JPH10135215A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
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- JPH10135215A JPH10135215A JP28645296A JP28645296A JPH10135215A JP H10135215 A JPH10135215 A JP H10135215A JP 28645296 A JP28645296 A JP 28645296A JP 28645296 A JP28645296 A JP 28645296A JP H10135215 A JPH10135215 A JP H10135215A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッシベーション膜を用いずにウエハの上面
に電気めっきを行ってバンプを形成する方法を提供す
る。 【解決手段】 ウエハ10の上面にパッド部を露出させ
る第1開口部を有する第1レジスト層を形成する工程
と、第1開口部に露出したパッド部上にアンダーバンプ
メタル(UBM)層18b,18c,18d,18e を形成する工程
と、第1レジスト層を除去した後、アンダーバンプメタ
ル層を露出する第2開口部19a,19b,19c,19d を有する第
2レジスト層20をウエハの上面に形成する工程と、アン
ダーバンプメタル層上に電気めっきを行ってバンプを形
成する工程とを含む。
に電気めっきを行ってバンプを形成する方法を提供す
る。 【解決手段】 ウエハ10の上面にパッド部を露出させ
る第1開口部を有する第1レジスト層を形成する工程
と、第1開口部に露出したパッド部上にアンダーバンプ
メタル(UBM)層18b,18c,18d,18e を形成する工程
と、第1レジスト層を除去した後、アンダーバンプメタ
ル層を露出する第2開口部19a,19b,19c,19d を有する第
2レジスト層20をウエハの上面に形成する工程と、アン
ダーバンプメタル層上に電気めっきを行ってバンプを形
成する工程とを含む。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、パッシベーショ
ン膜を用いずにウエハの上面に電気めっきを行ってバン
プを形成する方法に関するものである。
ン膜を用いずにウエハの上面に電気めっきを行ってバン
プを形成する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、弾性表面波(SAW)フィルタ素
子の電極パターンのパッド部にバンプを形成する方法と
しては、文献I(IMET SYMPOSIUM 19
93、JAPAN p.110、p.111)及び文献
II(信学技報 CPM95−34、1995−07、
p.49)に開示された方法がある。
子の電極パターンのパッド部にバンプを形成する方法と
しては、文献I(IMET SYMPOSIUM 19
93、JAPAN p.110、p.111)及び文献
II(信学技報 CPM95−34、1995−07、
p.49)に開示された方法がある。
【0003】文献I及び文献IIに開示されているバン
プ形成方法は、いずれもウエハ上に形成されたAl電極
パターンに設けたパッド部に、スタッドバンプを形成
し、その後、スタッドバンプの高さのバラツキを修正す
るため、平坦化加工を行ってバンプ高さを揃える。その
後、SAWフィルタ素子と支持体とを電気的に接続す
る。上述した従来のバンプ形成方法では、1つのチップ
毎にバンプ高さを平坦にするため生産効率が低下すると
いう問題がある。
プ形成方法は、いずれもウエハ上に形成されたAl電極
パターンに設けたパッド部に、スタッドバンプを形成
し、その後、スタッドバンプの高さのバラツキを修正す
るため、平坦化加工を行ってバンプ高さを揃える。その
後、SAWフィルタ素子と支持体とを電気的に接続す
る。上述した従来のバンプ形成方法では、1つのチップ
毎にバンプ高さを平坦にするため生産効率が低下すると
いう問題がある。
【0004】また、パッド部にスタッドバンプを形成す
る方法は、ワイヤボンデイングで1個づつパッド部にバ
ンプを形成しているので、生産効率が悪い。また、バン
プとしてワイヤを使用しているので、バンプ径がどうし
ても大きくなり、このためSAWフィルタ部品を製作す
る上で小型化できないという問題がある。
る方法は、ワイヤボンデイングで1個づつパッド部にバ
ンプを形成しているので、生産効率が悪い。また、バン
プとしてワイヤを使用しているので、バンプ径がどうし
ても大きくなり、このためSAWフィルタ部品を製作す
る上で小型化できないという問題がある。
【0005】スタッドバンプ法に代わるバンプ形成方法
としては、文献III(月刊セミコンダクターワール
ド、1990年増刊号、p.229)に開示されている
電気めっきを行ってバンプを形成する方法とか文献IV
(ISHM、 '93Proceedings、p.44
0)に開示されている無電解めっきを行ってバンプを形
成する方法等がある。
としては、文献III(月刊セミコンダクターワール
ド、1990年増刊号、p.229)に開示されている
電気めっきを行ってバンプを形成する方法とか文献IV
(ISHM、 '93Proceedings、p.44
0)に開示されている無電解めっきを行ってバンプを形
成する方法等がある。
【0006】しかし、無電解めっき法ではAl電極とバ
ンプとの密着強度がスタッドバンプ法や電気めっき法に
比べて劣り、バンプ自体の電気抵抗も高いという問題が
あるので、好ましくない。
ンプとの密着強度がスタッドバンプ法や電気めっき法に
比べて劣り、バンプ自体の電気抵抗も高いという問題が
あるので、好ましくない。
【0007】文献IIIに開示されている電気めっき法
によれば、ウエハ(Siウエハ)上にシリコン酸化(S
iO2 )膜を形成し、このシリコン酸化膜上に電極パタ
ーン(Al電極)を形成する。その後、上記電極パター
ン及びシリコン酸化膜を保護するため、電極パターンの
上面のみを露出させ、その他の領域を保護膜(パッシベ
ーション膜)で覆う。
によれば、ウエハ(Siウエハ)上にシリコン酸化(S
iO2 )膜を形成し、このシリコン酸化膜上に電極パタ
ーン(Al電極)を形成する。その後、上記電極パター
ン及びシリコン酸化膜を保護するため、電極パターンの
上面のみを露出させ、その他の領域を保護膜(パッシベ
ーション膜)で覆う。
【0008】更に、バンプと電極パターンとの密着性を
良くしかつ拡散を防止するため、パッシベーション膜及
び電極パターンの上面全体にアンダーバンプメタル(U
BM)層を形成する。
良くしかつ拡散を防止するため、パッシベーション膜及
び電極パターンの上面全体にアンダーバンプメタル(U
BM)層を形成する。
【0009】次に、UBM層上にレジストを塗布した
後、フォトリソグラフィ法を用いてパッド部に開口部を
有するレジスト層を形成する。その後、UBM層を給電
膜に用いて金(Au)の電気めっきを行ってパッド部上
にAuバンプを形成する。その後、レジスト層を除去
し、パッシベーション膜上に露出しているUBM層をエ
ッチング除去する。このような一連の工程を経てウエハ
の上側にAuバンプを形成する。
後、フォトリソグラフィ法を用いてパッド部に開口部を
有するレジスト層を形成する。その後、UBM層を給電
膜に用いて金(Au)の電気めっきを行ってパッド部上
にAuバンプを形成する。その後、レジスト層を除去
し、パッシベーション膜上に露出しているUBM層をエ
ッチング除去する。このような一連の工程を経てウエハ
の上側にAuバンプを形成する。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、SAW
フィルタのようにウエハ上面にパッシベーション膜がな
い素子には、上面に給電膜としてのアンダーバンプメタ
ル層を直接形成することはできない。このため、従来は
パッシベーション膜のない素子に対して電気めっき法に
よるバンプ形成が行われていなかった。
フィルタのようにウエハ上面にパッシベーション膜がな
い素子には、上面に給電膜としてのアンダーバンプメタ
ル層を直接形成することはできない。このため、従来は
パッシベーション膜のない素子に対して電気めっき法に
よるバンプ形成が行われていなかった。
【0011】そこで、パッシベーション膜を形成せずに
電気めっきを行ってバンプを形成する方法の実現が望ま
れていた。
電気めっきを行ってバンプを形成する方法の実現が望ま
れていた。
【0012】
【課題を解決するための手段】このため、この発明のバ
ンプ形成方法によれば、ウエハの上面に設けた電極パタ
ーンのパッド部にバンプを形成するに当たり、(a)ウ
エハの上面にパッド部を露出させる第1開口部を有する
第1レジスト層を形成する工程と、(b)第1開口部に
露出したパッド部上にアンダーバンプメタル(UBM)
層を形成する工程と、(c)第1レジスト層を除去した
後、アンダーバンプメタル層を露出する第2開口部を有
する第2レジスト層をウエハの上面に形成する工程と、
(d)電気めっきを行ってアンダーバンプメタル層上に
バンプを形成する工程とを含むことを特徴とする。
ンプ形成方法によれば、ウエハの上面に設けた電極パタ
ーンのパッド部にバンプを形成するに当たり、(a)ウ
エハの上面にパッド部を露出させる第1開口部を有する
第1レジスト層を形成する工程と、(b)第1開口部に
露出したパッド部上にアンダーバンプメタル(UBM)
層を形成する工程と、(c)第1レジスト層を除去した
後、アンダーバンプメタル層を露出する第2開口部を有
する第2レジスト層をウエハの上面に形成する工程と、
(d)電気めっきを行ってアンダーバンプメタル層上に
バンプを形成する工程とを含むことを特徴とする。
【0013】この発明では、第1開口部を有するレジス
ト層を用いて予め電極パターンのパッド部にアンダーバ
ンプメタル層(以下UBM層という)を形成しておき、
このUBM層を露出する第2開口部を有する第2レジス
ト層を形成した構造体をめっき溶液に浸漬させパッド部
側を陰極にして、電気めっきを行ってUBM層上にバン
プを形成する。
ト層を用いて予め電極パターンのパッド部にアンダーバ
ンプメタル層(以下UBM層という)を形成しておき、
このUBM層を露出する第2開口部を有する第2レジス
ト層を形成した構造体をめっき溶液に浸漬させパッド部
側を陰極にして、電気めっきを行ってUBM層上にバン
プを形成する。
【0014】このため、ウエハに対し電気めっきによる
電解処理を施しても第2レジスト層が保護膜となるた
め、ウエハ上面に電極パターンが形成された素子、例え
ば弾性表面波(SAW)フィルタの特性を劣化させるこ
とはなくなる。
電解処理を施しても第2レジスト層が保護膜となるた
め、ウエハ上面に電極パターンが形成された素子、例え
ば弾性表面波(SAW)フィルタの特性を劣化させるこ
とはなくなる。
【0015】また、電気めっきを行ってUBM層上にバ
ンプを形成するため、バンプの高さのバラツキが従来の
スタッドバンプに比べ、小さくなる。このため、バンプ
高さの平坦化加工が必要なくなる。
ンプを形成するため、バンプの高さのバラツキが従来の
スタッドバンプに比べ、小さくなる。このため、バンプ
高さの平坦化加工が必要なくなる。
【0016】また、第2レジスト層の第2開口部をリソ
グラフィ技術を用いて形成するので、第2開口部の形状
を精度良くかつ小型に形成することができる。したがっ
て、この発明では、バンプ径(直径)を従来のスタッド
バンプ法のバンプ径に比べ、小さくできるので、SAW
フィルタ部品の小型化が可能となる。
グラフィ技術を用いて形成するので、第2開口部の形状
を精度良くかつ小型に形成することができる。したがっ
て、この発明では、バンプ径(直径)を従来のスタッド
バンプ法のバンプ径に比べ、小さくできるので、SAW
フィルタ部品の小型化が可能となる。
【0017】また、この発明では、好ましくは、UBM
層を形成するための第1レジスト層の第1開口部の断面
形状を逆テーパ状に形成するのが良い。
層を形成するための第1レジスト層の第1開口部の断面
形状を逆テーパ状に形成するのが良い。
【0018】このように、第1レジスト層の第1開口部
の断面形状を逆テーパ状に形成することにより、UBM
層を蒸着法を用いて形成したとき、第1レジスト層の上
面に形成されたUBM層とパッド部上に形成されたUB
M層とが段切れされるので、第1開口部の部分で容易に
UBM層を分離することができる。
の断面形状を逆テーパ状に形成することにより、UBM
層を蒸着法を用いて形成したとき、第1レジスト層の上
面に形成されたUBM層とパッド部上に形成されたUB
M層とが段切れされるので、第1開口部の部分で容易に
UBM層を分離することができる。
【0019】また、この発明では、好ましくはパッド部
に接続された給電用配線パターンを、電極パターンと同
時に形成するのが良い。
に接続された給電用配線パターンを、電極パターンと同
時に形成するのが良い。
【0020】このように、配線パターンをウエハの上面
に形成することにより、電気めっきを行うとき、この配
線パターンを給電膜として使用することができる。
に形成することにより、電気めっきを行うとき、この配
線パターンを給電膜として使用することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、図を参照して、この発明の
バンプ形成方法の実施の形態につき説明する。なお、こ
の発明では、ウエハ上にパッシベーション膜を形成しな
い弾性表面波(SAW)フィルタ素子のバンプ形成方法
を例に取って詳細に説明する。図1〜図5は、この発明
が理解できる程度に各構成成分の形状、大きさ及び配置
関係を概略的に示してあるにすぎない。また、図1の
(A)及び(C)、図2の(B)及び図3の(A)に示
すハッチング線は断面を表わすのではなく、図を分かり
やすくするために付した斜線である。
バンプ形成方法の実施の形態につき説明する。なお、こ
の発明では、ウエハ上にパッシベーション膜を形成しな
い弾性表面波(SAW)フィルタ素子のバンプ形成方法
を例に取って詳細に説明する。図1〜図5は、この発明
が理解できる程度に各構成成分の形状、大きさ及び配置
関係を概略的に示してあるにすぎない。また、図1の
(A)及び(C)、図2の(B)及び図3の(A)に示
すハッチング線は断面を表わすのではなく、図を分かり
やすくするために付した斜線である。
【0022】[弾性表面波フィルタの構造説明]弾性表
面波フィルタ(以下SAWフィルタという)のバンプ形
成方法の説明に先立ち、図5を参照して、SAWフィル
タの構造につき説明する。なお、図5は、SAWフィル
タの構造を説明するための斜視図である。
面波フィルタ(以下SAWフィルタという)のバンプ形
成方法の説明に先立ち、図5を参照して、SAWフィル
タの構造につき説明する。なお、図5は、SAWフィル
タの構造を説明するための斜視図である。
【0023】SAWフィルタ24は、1つのチップの圧
電基板10上に2組の相対向する電極パターン13a及
び13bと13c及び13dとを具えている。ここで
は、電極パターン13a、13b、13c及び13dの
パッド部を12a,12d,12e及び12hの符号で
示し、電極パターン部を12b,12c,12f及び1
2gで示す。
電基板10上に2組の相対向する電極パターン13a及
び13bと13c及び13dとを具えている。ここで
は、電極パターン13a、13b、13c及び13dの
パッド部を12a,12d,12e及び12hの符号で
示し、電極パターン部を12b,12c,12f及び1
2gで示す。
【0024】次に、図1〜図4を参照して、図5のSA
Wフィルタのパッド部上にバンプを形成する方法につき
説明する。なお、図1〜図3は、SAWフィルタのパッ
ド部にバンプを形成する工程を説明するための平面図、
及びX−X線に沿って切断した位置での断面図であり、
図4はバンプ形成後のバンプ付きSAWフィルタ構造を
説明するための斜視図である。
Wフィルタのパッド部上にバンプを形成する方法につき
説明する。なお、図1〜図3は、SAWフィルタのパッ
ド部にバンプを形成する工程を説明するための平面図、
及びX−X線に沿って切断した位置での断面図であり、
図4はバンプ形成後のバンプ付きSAWフィルタ構造を
説明するための斜視図である。
【0025】この実施の形態では、ウエハ10として圧
電基板を用いる。この圧電基板10上にフォトリソグラ
フィにより2組の相対向する電極パターン13a及び1
3bと13c及び13dとを形成する。また、この電極
パターン13a,13b,13c及び13dに接続され
た配線パターン14(14a及び14b)を同時に形成
する(図1の(A)及び(B))。ここでは、配線パタ
ーン14の内部に2組の電極パターン13a及び13b
と13c及び13dとを示しているが、実際には圧電基
板10上に複数個の配線パターン14に接続された電極
パターン13a,13b,13c及び13dが多数配設
されている。なお、ここでは、電極パターン13a,1
3b,13c及び13d及び配線パターン14の材料を
アルミニウム(Al)とする。したがって、この実施の
形態では、電極パターン13a,13b,13c及び1
3dをAl電極とも称する。
電基板を用いる。この圧電基板10上にフォトリソグラ
フィにより2組の相対向する電極パターン13a及び1
3bと13c及び13dとを形成する。また、この電極
パターン13a,13b,13c及び13dに接続され
た配線パターン14(14a及び14b)を同時に形成
する(図1の(A)及び(B))。ここでは、配線パタ
ーン14の内部に2組の電極パターン13a及び13b
と13c及び13dとを示しているが、実際には圧電基
板10上に複数個の配線パターン14に接続された電極
パターン13a,13b,13c及び13dが多数配設
されている。なお、ここでは、電極パターン13a,1
3b,13c及び13d及び配線パターン14の材料を
アルミニウム(Al)とする。したがって、この実施の
形態では、電極パターン13a,13b,13c及び1
3dをAl電極とも称する。
【0026】また、Al電極13a、13b,13c及
び13dの形状を、すだれ状とする。
び13dの形状を、すだれ状とする。
【0027】次に、圧電基板10の上面にパッド部12
a,12d,12e及び12hを露出させる第1開口部
15を有する第1レジスト層16を形成する(図1の
(D))。このとき、第1開口部15の断面形状を逆テ
ーパ状に形成する。
a,12d,12e及び12hを露出させる第1開口部
15を有する第1レジスト層16を形成する(図1の
(D))。このとき、第1開口部15の断面形状を逆テ
ーパ状に形成する。
【0028】その後、第1開口部15に露出したパッド
部12a,12d,12e及び12h上及び第1レジス
ト層16の上面に、蒸着法を用いてアンダーバンプメタ
ル層(以下UBM層という)18を形成する(図1の
(C)及び(D))。なお、図1の(C)は、第1レジ
スト層16を除いた状態の基板の平面を示す。
部12a,12d,12e及び12h上及び第1レジス
ト層16の上面に、蒸着法を用いてアンダーバンプメタ
ル層(以下UBM層という)18を形成する(図1の
(C)及び(D))。なお、図1の(C)は、第1レジ
スト層16を除いた状態の基板の平面を示す。
【0029】このとき、第1開口部15の断面形状が逆
テーパ状に形成されているので、第1レジスト層16の
上面に形成されたUBM層18aとパッド部12a,1
2d,12e及び12h上に形成されたUBM層18
b,18c,18d及び18eとは、段切れを起こして
分離される。このときのUBM層18を形成する成膜条
件を以下の通りとする。
テーパ状に形成されているので、第1レジスト層16の
上面に形成されたUBM層18aとパッド部12a,1
2d,12e及び12h上に形成されたUBM層18
b,18c,18d及び18eとは、段切れを起こして
分離される。このときのUBM層18を形成する成膜条
件を以下の通りとする。
【0030】 真空度:3×10-6Torr以下 加熱温度:約110℃ 蒸着レート:140mμ/分 このとき得られるUBM層を例えば接着用金属(クロム
(Cr))及び拡散バリア金属(金(Au))の2層構
造(金(Au)/クロム(Cr))とする。なお、UB
M層を金(Au)/クロム(Cr)の代わりに金(A
u)/ニッケル(Ni)/クロム(Cr)によって構成
しても良い。
(Cr))及び拡散バリア金属(金(Au))の2層構
造(金(Au)/クロム(Cr))とする。なお、UB
M層を金(Au)/クロム(Cr)の代わりに金(A
u)/ニッケル(Ni)/クロム(Cr)によって構成
しても良い。
【0031】次に、任意好適な方法により第1レジスト
層16を除去した後(図2の(A))、UBM層18
(18b,18c,18d及び18e)を露出する第2
開口部19(19a,19b,19c及び19d)を有
する第2レジスト層20を圧電基板10の上面に形成す
る(図2の(B)及び(C))。
層16を除去した後(図2の(A))、UBM層18
(18b,18c,18d及び18e)を露出する第2
開口部19(19a,19b,19c及び19d)を有
する第2レジスト層20を圧電基板10の上面に形成す
る(図2の(B)及び(C))。
【0032】次に、図2の(B)及び(C)の構造体を
めっき溶液中に浸漬して、UBM層18に接続されてい
る配線パターン14の端子14c側にマイナス(負)電
圧を印加し、電極板(図示せず)側にプラス(正)電圧
を印加してUBM層18b,18c,18d及び18e
上にバンプ22(22a,22b,22c,22d)を
形成する。このときの電気めっきの条件を以下の通りと
する。
めっき溶液中に浸漬して、UBM層18に接続されてい
る配線パターン14の端子14c側にマイナス(負)電
圧を印加し、電極板(図示せず)側にプラス(正)電圧
を印加してUBM層18b,18c,18d及び18e
上にバンプ22(22a,22b,22c,22d)を
形成する。このときの電気めっきの条件を以下の通りと
する。
【0033】 めっき液:ノンシアン系中性金(Au)めっき液 液温 :60〜70℃ pH :7.0〜7.4 電流密度:約1.0アンペア(A)/dm2 上記の電気めっきによって形成されたバンプは、円柱状
のAuバンプとなり、Auバンプの直径は約40μmと
なる。
のAuバンプとなり、Auバンプの直径は約40μmと
なる。
【0034】上記の電気めっきの条件によりバンプ高さ
のバルツキを測定した結果を以下に述べる。
のバルツキを測定した結果を以下に述べる。
【0035】6インチ(約15.24cm)のウエハに
20μmのバンプ高さを形成した場合、±3μmのバラ
ツキが生じ、70μmのバンプ高さにした場合、±10
μmのバラツキが生じた。但し、この測定結果は、1つ
のウエハに10,000個のバンプを形成したときの結
果である。また、1つのチップ内では20μmのバンプ
高さを形成した場合、±2μmのバラツキが生じ、70
μmのバンプ高さを形成した場合、±5μm以内のバラ
ツキが生じた。
20μmのバンプ高さを形成した場合、±3μmのバラ
ツキが生じ、70μmのバンプ高さにした場合、±10
μmのバラツキが生じた。但し、この測定結果は、1つ
のウエハに10,000個のバンプを形成したときの結
果である。また、1つのチップ内では20μmのバンプ
高さを形成した場合、±2μmのバラツキが生じ、70
μmのバンプ高さを形成した場合、±5μm以内のバラ
ツキが生じた。
【0036】これに対して、従来のスタッドバンプでは
1つのチップ内のバラツキが文献Iのバンプ形成方法の
場合、約50μmであり、また、文献IIのバンプ形成
方法の場合、50μmのバンプ高さで約±5μmのバラ
ツキが生じると報告されている。
1つのチップ内のバラツキが文献Iのバンプ形成方法の
場合、約50μmであり、また、文献IIのバンプ形成
方法の場合、50μmのバンプ高さで約±5μmのバラ
ツキが生じると報告されている。
【0037】また、従来のスタッドバンプ法により形成
されたバンプ径は、約80〜100μm程度である。し
たがって、この発明では、バンプ高さのバラツキが従来
に比べ、小さくなると共に、バンプ径を従来に比べ、4
0〜50%小さくできる。
されたバンプ径は、約80〜100μm程度である。し
たがって、この発明では、バンプ高さのバラツキが従来
に比べ、小さくなると共に、バンプ径を従来に比べ、4
0〜50%小さくできる。
【0038】また、この発明では、図2の(B)及び
(C)の構造体をめっき溶液に浸漬しても、構造体の上
面は第2レジスト層20により覆われているので、圧電
基板10やこの基板10上に形成されているAl電極1
3等が劣化されることはなく、したがって、実質的にS
AWフィルタとしての特性劣化は生じない。
(C)の構造体をめっき溶液に浸漬しても、構造体の上
面は第2レジスト層20により覆われているので、圧電
基板10やこの基板10上に形成されているAl電極1
3等が劣化されることはなく、したがって、実質的にS
AWフィルタとしての特性劣化は生じない。
【0039】次に、任意好適な溶剤を用いて第2レジス
ト層20を除去する(図3の(A)及び(B))。その
後、圧電基板10を所定の形状にダイシングしてパッド
部12a,12d,12e及び12h間を接続している
配線パターン14を切断し、バンプ付きSAWフィルタ
のチップが得られる(図4)。
ト層20を除去する(図3の(A)及び(B))。その
後、圧電基板10を所定の形状にダイシングしてパッド
部12a,12d,12e及び12h間を接続している
配線パターン14を切断し、バンプ付きSAWフィルタ
のチップが得られる(図4)。
【0040】上述した実施の形態では、バンプの材料と
して金(Au)を用いたが、Auの代わりにニッケル
(Ni)、銅(Cu)又は半田等を用いても良い。な
お、ニッケル(Ni)及び銅(Cu)のバンプを形成す
る場合、めっき溶液としてニッケルめっき溶液又は銅め
っき溶液を用いることはいうまでもない。
して金(Au)を用いたが、Auの代わりにニッケル
(Ni)、銅(Cu)又は半田等を用いても良い。な
お、ニッケル(Ni)及び銅(Cu)のバンプを形成す
る場合、めっき溶液としてニッケルめっき溶液又は銅め
っき溶液を用いることはいうまでもない。
【0041】
【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明のバンプ形成方法によれば、バッシベーション膜を
形成しない素子に対して特性を劣化させずにウエハの上
面にバンプを形成することができる。また、電気めっき
を行ってアンダーバンプメタル層上にバンプを形成して
あるため、バンプ高さのバラツキは従来のスタッドバン
プに比べて小さくなるので、バンプの平坦化加工工程が
削減できる。このため、生産性(スループット)の向上
が期待できる。また、バンプ径を従来のスタッドパンプ
より小さくすることができるので、素子をパッケージに
組込んだ部品の小型化が可能となる。
発明のバンプ形成方法によれば、バッシベーション膜を
形成しない素子に対して特性を劣化させずにウエハの上
面にバンプを形成することができる。また、電気めっき
を行ってアンダーバンプメタル層上にバンプを形成して
あるため、バンプ高さのバラツキは従来のスタッドバン
プに比べて小さくなるので、バンプの平坦化加工工程が
削減できる。このため、生産性(スループット)の向上
が期待できる。また、バンプ径を従来のスタッドパンプ
より小さくすることができるので、素子をパッケージに
組込んだ部品の小型化が可能となる。
【図1】(A)〜(D)は、この発明のSAWフィルタ
にバンプを形成する方法を説明するために供する平面図
及び断面図である。
にバンプを形成する方法を説明するために供する平面図
及び断面図である。
【図2】(A)〜(C)は、図1の工程に続く、SAW
フィルタにバンプを形成する方法を説明するために供す
る平面図及び断面図である。
フィルタにバンプを形成する方法を説明するために供す
る平面図及び断面図である。
【図3】(A)〜(B)は、図2の工程に続く、SAW
フィルタにバンプを形成する方法を説明するために供す
る平面図及び断面図である。
フィルタにバンプを形成する方法を説明するために供す
る平面図及び断面図である。
【図4】SAWフィルタの上面にバンプを形成したバン
プ付きSAWフィルタの構造を説明するための斜視図で
ある。
プ付きSAWフィルタの構造を説明するための斜視図で
ある。
【図5】SAWフィルタの構造を説明するための斜視図
である。
である。
10:圧電基板 12a、12d、12e、12h:パッド部 12b,12c,12f,12g:電極パターン部 13a〜13d:電極パターン(Al電極) 14:配線パターン 15:第1開口部 16:第1レジスト層 18:アンダーバンプメタル層 19:第2開口部 20:第2レジスト層 22:バンプ
Claims (7)
- 【請求項1】 ウエハの上面に設けた電極パターンのパ
ッド部にバンプを形成するに当たり、(a)前記ウエハ
の上面にパッド部を露出させる第1開口部を有する第1
レジスト層を形成する工程と、(b)前記第1開口部に
露出した前記パッド部上にアンダーバンプメタル(UB
M)層を形成する工程と、(c)前記第1レジスト層を
除去した後、前記アンダーバンプメタル層を露出する第
2開口部を有する第2レジスト層を前記ウエハの上面に
形成する工程と、(d)電気めっきを行って前記アンダ
ーバンプメタル層上にバンプを形成する工程とを含むこ
とを特徴とするバンプ形成方法。 - 【請求項2】 請求項1に記載のバンプ形成方法におい
て、前記パッド部に接続された給電用配線パターンを、
前記電極パターンと同時に形成することを特徴とするバ
ンプ形成方法。 - 【請求項3】 請求項1に記載のバンプ形成方法におい
て、前記第1レジスト層の第1開口部の断面形状を逆テ
ーパ状に形成したことを特徴とするバンプ形成方法。 - 【請求項4】 請求項1に記載のバンプ形成方法におい
て、前記電極パターンをすだれ状に形成したこと特徴と
するバンプ形成方法。 - 【請求項5】 請求項1に記載のバンプ形成方法におい
て、前記ウエハとして圧電基板を用いたことを特徴とす
るバンプ形成方法。 - 【請求項6】 請求項1に記載のバンプ形成方法におい
て、前記バンプ材料を金(Au)、ニッケル(Ni)、
及び銅(Cu)群の中から選ばれた1種類の材料とする
ことを特徴とするバンプ形成方法。 - 【請求項7】 請求項1に記載のバンプ形成方法におい
て、前記アンダーバンプメタル層を、蒸着法を用いて形
成することを特徴とするバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28645296A JPH10135215A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28645296A JPH10135215A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | バンプ形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10135215A true JPH10135215A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17704579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28645296A Withdrawn JPH10135215A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10135215A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6903489B2 (en) | 2000-07-25 | 2005-06-07 | Tdk Corporation | Piezoelectric resonator, piezoelectric resonator component and method of making the same |
KR100640576B1 (ko) * | 2000-12-26 | 2006-10-31 | 삼성전자주식회사 | 유비엠의 형성방법 및 그에 의해 형성된 반도체 소자 |
-
1996
- 1996-10-29 JP JP28645296A patent/JPH10135215A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6903489B2 (en) | 2000-07-25 | 2005-06-07 | Tdk Corporation | Piezoelectric resonator, piezoelectric resonator component and method of making the same |
KR100640576B1 (ko) * | 2000-12-26 | 2006-10-31 | 삼성전자주식회사 | 유비엠의 형성방법 및 그에 의해 형성된 반도체 소자 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040106 |