JPH10140302A - 低残留磁束密度で低鉄損の無方向性けい素鋼板およびその製造方法、ならびに低突入電流で低損失のトランス - Google Patents
低残留磁束密度で低鉄損の無方向性けい素鋼板およびその製造方法、ならびに低突入電流で低損失のトランスInfo
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- JPH10140302A JPH10140302A JP30995896A JP30995896A JPH10140302A JP H10140302 A JPH10140302 A JP H10140302A JP 30995896 A JP30995896 A JP 30995896A JP 30995896 A JP30995896 A JP 30995896A JP H10140302 A JPH10140302 A JP H10140302A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】機器の大型化やコスト増大等をもたらすことな
く偏磁による突入電流を防止することができ、かつ損失
の増大によるトランスの過熱の問題が生じない、低残留
磁束密度で低鉄損の無方向性けい素鋼板およびその製造
方法、ならびにそのような鋼板をコアとして用いたトラ
ンスを提供すること。 【解決手段】板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、表層Ｓ
ｉ濃度のほうが板厚中心部のＳｉ濃度より低く、表層の
Ｓｉ濃度と板厚中心近傍の最高のＳｉ濃度との差が０．
５ｗｔ％以上あり、表層のＳｉ濃度が０〜６．６ｗｔ％
の範囲にある低残留磁束密度で低鉄損の無方向性けい素
鋼板。
く偏磁による突入電流を防止することができ、かつ損失
の増大によるトランスの過熱の問題が生じない、低残留
磁束密度で低鉄損の無方向性けい素鋼板およびその製造
方法、ならびにそのような鋼板をコアとして用いたトラ
ンスを提供すること。 【解決手段】板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、表層Ｓ
ｉ濃度のほうが板厚中心部のＳｉ濃度より低く、表層の
Ｓｉ濃度と板厚中心近傍の最高のＳｉ濃度との差が０．
５ｗｔ％以上あり、表層のＳｉ濃度が０〜６．６ｗｔ％
の範囲にある低残留磁束密度で低鉄損の無方向性けい素
鋼板。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、偏磁による突入電
流が問題となるトランスに使用する無方向性けい素鋼板
に関し、特に低残留磁束密度で低鉄損の無方向性けい素
鋼板およびその製造方法、ならびにその鋼板をコアに用
いたトランスに関する。
流が問題となるトランスに使用する無方向性けい素鋼板
に関し、特に低残留磁束密度で低鉄損の無方向性けい素
鋼板およびその製造方法、ならびにその鋼板をコアに用
いたトランスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、トランスには、小型化および高効
率化のため、方向性けい素鋼板が使用されている。方向
性けい素鋼板は、磁束密度が高く、低鉄損であるため、
小型化および高効率化には適した材料である。しかしな
がら、方向性けい素鋼板は残留磁束密度が高いため、ト
ランスに偏磁が生じ、トランスの再起動時に定格電流の
数十倍もの突入電流が発生し、ブレーカーが作動してト
ランスの起動が不可能となることがある。
率化のため、方向性けい素鋼板が使用されている。方向
性けい素鋼板は、磁束密度が高く、低鉄損であるため、
小型化および高効率化には適した材料である。しかしな
がら、方向性けい素鋼板は残留磁束密度が高いため、ト
ランスに偏磁が生じ、トランスの再起動時に定格電流の
数十倍もの突入電流が発生し、ブレーカーが作動してト
ランスの起動が不可能となることがある。
【０００３】このような突入電流を防止するため、トラ
ンスの設計動作磁束密度を下げるか、または磁路にギャ
ップを設けることが行われている。しかし、前者の場合
はトランスが大型化し、後者の場合は組立コストが増大
するという問題が生じる。
ンスの設計動作磁束密度を下げるか、または磁路にギャ
ップを設けることが行われている。しかし、前者の場合
はトランスが大型化し、後者の場合は組立コストが増大
するという問題が生じる。
【０００４】したがって、突入電流を避けるためには、
残留磁束密度の低い材料が求められる。このように残留
密度の低い材料を使用すれば、突入電流を避けることが
可能なため、設計磁束密度を低くしていたトランスの設
計磁束密度を高くすることができる。
残留磁束密度の低い材料が求められる。このように残留
密度の低い材料を使用すれば、突入電流を避けることが
可能なため、設計磁束密度を低くしていたトランスの設
計磁束密度を高くすることができる。
【０００５】しかし、このことにより新たな問題が発生
する。すなわち、磁束密度が高くなることにより損失が
増大してトランスが過熱することである。したがって、
過熱の原因である材料の鉄損を低下させることが必要と
なる。
する。すなわち、磁束密度が高くなることにより損失が
増大してトランスが過熱することである。したがって、
過熱の原因である材料の鉄損を低下させることが必要と
なる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる事情に
鑑みてなされたものであって、機器の大型化やコスト増
大等をもたらすことなく偏磁による突入電流を防止する
ことができ、かつ損失の増大によるトランスの過熱の問
題が生じない、低残留磁束密度で低鉄損の無方向性けい
素鋼板およびその製造方法、ならびにそのような鋼板を
コアとして用いたトランスを提供することを目的とす
る。
鑑みてなされたものであって、機器の大型化やコスト増
大等をもたらすことなく偏磁による突入電流を防止する
ことができ、かつ損失の増大によるトランスの過熱の問
題が生じない、低残留磁束密度で低鉄損の無方向性けい
素鋼板およびその製造方法、ならびにそのような鋼板を
コアとして用いたトランスを提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく検討を重ねた結果、以下の２つの知見を得
るに至った。１つは、厚さ方向にＳｉの濃度勾配を形成
することにより残留磁束密度を著しく低下させることが
できることである。２つ目は、濃度勾配は鋼板表面から
内部に向かって濃度が高くなる場合と低くなる場合が考
えられるが、内部に向かってＳｉ濃度が高くなるほど鉄
損を低くする観点からは有利であることである。
を解決すべく検討を重ねた結果、以下の２つの知見を得
るに至った。１つは、厚さ方向にＳｉの濃度勾配を形成
することにより残留磁束密度を著しく低下させることが
できることである。２つ目は、濃度勾配は鋼板表面から
内部に向かって濃度が高くなる場合と低くなる場合が考
えられるが、内部に向かってＳｉ濃度が高くなるほど鉄
損を低くする観点からは有利であることである。
【０００８】本発明は、このような知見に基づいて完成
されたものであって、第１に、板厚方向にＳｉの濃度勾
配を有し、表層Ｓｉ濃度のほうが板厚中心部のＳｉ濃度
より低く、表層のＳｉ濃度と板厚中心近傍の最高のＳｉ
濃度との差が０．５ｗｔ％以上あり、表層のＳｉ濃度が
０〜６．６ｗｔ％の範囲にあることを特徴とする低残留
磁束密度で低鉄損の無方向性けい素鋼板を提供するもの
である。
されたものであって、第１に、板厚方向にＳｉの濃度勾
配を有し、表層Ｓｉ濃度のほうが板厚中心部のＳｉ濃度
より低く、表層のＳｉ濃度と板厚中心近傍の最高のＳｉ
濃度との差が０．５ｗｔ％以上あり、表層のＳｉ濃度が
０〜６．６ｗｔ％の範囲にあることを特徴とする低残留
磁束密度で低鉄損の無方向性けい素鋼板を提供するもの
である。
【０００９】第２に、Ｓｉを６．６ｗｔ％以下含有する
けい素鋼板を、ＡｌＣｌ3ガスと窒素ガスとの混合ガス
と反応させ、鋼板表面にＡｌ濃度の高い部分を形成し、
次いで拡散均熱してＡｌを板内部に部分的に拡散させる
ことを特徴とする低残留磁束密度で低鉄損の無方向性け
い素鋼板の製造方法を提供するものである。
けい素鋼板を、ＡｌＣｌ3ガスと窒素ガスとの混合ガス
と反応させ、鋼板表面にＡｌ濃度の高い部分を形成し、
次いで拡散均熱してＡｌを板内部に部分的に拡散させる
ことを特徴とする低残留磁束密度で低鉄損の無方向性け
い素鋼板の製造方法を提供するものである。
【００１０】第３に、上記鋼板をコア材に使用したこと
を特徴とする低突入電流で低損失のトランスを提供する
ものである。
を特徴とする低突入電流で低損失のトランスを提供する
ものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。まず、低残留磁束密度について説明する。板厚方
向にＳｉの濃度勾配をつけた場合の残留磁束密度（Ｂ
ｒ）の変化を図１に示す。サンプルとしては、０．３ｍ
ｍ板厚のＳｉ含有量が０．０ｗｔ％から３．０ｗｔ％の
けい素鋼板を浸アルミ処理して作製したものを用いた。
浸アルミ処理においては、１２００℃に加熱した鋼板
と、２０ｖｏｌ％のＡｌＣｌ3 と８０ｖｏｌ％のＮ2 と
の混合ガスとを反応させ、鋼板表面からＡｌを浸透さ
せ、その後Ｎ2 中で均熱してＡｌを板中心部へ拡散浸透
させた。Ａｌが浸透すると、もともと鋼板に添加されて
いたＳｉはＡｌにおいやられるように板内部に向かって
移動し、板厚中央部のＳｉ濃度が上昇する。ここでは、
Ａｌ浸透時間と拡散時間とを変化させ、種々のＳｉ濃度
勾配を有するサンプルを作製し、磁気特性を測定した。
する。まず、低残留磁束密度について説明する。板厚方
向にＳｉの濃度勾配をつけた場合の残留磁束密度（Ｂ
ｒ）の変化を図１に示す。サンプルとしては、０．３ｍ
ｍ板厚のＳｉ含有量が０．０ｗｔ％から３．０ｗｔ％の
けい素鋼板を浸アルミ処理して作製したものを用いた。
浸アルミ処理においては、１２００℃に加熱した鋼板
と、２０ｖｏｌ％のＡｌＣｌ3 と８０ｖｏｌ％のＮ2 と
の混合ガスとを反応させ、鋼板表面からＡｌを浸透さ
せ、その後Ｎ2 中で均熱してＡｌを板中心部へ拡散浸透
させた。Ａｌが浸透すると、もともと鋼板に添加されて
いたＳｉはＡｌにおいやられるように板内部に向かって
移動し、板厚中央部のＳｉ濃度が上昇する。ここでは、
Ａｌ浸透時間と拡散時間とを変化させ、種々のＳｉ濃度
勾配を有するサンプルを作製し、磁気特性を測定した。
【００１２】図１は５０Ｈｚで１．４Ｔまで磁化した時
の残留磁束密度を測定した結果を示すものであり、横軸
はサンプルの断面についてＸ線マイクロアナライザーで
Ｓｉを定量分析し、その最高値と最低値との差（ΔＳ
ｉ）をとったものである。
の残留磁束密度を測定した結果を示すものであり、横軸
はサンプルの断面についてＸ線マイクロアナライザーで
Ｓｉを定量分析し、その最高値と最低値との差（ΔＳ
ｉ）をとったものである。
【００１３】この図に示すように、Ｓｉの濃度勾配を形
成し、ΔＳｉが増加すると残留磁束密度は単調に低下す
る。また、図より、残留磁束密度を２０％以上低下させ
るためにはΔＳｉを０．５％以上とすることが必要であ
ることがわかる。ΔＳｉを増加させると残留磁束密度が
低下する原因は完全には解明されていないが、Ｓｉ濃度
により格子定数が変化することから、Ｓｉの濃度勾配を
形成することにより板内に張力が発生するためと推定さ
れる。
成し、ΔＳｉが増加すると残留磁束密度は単調に低下す
る。また、図より、残留磁束密度を２０％以上低下させ
るためにはΔＳｉを０．５％以上とすることが必要であ
ることがわかる。ΔＳｉを増加させると残留磁束密度が
低下する原因は完全には解明されていないが、Ｓｉ濃度
により格子定数が変化することから、Ｓｉの濃度勾配を
形成することにより板内に張力が発生するためと推定さ
れる。
【００１４】したがって、本発明では、Ｓｉの濃度勾配
を形成し、表層Ｓｉ濃度のほうが板厚中心部のＳｉ濃度
より低く、表層のＳｉ濃度と板厚中心近傍の最低のＳｉ
濃度との差が０．５ｗｔ％以上であることを要件として
いる。なお、この場合において、板厚方向のＳｉ濃度を
測定する方法は特に限定されないが、Ｘ線マイクロアナ
ライザーで測定することが好適である。
を形成し、表層Ｓｉ濃度のほうが板厚中心部のＳｉ濃度
より低く、表層のＳｉ濃度と板厚中心近傍の最低のＳｉ
濃度との差が０．５ｗｔ％以上であることを要件として
いる。なお、この場合において、板厚方向のＳｉ濃度を
測定する方法は特に限定されないが、Ｘ線マイクロアナ
ライザーで測定することが好適である。
【００１５】このように鋼板の厚さ方向にＳｉの濃度勾
配をつけること自体は、特開昭６２−２２７０３３号か
ら２２７０３６号まで、特開昭６２−２２７０７７号、
および特開平４−２４６１５７号の各公報に開示されて
いる。しかし、これらの目的は、浸珪処理法で高けい素
鋼板を製造する際に、拡散処理時間を短くするため、途
中で拡散処理を中断することにあり、その結果としてＳ
ｉの濃度勾配が形成されるのであり積極的にＳｉの濃度
勾配を形成するという思想は含まれていない。また、こ
れらにおいて形成されるＳｉの濃度勾配は、本発明とは
逆に内部のほうがＳｉ濃度が低い。これらにおいて拡散
処理を中断する時間は鉄損が劣化しない範囲で決められ
ている。鉄損は種々の要因で決定されるが、これを低下
させるためには残留磁束密度を高くすることが必要であ
り、上記各公報の技術は残留磁束密度があまり低下しな
い範囲で、Ｓｉの濃度勾配の許容値を求めたものである
といえる。これに対して本発明は残留磁束密度を低下さ
せるために積極的にＳｉの濃度勾配を形成したものであ
り、濃度勾配の方向も逆である。
配をつけること自体は、特開昭６２−２２７０３３号か
ら２２７０３６号まで、特開昭６２−２２７０７７号、
および特開平４−２４６１５７号の各公報に開示されて
いる。しかし、これらの目的は、浸珪処理法で高けい素
鋼板を製造する際に、拡散処理時間を短くするため、途
中で拡散処理を中断することにあり、その結果としてＳ
ｉの濃度勾配が形成されるのであり積極的にＳｉの濃度
勾配を形成するという思想は含まれていない。また、こ
れらにおいて形成されるＳｉの濃度勾配は、本発明とは
逆に内部のほうがＳｉ濃度が低い。これらにおいて拡散
処理を中断する時間は鉄損が劣化しない範囲で決められ
ている。鉄損は種々の要因で決定されるが、これを低下
させるためには残留磁束密度を高くすることが必要であ
り、上記各公報の技術は残留磁束密度があまり低下しな
い範囲で、Ｓｉの濃度勾配の許容値を求めたものである
といえる。これに対して本発明は残留磁束密度を低下さ
せるために積極的にＳｉの濃度勾配を形成したものであ
り、濃度勾配の方向も逆である。
【００１６】本発明において、内部に向かってＳｉ濃度
が高くなるような濃度勾配を形成するのは、上述したよ
うに鉄損を低下させる観点からより有利なためである。
鉄損は添加されるＳｉ量に逆比例して低下するが、Ｓｉ
の濃度勾配を形成すると全Ｓｉ量を従来のけい素鋼板よ
り多くすることができるためより鉄損を低下させること
ができる。この効果は内部に向かってＳｉ濃度が低くな
る濃度勾配でも奏することができるが、この場合には表
面のＳｉ量が増加するため、加工性の観点からＳｉ量が
制限される。これに対して、本発明のように内部のＳｉ
濃度を高くすればこのような制約が小さく、全Ｓｉ量を
より多くしてより低鉄損のけい素鋼板を得ることができ
る。ただし、表面のＳｉ量が６．６ｗｔ％を超えると加
工性が悪くなり、部品加工時に表層から割れが発生して
破断に至るため、表面を含む表層のＳｉ量を６．６ｗｔ
％以下とすることが必要である。また、本発明では中央
のＳｉ濃度が高いのであるから、表層のＳｉ濃度は０で
もよい。したがって、本発明では表層のＳｉ濃度を０〜
６．６ｗｔ％と規定している。
が高くなるような濃度勾配を形成するのは、上述したよ
うに鉄損を低下させる観点からより有利なためである。
鉄損は添加されるＳｉ量に逆比例して低下するが、Ｓｉ
の濃度勾配を形成すると全Ｓｉ量を従来のけい素鋼板よ
り多くすることができるためより鉄損を低下させること
ができる。この効果は内部に向かってＳｉ濃度が低くな
る濃度勾配でも奏することができるが、この場合には表
面のＳｉ量が増加するため、加工性の観点からＳｉ量が
制限される。これに対して、本発明のように内部のＳｉ
濃度を高くすればこのような制約が小さく、全Ｓｉ量を
より多くしてより低鉄損のけい素鋼板を得ることができ
る。ただし、表面のＳｉ量が６．６ｗｔ％を超えると加
工性が悪くなり、部品加工時に表層から割れが発生して
破断に至るため、表面を含む表層のＳｉ量を６．６ｗｔ
％以下とすることが必要である。また、本発明では中央
のＳｉ濃度が高いのであるから、表層のＳｉ濃度は０で
もよい。したがって、本発明では表層のＳｉ濃度を０〜
６．６ｗｔ％と規定している。
【００１７】本発明では、表層Ｓｉ濃度のほうが板厚中
心部のＳｉ濃度より低い濃度勾配を形成するが、その方
法は特に限定されない。ただし、このようなＳｉの濃度
勾配を有効にかつ簡易に形成するためには、上述したよ
うにＡｌＣｌ3ガスと窒素ガスとの混合ガスを用いて、
鋼板にＡｌ濃度の高い部分を形成し、次いで拡散均熱し
てＡｌを板内部に部分的に拡散する方法を採用すること
が好ましい。
心部のＳｉ濃度より低い濃度勾配を形成するが、その方
法は特に限定されない。ただし、このようなＳｉの濃度
勾配を有効にかつ簡易に形成するためには、上述したよ
うにＡｌＣｌ3ガスと窒素ガスとの混合ガスを用いて、
鋼板にＡｌ濃度の高い部分を形成し、次いで拡散均熱し
てＡｌを板内部に部分的に拡散する方法を採用すること
が好ましい。
【００１８】Ａｌを浸透させることによりＳｉが内部に
掃き寄せられる理由は完全には解明されていないが、Ａ
ｌが浸透するとＳｉの活量係数が増大し、固溶度が低下
するためと推定される。したがって、Ａｌ以外の元素で
あっても同じ効果が得られ、ガスとして反応させるため
沸点の低い塩化物等が存在する元素であればよい。例え
ば、Ｃ，Ｍｇ，Ｐ，Ｃａ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｓｂ，Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，
Ｎｂ，Ｍｏ，Ｃｄ，Ｔａ，Ｗ，Ｓなどが考えられる。
掃き寄せられる理由は完全には解明されていないが、Ａ
ｌが浸透するとＳｉの活量係数が増大し、固溶度が低下
するためと推定される。したがって、Ａｌ以外の元素で
あっても同じ効果が得られ、ガスとして反応させるため
沸点の低い塩化物等が存在する元素であればよい。例え
ば、Ｃ，Ｍｇ，Ｐ，Ｃａ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｓｂ，Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，
Ｎｂ，Ｍｏ，Ｃｄ，Ｔａ，Ｗ，Ｓなどが考えられる。
【００１９】このようにして得られた本発明の無方向性
けい素鋼板は、低残留磁束密度および低鉄損であるた
め、これをコア材として使用することにより低突入電流
で低鉄損のトランスを得ることができる。
けい素鋼板は、低残留磁束密度および低鉄損であるた
め、これをコア材として使用することにより低突入電流
で低鉄損のトランスを得ることができる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。表
１に示す組成の０．３ｍｍ厚および０．１ｍｍ厚のけい
素鋼板を連続化学気相蒸着ラインで表面からＡｌの浸透
・拡散処理を実施した。この処理においては、Ｎ2ガス
雰囲気中で１２００℃に加熱後、２０ｖｏｌ％のＡｌＣ
ｌ3 と８０ｖｏｌ％のＮ2 との混合ガスを鋼板表面に吹
きつけて反応させ、表層にＡｌ濃化層を形成した。次い
で、Ｎ2ガス雰囲気中で均熱してＡｌを鋼板内部へ拡散
させた。この際に、均熱時間を変化させて種々のＳｉ分
布を有する鋼板を製造した。また、一部のサンプルはＡ
ｌの浸透処理に先立ち、同じラインでＳｉＣｌ4ガスを
用いてＳｉを添加して、板厚方向に均一な高Ｓｉ鋼板と
した後、上記Ａｌ浸透処理を行い、Ｓｉの濃度勾配を形
成した。
１に示す組成の０．３ｍｍ厚および０．１ｍｍ厚のけい
素鋼板を連続化学気相蒸着ラインで表面からＡｌの浸透
・拡散処理を実施した。この処理においては、Ｎ2ガス
雰囲気中で１２００℃に加熱後、２０ｖｏｌ％のＡｌＣ
ｌ3 と８０ｖｏｌ％のＮ2 との混合ガスを鋼板表面に吹
きつけて反応させ、表層にＡｌ濃化層を形成した。次い
で、Ｎ2ガス雰囲気中で均熱してＡｌを鋼板内部へ拡散
させた。この際に、均熱時間を変化させて種々のＳｉ分
布を有する鋼板を製造した。また、一部のサンプルはＡ
ｌの浸透処理に先立ち、同じラインでＳｉＣｌ4ガスを
用いてＳｉを添加して、板厚方向に均一な高Ｓｉ鋼板と
した後、上記Ａｌ浸透処理を行い、Ｓｉの濃度勾配を形
成した。
【００２１】
【表１】
【００２２】このようにして得られた鋼板の磁気特性を
測定した後、この鋼板をコアとして用いて単相５０Ｈ
ｚ、１ｋＶＡのトランスを作製した。これを１．４Ｔま
で磁化して位相制御した際の突入電流を測定した。突入
電流は定格電流との比である突入電流比で評価した。磁
気特性としては、鉄損Ｗ10／50および残留磁束密度の値
を測定した。ΔＳｉ、表層Ｓｉ濃度、鉄損、残留磁束密
度、突入電流比の値を表２に示す。
測定した後、この鋼板をコアとして用いて単相５０Ｈ
ｚ、１ｋＶＡのトランスを作製した。これを１．４Ｔま
で磁化して位相制御した際の突入電流を測定した。突入
電流は定格電流との比である突入電流比で評価した。磁
気特性としては、鉄損Ｗ10／50および残留磁束密度の値
を測定した。ΔＳｉ、表層Ｓｉ濃度、鉄損、残留磁束密
度、突入電流比の値を表２に示す。
【００２３】
【表２】
【００２４】この表に示すように、本発明の範囲内の鋼
板は、残留磁束密度が低くかつ鉄損も低いため、これら
をコアとして用いたトランスは突入電流特性に優れかつ
低損失であることが明らかとなった。
板は、残留磁束密度が低くかつ鉄損も低いため、これら
をコアとして用いたトランスは突入電流特性に優れかつ
低損失であることが明らかとなった。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
板厚方向にＳｉの濃度勾配を形成し、表層Ｓｉ濃度を板
厚中心部のＳｉ濃度より低くし、表層のＳｉ濃度と板厚
中心近傍の最低のＳｉ濃度との差を０．５ｗｔ％以上と
し、表層のＳｉ濃度を０〜６．６ｗｔ％の範囲としたの
で、低残留磁束密度で低鉄損の無方向性けい素鋼板を得
ることができる。したがって、これをコアとしてトラン
スを構成することにより、機器の大型化やコスト増大等
をもたらすことなく偏磁による突入電流を防止すること
ができ、かつ鉄損による損失を小さくすることができ
る。
板厚方向にＳｉの濃度勾配を形成し、表層Ｓｉ濃度を板
厚中心部のＳｉ濃度より低くし、表層のＳｉ濃度と板厚
中心近傍の最低のＳｉ濃度との差を０．５ｗｔ％以上と
し、表層のＳｉ濃度を０〜６．６ｗｔ％の範囲としたの
で、低残留磁束密度で低鉄損の無方向性けい素鋼板を得
ることができる。したがって、これをコアとしてトラン
スを構成することにより、機器の大型化やコスト増大等
をもたらすことなく偏磁による突入電流を防止すること
ができ、かつ鉄損による損失を小さくすることができ
る。
【図１】鋼板のΔＳｉと残留磁束密度との関係を示す
図。
図。
Claims (3)
- 【請求項１】 板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、表層
Ｓｉ濃度のほうが板厚中心部のＳｉ濃度より低く、表層
のＳｉ濃度と板厚中心近傍の最高のＳｉ濃度との差が
０．５ｗｔ％以上あり、表層のＳｉ濃度が０〜６．６ｗ
ｔ％の範囲にあることを特徴とする低残留磁束密度で低
鉄損の無方向性けい素鋼板。 - 【請求項２】 Ｓｉを６．６ｗｔ％以下含有するけい素
鋼板を、ＡｌＣｌ3ガスと窒素ガスとの混合ガスと反応
させ、鋼板表面にＡｌ濃度の高い部分を形成し、次いで
拡散均熱してＡｌを板内部に部分的に拡散させることを
特徴とする低残留磁束密度で低鉄損の無方向性けい素鋼
板の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１の鋼板をコア材に使用したこと
を特徴とする低突入電流で低損失のトランス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30995896A JPH10140302A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 低残留磁束密度で低鉄損の無方向性けい素鋼板およびその製造方法、ならびに低突入電流で低損失のトランス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30995896A JPH10140302A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 低残留磁束密度で低鉄損の無方向性けい素鋼板およびその製造方法、ならびに低突入電流で低損失のトランス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10140302A true JPH10140302A (ja) | 1998-05-26 |
Family
ID=17999414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30995896A Pending JPH10140302A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 低残留磁束密度で低鉄損の無方向性けい素鋼板およびその製造方法、ならびに低突入電流で低損失のトランス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10140302A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100453689C (zh) * | 2006-01-26 | 2009-01-21 | 北京航空航天大学 | 一种采用包埋渗硅工艺制备高硅电工钢片的方法 |
| WO2009072394A1 (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-11 | Nippon Steel Corporation | 高周波鉄損の低い無方向性電磁鋼板及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-11-07 JP JP30995896A patent/JPH10140302A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100453689C (zh) * | 2006-01-26 | 2009-01-21 | 北京航空航天大学 | 一种采用包埋渗硅工艺制备高硅电工钢片的方法 |
| WO2009072394A1 (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-11 | Nippon Steel Corporation | 高周波鉄損の低い無方向性電磁鋼板及びその製造方法 |
| JP4585609B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2010-11-24 | 新日本製鐵株式会社 | 高周波鉄損の低い無方向性電磁鋼板及びその製造方法 |
| JPWO2009072394A1 (ja) * | 2007-12-03 | 2011-04-21 | 新日本製鐵株式会社 | 高周波鉄損の低い無方向性電磁鋼板及びその製造方法 |
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