JPH10144988A - レーザダイオード・モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザダイオード・モジュールの部品数およ
びコストの低減。 【解決手段】 熱伝導性が良好な材料からなるモジュー
ル基板と、前記モジュール基板に放熱可能に固定される
レーザダイオードと、前記モジュール基板に固定されか
つ前記レーザダイオードに高周波を重畳する回路を構成
するハイブリッドＩＣとを有し、前記ハイブリッドＩＣ
のハイブリッドＩＣ基板は前記モジュール基板に重なる
ように取り付けられてなるレーザダイオード・モジュー
ルであって、前記モジュール基板にはカシメによって変
形するピンが２本以上設けられているとともに、前記ハ
イブリッドＩＣ基板には前記ピンが挿入される孔等によ
るガイドが設けられ、前記ハイブリッドＩＣ基板は前記
ハイブリッドＩＣ基板の前記ガイドに挿入された前記ピ
ンのカシメ変形によって前記モジュール基板に固定され
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はレーザダイオード・
モジュール、特にレーザダイオード（ＬＤ：半導体レー
ザ）の反射戻り光による弊害を高周波重畳（高周波バイ
アス法）によって解消するレーザダイオード・モジュー
ルに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体レーザは、光通信や光ディスク，
レーザビームプリンタ等情報処理装置の光源として広く
使用されている。

【０００３】半導体レーザから出射されたレーザ光の戻
り光は雑音の発生に繋がり、システム構成上好ましくな
い。たとえば、日経ＢＰ社発行「日経エレクトロニク
ス」1983年10月10日号、P173〜P194には、半導体レーザ
における反射戻り光はビデオ・ディスクにおいては画質
の劣化を引き起こすことが記載されている。

【０００４】また、この文献には、ビデオディスク用の
レーザとして、高周波モジュールを付加した半導体レー
ザ・パッケージ（レーザダイオード・モジュール）が記
載されている。この光電子装置は、高周波を重畳するこ
とによって戻り光の影響を解消し、安定したレーザ発振
を行っている。

【０００５】また、特願平6-153217号公報にも同様のＬ
Ｄモジュールについて記載されている。同文献に開示さ
れているＬＤモジュールは、その構成は要約すれば下記
のとおりである。

【０００６】すなわち、ＬＤモジュールは、板状のヒー
トシンクの一面にＬＤを実装し、他面に高周波バイアス
回路や駆動回路が組み込まれたハイブリッドＩＣを実装
した構造になっている。ＬＤはＴＯ型キャンパッケージ
構造であり、前記ヒートシンクに設けた貫通穴に嵌合固
定され、リード端子は前記ハイブリッドＩＣに接続され
ている。

【０００７】また、ハイブリッドＩＣは、ケースの一端
から４本の外部接続用ピン端子を突出させる構造となる
とともに、前記ヒートシンク（モジュール基板）にリベ
ットで固定されるカバーによってヒートシンクに固定さ
れるようになっている。

【０００８】また、前記ハイブリッドＩＣ基板をヒート
シンクに固定する手段として、ネジ止めする構造のもの
がある。

【０００９】一方、発振回路については、ＣＱ出版社発
行「実用電子回路ハンドブック昭和55年11月30日発行、
P179およびP180、P184〜P186、P190〜P192等に記載され
ている。この文献には発振回路としてコルピッツ回路が
記載されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】光磁気ディスクメモリ
システム用光源として使用されているレーザダイオード
・モジュールは、システム動作時の雑音（ノイズ）を抑
制するための高周波重畳発振回路が組み込まれている。

【００１１】また、ハイブリッドＩＣのハイブリッドＩ
Ｃ基板をヒートシンク（モジュール基板）に固定するた
めに、前記カバーをリベットで固定したり、あるいはネ
ジで固定したりしている。リベット固定やネジ固定は組
立時間が多く掛かり、レーザダイオード・モジュールの
製造コストの低減を妨げている。

【００１２】本発明の目的は、ハイブリッドＩＣ基板を
モジュール基板に容易に固定する技術を提供することに
よってレーザダイオード・モジュールのコスト低減を図
ることにある。

【００１３】また、従来のレーザダイオード・モジュー
ルは、内蔵されている発振器から発振される不要輻射の
抑制のために、回路部分を金属製カバーやメタライズし
たシールドシート等で覆う電磁シールド構造になってい
る。

【００１４】このため、レーザダイオード・モジュール
の部品数が多くなり、レーザダイオード・モジュールの
製造コストの低減を妨げている。

【００１５】本発明の他の目的は、部品数の低減が図れ
るレーザダイオード・モジュールを提供することにあ
る。

【００１６】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００１８】（１）熱伝導性が良好な材料からなるモジ
ュール基板と、前記モジュール基板に放熱可能に固定さ
れるレーザダイオードと、前記モジュール基板に固定さ
れかつ前記レーザダイオードに高周波を重畳する回路を
構成するハイブリッドＩＣとを有し、前記ハイブリッド
ＩＣのハイブリッドＩＣ基板は前記モジュール基板に重
なるように取り付けられてなるレーザダイオード・モジ
ュールであって、前記モジュール基板にはカシメによっ
て変形するピンが２本以上設けられているとともに、前
記ハイブリッドＩＣ基板には前記ピンが挿入される孔等
によるガイドが設けられ、前記ハイブリッドＩＣ基板は
前記ハイブリッドＩＣ基板の前記ガイドに挿入された前
記ピンのカシメ変形によって前記モジュール基板に固定
されている。前記モジュール基板は冷間鍛造によって形
成されている。前記モジュール基板には取付孔が設けら
れているとともに、前記取付孔に一致した取付孔を一部
に有し前記ハイブリッドＩＣ基板に搭載された電子部品
等を被いかつ前記モジュール基板に重ねられる電磁シー
ルド機能を有したカバーを有する。

【００１９】（２）熱伝導性が良好な材料からなるモジ
ュール基板と、前記モジュール基板に放熱可能に固定さ
れるレーザダイオードと、前記モジュール基板に固定さ
れかつ前記レーザダイオードに高周波を重畳する回路を
構成するハイブリッドＩＣとを有するレーザダイオード
・モジュールであって、前記ハイブリッドＩＣのハイブ
リッドＩＣ基板は前記モジュール基板に重なるようにか
つ前記ハイブリッドＩＣ基板に実装された各部品が前記
モジュール基板に対面するように取り付けられ、前記モ
ジュール基板に対面しない前記ハイブリッドＩＣ基板面
にはその略全面に電磁シールド用のグランド配線が設け
られている。前記モジュール基板にはカシメによって変
形するピンが２本以上設けられているとともに、前記ハ
イブリッドＩＣ基板には前記ピンが挿入される孔等によ
るガイドが設けられ、前記ハイブリッドＩＣ基板は前記
ハイブリッドＩＣ基板の前記ガイドに挿入された前記ピ
ンのカシメ変形によって前記モジュール基板に固定され
ている。前記モジュール基板は冷間鍛造によって形成さ
れている。

【００２０】前記（１）の手段によれば、ハイブリッド
ＩＣのハイブリッドＩＣ基板はハイブリッドＩＣ基板に
設けられたガイドを介して前記モジュール基板に設けら
れたピンに挿入されかつ前記ピンのカシメ変形によって
固定される構造になっていることから、組立作業性が良
いばかりでなく自動化も可能となり、レーザダイオード
・モジュールの製造コストの低減を図ることができる。

【００２１】また、カシメ固定は、ネジ止め固定のよう
な緩みが発生せず固定の信頼性が高い。

【００２２】また、前記モジュール基板は冷間鍛造によ
って形成されていることから、加工コストの低減が図
れ、レーザダイオード・モジュールの製造コストの低減
が達成できる。

【００２３】また、前記ハイブリッドＩＣ基板に搭載さ
れた電子部品等は電磁シールド機能を有したカバーによ
って被われていることから、高周波を重畳する回路から
発振される不要輻射はシールドされるため、レーザダイ
オード・モジュールを組み込んだシステムの電波雑音干
渉が防止できることになる。

【００２４】前記（２）の手段によれば、高周波を重畳
する回路が組み込まれたハイブリッドＩＣ基板は、ハイ
ブリッドＩＣ基板に実装された各部品がモジュール基板
に対面するように取り付けられることと、前記モジュー
ル基板に対面しない前記ハイブリッドＩＣ基板面にはそ
の略全面に電磁シールド用のグランド配線が設けられて
いることから、従来のように金属製のカバーを廃止して
も、高周波を重畳する回路から発振される不要輻射はシ
ールドされるため、レーザダイオード・モジュールを組
み込んだシステムの電波雑音干渉が防止できることにな
る。前記カバーの廃止により、レーザダイオード・モジ
ュールの部品数の低減が図れ、レーザダイオード・モジ
ュールの製造コストの低減が達成できる。

【００２５】また、ハイブリッドＩＣ基板はハイブリッ
ドＩＣ基板に設けられたガイドを介して前記モジュール
基板に設けられたピンに挿入されかつ前記ピンのカシメ
変形によって固定される構造になっていることから、組
立作業性が良いばかりでなく自動化も可能となり、レー
ザダイオード・モジュールの製造コストの低減を図るこ
とができる。

【００２６】また、カシメ固定は、ネジ止め固定のよう
な緩みが発生せず固定の信頼性が高い。

【００２７】また、前記モジュール基板は冷間鍛造によ
って形成されていることから、加工コストの低減が図
れ、レーザダイオード・モジュールの製造コストの低減
が達成できる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

【００２９】（実施形態１）図１乃至図３は本発明の実
施形態１のレーザダイオード・モジュールに係わる図で
あって、図１はレーザダイオード・モジュールの分解斜
視図、図２は斜視図、図３は平面図である。

【００３０】また、図４乃至図７は本実施形態１のレー
ザダイオード・モジュールの製造に係わる図であって、
図４はモジュール基板にレーザダイオードを嵌合固定す
る状態を示す斜視図、図５はモジュール基板にハイブリ
ッドＩＣ基板を重ねる状態を示す斜視図、図６はモジュ
ール基板にハイブリッドＩＣ基板を固定する場合におけ
るカシメ固定前の状態を示す一部の断面図、図７はモジ
ュール基板にハイブリッドＩＣ基板を固定する場合にお
けるカシメ固定後の状態を示す一部の断面図である。

【００３１】本実施形態１では光磁気ディスクメモリシ
ステム用光源としてのレーザダイオード・モジュール、
すなわち高周波重畳回路を組み込んだレーザダイオード
・モジュールについて説明する。なお、構造説明におい
て、その組立をも含んで説明することにする。

【００３２】本実施形態１のレーザダイオード・モジュ
ール１は、外観的に、図１乃至図３に示すように、平坦
な略長方形のモジュール基板２と、前記モジュール基板
２の主面に重ねられ両端にフランジ３を有する矩形箱形
のカバー４とからなり、前記カバー４の開口部５から前
記モジュール基板２の主面に平行に突出する４本のリー
ド６を突出させる構造になっている。

【００３３】前記モジュール基板２にはハイブリッドＩ
Ｃ基板７が固定されていて、このハイブリッドＩＣ基板
７に前記リード６が固定されている。リード６は、特に
その固定部分を図示はしないが、内端はクランプ形とな
り、ハイブリッドＩＣ基板７の接続パッド部分を挟み込
むようにクランプし、かつ半田のリフローによってハイ
ブリッドＩＣ基板７に固定されている。

【００３４】前記モジュール基板２は熱伝導性が良好な
材料、たとえば、２〜３ｍｍの厚さのアルミニウムで形
成されている。また、アルミニウムのなかでも、冷間鍛
造に適した材料、たとえば冷間鍛造材Ａ１０５０が使用
されている。

【００３５】また、前記モジュール基板２の裏面（図中
下面）には、キャン封止型のレーザダイオード１０のキ
ャップ１２部分が突出している。

【００３６】レーザダイオード１０は、図４に示すよう
に、円形金属板からなるステム１１の主面（図４では上
面）にキャップ１２が気密的に固定されたパッケージ構
造となるとともに、ステム１１の裏面（図４では下面）
から３本のリード１３を突出させる構造になっている。
前記パッケージ内にはレーザダイオードチップが配置さ
れ、レーザダイオードチップの前方出射面から出射され
たレーザ光を、前記キャップ１２の天井部分の発光窓１
４から外部に発光するようになっている。また、前記パ
ッケージ内には、前記レーザダイオードチップの後方出
射面から出射されるレーザ光をモニターする受光素子が
配置されている。

【００３７】前記３本のリード１３において、１本はグ
ランド（ＧＮＤ）リードであり、１本はレーザダイオー
ド（ＬＤ）に所定の電圧を印加するリードであり、残り
の１本は受光素子（ＰＤ）によるモニター電流を取り出
すリードである。

【００３８】図４に示すように、前記モジュール基板２
には嵌合孔１５が設けられ、この嵌合孔１５にレーザダ
イオード１０の円形のステム１１が嵌合固定されてい
る。そして、レーザダイオードの３本のリード１３は、
図５に示すように、前記ハイブリッドＩＣ基板７に設け
られた接続孔１６に貫通されるとともに、半田のリフロ
ーによってハイブリッドＩＣ基板７の所定の配線と電気
的に接続されている。

【００３９】一方、前記カバー４のフランジ３には、レ
ーザダイオード・モジュール１を所望の機器等に固定す
る際使用する取付孔２０が設けられている。また、この
取付孔２０に一致するモジュール基板２部分にも同一の
大きさの取付孔２１が設けられている。

【００４０】また、略長方形となる前記モジュール基板
２の一端隅部は、レーザダイオード・モジュール１の方
向識別のために矩形に切り欠かれ、短い矩形の方向識別
片２２が形成されている。また、前記モジュール基板２
の両端の側面部分には、レーザダイオード・モジュール
１の組立時の位置決め基準となるＶ字状のノッチ２３が
設けられている。ノッチ２３は、モジュール基板２の一
端側では両側に設けられるが、他端側、すなわち方向識
別片１５側では一側にのみ設けられている。

【００４１】前記カバー４は、前記ハイブリッドＩＣ基
板７を被うようにしてモジュール基板２の主面に重ねら
れているだけであることから、図１に示すように、容易
に取り外すことができる。

【００４２】図１に示すように、モジュール基板２の主
面には、ハイブリッドＩＣ基板７が固定されている。前
記モジュール基板２の主面は、図５に示すように、一段
高い台座３０が設けられている。この台座３０には前記
ハイブリッドＩＣ基板７が載置される。

【００４３】また、ハイブリッドＩＣ基板７にはクラン
プ型のリード６が固定されるため、固定部分がハイブリ
ッドＩＣ基板７の下方にわずかに突出する。したがっ
て、この突出部分がモジュール基板２に直接接触して電
気的にショートを起こさないように、前記台座３０は逃
げ３１を有するパターンになっている。

【００４４】また、これが本発明の特徴の一つである
が、前記モジュール基板２の台座３０には２カ所にカシ
メによって変形するピン（突起）３２が設けられてい
る。このピン３２は前記ハイブリッドＩＣ基板７の厚さ
よりもわずかに長くなっている。

【００４５】他方、前記ピン３２が挿入できるように、
図５に示すように、前記ハイブリッドＩＣ基板７には前
記ピン３２に対応して孔からなるガイド３３が設けられ
ている。

【００４６】前記モジュール基板２は、アルミニウムで
形成され、冷間鍛造に適した材料、たとえば冷間鍛造材
Ａ１０５０を冷間鍛造によって形成する。モジュール基
板２の台座３０部分の厚さは、たとえば３ｍｍ程度であ
り、ピン３２は直径１．４ｍｍで長さが１．１ｍｍ程度
である。

【００４７】前記ハイブリッドＩＣ基板７は、幅が１０
ｍｍ程度、長さが１６ｍｍ程度、厚さが０．８ｍｍ程度
のガラエポ基板である。また、ハイブリッドＩＣ基板７
に穿たれたガイド３３を構成する孔は直径１．４ｍｍ程
度であり、前記ピン３２が挿入できる嵌め合いになって
いる。

【００４８】前記ハイブリッドＩＣ基板７をモジュール
基板２に取り付ける場合、前記ハイブリッドＩＣ基板７
のガイド３３にモジュール基板２のピン３２を挿入させ
るようにして両者を重ね合わせる。相互に重ね合わせた
モジュール基板２とハイブリッドＩＣ基板７は、図６に
示すようにカシメ装置のテーブル３４上に位置決めされ
て載置される。

【００４９】その後、前記テーブル３４の上方に位置す
るカシメ治具３５を降下させて、前記ピン３２に対面す
るように設けられた先端が円錐状に突出した形状からな
るポンチ３６で、前記ハイブリッドＩＣ基板７の上面に
突出したピン３２を押圧して、図７に示すようにカシメ
る。

【００５０】ポンチ３６の先端は円錐状に突出した形状
になっていることから、ガイド３３から突出するピン３
２の先端部分は中心から半径方向に押し広がるように変
形し、このカシメ変形部３７がハイブリッドＩＣ基板７
の孔からなるガイド３３の周縁を被うため、ハイブリッ
ドＩＣ基板７はモジュール基板２に確実に固定されるこ
とになる。このカシメ固定は、その後振動等によっても
ネジ固定のように緩むこともなく固定の信頼性が高い。

【００５１】前記ハイブリッドＩＣ基板７は配線基板か
らなり、たとえば、ガラスエポキシ樹脂によるガラエポ
基板となり、主面（図１では上面）には、図９に示すよ
うに、配線２５が設けられている。なお、図９以外では
配線や搭載電子部品は省略してある。

【００５２】この配線２５は、図９に示すように、各電
子部品を搭載するためのランド２５ａ、前記リード６を
取り付けるための接続パッド２５ｂ、前記レーザダイオ
ード１０のリード１３との接続を図る接続部２５ｃ等を
有している。なお２５ｄはスルーホールである。

【００５３】本実施形態１のレーザダイオード・モジュ
ールの等価回路は図８に示すように、レーザダイオード
ＬＤに高周波重畳を加える回路構成になっている。すな
わち、高周波重畳を加える発振回路としてはトランジス
タ（Ｑ１）一石のコルピッツ回路を組み込んである。

【００５４】コルピッツ回路は、トランジスタのコレク
タとエミッタ間およびエミッタとベース間にそれぞれ容
量Ｃを組み込むとともに、コレクタとベース間にコイル
Ｌを組み込む構造となっている。

【００５５】そこで、本実施形態１のレーザダイオード
・モジュール１では、図８に示すようにトランジスタ
（Ｑ１）のコレクタＣとエミッタＥ間にＣ２を組み込む
とともに、エミッタＥとベースＢ間に容量Ｃ１を組み込
み、かつコレクタＣとベースＢ間にコイルＬ１を組み込
んでコルピッツ回路を構成している。

【００５６】また、外部端子はＶcc，ＬＤ，ＰＤ，ＧＮ
Ｄの４端子となっている。Ｃ１〜Ｃ８はコンデンサ、Ｒ
１〜Ｒ３は抵抗、Ｌ１，Ｌ２はインダクタ、ＬＤはレー
ザダイオード、ＰＤは受光素子である。

【００５７】図９に電子部品の搭載状態を示す。各コン
デンサ，抵抗，インダクタ等の電子部品はランド２５ａ
に予め被着された半田のリフローによって固定される。
また、ハイブリッドＩＣ基板７に設けられた接続孔１６
にはレーザダイオード１０のリード１３が挿入され、か
つ接続部２５ｃに予め被着された半田のリフローによっ
て固定される。また、接続パッド２５ｂ部分にはクラン
プ構造のリード６がクランプによって取り付けられ、前
記接続パッド２５ｂに予め被着された半田のリフローに
よって固定される。

【００５８】図８に示す回路においては、２端子（Ｖc
c，ＧＮＤ）間に適度のＤＣ電圧（Ｖcc）を加えると、
電源投入時の擾乱や熱による電流の不規則な振動を種と
し、このうちの容量ＣとコイルＬで形成される共振回路
に選択された成分が増幅され、正帰還を繰り返して発振
を開始し継続する。この結果、レーザダイオード（Ｌ
Ｄ）には高周波が重畳され、レーザダイオードチップか
ら出射されるレーザ光の発振はマルチモードとなり、レ
ーザ光の戻り光による発振の乱れは発生し難くなる。

【００５９】本実施形態１のレーザダイオード・モジュ
ール１は、その組立において、図４に示すように、モジ
ュール基板２の嵌合孔１５にレーザダイオード１０を嵌
合固定する。その後、電子部品が搭載されかつリード６
が取り付けられたハイブリッドＩＣ基板７を、モジュー
ル基板２の主面に重ねた後、図６および図７に示すよう
に、カシメ装置によってハイブリッドＩＣ基板７のガイ
ド３３に挿入されたピン３２の先端をカシメ変形するこ
とによってハイブリッドＩＣ基板７をモジュール基板２
に固定する。

【００６０】ついで、ハイブリッドＩＣ基板７の接続孔
１６に挿入されたレーザダイオード１０のリード１３を
半田リフローによって固定する。さらに、図１に示すよ
うに、前記モジュール基板２の主面側にハイブリッドＩ
Ｃ基板７を被うように重ねて図２の状態にすることによ
って出荷できる製品形態となる。

【００６１】本実施形態１のレーザダイオード・モジュ
ール１は、以下の効果を奏する。

【００６２】（１）ハイブリッドＩＣのハイブリッドＩ
Ｃ基板７は、ハイブリッドＩＣ基板７に設けられたガイ
ド３３を介して、モジュール基板２に設けられたピン３
２に挿入されかつ前記ピン３２のカシメ変形によって固
定される構造になっていることから、その後にネジ固定
のように緩み現象が発生しなくなり、固定の信頼性が高
くなる。

【００６３】（２）上記（１）により、本実施形態１の
レーザダイオード・モジュール１は、ハイブリッドＩＣ
基板７がモジュール基板２にカシメによって固定するこ
とから、組立が容易であり、組立作業性が高い。

【００６４】（３）上記（１）により、本実施形態１の
レーザダイオード・モジュール１は、ハイブリッドＩＣ
基板７がモジュール基板２にカシメによって固定される
構造になっていることから、モジュール基板２とハイブ
リッドＩＣ基板７の固定の自動化も可能となる。

【００６５】（４）上記（１）により、カシメ固定のた
めのピンの製造は、冷間鍛造によってモジュール基板を
製造するとき同時に形成でき、前記ピンが入るハイブリ
ッドＩＣ基板の孔はハイブリッドＩＣ基板製造における
スルーホール製造時に同時に形成できるため、加工コス
トが低減される。

【００６６】（５）本実施形態１のレーザダイオード・
モジュール１は、その構成部品であるモジュール基板２
は冷間鍛造によって製造されるため、製造コストが安価
である。また、モジュール基板２のピン３２も冷間鍛造
によって製造することができるため、モジュール基板２
とハイブリッドＩＣ基板７の固定手段に掛かる経費の節
減になる。

【００６７】（６）本実施形態１のレーザダイオード・
モジュール１は、ハイブリッドＩＣ基板７に搭載された
電子部品等は電磁シールド機能を有したカバーによって
被われていることから、高周波を重畳する回路から発振
される不要輻射はシールドされるため、レーザダイオー
ド・モジュール１を組み込んだシステムの電波雑音干渉
が防止できることになる。

【００６８】（７）上記（１）〜（６）により、本実施
形態１のレーザダイオード・モジュール１は、固定のた
めの部品数の低減、モジュール基板２の加工コストの低
減、固定コストの自動化等によるコスト低減から製造コ
ストの低減を図ることができる。

【００６９】（実施形態２）図１０および図１１は本発
明の実施形態２であるレーザダイオード・モジュールに
係わる図であって、図１０はレーザダイオード・モジュ
ールの斜視図、図１２はモジュール基板とハイブリッド
ＩＣ基板を示す模式的断面図である。

【００７０】本実施形態２は、前記実施形態１の構造の
レーザダイオード・モジュール１において前記カバーを
必要としない構造である。

【００７１】すなわち、図１０に示すように、前記実施
形態１のハイブリッドＩＣ基板７を裏返してモジュール
基板２に固定したものである。そして、ハイブリッドＩ
Ｃ基板７の裏面には、他の配線に繋がらないようなパタ
ーンとし、かつできる限り広い面積に亘って、すなわち
支障を来さない限り全面にグランド配線４０を設けた構
造になっている。

【００７２】これにより、金属製のカバーを設けなくて
も、ハイブリッドＩＣ基板７の裏面のグランド配線４０
が電磁シールド体として作用することになる。

【００７３】本実施形態２のレーザダイオード・モジュ
ール１におけるハイブリッドＩＣ基板７の配線パターン
は、各電子部品を搭載する面がモジュール基板２の主面
に対面することから、それに合わせて変更がなされてい
る。

【００７４】また、図１１に示すように、ハイブリッド
ＩＣ基板７に搭載された電子部品群４１がモジュール基
板２の主面に接触したり、あるいは近接してショートを
生じさせないようにするため、モジュール基板２の主面
に設けるピン３２を段付きピンとして、ハイブリッドＩ
Ｃ基板７を浮かせて支持できるようになっている。

【００７５】本実施形態２のレーザダイオード・モジュ
ール１は、前記実施形態１のレーザダイオード・モジュ
ール１が奏する効果に加えて以下の効果を奏する。

【００７６】（１）本実施形態２のレーザダイオード・
モジュール１は、高周波を重畳する回路が組み込まれた
ハイブリッドＩＣ基板７が、ハイブリッドＩＣ基板７に
実装された各部品がモジュール基板２に対面するように
取り付けられることから、ハイブリッドＩＣ基板７をパ
ッケージのカバーとして使用することができ、部品数の
低減を図ることができる。

【００７７】（２）カバーとして使用するハイブリッド
ＩＣ基板７の裏面には、略全面にグランド配線４０が設
けられていることから、このグランド配線４０が電磁シ
ールド体として作用するため、高周波重畳回路から発振
する不要輻射を外部に発散させなくなり、レーザダイオ
ード・モジュール１を組み込んだシステムの電波雑音干
渉が防止できることになる。

【００７８】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない、たとえ
ばモジュール基板２の主面に設けたピン３２をガイドす
るものとしては、前記実施形態のような孔以外にハイブ
リッドＩＣ基板７の側面に設けるＶ字溝のようなガイド
でもよい。すなわち、前記ピン３２を案内し、カシメ変
形を受ける部分があり、ハイブリッドＩＣ基板７をモジ
ュール基板２に固定できるものならどのような形状，構
造でもよい。

【００７９】また、電磁シールド構造のカバーとして
は、金属カバー以外にも、たとえば銀粉等を樹脂に練り
込んだ樹脂製のカバーでもよい。また、ハイブリッドＩ
Ｃ基板７の裏面の電磁シールド体としては、箔の張り付
け構造等でもよい。

【００８０】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である光磁気
ディスクメモリシステム用光源に使用するレーザダイオ
ード・モジュールに適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではない。本発明は少なくともレ
ーザダイオードに高周波を重畳させてレーザ光のマルチ
モード化を図る技術には適用できる。

【００８１】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００８２】（１）モジュール基板にハイブリッドＩＣ
基板をカシメによって固定するため、固定の信頼性が高
くなる。

【００８３】（２）カシメ固定は作業が容易であるとと
もに自動化も図り易く固定のためのコストの低減が達成
できる。

【００８４】（３）カシメ固定のためのピンの製造は、
冷間鍛造によってモジュール基板を製造するとき同時に
形成でき、前記ピンが入るハイブリッドＩＣ基板の孔は
ハイブリッドＩＣ基板製造におけるスルーホール製造時
に同時に形成できるため、加工コストが低減される。

【００８５】（４）ハイブリッドＩＣ基板を裏返してモ
ジュール基板に固定するとともに、ハイブリッドＩＣ基
板の裏面（外側の面）にグランド配線を略全面に設ける
構造では、電磁シールド体であり、搭載される電子部品
を保護する役割を果たすカバーが不要になり、部品数の
低減により、レーザダイオード・モジュールのコストの
低減を達成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態１であるレーザダイオード・
モジュールの分解斜視図である。

【図２】本実施形態１のレーザダイオード・モジュール
の斜視図である。

【図３】本実施形態１のレーザダイオード・モジュール
の平面図である。

【図４】本実施形態１のレーザダイオード・モジュール
の製造において、モジュール基板にレーザダイオードを
嵌合固定する状態を示す斜視図である。

【図５】本実施形態１のレーザダイオード・モジュール
の製造において、モジュール基板にハイブリッドＩＣ基
板を重ねる状態を示す斜視図である。

【図６】本実施形態１のレーザダイオード・モジュール
の製造において、モジュール基板にハイブリッドＩＣ基
板を固定する場合におけるカシメ固定前の状態を示す一
部の断面図である。

【図７】本実施形態１のレーザダイオード・モジュール
の製造において、モジュール基板にハイブリッドＩＣ基
板を固定する場合におけるカシメ固定後の状態を示す一
部の断面図である。

【図８】本実施形態１のレーザダイオード・モジュール
の等価回路図である。

【図９】本実施形態１のレーザダイオード・モジュール
のハイブリッドＩＣ基板に搭載された電子部品を示す模
式的平面図である。

【図１０】本発明の実施形態２であるレーザダイオード
・モジュールの斜視図である。

【図１１】本実施形態２のレーザダイオード・モジュー
ルのモジュール基板とハイブリッドＩＣ基板を示す模式
的断面図である。

【符号の説明】

１…レーザダイオード・モジュール、２…モジュール基
板、３…フランジ、４…カバー、５…開口部、６…リー
ド、７…ハイブリッドＩＣ基板、１０…レーザダイオー
ド、１１…ステム、１２…キャップ、１３…リード、１
４…発光窓、１５…嵌合孔、１６…接続孔、２０，２１
…取付孔、２２…方向識別片、２３…ノッチ、２５…配
線、２５ａ…ランド、２５ｂ…接続パッド、２５ｃ…接
続部、２５ｄ…スルーホール、３０…台座、３１…逃
げ、３２…ピン、３３…ガイド、３４…テーブル、３５
…カシメ治具、３６…ポンチ、３７…カシメ変形部、４
０…グランド配線、４１…電子部品群。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 熱伝導性が良好な材料からなるモジュー
   ル基板と、前記モジュール基板に放熱可能に固定される
   レーザダイオードと、前記モジュール基板に固定されか
   つ前記レーザダイオードに高周波を重畳する回路を構成
   するハイブリッドＩＣとを有し、前記ハイブリッドＩＣ
   のハイブリッドＩＣ基板は前記モジュール基板に重なる
   ように取り付けられてなるレーザダイオード・モジュー
   ルであって、前記モジュール基板にはカシメによって変
   形するピンが２本以上設けられているとともに、前記ハ
   イブリッドＩＣ基板には前記ピンが挿入される孔等によ
   るガイドが設けられ、前記ハイブリッドＩＣ基板は前記
   ハイブリッドＩＣ基板の前記ガイドに挿入された前記ピ
   ンのカシメ変形によって前記モジュール基板に固定され
   ていることを特徴とするレーザダイオード・モジュー
   ル。
2. 【請求項２】 前記モジュール基板は冷間鍛造によって
   形成されていることを特徴とする請求項１に記載のレー
   ザダイオード・モジュール。
3. 【請求項３】 前記モジュール基板には取付孔が設けら
   れているとともに、前記取付孔に一致した取付孔を一部
   に有し前記ハイブリッドＩＣ基板に搭載された電子部品
   等を被いかつ前記モジュール基板に重ねられる電磁シー
   ルド機能を有したカバーを有することを特徴とする請求
   項１または請求項２に記載のレーザダイオード・モジュ
   ール。
4. 【請求項４】 熱伝導性が良好な材料からなるモジュー
   ル基板と、前記モジュール基板に放熱可能に固定される
   レーザダイオードと、前記モジュール基板に固定されか
   つ前記レーザダイオードに高周波を重畳する回路を構成
   するハイブリッドＩＣとを有するレーザダイオード・モ
   ジュールであって、前記ハイブリッドＩＣのハイブリッ
   ドＩＣ基板は前記モジュール基板に重なるようにかつ前
   記ハイブリッドＩＣ基板に実装された各部品が前記モジ
   ュール基板に対面するように取り付けられ、前記モジュ
   ール基板に対面しない前記ハイブリッドＩＣ基板面には
   その略全面に電磁シールド用のグランド配線が設けられ
   ていることを特徴とするレーザダイオード・モジュー
   ル。
5. 【請求項５】 前記モジュール基板にはカシメによって
   変形するピンが２本以上設けられているとともに、前記
   ハイブリッドＩＣ基板には前記ピンが挿入される孔等に
   よるガイドが設けられ、前記ハイブリッドＩＣ基板は前
   記ハイブリッドＩＣ基板の前記ガイドに挿入された前記
   ピンのカシメ変形によって前記モジュール基板に固定さ
   れていることを特徴とする請求項４に記載のレーザダイ
   オード・モジュール。
6. 【請求項６】 前記モジュール基板は冷間鍛造によって
   形成されていることを特徴とする請求項５に記載のレー
   ザダイオード・モジュール。