JPH10133617A

JPH10133617A - 記憶制御装置及び方法及び液晶表示装置

Info

Publication number: JPH10133617A
Application number: JP28999196A
Authority: JP
Inventors: Takashi Yamamoto; 高司山本
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1996-10-31
Filing date: 1996-10-31
Publication date: 1998-05-22

Abstract

(57)【要約】【課題】表示装置の設定状態等を示すデータを書換可能
な記憶媒体に格納する場合に、同一記憶位置に対する書
き込み回数を減少させ、記憶媒体の耐久性を向上する。【解決手段】表示制御装置において、パリティービット
により「１」の状態のビットが少なくとも１つ含まれる
語が調整レベルデータとしてＥＥＰＲＯＭに格納される
とともに、他の語には全てゼロが書込まれる。当該装置
の立ち上げ時においては、ＥＥＰＲＯＭの先頭アドレス
よりデータを順次読出し、「１」の状態のビットを含む
データを検出し（Ｓ９１〜Ｓ９６）、調整レベルデータ
として当該装置の制御に使用する（Ｓ９７）。そして、
検索されたアドレス位置にゼロを書込むとともに（Ｓ９
８）、検出されたアドレスに１を加えた値を当該装置の
電源遮断時における調整レベルデータの書込みアドレス
として保持する（Ｓ１００）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＰＵと、書き換
え可能でありかつ電源遮断時にデータを保持することの
できる記憶媒体を用いた記憶制御装置及び方法、及び該
記憶制御装置を用いた表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＣＲＴであっても液晶を用いた表示装置
であっても、多くの使用者がさまざまな使用環境で快適
に使用できるよう、表示装置には調整操作が必要であ
る。

【０００３】図２２は一般的な液晶表示装置の例を示す
ブロック図である。図２２に示された液晶表示装置は、
グラフィックボード１８００を含む画像データ発生部１
８０１と、図示しない駆動回路を含む液晶表示パネル１
８１１、液晶表示パネル１８１１を背面から照明するバ
ックライト１８１０、バックライトに含まれる蛍光ラン
プを明るさを調整しつつ駆動する点灯回路１８０９、液
晶表示パネル１８１１を制御するパネルコントローラ１
８０４、液晶表示パネル１８１１に駆動電力を供給する
電源コントローラ１８０６、ＤＡコンバータ１８０５、
液晶パネルの近傍温度を検知するサーミスタ１８１２、
バックライト１８１０の明るさなどの液晶表示装置への
使用者の調整操作を入力するスイッチボード１８１３、
パネルコントローラ１８０４及び電源コントローラ１８
０６を制御して液晶表示装置全体の動作を司るＭＰＵ１
８０７、液晶表示装置全体に電源を供給する電源１８０
８から構成される。

【０００４】また、１８０２はグラフィックボード１８
００からパネルコントローラ１８０４へ画像データを転
送する画像バス、１８０３はＭＰＵ１８０７からグラフ
ィックボード１８００へのデータ要求信号と、ＭＰＵ１
８０７とグラフィックボード１８００で相互に通信する
シリアル通信を含む制御線である。

【０００５】ＭＰＵ１８０７は内蔵するＣＰＵで実行す
るプログラムを格納するＲＯＭと、プログラムの実行時
に使用するＲＡＭ、ＡＤコンバータ、デジタルＩ／Ｏポ
ート、その他のタイマ／カウンタなどを内蔵する。ＭＰ
Ｕ１８０７に内蔵される記憶手段のうち、ＲＯＭは予め
決められた内容の読み出しのみが可能であり、ＲＡＭは
ＭＰＵ１８０７の電源が遮断されるとその記憶内容が失
われる。

【０００６】ＭＰＵ１８０７は内蔵するＲＯＭに格納さ
れたプログラムに従って動作するが、液晶表示パネル１
８１１に表示を行う場合、先ず液晶表示パネル１８１１
の駆動条件を調整する。このために、サーミスタ１８１
２からの信号を内蔵するＡＤコンバータを通じて入力
し、液晶表示パネル１８１１近傍の温度情報を得、液晶
表示パネル１８１１の駆動に最適な駆動条件を選ぶ。こ
こで、駆動条件とは、例えば１ラインの駆動時間（水平
周波数）及び液晶駆動電圧である。選択された駆動条件
に基づいて、パネルコントローラ１８０４に１ラインの
駆動時間（１Ｈ）を、ＤＡコンバータ１８０５を通して
電源コントローラ１８０６に液晶駆動電圧（Ｖｏｐ）を
それぞれセットする。次に電源コントローラ１８０６に
液晶駆動電源のＯＮを指示し、点灯回路１８０９にバッ
クライト１８１０の点灯を指示する。

【０００７】ＭＰＵ１８０７からグラフィックカード１
８００に対し画像データを要求すると、画像バス１８０
２を通して１ライン分の画像データがパネルコントロー
ラ１８０４に転送される。ＭＰＵ１８０７はタイミング
を測ってパネルコントローラヘ１ライン分の駆動開始を
指示すると、パネルコントローラ１８０４は受け取った
画像データを液晶表示パネル１８１１が受け取ることの
できる形に加工して転送する。これにより液晶表示パネ
ル１８１１に１ラインの画像が表示される。

【０００８】図２３はＭＰＵ１８０７とスイッチボード
１８１３の接続を示す図である。可変抵抗１８１５，１
８１７や、デジタルスイッチ１８１６は、使用者がこの
液晶表示装置を使用する際に最適な使用状態になるよう
調整を行うための調整入力手段である。例えば、可変抵
抗１８１７は点灯回路１８０９に接続され、バックライ
ト１８１０の輝度調整を可能にする。即ち、使用者がス
イッチボード１８１３上の可変抵抗１８１７を操作する
ことにより点灯回路１８０９に輝度調整信号が与えら
れ、バックライトの輝度が変化する。他の調整に関し個
々の機能と動作について詳しくは述べないが、これらの
入力手段はいずれも液晶表示装置全体の電源が遮断され
ても調整の程度を保存することが可能である。即ち、輝
度調整の可変抵抗１８１７は、電源が投入された時、可
変抵抗１８１７の調整位置によって自動的に電源遮断前
の輝度調整の程度を再現することができる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
表示装置にあっては、ボタンスイッチによる調整操作が
採用される傾向にある。上述したような液晶表示装置の
入力手段において、一般に調整操作のために使用されて
きた機械式の可変抵抗器やデジタルスイッチなどの部品
は、小型のタクトスイッチやメンブレンスイッチなどの
大きさに較べはるかに多くのスペースを要し、デザイン
や操作性の観点からのみならず、装置の小型化、省スペ
ース化に対しても不利な状況にある。

【００１０】一方、タクトスイッチやメンブレンスイッ
チは、ある瞬間に使用者が操作しているか否かが判別で
きるのみで、電源遮断時にその調整程度を記憶する機能
はない。このためボタンスイッチを用いた表示装置にお
いては、電源遮断時に使用者の操作状態（装置の設定状
態）を記憶し、電源再投入時にこれを再現するためのメ
モリ手段を持つ必要が生じた。

【００１１】メモリ手段は、例えば、電池バックアップ
によるＳＲＡＭを使用する方法、ＥＥＰＲＯＭを使用す
る方法などがある。このうち、ＥＥＰＲＯＭは電池が不
要でコスト、設計の容易さでメリットがあるが、書き込
み耐久回数が比較的少ないという問題を有する。

【００１２】ＥＥＰＲＯＭの故障モードは、フローティ
ングゲートを構成するトンネル酸化膜の劣化による書き
込み不良（１を書き込んでも０となる）と、チャージポ
ンプの不良であり、前者が支配的である。このため、１
セル当たりの書き込み回数を減らし、デバイスの見かけ
上の耐久回数を増大させなければならないという問題点
があった。

【００１３】本発明は上記の問題に鑑みてなされたもの
であり、表示装置の設定状態等を示すデータを書換可能
な記憶媒体に格納する場合に、同一記憶位置に対する書
き込み回数を減少させ、記憶媒体の耐久性を向上する記
憶制御装置及び方法及び該記憶制御装置を用いた表示装
置を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の記憶制御装置は以下の構成を備えている。
すなわち、所定ビット数からなる語を書き換え可能な単
位とする記憶媒体を有した記憶制御装置であって、少な
くとも１つの反転ビットを有する所定語を含むＮ個の語
からなるデータ構成の第１データの前記記憶媒体におけ
る記憶位置を、該所定語に基づいて検出する検出手段
と、前記認識手段で認識された前記第１データの記憶位
置より少なくとも１語分をずらした位置を新たな記憶位
置とし、前記記憶媒体における該新たな記憶位置に、前
記データ構成を有する第２データを書き込む第１書込み
手段と、前記第１データの記憶された語のうち、前記第
１書込み手段による前記第２データの書込みによって更
新されない語の全てのビットを非反転状態にする第２書
込み手段とを備える。

【００１５】また、好ましくは、前記所定語は前記デー
タ構成におけるＮ語の先頭の語であり、前記検出手段
は、前記記憶媒体の所定領域における先頭アドレスより
順次データを読み出し、少なくとも１つの反転ビットを
含む語を検出した場合に、該語を先頭とするＮ語のアド
レスを前記第１データの記憶位置として検出する。

【００１６】また、好ましくは、前記所定語は、反転状
態のビットの数を奇数個とするための１ビットの奇数パ
リティビットを含む。

【００１７】また、好ましくは、前記所定語は、常に反
転状態に固定された少なくとも１つのビットを含む。

【００１８】また、好ましくは、前記検索手段によって
検出された記憶位置より前記第１データを読み出す読出
手段を更に備え、前記第２データ書込み手段は、前記読
出手段の実行後の前記第１データ書込み手段の実行前に
行う。

【００１９】また、好ましくは、前記第１データと第２
データとを比較し、前記第１及び第２データが異なる場
合に前記第１及び第２書込み手段を実行する制御手段を
更に備える。

【００２０】また、上記の目的を達成する本発明の他の
構成の記憶制御装置は以下の構成を備える。すなわち、
所定ビット数からなる語を書き換え可能な単位とする記
憶媒体の、所定語数の制御範囲の記憶制御を行う記憶制
御装置であって、Ｎ個の語を有し、少なくとも１つの反
転ビットを有する所定語を含むデータ構成のデータを前
記記憶媒体の所定の記憶位置に書込む書込み手段と、前
記第１書込み手段による書込みの回数を計数する計数手
段と、前記書込み手段によるデータの書込みに際して、
前記計数手段によるって計数された書込み回数が所定値
を越えた場合、該書込み手段による書込み対象の記憶位
置を少なくとも１語分ずらした位置に更新する更新手段
とを備える。

【００２１】また、好ましくは、前記書込み手段による
書込み対象の記憶位置を示すポインタを前記制御範囲の
所定のアドレスに保持する保持手段と、前記更新手段に
よって前記書込み手段による書込み対象の記憶位置が更
新された場合に、前記保持手段で保持されている記憶位
置を更新する第２更新手段とを更に備える。

【００２２】また、好ましくは、前記データの読み出し
位置、及び前記書込み手段によるデータの記憶位置を前
記保持手段で保持されているポインタによって決定す
る。

【００２３】また、好ましくは、前記計数手段は、前記
書込み手段による書込み対象の記憶位置と所定の関係を
有した記憶位置に前記書込み回数を示す計数情報を保持
する。

【００２４】また、好ましくは、前記計数手段における
計数情報の記憶位置は、前記書込み手段による書込み対
象の記憶位置に続く位置である。

【００２５】また、好ましくは、前記書込み手段によっ
て書き込むべき新たなデータと前回までに記憶されてい
るデータとが異なる場合に、該書込み手段による書込み
を実行する制御手段を更に備える。

【００２６】また、上記の目的を達成する本発明の表示
装置は、上述した記憶制御装置を、表示器の設定状態を
示すデータを保持するのに用いる。

【００２７】また、上記の目的を達成する本発明の記憶
制御方法は、所定ビット数からなる語を書き換え可能な
単位とする記憶媒体を有した記憶制御装置の制御方法で
あって、少なくとも１つの反転ビットを有する所定語を
含むＮ個の語からなるデータ構成の第１データの前記記
憶媒体における記憶位置を、該所定語に基づいて検出す
る検出工程と、前記認識工程で認識された前記第１デー
タの記憶位置より少なくとも１語分をずらした位置を新
たな記憶位置とし、前記記憶媒体における該新たな記憶
位置に、前記データ構成を有する第２データを書き込む
第１書込み工程と、前記第１データの記憶された語のう
ち、前記第１書込み工程による前記第２データの書込み
によって更新されない語の全てのビットを非反転状態に
する第２書込み工程とを備える。

【００２８】また、上記の目的を達成する本発明の他の
構成の記憶制御方法は、所定ビット数からなる語を書き
換え可能な単位とする記憶媒体の、所定語数の制御範囲
の記憶制御を行う記憶制御方法であって、Ｎ個の語を有
し、少なくとも１つの反転ビットを有する所定語を含む
データ構成のデータを前記記憶媒体の所定の記憶位置に
書込む書込み工程と、前記第１書込み工程による書込み
の回数を計数する計数工程と、前記書込み工程によるデ
ータの書込みに際して、前記計数工程によって計数され
た書込み回数が所定値を越えた場合、該書込み工程によ
る書込み対象の記憶位置を少なくとも１語分ずらした位
置に更新する更新工程とを備える。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照して本発
明の好適な実施形態を説明する。

【００３０】［第１の実施形態］図１は本発明の一実施
形態における液晶表示装置の構成を示すブロック図であ
る。本実施形態における液晶表示装置は、グラフィック
ボード１００を含む画像データ発生部１０１と、図示し
ない駆動回路を含む液晶表示パネル１１１、液晶表示パ
ネルを背面から照明するバックライト１１０、バックラ
イト１１０に含まれる蛍光ランプを明るさを調整しつつ
駆動する点灯回路１０９、液晶表示パネル１１１を制御
するパネルコントローラ１０４、液晶表示パネル１１１
に駆動電力を供給する電源コントローラ１０６、ＤＡコ
ンバータ１０５、液晶パネルの近傍温度を検知するサー
ミスタ１１２、バックライトの明るさなどの液晶表示装
置への使用者による調整操作を入力するスイッチボード
１１３、パネルコントローラ１０４及び電源コントロー
ラ１０５を制御して液晶表示装置全体の動作を司るＭＰ
Ｕ１０７、電源遮断時に使用者の調整状態を記憶するＥ
ＥＰＲＯＭ１１４、液晶表示装置全体に電源を供給する
電源１０８から構成される。

【００３１】また、１０２はグラフィックボード１００
からパネルコントローラ１０４へ画像データを転送する
画像バスである。１０３はＭＰＵ１０７からグラフィッ
クボード１００へのデータ要求信号と、ＭＰＵ１０７と
グラフィックボード１００で相互に通信するシリアル通
信を含む制御線である。

【００３２】上記液晶表示パネル１１１は、液晶に強誘
電性液晶（以下ＦＬＣと記す）を用いた表示パネルで、
例えばＲＧＢＷを一画素とし１２８０×１０２４画素の
表示を行うものである。ここに用いた液晶材料は、ビフ
ェニル系とフェニルピリミジン系を主成分とする混合物
である。その液晶材料の相転移温度は下記の通りであ
る。即ち、 Cryst→(-10℃)→Sm→(63℃)→SmA→(72℃)→Ch(90℃)
→Iso となる。

【００３３】また、ＦＬＣを用いた液晶表示パネル１１
１は温度により最適な駆動条件が変化する。図２は液晶
表示パネル１１１の駆動条件を説明する図である。本実
施形態における駆動条件は液晶に印加される駆動波形の
電圧である駆動電圧（Ｖｏｐ）と、一駆動ラインを駆動
する時間である一水平走査時間（１Ｈ）からなる。図２
に示すように最適な駆動条件は、Ｖｏｐと１Ｈの積が高
温になるほど小さくなるように変化する。ＭＰＵ１０７
は、液晶表示パネル１１１の近傍の温度（サーミスタ１
１２によって検出される）に従って最適な駆動条件を選
択し、パネルコントローラ１０４へ１Ｈを、電源コント
ローラへはＤＡコンバータ１０５を通してＶｏｐをセッ
トする。この動作を温度補償動作と呼ぶ。

【００３４】実際の温度補償動作においては、液晶表示
パネル１１１毎の微妙な特性の違いや、電気回路のばら
つきを調整する必要がある。このため液晶表示パネル１
１１の近傍温度によって決定される駆動条件に対して調
整を加えるため、温度信号をＡＤ変換して得られた温度
情報に対してオフセットを与える。このオフセット調整
を画質調整と呼ぶ。

【００３５】また上記ＦＬＣを用いた液晶パネル１１１
は、１画素がＲＧＢＷのサブピクセルから構成され１６
色の表示を行うが、誤差拡散法などの手法により擬似的
に３２０００色相当のカラー表示を行うことができる。
このための画像データ処理はグラフィックボード１００
で行われるが、フルカラーの写真のような自然色に近い
表示を行う場合、１つの色の表示を周辺のいくつかの画
素の表示の合成により得るため、解像度が多少犠牲とな
る。このため、自然色に近い表示を行うか、あるいは細
かい文字などの表示に適した高解像度の１６色表示を行
うか、あるいはこの２者の中間のいくつかの状態の表示
か、表示する内容に応じていずれかを選んで使用するこ
とが好適である。この調整を色彩調整と呼ぶ。

【００３６】上記点灯回路１１０は電源１０８から電力
の供給を受けバックライト１１０を点灯させるが、その
点灯／消灯の制御をＭＰＵ１０７から受け、調光信号を
ＤＡコンバータ１０５を通じてＭＰＵ１０７から受け
る。

【００３７】図３はＭＰＵ１０７とスイッチボード１１
３の接続を示す図である。タクトスイッチ１１５〜１２
０は使用者が調整のために押すスイッチであり、スイッ
チを操作した（押した）状態ではＬレベルが、操作しな
い（離した）状態ではＨレベルがＭＰＵ１０７のデジタ
ルＩ／Ｏポート１２１に入力される。タクトスイッチ１
１５は輝度ダウンのための調整スイッチ、タクトスイッ
チ１１６は輝度アップのための調整スイッチ、タクトス
イッチ１１７は色彩ダウンのための調整スイッチ、タク
トスイッチ１１８は色彩アップのための調整スイッチ、
タクトスイッチ１１９は画質ダウンのための調整スイッ
チ、タクトスイッチ１２０は画質アップのための調整ス
イッチである。

【００３８】次に本実施形態の液晶表示装置の動作につ
いて、ＭＰＵ１０７が実行するプログラムに従って説明
する。

【００３９】図４はＭＰＵ１０７が実行する主プログラ
ムのフローチャートである。なお、本フローチャートを
実現するための制御プログラムはＭＰＵ１０７内のＲＯ
Ｍに格納され、ＣＰＵがこれを実行する。

【００４０】液晶表示装置の電源が投入され、ＭＰＵ１
０７に電源が供給されると図４の「スタート」からプロ
グラムの実行が始まる。まず、ステップＳ１１（初期設
定）では、ＭＰＵ１０７に内蔵される周辺回路の初期設
定、パネルコントローラ１０４の初期設定、プログラム
実行上必要な変数の初期設定が行われる。次に、ステッ
プＳ１２でＥＥＰＲＯＭ１１４の内容が読み出され、電
源が遮断される直前における液晶表示装置の状態（使用
者による調整）が再現される。使用者による調整とはバ
ックライトの明るさ（輝度調整）、グラフィックボード
１００の画像データ処理のためのパラメータ調整（色彩
調整）、液晶駆動条件の微調整（画質調整）であり、そ
の調整度合を輝度レベル、色彩レベル、画質レベルと称
する。なお、ステップＳ１２の「メモリ読み出し」の動
作については更に後述する。

【００４１】次にステップＳ１３へ進み、「ＯＮシーケ
ンス」による液晶駆動のための準備を行う。

【００４２】「ＯＮシーケンス」について図５を用いて
説明する。図５はＯＮシーケンスの手順を示すフローチ
ャートである。「ＯＮシーケンス」においては、まずス
テップＳ４１において、「サーミスタ監視」を行い、サ
ーミスタ１１２からの電圧信号をＭＰＵ１０７に内蔵さ
れるＡＤコンバータ１２１を通して入力する。次に、ス
テップＳ４２へ進み、得られた温度情報と、上述のステ
ップＳ１２で得られた画質レベルとにより最適な液晶駆
動条件である「１Ｈ（水平走査期間）」と「Ｖｏｐ」が
選択される。そして、選択された「１Ｈ」はパネルコン
トローラ１０４へ、「Ｖｏｐ」はＤＡコンバータ１０５
を通してアナログ電圧信号として電源コントローラ１０
６ヘセットされる。

【００４３】次にステップＳ４３へ進み、カウンタ１と
カウンタ２の初期化を行う。ここで、カウンタ１とは液
晶の駆動ライン数をカウントするカウンタである。後で
述べるように本プログラムでは液晶の駆動ライン数をカ
ウントし、この本数により一定時間の経過を測り、使用
者がスイッチを操作しているかどうかを監視する。例え
ば、１ラインの駆動時間１Ｈが８０μｓｅｃである場
合、カウンタ１を１２５０で初期化し、１ライン駆動を
行う毎に０までカウントダウンすれば、１００ｍｓごと
にスイッチの監視を行うことになる。

【００４４】また、カウンタ２とはスイッチ監視の回数
をカウントするカウンタである。スイッチ監視を行い、
何らかの調整操作が行われていた場合は温度補償を行う
が、使用者による調整操作が全く行われていない場合で
も、一定時間間隔でサーミスタの監視を行い温度補償を
行う。例えば、カウンタ２を３００で初期化すれば、３
００回のスイッチ監視毎に、上記例においては少なくと
も３０秒毎に、サーミスタの監視が行われる。

【００４５】続いてステップＳ４４へ進み、ＭＰＵ１０
７は電源コントローラ１０６へ液晶駆動電源の出力を開
始する信号を与える。この信号がＯＮとなって初めて液
晶表示パネル１１１に駆動電源が供給される。

【００４６】次にステップＳ４５の「調光信号出力」に
おいて、ＭＰＵ１０７は輝度レベルをＤＡコンバータを
通して点灯回路１０９へ与える。更に、ステップＳ４６
の「ＢＬ点灯信号出力」において、ＭＰＵ１０７は点灯
回路１０９への点灯信号をＯＮし、バックライト１１０
を点灯状態とする。「ＯＮシーケンス」は以上の通りで
ある。

【００４７】再び図４に戻り、主プログラムの続きを説
明する。ステップＳ１４では、カウンタ１の値をチェッ
クし、カウンタ１が０でない場合ステップＳ１５へ進
み、カウンタ１が０の場合はステップＳ２０へ進む。

【００４８】ステップＳ１５では、液晶表示パネル１１
１の１ライン駆動を行う。ここで、ＭＰＵ１０７はグラ
フィックボード１００へ１ライン分の画像データを要求
する。グラフィックカード１００は液晶表示パネル１１
１の画面上のアドレスが付加された１ライン分の画像デ
ータをパネルコントローラ１０４へ転送する。ＭＰＵ１
０７はタイミングを測ってパネルコントローラ１０４へ
１ライン分の表示駆動開始を指示する。パネルコントロ
ーラ１０４はＭＰＵ１０７の指示により、受け取った画
像データを液晶表示パネル１１１が受け取れる形態に加
工して転送する。これにより液晶表示パネル１１１に１
ラインの画像データが表示される。

【００４９】１ラインの駆動を行うと、即ち、１ライン
の駆動開始を指示すると、ステップＳ１６へ進み、カウ
ンタ１の内容を１減じる。次にステップＳ１７におい
て、シリアル通信の受信バッファに受信したコマンドが
あるかを判断する。受信したコマンドがある場合にはス
テップＳ１８へ進み、当該コマンドに対応する処理を実
行し、ステップＳ１９においてその結果をグラフィック
カードへ通知するべくステータス送信を実行する。その
後、プログラムは再びステップＳ１４へ戻り、カウンタ
１が０となるまで１ライン毎の駆動を継続する。

【００５０】さて、ステップＳ１４においてカウンタ１
が０となった場合、即ち、コマンド処理を交えつつ１ラ
イン毎の駆動が継続されておよそ１００ｍｓが経過した
場合、プログラムはステップＳ２０へ分岐し、「スイッ
チ監視」を行う。

【００５１】「スイッチ監視」とはスイッチボード１１
３に設けられたタクトスイッチ１１５〜１２０が使用者
によって押し下げられているかを検査する処理である。
タクトスイッチ１１５〜１２０からの信号が接続されて
いるデジタルＩ／ＯポートのＨ／Ｌレベルを調べ、一つ
でもＬレベルの信号があれば入力操作が行われているも
のと判断する（ステップＳ２１）。入力操作が行われて
いると判断された場合、ステップＳ２２へ進み、使用者
の操作を解析し、輝度／色彩／画質レベルを変更し、レ
ベルに応じた調整（調整動作）を行う。

【００５２】また、ステップＳ２１において入力操作が
行われていないと判断された場合は、ステップＳ２６へ
進み、カウンタ２の内容を１減じる。このときカウンタ
２の内容が０となった場合は、ステップＳ２７からステ
ップＳ２２へ進み、スイッチが操作された場合と同様に
「調整動作」及び温度補償動作を実行する。

【００５３】ステップＳ２７においてカウンタ２の値が
０でない場合は、ステップＳ２８へ進み、カウンタ１を
初期化した後、ステップＳ１４へ戻る。そして、上述の
処理をくり返す。

【００５４】次に、「調整動作」について図６及び図７
により説明する。図６は調整動作の手順を示すフローチ
ャートである。また、図７は各調整項目の調整手順を示
すフローチャートである。本実施形態における調整項目
は、輝度、色彩、画質であり、各項目について使用者が
ｕｐの操作をしたか、ｄｏｗｎの操作をしたかを判断
し、当該項目のレベル（輝度レベル、色彩レベル、画質
レベルのいずれか）を更新するサブルーチンである。

【００５５】まず、図７のフローチャートを説明する
と、ステップＳ６１においてｕｐの操作が検出される
と、ステップＳ６６へ進む。ここで、ｄｏｗｎの操作が
検出されると、本処理をそのまま終了する。即ち、ｕｐ
またはｄｏｗｎいずれか一方のスイッチが操作された場
合にのみ操作が有効となり、同時に操作された場合は無
効である。ｕｐ操作のみが行われた場合は、ステップＳ
６７へ進み、該当項目のレベルを一つ上げる。ステップ
Ｓ６８では当該項目のレベルが上限を越えたか否かを判
定し、上限を越えた場合は当該項目のレベルを上限値に
設定する（ステップＳ６９）。

【００５６】ｄｏｗｎ操作のみが行われると、ステップ
Ｓ６３へ進み、当該項目のレベルを一つ下げる。そし
て、ステップＳ６４において、当該項目のレベルが下限
値を下回ったか否かを判定し、下回っていればステップ
Ｓ６４へ進み、当該項目のレベルを下限値に設定する。
なお、以上の図７の処理によって設定された、輝度レベ
ル、色彩レベル、画質レベルの各レベル値は、ＭＰＵ１
０７内のＲＡＭに保持される。

【００５７】図６に示される「調整動作」においては、
スイッチボード１１３よりの入力信号に基づいて操作さ
れた調整項目を判別し、操作された調整項目について図
７の手順を実行するものである。

【００５８】まず、ステップＳ５１において、輝度レベ
ルの直前の値を直前レベルとして保存する。次に、ステ
ップＳ５２において、輝度レベルに関して上述の図７の
処理を実行する。そして、ステップＳ５３において、現
在の輝度レベルとステップＳ５１で保存した直前レベル
とを比較する。比較の結果、輝度レベルが更新されたと
判定された場合、ステップＳ５４において、新しい輝度
レベルをＤＡコンバータ１０５を通して点灯回路１０９
へ設定する。

【００５９】次に、ステップＳ５５〜Ｓ５７では、色彩
レベルに関して上述の輝度レベルと同様の処理を行う。
そして、色彩レベルが変更されていた場合には、シリア
ル通信を経由し新しい色彩レベルがグラフィックボード
１００へ通知される（ステップＳ５８）。

【００６０】次に画質レベルの更新を行うが、実際にレ
ベルが変更されているか否かに関わらず、「サーミスタ
監視」によって得られる温度情報と画質レベルを用いて
「温度補償動作」を必ず実行する。即ち、ステップＳ５
９において、図７で示した手順で画質レベルの設定を行
い、図４のステップＳ２３、Ｓ２４の温度補償処理を実
行する。

【００６１】図８は、温度補償処理の手順を表すフロー
チャートである。まず、ステップＳ３１において、ステ
ップＳ２３で獲得したサーミスタの値と現在の画質レベ
ルを足し合わせてオフセットの値を決定する。次に、ス
テップＳ３２において、１Ｈテーブルのオフセット位置
に格納された値を１Ｈとして設定し、ステップＳ３３に
おいてＶopテーブルのオフセット位置に格納された値を
液晶駆動電圧として設定する。

【００６２】以上の「温度補償動作」を実行した後は、
図４のステップＳ２５へ進み、カウンタ１の初期化、カ
ウンタ２の初期化を実行し、再び１ライン毎の駆動動作
へ戻る。

【００６３】次に電源が遮断されたときの本液晶表示装
置の動作について説明する。

【００６４】図９は、外部から液晶表示装置にＡＣ電源
が供給された際及びＡＣ電源が遮断された際の動作を示
すタイムチャートである。電源１０８は、ＡＣ電源入力
が遮断された場合、または電源１０８の電源スイッチが
オフされた場合、信号ＡＣＦをＬレベルに下げＭＰＵ１
０７に対して電源が遮断されたことを示すと同時に、こ
こから２０ｍｓの間電源出力を保持する。図９の（ｂ）
に示すようにこの２０ｍｓの間にバックライト１１０を
消灯し、液晶表示パネル１１の全面に黒を書き込み（全
黒消去）、液晶駆動電源を遮断する。

【００６５】ＭＰＵ１０７のプログラムではＡＣＦ信号
がＬレベルとなるエッジによって割り込みプログラム
（ＯＦＦシーケンス）へ制御を移す。図１０は、電源Ｏ
ＦＦ時の割り込みプログラムで実行されるＯＦＦシーケ
ンスの制御手順を示すフローチャートである。

【００６６】まず、割り込みプログラムに制御が移った
とき１ライン駆動が行われていた場合には、当該１ライ
ン駆動の終了を待つ（ステップＳ７１）。次に、バック
ライト１１０の消灯信号を点灯回路１０９へ出力し（ス
テップＳ７２）、続いて、この時点での使用者の調整度
合い、即ち輝度レベル、色彩レベル、画質レベルをメモ
リ（ＥＥＰＲＯＭ１１４）へ書き込む（ステップＳ７
３）。そして、ステップＳ７５の「液晶全黒消去」にお
いて液晶表示パネル１１１の全面に黒を書き込み、ステ
ップＳ７５の「液晶駆動電源ＯＦＦ」において液晶駆動
電源を遮断する。

【００６７】図１１は本実施形態における調整レベルを
保持するためのＥＥＰＲＯＭのデータ構成を示す図であ
る。図１１の（ｂ）に示されるように、調整レベルのデ
ータは１６ビットの１語で形成される。画質レベルは最
大±３１レベルの符号付き整数、輝度レベルは３２レベ
ルの符号なし整数、色彩レベルは８レベルの符号なし整
数であり、各々７，５，３ビットを割り当てる。パリテ
ィビットはこの１語に含まれる１のビット数が奇数にな
るようにセットされる。このため、この１語には必ず１
ビット以上の１が存在する。図１１の（ａ）は、ＥＥＰ
ＲＯＭ１１４全体の割付けを示す。ＥＥＰＲＯＭ１１４
は１０２４ビットの容量を持ち、１６ビット／語×６４
語の構成である。本実施形態ではこのうち１語に調整レ
ベルのデータを格納し、他の語には全て０が格納されて
いる。

【００６８】図１２は、本実施形態におけるメモリ書込
みの手順を示すフローチャートである。図１２のフロー
チャートは、図１０のステップＳ７３の詳細を示すもの
である。ステップＳ８１において、ＭＰＵ１０７内のＲ
ＡＭより、輝度レベル値、色彩レベル値、画質レベル値
を読み出し、図１１（ｂ）に示す割り付けで１語の調整
レベルデータを構成する。次に、ステップＳ８２におい
て、後で説明する「メモリ読み出し」終了時に決定され
るＥＥＰＲＯＭ１１４のアドレスに、この調整レベルデ
ータを書き込む。ＭＰＵ１０７からＥＥＰＲＯＭ１１４
へのデータ転送は約２０μｓｅｃで終了するが、実際の
メモリセルへの書き込みには最大１０ｍｓを要する。こ
のため「ＯＦＦシーケンス」においては、「メモリ書き
込み」として先ずＥＥＰＲＯＭ１１４へのデータ転送を
行い、書き込み指示を行ったあと、「液晶全黒書消去」
及び「液晶駆動電源ＯＦＦ」を行った後ＥＥＰＲＯＭ１
１４の書き込み動作の終了を待つ（ステップＳ７６）。

【００６９】次に、当該表示装置の立ち上げ時に行われ
る「メモリ読み出し」動作（図４のステップＳ１２）に
ついて、図１３に示すフローチャートに従って説明す
る。この「メモリ読み出し」は、ＥＥＰＲＯＭ１１４よ
り調整レベルデータを読み取るものであり、図４に示さ
れるように、液晶表示装置に電源が投入された直後に実
行される。このため調整レベルデータが格納されたアド
レスは不明であるが、後述のメモリ読み出し処理（図１
３）により、ＥＥＰＲＯＭ１１４には、データである１
語に少なくとも１ビットの１が含まれ、調整レベルデー
タ以外の部分には全て０が格納された状態となってい
る。即ち、アドレス０から順に１語ずつ１を含む語が見
つかるまで読み出せば良い。

【００７０】まず、ステップＳ９１において、読み出す
アドレス値に０をセットする。次にステップＳ９２にお
いて、アドレス値がＥＥＰＲＯＭ１１４のアドレスの上
限を超えたか否かを判定する。ここで、アドレス値がＥ
ＥＰＲＯＭ１１４が持つアドレスの範囲にある場合、当
該アドレスに格納された１語が読み出される（ステップ
Ｓ９３）。そして、このデータに１が含まれない場合
は、アドレス値をカウントアップし、アドレス値が上限
値を越えるまで、或いは１を含む語が検出されるまで１
語ずつ読み出される（ステップＳ９２、Ｓ９４、Ｓ９
５）。

【００７１】ステップＳ９２において、アドレス値がＥ
ＥＰＲＯＭ１１４の上限を越えた場合は、求めるデータ
が見つからなかった場合であり、処理はステップＳ１０
５へ進む。ステップＳ１０５において、上述のメモリ書
き込み（図１２）において使用するアドレスとして０を
セットし、更にステップＳ１０４で輝度レベル、色彩レ
ベル、画質レベルにデフォルト値をセットし、リターン
する。

【００７２】また、読み出された語に１が含まれる場
合、ステップＳ９４からステップＳ９６へ進み、その語
に格納されたデータについてパリティチェックを行う。
パリティチェックが正常に行われると、ステップＳ９７
へ進み、この語から輝度レベル、色彩レベル、画質レベ
ルがデコードされる。更に、当該データを読み出した語
に０を書き込み（ステップＳ９８）、ステップＳ９８に
よるメモリへの書込みが終了したらアドレスを１進める
（ステップＳ９９、Ｓ１００）。この更新されたアドレ
ス値は、後の「メモリ書き込み（図１２）」において使
用するアドレスとなる。

【００７３】一方、ステップＳ９６において、パリティ
が正しくない場合はＥＥＰＲＯＭ１１４への書き込み時
または読み出し時に何らかのエラーが発生し、電源が遮
断される前のデータが失われたものとする。よって、ま
ず、処理をステップＳ１０１へ進めて、当該アドレスの
語の全ビットに０を書込み、この書込みが終了したらア
ドレスを１増加する（ステップＳ１０２、Ｓ１０３）。
この更新されたアドレス値は、上記ステップＳ１００の
場合と同様に、後のメモリか着込み処理において使用さ
れる。そして、ステップＳ１０４にて、輝度レベル、色
彩レベル、画質レベルにデフォルト値を設定する。

【００７４】以上の手順により、データが格納されるア
ドレスは書き込み毎に１ずつ進み、かつデータが格納さ
れる１語以外は全て０に保たれる。また、本実施形態に
おけるＥＥＰＲＯＭ１１４は６４語構成であり、一回の
電源ＯＦＦ／ＯＮの度に１語に２回ずつの書き込みが行
われることになる。従って、１語当りの書き込み回数
は、２回÷（６４語÷１語／回）＝１／３２と低減される。これは、ＥＥＰＲＯＭ１１４を使用する
上で、見かけ上の書き込み耐久回数が３２倍に拡大する
ことに相当する。

【００７５】一方、メモリ読み出しに際して、本実施形
態では、平均３２語を読み出さねばならないが、１語の
読み出しは２０μｓｅｃ程度であり、装置の立ち上がり
時間と比較すれば問題とならないと判断できる。

【００７６】なお、上記実施形態では、奇数パリティビ
ットを用いてデータとなる１語に少なくとも１が１ビッ
ト含まれるよう構成したが、データに要求される信頼性
上問題が生じないならば、本実施形態でパリティビット
としたビットを必ず１とした構成とすることも可能であ
る。

【００７７】更に、本実施形態では電源遮断時に動作で
きる時間（電源１０８の保持時間）が２０ｍｓであり、
この間に１回しかメモり書き込み時間が取れないため、
データは１語のみとしたが、保持時間が長くかつ格納す
るデータが多い場合には２語以上のデータを書き込むこ
とも可能である。この場合、データを読み出した後、読
み出したデータが格納されていた部分のうち次にデータ
を書き込む部分と重ならない語に０を書き込む必要があ
る。

【００７８】例えば、図１４に示すように、Ｗ語構成の
ＥＥＰＲＯＭにＮ語（０＜Ｎ＜Ｗ）で構成される調整レ
ベルデータを格納するものとし、書き込み毎にＳ語（０
＜Ｓ≦Ｎ）ずつアドレスをシフトする場合を想定する。
ここで、平均書込み回数は、（平均書き込み回数）＝（１回のＯＦＦ／ＯＮでの書き
込み回数）÷（書き込み場合数）となる。ここで、１回のＯＦＦ／ＯＮでの書き込み回数
は、読み出し時においてシフトされた分の語に０を書き
込むＳ回と、書き込み時に書くＮ語の調整レベルデータ
のＮ回の和だから、（１回のＯＦＦ／ＯＮでの書き込み回数）＝Ｎ[語]＋Ｓ
[語] となる。また、書き込みの場合の数は、Ｗ語をＳ語ずつ
シフトして使用するから、（書き込み場合数）＝Ｗ[語]÷Ｓ[語]となる。

【００７９】よって、平均書き込み回数は、（平均書き込み回数）＝（Ｎ[語]＋Ｓ[語]）÷（Ｗ[語]
÷Ｓ[語]）となる。これは、ＥＥＰＲＯＭ１１４を使用する上で、
見かけ上の書き込み耐久回数が（（Ｗ[語]÷Ｓ[語]）÷
（Ｎ[語]＋Ｓ[語]）倍に拡大することに相当する。

【００８０】なお、上記のようにＮ語で調整レベルデー
タが構成される場合のメモリ読み出しは、例えば以下の
ように行う。まず、パリティビットを含む語を当該Ｎ語
の先頭語とする。そして、図１３のステップＳ９４にお
いて１が含まれる語を検出したならば、これに続くＮ語
のデータを読み出し、調整レベルデータを得るようにす
ればよい。

【００８１】なお、上記実施形態では、液晶表示装置の
立ち上げ時におけるメモリ読出処理において、ＥＥＰＲ
ＯＭ１１４から調整レベルデータを読出し、その読出し
た後に０を書込む（図１３、ステップＳ９８）がこれに
限らない。電源遮断時の電源保持時間が十分にとれるの
であれば、電源遮断時のメモり書込み処理時に、図１３
のステップＳ１００で保持されたアドレスに新たな調整
レベルデータを書込むと共に、一つ手前のアドレスに０
を書きこむようにしてもよい。

【００８２】また、上記のごとき処理手順を採用した場
合、ＥＥＰＲＯＭ１１４にはメモリか着込み時まで調整
レベルデータが記憶されていることになる。従って、新
たに書き込もうとする調整レベルデータと、既にＥＥＰ
ＲＯＭ１１４に記憶されている調整レベルデータとを比
較し、両者が異なる場合にのみデータ書込みを実行する
ようにも構成できる。

【００８３】図１５は、電源遮断時のメモり書込み時に
おいて、調整レベルデータが変化した場合にのみＥＥＰ
ＲＯＭへの書込みを実行する手順を説明するフローチャ
ートである。なお、本フローチャートを適用する場合、
図１３に示されたメモり読出手順におけるステップＳ９
８、Ｓ９９は実行しない。

【００８４】まず、ステップＳ８１においては。図１２
と同様に、ＭＰＵ１０７のＲＡＭに記憶されている輝度
レベル、色彩レベル、画質レベルから、図１１の（ｂ）
のフォーマットに従った調整レベルデータを生成する。
次に、ステップＳ８３において、図１３のステップＳ１
００で得られたアドレス値より１つ手前のアドレスに格
納されている調整レベルデータをＥＥＰＲＯＭより取得
する。そして、ステップＳ８４において、ステップＳ８
１で生成した調整レベルデータと、ステップＳ８３で取
得した調整レベルデータとを比較し、両者が一致した場
合はそのまま処理を終了する。

【００８５】また、ステップＳ８４において、両者が一
致しなければ、調整レベルが更新されていると判断し、
ステップＳ８５へ進む。ステップＳ８５では、図１３の
ステップＳ１００で得られたアドレスにステップＳ８１
で生成した調整レベルを書込み、続くステップＳ８６で
は、その１つ手前のアドレスに０を書込む。

【００８６】以上のような手順によれば、調整レベルが
変化した場合にＥＥＰＲＯＭの書込みが実行されるの
で、更に耐久性が向上する。

【００８７】なお、上述したメモリ書込み時における処
理は、調整レベルデータが１語で構成される場合を説明
したが、図１４で説明したような、調整レベルデータが
複数の語（Ｎ語）で構成され、１回のシフト量がＳ語で
あるような場合にも、図１５で説明した如き手順を適用
できることは明らかである。

【００８８】また、上記第１の実施形態ではＥＥＰＲＯ
Ｍ１１４の全領域（アドレス００Ｈ〜３ＦＨ）を使用し
たが、任意の領域を用いるようにしてもよい。また、上
記実施形態において、使用アドレスがＥＥＰＲＯＭ１１
４のアドレス３ＦＨまで到達した場合は、次のメモリ書
込みアドレスは先頭のアドレス（本例では００Ｈ）に戻
るものとする。すなわち、図１３のステップＳ１００、
Ｓ１０３における処理の後に、更新されたアドレスがア
ドレスの最大値（３ＦＨ）を越えたか否かを判断し、越
えていればアドレス値を００Ｈに戻す処理を行う。

【００８９】［第２の実施形態］次に、本発明の第２の
実施形態について説明する。第２の実施形態は第１の実
施形態のうちＥＥＰＲＯＭ上のデータ構造と使用手順に
異なる構成を有し、ＥＥＰＲＯＭの見かけ上の耐久回数
を改善する別の方法を提供するものである。

【００９０】第２の実施形態における液晶表示装置の構
成は、第１の実施形態（図１）と同様である。ただし、
第２の実施形態では、ＥＥＰＲＯＭ１１４におけるデー
タの格納形態、ＭＰＵ１０７によるメモリ制御手順が異
なる。以下、この点について説明する。

【００９１】第２の実施形態におけるＭＰＵ１０７の制
御動作は、第１の実施形態において説明した図４、図
５、図６、図７、図８、図１０に示すフローチャートに
従った動作を行う。ただし、メモリの書き込み及び読み
込みについては、第１の実施形態（図１２、図１３）と
は異なった動作を行う。

【００９２】まず、第２の実施形態におけるＥＥＰＲＯ
Ｍ１１４上のメモリ割り付けと格納されるデータ構造を
図１６に従って説明する。図１６は、第２の実施形態に
おける調整レベルを保持するためのＥＥＰＲＯＭのデー
タ構成を示す図である。

【００９３】図１６の（ａ）において、ＥＥＰＲＯＭ１
１４は１０２４ビットの容量を持ち、１６ビット／語×
６４語の構成である。アドレス００ｈにはデータが格納
されるアドレスを指すポインタが格納されている。図で
はアドレスｋが格納されている。また、アドレスｋには
１語のデータが、アドレス（ｋ＋１）にはアドレスｋの
データが同一アドレスに何回書き込まれたかを示すカウ
ンタ値が格納されている。

【００９４】図１６の（ｂ）はデータのビット割り付け
を示す図である。第１の実施形態と同様に、格納される
データは電源遮断される直前に使用者が設定した液晶表
示装置の調整状態、即ち、輝度レベル、色彩レベル、画
質レベルである。画質レベルは最大±３１レベルの符号
付き整数、輝度レベルは３２レベルの符号無し整数、色
彩レベルは８レベルの符号無し整数であり、各々７，
５，３ビットを割り当てる。パリティビットはこの１語
に含まれる１のビット数が予め決められた偶数または奇
数のいずれかになるようにセットされる。

【００９５】次に、電源投入時に行われるメモリ読み出
し動作について、図１７に示すフローチャートに従って
説明する。図１７は第２の実施形態における、メモリ読
み出し手順を表すフローチャートである。まず、ステッ
プＳ１１１において、予め決められたアドレス（本実施
形態では００ｈ）に格納されたポインタを読み出し、ス
テップＳ１１２において、パリティをチェックする。ポ
インタの格納されるアドレスは固定されており、従って
本例では常に００ｈとなる。

【００９６】ステップＳ１１２においてパリティが正し
ければステップＳ１１３へ進み、ステップＳ１１１で読
み出したポインタの示すアドレス（図１６においてはア
ドレスｋ）から調整レベルデータ（１語）を読み出す。
そしてステップＳ１１４においてパリティをチェックす
る。ステップＳ１１４におけるパリティが正しければス
テップＳ１１５へ進み、当該調整レベルデータをデコー
ドして輝度レベル、色彩レベル、画質レベルを獲得し、
当該液晶表示制御装置にセットする。

【００９７】次に、ステップＳ１１６へ進み、ポインタ
の指すアドレスの次のアドレス（図１６においてはアド
レスｋ＋１）からカウンタ値を読み出し、ステップＳ１
１７でそのパリティをチェックする。パリティが正しい
場合は、ステップＳ１１８へ進み、カウンタ値を１減ず
る。この結果、カウンタ値が０とならなければ、ステッ
プＳ１２６へ進み、その値をもとのアドレス（ｋ＋１）
に書き込む。

【００９８】一方、ステップＳ１１９においてカウンタ
値が０であれば、ステップＳ１２２へ進み、ポインタの
値を２進める（図１６においてはｋ＋２となる）。そし
て、これを新たなポインタとしてアドレス００ｈに書き
込み（ステップＳ１２３）、ポインタの書込みが終了し
たらアドレスｋ＋２にはカウンタの初期値としてＣを書
き込む（ステップＳ１２４、Ｓ１２５）。また、読み出
したカウンタ値のパリティが正しくない場合は、ステッ
プＳ１１７からステップＳ１２２へ進む。読み出したカ
ウンタのパリティが正しくない場合は、書込み回数が不
明となり、当該アドレスにおいて正常な書込みができな
い可能性があるので、調整レベルデータ及びカウンタ値
を書き込む場所を更新すべく、ステップＳ１２２へ進
み、上述の処理を行う。

【００９９】また、読み出した調整レベルデータのパリ
ティが正しくなかった場合は、ＥＥＰＲＯＭ１１４への
書き込み時または読み出し時に何らかのエラーが発生
し、電源が遮断される前のデータが失われたものとし
て、輝度レベル、色彩レベル、画質レベルにデフォルト
値を設定する（ステップＳ１１４、Ｓ１２１）。そし
て、ステップＳ１２２〜Ｓ１２７の処理、すなわち調整
レベルデータとカウンタの記憶位置を更新し、カウンタ
値として初期値Ｃを書き込む処理を行う。

【０１００】更に、読み出したポインタのパリティが正
しくない場合にも、ステップＳ１１２からステップＳ１
２０へ進む。ステップＳ１２０では、ポインタを０に戻
し、調整レベルデータ及びカウンタ値の記憶位置を初期
状態に戻す。そして、上述したステップＳ１２１からＳ
１２７の処理を行う。なお、本実施形態では、偶数アド
レスにデータを格納し、これに続く奇数アドレスにカウ
ンタを格納するので、ポインタの最小値は２となる（後
述のステップＳ１２２でポインタ値に２が加算され
る）。もちろん、奇数アドレスにデータを格納し、これ
に続く偶数アドレスにカウンタを格納するのであれば、
ステップＳ１２０におけるポインタの初期値を−１に設
定すればよい。

【０１０１】電源遮断時に行われるメモリ書き込み動作
について、図１８に示すフローチャートに従って説明す
る。図１８は第２の実施形態におけるメモリ書込み手順
を示すフローチャートである。なお、図１８に示すメモ
リ書込み処理は、第１の実施形態と同じように、電源遮
断時のＡＣＦ信号による割り込み処理である。

【０１０２】図１８のステップＳ１３１では、ＭＰＵ１
０７のＲＡＭに格納された輝度レベル、色彩レベル、画
質レベルから、図１６の（ｂ）に示す割り付けで調整レ
ベルデータ（１語）を構成する。続いて、ステップＳ１
３２において、上述のメモリ読出し処理後のポインタの
値を獲得する。そして、ステップＳ１３３において、該
ポインタによって示されるアドレスにアクセスし、ステ
ップＳ１３１で生成した調整レベルデータを書き込む。

【０１０３】以上の手順により、データが格納されるア
ドレスは書き込みＣ回毎に２ずつ進む。ＥＥＰＲＯＭ２
１４は６４語構成であり、データとカウンタの格納領域
は、ポインタの格納場所以外の領域に２語×３１個とれ
るので、１語当たりの書き込み回数はＣ回÷（Ｃ回×３１箇所）＝１／３１と低減される。これは、ＥＥＰＲＯＭ１１４を使用する
上で、見かけ上の書き込み耐久回数が３１倍に拡大する
ことに相当する。従って、上記第２の実施形態によれ
ば、ＥＥＰＲＯＭのみかけ上の耐久性が向上する。

【０１０４】なお、上記第２の実施形態では、第１の実
施形態と同様、電源遮断時に動作できる時間（電源１０
８の保持時間）が２０ｍｓであり、この間に１回しかメ
モリ書き込み時間が取れないため、データは１語のみと
した。しかし、電源の保持時間が長くかつ格納するデー
タが多い場合には２語以上のデータを書き込むことも可
能である。例えば、Ｗ語構成のＥＥＰＲＯＭにＮ語（０
＜Ｎ＜Ｗ）ずつのデータを格納し、書き込みＣ回毎にポ
インタをシフトする場合には、平均書込み回数はつぎの
ように求めることができる。

【０１０５】一般に、平均書込み回数は、（平均書き込み回数）＝（一つアドレスに書き込む回
数）÷（書き込み場合数）と表される。ここで、メモリ全体が一通り使われるまで
の１つのアドレスにおける書き込み回数はＣ回、メモリ
全体が一通り使われるまでに行われる書き込みの場合数
は、Ｗ語の内の１語がポインタに使用されるので、（書き込み場合数）＝（Ｗ[語]−１[語]）÷Ｎ[語]×Ｃ
[回] となる。

【０１０６】即ち、平均書き込み回数は、（平均書き込み回数）＝Ｃ[回]÷（（Ｗ[語]−１[語]）
÷Ｎ[語]×Ｃ[回]）＝Ｎ[語]÷（Ｗ[語]−１[語]）となり、Ｃとは無関係となる。一方、ポインタはデータ
の格納アドレスが変更される毎、即ちデータの書き込み
Ｃ回毎に書き込みが行われる。よって、ポインタの格納
される語の平均書き込み回数は、（平均書き込み回数）＝１÷Ｃ[回] である。ここで、カウンタの初期値であるＣをＣ≒（Ｗ[語]−１[語]）÷Ｎ[語] とすれば、メモリ全体に渡ってほぼ同じ書き込み頻度と
することができる。これは、ＥＥＰＲＯＭ２１４を使用
する上で、見かけ上の書き込み耐久回数が（（Ｗ[語]−
１[語]）÷Ｎ[語]）倍に拡大することに相当する。

【０１０７】なお、第１の実施形態と同様に、電源遮断
語の電源保持時間を十分に長くとれるのであれば、カウ
ンタやポインタの更新をメモリ書込み時において実行す
るように構成することも可能である。この場合、ＥＥＰ
ＲＯＭに保持された調整レベルデータから変化していな
いような場合には、書込み処理を行わないようにするこ
とができ、ＥＥＰＲＯＭの耐久性を更に向上する。

【０１０８】図１９は、第２の実施形態によるメモリ書
込み処理の他の手順を示すフローチャートである。な
お、本フローチャートの実行に際しては、調整レベルデ
ータの読出しが正常に行われた場合の読出し処理（図１
７）におけるカウンタ値、ポインタの更新を行わない。
すなわち、ステップＳ１１７においてパリティが正しけ
れば、そのままメモリ読出し処理を終了する。

【０１０９】図１９において、まずステップＳ１３１
で、輝度レベル、色彩レベル、画質レベルをＭＰＵ１０
７内のＲＡＭから読みだし、調整レベルデータを生成す
る。そして、ステップＳ１３４において、ポインタ値を
取得し、該ポインタ値によって示されるＥＥＰＲＯＭ１
１４のアドレスから調整データを取得する。ステップＳ
１３５では、ステップＳ１３１で得られた調整レベルデ
ータとステップＳ１３４で得られた調整レベルデータと
を比較し、両者が一致すれば、メモリ書込みを行わず、
本処理を終了する。

【０１１０】一方、ステップＳ１３５で両者が一致しな
ければ、ステップＳ１３６へ進み、ポインタ値＋１のア
ドレスに格納されたカウンタ値を減算する。この結果、
当該カウンタ値が０となった場合は（ステップＳ１３
７）、ステップＳ１３８で記憶位置を更新する。なお、
記憶位置の更新は、上述の図１７のステップＳ１２２〜
ステップＳ１２６の処理と同様である。そして、ステッ
プＳ１３３において、ポインタ値の示すアドレスにステ
ップＳ１３１で生成した調整レベルデータを書き込む。

【０１１１】以上のような処理により、ＥＥＰＲＯＭへ
の書き込み回数が節約され、みかけ上の耐久性が向上す
る。

【０１１２】また、図１７のステップＳ１２２におい
て、ポインタを増加した結果、ＥＥＰＲＯＭ１１４の最
大アドレス値（本例では３ＦＨ）を越えた場合は、ポイ
ンタ値を０２Ｈとする。この結果、調整レベルデータと
カウンタ値の記憶位置を、ＥＥＰＲＯＭの記憶領域内で
循環させることができる。

【０１１３】以上説明したように、上記各実施形態によ
れば、プログラム上の追加を行うだけで、費用の増加な
しに、記憶デバイスの１語当たりの書き込み回数が低減
され、記憶デバイス全体の書き込み耐久回数を増大する
ことが可能となる。そして、ＥＥＰＲＯＭなどに書き込
み耐久回数の比較的少ない素子を記憶デバイスとした場
合にも、長期にわたり安定した動作をする液晶表示装置
を提供することが可能となる。

【０１１４】［他の実施形態］なお、本発明は、複数の
機器（例えばホストコンピュータ，インタフェイス機
器，リーダ，プリンタなど）から構成されるシステムに
適用しても、一つの機器からなる装置（例えば、複写
機，ファクシミリ装置など）に適用してもよい。

【０１１５】また、本発明の目的は、前述した実施形態
の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記
録した記憶媒体を、システムあるいは装置に供給し、そ
のシステムあるいは装置のコンピュータ（またはＣＰＵ
やＭＰＵ）が記憶媒体に格納されたプログラムコードを
読出し実行することによっても、達成されることは言う
までもない。

【０１１６】この場合、記憶媒体から読出されたプログ
ラムコード自体が前述した実施形態の機能を実現するこ
とになり、そのプログラムコードを記憶した記憶媒体は
本発明を構成することになる。

【０１１７】プログラムコードを供給するための記憶媒
体としては、例えば、フロッピディスク，ハードディス
ク，光ディスク，光磁気ディスク，ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ
−Ｒ，磁気テープ，不揮発性のメモリカード，ＲＯＭな
どを用いることができる。

【０１１８】また、コンピュータが読出したプログラム
コードを実行することにより、前述した実施形態の機能
が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示
に基づき、コンピュータ上で稼働しているＯＳ（オペレ
ーティングシステム）などが実際の処理の一部または全
部を行い、その処理によって前述した実施形態の機能が
実現される場合も含まれることは言うまでもない。

【０１１９】さらに、記憶媒体から読出されたプログラ
ムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボード
やコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わる
メモリに書込まれた後、そのプログラムコードの指示に
基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わ
るＣＰＵなどが実際の処理の一部または全部を行い、そ
の処理によって前述した実施形態の機能が実現される場
合も含まれることは言うまでもない。

【０１２０】本発明を上記記憶媒体に適用する場合、そ
の記憶媒体には、先に説明したフローチャートに対応す
るプログラムコードを格納することになるが、簡単に説
明すると、図２０、図２１の各メモリマップ例に示すよ
うに、プログラムモジュールを記憶媒体に格納すること
になる。

【０１２１】すなわち、図２０に示すように、少なくと
も「検出処理モジュール」「第１書込み処理モジュー
ル」および「第２書込み処理モジュール」の各モジュー
ルのプログラムコードを記憶媒体に格納すればよい。

【０１２２】ここで、上記各モジュールは、所定ビット
数からなる語を書き換え可能な単位とする記憶媒体（た
とえば、ＥＥＰＲＯＭ）の記憶制御を行うためのプログ
ラムコードを構成するものである。そして、検出処理モ
ジュールは、少なくとも１つの反転ビットを有する所定
語を含むＮ個の語からなるデータ構成の第１データの上
記記憶媒体における記憶位置を、該所定語に基づいて検
出する検出処理を行う。また、第１書込み処理モジュー
ルは、前記認識処理で認識された前記第１データの記憶
位置より少なくとも１語分をずらした位置を新たな記憶
位置とし、前記記憶媒体における該新たな記憶位置に、
前記データ構成を有する第２データを書き込む第１書込
み処理を実現する。更に、第２書込み処理モジュール
は、前記第１データの記憶された語のうち、前記第１書
込み処理による前記第２データの書込みによって更新さ
れない語の全てのビットを非反転状態にする第２書込み
処理を実現するものである。

【０１２３】また、図２１に示すように、「書込み処理
モジュール」、「計数処理モジュール」及び「更新処理
モジュール」の各プログラムモジュールを格納するよう
にしてもよい。

【０１２４】ここで、各プログラムモジュールは、所定
ビット数からなる語を書き換え可能な単位とする記憶媒
体（たとえば、ＥＥＰＲＯＭ）の、所定語数の制御範囲
の記憶制御を行うものである。そして、書込みモジュー
ルは、Ｎ個の語を有し、少なくとも１つの反転ビットを
有する所定語を含むデータ構成のデータを前記記憶媒体
の所定の記憶位置に書込む書込み処理を実現する。ま
た、計数処理モジュールは、前記第１書込み処理による
書込みの回数を計数する計数処理を実現する。また、更
新処理モジュールは、前記書込み処理によるデータの書
込みに際して、前記計数処理によって計数された書込み
回数が所定値を越えた場合、該書込み処理による書込み
対象の記憶位置を少なくとも１語分ずらした位置に更新
する更新処理を行う。

【０１２５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
表示装置の設定状態等を示すデータを書換可能な記憶媒
体に格納する場合に、同一記憶位置に対する書き込み回
数を減少させることが可能になるので、記憶媒体の耐久
性が向上する。

【０１２６】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態における液晶表示装置の構
成を示すブロック図である。

【図２】液晶表示パネル１１１の駆動条件を説明する図
である。

【図３】ＭＰＵ１０７とスイッチボード１１３の接続を
示す図である。

【図４】ＭＰＵ１０７が実行する主プログラムのフロー
チャートである。

【図５】ＯＮシーケンスの手順を示すフローチャートで
ある。

【図６】調整動作の手順を示すフローチャートである。

【図７】各調整項目の調整手順を示すフローチャートで
ある。

【図８】温度補償処理の手順を表すフローチャートであ
る。

【図９】外部から液晶表示装置にＡＣ電源が供給された
際及びＡＣ電源が遮断された際の動作を示すタイムチャ
ートである。

【図１０】電源ＯＦＦ時の割り込みプログラムで実行さ
れるＯＦＦシーケンスの制御手順を示すフローチャート
である。

【図１１】本実施形態における調整レベルを保持するた
めのＥＥＰＲＯＭのデータ構成を示す図である。

【図１２】本実施形態におけるメモリ書込みの手順を示
すフローチャートである。

【図１３】当該表示装置の立ち上げ時に行われる「メモ
リ読み出し」動作を示すフローチャートである。

【図１４】調整レベルを保持するためのＥＥＰＲＯＭの
データ構成の他の例を示す図である。

【図１５】電源遮断時のメモり書込み時において、調整
レベルデータが変化した場合にのみＥＥＰＲＯＭへの書
込みを実行する手順を説明するフローチャートである。

【図１６】第２の実施形態における調整レベルを保持す
るためのＥＥＰＲＯＭのデータ構成を示す図である。

【図１７】第２の実施形態における、メモリ読みだし手
順を表すフローチャートである。

【図１８】第２の実施形態におけるメモリ書込み手順を
示すフローチャートである。

【図１９】第２の実施形態によるメモリ書込み処理の他
の手順を示すフローチャートである。

【図２０】本発明に係る制御プログラムを格納する記憶
媒体のメモリマップ例を示す図である。

【図２１】本発明に係る制御プログラムを格納する記憶
媒体のメモリマップ例を示す図である。

【図２２】一般的な液晶表示装置の例を示すブロック図
である。

【図２３】ＭＰＵ１８０７とスイッチボード１８１３の
接続を示す図である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定ビット数からなる語を書き換え可能
な単位とする記憶媒体を有した記憶制御装置であって、少なくとも１つの反転ビットを有する所定語を含むＮ個
の語からなるデータ構成の第１データの前記記憶媒体に
おける記憶位置を、該所定語に基づいて検出する検出手
段と、前記認識手段で認識された前記第１データの記憶位置よ
り少なくとも１語分をずらした位置を新たな記憶位置と
し、前記記憶媒体における該新たな記憶位置に、前記デ
ータ構成を有する第２データを書き込む第１書込み手段
と、前記第１データの記憶された語のうち、前記第１書込み
手段による前記第２データの書込みによって更新されな
い語の全てのビットを非反転状態にする第２書込み手段
とを備えることを特徴とする記憶制御装置。
【請求項２】前記所定語は前記データ構成におけるＮ
語の先頭の語であり、前記検出手段は、前記記憶媒体の所定領域における先頭
アドレスより順次データを読み出し、少なくとも１つの
反転ビットを含む語を検出した場合に、該語を先頭とす
るＮ語のアドレスを前記第１データの記憶位置として検
出することを特徴とする請求項１に記載の記憶制御装
置。
【請求項３】前記所定語は、反転状態のビットの数を
奇数個とするための１ビットの奇数パリティビットを含
むことを特徴とする請求項１または２に記載の記憶制御
装置。
【請求項４】前記所定語は、常に反転状態に固定され
た少なくとも１つのビットを含むことを特徴とする請求
項１または２に記載の記憶制御装置。
【請求項５】前記検索手段によって検出された記憶位
置より前記第１データを読み出す読出手段を更に備え、前記第２データ書込み手段は、前記読出手段の実行後の
前記第１データ書込み手段の実行前に行うことを特徴と
する請求項１に記載の記憶制御装置。
【請求項６】前記第１データと第２データとを比較
し、前記第１及び第２データが異なる場合に前記第１及
び第２書込み手段を実行する制御手段を更に備えること
を特徴とする請求項１に記載の記憶制御装置。
【請求項７】所定ビット数からなる語を書き換え可能
な単位とする記憶媒体の、所定語数の制御範囲の記憶制
御を行う記憶制御装置であって、Ｎ個の語を有し、少なくとも１つの反転ビットを有する
所定語を含むデータ構成のデータを前記記憶媒体の所定
の記憶位置に書込む書込み手段と、前記第１書込み手段による書込みの回数を計数する計数
手段と、前記書込み手段によるデータの書込みに際して、前記計
数手段によって計数された書込み回数が所定値を越えた
場合、該書込み手段による書込み対象の記憶位置を少な
くとも１語分ずらした位置に更新する更新手段とを備え
ることを特徴とする記憶制御装置。
【請求項８】前記書込み手段による書込み対象の記憶
位置を示すポインタを前記制御範囲の所定のアドレスに
保持する保持手段と、前記更新手段によって前記書込み手段による書込み対象
の記憶位置が更新された場合に、前記保持手段で保持さ
れている記憶位置を更新する第２更新手段とを更に備え
ることを特徴とする請求項７に記載の記憶制御装置。
【請求項９】前記データの読み出し位置、及び前記書
込み手段によるデータの記憶位置を前記保持手段で保持
されているポインタによって決定することを特徴とする
請求項８に記載の記憶制御装置。
【請求項１０】前記計数手段は、前記書込み手段によ
る書込み対象の記憶位置と所定の関係を有した記憶位置
に前記書込み回数を示す計数情報を保持することを特徴
とする請求項７に記載の記憶制御装置。
【請求項１１】前記計数手段における計数情報の記憶
位置は、前記書込み手段による書込み対象の記憶位置に
続く位置であることを特徴とする請求項１０に記載の記
憶制御装置。
【請求項１２】前記書込み手段によって書き込むべき
新たなデータと前回までに記憶されているデータとが異
なる場合に、該書込み手段による書込みを実行する制御
手段を更に備えることを特徴とする請求項７に記載の記
憶制御装置。
【請求項１３】請求項１乃至６のいずれかに記載の記
憶制御装置と、映像信号に基づく表示を行う表示器と、前記検出手段で検出された記憶位置より読み取った前記
第１データの内容に基づいて前記表示器を設定する設定
手段と、前記表示器の設定状態を変更する変更手段と、前記表示器における現状の設定状態を前記第２データと
して生成する生成手段とを備えることを特徴とする表示
装置。
【請求項１４】請求項７乃至１２のいずれかに記載の
記憶制御装置と、映像信号に基づく表示を行う表示器と、前記書込み手段による書込み対象位置である所定の記憶
位置よりデータを読み出し、該データに基づいて前記表
示器を設定する設定手段と、前記表示器の設定状態を変更する変更手段と、前記表示器における現状の設定状態を前記書込み手段に
よって書込むためのデータとして生成する生成手段とを
備えることを特徴とする表示装置。
【請求項１５】所定ビット数からなる語を書き換え可
能な単位とする記憶媒体を有した記憶制御装置の制御方
法であって、少なくとも１つの反転ビットを有する所定語を含むＮ個
の語からなるデータ構成の第１データの前記記憶媒体に
おける記憶位置を、該所定語に基づいて検出する検出工
程と、前記認識工程で認識された前記第１データの記憶位置よ
り少なくとも１語分をずらした位置を新たな記憶位置と
し、前記記憶媒体における該新たな記憶位置に、前記デ
ータ構成を有する第２データを書き込む第１書込み工程
と、前記第１データの記憶された語のうち、前記第１書込み
工程による前記第２データの書込みによって更新されな
い語の全てのビットを非反転状態にする第２書込み工程
とを備えることを特徴とする記憶制御方法。
【請求項１６】所定ビット数からなる語を書き換え可
能な単位とする記憶媒体の、所定語数の制御範囲の記憶
制御を行う記憶制御方法であって、Ｎ個の語を有し、少なくとも１つの反転ビットを有する
所定語を含むデータ構成のデータを前記記憶媒体の所定
の記憶位置に書込む書込み工程と、前記第１書込み工程による書込みの回数を計数する計数
工程と、前記書込み工程によるデータの書込みに際して、前記計
数工程によって計数された書込み回数が所定値を越えた
場合、該書込み工程による書込み対象の記憶位置を少な
くとも１語分ずらした位置に更新する更新工程とを備え
ることを特徴とする記憶制御方法。
【請求項１７】所定ビット数からなる語を書き換え可
能な単位とする記憶媒体の記憶制御を行うためのプログ
ラムコードを格納するコンピュータ可読メモリであっ
て、少なくとも１つの反転ビットを有する所定語を含むＮ個
の語からなるデータ構成の第１データの前記記憶媒体に
おける記憶位置を、該所定語に基づいて検出する検出工
程のコードと、前記認識工程で認識された前記第１データの記憶位置よ
り少なくとも１語分をずらした位置を新たな記憶位置と
し、前記記憶媒体における該新たな記憶位置に、前記デ
ータ構成を有する第２データを書き込む第１書込み工程
のコードと、前記第１データの記憶された語のうち、前記第１書込み
工程による前記第２データの書込みによって更新されな
い語の全てのビットを非反転状態にする第２書込み工程
のコードとを備えることを特徴とするコンピュータ可読
メモリ。
【請求項１８】所定ビット数からなる語を書き換え可
能な単位とする記憶媒体の、所定語数の制御範囲の記憶
制御を行うためのプログラムコードを格納するコンピュ
ータ可読メモリであって、Ｎ個の語を有し、少なくとも１つの反転ビットを有する
所定語を含むデータ構成のデータを前記記憶媒体の所定
の記憶位置に書込む書込み工程のコードと、前記第１書込み工程による書込みの回数を計数する計数
工程のコードと、前記書込み工程によるデータの書込みに際して、前記計
数工程によって計数された書込み回数が所定値を越えた
場合、該書込み工程による書込み対象の記憶位置を少な
くとも１語分ずらした位置に更新する更新工程のコード
とを備えることを特徴とするコンピュータ可読メモリ。