JPH1012812A - 電力用半導体装置 - Google Patents
電力用半導体装置Info
- Publication number
- JPH1012812A JPH1012812A JP15939596A JP15939596A JPH1012812A JP H1012812 A JPH1012812 A JP H1012812A JP 15939596 A JP15939596 A JP 15939596A JP 15939596 A JP15939596 A JP 15939596A JP H1012812 A JPH1012812 A JP H1012812A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power
- circuit
- bare
- semiconductor device
- conductive pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造が容易かつ、より小形、さらに高信頼性
のある電力用半導体装置を提供すること。 【解決手段】 表面に回路を形成した導電性パターンを
持つ回路基板上にベアパワー素子、およびそのドライブ
回路および制御回路等を構成する電子部品５を実装して
パッケージにした電力用半導体装置において、ベアパワ
ー素子２を実装したパワー回路基板１と、ベアパワー素
子回路接続用の導電性パターン１０ｃを有するパワー回
路接続用基板１０とを設け、前記ベアパワー素子２上に
前記パワー回路接続用基板１０を重ね合わせ、ベアパワ
ー素子２の上面と前記回路基板接続用基板１０の導電性
パターン１０ｃとを電気的に接続したことを特徴とす
る。
のある電力用半導体装置を提供すること。 【解決手段】 表面に回路を形成した導電性パターンを
持つ回路基板上にベアパワー素子、およびそのドライブ
回路および制御回路等を構成する電子部品５を実装して
パッケージにした電力用半導体装置において、ベアパワ
ー素子２を実装したパワー回路基板１と、ベアパワー素
子回路接続用の導電性パターン１０ｃを有するパワー回
路接続用基板１０とを設け、前記ベアパワー素子２上に
前記パワー回路接続用基板１０を重ね合わせ、ベアパワ
ー素子２の上面と前記回路基板接続用基板１０の導電性
パターン１０ｃとを電気的に接続したことを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は交流モータ制御用イ
ンバータ等の大電力を制御する電力変換装置等に使用さ
れるパワートランジスタモジュールを対象とした電力用
半導体装置に関する。
ンバータ等の大電力を制御する電力変換装置等に使用さ
れるパワートランジスタモジュールを対象とした電力用
半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、電力用半導体装置はベースとな
る金属製基板にベアパワー素子を実装し、ベアパワー素
子端子と金属基板間をアルミ、金等のワイヤで接続する
ことにより作られている。
る金属製基板にベアパワー素子を実装し、ベアパワー素
子端子と金属基板間をアルミ、金等のワイヤで接続する
ことにより作られている。
【０００３】図６に示すように、放熱ベースを兼ねた金
属板１ａの上に絶縁層１ｂを介して導電性パターン１ｃ
を有するパワー回路基板１上に、ベアパワー素子２がベ
アパワー素子放熱用ヒートシンク３を介して配置される
回路接続用ポンデイングワイヤ４によってベアパワー素
子２は導電性パターンに接続される。ドライブ回路およ
び制御回路等を構成する電子部品５や外部接続端子６は
直接導電性パターンに接続されている。封止樹脂７によ
ってケース８内は完全封入される。すなわち、金属基板
であるパワー回路基板１上にベアチップであるベアパワ
ー素子２や表面実装部品である電子部品５を実装した
後、一括リフローを行い、フラックスを洗浄し、その後
にベアパワー素子２とパワー回路基板１上の導電性パタ
ーン１ｃとをアルミワイヤ等でボンディングにより接続
するという行程を行うことにより、従来の電力用半導体
装置（パワートランジスタモジュール）は作製されてい
る。
属板１ａの上に絶縁層１ｂを介して導電性パターン１ｃ
を有するパワー回路基板１上に、ベアパワー素子２がベ
アパワー素子放熱用ヒートシンク３を介して配置される
回路接続用ポンデイングワイヤ４によってベアパワー素
子２は導電性パターンに接続される。ドライブ回路およ
び制御回路等を構成する電子部品５や外部接続端子６は
直接導電性パターンに接続されている。封止樹脂７によ
ってケース８内は完全封入される。すなわち、金属基板
であるパワー回路基板１上にベアチップであるベアパワ
ー素子２や表面実装部品である電子部品５を実装した
後、一括リフローを行い、フラックスを洗浄し、その後
にベアパワー素子２とパワー回路基板１上の導電性パタ
ーン１ｃとをアルミワイヤ等でボンディングにより接続
するという行程を行うことにより、従来の電力用半導体
装置（パワートランジスタモジュール）は作製されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】交流モータ制御用イン
バータ等の大電力を制御する従来の電力用半導体装置に
使用されるパワートランジスタモジュールは以下に示す
問題点がある。 （１）ベアパワー素子２を回路と接続するのに金属基板
上にボンディングワイヤ接続用の導電性パターン１ｃが
必要であるために回路が複雑になり、また回路の所用面
積が大きくなり、ひいては電力用半導体装置全体が大型
化する。
バータ等の大電力を制御する従来の電力用半導体装置に
使用されるパワートランジスタモジュールは以下に示す
問題点がある。 （１）ベアパワー素子２を回路と接続するのに金属基板
上にボンディングワイヤ接続用の導電性パターン１ｃが
必要であるために回路が複雑になり、また回路の所用面
積が大きくなり、ひいては電力用半導体装置全体が大型
化する。
【０００５】（２）ベアパワー素子２を回路と接続する
のに表面実装行程と別にワイヤボンディング行程が必要
であるため製造行程が複雑になる。 （３）同一平面上にパワー回路とドライブ回路および制
御回路等を構成するために回路の所用面積が大きくな
り、電力用半導体装置が大形化し、装置への組み込みス
ペースが大きくなり、装置が大形化する。
のに表面実装行程と別にワイヤボンディング行程が必要
であるため製造行程が複雑になる。 （３）同一平面上にパワー回路とドライブ回路および制
御回路等を構成するために回路の所用面積が大きくな
り、電力用半導体装置が大形化し、装置への組み込みス
ペースが大きくなり、装置が大形化する。
【０００６】（４）ワイヤボンディング後に、パワー回
路基板１上の素子はすべて樹脂にて封止されるので、そ
の行程でワイヤボンディングワイヤの素子からはずれる
などの問題がある。本発明の目的は，製造が容易かつ、
従来のものより小形、さらに高信頼性のある電力用半導
体装置を提供することにある。
路基板１上の素子はすべて樹脂にて封止されるので、そ
の行程でワイヤボンディングワイヤの素子からはずれる
などの問題がある。本発明の目的は，製造が容易かつ、
従来のものより小形、さらに高信頼性のある電力用半導
体装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の電力用半
導体装置は、表面に回路を形成した導電性パターンを持
つ回路基板上にベアパワー素子、およびそのドライブ回
路および制御回路等を構成する電子部品を実装してパッ
ケージにした電力用半導体装置において、ベアパワー素
子を実装したパワー回路基板と、ベアパワー素子回路接
続用の導電性パターンを有するパワー回路接続用基板
と、前記ベアパワー素子上に前記パワー回路接続用基板
を重ね合わせ、前記ベアパワー素子の上面と前記回路基
板接続用基板の導電性パターンとを電気的に接続したこ
とを特徴とするものである。
導体装置は、表面に回路を形成した導電性パターンを持
つ回路基板上にベアパワー素子、およびそのドライブ回
路および制御回路等を構成する電子部品を実装してパッ
ケージにした電力用半導体装置において、ベアパワー素
子を実装したパワー回路基板と、ベアパワー素子回路接
続用の導電性パターンを有するパワー回路接続用基板
と、前記ベアパワー素子上に前記パワー回路接続用基板
を重ね合わせ、前記ベアパワー素子の上面と前記回路基
板接続用基板の導電性パターンとを電気的に接続したこ
とを特徴とするものである。
【０００８】請求項２記載の電力用半導体装置は、請求
項１記載の電力用半導体装置において、ベアパワー素子
の上面と前記回路基板接続用基板の導電性パターンとを
リフロー炉ではんだ付けにより接合したことを特徴とす
るものである。
項１記載の電力用半導体装置において、ベアパワー素子
の上面と前記回路基板接続用基板の導電性パターンとを
リフロー炉ではんだ付けにより接合したことを特徴とす
るものである。
【０００９】請求項３記載の電力用半導体装置は、請求
項１記載の電力用半導体装置において、パワー回路接続
用基板を金属板等の放熱特性の良い基板であることを特
徴とするものである。
項１記載の電力用半導体装置において、パワー回路接続
用基板を金属板等の放熱特性の良い基板であることを特
徴とするものである。
【００１０】請求項４記載の電力用半導体装置は、パワ
ー回路接続用基板の一方の面にパワー回路用の導電性パ
ターンを、他方の面にドライブ回路または制御回路等の
電子回路を構成した積層基板であることを特徴とするも
のである。
ー回路接続用基板の一方の面にパワー回路用の導電性パ
ターンを、他方の面にドライブ回路または制御回路等の
電子回路を構成した積層基板であることを特徴とするも
のである。
【００１１】上述した構成により、パワー回路基板をベ
アパワー素子上面にはんだ接合する構成のためワイヤボ
ンディング工程が不要となり、製造工程を簡素化するこ
とができ、品質の安定化が図れる。またパワー回路基板
上のワイヤボンディング接続用パターンが不要となり半
導体装置を小形化することができる。さらにパワー回路
接続用基板に金属基板を用いることでベアパワー素子上
面より放熱することが可能になり、良好な放熱性を確保
できる。さらにパワー回路接続用基板に積層基板を用
い、基板上面にドライブ回路および制御回路等を構成す
ることで半導体装置の小形化が図れ、据付面積が小さく
なる。
アパワー素子上面にはんだ接合する構成のためワイヤボ
ンディング工程が不要となり、製造工程を簡素化するこ
とができ、品質の安定化が図れる。またパワー回路基板
上のワイヤボンディング接続用パターンが不要となり半
導体装置を小形化することができる。さらにパワー回路
接続用基板に金属基板を用いることでベアパワー素子上
面より放熱することが可能になり、良好な放熱性を確保
できる。さらにパワー回路接続用基板に積層基板を用
い、基板上面にドライブ回路および制御回路等を構成す
ることで半導体装置の小形化が図れ、据付面積が小さく
なる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施例について、図面を
用いて説明する。図１は、本発明の一実施例の電力用半
導体装置の構成を示す断面図である。従来と同じパワー
回路基板１の絶縁層１ｂ上に作られた導電性パターン１
ｃに、ヒートシンク３ａを介してベアパワー素子２が取
付けられている。また、他の電子部品５も導電性パター
ン１ｃに取付けられている。さらに、接続端子９の一端
が、電子部品５と同様に導電性パターン１ｃに付けられ
ている。この接続端子９の他端は、パワー回路接続用基
板１０の導電性パターン１０ｃに付けられている。な
お、導電性パターン１ｃ及び１０ｃは、それぞれの絶縁
層１ｂ及び１０ｂ上で所望のパターンを形成し、基板上
の回路素子を電気的に接続するものである。 パワー回
路接続用基板１０は、その表面に設けられた絶縁層１０
ｂ上の導電性パターン１０ｃがベアパワー素子２に対し
てヒートシンク３ｂを介して電気的に接続されている。
パワー回路基板１及びパワー回路接続用基板１０とケー
ス８とで電力用半導体装置の外枠を構成するものであ
る。ケース８内は従来のように樹脂にて封止することも
可能である。
用いて説明する。図１は、本発明の一実施例の電力用半
導体装置の構成を示す断面図である。従来と同じパワー
回路基板１の絶縁層１ｂ上に作られた導電性パターン１
ｃに、ヒートシンク３ａを介してベアパワー素子２が取
付けられている。また、他の電子部品５も導電性パター
ン１ｃに取付けられている。さらに、接続端子９の一端
が、電子部品５と同様に導電性パターン１ｃに付けられ
ている。この接続端子９の他端は、パワー回路接続用基
板１０の導電性パターン１０ｃに付けられている。な
お、導電性パターン１ｃ及び１０ｃは、それぞれの絶縁
層１ｂ及び１０ｂ上で所望のパターンを形成し、基板上
の回路素子を電気的に接続するものである。 パワー回
路接続用基板１０は、その表面に設けられた絶縁層１０
ｂ上の導電性パターン１０ｃがベアパワー素子２に対し
てヒートシンク３ｂを介して電気的に接続されている。
パワー回路基板１及びパワー回路接続用基板１０とケー
ス８とで電力用半導体装置の外枠を構成するものであ
る。ケース８内は従来のように樹脂にて封止することも
可能である。
【００１３】外部接続端子６は、パワー回路基板１の導
電性パターン１ｃに電気的に接続され、ケース８内の回
路と外部回路（図示せず）との接続を行う。次に図２，
図３を用いて、本発明による電力用半導体装置の作成行
程について説明する。
電性パターン１ｃに電気的に接続され、ケース８内の回
路と外部回路（図示せず）との接続を行う。次に図２，
図３を用いて、本発明による電力用半導体装置の作成行
程について説明する。
【００１４】図２ではパワー回路基板１の絶縁層１ｂ上
に設けられた導電性パターン１ｃに印刷されたソルダペ
ースト１１ａ上に、電子部品５及び外部接続端子６と、
接続端子９と、はんだ付けされたヒートシンク３ａを介
してベアパワー素子２のユニットがマウントされてい
る。
に設けられた導電性パターン１ｃに印刷されたソルダペ
ースト１１ａ上に、電子部品５及び外部接続端子６と、
接続端子９と、はんだ付けされたヒートシンク３ａを介
してベアパワー素子２のユニットがマウントされてい
る。
【００１５】ベアパワー素子２は、パワー回路基板１側
のヒートシンク３ａが付いている反対側の面にもヒート
シンク３ｂが付けられている。ベアパワー素子２とヒー
トシンク３ａ，３ｂとは高温はんだによりはんだ付けさ
れ、ヒートシンク３ａは導電性パターン１ｃに対して共
晶はんだにより、はんだ付けされている。
のヒートシンク３ａが付いている反対側の面にもヒート
シンク３ｂが付けられている。ベアパワー素子２とヒー
トシンク３ａ，３ｂとは高温はんだによりはんだ付けさ
れ、ヒートシンク３ａは導電性パターン１ｃに対して共
晶はんだにより、はんだ付けされている。
【００１６】図３ではパワー回路接続用基板１０に、ソ
ルダペースト１１ｂを印刷する。図１において、図２の
パワー回路基板１に図３のソルダペースト１１ｂの印刷
されたパワー回路接続用基板１０を重ね合せ、リフロー
炉等にてはんだ付けをすることにより相互が接合され
る。
ルダペースト１１ｂを印刷する。図１において、図２の
パワー回路基板１に図３のソルダペースト１１ｂの印刷
されたパワー回路接続用基板１０を重ね合せ、リフロー
炉等にてはんだ付けをすることにより相互が接合され
る。
【００１７】ソルダペースト１１ａ，１１ｂの代わり
に、図２のはんだ付けしたヒートシンク３ｂとベアパワ
ー素子２上にはんだペレットおよびはんだバンプ等を用
いてはんだ付けすることも可能である。
に、図２のはんだ付けしたヒートシンク３ｂとベアパワ
ー素子２上にはんだペレットおよびはんだバンプ等を用
いてはんだ付けすることも可能である。
【００１８】この構成においては製造工程の簡素化によ
り、高い品質を得ることができるとともに、ワイヤーボ
ンディング用のパターンが不要となるため、実装面積を
小形化することができ、有利である。
り、高い品質を得ることができるとともに、ワイヤーボ
ンディング用のパターンが不要となるため、実装面積を
小形化することができ、有利である。
【００１９】図３においてパワー回路接続用基板１０に
アルミ、銅等の金属基板を使用することにより、ベアパ
ワー素子２上部からベアパワー素子２が発生する熱を放
熱することができ、従来にくらべて高い放熱特性を確保
することが可能となり、ベアパワー素子の温度を下げる
ことができ、品質の安定化、放熱面積の増大により装置
の小形化ができる。
アルミ、銅等の金属基板を使用することにより、ベアパ
ワー素子２上部からベアパワー素子２が発生する熱を放
熱することができ、従来にくらべて高い放熱特性を確保
することが可能となり、ベアパワー素子の温度を下げる
ことができ、品質の安定化、放熱面積の増大により装置
の小形化ができる。
【００２０】図４、図５において、図４ではパワー回路
接続用基板１０裏面にチップ、ＩＣ等の電子部品５を実
装した後、表面にソルダペースト１１ｂを印刷する。図
５では図２のパワー回路基板１に図４のソルダペースト
の印刷されたパワー回路接続用基板１０を重ね合せ、リ
フロー炉等ではんだ付けすることにより相互が接続され
る。この構成においてはパワー回路基板１０の表面にド
ライブ回路、制御回路等の電子回路を構成できるため、
さらなる小形化が可能となり有利である。
接続用基板１０裏面にチップ、ＩＣ等の電子部品５を実
装した後、表面にソルダペースト１１ｂを印刷する。図
５では図２のパワー回路基板１に図４のソルダペースト
の印刷されたパワー回路接続用基板１０を重ね合せ、リ
フロー炉等ではんだ付けすることにより相互が接続され
る。この構成においてはパワー回路基板１０の表面にド
ライブ回路、制御回路等の電子回路を構成できるため、
さらなる小形化が可能となり有利である。
【００２１】
【発明の効果】以上述べたように本発明の構成によれ
ば、パワー回路基板に実装したベアパワー素子の上面
と、パワー回路接続用基板の導電性パターンをはんだで
接続することにより、従来構造の半導体装置より製造工
程の簡素化が図れ、品質の安定化、小形化が可能とな
り、またパワー回路接続用基板をアルミ、銅等の金属基
板とすることにより、高い放熱特性が得られ、品質の安
定化、小形化が可能となる。またパワー回路接続基板に
チップ、ＩＣ等の電子部品を実装した構成にすることに
より、従来構造の半導体装置と比べ、装置本体が小形、
コンパクトにすることができる。以上、本発明によれば
製造工程の簡素化、放熱特性の向上、部品の高密度化に
より、高品質で小形、コンパクトな半導体装置を提供す
ることができる。
ば、パワー回路基板に実装したベアパワー素子の上面
と、パワー回路接続用基板の導電性パターンをはんだで
接続することにより、従来構造の半導体装置より製造工
程の簡素化が図れ、品質の安定化、小形化が可能とな
り、またパワー回路接続用基板をアルミ、銅等の金属基
板とすることにより、高い放熱特性が得られ、品質の安
定化、小形化が可能となる。またパワー回路接続基板に
チップ、ＩＣ等の電子部品を実装した構成にすることに
より、従来構造の半導体装置と比べ、装置本体が小形、
コンパクトにすることができる。以上、本発明によれば
製造工程の簡素化、放熱特性の向上、部品の高密度化に
より、高品質で小形、コンパクトな半導体装置を提供す
ることができる。
【図１】本発明の実施例による電力用半導体装置の構成
図。
図。
【図２】パワー回路基板の構成図。
【図３】パワー回路接続用基板の構成図。
【図４】パワー回路接続用基板の構成図。
【図５】本発明の実施例による電力用半導体装置の構成
図。
図。
【図６】従来の電力用半導体装置の構成図。
【符号の説明】 １はパワー回路基板、１ｃ及び１ｂは導電性パターン、
２はベアパワー素子、３ａ及び３ｂはヒートシンク、５
は電子部品、６は外部接続端子、７は封止樹脂、８はケ
ース、９は接続端子、１０はパワー回路接続用基板、１
１ａ及び１１ｂはソルダペーストである。
２はベアパワー素子、３ａ及び３ｂはヒートシンク、５
は電子部品、６は外部接続端子、７は封止樹脂、８はケ
ース、９は接続端子、１０はパワー回路接続用基板、１
１ａ及び１１ｂはソルダペーストである。
Claims (4)
- 【請求項１】表面に回路を形成した導電性パターンを持
つ回路基板上にベアパワー素子、およびそのドライブ回
路および制御回路等を構成する電子部品を実装してパッ
ケージにした電力用半導体装置において、ベアパワー素
子を実装したパワー回路基板と、ベアパワー素子回路接
続用の導電性パターンを有するパワー回路接続用基板
と、前記ベアパワー素子上に前記パワー回路接続用基板
を重ね合わせ、前記ベアパワー素子の上面と前記回路基
板接続用基板の導電性パターンとを電気的に接続したこ
とを特徴とする電力用半導体装置。 - 【請求項２】 前記ベアパワー素子の上面と前記回路基
板接続用基板の導電性パターンとをリフロー炉ではんだ
付けにより接合したことを特徴とする請求項１記載の電
力用半導体装置。 - 【請求項３】 前記パワー回路接続用基板を金属板等の
放熱特性の良い基板であることを特徴とする請求項１記
載の電力用半導体装置。 - 【請求項４】 前記パワー回路接続用基板の一方の面に
パワー回路用の導電性パターンを、他方の面にドライブ
回路または制御回路等の電子回路を構成した積層基板で
あることを特徴とする請求項１記載の電力用半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15939596A JP3448159B2 (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 電力用半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15939596A JP3448159B2 (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 電力用半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012812A true JPH1012812A (ja) | 1998-01-16 |
| JP3448159B2 JP3448159B2 (ja) | 2003-09-16 |
Family
ID=15692852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15939596A Expired - Fee Related JP3448159B2 (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 電力用半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3448159B2 (ja) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003197864A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-07-11 | Abb Res Ltd | パワー半導体モジュール |
| JP2009224549A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び配線基板 |
| JP2009224546A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2009224529A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2009224545A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2009224550A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2009224547A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2009302557A (ja) * | 2009-09-02 | 2009-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2010103231A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Denso Corp | 電子装置 |
| JP2011049575A (ja) * | 2002-01-18 | 2011-03-10 | Internatl Rectifier Corp | ワンパッケージ化されたダイを有する半導体装置 |
| JP2012235128A (ja) * | 2011-05-03 | 2012-11-29 | Alstom Transport Sa | 少なくとも一つの電子部品を、第１および第２端子の間のループインダクタンスを低減する手段を含む電力供給装置に電気的に相互接続するための装置 |
| JP2012243905A (ja) * | 2011-05-18 | 2012-12-10 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | パワーモジュールおよびその製造方法 |
| CN103165587A (zh) * | 2011-12-16 | 2013-06-19 | 三星电机株式会社 | 半导体封装 |
| WO2014034411A1 (ja) | 2012-08-27 | 2014-03-06 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| KR101409622B1 (ko) * | 2011-12-16 | 2014-06-19 | 삼성전기주식회사 | 반도체 패키지 |
| US9129933B2 (en) | 2011-07-29 | 2015-09-08 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor module and an inverter mounting said semiconductor module |
| US9190397B2 (en) | 2012-02-14 | 2015-11-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| JPWO2013179638A1 (ja) * | 2012-05-29 | 2016-01-18 | 日本精工株式会社 | 半導体モジュール及びその製造方法 |
| WO2016117075A1 (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-28 | 新電元工業株式会社 | 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法 |
| WO2017130421A1 (ja) * | 2016-01-31 | 2017-08-03 | 新電元工業株式会社 | 半導体モジュール |
| WO2017130420A1 (ja) * | 2016-01-31 | 2017-08-03 | 新電元工業株式会社 | 半導体モジュール |
-
1996
- 1996-06-20 JP JP15939596A patent/JP3448159B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003197864A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-07-11 | Abb Res Ltd | パワー半導体モジュール |
| JP4669650B2 (ja) * | 2001-12-06 | 2011-04-13 | エー ビー ビー リサーチ リミテッド | パワー半導体モジュール |
| JP2011049575A (ja) * | 2002-01-18 | 2011-03-10 | Internatl Rectifier Corp | ワンパッケージ化されたダイを有する半導体装置 |
| JP2009224529A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2009224545A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2009224550A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2009224547A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2009224546A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2009224549A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び配線基板 |
| JP2010103231A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Denso Corp | 電子装置 |
| JP2009302557A (ja) * | 2009-09-02 | 2009-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2012235128A (ja) * | 2011-05-03 | 2012-11-29 | Alstom Transport Sa | 少なくとも一つの電子部品を、第１および第２端子の間のループインダクタンスを低減する手段を含む電力供給装置に電気的に相互接続するための装置 |
| JP2012243905A (ja) * | 2011-05-18 | 2012-12-10 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | パワーモジュールおよびその製造方法 |
| US9129933B2 (en) | 2011-07-29 | 2015-09-08 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor module and an inverter mounting said semiconductor module |
| US8823153B2 (en) | 2011-12-16 | 2014-09-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Semiconductor package |
| CN103165587A (zh) * | 2011-12-16 | 2013-06-19 | 三星电机株式会社 | 半导体封装 |
| KR101409622B1 (ko) * | 2011-12-16 | 2014-06-19 | 삼성전기주식회사 | 반도체 패키지 |
| US9190397B2 (en) | 2012-02-14 | 2015-11-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| JPWO2013179638A1 (ja) * | 2012-05-29 | 2016-01-18 | 日本精工株式会社 | 半導体モジュール及びその製造方法 |
| US9312234B2 (en) | 2012-05-29 | 2016-04-12 | Nsk Ltd. | Semiconductor module and method for manufacturing the same |
| US9433075B2 (en) | 2012-08-27 | 2016-08-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Electric power semiconductor device |
| WO2014034411A1 (ja) | 2012-08-27 | 2014-03-06 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| JP6093093B2 (ja) * | 2015-01-22 | 2017-03-08 | 新電元工業株式会社 | 半導体モジュール |
| WO2016117075A1 (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-28 | 新電元工業株式会社 | 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法 |
| JPWO2016117075A1 (ja) * | 2015-01-22 | 2017-04-27 | 新電元工業株式会社 | 半導体モジュール |
| WO2017130421A1 (ja) * | 2016-01-31 | 2017-08-03 | 新電元工業株式会社 | 半導体モジュール |
| WO2017130420A1 (ja) * | 2016-01-31 | 2017-08-03 | 新電元工業株式会社 | 半導体モジュール |
| JP6254300B2 (ja) * | 2016-01-31 | 2017-12-27 | 新電元工業株式会社 | 半導体モジュール |
| JP6254299B2 (ja) * | 2016-01-31 | 2017-12-27 | 新電元工業株式会社 | 半導体モジュール |
| JPWO2017130421A1 (ja) * | 2016-01-31 | 2018-02-01 | 新電元工業株式会社 | 半導体モジュール |
| JPWO2017130420A1 (ja) * | 2016-01-31 | 2018-02-01 | 新電元工業株式会社 | 半導体モジュール |
| US10319704B2 (en) | 2016-01-31 | 2019-06-11 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor module |
| US10461042B2 (en) | 2016-01-31 | 2019-10-29 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3448159B2 (ja) | 2003-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3448159B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
| JPH0964099A (ja) | 半導体装置及びその実装構造 | |
| KR20080083533A (ko) | 플립-칩 방식의 적층형 파워 모듈 및 그 파워 모듈의제조방법 | |
| JP2002076252A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0917919A (ja) | 半導体装置 | |
| US20050116322A1 (en) | Circuit module | |
| JP5169800B2 (ja) | 電子装置 | |
| JP2003115681A (ja) | 電子部品の実装構造 | |
| JP2801810B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2008017540A (ja) | 超小型電力変換装置 | |
| JPH11307721A (ja) | パワーモジュール装置およびその製造方法 | |
| US6291893B1 (en) | Power semiconductor device for “flip-chip” connections | |
| JP3156630B2 (ja) | パワー回路実装ユニット | |
| JP2736161B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08148647A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3162485B2 (ja) | マルチチップモジュール | |
| JP2000183275A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2005228811A (ja) | 半導体装置 | |
| WO2023145389A1 (ja) | 半導体装置及び電子機器 | |
| JPH06302757A (ja) | 電子部品搭載装置及びその実装方法 | |
| JP3210503B2 (ja) | マルチチップモジュールおよびその製造方法 | |
| JP2004111431A (ja) | パワーモジュールとその製造方法 | |
| JPH05144985A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2746248B2 (ja) | チップキャリア及びチップキャリアの半田付け方法 | |
| JP2591999Y2 (ja) | 集積回路のパッケージの構造 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080704 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090704 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090704 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100704 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120704 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130704 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |