JPH10171956A - Icカード - Google Patents

Icカード

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JPH10171956A
JPH10171956A JP8334080A JP33408096A JPH10171956A JP H10171956 A JPH10171956 A JP H10171956A JP 8334080 A JP8334080 A JP 8334080A JP 33408096 A JP33408096 A JP 33408096A JP H10171956 A JPH10171956 A JP H10171956A
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JP
Japan
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card
conductive
coating
module
polyaniline
Prior art date
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Pending
Application number
JP8334080A
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English (en)
Inventor
Kazuhiro Abe
和洋 阿部
Chikao Morishige
地加男 森重
Juji Konagaya
重次 小長谷
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Toyobo Co Ltd
Original Assignee
Toyobo Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toyobo Co Ltd filed Critical Toyobo Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高湿度雰囲気下はもとより低湿度雰囲気下に
おいても、静電気による半導体チップの破壊や記録情報
の喪失等を起こす恐れがなく、且つカード表面の印刷画
像を隠蔽することもなく、しかも安価に得ることのでき
るICカードを提供すること。 【解決手段】 ICモジュールが埋め込まれたICカー
ドにおいて、ICカードの表面に、入出力端子部を除い
て、好ましくはポリアニリンまたはその誘導体からなる
導電性高分子を含む被覆が設けられ、耐静電気防止性を
与えたICカードを開示する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気信号処理用の
IC(集積回路)モジュールを埋め込んでなるICカー
ドに関し、特にICカードにおける回路素子の静電気に
よる破壊や記録情報の喪失、誤動作等を防止できる様に
改善されたICカードに関するものである。
【0002】
【従来の技術】ICカードには、マイクロプロセッサや
不揮発性メモリー等が応用されており、それらに用いら
れる半導体チップとして最も汎用されているのはMOS
型構造のものである。ところがMOS型構造の半導体チ
ップは、静電気によって容易に破壊されて記録情報が失
なわれたり誤動作を起こす。そのため、ICカードを例
えば衣類のポケット等に入れておくと、衣類の摩擦によ
って生じる静電気の影響を受けて半導体チップが破壊さ
れたり記録情報が喪失され、使用し得なくなることがあ
る。こうした欠点を改善するため、ICカード素材に界
面活性剤を練り込んだり、あるいはカード表面に界面活
性剤を塗布することによって帯電防止を図る方法が採用
されてきた。ところがこれらの方法は、多湿雰囲気下で
は一応その目的を達成するものの低湿度下ではその効果
が有効に発揮されない。また、カード表面に金属やカー
ボン等を蒸着する方法も知られており、この方法では低
湿度下でも優れた帯電防止効果を発揮するが、印刷面の
文字や図柄が隠蔽されてしまうといった品質面の欠点に
加えて、コスト高につくという経済的な問題も指摘され
る。更に、カード素材として導電性高分子を用いる方法
も提案されたが、導電性高分子は概して加工性が悪く、
かつ成形物の物性も悪いため実用性を欠き、またカード
表面に被覆することも現実には行われていない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の様な
従来技術の問題点に着目してなされたものであって、そ
の目的は、高湿度雰囲気下はもとより低湿度雰囲気下に
おいても、静電気による半導体チップの破壊や記録情報
の喪失等を起こす恐れがなく、且つカード表面の印刷画
像を隠蔽することもなく、しかも安価に得ることのでき
るICカードを提供しようとするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すること
のできた本発明のICカードは、ICモジュールが埋め
込まれたICカードにおいて、ICカードの表面に、入
出力端子部を除いて、導電性高分子を含む導電性被覆が
設けられているところにその特徴が存在する。上記で用
いられる導電性高分子として特に好ましいのは、ポリア
ニリまたはその誘導体であり、該ポリアニリンの誘導体
の中でも特に好ましいのはスルホン化ポリアニリン、と
りわけアルコキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸重合
体、更に具体的にはアミノアニソールスルホン酸重合体
であり、これらの導電性高分子を含む導電性被覆をIC
カード表面に形成することによって、カード表面の美観
を害したり印刷画像や文字等を隠蔽することなく、また
高湿度雰囲気下はもとより低湿度雰囲気下においても優
れた帯電防止性能を与えることができる。
【0005】
【発明の実施の形態】上記の様に本発明のICカード
は、ICモジュールが埋め込まれたICカードの入出力
端子部を除くカードの表面に、導電性高分子、特に好ま
しくはポリアニリンまたはそのポリアニリン誘導体(好
ましくはアルコキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸な
どのスルホン化ポリアニリンなど)を含む被覆を設け、
該被覆により帯電防止性能を与えることによって、高湿
度雰囲気下はもとより低湿度雰囲気下においても、静電
気による半導体チップの破壊や記録情報の喪失等を起こ
さない様にしたところに特徴を有している。
【0006】本発明で使用する導電性高分子とは、導電
性を有する高分子であり、好ましいものとしては、アニ
リン、ピロール、チオフェン、アズレン、フラン、フェ
ノール、アセチレン等の重合体およびこれらの誘導体が
例示され、これらの中でも特に好ましいのは、アニリン
の重合体及びその誘導体である。それらの中でも、アル
コキシ基置換アミノベンゼンスルホン酸、とりわけアミ
ノアニソールスルホン酸を主成分とするスルホン化ポリ
アニリンが好ましく、分子量は特に制限されないが、分
子量が小さ過ぎるものでは導電性被覆の物性、殊に導電
性や耐摩擦性、耐擦傷性等が乏しくなり、逆に大き過ぎ
る場合は、導電性被覆が脆弱になって曲げ方向の外力を
受けたときに割れを起こして導電性が著しく阻害される
といった問題を起こすことがあるので、好ましくは重量
平均分子量で5,000〜100,000、更には8,
000〜50,000の範囲のものが好ましい。
【0007】好ましい導電性高分子のモノマー成分を構
成するアミノアニソールスルホン酸類の具体例として
は、2−アミノアニソール−3−スルホン酸、2−アミ
ノアニソール−4−スルホン酸、2−アミノアニソール
−5−スルホン酸、2−アミノアニソール−6−スルホ
ン酸、3−アミノアニソール−2−スルホン酸、3−ア
ミノアニソール−4−スルホン酸、3−アミノアニソー
ル−5−スルホン酸、3−アミノアニソール−6−スル
ホン酸、4−アミノアニソール−2−スルホン酸、4−
アミノアニソール−3−スルホン酸等が例示される。本
発明で用いられる好ましい導電性高分子の代表例とし
て、ポリアニリンとアミノアニソールスルホン酸重合体
の分子構造を例示すると下記の通りである。
【0008】
【化1】
【0009】
【化2】
【0010】本発明においては、上記導電性高分子をイ
ソプロピルアルコール、エタノール、メチルエチルケト
ン、トルエン等の溶剤に溶解もしくは分散させて塗布液
を調製し、これをICカード表面の入力端子部を除く部
分に塗布して導電層を形成し、あるいは上記塗布液をプ
ラスチックフィルムの表面に塗布して導電層を形成した
積層フィルムをICカード本体表面の入出力端子部を除
く部分に張り合せ、ICカード表面に導電層を形成す
る。
【0011】該導電性被覆の形成に当たっては、該被覆
の物性や塗装性などを向上させるため、他の被覆形成々
分として共重合ポリエステル、酢酸ビニル共重合体、エ
ポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、アクリル系樹脂等の
バインダーを併用することが好ましく、更には、濡れ性
や密着性などを向上させるため、界面活性剤、消泡剤、
レベリング剤等の添加剤を添加することも有効である。
また、本発明の特徴を阻害しない限度で、他の導電性物
質、例えば導電性金属粉、導電性金属酸化物、カーボン
粉末等を微量混入させることも有効である。但し、これ
らの導電性物質は導電性被覆の透明性を阻害する恐れが
あるので、透明性に極力悪影響を及ぼさない様、極く微
細な粒状物を選択使用することが望まれる。
【0012】この場合、ICカードに十分な耐静電気性
能を与えるには、該導電性被覆中に占める導電性高分子
の含有量を1.0重量%以上、より好ましくは5.0重
量%以上、更に好ましくは8.0重量%以上とするのが
よく、導電性被覆中に占める該導電性高分子の含有量が
不足する場合は、得られる被覆が導電性不足となって満
足のいく耐静電気性能が得られ難くなる。但し上記導電
性高分子の含有量が多くなり過ぎると、導電性被覆の耐
水性、耐摩耗性、密着性等が悪くなる傾向が見られるの
で、好ましくは該導電性高分子の含有量を8〜20重量
%の範囲に止め、上記の様な被覆形成々分を80重量%
程度以下の量で含有させることが望ましい。
【0013】導電性被覆の厚さも特に制限されないが、
満足のいく耐静電気性能を有効に発揮させる上で好まし
いのは、0.01〜0.5μm、より好ましくは0.0
5〜0.2μmの範囲であり、薄過ぎる場合は十分な耐
静電気性能が得られにくく、また過度に厚くしてもそれ
以上の耐静電気性能は得られないので経済的に無駄であ
る。
【0014】図1(a),(b)は、本発明に係るIC
カードを例示する概略平面図およびA−A線断面相当図
であり、このICカードは、通常プラスチックによって
構成される2枚の保持板を重ね合わせてカード1とし、
その内部にICモジュール2が収納されると共に、該カ
ード1の側縁部に入出力接続端子3が設けられている。
そして、該ICモジュールからなる集積メモリー回路に
データの書き込み又はデータの読み取りを行う際には、
上記カード1の側縁部に設けた入出力接続端子3を、外
部のカード処理装置と電気的または機械的に接続するこ
とによってカード処理が行なわれる。入出力接続端子3
は、上述の如く外部のカード処理装置と電気的または機
械的に接続されなければならないので、常に表面に導電
的に露出していることが必要であり、従って、静電防止
の為の導電性被覆4は該接続端子3には形成されず、該
端子部3を除くカード1の表面全域に形成することによ
って、ICカードに耐静電性能が与えられる。
【0015】即ち本発明においては、ICモジュールが
そのモジュールを動作させるのに必要な接続手段も含め
て、導電性高分子を含む導電性被覆4により完全に覆わ
れているところに特徴を有しており、この導電性被覆は
ICカードを製造する際に設けてもよいし、あるいはI
Cモジュールを担持する支持体(即ち図1に示す保持板
からなるカード1)を製造する際に、ICモジュールを
組み込む前の段階で保持板単位で設けることも可能であ
り、あるいはICモジュールを組み込んでからカード1
の表面に形成することも可能である。しかし好ましく
は、取り扱い時におけるICモジュールの損傷等を防止
するため、ICモジュールを組み込む前のカード1表面
に形成することが推奨される。該導電性被覆をICカー
ド1の製造時に設ける場合は、導電性高分子を含む塗布
液をカード1に塗布して導電性被覆を形成するか、ある
いは導電性高分子によって予め形成したフィルムまた
は、任意のフィルムに導電被覆を形成した積層フィルム
を、カード1を製造する際に積層する方法が好ましく採
用される。
【0016】但し上記導電性被覆は、前記接続手段と導
電的に接触しない様にしなければならないことは言うま
でもない。尚、上記カードを構成するプラスチック材は
通常絶縁性素材によって構成されており、更にICモジ
ュールの外面側は絶縁材よって被包されているので、I
Cモジュールと導電性被覆が電気的に短絡して障害を招
く様な恐れは生じない。
【0017】かくして本発明によれば、使用時の摩擦等
によって静電荷が生じたとしても、その静電荷はICカ
ードの表面のみに止まり、或は手で取り扱う際等にアー
スされて消失するので、内部のICモジュールに悪影響
を及ぼすことは皆無となる。
【0018】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限
を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範
囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であ
り、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含され
る。なお、下記実施例、比較例で採用した各性能の測定
法は次の通りである。
【0019】[曲げ特性]ICカードを、一方が可動部
分になっているチャックの両あごの間に固定し、長手方
向に撓み:2cm、周期:曲げ30回/分、幅方向に撓
み1cm、周期:曲げ30回/分の条件で1000回撓
ませた後、ICカードの機能及び亀裂の有無を評価し
た。
【0020】[ねじれ特性]最大変位15°で交互に方
向転換させて1分間に30回の捻りを与え、これを1,
000回行った後のICカードの機能および亀裂の有無
を評価した。
【0021】[耐静電気性]湿度15%RHまたは60
%RHの雰囲気下で、100pFのキャパシターから1
kオームの抵抗を通し、各ICカードのコンタクトに向
けて放電する。始めは正常の極性で、次に各ICカード
の供電コンタクトと他のコンタクトの間で逆転した極性
で放電させた後、ICカードの機能を評価した。
【0022】[印刷面(文字、図柄)の透視性]カード
の入出力接続端子部を除く表面の全域に静電気防止被覆
を形成した後、元のICカードに印刷してあった文字や
図柄が元通り見ることができるかどうかを評価した。
【0023】なお下記実施例および比較例で用いたIC
カードは、ICモジュール(集積メモリー回路)を有
し、通常プラスチック製の保持板2枚をカード本体とし
てこれに上記ICモジュールを挟んだ構造のもので、該
ICモジュールからなる集積メモリー回路にデータの書
き込み又はデータの読み取りを行う際に、上記カードの
側縁部に設けた入・出力接続端子に外部のカード処理装
置と電気的または機械的に接続される。なお、接続端子
は上述の如く外部のカード処理装置と電気的または機械
的に接続されなければならないので、常に表面に導電的
に露出していることが必要であり、従って後述する静電
気防止被覆は該接続端子部には形成されていない。
【0024】実施例1 ICカードの静電気防止用被覆として、ポリエステルフ
ィルムの片面に重量平均分子量が約11,000のスル
ホン化ポリアニリンとスルホン酸塩基含有共重合ポリエ
ステル樹脂を10/90(重量比)の割合で混合したも
のを、水/イソプロピルアルコールを50/50(重量
比)の割合で混合した溶媒に濃度1.0重量%で溶解乃
至分散挿せた溶液を、ワイヤバー法で塗布し、160℃
で1分間乾燥した複合フィルムを用いた。
【0025】実施例2 ICカードの静電気防止用被覆として、ICカード表層
部の接続端子部に接触しない様に、前記実施例で用いた
のと同じ溶液を直接スプレー法によって塗布し、100
℃で3分間乾燥し被覆を形成した。
【0026】実施例3 ICカードの静電気防止用被覆として、ICカード表層
部の接続端子部に接触しない様に、重量平均分子量が約
23,000のポリピロールとアクリル系樹脂を20/
80(重量比)の割合で混合したものを、トルエン/メ
チルエチルケトンの50/50(重量比)混合溶媒に濃
度0.8重量%となる様に溶解した溶液を直接スプレー
法によって塗布し、100℃で3分間乾燥させて被覆を
形成した。
【0027】比較例1 ICカードに静電気防止用被覆を設けなかった。 比較例2 ICカードの静電気防止用被覆として、ICカード表層
部の接続端子部分に接触しない様に、蒸着法によりカー
ボン粉末被覆を設けた。 比較例3 ICカードの静電気防止用被覆として、ICカード表層
部の接続端子部分に接触しない様に、蒸着法により金属
アルミ被覆を設けた。
【0028】比較例4 ICカードの静電気防止用被覆として、ICカード表層
部の接続端子部分に接触しない様に、アニオン系界面活
性剤とスルホン酸塩基含有共重合ポリエステル樹脂を1
0/90(重量比)の割合で混合したもを、水/イソプ
ロピルアルコールの50/50(重量比)混合溶媒に濃
度1.0重量%となる様に溶解乃至分散させた溶液をワ
イヤバーで塗布し、160℃で1分間乾燥させて被覆を
形成した。
【0029】
【表1】
【0030】表1より次の様に考察することができる。
各実施例では、低湿度下はもとより高湿度下でも優れた
耐静電気性能を示し、且つICカードの表層に印刷して
あった文字や図柄(さらに色)も元通りに見ることがで
きた。
【0031】これらに対し比較例1では、高湿度下はも
とより低湿度下でも耐静電気性能が乏しく、集積メモリ
ー回路の破壊が見られる。また比較例2及び3では、低
湿度下でも高湿度下でも耐静電気性能が有効に発揮さ
れ、集積メモリー回路の破壊は見られないが、ICカー
ド表層に印刷してあった文字や図柄が隠蔽され、これら
を外部から確認できなくなった。更に比較例4では、I
Cカード表層に印刷してあった文字や図柄は元の様に見
ることができ、また高湿度下でも優れた耐静電気性能を
有しており、集積メモリー回路の破壊は見られなかった
が、低湿度下では耐静電気性能がなく、集積メモリー回
路が破壊した。
【0032】
【発明の効果】本発明は以上の様に構成されており、I
Cカードの接続端子部を除くカード本体の表面に、導電
性高分子を含む被覆層を設けることにより、低湿度下で
も高湿度下でも静電気による集積メモリー回路の破壊が
起こらず、かつICカード表層に印刷した文字や図柄の
透視性を損なうこともなく、情報化社会での信頼性、安
全性、美的外観などを全て兼ね備えたICカードを提供
し得ることになった。
【図面の簡単な説明】
【図1】ICカードの概略平面図および概略縦断面図で
ある。
【符号の説明】
1 ICカード 2 ICモジュール 3 入出力接続端子 4 導電性被覆

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ICモジュールが埋め込まれたICカー
    ドにおいて、ICカードの表面に、入出力端子部を除い
    て、導電性高分子を含む導電性被覆が設けられているこ
    とを特徴とするICカード。
  2. 【請求項2】 導電性高分子が、ポリアニリまたはその
    誘導体である請求項1記載のICカード。
  3. 【請求項3】 ポリアニリンの誘導体がスルホン化ポリ
    アニリンである請求項2記載のICカード。
  4. 【請求項4】 スルホン化ポリアニリンが、アルコキシ
    基置換アミノベンゼンスルホン酸重合体である請求項3
    記載のICカード。
  5. 【請求項5】 アルコキシ基置換アミノベンゼンスルホ
    ン酸重合体がアミノアニソールスルホン酸重合体である
    請求項4記載のICカード。
JP8334080A 1996-12-13 1996-12-13 Icカード Pending JPH10171956A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007032325A1 (ja) 2005-09-14 2007-03-22 Toyo Boseki Kabushiki Kaisha ポリエステルおよびポリエステルの製造方法、ならびにポリエステル成形体
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