JPH10172894A - レジスト塗布装置およびレジスト塗布方法 - Google Patents

レジスト塗布装置およびレジスト塗布方法

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JPH10172894A
JPH10172894A JP33431896A JP33431896A JPH10172894A JP H10172894 A JPH10172894 A JP H10172894A JP 33431896 A JP33431896 A JP 33431896A JP 33431896 A JP33431896 A JP 33431896A JP H10172894 A JPH10172894 A JP H10172894A
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resist
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JP33431896A
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Shinichiro Taniguchi
慎一郎 谷口
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Abstract

(57)【要約】 【課題】パターンによって段差が形成されたウェハにレ
ジストを塗布する際に、レジストが少量で済み、かつ段
差部に確実にレジストを塗布することができるレジスト
塗布装置およびレジスト塗布方法を提供する。 【解決手段】 ウェハW上にレジストを供給し、ウェハ
Wを所定速度で回転させてレジスト膜を形成するレジス
ト塗布装置であって、ウェハ表面とレジストとの親和性
を向上させる低粘度でかつ揮発性の低い液体Lを供給可
能な液体供給ノズル28と、液体供給ノズル28からウ
ェハW上の所定の位置に液体Lを供給し、所定速度でウ
ェハWを回転させて塗布し、液体Lが塗布されたウェハ
W上にの所定の位置にレジストを供給し、再度所定速度
でウェハを回転させる制御手段とを有するものとした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハ上にレジス
トを塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置お
よびレジスト塗布方法に関する。
【0002】
【従来の技術】スピンコータにウェハをセットして、当
該ウェハを回転させてウェハ表面にレジストを塗布する
際、ウェハ上にパターンが形成されて段差部を有する場
合には、当該段差部までレジストが浸入できないことが
ある。例えば、図4に示すように、ウェハ基板W上にS
iN膜層51が分離して形成され、これらSiN膜層5
1上にレジスト膜Rを形成する際に、SiN膜層51に
よって形成される段差部51aまで十分にレジストが入
り込む必要がある。しかしながら、例えば、図5(a)
に示すように、段差部51aの上方には全くレジスト膜
Rが形成されないことがある。また、図5(b)に示す
ように、段差部51aの上方にのみレジスト膜Rが形成
され、段差部51aに空間が形成されてしまうこともあ
る。さらには、図5(c)に示すように、ウェハWの一
部Pのみレジスト膜Rが所望の状態で形成されないこと
がある。
【0003】上記のような現象は、ウェハ上のパターン
が密集した箇所において特に顕著である。このような、
段差部へレジスト膜Rが所望の状態で形成されない(入
り込めない)理由として、レジストの粘度が高すぎる、
レジストの量が少なすぎる、ウェハ表面が疎水化してい
る等の原因が考えられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このため、従来におい
ては、密集したパターンが形成されて段差を有するウェ
ハにレジストをコーティングする際には、例えば、レジ
ストのコーティング前に、ウェハを現像液中に浸し、こ
のウェハを流水後乾燥させ、その後にレジストのコーテ
ィングを行っていた。ウェハを現像液中に浸し、このウ
ェハを流水後乾燥させるのは、ウェハ表面の状態を疎水
面から親水面に変化させるためである。しかしながら、
上記のような現像液を使用してウェハ表面の状態を親水
面に変化させても、パターンによって形成された段差部
にレジストを十分に入り込ませるには、段差部を有しな
いウェハのレジストのコーティングに必要なレジスト量
の、例えば8倍程度のレジストが必要であった。
【0005】本発明は、かかる従来の課題に鑑みてなさ
れたものであって、パターンによって段差が形成された
ウェハにレジストを塗布する際に、レジストが少量で済
み、かつ段差部に確実にレジストを塗布することができ
るレジスト塗布装置およびレジスト塗布方法を提供する
ことを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明に係るレジスト塗
布装置は、ウェハを基体とする対象物上にレジスト供給
手段からレジストを供給し、当該対象物を所定速度で回
転させて当該対象物にレジスト膜を形成するレジスト塗
布装置であって、前記対象物の表面と前記レジストとの
親和性を促進する液体を前記対象物上に供給可能な液体
供給手段と、前記液体供給手段から前記対象物上の所定
の位置に液体を供給し、所定速度で当該対象物を回転さ
せて当該液体を塗布し、当該液体が塗布された対象物上
に前記レジスト供給手段から当該対象物上の所定の位置
にレジストを供給し、再度所定速度で当該対象物を回転
させてレジストを塗布する制御手段とを有する。
【0007】本発明に係るレジスト塗布装置では、ウェ
ハ上にレジストを塗布する前に、液体供給手段によって
レジストとの親和性を向上させる液体を適切な状態でか
つ自動的に塗布することができる。
【0008】本発明に係るレジスト塗布方法は、ウェハ
を基体とする対象物上に当該対象物の表面とレジストと
の親和性を促進する液体を供給し、当該対象物を所定速
度で回転させて対象物に当該液体を塗布する工程と、前
記液体が塗布された対象物上にレジストを供給し、当該
を対象物を所定速度で回転させて対象物に当該レジスト
を塗布する工程とを有する。
【0009】本発明に係るレジスト塗布方法では、ウェ
ハ上にレジストを塗布する前に、液体供給手段によって
レジストとの親和性を促進する液体を塗布するため、ウ
ェハとレジストとの親和性が向上する。この結果、パタ
ーンによって段差部が形成されたウェハにレジストを塗
布する場合でも、当該段差部に少量のレジストで十分に
レジストが入り込む。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るレジスト塗布
装置およびレジスト塗布方法の実施の形態について図面
を参照して詳細に説明する。図1は、本発明に係るレジ
スト塗布装置の一実施形態を示す説明図であって、レジ
スト塗布装置の基本構成図であり、図2は、図1のレジ
ストコートカップ4の断面図である。図1に示すレジス
ト塗布装置は、図示しないレジスト塗布ユニット内に設
けられており、レジストコートカップ4とレジストを塗
布するレジスト塗布機構2と溶剤を塗布する溶剤塗布機
構3とから構成されている。また、上記レジスト塗布ユ
ニットの外部には、サーマルチャンバが設けられてお
り、温度および湿度を所定の値に調整したエアをレジス
トコートカップ4内に供給するようになっている。
【0011】上記のレジスト塗布機構2は、レジストを
供給する供給ノズル48と、供給ノズル48に接続され
た供給管46と、供給管46を保持するアーム42と、
アーム42のx軸およびy軸方向の移動を行うxyテー
ブル40と、xyテーブル40を支持するシリンダ軸4
4のz軸方向の移動およびθ方向の回転を行う回転リフ
ト38と、上記の供給管46にレジストRを供給する図
示しないレジスト供給装置と、xyテーブル40および
回転リフト38の駆動制御並びにレジスト供給装置から
のレジストの供給/停止を制御する図示しない制御装置
とから基本的に構成される。
【0012】供給ノズル48は、例えばステンレスやテ
フロン樹脂等の材料から形成されるが、レジストのぼた
落ち防止やサックバック特性の向上の観点から形状、内
径、外径等に種々の工夫がなされているのが通例であ
る。供給管46を通じて供給ノズル48にレジストRを
供給する図示しないレジスト供給装置は、例えば、レジ
ストRを精密かつ再現性よく吐出するために使用される
いわゆるダイヤフラムポンプと呼ばれる空気圧制御ポン
プ等を有するものを使用することができ、供給ノズル4
8からのレジストRの滴下量を精密かつ再現性良く制御
可能になっている。
【0013】アーム42は、L字状に形成され、水平方
向に延びる水平部によって供給管46を保持していると
ともに、xyテーブル40上に固定されている。xyテ
ーブル40は、例えば、x軸およびy軸方向に移動可能
に保持されたテーブルにx軸およびy軸方向にそれぞれ
ねじ込まれた送りねじをモータによって回転させること
によって当該テーブルを2軸方向に移動させる構成とす
ることができる。回転リフト38は、例えば高圧エア等
によって駆動され、シリンダ軸44のz軸方向の移動お
よびθ方向の回転を行う。
【0014】xyテーブル40および回転リフト38の
位置制御は、図示しない制御装置によって行われ、この
制御装置によるxyテーブル40および回転リフト38
の位置制御によって、レジストRを供給する供給ノズル
48は、所定の範囲の任意の位置に移動可能となる。
【0015】上記のレジストコートカップ4は、図2に
示すように、内腔部にウェハWを真空でチャッキングす
るスピンチャック10と、スピンチャック10によって
チャッキングされたウェハWを所定の回転速度で回転さ
せる回転軸8とが設けられている。なお、この回転軸8
は、図示しない例えばモータ等の駆動手段によって所定
の速度で駆動される。また、ウェーハWはスピンチャッ
ク10上に図示しない搬送装置により載置される。ま
た、ウェハWには、密集したパターンが形成されてお
り、このパターンによって、ウェハWのレジスト塗布面
は段差部を有している。
【0016】上記の溶剤塗布機構3は、溶剤Lを供給す
る供給ノズル28と、供給ノズル28に接続された供給
管26と、供給管26を保持するアーム22と、アーム
22のx軸およびy軸方向の移動を行うxyテーブル2
0と、xyテーブル20を支持するシリンダ軸24のz
軸方向の移動およびθ方向の回転を行う回転リフト18
と、上記の供給管26に溶剤Lを供給する図示しない溶
剤供給装置とから基本的に構成される。なお、xyテー
ブル20および回転リフト18の駆動制御ならびに溶剤
供給装置からの溶剤の供給/停止の制御は、上記したx
yテーブル40および回転リフト38の駆動制御並びに
レジスト供給装置からのレジストの供給/停止を制御す
る制御装置によって行われる。また、レジストコートカ
ップ4の回転軸8の駆動制御も同様にこの制御装置によ
って行われる。
【0017】アーム22、xyテーブル20および回転
リフト18は、上記したレジスト塗布機構2のアーム4
2、xyテーブル40および回転リフト38と同一の構
造となっている。したがって、アーム22はx軸,y軸
およびz軸の3軸方向の移動ならびにθ方向の回転が可
能となっている。
【0018】溶剤Lは、ウェハWの表面とレジストRと
の親和性を促進する低粘度でかつ揮発性の液体であり、
例えば、レジストを希釈する溶剤を使用することができ
る。レジストの溶剤には、例えば、エヌメチル2ピロリ
ドン(NMP)・シンナーを使用することができる。こ
のエヌメチル2ピロリドン・シンナーの揮発性は、酢酸
ブチルの揮発性を1とすると、相対比で0.03程度で
あり、揮発性が比較的低い。なお、本実施形態において
は、溶剤Lとしてエヌメチル2ピロリドン・シンナーを
使用するが、他にも、エヌメチル2ピロリドン・シンナ
ーと同等の揮発性の低い溶剤であれば使用可能である。
揮発性が比較的低い溶剤を使用するのは、レジストを塗
布する際に、溶剤が揮発して消失するのを防止するため
である。さらに、上記の溶剤には界面活性剤を混合する
ことができる。これにより、ウェハ表面とレジストRと
の親和性を一層促進させることができる。
【0019】以下、上記のように構成されるレジスト塗
布装置を用いて本発明に係るレジスト塗布方法の一実施
形態について説明する。まず、図示しないサーマルチャ
ンバから所定の温度および湿度のエアをレジスト塗布ユ
ニット内に供給する。ここで、溶剤塗布機構3側のアー
ム22のみをレジストコートカップ4の上方に移動さ
せ、ウェハWの中央上方の所定位置に位置決めする。一
方、レジスト塗布機構2側のアーム42はレジストコー
トカップ4の外側に退避させておく。この状態で、図示
せぬ搬送装置によって、ウェーハWをスピンチャック1
0上に載置し、スピンチャック10によってウェハWを
真空引きした状態でウェーハWをチャッキングする。
【0020】この状態で、図3に示すように、溶剤Lを
ウェハW上に供給する。溶剤Lの供給量は、例えば供給
ノズル28から一定量の溶剤Lを供給しその供給時間で
調整する。
【0021】所定量の溶剤LがウェハW上に供給された
ら、ウェハWを所定の回転速度で回転させる。ウェハの
回転速度は、低すぎると、レジストRをウェハWに塗布
した際に塗布むらが発生しやすくなる。また、ウェハW
の回転速度が高すぎると、溶剤Rが飛散してウェハWに
十分塗布されず、ウェハWの有する段差部にレジストR
を十分浸透させることができない。このため、ウェハW
の回転速度は、ウェハWへのレジストRの塗布時の回転
速度と同等にするのが望ましい。
【0022】これにより、ウェハWの全面に、遠心力に
より溶剤Lが行き渡るとともに、ウェハWの有する段差
部に溶剤Lが浸透する。また、溶剤Lは上記したよう
に、レジストRに比較して十分低粘度であるため、アス
ペクト比の高い段差部にも、十分に浸透する。
【0023】ウェハWへの溶剤Lの塗布が完了すると、
アーム22をθ方向に旋回させてレジストコートカップ
4の外側に退避させる。この状態で、上記したレジスト
塗布機構2を動作させ、レジストRを供給する供給ノズ
ル48をウェハWの中央上方の所定位置に位置決めす
る。なお、図3に示すように、レジストRの供給は、溶
剤Lの塗布の完了の直後に行う。
【0024】そして、図3に示すように、供給ノズル4
8から所定量のレジストRをウェーハW上に供給滴下
し、ウェハWを所定の回転速度で回転させる。このとき
のウェハWの回転速度は、上記したように溶剤Lの塗布
時における回転速度と同等とする。
【0025】ウェハW上に供給されたレジストRは、ウ
ェハWの回転により、ウェハWの全面に均一な膜厚で広
がる。このとき、ウェハWの段差部においては、溶剤L
が浸透しているため、この溶剤LとレジストRとが混ざ
り合い、当該段差部にレジストRが十分に浸透する。こ
の結果、密集したパターンが形成されていることによ
り、段差部を有するウェハWの当該段差部へのレジスト
膜の形成が確実に行われる。
【0026】レジスト膜が形成されたら、アーム46を
旋回させて供給ノズル48をレジストコートカップ4の
外側に退避することにより、ウェハWへのレジストRの
塗布が完了する。
【0027】以上のように、本実施形態に係るレジスト
塗布方法によれば、段差部を有するウェハWの当該段差
部へのレジスト膜の形成を確実行うことができる。ま
た、本実施形態に係るレジスト塗布方法によれば、従来
現像液を使用してウェハ表面の状態を親水面に変化させ
て段差部にレジストを十分に入り込ませるのに必要なレ
ジスト量と比較して、約1/8程度のレジスト量で段差
部へのレジスト膜の形成を確実行うことができた。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るレジ
スト塗布装置によれば、パターンによって段差が形成さ
れたウェハにレジストを塗布する際に、レジストが少量
で済み、かつ段差部に確実にレジストを塗布するのに必
要な処理を自動的に行うことができ、生産効率を向上さ
せることができる。
【0029】本発明に係るレジスト塗布方法によれば、
段差部を有するウェハWの当該段差部へのレジスト膜の
形成を少量のレジストで確実に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るレジスト塗布装置の一実施形態を
示す説明図である。
【図2】図1に示すレジスト塗布装置におけるレジスト
コートカップ内の基本的構造を示す断面図である。
【図3】図3(a)は本発明に係るレジスト塗布方法の
工程例を示す説明図である。
【図4】段差を有するウェハにレジストを塗布した一例
を示す断面図である。
【図5】段差を有するウェハにレジストを塗布した際に
発生する不具合を示す説明図であって、(a)は、段差
部に全くレジスト膜が形成されない場合、(b)は、段
差部の上方にのみレジスト膜が形成される場合、(c)
は、ウェハの一部にレジストの塗布不良が発生した場合
を示す図である。
【符号の説明】
2…レジスト塗布機構、3…溶剤塗布機構、4…レジス
トコートカップ、6…基台、8…回転軸、16…基台、
20…xyステージ、22…アーム、24…シリンダ
軸、26…供給管、28…供給ノズル、36…基台、3
8…回転リフト、40…xyステージ、42…アーム、
44…シリンダ軸、46…供給管、48…供給ノズル、
R…レジスト、L…溶剤。

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ウェハを基体とする対象物上にレジスト供
    給手段からレジストを供給し、当該対象物を所定速度で
    回転させて当該対象物にレジスト膜を形成するレジスト
    塗布装置であって、 前記対象物の表面と前記レジストとの親和性を促進する
    液体を前記対象物上に供給可能な液体供給手段と、 前記液体供給手段から前記対象物上の所定の位置に液体
    を供給し、所定速度で当該対象物を回転させて当該液体
    を塗布し、当該液体が塗布された対象物上に前記レジス
    ト供給手段から当該対象物上の所定の位置にレジストを
    供給し、再度所定速度で当該対象物を回転させてレジス
    トを塗布する制御手段とを有するレジスト塗布装置。
  2. 【請求項2】前記液体は、揮発性の液体である請求項1
    に記載のレジスト塗布装置。
  3. 【請求項3】前記液体には、界面活性剤が混合されてい
    る請求項1に記載のレジスト塗布装置。
  4. 【請求項4】前記液体は、エヌメチル2ピロリドンから
    なる請求項1に記載のレジスト塗布装置。
  5. 【請求項5】前記制御手段は、前記対象物の回転速度を
    任意に制御可能であるとともに、前記対象物を回転させ
    る時間を任意に制御可能である請求項1に記載のレジス
    ト塗布装置。
  6. 【請求項6】ウェハを基体とする対象物上に当該対象物
    の表面とレジストとの親和性を促進する液体を供給し、
    当該対象物を所定速度で回転させて対象物に当該液体を
    塗布する工程と、 前記液体が塗布された対象物上にレジストを供給し、当
    該対象物を所定速度で回転させて対象物に当該レジスト
    を塗布する工程とを有するレジスト塗布方法。
  7. 【請求項7】前記液体は、揮発性の低い液体である請求
    項6に記載のレジスト塗布方法。
  8. 【請求項8】前記液体が塗布された対象物上にレジスト
    を塗布する際に、塗布された液体が揮発する前にレジス
    トを塗布する請求項7に記載のレジスト塗布方法。
  9. 【請求項9】前記液体に界面活性剤を混合して前記対象
    物上に供給する請求項6に記載のレジスト塗布方法。
  10. 【請求項10】前記対象物に前記液体を塗布する際に、
    当該対象物の回転速度を、当該対象物に当該レジストを
    塗布する際の回転速度と略同じとする請求項6に記載の
    レジスト塗布方法。
  11. 【請求項11】前記液体は、エヌメチルユピロリドンか
    らなる請求項6に記載のレジスト塗布方法。
  12. 【請求項12】前記液体の揮発性は、酢酸ブチルの揮発
    性よりも低い請求項6に記載のレジスト塗布方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000155424A (ja) * 1998-11-20 2000-06-06 Tokyo Electron Ltd 塗布装置及び塗布方法
JP2014093371A (ja) * 2012-11-01 2014-05-19 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体
JP2015088678A (ja) * 2013-10-31 2015-05-07 日亜化学工業株式会社 半導体素子の製造方法

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