor element |
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