JPH1012577A - ＧａＡｓ鏡面ウェハの処理方法 - Google Patents
ＧａＡｓ鏡面ウェハの処理方法Info
- Publication number
- JPH1012577A JPH1012577A JP16481596A JP16481596A JPH1012577A JP H1012577 A JPH1012577 A JP H1012577A JP 16481596 A JP16481596 A JP 16481596A JP 16481596 A JP16481596 A JP 16481596A JP H1012577 A JPH1012577 A JP H1012577A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cleaning
- mirror
- oxide film
- gaas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】保管後のＧａＡｓ鏡面ウェハを保管前の初期表
面品質と同等に改善する処理を簡単かつ高歩留りで実現
する。 【解決手段】保管後のＧａＡｓ鏡面ウェハにエピタキシ
ャル成長などのウェハ処理工程を施すに際して、ＧａＡ
ｓ鏡面ウェハの表面をＵＶオゾンまたはオゾン含有の超
純水を用いて強制酸化して、保管期間中に鏡面の劣化が
生じている層の上に強制酸化膜を形成する。鏡面の劣化
層の最大厚さを考慮すると、強制酸化膜の厚さは少なく
とも２０オングストロームとするとよい。この強制酸化
膜を酸またはアルカリによって洗浄して除去することに
より、保管期間中に鏡面の劣化が生じている層を同時に
除去してやる。洗浄は有機洗浄とアルカリ液による洗浄
とを組合わせて行うか、アルカリ液のみによる洗浄とす
るか、または、有機洗浄と酸による洗浄とを組合わせて
行うか、酸のみによる洗浄とするとよい。
面品質と同等に改善する処理を簡単かつ高歩留りで実現
する。 【解決手段】保管後のＧａＡｓ鏡面ウェハにエピタキシ
ャル成長などのウェハ処理工程を施すに際して、ＧａＡ
ｓ鏡面ウェハの表面をＵＶオゾンまたはオゾン含有の超
純水を用いて強制酸化して、保管期間中に鏡面の劣化が
生じている層の上に強制酸化膜を形成する。鏡面の劣化
層の最大厚さを考慮すると、強制酸化膜の厚さは少なく
とも２０オングストロームとするとよい。この強制酸化
膜を酸またはアルカリによって洗浄して除去することに
より、保管期間中に鏡面の劣化が生じている層を同時に
除去してやる。洗浄は有機洗浄とアルカリ液による洗浄
とを組合わせて行うか、アルカリ液のみによる洗浄とす
るか、または、有機洗浄と酸による洗浄とを組合わせて
行うか、酸のみによる洗浄とするとよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＧａＡｓ鏡面ウェハ
の処理方法に係り、特に長期保管したＧａＡｓ鏡面ウェ
ハの品質を改善するのに好適な処理方法に関する。
の処理方法に係り、特に長期保管したＧａＡｓ鏡面ウェ
ハの品質を改善するのに好適な処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓウェハは、一般的には、ラッピ
ング、エッチング、ポリッシング加工の後、検査、洗浄
を施され、鏡面ウェハとして完成する。この完成された
ＧａＡｓ鏡面ウェハは、顧客要求に応じて種々の容器に
収納されて出荷される。このＧａＡｓ鏡面ウェハの表面
は活性であり、長期間保管したものはその収納された容
器の影響や、保管場所の雰囲気の影響を受け、鏡面品質
は劣化する。
ング、エッチング、ポリッシング加工の後、検査、洗浄
を施され、鏡面ウェハとして完成する。この完成された
ＧａＡｓ鏡面ウェハは、顧客要求に応じて種々の容器に
収納されて出荷される。このＧａＡｓ鏡面ウェハの表面
は活性であり、長期間保管したものはその収納された容
器の影響や、保管場所の雰囲気の影響を受け、鏡面品質
は劣化する。
【０００３】この様な長期保管により鏡面品質が劣化し
た鏡面ウェハは顧客でＭＯＶＰＥやＭＢＥ等のエピタキ
シャル成長を行ったとき、または、プロセス投入前の前
処理として化学エッチングを行ったときに、ウェハ表面
にくもりや面荒れ等を発生させる場合がある。
た鏡面ウェハは顧客でＭＯＶＰＥやＭＢＥ等のエピタキ
シャル成長を行ったとき、または、プロセス投入前の前
処理として化学エッチングを行ったときに、ウェハ表面
にくもりや面荒れ等を発生させる場合がある。
【０００４】このため、従来は鏡面ウェハとして完成し
てから保管が長期間にわたるものは、再加工を行い、そ
の表面を除去することにより、表面品質を確保し顧客へ
出荷していた。保管期間がどのくらい経過したら再加工
を必要とするかは、保管場所の雰囲気などにより変る
が、大気雰囲気保管では約１か月、Ｎ2 雰囲気保管では
約２か月を目途に再加工していた。
てから保管が長期間にわたるものは、再加工を行い、そ
の表面を除去することにより、表面品質を確保し顧客へ
出荷していた。保管期間がどのくらい経過したら再加工
を必要とするかは、保管場所の雰囲気などにより変る
が、大気雰囲気保管では約１か月、Ｎ2 雰囲気保管では
約２か月を目途に再加工していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の再加工方法では、図３に示すように、ウェハ貼付→ポ
リッシング→ウェハ取外し→検査→洗浄と多くの工程を
経て再加工するため、効率が悪く、しかも一度完成した
ウェハであるにも関わらず再度加工するため、歩留りが
低下するという問題があった。特に、表面品質を保管前
の初期表面品質と同等にするために、ポリッシング加工
により表面を数μｍ単位で除去する必要があるが、そう
するとスクラッチ等の不良が発生する可能性があるた
め、大幅に歩留りが低下するという問題があった。
の再加工方法では、図３に示すように、ウェハ貼付→ポ
リッシング→ウェハ取外し→検査→洗浄と多くの工程を
経て再加工するため、効率が悪く、しかも一度完成した
ウェハであるにも関わらず再度加工するため、歩留りが
低下するという問題があった。特に、表面品質を保管前
の初期表面品質と同等にするために、ポリッシング加工
により表面を数μｍ単位で除去する必要があるが、そう
するとスクラッチ等の不良が発生する可能性があるた
め、大幅に歩留りが低下するという問題があった。
【０００６】本発明の目的は、上述した従来技術の問題
点を解消して、再加工することなく、保管後のＧａＡｓ
鏡面ウェハを保管前の初期表面品質に簡単かつ高歩留り
に改善することが可能なＧａＡｓ鏡面ウェハの処理方法
を提供することにある。
点を解消して、再加工することなく、保管後のＧａＡｓ
鏡面ウェハを保管前の初期表面品質に簡単かつ高歩留り
に改善することが可能なＧａＡｓ鏡面ウェハの処理方法
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、保管後のＧａＡｓ鏡面ウェハにエピタキシャル成長
などのウェハ処理工程を施すに際して、前記ＧａＡｓ鏡
面ウェハの表面を強制酸化して強制酸化膜を形成した
後、前記強制酸化膜を酸またはアルカリによって除去す
ることにより、保管期間中に鏡面の劣化が生じている層
を同時に除去するようにしたことを特徴とするＧａＡｓ
鏡面ウェハの処理方法である。
は、保管後のＧａＡｓ鏡面ウェハにエピタキシャル成長
などのウェハ処理工程を施すに際して、前記ＧａＡｓ鏡
面ウェハの表面を強制酸化して強制酸化膜を形成した
後、前記強制酸化膜を酸またはアルカリによって除去す
ることにより、保管期間中に鏡面の劣化が生じている層
を同時に除去するようにしたことを特徴とするＧａＡｓ
鏡面ウェハの処理方法である。
【０００８】保管により鏡面の劣化が生じている層は通
常自然酸化膜でできている。ＧａＡｓ鏡面ウェハの表面
に付く自然酸化膜は、後述するように１５オングストロ
ーム前後程度の厚さしかないため、この自然酸化膜のみ
を除去することは技術的に困難である。このため保管に
より付いた自然酸化膜のみを取り除くには、従来のよう
に再加工するしか方法がない。しかし酸化膜層の合計膜
厚を厚くしてやれば除去が容易になる。この点で本発明
のように、保管後のＧａＡｓ鏡面ウェハの表面を強制酸
化させた後に、その酸化膜を除去することにより、保管
により表面についた自然酸化膜を同時に除去するように
すれば、簡単かつ高歩留りで、鏡面の劣化が生じている
層を除去することができ、その結果、ＧａＡｓ鏡面ウェ
ハを完成した直後のウェハと同等の鏡面品質を得ること
ができる。
常自然酸化膜でできている。ＧａＡｓ鏡面ウェハの表面
に付く自然酸化膜は、後述するように１５オングストロ
ーム前後程度の厚さしかないため、この自然酸化膜のみ
を除去することは技術的に困難である。このため保管に
より付いた自然酸化膜のみを取り除くには、従来のよう
に再加工するしか方法がない。しかし酸化膜層の合計膜
厚を厚くしてやれば除去が容易になる。この点で本発明
のように、保管後のＧａＡｓ鏡面ウェハの表面を強制酸
化させた後に、その酸化膜を除去することにより、保管
により表面についた自然酸化膜を同時に除去するように
すれば、簡単かつ高歩留りで、鏡面の劣化が生じている
層を除去することができ、その結果、ＧａＡｓ鏡面ウェ
ハを完成した直後のウェハと同等の鏡面品質を得ること
ができる。
【０００９】請求項２に記載の発明は、ＧａＡｓ鏡面ウ
ェハの表面に形成する強制酸化膜の厚さを２０オングス
トローム以上とした請求項１に記載の処理方法である。
保管が長期にわたった場合に最大２０オングストローム
厚まで自然酸化膜が付く可能性があるが、膜の厚さが２
０オングストローム以上となるように強制酸化膜を形成
するようにした場合には、最大厚の自然酸化膜が付いて
も、それを除去することができる。
ェハの表面に形成する強制酸化膜の厚さを２０オングス
トローム以上とした請求項１に記載の処理方法である。
保管が長期にわたった場合に最大２０オングストローム
厚まで自然酸化膜が付く可能性があるが、膜の厚さが２
０オングストローム以上となるように強制酸化膜を形成
するようにした場合には、最大厚の自然酸化膜が付いて
も、それを除去することができる。
【００１０】請求項３に記載の発明は、ＵＶオゾンまた
はオゾン含有の超純水を用いて強制酸化膜を形成するよ
うにした請求項１または２に記載のＧａＡｓ鏡面ウェハ
の処理方法である。ＵＶオゾンまたはオゾン含有の超純
水を用いて強制酸化膜を形成すると、その形成が容易に
なる。
はオゾン含有の超純水を用いて強制酸化膜を形成するよ
うにした請求項１または２に記載のＧａＡｓ鏡面ウェハ
の処理方法である。ＵＶオゾンまたはオゾン含有の超純
水を用いて強制酸化膜を形成すると、その形成が容易に
なる。
【００１１】請求項４に記載の発明は、有機洗浄とアル
カリ液による洗浄とを組合わせるか、またはアルカリ液
のみによる洗浄により強制酸化膜を除去するようにした
請求項１ないし３のいずれかに記載のＧａＡｓ鏡面ウェ
ハの処理方法である。
カリ液による洗浄とを組合わせるか、またはアルカリ液
のみによる洗浄により強制酸化膜を除去するようにした
請求項１ないし３のいずれかに記載のＧａＡｓ鏡面ウェ
ハの処理方法である。
【００１２】請求項５に記載の発明は、有機洗浄と酸に
よる洗浄とを組合わせるか、または酸のみによる洗浄に
より強制酸化膜を除去するようにした請求項１ないし３
のいずれかに記載のＧａＡｓ鏡面ウェハの処理方法であ
る。
よる洗浄とを組合わせるか、または酸のみによる洗浄に
より強制酸化膜を除去するようにした請求項１ないし３
のいずれかに記載のＧａＡｓ鏡面ウェハの処理方法であ
る。
【００１３】請求項４または５に記載の発明のように、
ＧａＡｓ鏡面ウェハで一般的に用いられている洗浄法を
利用して酸化膜を除去するようにしたので、設備費を安
価にすることができる。
ＧａＡｓ鏡面ウェハで一般的に用いられている洗浄法を
利用して酸化膜を除去するようにしたので、設備費を安
価にすることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に本発明のＧａＡｓ鏡面ウェ
ハの処理方法の実施の形態を図面を用いて説明する。
ハの処理方法の実施の形態を図面を用いて説明する。
【００１５】本実施の形態は、保管後のＧａＡｓ鏡面ウ
ェハにエピタキシャル成長などのウェハ処理工程を施す
に際して、図１に示すように、ＧａＡｓ鏡面ウェハの表
面を強制酸化して、保管期間中に鏡面の劣化が生じてい
る層の上に強制酸化膜を形成し、この強制酸化膜を形成
したＧａＡｓ鏡面ウェハを洗浄して、これらの強制酸化
膜と劣化が生じている層とを酸またはアルカリによって
同時に除去するようにしたものである。
ェハにエピタキシャル成長などのウェハ処理工程を施す
に際して、図１に示すように、ＧａＡｓ鏡面ウェハの表
面を強制酸化して、保管期間中に鏡面の劣化が生じてい
る層の上に強制酸化膜を形成し、この強制酸化膜を形成
したＧａＡｓ鏡面ウェハを洗浄して、これらの強制酸化
膜と劣化が生じている層とを酸またはアルカリによって
同時に除去するようにしたものである。
【００１６】本実施の形態によれば、保管により鏡面の
劣化が生じている層を、強制酸化膜の除去に伴って除去
するようにしたので、ＧａＡｓウェハを長期保管前の初
期の表面品質と同等の品質に改善することができる。
劣化が生じている層を、強制酸化膜の除去に伴って除去
するようにしたので、ＧａＡｓウェハを長期保管前の初
期の表面品質と同等の品質に改善することができる。
【００１７】また、従来例の再加工プロセスを示す図３
と比較すれば分かるように、本発明のプロセスは大幅に
簡略化されているため効率が極めて良好となる。更に本
発明のプロセスでは表面層の除去量は強制酸化膜の厚み
分に鏡面の劣化が生じている劣化層を加えた分のみであ
り、ＧａＡｓ自体を削り取るわけではないので、ＧａＡ
ｓ鏡面ウェハに要求される加工精度、例えばＴＴＶ（To
tal Thickness Variation ）やＬＴＶ（Local Thicknes
s Variation ）に変化はない。また、本実施の形態では
ポリッシング加工を行わないので、ポリッシング加工で
生じるようなスクラッチ等の不良の発生は皆無であり、
大幅に歩留りが向上する。
と比較すれば分かるように、本発明のプロセスは大幅に
簡略化されているため効率が極めて良好となる。更に本
発明のプロセスでは表面層の除去量は強制酸化膜の厚み
分に鏡面の劣化が生じている劣化層を加えた分のみであ
り、ＧａＡｓ自体を削り取るわけではないので、ＧａＡ
ｓ鏡面ウェハに要求される加工精度、例えばＴＴＶ（To
tal Thickness Variation ）やＬＴＶ（Local Thicknes
s Variation ）に変化はない。また、本実施の形態では
ポリッシング加工を行わないので、ポリッシング加工で
生じるようなスクラッチ等の不良の発生は皆無であり、
大幅に歩留りが向上する。
【００１８】
【実施例】本実施例では、φ３”引上法ＧａＡｓ鏡面ウ
ェハを試料として使用した。ラッピング、エッチング、
ポリッシング加工の後、検査、洗浄を施して鏡面に完成
された上述のＧａＡｓ鏡面ウェハを１．５か月間大気雰
囲気のクリーン保管庫内に保管した。この長期保管した
ＧａＡｓ鏡面ウェハを保管庫から取り出して、その表面
にＵＶオゾン処理を施して３０オングストローム厚の強
制酸化膜を付けた。この膜厚はエリプソメーターで測定
した。通常ＧａＡｓ鏡面ウェハの完成直後に表面に付く
自然酸化膜の厚さは８〜１２オングストロームであり、
長期保管品では１５オングストローム前後である。
ェハを試料として使用した。ラッピング、エッチング、
ポリッシング加工の後、検査、洗浄を施して鏡面に完成
された上述のＧａＡｓ鏡面ウェハを１．５か月間大気雰
囲気のクリーン保管庫内に保管した。この長期保管した
ＧａＡｓ鏡面ウェハを保管庫から取り出して、その表面
にＵＶオゾン処理を施して３０オングストローム厚の強
制酸化膜を付けた。この膜厚はエリプソメーターで測定
した。通常ＧａＡｓ鏡面ウェハの完成直後に表面に付く
自然酸化膜の厚さは８〜１２オングストロームであり、
長期保管品では１５オングストローム前後である。
【００１９】この強制酸化膜を付けたＧａＡｓ鏡面ウェ
ハに、図２に示すＧａＡｓ鏡面ウェハで一般的に用いら
れている洗浄を施した。すなわち、有機洗浄→純水リン
ス→アルカリ洗浄→純水リンス→乾燥のプロセスを経て
酸化膜を除去した。洗浄後の酸化膜厚は１０オングスト
ロームであり、これはＧａＡｓ鏡面ウェハの完成直後の
自然酸化膜と同じレベルであった。
ハに、図２に示すＧａＡｓ鏡面ウェハで一般的に用いら
れている洗浄を施した。すなわち、有機洗浄→純水リン
ス→アルカリ洗浄→純水リンス→乾燥のプロセスを経て
酸化膜を除去した。洗浄後の酸化膜厚は１０オングスト
ロームであり、これはＧａＡｓ鏡面ウェハの完成直後の
自然酸化膜と同じレベルであった。
【００２０】更に、このＧａＡｓ鏡面ウェハに無処理で
ＭＯＶＰＥエピタキシャル成長を施したところ、くもり
や面荒れ等の異常がなく、エピタキシャル層の特性も全
く問題のないレベルのものであった。また、顧客でプロ
セス投入前に行われる前処理であるアンモニア系エッチ
ング及び硫酸系のエッチングを行ったところ、くもり、
面荒れ等のない正常な鏡面を得た。
ＭＯＶＰＥエピタキシャル成長を施したところ、くもり
や面荒れ等の異常がなく、エピタキシャル層の特性も全
く問題のないレベルのものであった。また、顧客でプロ
セス投入前に行われる前処理であるアンモニア系エッチ
ング及び硫酸系のエッチングを行ったところ、くもり、
面荒れ等のない正常な鏡面を得た。
【００２１】なお、上述した実施例では強制酸化の方法
としては、ＵＶオゾン処理を用いたが、オゾン含有の超
純水で処理するようにしてもよい。この場合、図２の洗
浄プロセスにおいて有機洗浄の前で処理するか、もしく
は有機洗浄後の純水リンスのときに処理するとよい。
としては、ＵＶオゾン処理を用いたが、オゾン含有の超
純水で処理するようにしてもよい。この場合、図２の洗
浄プロセスにおいて有機洗浄の前で処理するか、もしく
は有機洗浄後の純水リンスのときに処理するとよい。
【００２２】また、図３における洗浄プロセスの有機洗
浄は省略することも可能である。さらにアルカリ洗浄
で、酸（例えばフッ酸、硫酸）と過酸化水素水と純水と
の混合液等で洗浄してもよい。
浄は省略することも可能である。さらにアルカリ洗浄
で、酸（例えばフッ酸、硫酸）と過酸化水素水と純水と
の混合液等で洗浄してもよい。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、ＧａＡｓ鏡面ウェハの
表面を強制酸化した後、その強制酸化膜を除去すること
により、保管により鏡面の劣化が生じている層を同時に
除去するようにしたので、従来の再加工方法と比べて、
きわめて簡単かつ高歩留で、保管後のＧａＡｓ鏡面ウェ
ハを保管前の初期の表面品質と同等の品質に改善するこ
とができる。
表面を強制酸化した後、その強制酸化膜を除去すること
により、保管により鏡面の劣化が生じている層を同時に
除去するようにしたので、従来の再加工方法と比べて、
きわめて簡単かつ高歩留で、保管後のＧａＡｓ鏡面ウェ
ハを保管前の初期の表面品質と同等の品質に改善するこ
とができる。
【図１】本発明のＧａＡｓ鏡面ウェハの処理方法の実施
の形態を示す工程図である。
の形態を示す工程図である。
【図２】本実施の形態の洗浄部分の詳細な工程図であ
る。
る。
【図３】従来のＧａＡｓ鏡面ウェハの再加工方法を示す
工程図である。
工程図である。
Claims (5)
- 【請求項１】保管後のＧａＡｓ鏡面ウェハにエピタキシ
ャル成長などのウェハ処理工程を施すに際して、前記Ｇ
ａＡｓ鏡面ウェハの表面を強制酸化して強制酸化膜を形
成した後、前記強制酸化膜を酸またはアルカリによって
除去することにより、保管期間中に鏡面の劣化が生じて
いる層を同時に除去するようにしたことを特徴とするＧ
ａＡｓ鏡面ウェハの処理方法。 - 【請求項２】前記ＧａＡｓ鏡面ウェハの表面に形成する
強制酸化膜の厚さを２０オングストローム以上とした請
求項１に記載の処理方法。 - 【請求項３】前記強制酸化膜を、ＵＶオゾンまたはオゾ
ン含有の超純水を用いて形成するようにした請求項１ま
たは２に記載のＧａＡｓ鏡面ウェハの処理方法。 - 【請求項４】前記強制酸化膜を、有機洗浄とアルカリ液
による洗浄との組合わせ、またはアルカリ液のみによる
洗浄により除去するようにした請求項１ないし３のいず
れかに記載のＧａＡｓ鏡面ウェハの処理方法。 - 【請求項５】前記自然酸化膜を、有機洗浄と酸による洗
浄との組合わせ、または酸のみによる洗浄により除去す
るようにした請求項１ないし３のいずれかに記載のＧａ
Ａｓ鏡面ウェハの処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16481596A JPH1012577A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | ＧａＡｓ鏡面ウェハの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16481596A JPH1012577A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | ＧａＡｓ鏡面ウェハの処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012577A true JPH1012577A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15800455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16481596A Pending JPH1012577A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | ＧａＡｓ鏡面ウェハの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012577A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10460924B2 (en) | 2013-02-15 | 2019-10-29 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Process for producing a gallium arsenide substrate which includes marangoni drying |
| WO2021176750A1 (ja) | 2020-03-02 | 2021-09-10 | 住友電気工業株式会社 | ヒ化ガリウム単結晶基板およびヒ化ガリウム単結晶基板の製造方法 |
| JP7327714B1 (ja) * | 2022-09-16 | 2023-08-16 | 住友電気工業株式会社 | ヒ化ガリウム単結晶基板およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-06-25 JP JP16481596A patent/JPH1012577A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10460924B2 (en) | 2013-02-15 | 2019-10-29 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Process for producing a gallium arsenide substrate which includes marangoni drying |
| US11170989B2 (en) | 2013-02-15 | 2021-11-09 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Gallium arsenide substrate comprising a surface oxide layer with improved surface homogeneity |
| WO2021176750A1 (ja) | 2020-03-02 | 2021-09-10 | 住友電気工業株式会社 | ヒ化ガリウム単結晶基板およびヒ化ガリウム単結晶基板の製造方法 |
| CN115087767A (zh) * | 2020-03-02 | 2022-09-20 | 住友电气工业株式会社 | 砷化镓单晶衬底和砷化镓单晶衬底的制造方法 |
| US11891720B2 (en) | 2020-03-02 | 2024-02-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gallium arsenide single crystal substrate and method for producing gallium arsenide single crystal substrate |
| CN115087767B (zh) * | 2020-03-02 | 2024-02-20 | 住友电气工业株式会社 | 砷化镓单晶衬底和砷化镓单晶衬底的制造方法 |
| JP7327714B1 (ja) * | 2022-09-16 | 2023-08-16 | 住友電気工業株式会社 | ヒ化ガリウム単結晶基板およびその製造方法 |
| WO2024057533A1 (ja) * | 2022-09-16 | 2024-03-21 | 住友電気工業株式会社 | ヒ化ガリウム単結晶基板およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4050954A (en) | Surface treatment of semiconductor substrates | |
| JP3154814B2 (ja) | 半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置 | |
| JP4661784B2 (ja) | Ｓｏｉウエーハの洗浄方法 | |
| US20080292877A1 (en) | Method of Cleaning Gaas Substrate, Method of Producing Gaas Substrate, Method of Fabricating Epitaxial Susbstrate, and Gaas Wafer | |
| US20060177993A1 (en) | Method for manufacturing SOI substrate | |
| JP2007165935A (ja) | スクラバ中の金属を除去する方法 | |
| KR101697659B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 세정방법 | |
| JP2007234952A (ja) | 化合物半導体基板の表面処理方法、化合物半導体の製造方法、化合物半導体基板、および半導体ウエハ | |
| US20220059343A1 (en) | Apparatus for cleaning semiconductor silicon wafer and method for cleaning semiconductor silicon wafer | |
| WO2013179569A1 (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法 | |
| US20080214013A1 (en) | Method for Removal of Bulk Metal Contamination from III-V Semiconductor Substrates | |
| JPH1012577A (ja) | ＧａＡｓ鏡面ウェハの処理方法 | |
| KR20110036990A (ko) | 균일 산화막 형성 방법 및 세정 방법 | |
| JP4857738B2 (ja) | 半導体ウエーハの洗浄方法および製造方法 | |
| US5700348A (en) | Method of polishing semiconductor substrate | |
| JPH0786220A (ja) | 半導体ウエハの洗浄方法 | |
| KR20230005174A (ko) | 반도체 웨이퍼의 세정방법 | |
| JP2006269960A (ja) | 半導体基板の洗浄方法、および半導体基板の製造方法 | |
| JP3611142B2 (ja) | 張り合わせウェーハおよびその製造方法 | |
| JP3255103B2 (ja) | シリコンウエーハの保管用水及び保管する方法 | |
| KR20030068354A (ko) | 반도체 웨이퍼의 재생방법 | |
| JP3449492B2 (ja) | ウェーハエッチングの前処理方法 | |
| JPH11204471A (ja) | 化合物半導体ウェハの製造方法 | |
| JP3161007B2 (ja) | ＩｎＰ単結晶鏡面ウェハの製造方法 | |
| KR19980086347A (ko) | 반도체 웨이퍼 세척방법 |