JP3460569B2 - 残留磁束密度が低い珪素鋼板 - Google Patents
残留磁束密度が低い珪素鋼板Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、偏磁による突入電
流が間題となるトランス、リアクトル、変成器（ＣＴ）
やモータなどの鉄心として用いられる残留磁束密度の低
い珪素鋼板に関する。
流が間題となるトランス、リアクトル、変成器（ＣＴ）
やモータなどの鉄心として用いられる残留磁束密度の低
い珪素鋼板に関する。
【０００２】
【従来の技術】トランス、モータ等の鉄心に使用される
珪素鋼板は、磁束密度を高め、鉄損を低下させる方向で
研究が行われ、角形比の大きい材料が開発されてきた。
しかし、その結果、残留磁束密度が大きくなり、トラン
ス等の機器とした場合、偏磁によりさまざまな問題が発
生している。
珪素鋼板は、磁束密度を高め、鉄損を低下させる方向で
研究が行われ、角形比の大きい材料が開発されてきた。
しかし、その結果、残留磁束密度が大きくなり、トラン
ス等の機器とした場合、偏磁によりさまざまな問題が発
生している。
【０００３】そこで、本発明者らは、先に、偏磁の原因
である残留磁束密度を低下させるには板厚方向にＳｉの
濃度勾配を形成することが有効なことを見出し、特許出
願した（特開平９−１８４０５１号公報）。また、板厚
方向にＳｉの濃度勾配を形成することは特開昭６２−２
２７０３３号から特開昭６２−２２７０３６号公報、お
よび特開平４−２４６１５７号公報に開示されている。
である残留磁束密度を低下させるには板厚方向にＳｉの
濃度勾配を形成することが有効なことを見出し、特許出
願した（特開平９−１８４０５１号公報）。また、板厚
方向にＳｉの濃度勾配を形成することは特開昭６２−２
２７０３３号から特開昭６２−２２７０３６号公報、お
よび特開平４−２４６１５７号公報に開示されている。
【０００４】しかし、特開平９−１８４０５１号公報に
開示されたように確かに残留磁束密度は低下するもの
の、珪素鋼板において所望の低残留磁束密度を達成する
ために必要なＳｉ濃度勾配の値自体は不明であった。こ
のため、Ｓｉ濃度勾配が形成されていても十分な低残留
磁束密度が達成されない場合や、低残留磁束密度は達成
されるものの鉄損が増大し、透磁率が低下する問題が発
生する場合がある。
開示されたように確かに残留磁束密度は低下するもの
の、珪素鋼板において所望の低残留磁束密度を達成する
ために必要なＳｉ濃度勾配の値自体は不明であった。こ
のため、Ｓｉ濃度勾配が形成されていても十分な低残留
磁束密度が達成されない場合や、低残留磁束密度は達成
されるものの鉄損が増大し、透磁率が低下する問題が発
生する場合がある。
【０００５】一方、上記特開昭６２−２２７０３３号か
ら特開昭６２−２２７０３６号公報、および特開平４−
２４６１５７号公報において板板厚方向にＳｉ濃度勾配
を形成する目的は、浸珪法（ＣＶＤ法）で製造する６．
５ｗｔ．％珪素鋼板の生産効率の向上、鉄損の向上、お
よび加工性の向上であり、低残留密度特性については全
く触れられていない。
ら特開昭６２−２２７０３６号公報、および特開平４−
２４６１５７号公報において板板厚方向にＳｉ濃度勾配
を形成する目的は、浸珪法（ＣＶＤ法）で製造する６．
５ｗｔ．％珪素鋼板の生産効率の向上、鉄損の向上、お
よび加工性の向上であり、低残留密度特性については全
く触れられていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる事情に
鑑みてなされたものであって、安定して低い残留磁束密
度を示し、磁気特性バランスの優れた珪素鋼板を提供す
ることを目的とする。
鑑みてなされたものであって、安定して低い残留磁束密
度を示し、磁気特性バランスの優れた珪素鋼板を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、所望の低
残留磁束密度を達成するために必要なＳｉ濃度勾配の解
析と実験とを行った。上記特開平９−１８４０５１号公
報に開示されている残留磁束密度低下のメカニズムは磁
区構造から検討したものである。そこに開示されたよう
な磁区構造となる理由を磁気弾性エネルギーから解析し
た。その結果、エネルギー的見地からはＳｉ濃度勾配に
より低残留磁束密度化するのは以下のような理由による
と推定される。
残留磁束密度を達成するために必要なＳｉ濃度勾配の解
析と実験とを行った。上記特開平９−１８４０５１号公
報に開示されている残留磁束密度低下のメカニズムは磁
区構造から検討したものである。そこに開示されたよう
な磁区構造となる理由を磁気弾性エネルギーから解析し
た。その結果、エネルギー的見地からはＳｉ濃度勾配に
より低残留磁束密度化するのは以下のような理由による
と推定される。
【０００８】Ｓｉの濃度勾配により板厚方向に磁歪の分
布が形成される。磁歪に分布があると、磁化された時に
板厚方向の表層と内部で応力が発生し、磁気弾性エネル
ギーが高まる。残留磁化も磁化状態であるため残留磁気
が大きいとエネルギー的に不利となるため、磁歪分布す
なわち濃度勾配があると残留磁気が小さい磁区構造とな
ると推定される。
布が形成される。磁歪に分布があると、磁化された時に
板厚方向の表層と内部で応力が発生し、磁気弾性エネル
ギーが高まる。残留磁化も磁化状態であるため残留磁気
が大きいとエネルギー的に不利となるため、磁歪分布す
なわち濃度勾配があると残留磁気が小さい磁区構造とな
ると推定される。
【０００９】このように、低残留磁束密度化する上で、
Ｓｉの濃度勾配の値自体が重要な因子の一つであり、本
発明はこのような検討結果に基づき、所望の低残留磁束
密度を得ることができるＳｉ濃度勾配を把握したもので
ある。
Ｓｉの濃度勾配の値自体が重要な因子の一つであり、本
発明はこのような検討結果に基づき、所望の低残留磁束
密度を得ることができるＳｉ濃度勾配を把握したもので
ある。
【００１０】すなわち、本発明は、Ｃ≦０．０２ｗｔ．
％、０．０５ｗｔ．％≦Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦
０．０１ｗｔ．％、Ｓ≦０．０２ｗｔ．％、０．００１
ｗｔ．％≦ｓｏｌ．Ａｌ≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．
０１ｗｔ．％であり、Ｓｉを平均で７ｗｔ．％以下含有
し、残部実質的にＦｅからなり、板厚方向にＳｉの濃度
勾配を有し、濃度勾配が３ｗｔ．％／ｍｍ以上であるこ
とを特徴とする、残留磁束密度が低い珪素鋼板を提供す
る。Ｓｉの濃度勾配のさらに好ましい範囲は、４．５ｗ
ｔ．％／ｍｍ以上である。
％、０．０５ｗｔ．％≦Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦
０．０１ｗｔ．％、Ｓ≦０．０２ｗｔ．％、０．００１
ｗｔ．％≦ｓｏｌ．Ａｌ≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．
０１ｗｔ．％であり、Ｓｉを平均で７ｗｔ．％以下含有
し、残部実質的にＦｅからなり、板厚方向にＳｉの濃度
勾配を有し、濃度勾配が３ｗｔ．％／ｍｍ以上であるこ
とを特徴とする、残留磁束密度が低い珪素鋼板を提供す
る。Ｓｉの濃度勾配のさらに好ましい範囲は、４．５ｗ
ｔ．％／ｍｍ以上である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明について具体的に説
明する。上述したように、鉄心材料として用いられる珪
素鋼板は残留磁束密度が低いことが必要であり、そのた
めに本発明では板厚方向のＳｉの濃度勾配を規定する。
すなわち、上述したようにＳｉ濃度勾配が存在すると残
留磁気が小さい磁区構造となる推定され、低残留磁束密
度化する上で、Ｓｉ濃度勾配の値自体が重要な因子とな
る。
明する。上述したように、鉄心材料として用いられる珪
素鋼板は残留磁束密度が低いことが必要であり、そのた
めに本発明では板厚方向のＳｉの濃度勾配を規定する。
すなわち、上述したようにＳｉ濃度勾配が存在すると残
留磁気が小さい磁区構造となる推定され、低残留磁束密
度化する上で、Ｓｉ濃度勾配の値自体が重要な因子とな
る。
【００１２】そこで、どの程度のＳｉ濃度勾配があれば
所望の低残留磁束密度が得られるかを検討した。その結
果を表１に示す。なお、表１に示す濃度勾配（ｗｔ．％
／ｍｍ）はＳｉ濃度が傾斜している部分における板厚方
向のＳｉ濃度差（ｗｔ．％）を板厚方向の距離（ｍｍ）
で割った値であり、その例を図１または図２に示す。図
１は鋼板表層部と中心部にＳｉ濃度一定の領域がある場
合であり、図２はＳｉ濃度一定の領域がない場合であ
る。
所望の低残留磁束密度が得られるかを検討した。その結
果を表１に示す。なお、表１に示す濃度勾配（ｗｔ．％
／ｍｍ）はＳｉ濃度が傾斜している部分における板厚方
向のＳｉ濃度差（ｗｔ．％）を板厚方向の距離（ｍｍ）
で割った値であり、その例を図１または図２に示す。図
１は鋼板表層部と中心部にＳｉ濃度一定の領域がある場
合であり、図２はＳｉ濃度一定の領域がない場合であ
る。
【００１３】
【表１】
【００１４】表１に示すように、残留磁束密度を実用的
な０．４Ｔ以下とするためにはＳｉ濃度勾配が３ｗｔ．
％／ｍｍ以上であればよい。また、Ｓｉ濃度勾配が４．
５ｗｔ．％／ｍｍ以上であれば、残留磁束密度は０．３
Ｔ以下のより好ましい値となる。
な０．４Ｔ以下とするためにはＳｉ濃度勾配が３ｗｔ．
％／ｍｍ以上であればよい。また、Ｓｉ濃度勾配が４．
５ｗｔ．％／ｍｍ以上であれば、残留磁束密度は０．３
Ｔ以下のより好ましい値となる。
【００１５】低残留磁束密度化に必要とされるＳｉ濃度
勾配値は、製品板厚が０．０５〜０．６５ｍｍの間で変
化しても大きくは変わらないが、板厚が薄い場合はより
大きな値が必要とされる傾向にある。
勾配値は、製品板厚が０．０５〜０．６５ｍｍの間で変
化しても大きくは変わらないが、板厚が薄い場合はより
大きな値が必要とされる傾向にある。
【００１６】本発明において、平均Ｓｉ濃度は７ｗｔ．
％以下とするが、これは７ｗｔ．％を超えると加工性が
劣化し、部品加工が不可能となるからである。
％以下とするが、これは７ｗｔ．％を超えると加工性が
劣化し、部品加工が不可能となるからである。
【００１７】次に、Ｓｉ以外の元素の限定理由について
説明する。Ｃは多量に含有されると磁気時効を引き起こ
すため、その上限を０．０２ｗｔ．％とする。その下限
は特に規定されないが、経済的に除去する観点からはそ
の下限を０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
説明する。Ｃは多量に含有されると磁気時効を引き起こ
すため、その上限を０．０２ｗｔ．％とする。その下限
は特に規定されないが、経済的に除去する観点からはそ
の下限を０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
【００１８】Ｍｎは多量に含有されると鋼板が脆くなる
ため、その上限を０．５ｗｔ．％とする。ただし、その
含有量が低く過ぎると、熱延工程で破断や表面キズを誘
発するため、その下限を０．０５ｗｔ．％とする。
ため、その上限を０．５ｗｔ．％とする。ただし、その
含有量が低く過ぎると、熱延工程で破断や表面キズを誘
発するため、その下限を０．０５ｗｔ．％とする。
【００１９】Ｐは磁気特性から見ると好ましい元素であ
るが、多量に含有されると鋼板の加工性を劣化させるた
め、その上限を０．０１ｗｔ．％とする。その下限は特
に規定されないが、経済的に除去する観点からはその下
限を０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
るが、多量に含有されると鋼板の加工性を劣化させるた
め、その上限を０．０１ｗｔ．％とする。その下限は特
に規定されないが、経済的に除去する観点からはその下
限を０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
【００２０】Ｓは加工性を劣化させるため、その上限を
０．０２ｗｔ．％とする必要がある。その下限は特に規
定されないが、経済的に除去する観点からはその下限を
０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
０．０２ｗｔ．％とする必要がある。その下限は特に規
定されないが、経済的に除去する観点からはその下限を
０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
【００２１】ｓｏｌ．Ａ１は同じく加工性を害するた
め、その上限を０．０６ｗｔ．％とする。一方、脱酸剤
としての必要性からその下限を０．００１ｗｔ．％とす
る。
め、その上限を０．０６ｗｔ．％とする。一方、脱酸剤
としての必要性からその下限を０．００１ｗｔ．％とす
る。
【００２２】Ｎは多量に含有されると窒化物を形成して
磁気特性を劣化させるため、その上限を０．０１ｗｔ．
％とする必要がある。その下限は特に規定されないが、
現在の製鋼技術を考慮すると事実上０．０００１ｗｔ．
％が下限となる。
磁気特性を劣化させるため、その上限を０．０１ｗｔ．
％とする必要がある。その下限は特に規定されないが、
現在の製鋼技術を考慮すると事実上０．０００１ｗｔ．
％が下限となる。
【００２３】本発明に係るＳｉの濃度勾配を有する珪素
鋼板は種々の方法で製造することができ、その製造方法
は限定されない。例えば、化字気相蒸着（ＣＶＤ、浸珪
処理）法、物理気相蒸着（ＰＶＤ）法、クラツド技術、
めっき技術によって製造することが可能である。
鋼板は種々の方法で製造することができ、その製造方法
は限定されない。例えば、化字気相蒸着（ＣＶＤ、浸珪
処理）法、物理気相蒸着（ＰＶＤ）法、クラツド技術、
めっき技術によって製造することが可能である。
【００２４】例としてＣＶＤ法での製造方法を説明す
る。まず、例えば３ｗｔ．％珪素鋼の冷間圧延コイルを
通常の鋼板製造プロセスで製造する。このコイルをＣＶ
Ｄ処理してＳｉ濃度勾配を有する鋼板とする。すなわ
ち、非酸化性雰囲気中で１１００℃以上に加熱してＳｉ
化合物ガス、例えばＳｉＣｌ4ガスと反応させ表面に高
Ｓｉ濃度のＳｉ層を形成する。引き続き拡散処理を行
い、Ｓｉを鋼板内部に必要量拡散させ、目的とする平均
Ｓｉ量およびＳｉ濃度勾配を有する珪素鋼板を製造す
る。
る。まず、例えば３ｗｔ．％珪素鋼の冷間圧延コイルを
通常の鋼板製造プロセスで製造する。このコイルをＣＶ
Ｄ処理してＳｉ濃度勾配を有する鋼板とする。すなわ
ち、非酸化性雰囲気中で１１００℃以上に加熱してＳｉ
化合物ガス、例えばＳｉＣｌ4ガスと反応させ表面に高
Ｓｉ濃度のＳｉ層を形成する。引き続き拡散処理を行
い、Ｓｉを鋼板内部に必要量拡散させ、目的とする平均
Ｓｉ量およびＳｉ濃度勾配を有する珪素鋼板を製造す
る。
【００２５】なお、本発明において平均Ｓｉとは全板厚
に対するＳｉ濃度の平均値を意味し、例えば製品厚さの
まま化学分析することにより得ることができる値であ
る。また、Ｓｉ濃度の最大と最小は、全板厚をＥＰＭＡ
分析して得られるＳｉ濃度プロファイルから決定するこ
とができる。さらに、各元素の濃度は製品での濃度であ
る。さらにまた、残留磁束密度は、直流で１．２Ｔ励磁
後の値である。
に対するＳｉ濃度の平均値を意味し、例えば製品厚さの
まま化学分析することにより得ることができる値であ
る。また、Ｓｉ濃度の最大と最小は、全板厚をＥＰＭＡ
分析して得られるＳｉ濃度プロファイルから決定するこ
とができる。さらに、各元素の濃度は製品での濃度であ
る。さらにまた、残留磁束密度は、直流で１．２Ｔ励磁
後の値である。
【００２６】
【実施例】表２に示す組成（Ｓｉ以外は商品となった時
点での組成。ＳｉはＣＶＤ処理前の組成）の板厚０．０
５〜０．５ｍｍの鋼板を通常の鉄鋼製造プロセスで製造
した。これをＣＶＤ処理して種々のＳｉ平均濃度と濃度
分布を持つ鋼板を得た。表３にその際の平均Ｓｉ濃度と
Ｓｉ濃度勾配を示す。そして、これら鋼板の残留磁束密
度を測定した。その結果を表３に併記する。
点での組成。ＳｉはＣＶＤ処理前の組成）の板厚０．０
５〜０．５ｍｍの鋼板を通常の鉄鋼製造プロセスで製造
した。これをＣＶＤ処理して種々のＳｉ平均濃度と濃度
分布を持つ鋼板を得た。表３にその際の平均Ｓｉ濃度と
Ｓｉ濃度勾配を示す。そして、これら鋼板の残留磁束密
度を測定した。その結果を表３に併記する。
【００２７】
【表２】
【００２８】
【表３】
【００２９】表３に示すように、Ｓｉ濃度勾配が３ｗ
ｔ．％／ｍｍ以上の本発明材は、０．４Ｔ以下の低い残
留磁束密度を示すことが確認された。
ｔ．％／ｍｍ以上の本発明材は、０．４Ｔ以下の低い残
留磁束密度を示すことが確認された。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
安定して低い残留磁束密度を示し、磁気特性バランスの
優れた珪素鋼板を得ることができる。
安定して低い残留磁束密度を示し、磁気特性バランスの
優れた珪素鋼板を得ることができる。
【図１】鋼板表層および中心部に濃度一定領域を有する
場合のＳｉ濃度勾配の定義を説明するための図。
場合のＳｉ濃度勾配の定義を説明するための図。
【図２】濃度一定領域のない場合のＳｉ濃度勾配の定義
を説明するための図。
を説明するための図。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−9705（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−263198（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−302449（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−184051（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C22C 38/00 303
C22C 38/02
H01F 27/25
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｃ≦０．０２ｗｔ．％、０．０５ｗｔ．
％≦Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦０．０１ｗｔ．％、Ｓ
≦０．０２ｗｔ．％、０．００１ｗｔ．％≦ｓｏｌ．Ａ
ｌ≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．０１ｗｔ．％であり、
Ｓｉを平均で７ｗｔ．％以下含有し、残部実質的にＦｅ
からなり、板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、濃度勾配
が３ｗｔ．％／ｍｍ以上であることを特徴とする、残留
磁束密度が低い珪素鋼板。 - 【請求項２】 Ｓｉの濃度勾配が４．５ｗｔ．％／ｍｍ
以上であることを特徴とする、請求項１に記載の残留磁
束密度が低い珪素鋼板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07862198A JP3460569B2 (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 残留磁束密度が低い珪素鋼板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07862198A JP3460569B2 (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 残留磁束密度が低い珪素鋼板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11256288A JPH11256288A (ja) | 1999-09-21 |
| JP3460569B2 true JP3460569B2 (ja) | 2003-10-27 |
Family
ID=13666969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07862198A Expired - Fee Related JP3460569B2 (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 残留磁束密度が低い珪素鋼板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3460569B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106591708A (zh) * | 2016-12-21 | 2017-04-26 | 山东钢铁股份有限公司 | 一种短流程生产低碳低硅含铝钢的生产方法 |
-
1998
- 1998-03-12 JP JP07862198A patent/JP3460569B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11256288A (ja) | 1999-09-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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