JPH10160845A - シンチレーションファイバ束の劣化診断装置およびその劣化診断方法、並びに放射線の深部線量測定装置の校正装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 シンチレーションファイバ束の放射線による
劣化を診断する。 【解決手段】 光源１から光２をシンチレーションファ
イバ４で構成されたシンチレーションファイバブロック
５の端面全面に照射し、各シンチレーションファイバ４
を透過する光２と、光２の紫外線成分によってシンチレ
ーションファイバ４から発光される光とが合成され像６
となる。この像６は像計測器７により計測された像６の
形状信号及び出力輝度信号となり、この信号は像処理装
置８により表示装置９の画面上で画像及び輝度分布とし
て表示される。この計測方法でシンチレーションファイ
バブロックが放射線の照射を受けていないときまたは放
射線の照射に対して劣化していないときに得られる光の
像と、上記シンチレーションファイバブロックが放射線
を受けた後の光の像とを比較して劣化を診断する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、シンチレーション
ファイバ束の劣化診断装置及び劣化診断方法、並びに、
重イオン粒子線、軽粒子線、電子線、Ｘ線等の放射線の
深部線量を測定する深部線量測定装置の校正装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】図１１は、従来のＮａＩシンチレータの
劣化診断及び校正装置を示す構成図である。図１１にお
いて、１０は放射線、１１は光電子増倍管、１２は計測
器、１３は標準線源、１４はＮａＩシンチレータ、１５
は増幅器である。

【０００３】次に動作について説明する。 （１）放射線１０をＮａＩシンチレータ１４に照射す
る。 （２）放射線１０を照射されたＮａＩシンチレータ１４
はシンチレーション光を発生する。 （３）このシンチレーション光は、光電子倍増管１１に
より電気信号に変換され、変換された電気信号は増幅器
１５により増幅される。 （４）増幅された電気信号は計測器１２に送信され、計
測器１２は受信した電気信号によりＮａＩシンチレータ
１４が受けた放射線量を測定する。

【０００４】そして、上記装置は、標準線源１３を用い
ることによりＮａＩシンチレータ１４の劣化診断装置・
校正装置としても使用することができる。つまり、標準
線源により照射する放射線の線量を常に一定に保ち、計
測器１２からの出力変動を観測することによってＮａＩ
シンチレータ１４の劣化診断を行うことができる。ま
た、その結果から、ＮａＩシンチレータ１４を校正する
ことができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来の装置は上述のよ
うに構成されているので、ＮａＩシンチレータシンチレ
ータに代わって複数のシンチレーションファイバが密集
したシンチレーションファイバブロックを用いる場合
は、以下の問題があり、各々のシンチレーションファイ
バの劣化診断・校正は不可能であった。

【０００６】（１）ＮａＩシンチレータ１４と同様な接
続をシンチレーションファイバに対して行うと信号の伝
送損失が生じる。 （２）全てのシンチレーションファイバを光電子増倍管
に接続するのは困難であり、複雑となる。 （３）標準線源１３による放射線１０をシンチレーショ
ンファイバブロックに照射しても、全てのシンチレーシ
ョンファイバに均一な線量を照射できない。

【０００７】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、シンチレーションファイバブロッ
クのシンチレーションファイバ一本毎の劣化を診断し、
また、放射線の深部線量測定装置を校正することを目的
とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】

（１）この発明に係るシンチレーションファイバ束の劣
化診断装置は、シンチレーションファイバ束の端面に光
を照射する光源と、上記光源により上記シンチレーショ
ンファイバ束を透過した光と上記シンチレーションファ
イバ束に発生したシンチレーション光とを受光し、この
受光した光の像を計測する計測手段と、上記シンチレー
ションファイバ束が放射線の照射を受けていないときま
たは放射線の照射に対して劣化していないときに得られ
る光の像と、上記シンチレーションファイバ束が放射線
を受けた後の光の像とを比較して劣化を診断する比較手
段とを備えたしたものである。

【０００９】（２）また、シンチレーションファイバ束
の端面に光を照射する光源と、上記光源により上記シン
チレーションファイバ束を透過した光と上記シンチレー
ションファイバ束に発生したシンチレーション光とを受
光し、この受光した光の像を計測する計測手段と、予め
光の透過特性とシンチレーション光の発光特性が計測さ
れた基準のシンチレーションファイバ束と、上記シンチ
レーションファイバ束から得られる光の像と、上記シン
チレーションファイバ束を上記基準のシンチレーション
ファイバ束に置き換えたときに得られる光の像とを比較
して劣化を診断する比較手段とを備えたものである。

【００１０】（３）また、上記（１）または（２）にお
いて、光源は少なくとも可視光線領域の光を放出する光
源としたものである。

【００１１】（４）また、上記（１）または（２）にお
いて、光源は紫外線を放出する光源としたものである。

【００１２】（５）また、上記（１）または（２）にお
いて、光源は発光ダイオードを用いた光源とし、上記発
光ダイオードの前面に光拡散部材を設けたものである。

【００１３】（６）また、上記（１）または（２）にお
いて、光源は夜光蛍光塗料を用いた光源としたものであ
る。

【００１４】（７）また、上記（１）または（２）にお
いて、光源は写真用のフラッシュランプを用いた光源と
したものである。

【００１５】（８）また、上記（１）または（２）にお
いて、光源は液晶バックライトを用いた光源としたもの
である。

【００１６】（９）また、上記（１）〜（３），（５）
〜（８）のいずれか１項において、光源の前面に紫外線
領域の光を通過させるバンドパスフィルタを設けたもの
である。

【００１７】（１０）この発明に係る放射線の深部線量
測定装置の校正装置は、上記（１）〜（８）のいずれか
１項のシンチレーションファイバ束の劣化診断装置を用
いると共に、光源からの光を拡散する部材を備え、比較
手段は、上記光源から上記光拡散部材を通した場合に得
られる光の像と、上記光源から上記光拡散部材を通した
光を深部線量測定用のシンチレーションファイバ束に照
射した場合に得られる光の像とを比較し、その比較結果
から上記シンチレーションファイバ束の放射線の吸収線
量特性を校正するものである。

【００１８】（１１）また、上記（９）のシンチレーシ
ョンファイバ束の劣化診断装置を用い、比較手段は、深
部線量測定用のシンチレーションファイバ束に光源から
光を照射した場合に得られる光の像と基準のシンチレー
ションファイバ束に上記光源から光を照射した場合に得
られる光の像とを比較し、その比較結果から上記シンチ
レーションファイバ束の放射線の吸収線量特性を校正す
るものである。

【００１９】（１２）この発明に係るシンチレーション
ファイバ束の劣化診断方法は、シンチレーションファイ
バ束が放射線の照射を受けていないときまたは放射線の
照射に対して劣化していないときに、上記シンチレーシ
ョンファイバ束の端面に光を照射して、上記シンチレー
ションファイバ束を透過した光と上記シンチレーション
ファイバ束に発生したシンチレーション光とを受光し、
この受光した光の像を計測する第１の計測工程と、上記
シンチレーションファイバ束が放射線の照射を受けた後
に、この放射線の照射を受けたシンチレーションファイ
バ束の端面に光を照射して、上記放射線の照射を受けた
シンチレーションファイバ束を透過した光と上記放射線
の照射を受けたシンチレーションファイバ束に発生した
シンチレーション光とを受光し、この受光した光の像を
計測する第２の計測工程と、上記第１と第２の計測工程
で得られた計測結果を比較して上記シンチレーションフ
ァイバ束の劣化を診断する比較工程とを含むものであ
る。

【００２０】（１３）また、シンチレーションファイバ
束の端面に光を照射して、上記シンチレーションファイ
バ束を透過した光と上記シンチレーションファイバ束に
発生したシンチレーション光とを受光し、この受光した
光の像を計測する第１の計測工程と、予め光の透過特性
とシンチレーション光の発光特性が計測された基準のシ
ンチレーションファイバ束に光を照射して、上記基準の
シンチレーションファイバ束を透過した光と上記基準の
シンチレーションファイバ束に発生したシンチレーショ
ン光とを受光し、この受光した光の像を計測する第２の
計測工程と、上記第１と第２の計測工程で得られた計測
結果を比較して上記シンチレーションファイバ束の劣化
を診断する比較工程とを含むものである。

【００２１】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．以下、この発明の実施の形態１を図に基
づいて説明する。図１はこの発明の実施の形態を示す模
式図であり、１は光源、２は光源１からの光、４はシン
チレーションファイバ、５はシンチレーションファイバ
４をバンドル化したシンチレーションファイバブロッ
ク、６は光シンチレーションファイバブロック５を透過
してきた光２とシンチレーションファイバブロック５で
発光された光との合成された像、７は像６を計測する計
測手段である像計測器、８は像計測器７から信号を入力
し計測された像６を処理するための像処理装置、９は像
処理装置８から信号を入力し画像及び輝度分布を画面に
表示する表示装置である。

【００２２】次に動作について説明する。光源１から光
２をシンチレーションファイバブロック５の端面全面に
照射すると、各シンチレーションファイバ４を透過する
光２と、光２の紫外線成分によってシンチレーションフ
ァイバ４から発光される光とが合成され像６となり、像
計測器７側に出力される。

【００２３】この像６を像計測器７により計測し、計測
された像６の形状信号及び出力輝度信号を像処理装置８
により表示装置９に表示できる信号に変換し、この信号
に基づいて表示装置９は画像及び輝度分布を画面に表示
する。

【００２４】画像および輝度分布の画面を図２に示す。
シンチレーションファイバの１本毎に光の強弱（出力輝
度信号）が表示され、全体が像（形状信号）となり輝度
分布で表される。

【００２５】上記の操作を、放射線を照射されていない
シンチレーションファイバブロック５または劣化してい
ないシンチレーションファイバブロック５に対して行う
ことにより、各シンチレーションファイバ４の形状信号
及び出力輝度信号の初期値を得ることができる。

【００２６】その後、シンチレーションファイバブロッ
ク５に放射線が照射され、この照射を受けたシンチレー
ションファイバブロック５に対しても同様な操作を行
い、そこで得られた形状信号及び出力輝度信号を上記初
期値と比較することにより、各シンチレーションファイ
バ４の劣化診断を容易に行うことができる。

【００２７】この比較動作を説明する。図３は図２の画
面のＡ−Ａの部分の位置の輝度分布（出力輝度信号の分
布状態）である。初期値と放射線照射を受けた後の出力
輝度信号とを比較することによりその差が大きいと劣化
が大きいと診断される。画面上にこの差（劣化分）のみ
を表示することもできる。

【００２８】また、初期値、放射線照射後の値、劣化
分、劣化の度合い（比率）などを画面上のディジタル表
示することもできる。また、図２の２次元表示上に図３
の出力輝度信号をＺ軸で表示した３次元表示も現在の画
像処理技術で容易にできる。

【００２９】ここで、電子線・Ｘ線などの軽粒子線によ
って照射されたシンチレーションファイバブロック５の
劣化は、発光率の劣化より透過率の劣化の方が著しいの
で、光２は可視領域の任意な波長の光を用いて劣化診断
を行うことができる。

【００３０】しかし、重粒子線においては、透過率の劣
化に加え発光率の劣化もあるので、光２を紫外線領域と
して、発光率と透過率を含めた劣化診断を行う。この場
合、紫外線照射によりシンチレーションファイバ内で発
光率に応じて発光し、その光は透過率に応じて端面まで
透過し、この透過した光の像が受光されるので、発光率
と透過率とを併せた劣化診断ができる。

【００３１】実施の形態２．以下、この発明の実施の形
態２を図に基づいて説明する。図４はこの発明の実施の
形態を示す模式図であり、１−１ａはシンチレーション
ファイバブロック５の端面と同じ大きさ又はそれ以上の
大きさのプレート、１−１ｂはプレート１−１ａ上に敷
き詰められた複数のＬＥＤ発光体、３はＬＥＤ発光体１
−１ｂによって発光される光を拡散する光拡散硝子、１
６はバンドパスフィルターである。

【００３２】次に動作について説明する。プレート１−
１ａ上に配置された各ＬＥＤ発光体１−１ｂからの発光
は、光拡散硝子３により拡散され、光２は広く均一な光
量を持つ光となる。但し重粒子線に対しては光２はバン
ドパスフィルターを通すことにより紫外線とする。

【００３３】従って、シンチレーションファイバブロッ
ク５の全てのシンチレーションファイバ４に対して一定
量の光を安定に照射することができ、シンチレーション
ファイバブロック５の劣化を精度良く診断できる。

【００３４】実施の形態３．以下、この発明の実施の形
態３を図に基づいて説明する。図５はこの発明の実施の
形態を示す模式図であり、１−２はプレート１−１ａ上
に均一に塗布された夜光蛍光塗料である。

【００３５】次に動作について説明する。プレート１−
１ａ上に配置された夜光蛍光塗料１−１ｂから発光によ
り光２は広く均一な光量を持つ光となる。但し重粒子線
による劣化に対しては光２はバンドパスフィルターを通
すことにより紫外線とする。

【００３６】従って、シンチレーションファイバブロッ
ク５の全てのシンチレーションファイバ４に対して一定
量の光を安定に照射することができ、シンチレーション
ファイバブロック５の劣化を精度良く且つ簡単に診断で
きる。

【００３７】実施の形態４．以下、この発明の実施の形
態４を図に基づいて説明する。図６はこの発明の実施の
形態を示す模式図であり、１−３は一般に写真撮影に用
いられるフラッシュである。

【００３８】次に動作について説明する。フラッシュ１
−３からの発光により光２は広く均一な且つ強度の光量
を持つ光となる。但し重粒子線に対しては光２はバンド
パスフィルターを通すことにより紫外線とする。

【００３９】従ってシンチレーションファイバブロック
５の全てのシンチレーションファイバ４に対して一定量
の光を照射することができ、シンチレーションファイバ
ブロック５の劣化を精度良く診断できる。また、光２の
出力が大きいため光２以外のノイズ光の影響を抑えるこ
とができる。

【００４０】実施の形態５．以下、この発明の実施の形
態５を図に基づいて説明する。図７はこの発明の実施の
形態を示す模式図であり、１−４は液晶バックライトで
ある。

【００４１】次に動作について説明する。液晶バックラ
イト１−４からの発光により光２は広く均一な光量を持
つ光となる。但し重粒子線に対しては光２はバンドパス
フィルターを通すことにより紫外線とする。

【００４２】従って、シンチレーションファイバブロッ
ク５の全てのシンチレーションファイバ４に対して一定
量の光を照射することができ、シンチレーションファイ
バブロック５の劣化を精度良く診断できる。

【００４３】実施の形態６．実施の形態１では、シンチ
レーションファイバブロック５が放射線の照射を受けて
いないときまたは放射線の照射に対して劣化していない
ときに得られる光の像と、上記シンチレーションファイ
バブロック５が放射線を受けた後の光の像とを比較する
ようにしたが、この実施の形態は、基準のシンチレーシ
ョンファイバブロックを設けてこの基準値と比較するも
のである。

【００４４】この実施の形態を説明する。予め光の透過
特性とシンチレーション光の発光特性が計測された基準
のシンチレーションファイバブロックを設ける。この基
準のシンチレーションファイバブロックに光を照射した
場合の基準の光の像と、被試験体であるシンチレーショ
ンファイバブロックに光を照射した場合の光の像とを比
較し劣化を診断する。

【００４５】比較方法は図３に示す方法と同様である
が、図３の初期値に代わって基準値となり、放射線照射
後の値は、放射線照射の有無に拘らず被試験体のシンチ
レーションファイバブロックから得られる値となる。

【００４６】実施の形態７．上記の実施の形態はシンチ
レーションファイバブロックの劣化を診断する装置につ
いて説明したが、この実施の形態は、放射線を用いたが
ん治療装置の運転条件を決めるための深部線量を測定す
る深部線量測定装置の校正装置として上記実施の形態１
〜５の劣化診断装置を用いるものである。

【００４７】以下、この発明の実施の形態６を図に基づ
いて説明する。図８はこの発明の実施の形態を示す模式
図であり、２１は放射線発生装置で、放射線２２を発生
する。

【００４８】がん治療装置としては、シンチレーション
ファイバブロック５の位置に人体をおき人体の深部（患
部）に放射線を照射して治療を行うが、人体の深部にお
いて照射される放射線の線量を所定の線量にしておく必
要がある。

【００４９】このため図８のように、シンチレーション
ファイバブロック５を人体が置かれる位置に置き、放射
線発生装置２１から放射線２２を発生させ、この放射線
２２によりシンチレーションファイバブロック５がシン
チレーション光を発生し、このシンチレーション光が像
６となり、像計測器７で計測される。計測された像６の
形状信号及び出力輝度信号を像処理装置８により放射線
量分布として表示装置９に表示することにより、照射す
る放射線量を決定する。

【００５０】ここで放射線によりシンチレーションファ
イバブロック５は放射線の照射により劣化する。この劣
化による放射線量の校正を行うために、前述の各実施の
形態（図１、図４〜図７）で示した劣化診断装置を校正
装置として用い校正を行う。

【００５１】図９、図１０により具体例を説明する。
（１）図９（ａ）のように光源１からの光２を半透明の
光拡散部材であるすりガラス１７で光を拡散しその光の
像６を像計測器７で受光する。

【００５２】（２）次に、図９（ｂ）のように深部線量
測定用のシンチレーションファイバブロック５を配置
し、すりガラス１７を透過した光がシンチレーションフ
ァイバブロック５の端面に入射し、シンチレーションフ
ァイバブロック５を透過した光と、シンチレーションフ
ァイバブロック５内で発光したシンチレータ光との合成
した光の像６を像計測器７で受光する。

【００５３】（３）上記図９の（ａ）と（ｂ）で得られ
た光の像を図１０のようにして比較する。図１０（ａ）
はシンチレーションファイバブロック５のシンチレーシ
ョンファイバＡ，Ｂ，Ｃ，・・・の位置の光量分布を示
すもので、入射光の分布が図９（ａ）で測定した場合の
光量の分布で、各シンチレーションファイバからの光量
分布が図９（ｂ）で測定した場合の光量分布である。

【００５４】（４）この両者の割合を図示のように６０
％，４０％，８０％，７０％，・・・とすると、入射光
を１００とした場合の各シンチレーションファイバから
の光量分布は図１０（ｂ）のようになる。

【００５５】（５）図１０（ｃ）のように、入射光を１
００とした場合光量と、入射光を１００とした場合の各
シンチレーションファイバからの光量との差がハッチン
グで示した部分で補正の対象となる部分であり、この補
正分で補正することにより各シンチレーションファイバ
の校正をすることができる。

【００５６】入射光が均一の場合は、図１０（ｂ）の光
量分布が得られ、図（ｃ）のように補正し校正を行う。

【００５７】実施の形態８．この実施の形態は、深部線
量測定装置の校正装置としてシンチレーションファイバ
束の放射線の吸収線量特性を校正する場合に、実施の形
態６で用いた基準のシンチレーションファイバブロック
を用いてこの基準値と比較するものである。

【００５８】図示しないが、予め光の透過特性とシンチ
レーション光の発光特性が計測された基準のシンチレー
ションファイバブロックに光源からの光を照射した場合
に得られる光の像と、深部線量測定用のシンチレーショ
ンファイバブロックに光源から光を照射した場合に得ら
れる光の像とを比較することにより、その補正分が導出
され、その補正分で補正することにより校正することが
できる。

【００５９】実施の形態９．上記の実施の形態ではシン
チレーションファイバブロック（シンチレーションファ
イバ束）の劣化診断について説明したが、線状や棒状の
シンチレータを多数配列したものにも適用でき、これも
シンチレーションファイバブロック（シンチレーション
ファイバ束）の範疇に入れている。

【００６０】

【発明の効果】

（１）以上のようにこの発明によれば、シンチレーショ
ンファイバ束が放射線の照射を受けていないときまたは
放射線の照射に対して劣化していないときに得られる光
の像と、上記シンチレーションファイバ束が放射線を受
けた後の光の像とを比較するようにしたので、この比較
によりシンチレーションファイバ束の劣化を診断するこ
とができる。

【００６１】（２）また、基準のシンチレーションファ
イバ束に放射線を照射した場合に得られる光の像と光源
から光を照射した場合に得られる光の像とを比較するよ
うにしたので、この比較によりシンチレーションファイ
バ束の劣化を診断することができる。

【００６２】（３）また、シンチレーションファイバ束
の無い場合と有る場合に得られる光の像とを比較するよ
うにしたので、この比較により放射線の深部線量測定装
置に用いるシンチレーションファイバ束の放射線の吸収
線量特性を校正することができる。

【００６３】（４）また、シンチレーションファイバ束
に光を照射した場合に得られる光の像と基準のシンチレ
ーションファイバ束に光を照射した場合に得られる光の
像とを比較したので、この比較により放射線の深部線量
測定装置に用いるシンチレーションファイバ束の放射線
の吸収線量特性を校正することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１によるシンチレーシ
ョンファイバ束の劣化診断装置を示す模式図である。

【図２】 この発明の実施の形態１による形状信号と出
力輝度信号を画像表示した図である。

【図３】 この発明の実施の形態１による形状信号と出
力輝度信号の要部を表示した図である。

【図４】 この発明の実施の形態２によるシンチレーシ
ョンファイバ束の劣化診断装置を示す模式図である。

【図５】 この発明の実施の形態３によるシンチレーシ
ョンファイバ束の劣化診断装置を示す模式図である。

【図６】 この発明の実施の形態４によるシンチレーシ
ョンファイバ束の劣化診断装置を示す模式図である。

【図７】 この発明の実施の形態５によるシンチレーシ
ョンファイバ束の劣化診断装置を示す模式図である。

【図８】 この発明の実施の形態６による放射線の深度
線量測定装置の模式図である。

【図９】 この発明の実施の形態６によるシンチレーシ
ョンファイバ束の劣化診断装置を示す模式図である。

【図１０】 この発明の実施の形態６による光量分布示
す図である。

【図１１】 従来のＮａＩシンチレータの劣化診断及び
校正装置を示す構成図である。

【符号の説明】 １ 光源、 １−１ａ プレート、
１−１ｂ ＬＥＤ発光体、 １−２ 夜光蛍光塗
料、１−３ フラッシュ、 １−４ 液晶バッ
クライト、２ 光、 ３ 光拡散
硝子、４ シンチレーションファイバ、５ シンチレー
ションファイバブロック、（シンチレーションファイバ
束） ６ 像、 ７ 像計測器、８ 像
処理装置、 ９ 表示装置、１０ 放射
線、 １１ 光電子増倍管、１２ 計測
器、 １３ 標準線源、１４ ＮａＩシ
ンチレータ、 １５ 増幅器、１６ バンドパスフィ
ルター、 ２１ 放射線発生装置、２２ 放射線。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西沢 博志 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 シンチレーションファイバ束の端面に光
   を照射する光源と、上記光源により上記シンチレーショ
   ンファイバ束を透過した光と上記シンチレーションファ
   イバ束に発生したシンチレーション光とを受光し、この
   受光した光の像を計測する計測手段と、上記シンチレー
   ションファイバ束が放射線の照射を受けていないときま
   たは放射線の照射に対して劣化していないときに得られ
   る光の像と、上記シンチレーションファイバ束が放射線
   を受けた後の光の像とを比較して劣化を診断する比較手
   段とを備えたシンチレーションファイバ束の劣化診断装
   置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のシンチレーションファ
   イバ束の劣化診断装置おいて、光源は少なくとも可視光
   線領域の光を放出する光源としたシンチレーションファ
   イバ束の劣化診断装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載のシンチレーションファ
   イバ束の劣化診断装置おいて、光源は紫外線を放出する
   光源としたシンチレーションファイバ束の劣化診断装
   置。
4. 【請求項４】 請求項１に記載のシンチレーションファ
   イバ束の劣化診断装置おいて、光源は発光ダイオードを
   用いた光源とし、上記発光ダイオードの前面に光拡散部
   材を設けたシンチレーションファイバ束の劣化診断装
   置。
5. 【請求項５】 請求項１に記載のシンチレーションファ
   イバ束の劣化診断装置おいて、光源は夜光蛍光塗料を用
   いた光源としたシンチレーションファイバ束の劣化診断
   装置。
6. 【請求項６】 請求項１に記載のシンチレーションファ
   イバ束の劣化診断装置おいて、光源は写真用のフラッシ
   ュランプを用いた光源としたシンチレーションファイバ
   束の劣化診断装置。
7. 【請求項７】 請求項１に記載のシンチレーションファ
   イバ束の劣化診断装置おいて、光源は液晶バックライト
   を用いた光源としたシンチレーションファイバ束の劣化
   診断装置。
8. 【請求項８】 請求項１〜２，４〜７のいずれか１項に
   記載のシンチレーションファイバ束の劣化診断装置おい
   て、光源の前面に紫外線領域の光を通過させるバンドパ
   スフィルタを設けたシンチレーションファイバ束の劣化
   診断装置。
9. 【請求項９】 請求項１〜８のいずれか１項に記載のシ
   ンチレーションファイバ束の劣化診断装置おいて、予め
   光の透過特性とシンチレーション光の発光特性が計測さ
   れた基準のシンチレーションファイバ束を設けると共
   に、比較手段は、被試験用のシンチレーションファイバ
   束から得られる光の像と、この被試験用のシンチレーシ
   ョンファイバ束を上記基準のシンチレーションファイバ
   束に置き換えたときに得られる光の像とを比較して劣化
   を診断する手段としたシンチレーションファイバ束の劣
   化診断装置。
10. 【請求項１０】 請求項１〜８のいずれか１項に記載の
    シンチレーションファイバ束の劣化診断装置を用いると
    共に、光源からの光を拡散する部材を備え、比較手段
    は、上記光源から上記光拡散部材を通した場合に得られ
    る光の像と、上記光源から上記光拡散部材を通した光を
    深部線量測定用のシンチレーションファイバ束に照射し
    た場合に得られる光の像とを比較し、その比較結果から
    上記シンチレーションファイバ束の放射線の吸収線量特
    性を校正する手段とした放射線の深部線量測定装置の校
    正装置。
11. 【請求項１１】 請求項９に記載のシンチレーションフ
    ァイバ束の劣化診断装置を用い、比較手段は、深部線量
    測定用のシンチレーションファイバ束に光源から光を照
    射した場合に得られる光の像と基準のシンチレーション
    ファイバ束に上記光源から光を照射した場合に得られる
    光の像とを比較し、その比較結果から上記シンチレーシ
    ョンファイバ束の放射線の吸収線量特性を校正する手段
    とした放射線の深部線量測定装置の校正装置。
12. 【請求項１２】 シンチレーションファイバ束が放射線
    の照射を受けていないときまたは放射線の照射に対して
    劣化していないときに、上記シンチレーションファイバ
    束の端面に光を照射して、上記シンチレーションファイ
    バ束を透過した光と上記シンチレーションファイバ束に
    発生したシンチレーション光とを受光し、この受光した
    光の像を計測する第１の計測工程と、上記シンチレーシ
    ョンファイバ束が放射線の照射を受けた後に、この放射
    線の照射を受けたシンチレーションファイバ束の端面に
    光を照射して、上記放射線の照射を受けたシンチレーシ
    ョンファイバ束を透過した光と上記放射線の照射を受け
    たシンチレーションファイバ束に発生したシンチレーシ
    ョン光とを受光し、この受光した光の像を計測する第２
    の計測工程と、上記第１と第２の計測工程で得られた計
    測結果を比較して上記シンチレーションファイバ束の劣
    化を診断する比較工程とを含むことを特徴とするシンチ
    レーションファイバ束の劣化診断方法。
13. 【請求項１３】 シンチレーションファイバ束の端面に
    光を照射して、上記シンチレーションファイバ束を透過
    した光と上記シンチレーションファイバ束に発生したシ
    ンチレーション光とを受光し、この受光した光の像を計
    測する第１の計測工程と、予め光の透過特性とシンチレ
    ーション光の発光特性が計測された基準のシンチレーシ
    ョンファイバ束に光を照射して、上記基準のシンチレー
    ションファイバ束を透過した光と上記基準のシンチレー
    ションファイバ束に発生したシンチレーション光とを受
    光し、この受光した光の像を計測する第２の計測工程
    と、上記第１と第２の計測工程で得られた計測結果を比
    較して上記シンチレーションファイバ束の劣化を診断す
    る比較工程とを含むことを特徴とするシンチレーション
    ファイバ束の劣化診断方法。