JPH10144504A - Chip-type thermistor and its manufacture - Google Patents
Chip-type thermistor and its manufactureInfo
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- JPH10144504A JPH10144504A JP8293884A JP29388496A JPH10144504A JP H10144504 A JPH10144504 A JP H10144504A JP 8293884 A JP8293884 A JP 8293884A JP 29388496 A JP29388496 A JP 29388496A JP H10144504 A JPH10144504 A JP H10144504A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント基板等に
表面実装されるチップ型サーミスタ及びその製造方法に
係り、特に、温度の上昇により抵抗値が減少する負特性
サーミスタであって、機械的強度に優れかつ高精度で信
頼性の高いチップ型サーミスタ及びその製造方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chip type thermistor surface-mounted on a printed circuit board or the like and a method of manufacturing the same, and more particularly to a negative temperature coefficient thermistor whose resistance value decreases with a rise in temperature, and which has a mechanical strength. The present invention relates to a chip-type thermistor having excellent reliability, high accuracy and high reliability, and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】プリント回路基板等に表面実装されるチ
ップ型サーミスタの代表的な製品として、図４に示す如
く、表面電極２を有するチップ状サーミスタ素体１Ａの
両端面に外部電極３として、はんだ耐熱性、はんだ付着
性を向上させるために導電性金属層３Ａよりなる端子電
極とその表面を被覆するＮｉめっき層３Ｂ及びはんだめ
っき層３Ｃを形成し、この外部電極形成端面以外の４側
面のうち、少なくとも表面電極２を形成した側面をガラ
ス層４で被覆した構造のチップ型サーミスタ１０Ａが提
供されている。また、図６に示す如く、チップ状サーミ
スタ素体１Ｂ内に内部電極５を形成した構造のチップ型
サーミスタ１０Ｂも提供されている。このチップ型サー
ミスタ１０Ｂでは、ガラス層４は、チップ状サーミスタ
素体１の４側面のうち、少なくとも面積の大きい対向２
側面に形成されている（特開平４−１２７４０１号公
報，特願平７−１６２００６号）。2. Description of the Related Art As a typical product of a chip-type thermistor surface-mounted on a printed circuit board or the like, as shown in FIG. In order to improve solder heat resistance and solder adhesion, a terminal electrode made of a conductive metal layer 3A and a Ni plating layer 3B and a solder plating layer 3C covering the surface thereof are formed. Among them, a chip thermistor 10A having a structure in which at least a side surface on which the surface electrode 2 is formed is covered with a glass layer 4 is provided. Further, as shown in FIG. 6, a chip thermistor 10B having a structure in which an internal electrode 5 is formed in a chip thermistor body 1B is also provided. In this chip-type thermistor 10B, the glass layer 4 has at least a large opposing surface 2 of the four side surfaces of the chip-like thermistor body 1.
It is formed on the side surface (Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-127401, Japanese Patent Application No. 7-162006).
【０００３】このようなチップ型サーミスタ１０Ａ，１
０Ｂは次のようにして製造されている。[0003] Such a chip thermistor 10A, 1
OB is manufactured as follows.
【０００４】表面電極を有し、４側面がガラス層で被覆
されたチップ型サーミスタの製造法Ｉ Ｉ− 図８（ａ）に示すセラミックス焼結体よりなる
薄板状サーミスタ素体（サーミスタウェハ）の表裏の主
板面にＡｇ，Ａｇ／Ｐｄ等の導電性金属粉末とガラスフ
リットを含む導電性ペーストを所定のパターンで印刷し
て、図８（ｂ）に示す如く表面電極１２を形成する。 Ｉ− 表面電極１２を形成したサーミスタウェハ１１
の表裏の主板面にガラスペーストを印刷塗布して焼成す
ることによりガラス層を形成する。 Ｉ− ガラス層１３を有するサーミスタウェハを表面
電極パターンに直交するように、図８（ｂ）のＹ方向に
短冊状に切断して図８（ｃ）に示す角柱状サーミスタ素
体１４を得る。 Ｉ− この角柱状サーミスタ素体１４の長手方向に延
在する４側面のうち、ガラス層未被覆の２側面１４ａ，
１４ｂにも、図８（ｄ）に示す如く、ガラス層１３を形
成する。 Ｉ− ４側面にガラス層１３が形成された角柱状サー
ミスタ素体１５を長手方向と直交する方向に切断して、
図８（ｅ），図５に示すような表面電極２を有し、４側
面がガラス層４，１３で被覆されたチップ状サーミスタ
素体１Ａを得る。 Ｉ− このチップ状サーミスタ素体１Ａのガラス層未
被覆の両端面に図８（ｆ）に示す如く、外部電極３を形
成する。即ち、導電性ペーストを塗布して焼成すること
により、導電性金属層３Ａを焼き付け、更に、Ｎｉめっ
き層３Ｂ及びはんだめっき層３Ｃを形成する。[0004] Surface electrode, four sides coated with glass layer
Method II for manufacturing a chip-type thermistor manufactured in accordance with the present invention. I- A conductive metal powder such as Ag, Ag / Pd or the like is applied to the front and back main plate surfaces of a thin thermistor body (thermistor wafer) made of a ceramic sintered body shown in FIG. Then, a conductive paste containing glass and glass frit is printed in a predetermined pattern to form a surface electrode 12 as shown in FIG. 8B. I- Thermistor wafer 11 on which surface electrode 12 is formed
A glass layer is formed by printing and applying a glass paste on the main plate surfaces on the front and back sides and baking. The thermistor wafer having the I- glass layer 13 is cut into a rectangular shape in the Y direction in FIG. 8B so as to be orthogonal to the surface electrode pattern to obtain a prismatic thermistor body 14 shown in FIG. 8C. I- Of the four side surfaces extending in the longitudinal direction of the prismatic thermistor body 14, two side surfaces 14a,
As shown in FIG. 8D, a glass layer 13 is also formed on 14b. I-4 The prismatic thermistor element 15 having the glass layer 13 formed on the side surface is cut in a direction orthogonal to the longitudinal direction.
A chip thermistor body 1A having the surface electrodes 2 as shown in FIGS. 8 (e) and 5 and having four side surfaces covered with glass layers 4 and 13 is obtained. I- As shown in FIG. 8 (f), external electrodes 3 are formed on both end surfaces of the chip-shaped thermistor body 1A which are not covered with a glass layer. That is, by applying and baking a conductive paste, the conductive metal layer 3A is baked, and further, a Ni plating layer 3B and a solder plating layer 3C are formed.
【０００５】表面電極を有し、４側面がガラス層で被覆
されたチップ型サーミスタの製造法II II− Ｉ−と同様にしてサーミスタウェハに表面電
極を形成する。 II− このサーミスタウェハをＩ−と同様に短冊状
に切断して角柱状サーミスタ素体を得る。 II− この角柱状サーミスタ素体の長手方向に延在す
る４側面にスパッタリング等により、或いは、ガラスペ
ーストの塗布・焼き付けでガラス層を形成する。 II− ４側面にガラス層が形成された角柱状サーミス
タ素体をＩ−と同様に切断し、Ｉ−と同様に外部電
極を形成する。[0005] Has a surface electrode, four sides coated with a glass layer
A surface electrode is formed on the thermistor wafer in the same manner as in the method of manufacturing a chip type thermistor II II-I-. II- This thermistor wafer is cut into strips in the same manner as I- to obtain a prismatic thermistor body. II- A glass layer is formed on the four side surfaces extending in the longitudinal direction of the prismatic thermistor body by sputtering or the like, or by applying and baking a glass paste. II-4 A prismatic thermistor body having a glass layer formed on the side surface is cut in the same manner as I-, and external electrodes are formed in the same manner as I-.
【０００６】表面電極を有し、２側面がガラス層で被覆
されたチップ型サーミスタの製造法III III − Ｉ−，と同様にしてサーミスタウェハに
表面電極及びガラス層を形成する。 III − このサーミスタウェハをＩ−と同様にして
但し、表面電極のパターンに平行に図８（ｂ）のＸ方向
に切断して角柱状サーミスタ素体を得る。 III − 図８（ｃ）の対向する２側面にガラス層１３
が形成された角柱状サーミスタ素体１４のガラス層未被
覆の２側面１４ａ，１４ｂに、図９（ａ）に示す如く、
外部電極層１６を形成する。即ち、導電性ペーストを塗
布して焼成することにより、導電性金属層を焼き付け、
更に、Ｎｉめっき層及びはんだめっき層を形成する。 III − ２側面にガラス層が、他の２側面に外部電極
が形成された角柱状サーミスタ素体１７を、図９（ｂ）
に示す如く、長手方向と直交する方向に切断してチップ
型サーミスタ１８とする。[0006] Surface electrode, two sides coated with glass layer
A surface electrode and a glass layer are formed on the thermistor wafer in the same manner as in the method III III-I- of manufacturing the chip-type thermistor . III- This thermistor wafer is made in the same manner as I-, except that the prism-shaped thermistor body is obtained by cutting it in the X direction in FIG. III-The glass layers 13 on the two opposite sides in FIG.
As shown in FIG. 9A, two side surfaces 14a and 14b of the prism-shaped thermistor element body 14 on which the glass layer is not coated are formed as shown in FIG.
An external electrode layer 16 is formed. That is, by applying and baking a conductive paste, the conductive metal layer is baked,
Further, a Ni plating layer and a solder plating layer are formed. III-2 A prismatic thermistor element 17 having a glass layer on two sides and external electrodes formed on the other two sides is shown in FIG.
As shown in the figure, the chip thermistor 18 is cut in a direction perpendicular to the longitudinal direction.
【０００７】内部電極を有し、４側面がガラス層で被覆
されたチップ型サーミスタの製造法IV IV− キャスティング法によりサーミスタ材料のセラ
ミックスグリーンシートを作製し、その所定位置に内部
電極層を印刷する。この内部電極層は、Ａｇ，Ａｇ／Ｐ
ｄ等の導電性金属粉末を含む導電性ペーストを印刷する
ことにより形成することができる。 IV− 内部電極層を印刷したセラミックスグリーンシ
ートを複数枚積層して圧着させる。（なお、内部電極層
を印刷したセラミックスグリーンシートと内部電極を印
刷していないセラミックスグリーンシートとを所要枚数
積層して圧着しても良い。）、これを一体焼結し、積層
板を得る。 IV− 積層板の表裏の主板面にガラスペーストを塗布
して焼成する。 IV− 得られたガラス層を有する積層板を短冊状に切
断して角柱状サーミスタ素体を得る。 IV− この角柱状サーミスタ素体の長手方向に延在す
る４側面のうち、ガラス層未被覆の２側面にもガラス層
を形成する。 IV− ４側面にガラス層が形成された角柱状サーミス
タ素体を、内部電極が切断面に表出するように、長手方
向と直交する方向に切断して、図７に示すような内部電
極２を有し、４側面がガラス層４で被覆されたチップ状
サーミスタ素体１を得る。 IV− このチップ状サーミスタ素体１のガラス層未被
覆の両端面に導電性ペーストを塗布して焼成することに
より、導電性金属層３Ａを焼き付け、更に、Ｎｉめっき
層３Ｂ及びはんだめっき層３Ｃを形成する。[0007] Internal electrodes, four sides coated with a glass layer
Method IV IV- A ceramic green sheet of thermistor material is prepared by a casting method, and an internal electrode layer is printed at a predetermined position. This internal electrode layer is made of Ag, Ag / P
It can be formed by printing a conductive paste containing a conductive metal powder such as d. IV- A plurality of ceramic green sheets on which the internal electrode layers are printed are laminated and pressed. (Note that a required number of ceramic green sheets on which the internal electrode layers are printed and ceramic green sheets on which the internal electrodes are not printed may be laminated and pressure-bonded.) Then, these are integrally sintered to obtain a laminated plate. IV-Apply and paste a glass paste on the front and back main plate surfaces of the laminate. IV- The laminate having the glass layer obtained is cut into strips to obtain a prismatic thermistor body. IV- Of the four side surfaces extending in the longitudinal direction of the prismatic thermistor body, a glass layer is also formed on two side surfaces not covered with the glass layer. IV-4 A prismatic thermistor element having a glass layer formed on the side surface is cut in a direction perpendicular to the longitudinal direction so that the internal electrode is exposed on the cut surface. To obtain a chip-like thermistor body 1 having four side surfaces covered with a glass layer 4. IV- The conductive metal layer 3A is baked by applying and baking a conductive paste to both end surfaces of the chip-shaped thermistor element body 1 not covered with the glass layer, and further, the Ni plating layer 3B and the solder plating layer 3C are formed. Form.
【０００８】内部電極を有し、４側面がガラス層で被覆
されたチップ型サーミスタの製造法Ｖ Ｖ− IV−，と同様にして積層板を製造し、この
積層板を短冊状に切断して角柱状サーミスタ素体を得
る。 Ｖ− この角柱状サーミスタ素体の長手方向に延在す
る４側面にスパッタリング等により、或いは、ガラスペ
ーストの塗布・焼き付けでガラス層を形成する。 Ｖ− ４側面にガラス層が形成された角柱状サーミス
タ素体をIV−と同様に切断し、IV−と同様に外部電
極を形成する。[0008] Internal electrodes, four sides coated with glass layer
A laminated plate is manufactured in the same manner as in the manufacturing method V V-IV- of the chip thermistor obtained , and the laminated plate is cut into strips to obtain a prismatic thermistor body. V- A glass layer is formed on four side surfaces extending in the longitudinal direction of the prismatic thermistor body by sputtering or the like, or by applying and baking a glass paste. V-4 A prismatic thermistor body having a glass layer formed on the side surface is cut in the same manner as IV-, and external electrodes are formed in the same manner as IV-.
【０００９】内部電極を有し、２側面がガラス層で被覆
されたチップ型サーミスタの製造法VI VI− IV−，と同様にして積層板を得、IV−と
同様にして積層板の表裏の主板面にガラス層を形成す
る。 VI− ガラス層を有する積層板をIV−と同様に切断
して角柱状サーミスタ素体を得る。 VI− ２側面にガラス層が形成された角柱状サーミス
タ素体のガラス層未被覆の２側面に導電性ペーストを塗
布して焼成することにより、導電性金属層を焼き付け、
更に、Ｎｉめっき層及びはんだめっき層を形成する。 VI− ２側面にガラス層が、他の２側面に外部電極が
形成された角柱状サーミスタ素体を長手方向と直交する
方向に切断してチップ型サーミスタとする。It has an internal electrode and two sides are covered with a glass layer
A laminated plate is obtained in the same manner as in the method of manufacturing a chip thermistor VI VI-IV-, and a glass layer is formed on the front and back main plate surfaces in the same manner as in IV-. VI- The laminate having the glass layer is cut in the same manner as in IV- to obtain a prismatic thermistor body. VI- A conductive metal layer is baked by applying and baking a conductive paste to the two side surfaces of the prismatic thermistor body having the glass layer formed on the two side surfaces not covered with the glass layer,
Further, a Ni plating layer and a solder plating layer are formed. VI-2 A prismatic thermistor body having a glass layer on two side surfaces and external electrodes formed on the other two side surfaces is cut in a direction perpendicular to the longitudinal direction to obtain a chip thermistor.
【００１０】上記Ｉ〜VIの方法で製造される内部電極又
は表面電極を有するチップ型サーミスタは、内部電極や
表面電極の長さを変えることで、抵抗値を広範囲に調整
できるため、同一寸法で、また、同一のセラミックス材
料で、種々の抵抗値を有するチップ型サーミスタを作製
できるという利点を有する。The chip type thermistor having an internal electrode or a surface electrode manufactured by the above methods I to VI can change the resistance value over a wide range by changing the length of the internal electrode or the surface electrode. In addition, there is an advantage that chip-type thermistors having various resistance values can be manufactured using the same ceramic material.
【００１１】前記Ｉ，II，IV，Ｖの方法により、４側面
をガラス層で被覆した角柱状サーミスタ素体を切断加工
して多数個のチップ状サーミスタ素体を作製し、ディッ
プ法などによりこれら多数個のチップ状サーミスタ素体
の両端切断面に同時に電極形成用導電性ペーストを塗
布、焼成するチップ型サーミスタの製造方法は、極めて
量産性に優れる上、得られる製品は、切断加工によりチ
ップ状とするため寸法精度に優れる。また、電極の塗布
形状にかかわらずサーミスタ素体と電極との接続面が加
工時に予め設定されているので抵抗値のばらつきもきわ
めて小さい。しかも、素体の全面がガラス層と電極層で
覆われているため耐環境特性にも優れるといった様々な
利点を有する。According to the methods I, II, IV, and V, a prism-shaped thermistor element whose four sides are covered with a glass layer is cut to produce a large number of chip-shaped thermistor elements, and these are formed by a dip method or the like. The method of manufacturing a chip-type thermistor, in which a conductive paste for forming an electrode is simultaneously applied to the cut surfaces of both ends of a large number of chip-shaped thermistor bodies and baked, is extremely excellent in mass productivity. It is excellent in dimensional accuracy. In addition, since the connection surface between the thermistor element and the electrode is set in advance at the time of processing, irrespective of the coating shape of the electrode, variation in the resistance value is extremely small. Moreover, since the entire surface of the element body is covered with the glass layer and the electrode layer, there are various advantages such as excellent environmental resistance.
【００１２】また、前記III, VI の方法による２側面の
みをガラス層で被覆したチップ型サーミスタでは、４側
面を被覆したものに比べて、耐環境性は劣るものの、製
造工程が少なく、低コストで製造できるという利点を有
する。The chip type thermistor according to the above-mentioned methods III and VI in which only two sides are covered with a glass layer has less environmental resistance than the one in which four sides are covered, but requires less manufacturing steps and lowers cost. It has the advantage that it can be manufactured with.
【００１３】[0013]
【発明が解決しようとする課題】上記従来の製造方法で
製造されたチップ型サーミスタのチップ状サーミスタ素
体は、切断加工により作製されるため、その４側面と両
端面との頂角部が尖った角錐状となる。このため回路基
板に実装した場合、基板の切断時等におけるたわみから
くる機械的応力、或いは温度サイクル時にサーミスタ素
体、電極、はんだ、基板などの熱膨張係数の違いから来
る熱応力が外部電極を通してチップ素体の該頂角部に集
中しクラックが発生し易くなる。Since the chip-shaped thermistor body of the chip-type thermistor manufactured by the above-mentioned conventional manufacturing method is manufactured by cutting, the apex corners of its four side surfaces and both end surfaces are sharp. It becomes a pyramid shape. For this reason, when mounted on a circuit board, the mechanical stress resulting from bending when the board is cut or the like, or the thermal stress resulting from the difference in the coefficient of thermal expansion of the thermistor body, electrodes, solder, board, etc. during a temperature cycle passes through the external electrodes. The chip concentrates on the apical corner of the chip body, and cracks are likely to occur.
【００１４】特に、III , VIの方法では、２側面にガラ
ス層が形成された角柱状サーミスタ素体の残る２側面に
外部電極層を形成したものを切断するため、即ち、ガラ
ス層の無機材料、サーミスタ素体の半導体セラミック材
料及び外部電極層の金属材料という異なる材料を同時に
切断するため、素体の露出面に応力が集中し易く、とり
わけその頂角部にマイクロクラックが発生し易い。In particular, in the methods III and VI, the prismatic thermistor element body having the glass layer formed on the two side surfaces is cut to form the external electrode layer formed on the remaining two side surfaces, that is, the inorganic material of the glass layer is cut. Since different materials such as a semiconductor ceramic material of a thermistor element and a metal material of an external electrode layer are cut at the same time, stress is easily concentrated on an exposed surface of the element, and particularly, microcracks are easily generated at the apex corners.
【００１５】従来、サーミスタ素体に対するガラスなど
の無機物層の熱膨張係数の適切化により、その応力を軽
減する努力がなされてきているが、問題を完全に解決す
るには至っていない。また、後加工により、チップ状サ
ーミスタ素体の角部にまるみをつけることもなされてい
るが、この方法では、加工形状にばらつきが生じやすい
上に、加工によりチップサイズがより小型になるため、
製造コストが増加するという問題がある。Conventionally, efforts have been made to reduce the stress by optimizing the coefficient of thermal expansion of an inorganic layer such as glass with respect to the thermistor body, but it has not been possible to completely solve the problem. In addition, it is also possible to round the corners of the chip-shaped thermistor body by post-processing, but in this method, the processing shape tends to vary, and the chip size becomes smaller due to processing,
There is a problem that the manufacturing cost increases.
【００１６】本発明は上記従来の問題点を解決し、機械
的強度や温度サイクル性能等の信頼性に優れるチップ型
サーミスタと、その製造方法を提供することを目的とす
るものである。An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems and to provide a chip type thermistor excellent in reliability such as mechanical strength and temperature cycle performance, and a method of manufacturing the same.
【００１７】[0017]
【課題を解決するための手段】請求項１のチップ型サー
ミスタは、セラミックス焼結体よりなる直方体形状のチ
ップ状サーミスタ素体と、該チップ状サーミスタ素体の
両端面に形成された外部電極と、該両端面以外の４側面
のうちの少なくとも対向する２側面を被覆する絶縁性物
質よりなる被覆層と、該被覆層が形成された側面に、該
外部電極形成端面に表出するように形成された表面電極
と、を有するチップ型サーミスタにおいて、該外部電極
は、チップ状サーミスタ素体の端面に接し、かつ該表面
電極と電気的に接続する導電性樹脂層と、該導電性樹脂
層上に形成された金属めっき層とを備えてなることを特
徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a chip-type thermistor comprising: a rectangular parallelepiped chip-shaped thermistor body made of a ceramic sintered body; and external electrodes formed on both end surfaces of the chip-shaped thermistor body. A coating layer made of an insulating material covering at least two opposing side faces of the four side faces other than the both end faces, and formed on the side face on which the coating layer is formed so as to be exposed at the external electrode formation end face. A chip-type thermistor comprising: a conductive resin layer in contact with an end surface of the chip-shaped thermistor body and electrically connected to the surface electrode; and a conductive resin layer formed on the conductive resin layer. And a metal plating layer formed thereon.
【００１８】請求項２のチップ型サーミスタは、セラミ
ックス焼結体よりなる直方体形状のチップ状サーミスタ
素体と、該チップ状サーミスタ素体の両端面に形成され
た外部電極と、該両端面以外の４側面のうちの少なくと
も対向する２側面を被覆する絶縁性物質よりなる被覆層
と、該外部電極形成端面に表出するように、該チップ状
サーミスタ素体の内部に形成された内部電極とを有する
チップ型サーミスタにおいて、該外部電極は、チップ状
サーミスタ素体の端面に接し、かつ該内部電極と電気的
に接続する導電性樹脂層と、該導電性樹脂層上に形成さ
れた金属めっき層とを備えてなることを特徴とする。A chip-type thermistor according to claim 2 is a chip-shaped thermistor element having a rectangular parallelepiped shape made of a ceramic sintered body, external electrodes formed on both end faces of the chip-shaped thermistor element, A coating layer made of an insulating material that covers at least two opposing side surfaces of the four side surfaces, and an internal electrode formed inside the chip-shaped thermistor body so as to be exposed on the external electrode forming end surface. A chip-type thermistor, wherein the external electrode is in contact with an end surface of the chip-shaped thermistor body, and is electrically connected to the internal electrode; and a metal plating layer formed on the conductive resin layer. And characterized in that:
【００１９】本発明のチップ型サーミスタでは、回路基
板に実装した場合、基板の切断時などのたわみからくる
機械的応力、或いは温度サイクル時にサーミスタ素体、
電極、はんだ、基板などの熱膨張係数の違いからくる熱
応力が外部電極に伝わった際、外部電極の基層となる柔
軟性を有する導電性樹脂層によりこれらの応力が緩和さ
れる。このため、これらの応力によるチップ状サーミス
タ素体のクラック発生が防止される。In the chip type thermistor of the present invention, when mounted on a circuit board, mechanical stress caused by bending when the board is cut or the like, or a thermistor element during a temperature cycle,
When thermal stresses due to differences in thermal expansion coefficients of electrodes, solders, substrates, etc., are transmitted to external electrodes, these stresses are relieved by a flexible conductive resin layer serving as a base layer of the external electrodes. For this reason, generation of cracks in the chip-shaped thermistor body due to these stresses is prevented.
【００２０】本発明において、チップ状サーミスタ素体
は、その４側面が絶縁性物質で被覆されていることが好
ましい。In the present invention, it is preferable that the chip-shaped thermistor body has four sides coated with an insulating material.
【００２１】この絶縁性物質としては、無機物質又は高
分子物質を用いることができる。As the insulating material, an inorganic material or a polymer material can be used.
【００２２】請求項１のチップ型サーミスタは、セラミ
ックス焼結体よりなる薄板状サーミスタウェハの表裏の
主板面に表面電極を形成した後、絶縁性物質層を形成す
る工程、絶縁性物質層を形成した薄板状サーミスサーミ
スタウェハを前記表面電極が切断面に表出するように短
冊状に切断して角柱状サーミスタ素体を形成する工程、
該角柱状サーミスタ素体の長手方向に延在する４側面の
うち、絶縁性物質層が形成されておらず素体が露出した
２側面に外部電極層を形成する工程、及び、該外部電極
層を形成した角柱状サーミスタ素体を長手方向と直交す
る方向にチップ状に切断してチップ型サーミスタを得る
工程を有するチップ型サーミスタの製造方法において、
該外部電極層の形成に当り、素体が露出した該２側面に
導電性樹脂層を形成し、次いで、導電性樹脂層上に金属
めっき層を形成するチップ型サーミスタの製造方法によ
り製造することができる。According to a first aspect of the present invention, there is provided a chip-type thermistor comprising: a step of forming an insulating material layer after forming surface electrodes on front and back main plate surfaces of a thin plate thermistor wafer made of a ceramic sintered body; and forming an insulating material layer. Forming a prismatic thermistor body by cutting the thin plate thermistor thermistor wafer into strips so that the surface electrodes are exposed on the cut surface;
Forming an external electrode layer on two of the four side surfaces extending in the longitudinal direction of the prismatic thermistor body where the insulating material layer is not formed and the body is exposed; and In a method of manufacturing a chip-type thermistor having a step of obtaining a chip-type thermistor by cutting the prism-shaped thermistor element body formed into chips in a direction orthogonal to the longitudinal direction,
In forming the external electrode layer, a conductive resin layer is formed on the two side surfaces where the element body is exposed, and then a metal plating layer is formed on the conductive resin layer by a method of manufacturing a chip thermistor. Can be.
【００２３】請求項１のチップ型サーミスタは、また、
セラミックス焼結体よりなる薄板状サーミスタウェハの
表裏の主板面に表面電極を形成した後、絶縁性物質層を
形成する工程、絶縁性物質層を形成した薄板状サーミス
タウェハを短冊状に切断して角柱状サーミスタ素体を形
成する工程、該角柱状サーミスタ素体の長手方向に延在
する４側面のうち、絶縁性物質層が形成されておらず素
体が露出した２側面に絶縁性物質層を形成する工程、該
絶縁性物質層を形成した角柱状サーミスタ素体を長手方
向と直交する方向に、前記表面電極が切断面に表出する
ようにチップ状に切断してチップ状サーミスタ素体を得
る工程、及び、該チップ状サーミスタ素体の絶縁性物質
層未被覆の両端面に外部電極を形成してチップ型サーミ
スタを得る工程を有するチップ型サーミスタの製造方法
において、該外部電極層の形成に当り、素体が露出した
該両端面に導電性樹脂層を形成し、次いで、導電性樹脂
層上に金属めっき層を形成するチップ型サーミスタの製
造方法により製造することができる。[0023] The chip type thermistor according to claim 1 further comprises:
After forming surface electrodes on the front and back main plate surfaces of the thin thermistor wafer made of ceramic sintered body, forming an insulating material layer, cutting the thin thermistor wafer having the insulating material layer into strips Forming a prismatic thermistor body, and, among four side surfaces extending in the longitudinal direction of the prismatic thermistor body, two insulating material layers formed on the two side surfaces where the insulating body is not formed and the body is exposed Forming a chip-shaped thermistor body by cutting the prismatic thermistor body on which the insulating material layer is formed into chips in a direction perpendicular to the longitudinal direction so that the surface electrode is exposed on the cut surface. And a method of manufacturing a chip-type thermistor having a step of forming external electrodes on both end surfaces of the chip-shaped thermistor element body not covered with an insulating material layer to obtain a chip-type thermistor. In forming the pole layer, a conductive resin layer is formed on both end surfaces where the element body is exposed, and then a chip-type thermistor can be manufactured by a method for manufacturing a chip-type thermistor in which a metal plating layer is formed on the conductive resin layer. .
【００２４】請求項２のチップ型サーミスタは、内部電
極層が形成されたセラミックスグリーンシート、或い
は、内部電極層が形成されたセラミックスグリーンシー
トと内部電極層が形成されていないセラミックスグリー
ンシートとを複数枚積層して積層シートを得る工程、該
積層シートを一体焼成して積層板を得る工程、該積層板
の表裏の主板面に絶縁性物質層を形成する工程、絶縁性
物質層を形成した積層板を前記内部電極が切断面に表出
するように短冊状に切断して角柱状サーミスタ素体を形
成する工程、該角柱状サーミスタ素体の長手方向に延在
する４側面のうち、絶縁性物質層が形成されておらず素
体が露出した２側面に外部電極層を形成する工程、及
び、該外部電極層を形成した角柱状サーミスタ素体を長
手方向と直交する方向にチップ状に切断してチップ型サ
ーミスタを得る工程を有するチップ型サーミスタの製造
方法において、該外部電極層の形成に当り、素体が露出
した該２側面に導電性樹脂層を形成し、次いで、導電性
樹脂層上に金属めっき層を形成するチップ型サーミスタ
の製造方法により製造することができる。According to a second aspect of the present invention, there is provided a chip type thermistor comprising a plurality of ceramic green sheets on which an internal electrode layer is formed, a plurality of ceramic green sheets on which an internal electrode layer is formed, and a plurality of ceramic green sheets on which an internal electrode layer is not formed. A step of obtaining a laminated sheet by laminating a plurality of sheets, a step of integrally firing the laminated sheet to obtain a laminated plate, a step of forming an insulating material layer on the front and back main plate surfaces of the laminated plate, and a laminating process of forming the insulating material layer Forming a prismatic thermistor body by cutting the plate into strips such that the internal electrodes are exposed on the cut surface; and, among the four side faces extending in the longitudinal direction of the prismatic thermistor body, Forming an external electrode layer on the two side surfaces on which the material layer is not formed and the element body is exposed; and a step of orthogonally intersecting the prism-shaped thermistor element body on which the external electrode layer is formed with the longitudinal direction. In a method for manufacturing a chip-type thermistor having a step of obtaining a chip-type thermistor by cutting into a chip shape, in forming the external electrode layer, a conductive resin layer is formed on the two side surfaces where the element body is exposed, It can be manufactured by a chip-type thermistor manufacturing method in which a metal plating layer is formed on a conductive resin layer.
【００２５】請求項２のチップ型サーミスタは、また、
内部電極層が形成されたセラミックスグリーンシート、
或いは、内部電極層が形成されたセラミックスグリーン
シートと内部電極層が形成されていないセラミックスグ
リーンシートとを複数枚積層して積層シートを得る工
程、該積層シートを一体焼成して積層板を得る工程、該
積層板の表裏の主板面に絶縁性物質層を形成する工程、
絶縁性物質層を形成した積層板を短冊状に切断して角柱
状サーミスタ素体を形成する工程、該角柱状サーミスタ
素体の長手方向に延在する４側面のうち、絶縁性物質層
が形成されておらず素体が露出した２側面に絶縁性物質
層を形成する工程、該絶縁性物質層を形成した角柱状サ
ーミスタ素体を長手方向と直交する方向に、前記内部電
極が切断面に表出するようにチップ状に切断してチップ
状サーミスタ素体を得る工程、及び、該チップ状サーミ
スタ素体の絶縁性物質層未被覆の両端面に外部電極を形
成してチップ型サーミスタを得る工程を有するチップ型
サーミスタの製造方法において、該外部電極層の形成に
当り、素体が露出した該両端面に導電性樹脂層を形成
し、次いで、導電性樹脂層上に金属めっき層を形成する
チップ型サーミスタの製造方法により製造することがで
きる。According to a second aspect of the present invention, there is provided a chip type thermistor.
A ceramic green sheet on which an internal electrode layer is formed,
Alternatively, a step of obtaining a laminated sheet by laminating a plurality of ceramic green sheets on which an internal electrode layer is formed and a ceramic green sheet not forming an internal electrode layer, and a step of integrally firing the laminated sheet to obtain a laminated plate Forming an insulating material layer on the front and back main plate surfaces of the laminate;
A step of cutting the laminated plate on which the insulating material layer is formed into strips to form a prismatic thermistor body; and forming an insulating material layer among four side surfaces extending in the longitudinal direction of the prismatic thermistor body. Forming an insulating material layer on the two side surfaces on which the element body is not exposed, wherein the prismatic thermistor element body on which the insulating material layer is formed is oriented in a direction perpendicular to the longitudinal direction, and the internal electrode is formed on the cut surface. Step of obtaining a chip-shaped thermistor body by cutting into a chip shape so as to be exposed, and forming a chip-type thermistor by forming external electrodes on both end surfaces of the chip-shaped thermistor body that are not covered with an insulating material layer In the method for manufacturing a chip-type thermistor having a step, in forming the external electrode layer, a conductive resin layer is formed on both end surfaces where the element body is exposed, and then a metal plating layer is formed on the conductive resin layer. Chip thermistor It can be produced by the production method.
【００２６】[0026]
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明のチ
ップ型サーミスタ及びその製造方法を詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A chip type thermistor and a method for manufacturing the same according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００２７】図１〜３は本発明のチップ型サーミスタの
一実施例を示す断面図であり、図１〜３において、図４
〜７に示す部材と同一機能を奏する部材には同一符号を
付してある。FIGS. 1 to 3 are sectional views showing an embodiment of the chip type thermistor of the present invention.
Members having the same functions as the members shown in FIGS.
【００２８】図１に示すチップ型サーミスタ１０ａは、
セラミックス焼結体よりなる直方体形状のチップ状サー
ミスタ素体１Ａと、チップ状サーミスタ素体１の両端面
に形成された外部電極３と、該チップ状サーミスタ素体
１Ａの側面に、外部電極３と導通するように形成された
表面電極２と、チップ状サーミスタ素体１Ａの４側面の
うち少なくともこの表面電極形成側面を被覆する絶縁性
物質の被覆層６とを有する。The chip type thermistor 10a shown in FIG.
A rectangular parallelepiped chip-shaped thermistor body 1A made of a ceramic sintered body, external electrodes 3 formed on both end surfaces of the chip-shaped thermistor body 1, and external electrodes 3 on side surfaces of the chip-shaped thermistor body 1A It has a surface electrode 2 formed so as to be conductive, and a coating layer 6 of an insulating material covering at least the side surface on which the surface electrode is formed among four side surfaces of the chip-shaped thermistor body 1A.
【００２９】図２に示すチップ型サーミスタ１０ｂは、
図１に示すチップ型サーミスタ１０ａと表面電極２の形
成位置が異なり、その他は同様の構成とされている。The chip type thermistor 10b shown in FIG.
The chip-type thermistor 10a shown in FIG. 1 is different from the formation position of the surface electrode 2, and the other configuration is the same.
【００３０】図３に示すチップ型サーミスタ１０ｃは、
セラミックス焼結体よりなる直方体形状のチップ状サー
ミスタ素体１Ｂと、このチップ状サーミスタ素体１Ｂの
両端面に形成された外部電極３と、外部電極形成端面に
表出するように、チップ状サーミスタ素体１Ｂの内部に
形成された内部電極５と、該チップ状サーミスタ素体１
Ｂの４側面のうち、少なくとも面積の大きい対向２側面
を被覆する絶縁性物質の被覆層６とを有する。The chip type thermistor 10c shown in FIG.
A rectangular parallelepiped chip-shaped thermistor element 1B made of a ceramic sintered body, external electrodes 3 formed on both end surfaces of the chip-shaped thermistor element 1B, and a chip-shaped thermistor exposed on the external electrode-formed end face. The internal electrode 5 formed inside the element body 1B and the chip-shaped thermistor element 1
B has at least two opposing side surfaces having a large area among the four side surfaces.
【００３１】これらの実施例において、外部電極３は、
チップ状サーミスタ素体１Ａ，１Ｂの端面に接し、この
端面において表面電極５又は内部電極２と導通する導電
性樹脂層３Ｄと、導電性樹脂層３Ｄ上に形成されたＮｉ
めっき層３Ｂ及びはんだめっき層３Ｃとで構成される。In these embodiments, the external electrode 3 is
A conductive resin layer 3D which is in contact with the end faces of the chip-shaped thermistor element bodies 1A and 1B and which is electrically connected to the surface electrode 5 or the internal electrode 2 at the end faces; and Ni formed on the conductive resin layer 3D.
It is composed of a plating layer 3B and a solder plating layer 3C.
【００３２】このようなチップ型サーミスタ１０ａ〜ｃ
は、前記Ｉ〜VIの従来法によるチップ型サーミスタの製
造において、外部電極の形成に当り、導電性樹脂層３
Ｄ、Ｎｉめっき層３Ｂ及びはんだめっき層３Ｃよりなる
外部電極３とすることにより製造することができる。Such chip type thermistors 10a to 10c
In the production of the chip type thermistor according to the conventional methods I to VI, the conductive resin layer 3
It can be manufactured by forming the external electrode 3 including the D, Ni plating layer 3B and the solder plating layer 3C.
【００３３】導電性樹脂層は、導電性金属粉末と熱硬化
型樹脂とを有機溶剤でペースト化した導電性樹脂ペース
トを塗布して乾燥、加熱硬化することにより形成する。The conductive resin layer is formed by applying a conductive resin paste obtained by forming a conductive metal powder and a thermosetting resin into a paste with an organic solvent, followed by drying and heat curing.
【００３４】ここで使用される導電性樹脂ペーストの金
属粉末と熱硬化型樹脂との割合は、電極層としての導電
性と柔軟性とを確保するために金属粉末７０〜９５重量
％に対して熱硬化型樹脂３０〜５重量％であることが好
ましい。金属粉末の割合が７０重量％未満であると、導
電性樹脂層３Ｄと内部電極２との電気的接続が不十分と
なり、また電解めっき法でめっき被膜を形成する際、表
面の導電性が低下し、めっき被膜の形成が困難になる。
金属粉末の割合が９５重量％を超えると、応力の緩和効
果も小さくなるため好ましくない。The ratio between the metal powder of the conductive resin paste and the thermosetting resin used here is 70 to 95% by weight of the metal powder in order to secure conductivity and flexibility as an electrode layer. The thermosetting resin is preferably 30 to 5% by weight. When the proportion of the metal powder is less than 70% by weight, the electrical connection between the conductive resin layer 3D and the internal electrode 2 becomes insufficient, and the conductivity of the surface decreases when a plating film is formed by electrolytic plating. This makes it difficult to form a plating film.
If the proportion of the metal powder exceeds 95% by weight, the effect of relieving stress is reduced, which is not preferable.
【００３５】なお、金属粉末としては、Ａｇ，Ｐｄ等の
貴金属粉末やＮｉ粉末等を用いることができ、また、熱
硬化性樹脂としては、エポキシ、フェノール、キシレ
ン、ウレタン樹脂などが挙げられる。As the metal powder, a noble metal powder such as Ag or Pd or Ni powder can be used. As the thermosetting resin, epoxy, phenol, xylene, urethane resin and the like can be mentioned.
【００３６】このようにして形成される導電性樹脂層３
Ｄの厚さは、例えば、最終製品のチップが１．６ｍｍ程
度の長さである場合、１０〜２００μｍであることが好
ましい。導電性樹脂層３Ｄの厚さが１０μｍ未満では、
端子電極層としてのチップ状サーミスタ素体との接合強
度や導通が不足し、また、導電性樹脂層３Ｄを形成する
ことによる応力緩和効果が十分ではなく、２００μｍを
超えるとチップ寸法のばらつきの問題が起こる。なお、
チップサイズが大きくなれば、上限値はこれに伴って大
きくしても良い。The conductive resin layer 3 thus formed
For example, the thickness of D is preferably 10 to 200 μm when the final product chip has a length of about 1.6 mm. If the thickness of the conductive resin layer 3D is less than 10 μm,
Insufficient bonding strength and conduction with the chip-shaped thermistor element as a terminal electrode layer, and insufficient stress relaxation effect due to the formation of the conductive resin layer 3D. Happens. In addition,
If the chip size increases, the upper limit may be increased accordingly.
【００３７】この導電性樹脂層３Ｄ上に形成するＮｉめ
っき層３Ｂの厚さは１〜５μｍ、はんだめっき層３Ｃの
厚さは２〜１０μｍとするのが好ましい。The thickness of the Ni plating layer 3B formed on the conductive resin layer 3D is preferably 1 to 5 μm, and the thickness of the solder plating layer 3C is preferably 2 to 10 μm.
【００３８】なお、本実施例においては、金属めっき層
としてＮｉめっき層３Ｂとはんだめっき層３Ｃとを有し
ており、このように、Ｎｉめっき層３Ｂとはんだめっき
層３Ｃとを形成することが基板への実装時に必要なはん
だ濡れ性、耐熱性の観点からより好ましいが、前述の如
く、Ｎｉめっき層がなくとも導電性樹脂層３Ｄがはんだ
喰われに充分耐えることができるため、Ｎｉめっき層を
省いて製造コストを低減することもできる。Ｎｉめっき
層を省く場合、はんだめっき層の厚さは３〜１０μｍと
するのが好ましい。In this embodiment, the Ni plating layer 3B and the solder plating layer 3C are provided as the metal plating layers. Thus, the Ni plating layer 3B and the solder plating layer 3C may be formed. Although more preferable from the viewpoint of solder wettability and heat resistance required for mounting on a substrate, as described above, the conductive resin layer 3D can sufficiently withstand solder erosion without the Ni plating layer. , And the manufacturing cost can be reduced. When the Ni plating layer is omitted, the thickness of the solder plating layer is preferably 3 to 10 μm.
【００３９】本発明では、チップ状サーミスタ素体１
Ａ，１Ｂの側面を被覆する絶縁性物質の被覆層６とし
て、前記従来法の如く、ガラス層等の絶縁性の無機物質
層を形成しても良く、エポキシ樹脂等の絶縁性の高分子
物質層を形成しても良い。In the present invention, the chip-like thermistor body 1
An insulating inorganic material layer such as a glass layer may be formed as a coating layer 6 made of an insulating material covering the side surfaces of A and 1B, and an insulating polymer material such as an epoxy resin may be formed as in the conventional method. A layer may be formed.
【００４０】本実施例のチップ型サーミスタ１０ａ〜１
０ｃでは、回路基板に実装した場合、基板の切断時など
のたわみからくる機械的応力、或いは温度サイクル時に
サーミスタ素体、電極、はんだ、基板などの熱膨張係数
の違いからくる熱応力が外部電極３に伝わった際、外部
電極３の基層としての柔軟性を有する導電性樹脂層３Ｄ
によりこれらの応力が緩和される。このため、これらの
応力によるチップ状サーミスタ素体１Ａ，１Ｂのクラッ
ク発生が防止される。The chip type thermistors 10a-1 of this embodiment
0c, when mounted on a circuit board, the mechanical stress resulting from bending when the board is cut, or the thermal stress resulting from the difference in the coefficient of thermal expansion of the thermistor body, electrodes, solder, board, etc. during a temperature cycle is caused by the external electrode. 3, the conductive resin layer 3D having flexibility as a base layer of the external electrode 3
This alleviates these stresses. For this reason, generation of cracks in the chip-shaped thermistor element bodies 1A and 1B due to these stresses is prevented.
【００４１】なお、図１〜３に示すチップ型サーミスタ
は、本発明のチップ型サーミスタの一実施例であって、
本発明のチップ型サーミスタはその要旨を超えない限
り、何ら図示のものに限定されるものではない。The chip thermistor shown in FIGS. 1 to 3 is an embodiment of the chip thermistor of the present invention,
The chip type thermistor of the present invention is not limited to the one shown in the drawings unless it exceeds the gist.
【００４２】例えば、表面電極又は内部電極の形成位置
やその形成範囲、形成数等においても、任意の様々な態
様を採用し得る。For example, any of various forms can be adopted for the formation position, the formation range, the number of formation, and the like of the surface electrodes or the internal electrodes.
【００４３】また、特に、表面電極を形成する場合、導
電性樹脂層との電気的接続を良好とするため図１０に示
す如く、表面電極２と導電性樹脂層３Ｄの間の絶縁性物
質の被覆層６は一部除いて形成したチップ型サーミスタ
１０ｄとしても良い。In particular, when the surface electrode is formed, as shown in FIG. 10, the insulating material between the surface electrode 2 and the conductive resin layer 3D is formed to improve the electrical connection with the conductive resin layer. The coating layer 6 may be a chip-type thermistor 10d formed by removing a part.
【００４４】[0044]
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。The present invention will be described more specifically below with reference to examples and comparative examples.
【００４５】実施例１ 導電性金属層の代りに導電性樹脂層を形成したこと以外
は前記Ｉの方法と同様にして図１に示すチップ型サーミ
スタを製造した。Example 1 A chip type thermistor shown in FIG. 1 was manufactured in the same manner as in the method I except that a conductive resin layer was formed instead of the conductive metal layer.
【００４６】市販の炭酸マンガン、炭酸ニッケル、炭酸
コバルト及び酸化銅を出発原料とし、これらを金属原子
比が所定の割合になるようにそれぞれ秤量し、ボールミ
ルで１６時間均一に混合した後脱水乾燥した。次にこの
混合物を大気圧下、９００℃で２時間仮焼し、この仮焼
物を再びボールミルで粉砕して脱水乾燥した。粉砕物に
有機系結合剤等を加え、スプレードライヤーにより粒径
が６０μｍ程度になるように造粒し、油圧プレスにより
直方体に圧縮成形した。この成形物を大気圧下、１２０
０℃で４時間焼成し、縦３５ｍｍ、横５０ｍｍ、厚さ１
０ｍｍのサーミスタ焼結ブロックを作製した。次に、こ
のブロックをバンドソーで薄板状に切断し、縦３５ｍ
ｍ、横５０ｍｍ、厚さ０．８０ｍｍのサーミスタウェハ
を得た。Commercially available manganese carbonate, nickel carbonate, cobalt carbonate and copper oxide were used as starting materials, each of which was weighed so that the metal atomic ratio became a predetermined ratio, uniformly mixed in a ball mill for 16 hours, and then dehydrated and dried. . Next, this mixture was calcined at 900 ° C. under atmospheric pressure for 2 hours, and the calcined product was again pulverized by a ball mill and dehydrated and dried. An organic binder and the like were added to the pulverized product, granulated to have a particle size of about 60 μm by a spray drier, and compression-molded into a rectangular parallelepiped by a hydraulic press. This molded product is subjected to 120 atmospheric pressure.
Bake at 0 ° C for 4 hours, length 35mm, width 50mm, thickness 1
A 0 mm thermistor sintered block was made. Next, this block was cut into a thin plate with a band saw,
A thermistor wafer having a width of 50 mm, a width of 50 mm and a thickness of 0.80 mm was obtained.
【００４７】このサーミスタウェハの両主板面に、幅
０．６ｍｍで幅方向の間隔１．１ｍｍのパターンを用い
て、ウェハの主板面で電極が互いに対向するようにＡｇ
／Ｐｄペーストを印刷した後、乾燥し、次いで、このウ
ェハを８２０℃で１０分焼成し、厚さ約１０μｍの多数
列の表面電極層を形成した。Using a pattern of 0.6 mm in width and 1.1 mm in the width direction on both main plate surfaces of the thermistor wafer, Ag was applied so that electrodes face each other on the main plate surface of the wafer.
After printing the / Pd paste, it was dried, and then the wafer was baked at 820 ° C. for 10 minutes to form a multi-row surface electrode layer having a thickness of about 10 μm.
【００４８】このようにして表面電極層を形成したサー
ミスタウェハの両主板面に、印刷可能な粘度に調整した
ガラスペーストを印刷後乾燥し、これを８５０℃で約１
０分間焼成して焼付けることにより、厚さ約２０μｍの
ガラス層を形成した。そして、このガラス層を形成した
サーミスタウェハをダイシングマシンにより０．１ｍｍ
のブレードを用いて表面電極パターンに直交するように
幅０．８０ｍｍの短冊状に切断し、得られた角柱状サー
ミスタ素体のガラス層未被覆の２側面にも上記と同様に
してガラスペーストを焼き付けて厚さ２０μｍのガラス
層を形成した。A glass paste adjusted to a printable viscosity is printed and dried on both main plate surfaces of the thermistor wafer having the surface electrode layer formed in this manner, and is dried at 850 ° C. for about 1 hour.
By baking for 0 minutes and baking, a glass layer having a thickness of about 20 μm was formed. Then, the thermistor wafer on which the glass layer is formed is 0.1 mm by a dicing machine.
In the same manner as above, glass paste was cut on two sides of the obtained prism-shaped thermistor body without coating with a glass layer, so as to be orthogonal to the surface electrode pattern using a blade. By baking, a glass layer having a thickness of 20 μm was formed.
【００４９】次いで、このようにして４側面をガラス層
で被覆した角柱状サーミスタ素体を長さ１．５ｍｍのチ
ップ形状に表面電極の中心線に沿ってダイシングマシン
により０．１ｍｍのブレードを用いて切り出した。Next, the prism-shaped thermistor element having the four side surfaces coated with the glass layers in this manner was formed into a chip shape having a length of 1.5 mm along a center line of the surface electrode using a 0.1 mm blade by a dicing machine. Cut out.
【００５０】このチップ状サーミスタ素体の両端面に、
Ａｇ粉末を含む導電性樹脂ペースト（Ａｇ粉末：エポキ
シ系樹脂＝８５：１５（重量％），これに有機溶剤を１
０重量％添加したもの）をディッピング法により塗布
し、１８０℃で１０分間乾燥した後、２２０℃で２時間
加熱硬化させて、厚さ約５０μｍの導電性樹脂層を形成
し、次いで、この導電性樹脂層の表面に厚さ２μｍのＮ
ｉめっき層を形成し、その上に厚さ約５μｍのはんだめ
っき層を形成した。On both end surfaces of the chip-shaped thermistor element body,
A conductive resin paste containing Ag powder (Ag powder: epoxy resin = 85: 15 (% by weight), and an organic solvent
0% by weight) was applied by a dipping method, dried at 180 ° C. for 10 minutes, and then heated and cured at 220 ° C. for 2 hours to form a conductive resin layer having a thickness of about 50 μm. 2 μm thick N on the surface of the conductive resin layer
An i plating layer was formed, and a solder plating layer having a thickness of about 5 μm was formed thereon.
【００５１】このように作製されたチップ型サーミスタ
について、耐基板曲げ性試験及び温度サイクル試験を行
い、結果を表１に示した。The chip type thermistor thus manufactured was subjected to a substrate bending resistance test and a temperature cycle test, and the results are shown in Table 1.
【００５２】なお、耐基板曲げ性試験は試料数１０個の
平均値で示した。温度サイクル試験は、−５５℃と＋１
２５℃で各３０分、気中、５００サイクルの温度サイク
ル試験による試験数１００個中の不良品数で示した。The substrate bending resistance test was shown by an average value of 10 samples. The temperature cycle test was performed at -55 ° C and +1
The number of defective products out of 100 tested by a temperature cycle test of 500 cycles in the air at 25 ° C. for 30 minutes each was shown.
【００５３】比較例１ 実施例１において、外部電極の形成に当り、導電性樹脂
層の代りに、導電性金属層を形成したこと以外は同様に
してチップ型サーミスタを作製し、このチップ型サーミ
スタについて同様に試験を行い、結果を表１に示した。Comparative Example 1 A chip-type thermistor was prepared in the same manner as in Example 1, except that a conductive metal layer was formed instead of the conductive resin layer in forming the external electrodes. Were tested in the same manner, and the results are shown in Table 1.
【００５４】なお、導電性金属層は、Ａｇペースト（ガ
ラスフリットを含む市販のＡｇペースト）をディッピン
グ法により付着させて８２０℃で１０分間保持して焼き
付けて厚さ約５０μｍに形成した。The conductive metal layer was formed to a thickness of about 50 μm by applying an Ag paste (commercially available Ag paste including a glass frit) by dipping, holding at 820 ° C. for 10 minutes and baking.
【００５５】[0055]
【表１】 [Table 1]
【００５６】表１の結果から、耐基板曲げ性、温度サイ
クル試験について、従来のチップ型サーミスタに比較し
て本発明のチップ型サーミスタは特性が向上しているこ
とがわかる。From the results shown in Table 1, it can be seen that the chip thermistor of the present invention has improved characteristics in terms of substrate bending resistance and temperature cycle test as compared with the conventional chip thermistor.
【００５７】実施例２，比較例２ 実施例１において、表面電極の形成パターンを変えたこ
と以外は同様に行って、図２に示すチップ型サーミスタ
を作製した（実施例２）。また、外部電極の形成に当
り、導電性樹脂層の代りに、導電性金属層を形成したこ
と以外はこの実施例２と同様にしてチップ型サーミスタ
を作製し（比較例２）、これらのチップ型サーミスタに
ついて、実施例１及び比較例１と同様にして試験を行っ
たところ、本発明のチップ型サーミスタは、従来のチッ
プ型サーミスタに比べて特性が向上していることが確認
された。Example 2 and Comparative Example 2 A chip-type thermistor shown in FIG. 2 was produced in the same manner as in Example 1 except that the formation pattern of the surface electrode was changed (Example 2). A chip thermistor was manufactured in the same manner as in Example 2 except that a conductive metal layer was formed instead of the conductive resin layer in forming the external electrodes (Comparative Example 2). When a test was performed on the mold thermistor in the same manner as in Example 1 and Comparative Example 1, it was confirmed that the chip thermistor of the present invention had improved characteristics as compared with the conventional chip thermistor.
【００５８】実施例３ ガラス層の代りにエポキシ樹脂層を形成し、導電性金属
層の代りに導電性樹脂層を形成したこと以外は前記III
の方法と同様にして図１に示すチップ型サーミスタを作
製した。Example 3 The above III except that an epoxy resin layer was formed instead of the glass layer and a conductive resin layer was formed instead of the conductive metal layer.
The chip thermistor shown in FIG. 1 was produced in the same manner as in the above method.
【００５９】まず、実施例１と同様にしてサーミスタウ
ェハを製造して同様に表面電極を形成した後、この表面
電極を形成したサーミスタウェハの表裏の主板面にエポ
キシ樹脂を塗布して１８０℃で１０分間乾燥することに
より厚さ約５０μｍのエポキシ樹脂層を形成した。First, a thermistor wafer was manufactured in the same manner as in Example 1, and a surface electrode was formed in the same manner. Thereafter, an epoxy resin was applied to the front and back main plate surfaces of the thermistor wafer on which the surface electrode was formed, and then heated at 180 ° C. By drying for 10 minutes, an epoxy resin layer having a thickness of about 50 μm was formed.
【００６０】その後、実施例１と同様に但し、表面電極
パターンと平行に表面電極の中心線に沿って幅１．５ｍ
ｍの短冊状に切断して、２側面に表面電極が形成され、
この２側面にエポキシ樹脂の被覆層が形成された角柱状
サーミスタ素体を得た。Thereafter, as in Example 1, except that the width is 1.5 m along the center line of the surface electrode in parallel with the surface electrode pattern.
m into strips, surface electrodes are formed on two sides,
A prismatic thermistor body having an epoxy resin coating layer formed on the two side surfaces was obtained.
【００６１】この角柱状サーミスタ素体のエポキシ樹脂
未被覆の２側面に、Ａｇ粉末を含む導電性樹脂ペースト
（Ａｇ粉末：エポキシ系樹脂＝８５：１５（重量％），
これに有機溶剤を１０重量％添加したもの）をディッピ
ング法により塗布し、１８０℃で１０分間乾燥した後、
２２０℃で２時間加熱硬化させた。形成された導電性樹
脂層の厚さは約５０μｍ程度である。A conductive resin paste containing Ag powder (Ag powder: epoxy resin = 85: 15 (% by weight),
An organic solvent was added thereto by 10% by weight), applied by dipping, and dried at 180 ° C. for 10 minutes.
The composition was cured by heating at 220 ° C. for 2 hours. The thickness of the formed conductive resin layer is about 50 μm.
【００６２】次いで、この導電性樹脂層を形成した角柱
状サーミスタ素体をめっき浴に浸漬し、この導電性樹脂
層の表面に厚さ約２μｍのＮｉめっき層を形成し、その
上に厚さ約５μｍのはんだめっき層を形成した。Next, the prismatic thermistor body on which the conductive resin layer was formed was immersed in a plating bath, and a Ni plating layer having a thickness of about 2 μm was formed on the surface of the conductive resin layer. A solder plating layer of about 5 μm was formed.
【００６３】その後、ダイシングマシンにより幅０．８
ｍｍのチップ形状に切断し、チップ型サーミスタを得
た。Thereafter, a width of 0.8 is used with a dicing machine.
The chip thermistor was cut into a chip shape of mm.
【００６４】このように作製されたチップ型サーミスタ
について、実施例１と同様にして耐基板曲げ性試験及び
温度サイクル試験（ただし、温度サイクル試験条件は−
４０℃と＋８５℃で各３０分、気中、１００サイクル）
を行い、結果を表２に示した。With respect to the chip type thermistor thus manufactured, a substrate bending resistance test and a temperature cycle test were performed in the same manner as in Example 1 (however, the temperature cycle test condition was-
30 minutes each at 40 ° C and + 85 ° C, in the air, 100 cycles)
And the results are shown in Table 2.
【００６５】比較例３ 実施例３において、エポキシ樹脂層の代りに厚さ約２０
μｍのガラス層を形成し、導電性樹脂層の代りに導電性
金属層を形成したこと以外は同様にしてチップ型サーミ
スタを作製し、このチップ型サーミスタについて同様に
試験を行い、結果を表２に示した。Comparative Example 3 In Example 3, a thickness of about 20 was used instead of the epoxy resin layer.
A chip-type thermistor was prepared in the same manner except that a glass layer of μm was formed and a conductive metal layer was formed instead of the conductive resin layer. The chip-type thermistor was similarly tested, and the results are shown in Table 2. It was shown to.
【００６６】なお、ガラス層はガラスペーストを印刷、
乾燥し、８５０℃で約１０分間焼成して厚さ２０μｍに
形成した。また、導電性金属層は、Ａｇペースト（ガラ
スフリットを含む市販のＡｇペースト）をディッピング
法により付着させて８２０℃で１０分間保持して焼き付
けて厚さ約５０μｍに形成した。The glass layer is printed with a glass paste,
It was dried and baked at 850 ° C. for about 10 minutes to form a thickness of 20 μm. The conductive metal layer was formed to a thickness of about 50 μm by applying an Ag paste (commercially available Ag paste including a glass frit) by dipping, holding at 820 ° C. for 10 minutes, and baking.
【００６７】[0067]
【表２】 [Table 2]
【００６８】表２の結果から、本発明のチップ型サーミ
スタは、耐基板曲げ性、温度サイクル試験について、従
来のチップ型サーミスタに比較して特性が向上している
ことがわかる。From the results in Table 2, it can be seen that the chip thermistor of the present invention has improved characteristics in terms of substrate bending resistance and temperature cycle test as compared with the conventional chip thermistor.
【００６９】実施例４ 導電性金属層の代りに導電性樹脂層を形成したこと以外
は前記Ｖの方法と同様にして、図３に示すチップ型サー
ミスタを製造した。Example 4 A chip-type thermistor shown in FIG. 3 was manufactured in the same manner as in the method V except that a conductive resin layer was formed instead of the conductive metal layer.
【００７０】市販の炭酸マンガン、炭酸コバルト及び酸
化鉄を出発原料とし、これらを金属原子比が所定の割合
になるようにそれぞれ秤量し、ボールミルで１６時間均
一に混合した後脱水乾燥した。次にこの混合物を大気圧
下、９００℃で２時間仮焼し、この仮焼物を再びボール
ミルで粉砕して脱水乾燥した。得られた原料粉末に、有
機溶剤、バインダー分、分散材等を加えスラリーを調製
し、キャスティング法にて厚さ４０μｍのセラミックス
グリーンシートを作製した。Commercially available manganese carbonate, cobalt carbonate and iron oxide were used as starting materials, each of which was weighed so that the metal atomic ratio became a predetermined ratio, uniformly mixed in a ball mill for 16 hours, and then dehydrated and dried. Next, this mixture was calcined at 900 ° C. under atmospheric pressure for 2 hours, and the calcined product was again pulverized by a ball mill and dehydrated and dried. An organic solvent, a binder, a dispersant, and the like were added to the obtained raw material powder to prepare a slurry, and a ceramic green sheet having a thickness of 40 μm was prepared by a casting method.
【００７１】このセラミックスグリーンシートの所定位
置にＡｇ／Ｐｄペーストを印刷して内部電極層を形成
し、内部電極層を形成したセラミックスグリーンシート
と内部電極を形成していないセラミックスグリーンシー
トとを、所定の枚数重ねた後、静水圧プレス法にてシー
トを圧着させた後に、これを乾燥し、１１００℃の温度
で５時間焼成し、縦３５ｍｍ、横５０ｍｍ、厚さ０．８
０ｍｍの積層板を得た。この積層板の表裏の主板面にガ
ラスペーストを塗布して乾燥後、８５０℃で焼成して厚
さ２０μｍのガラス層を形成した。その後、切断機を用
いて幅０．８ｍｍの角柱状サーミスタ素体を切り出し、
この角柱状サーミスタ素体のガラス層未被覆の２側面に
も上記と同様にして厚さ２０μｍのガラス層を形成し
た。その後、内部電極が端面に表出するようにチップ状
に切断し、縦１．５ｍｍ、横０．８ｍｍ、厚さ約０．８
ｍｍのチップ状素体を得た。An Ag / Pd paste is printed at a predetermined position on the ceramic green sheet to form an internal electrode layer. The ceramic green sheet on which the internal electrode layer is formed and the ceramic green sheet on which no internal electrode is formed are separated by a predetermined amount. After stacking the sheets, the sheets were pressed by a hydrostatic pressing method, and then dried and baked at a temperature of 1100 ° C. for 5 hours to have a length of 35 mm, a width of 50 mm and a thickness of 0.8.
A laminate of 0 mm was obtained. A glass paste was applied to the front and back main plate surfaces of the laminated plate, dried, and fired at 850 ° C. to form a glass layer having a thickness of 20 μm. Then, a 0.8 mm wide prismatic thermistor body was cut out using a cutting machine,
A glass layer having a thickness of 20 μm was formed on the two side surfaces of the prism-shaped thermistor body which were not covered with the glass layer in the same manner as described above. Then, cut into chips so that the internal electrodes are exposed on the end faces, 1.5 mm long, 0.8 mm wide, and about 0.8 mm thick.
mm chip-shaped body was obtained.
【００７２】得られた素体の内部電極が表出した両端面
に、Ａｇ粉末を含む導電性樹脂ペースト（Ａｇ粉末：エ
ポキシ系樹脂＝８５：１５（重量％），これに有機溶剤
を１０重量％添加したもの）をディッピング法により塗
布し、１８０℃で１０分間乾燥した後、２２０℃で２時
間加熱硬化させた。形成された導電性樹脂層の厚さは約
５０μｍ程度である。A conductive resin paste containing Ag powder (Ag powder: epoxy resin = 85: 15 (% by weight) and an organic solvent of 10% by weight) were provided on both end surfaces of the obtained element body where the internal electrodes were exposed. % Added) was applied by a dipping method, dried at 180 ° C. for 10 minutes, and then heated and cured at 220 ° C. for 2 hours. The thickness of the formed conductive resin layer is about 50 μm.
【００７３】次いで、この導電性樹脂層上に、電解バレ
ルめっき法により、厚さ約２μｍのＮｉめっき層を形成
し、その上に厚さ約５μｍのはんだめっき層を形成し
た。Next, a Ni plating layer having a thickness of about 2 μm was formed on the conductive resin layer by electrolytic barrel plating, and a solder plating layer having a thickness of about 5 μm was formed thereon.
【００７４】このように作製されたチップ型サーミスタ
について、耐基板曲げ性試験及び温度サイクル試験を行
い、結果を表３に示した。The chip type thermistor thus manufactured was subjected to a substrate bending resistance test and a temperature cycle test, and the results are shown in Table 3.
【００７５】耐基板曲げ性試験は試料数１０個の平均値
で示した。温度サイクル試験は、−５５℃と＋１２５℃
で各３０分、気中、２００サイクルの温度サイクル試験
による試料数１００個中の不良品数で示した。The substrate bending resistance test was shown by an average value of 10 samples. Temperature cycle test is -55 ° C and + 125 ° C
The results are shown by the number of defective products out of 100 samples in a temperature cycle test of 200 cycles in the air for 30 minutes each.
【００７６】比較例４ 実施例４において、外部電極の形成に当り、導電性樹脂
層の代りに、導電性金属層を形成したこと以外は同様に
してチップ型サーミスタを作製し、このチップ型サーミ
スタについて同様に試験を行い、結果を表３に示した。Comparative Example 4 A chip-type thermistor was prepared in the same manner as in Example 4, except that a conductive metal layer was formed instead of the conductive resin layer in forming the external electrodes. Were tested in the same manner, and the results are shown in Table 3.
【００７７】なお、導電性金属層は、Ａｇペースト（ガ
ラスフリットを含む市販のＡｇペースト）をディッピン
グ法により付着させて焼き付けて厚さ約５０μｍに形成
した。The conductive metal layer was formed to a thickness of about 50 μm by applying an Ag paste (a commercially available Ag paste containing a glass frit) by dipping and baking.
【００７８】[0078]
【表３】 [Table 3]
【００７９】表３の結果から、本発明のチップ型サーミ
スタは、耐基板曲げ性、温度サイクル試験について、従
来のチップ型サーミスタに比較して特性が向上している
ことがわかる。From the results shown in Table 3, it can be seen that the chip thermistor of the present invention has improved characteristics in terms of substrate bending resistance and temperature cycle test as compared with the conventional chip thermistor.
【００８０】[0080]
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のチップ型サ
ーミスタ及びその製造方法によれば、機械的強度や温度
サイクル性能等の信頼性に優れ、また、抵抗値のばらつ
きも小さく、高精度なチップ型サーミスタが提供され
る。As described above in detail, according to the chip type thermistor and the method of manufacturing the same of the present invention, the reliability such as the mechanical strength and the temperature cycle performance is excellent, the variation of the resistance value is small, and the precision is high. A simple chip thermistor is provided.
【図１】本発明のチップ型サーミスタの一実施例を示す
断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of a chip type thermistor of the present invention.
【図２】本発明のチップ型サーミスタの他の実施例を示
す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing another embodiment of the chip type thermistor of the present invention.
【図３】本発明のチップ型サーミスタの別の実施例を示
す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing another embodiment of the chip thermistor of the present invention.
【図４】従来のチップ型サーミスタを示す断面図であ
る。FIG. 4 is a sectional view showing a conventional chip thermistor.
【図５】表面電極を有するチップ状サーミスタ素体を示
す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a chip-shaped thermistor body having a surface electrode.
【図６】従来のチップ型サーミスタを示す断面図であ
る。FIG. 6 is a sectional view showing a conventional chip thermistor.
【図７】内部電極を有するチップ状サーミスタ素体を示
す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a chip-shaped thermistor body having internal electrodes.
【図８】チップ型サーミスタの製造方法を説明する斜視
図である。FIG. 8 is a perspective view illustrating a method of manufacturing a chip thermistor.
【図９】チップ型サーミスタの製造方法を説明する斜視
図である。FIG. 9 is a perspective view illustrating a method for manufacturing a chip-type thermistor.
【図１０】本発明のチップ型サーミスタの異なる実施例
を示す断面図である。FIG. 10 is a sectional view showing another embodiment of the chip type thermistor of the present invention.
１Ａ，１Ｂ チップ状サーミスタ素体 ２ 表面電極 ３ 外部電極 ３Ａ 導電性金属層 ３Ｂ Ｎｉめっき層 ３Ｃ はんだめっき層 ３Ｄ 導電性樹脂層 ５ 内部電極 ６ 絶縁性物質の被覆層 １０Ａ，１０Ｂ，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ チ
ップ型サーミスタ1A, 1B Chip-shaped thermistor body 2 Surface electrode 3 External electrode 3A Conductive metal layer 3B Ni plating layer 3C Solder plating layer 3D Conductive resin layer 5 Internal electrode 6 Insulating material coating layer 10A, 10B, 10a, 10b, 10c, 10d Chip type thermistor
Claims (9)
のチップ状サーミスタ素体と、該チップ状サーミスタ素
体の両端面に形成された外部電極と、該両端面以外の４
側面のうちの少なくとも対向する２側面を被覆する絶縁
性物質よりなる被覆層と、該被覆層が形成された側面
に、該外部電極形成端面に表出するように形成された表
面電極と、を有するチップ型サーミスタにおいて、 該外部電極は、チップ状サーミスタ素体の端面に接し、
かつ該表面電極と電気的に接続する導電性樹脂層と、該
導電性樹脂層上に形成された金属めっき層とを備えてな
ることを特徴とするチップ型サーミスタ。1. A rectangular parallelepiped chip-shaped thermistor element made of a ceramic sintered body, external electrodes formed on both end faces of the chip-shaped thermistor element, and four electrodes other than the both end faces.
A coating layer made of an insulating material that covers at least two opposing side surfaces of the side surfaces, and a surface electrode formed on the side surface on which the coating layer is formed so as to be exposed on the external electrode formation end surface. Wherein the external electrode is in contact with an end surface of the chip-shaped thermistor body;
A chip thermistor, comprising: a conductive resin layer electrically connected to the surface electrode; and a metal plating layer formed on the conductive resin layer.
のチップ状サーミスタ素体と、該チップ状サーミスタ素
体の両端面に形成された外部電極と、該両端面以外の４
側面のうちの少なくとも対向する２側面を被覆する絶縁
性物質よりなる被覆層と、該外部電極形成端面に表出す
るように、該チップ状サーミスタ素体の内部に形成され
た内部電極とを有するチップ型サーミスタにおいて、 該外部電極は、チップ状サーミスタ素体の端面に接し、
かつ該内部電極と電気的に接続する導電性樹脂層と、該
導電性樹脂層上に形成された金属めっき層とを備えてな
ることを特徴とするチップ型サーミスタ。2. A rectangular parallelepiped chip-shaped thermistor element made of a ceramic sintered body, external electrodes formed on both end faces of the chip-shaped thermistor element, and four electrodes other than the both end faces.
It has a coating layer made of an insulating material that covers at least two opposing side surfaces of the side surfaces, and an internal electrode formed inside the chip-shaped thermistor body so as to be exposed on the external electrode forming end surface. In a chip thermistor, the external electrode is in contact with an end surface of the chip thermistor body,
A chip-type thermistor comprising: a conductive resin layer electrically connected to the internal electrode; and a metal plating layer formed on the conductive resin layer.
ミスタ素体はその４側面が絶縁性物質で被覆されている
ことを特徴とするチップ型サーミスタ。3. The chip thermistor according to claim 1, wherein the chip-shaped thermistor body has four side surfaces coated with an insulating material.
て、絶縁性物質が無機物質であることを特徴とするチッ
プ型サーミスタ。4. The chip thermistor according to claim 1, wherein the insulating substance is an inorganic substance.
て、絶縁性物質が高分子物質であることを特徴とするチ
ップ型サーミスタ。5. The chip thermistor according to claim 1, wherein the insulating substance is a polymer substance.
ミスタウェハの表裏の主板面に表面電極を形成した後、
絶縁性物質層を形成する工程、 絶縁性物質層を形成した薄板状サーミスタウェハを前記
表面電極が切断面に表出するように短冊状に切断して角
柱状サーミスタ素体を形成する工程、 該角柱状サーミスタ素体の長手方向に延在する４側面の
うち、絶縁性物質層が形成されておらず素体が露出した
２側面に外部電極層を形成する工程、及び、 該外部電極層を形成した角柱状サーミスタ素体を長手方
向と直交する方向にチップ状に切断してチップ型サーミ
スタを得る工程を有するチップ型サーミスタの製造方法
において、 該外部電極層の形成に当り、素体が露出した該２側面に
導電性樹脂層を形成し、次いで、導電性樹脂層上に金属
めっき層を形成することを特徴とするチップ型サーミス
タの製造方法。6. After forming surface electrodes on the front and back main plate surfaces of a thin plate thermistor wafer made of a ceramic sintered body,
Forming an insulating material layer, forming a prismatic thermistor body by cutting the thin thermistor wafer on which the insulating material layer is formed into strips such that the surface electrodes are exposed on the cut surface; Forming an external electrode layer on two of the four side surfaces extending in the longitudinal direction of the prismatic thermistor element body where the insulating body is not formed and the element body is exposed; and A method of manufacturing a chip-type thermistor having a step of obtaining a chip-type thermistor by cutting the formed prism-shaped thermistor body into chips in a direction orthogonal to the longitudinal direction, wherein the body is exposed in forming the external electrode layer Forming a conductive resin layer on the two side surfaces, and then forming a metal plating layer on the conductive resin layer.
ミスタウェハの表裏の主板面に表面電極を形成した後、
絶縁性物質層を形成する工程、 絶縁性物質層を形成した薄板状サーミスタウェハを短冊
状に切断して角柱状サーミスタ素体を形成する工程、 該角柱状サーミスタ素体の長手方向に延在する４側面の
うち、絶縁性物質層が形成されておらず素体が露出した
２側面に絶縁性物質層を形成する工程、 該絶縁性物質層を形成した角柱状サーミスタ素体を長手
方向と直交する方向に、前記表面電極が切断面に表出す
るようにチップ状に切断してチップ状サーミスタ素体を
得る工程、及び、 該チップ状サーミスタ素体の絶縁性物質層未被覆の両端
面に外部電極を形成してチップ型サーミスタを得る工程
を有するチップ型サーミスタの製造方法において、 該外部電極層の形成に当り、素体が露出した該両端面に
導電性樹脂層を形成し、次いで、導電性樹脂層上に金属
めっき層を形成することを特徴とするチップ型サーミス
タの製造方法。7. After forming surface electrodes on the front and back main plate surfaces of a thin thermistor wafer made of a ceramic sintered body,
A step of forming an insulating material layer; a step of cutting the thin plate-shaped thermistor wafer having the insulating material layer formed into strips to form a prismatic thermistor body; and extending in a longitudinal direction of the prismatic thermistor body. Forming an insulating material layer on two of the four side surfaces on which the insulating material layer is not formed and the element body is exposed; and forming the prism-shaped thermistor element body on which the insulating material layer is formed at right angles to the longitudinal direction. In the direction to perform, a step of obtaining a chip-shaped thermistor body by cutting the chip into a chip shape so that the surface electrode is exposed on the cut surface, and, on both end surfaces of the chip-shaped thermistor body which are not covered with the insulating material layer. In a method of manufacturing a chip thermistor having a step of forming an external electrode to obtain a chip thermistor, a step of forming a conductive resin layer on both end surfaces where the element body is exposed, in forming the external electrode layer, Conductive tree Method of manufacturing a chip-type thermistor, and forming a metal plating layer on the layer.
リーンシート、或いは、内部電極層が形成されたセラミ
ックスグリーンシートと内部電極層が形成されていない
セラミックスグリーンシートとを複数枚積層して積層シ
ートを得る工程、 該積層シートを一体焼成して積層板を得る工程、 該積層板の表裏の主板面に絶縁性物質層を形成する工
程、 絶縁性物質層を形成した積層板を前記内部電極が切断面
に表出するように短冊状に切断して角柱状サーミスタ素
体を形成する工程、 該角柱状サーミスタ素体の長手方向に延在する４側面の
うち、絶縁性物質層が形成されておらず素体が露出した
２側面に外部電極層を形成する工程、及び、 該外部電極層を形成した角柱状サーミスタ素体を長手方
向と直交する方向にチップ状に切断してチップ型サーミ
スタを得る工程を有するチップ型サーミスタの製造方法
において、 該外部電極層の形成に当り、素体が露出した該２側面に
導電性樹脂層を形成し、次いで、導電性樹脂層上に金属
めっき層を形成することを特徴とするチップ型サーミス
タの製造方法。8. A ceramic green sheet having an internal electrode layer formed thereon, or a ceramic green sheet having an internal electrode layer formed thereon and a ceramic green sheet having no internal electrode layer formed by laminating a plurality of ceramic green sheets. Obtaining the laminated sheet, integrally firing the laminated sheet to obtain a laminated plate, forming an insulating material layer on the front and back main plate surfaces of the laminated plate, and cutting the laminated plate having the insulating material layer formed thereon by the internal electrodes. Forming a prismatic thermistor body by cutting it into strips so as to be exposed on the surface; and forming an insulating material layer on the four side surfaces extending in the longitudinal direction of the prismatic thermistor body. Forming an external electrode layer on the two side surfaces where the element body is exposed; and cutting the prism-shaped thermistor element body formed with the external electrode layer into chips in a direction orthogonal to the longitudinal direction. In the method of manufacturing a chip-type thermistor having a step of obtaining a thermistor, a conductive resin layer is formed on the two side surfaces where the element body is exposed in forming the external electrode layer, and then a metal plating is performed on the conductive resin layer. A method for manufacturing a chip-type thermistor, comprising forming a layer.
リーンシート、或いは、内部電極層が形成されたセラミ
ックスグリーンシートと内部電極層が形成されていない
セラミックスグリーンシートとを複数枚積層して積層シ
ートを得る工程、 該積層シートを一体焼成して積層板を得る工程、 該積層板の表裏の主板面に絶縁性物質層を形成する工
程、 絶縁性物質層を形成した積層板を短冊状に切断して角柱
状サーミスタ素体を形成する工程、 該角柱状サーミスタ素体の長手方向に延在する４側面の
うち、絶縁性物質層が形成されておらず素体が露出した
２側面に絶縁性物質層を形成する工程、 該絶縁性物質層を形成した角柱状サーミスタ素体を長手
方向と直交する方向に前記内部電極が切断面に表出する
ようにチップ状に切断してチップ状サーミスタ素体を得
る工程、及び、 該チップ状サーミスタ素体の絶縁性物質層未被覆の両端
面に外部電極を形成してチップ型サーミスタを得る工程
を有するチップ型サーミスタの製造方法において、 該外部電極層の形成に当り、素体が露出した該両端面に
導電性樹脂層を形成し、次いで、導電性樹脂層上に金属
めっき層を形成することを特徴とするチップ型サーミス
タの製造方法。9. A ceramic green sheet having an internal electrode layer formed thereon or a ceramic green sheet having an internal electrode layer formed thereon and a ceramic green sheet having no internal electrode layer formed by laminating a plurality of ceramic green sheets. Obtaining a laminated sheet by integrally firing the laminated sheet to obtain a laminated plate; forming an insulating material layer on the front and back main plate surfaces of the laminated sheet; cutting the laminated plate on which the insulating material layer is formed into strips; Forming a prism-shaped thermistor body by applying a heat treatment to the surface of the prism-shaped thermistor body. Forming a layer; cutting the prism-shaped thermistor body on which the insulating material layer is formed into chips in a direction perpendicular to the longitudinal direction so that the internal electrodes are exposed on the cut surface; A method for producing a chip thermistor, comprising the steps of: obtaining external body electrodes on both end surfaces of the chip-shaped thermistor element body not covered with an insulating material layer to obtain a chip-type thermistor; A method for manufacturing a chip-type thermistor, comprising: forming a conductive resin layer on both end surfaces where an element body is exposed when forming an electrode layer; and then forming a metal plating layer on the conductive resin layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8293884A JPH10144504A (en) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | Chip-type thermistor and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8293884A JPH10144504A (en) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | Chip-type thermistor and its manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144504A true JPH10144504A (en) | 1998-05-29 |
Family
ID=17800406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8293884A Pending JPH10144504A (en) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | Chip-type thermistor and its manufacture |
Country Status (1)
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