JPH10149882A - Organic electroluminescent element - Google Patents
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、ホール注入電極
と電子注入電極との間に、少なくとも有機材料を用いた
発光層が設けられてなる有機エレクトロルミネッセンス
素子に係り、電子注入電極における電子の注入効率を低
下させることなく、この電子注入電極の安定性を向上さ
せた有機エレクトロルミネッセンス素子に関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescence device having at least a light-emitting layer using an organic material between a hole injection electrode and an electron injection electrode. The present invention relates to an organic electroluminescence device in which the stability of the electron injection electrode is improved without lowering the efficiency.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、情報機器の多様化等にともなっ
て、従来より一般に使用されているＣＲＴに比べて消費
電力が少なく容積の小さい平面表示素子のニーズが高ま
り、このような平面表示素子の一つとしてエレクトロル
ミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子と略す。）が注目さ
れている。2. Description of the Related Art In recent years, with the diversification of information equipment and the like, the need for a flat display element which consumes less power and has a smaller volume than conventional CRTs has been increased. As one of them, an electroluminescence element (hereinafter, abbreviated as an EL element) has attracted attention.
【０００３】そして、このようなＥＬ素子は、使用する
材料によって無機ＥＬ素子と有機ＥＬ素子とに大別され
る。[0003] Such EL elements are roughly classified into inorganic EL elements and organic EL elements depending on the materials used.
【０００４】ここで、無機ＥＬ素子は、一般に発光部に
高電界を作用させ、電子をこの高電界中で加速して発光
中心に衝突させ、これにより発光中心を励起させて発光
させるようになっている。これに対し、有機ＥＬ素子
は、電子注入電極とホール注入電極とからそれぞれ電子
とホールとを発光部内に注入し、このように注入された
電子とホールとを発光中心で再結合させて、有機分子を
励起状態にし、この有機分子が励起状態から基底状態に
戻るときに蛍光を発光するようになっている。Here, in the inorganic EL device, generally, a high electric field is applied to a light emitting portion, and electrons are accelerated in the high electric field to collide with a light emission center, thereby exciting the light emission center to emit light. ing. On the other hand, the organic EL element injects electrons and holes into the light emitting portion from the electron injection electrode and the hole injection electrode, respectively, and recombines the thus injected electrons and holes at the light emission center. The molecule is set in an excited state, and emits fluorescence when the organic molecule returns from the excited state to the ground state.
【０００５】そして、無機ＥＬ素子の場合には、上記の
ように高電界を作用させるために、その駆動電圧として
１００〜２００Ｖと高い電圧を必要とするのに対して、
有機ＥＬ素子の場合には、５〜２０Ｖ程度の低い電圧で
駆動できるという利点があった。[0005] In the case of an inorganic EL device, a high driving voltage of 100 to 200 V is required in order to apply a high electric field as described above.
In the case of an organic EL element, there is an advantage that it can be driven at a low voltage of about 5 to 20 V.
【０００６】また、上記の有機ＥＬ素子の場合には、発
光材料である螢光物質を選択することによって適当な色
彩に発光する発光素子を得ることができ、マルチカラー
やフルカラーの表示装置等としても利用できるという期
待があり、さらに低電圧で面発光できるために、近年、
このような有機ＥＬ素子について様々な研究が行なわれ
るようになった。In the case of the above-mentioned organic EL device, a light-emitting device which emits light of an appropriate color can be obtained by selecting a fluorescent substance as a light-emitting material. Is expected to be able to be used, and because it can emit light at low voltage,
Various studies have been conducted on such organic EL devices.
【０００７】そして、近年においては、このような有機
ＥＬ素子として、ホール注入電極と電子注入電極との間
にホール輸送層と発光層と電子輸送層とを積層させたＤ
Ｈ構造と称される三層構造のものや、ホール注入電極と
電子注入電極との間にホール輸送層と電子輸送性に富む
発光層とが積層されたＳＨ−Ａ構造と称される二層構造
のものや、ホール注入電極と電子注入電極との間にホー
ル輸送性に富む発光層と電子輸送層とが積層されたＳＨ
−Ｂ構造と称される二層構造のものが開発されている。In recent years, as such an organic EL device, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer are laminated between a hole injection electrode and an electron injection electrode.
A three-layer structure called an H structure, or a two-layer structure called an SH-A structure in which a hole transport layer and a light emitting layer rich in electron transport properties are stacked between a hole injection electrode and an electron injection electrode. SH, in which a light emitting layer and an electron transport layer rich in hole transport properties are laminated between a hole injection electrode and an electron injection electrode.
A two-layer structure called a -B structure has been developed.
【０００８】また、従来の有機ＥＬ素子においては、上
記のホール注入電極や電子注入電極からホールや電子が
効率よく注入されるようにするため、ホール注入電極と
しては、仕事関数が大きいインジウム−スズ酸化物（Ｉ
ＴＯ）等が用いられる一方、電子注入電極としては、仕
事関数が小さいマグネシウム−インジウム合金やリチウ
ム−アルミニウム合金等が広く利用されていた。In a conventional organic EL device, in order to efficiently inject holes and electrons from the above-described hole injection electrode or electron injection electrode, indium-tin having a large work function is used as the hole injection electrode. Oxide (I
On the other hand, a magnesium-indium alloy, a lithium-aluminum alloy, or the like having a small work function has been widely used as an electron injection electrode.
【０００９】しかし、電子注入電極に使用される上記の
マグネシウム−インジウム合金やリチウム−アルミニウ
ム合金等は一般に酸化されやすく、これにより電子注入
電極としての特性が低下し、有機ＥＬ素子の耐環境性や
信頼性が悪くなり、有機ＥＬ素子の寿命が短くなるとい
う問題があった。However, the above-mentioned magnesium-indium alloy, lithium-aluminum alloy, and the like used for the electron injection electrode are generally easily oxidized, thereby deteriorating the characteristics as the electron injection electrode, and reducing the environmental resistance of the organic EL device. There is a problem that the reliability is deteriorated and the life of the organic EL element is shortened.
【００１０】また、上記のような従来の有機ＥＬ素子を
使用すると、上記の発光層等に使用されている有機材料
が次第に結晶化し、これにより有機ＥＬ素子に短絡等が
生じ、長期にわたって安定した発光が得られなくなると
いう問題もあった。In addition, when the above-mentioned conventional organic EL device is used, the organic material used for the light emitting layer and the like is gradually crystallized, thereby causing a short circuit or the like in the organic EL device, which is stable for a long time. There is also a problem that light emission cannot be obtained.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】この発明は、ホール注
入電極と電子注入電極との間に、少なくとも有機材料を
用いた発光層が設けられた有機ＥＬ素子における上記の
ような問題を解決することを課題とするものであり、電
子注入電極からの電子の注入が効率よく行なえると共
に、この電子注入電極が酸化されて特性が低下するとい
うことが少なく、また発光層等に使用した有機材料が時
間が経過するに連れて次第に結晶化して、有機ＥＬ素子
に短絡等が生じるということも抑制され、長期にわたっ
て十分な輝度の光を安定して発光できる有機ＥＬ素子を
提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned problems in an organic EL device in which at least a light emitting layer using an organic material is provided between a hole injection electrode and an electron injection electrode. The electron injection from the electron injection electrode can be efficiently performed, and the electron injection electrode is less likely to be oxidized and deteriorated in characteristics. It is an object of the present invention to provide an organic EL element that can be crystallized gradually with the passage of time to prevent a short circuit or the like from occurring in the organic EL element, and can stably emit light of sufficient luminance for a long period of time.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】この発明における有機エ
レクトロルミネッセンス素子においては、上記のような
課題を解決するため、ホール注入電極と電子注入電極と
の間に、少なくとも有機材料を用いた発光層が設けられ
てなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、上
記の電子注入電極をアモルファス金属で構成すると共
に、この電子注入電極における発光層側の面に仕事関数
の低い金属層を設けた。In the organic electroluminescent device according to the present invention, at least a light emitting layer using an organic material is provided between the hole injection electrode and the electron injection electrode in order to solve the above-mentioned problems. In the organic electroluminescent element provided, the electron injection electrode was formed of an amorphous metal, and a metal layer having a low work function was provided on a surface of the electron injection electrode on the light emitting layer side.
【００１３】そして、この発明における有機ＥＬ素子の
ように、電子注入電極をアモルファス金属で構成する
と、マグネシウム−インジウム合金やリチウム−アルミ
ニウム合金を用いた従来の電子注入電極のように酸化さ
れて、その特性が低下するということが少なくなり、有
機ＥＬ素子の耐環境性や信頼性が向上すると共に、アモ
ルファス金属で構成されて電子注入電極によって発光層
等に使用されている有機材料の結晶化が抑制され、有機
ＥＬ素子における短絡等も少なくなり、長期にわたって
安定した発光が行なえようになる。When the electron injection electrode is made of an amorphous metal like the organic EL device of the present invention, it is oxidized like a conventional electron injection electrode using a magnesium-indium alloy or a lithium-aluminum alloy. Deterioration of the characteristics is reduced, the environmental resistance and reliability of the organic EL element are improved, and crystallization of the organic material used for the light emitting layer and the like which is composed of an amorphous metal and is used by the electron injection electrode is suppressed. As a result, a short circuit or the like in the organic EL element is reduced, and stable light emission can be performed for a long time.
【００１４】また、この発明の有機ＥＬ素子において
は、上記のような電子注入電極における発光層側の面に
仕事関数の低い金属層を設けているため、この金属層を
通して電子が効率よく注入されるようになり、長期にわ
たって十分な輝度の発光が安定して行なえるようにな
る。In the organic EL device of the present invention, since a metal layer having a low work function is provided on the surface of the electron injection electrode on the light emitting layer side, electrons are efficiently injected through the metal layer. As a result, light emission of sufficient luminance can be stably performed over a long period of time.
【００１５】ここで、この発明における有機ＥＬ素子に
おいて、電子注入電極を構成するアモルファス金属とし
ては、例えば、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ等の遷移金属元素の少なくとも１つと、Ｂ，
Ｃ，Ｐ，Ｓｉの少なくとも１つの元素とを含むアモルフ
ァス金属等を用いることができ、具体的には、Ｆｅ80Ｂ
20，Ｆｅ78Ｂ13Ｓｉ9 ，Ｆｅ5 Ｃｏ70Ｓｉ15Ｂ10等のア
モルファス金属を用いることができる。Here, the organic EL device of the present invention
The amorphous metal that constitutes the electron injection electrode
For example, for example, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, N
i, at least one of transition metal elements such as Cu;
Amorph containing at least one element of C, P and Si
Metal or the like can be used.80B
20, Fe78B13Si9 , FeFive Co70SiFifteenBTenA
Morphas metal can be used.
【００１６】また、この電子注入電極における発光層側
の面に設ける仕事関数の低い金属層を構成する材料とし
ては、例えば、従来より一般に電子注入電極に使用され
ているマグネシウム−インジウム合金やリチウム−アル
ミニウム合金等を用いることができる。The material constituting the metal layer having a low work function provided on the surface of the electron injection electrode on the light emitting layer side is, for example, a magnesium-indium alloy or a lithium-indium alloy which has been generally used for the electron injection electrode. An aluminum alloy or the like can be used.
【００１７】また、この発明における有機ＥＬ素子にお
いて、上記のように電子注入電極における発光層側の面
に仕事関数の低い金属層を設けるにあたり、この金属層
の膜厚が厚くなり過ぎると、電子注入電極によって発光
層等に使用されている有機材料の結晶化を十分に抑制す
ることができなくなるため、この金属層の膜厚を４０ｎ
ｍ以下にすることが好ましい。In the organic EL device according to the present invention, when a metal layer having a low work function is provided on the surface of the electron injection electrode on the light emitting layer side as described above, if the metal layer becomes too thick, the electron Since the crystallization of the organic material used for the light emitting layer or the like cannot be sufficiently suppressed by the injection electrode, the thickness of the metal layer is set to 40 n.
m or less.
【００１８】なお、この発明における有機ＥＬ素子の素
子構造は、前記のＤＨ構造、ＳＨ−Ａ構造、ＳＨ−Ｂ構
造の何れの構造のものであってもよい。The element structure of the organic EL element according to the present invention may be any of the DH structure, SH-A structure and SH-B structure.
【００１９】[0019]
【実施例】以下、この発明の実施例に係る有機ＥＬ素子
を添付図面に基づいて具体的に説明すると共に、比較例
を挙げ、この発明の実施例における有機ＥＬ素子の場
合、長期にわたって十分な輝度の発光が行なえることを
明らかにする。なお、この発明における有機ＥＬ素子
は、下記の実施例に示したものに限定されるものではな
く、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実
施できるものである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an organic EL device according to an embodiment of the present invention will be specifically described with reference to the accompanying drawings, and a comparative example will be described. Clarify that light emission of luminance can be performed. The organic EL device according to the present invention is not limited to those shown in the following examples, but can be implemented by appropriately changing the scope of the invention without changing its gist.
【００２０】（実施例１）この実施例１の有機ＥＬ素子
においては、図１に示すように、１ｍｍのガラス基板１
１上に、前記のＩＴＯで構成されて膜厚が８０〜１００
ｎｍになったホール注入電極１２と、下記の化１に示す
トリフェニルアミン誘導体（ＭＴＤＡＴＡ）で構成され
て膜厚が６０ｎｍになったホール輸送層１３と、下記の
化２に示すＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３
−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’
−ジアミン（ＴＰＤ）からなるホスト材料に下記の化３
に示すルブレンが５重量％ドープされて膜厚が４０ｎｍ
になった発光層１４と、下記の化４に示す１０−ベンゾ
［ｈ］キノリノール−ベリリウム錯体（ＢｅＢｑ2 ）で
構成されて膜厚が４０〜５０ｎｍになった電子輸送層１
５と、マグネシウム−インジウム合金で構成されて膜厚
が１０ｎｍになった金属層１６ａと、Ｆｅ80Ｂ 20からな
るアモルファス金属で構成されて膜厚が２００ｎｍにな
った電子注入電極１６とが順々に形成されて前記のＤＨ
構造になっている。(Example 1) The organic EL device of Example 1
In FIG. 1, as shown in FIG.
1 is made of ITO and has a thickness of 80 to 100
The hole injection electrode 12 having a thickness of 10 nm and the following chemical formula 1
Consists of triphenylamine derivative (MTDATA)
The hole transport layer 13 having a thickness of 60 nm
N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3
-Methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4 '
-A host material composed of diamine (TPD) is represented by the following chemical formula 3.
5% by weight of rubrene as shown in FIG.
And a 10-benzo compound represented by the following chemical formula 4.
[H] Quinolinol-beryllium complex (BeBqTwo )so
Electron transport layer 1 configured to have a thickness of 40 to 50 nm
5 and composed of magnesium-indium alloy and film thickness
And the metal layer 16a having a thickness of 10 nm80B 20From
With a thickness of 200 nm.
The electron injection electrodes 16 are sequentially formed, and the DH
It has a structure.
【００２１】[0021]
【化１】 Embedded image
【００２２】[0022]
【化２】 Embedded image
【００２３】[0023]
【化３】 Embedded image
【００２４】[0024]
【化４】 Embedded image
【００２５】ここで、この実施例１の有機ＥＬ素子を製
造する場合について具体的に説明する。Here, a case where the organic EL device of Example 1 is manufactured will be specifically described.
【００２６】先ず、ＩＴＯで構成されたホール注入電極
１２が表面に形成されたガラス基板１１を中性洗剤によ
り洗浄した後、これをアセトン中で２０分間、エタノー
ル中で２０分間それぞれ超音波洗浄し、さらに上記のガ
ラス基板１１を沸騰したエタノール中に約１分間入れて
取り出した後、このガラス基板１１をすぐに窒素ブロー
により乾燥させた。First, the glass substrate 11 on the surface of which the hole injection electrode 12 made of ITO was formed was washed with a neutral detergent, and then this was ultrasonically washed in acetone for 20 minutes and in ethanol for 20 minutes. The glass substrate 11 was placed in boiling ethanol for about 1 minute and taken out. The glass substrate 11 was immediately dried by nitrogen blowing.
【００２７】次いで、このガラス基板１１を抵抗加熱さ
せながら、このガラス基板１１に形成されたホール注入
電極１２の上に、前記のＭＴＤＡＴＡを真空蒸着させて
ホール輸送層１３を形成し、またこのホール輸送層１３
の上に前記のＴＰＤとルブレンとを真空下で共蒸着させ
て発光層１４を形成し、さらにこの発光層１４の上に前
記のＢｅＢｑ2 を真空蒸着させて電子輸送層１５を形成
した後、この電子輸送層１５の上にマグネシウム−イン
ジウム合金を真空蒸着させて金属層１６ａを形成した。
そして、この金属層１６ａの上にスパッタリングにより
Ｆｅ80Ｂ20からなるアモルファス金属を被着させて電子
注入電極１６を形成した。Next, while the glass substrate 11 is heated by resistance, the above-mentioned MTDATA is vacuum-deposited on the hole injection electrode 12 formed on the glass substrate 11 to form a hole transport layer 13. Transport layer 13
The above-described TPD and rubrene are co-evaporated under vacuum to form a light-emitting layer 14, and the BeBq 2 is further vacuum-deposited on the light-emitting layer 14 to form an electron transport layer 15, A metal layer 16a was formed on the electron transport layer 15 by vacuum-depositing a magnesium-indium alloy.
An electron injection electrode 16 was formed by depositing an amorphous metal of Fe 80 B 20 on the metal layer 16a by sputtering.
【００２８】（実施例２）この実施例２の有機ＥＬ素子
においては、上記の実施例１における有機ＥＬ素子にお
いて、マグネシウム−インジウム合金で構成された金属
層１６ａの膜厚を７０ｎｍにし、それ以外については、
実施例１の場合と同様にして有機ＥＬ素子を得た。(Embodiment 2) In the organic EL device of Embodiment 2, the thickness of the metal layer 16a made of a magnesium-indium alloy is set to 70 nm in the organic EL device of Embodiment 1 described above. about,
An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 1.
【００２９】（比較例１）この比較例１の有機ＥＬ素子
においては、上記の実施例１の有機ＥＬ素子におけるＢ
ｅＢｑ2 で構成された電子輸送層１５の上に、図２に示
すように、マグネシウム−インジウム合金で構成されて
膜厚が２００ｎｍになった電子注入電極１６を設けるよ
うにし、マグネシウム−インジウム合金で構成された金
属層１６ａは設けないようにした。(Comparative Example 1) In the organic EL device of Comparative Example 1, B in the organic EL device of Example 1 was used.
As shown in FIG. 2, an electron injection electrode 16 made of a magnesium-indium alloy and having a film thickness of 200 nm is provided on the electron transport layer 15 made of eBq 2 , and is made of a magnesium-indium alloy. The constituted metal layer 16a was not provided.
【００３０】そして、上記の実施例１，２及び比較例１
の各有機ＥＬ素子において、ホール注入電極１２をプラ
ス、電子注入電極１６をマイナスにして電圧を印加する
と、何れも電圧１４Ｖ，電流密度３００ｍＡ／ｃｍ2
で、最高輝度が８０００ｃｄ／ｍ2 になった高輝度なル
ブレンによる発光が得られた。Then, the above Examples 1 and 2 and Comparative Example 1
In each of the organic EL devices, when a voltage is applied with the hole injection electrode 12 being positive and the electron injection electrode 16 being negative, the voltage is 14 V and the current density is 300 mA / cm 2.
As a result, light was emitted from rubrene, which had a maximum luminance of 8000 cd / m 2 and had high luminance.
【００３１】また、これらの各有機ＥＬ素子における初
期輝度が１０００ｃｄ／ｍ2 になるように発光させ、こ
れを３カ月連続発光させた後における各有機ＥＬ素子の
発光輝度を測定し、その結果を下記の表１に示した。In addition, the organic EL devices were caused to emit light at an initial luminance of 1000 cd / m 2, and after the light was emitted continuously for three months, the emission luminance of each organic EL device was measured. The results are shown in Table 1 below.
【００３２】[0032]
【表１】 [Table 1]
【００３３】この結果、電子輸送層１５の上に、従来の
ようにマグネシウム−インジウム合金からなる電子注入
電極１６を設けた比較例１の有機ＥＬ素子に比べて、マ
グネシウム−インジウム合金で構成された金属層１６ａ
とＦｅ80Ｂ20からなるアモルファス金属で構成された電
子注入電極１６とを設けた実施例１，２の各有機ＥＬ素
子の方が３カ月連続発光させた後における輝度の低下が
少なくなっており、特に、上記の金属層１６ａの膜厚を
４０ｎｍ以下にした実施例１の有機ＥＬ素子において
は、電子輸送層１５等における有機材料の結晶化が抑制
されて、３カ月連続発光させた後における輝度の低下が
より少なくなっていた。As a result, as compared with the organic EL device of Comparative Example 1 in which the electron injection electrode 16 made of a magnesium-indium alloy was provided on the electron transport layer 15 as in the related art, the organic EL device was made of a magnesium-indium alloy. Metal layer 16a
Each of the organic EL devices of Examples 1 and 2 provided with the electron injection electrode 16 made of an amorphous metal made of Fe 80 B 20 has a smaller decrease in brightness after continuous light emission for three months. In particular, in the organic EL device of Example 1 in which the thickness of the metal layer 16a is set to 40 nm or less, the crystallization of the organic material in the electron transport layer 15 and the like is suppressed, and the light emission after continuous light emission for three months is obtained. The decrease in brightness was smaller.
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上詳述したように、この発明における
有機ＥＬ素子においては、電子注入電極をアモルファス
金属で構成すると共に、この電子注入電極における発光
層側の面に仕事関数の低い金属層を設けているため、こ
の金属層を通して電子が効率よく注入されると共に、マ
グネシウム−インジウム合金やリチウム−アルミニウム
合金を用いた従来の電子注入電極に比べて電子注入電極
が安定化して、電子注入電極の特性が低下するというこ
とが少なくなり、また発光層等に使用されている有機材
料の結晶化も抑制されるようになった。As described in detail above, in the organic EL device according to the present invention, the electron injection electrode is made of an amorphous metal, and a metal layer having a low work function is formed on the surface of the electron injection electrode on the light emitting layer side. As a result, electrons are efficiently injected through this metal layer, and the electron injection electrode is stabilized as compared with a conventional electron injection electrode using a magnesium-indium alloy or a lithium-aluminum alloy, and the electron injection electrode is Deterioration of characteristics is reduced, and crystallization of the organic material used for the light emitting layer and the like is suppressed.
【００３５】この結果、この発明における有機ＥＬ素子
の場合、有機ＥＬ素子の耐環境性や信頼性が向上すると
共に、有機ＥＬ素子における短絡等の発生も少なくな
り、長期にわたって十分な輝度の発光が安定して行なえ
るようになった。As a result, in the case of the organic EL device according to the present invention, the environmental resistance and reliability of the organic EL device are improved, and the occurrence of short circuits and the like in the organic EL device is reduced, and light emission of sufficient luminance for a long time is obtained. I can do it stably.
【図１】この発明の実施例１，２に示した有機ＥＬ素子
の構造を示した概略説明図である。FIG. 1 is a schematic explanatory view showing a structure of an organic EL device shown in Examples 1 and 2 of the present invention.
【図２】比較例１の有機ＥＬ素子の構造を示した概略説
明図である。FIG. 2 is a schematic explanatory view showing a structure of an organic EL element of Comparative Example 1.
１１ ガラス基板 １２ ホール注入電極 １３ ホール輸送層 １４ 発光層 １５ 電子輸送層 １６ 電子注入電極 １６ａ 金属層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Glass substrate 12 Hole injection electrode 13 Hole transport layer 14 Light emitting layer 15 Electron transport layer 16 Electron injection electrode 16a Metal layer
Claims (2)
に、少なくとも有機材料を用いた発光層が設けられてな
る有機エレクトロルミネッセンス素子において、上記の
電子注入電極をアモルファス金属で構成すると共に、こ
の電子注入電極における発光層側の面に仕事関数の低い
金属層を設けたことを特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセンス素子。1. An organic electroluminescence device comprising at least a light emitting layer using an organic material between a hole injection electrode and an electron injection electrode, wherein the electron injection electrode is made of an amorphous metal. An organic electroluminescent device, wherein a metal layer having a low work function is provided on a surface of the electron injection electrode on a light emitting layer side.
ネッセンス素子において、上記の仕事関数の低い金属層
の膜厚を４０ｎｍ以下にしたことを特徴とする有機エレ
クトロルミネッセンス素子。2. The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the thickness of the metal layer having a low work function is set to 40 nm or less.
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1996
- 1996-11-20 JP JP30880896A patent/JP3378747B2/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP3378747B2 (en) | 2003-02-17 |
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