JPH10116442A - 光ディスク基板 - Google Patents
光ディスク基板Info
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- JPH10116442A JPH10116442A JP9246993A JP24699397A JPH10116442A JP H10116442 A JPH10116442 A JP H10116442A JP 9246993 A JP9246993 A JP 9246993A JP 24699397 A JP24699397 A JP 24699397A JP H10116442 A JPH10116442 A JP H10116442A
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- Japan
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- block copolymer
- styrene
- segment
- optical disk
- disk substrate
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- Graft Or Block Polymers (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の無機系記録媒体のみならず、塗布型の
有機色素系記録媒体にも適用可能な極めて耐熱性に優
れ、また靭性、弾性率等の機械的特性にも優れ、耐薬品
性も良好な透明樹脂製光ディスク基板を提供する。 【解決手段】 スチレン系重合体セグメントを６０〜９
９重量％含み、共役ジエン系重合体セグメントを４０〜
１重量％含むスチレン系ブロック共重合体の芳香族環を
水素添加して得られる、ポリビニルシクロヘキサン系ブ
ロック共重合体からなり、複屈折率が３０ｎｍである光
ディスク基板。
有機色素系記録媒体にも適用可能な極めて耐熱性に優
れ、また靭性、弾性率等の機械的特性にも優れ、耐薬品
性も良好な透明樹脂製光ディスク基板を提供する。 【解決手段】 スチレン系重合体セグメントを６０〜９
９重量％含み、共役ジエン系重合体セグメントを４０〜
１重量％含むスチレン系ブロック共重合体の芳香族環を
水素添加して得られる、ポリビニルシクロヘキサン系ブ
ロック共重合体からなり、複屈折率が３０ｎｍである光
ディスク基板。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光ディスク基板に係
り、特に、ポリビニルシクロヘキサン系ブロック共重合
体からなる光ディスク基板に関する。
り、特に、ポリビニルシクロヘキサン系ブロック共重合
体からなる光ディスク基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザーを用いた光学記録は高密度の情
報記録、保存、及び再生が可能であるため、近年その開
発が積極的に行なわれている。この様な光学記録の一例
として光ディスクを挙げることが出来る。一般に光ディ
スクは、透明な基板とその上にコートされた種々の記録
媒体とから基本的に構成される。
報記録、保存、及び再生が可能であるため、近年その開
発が積極的に行なわれている。この様な光学記録の一例
として光ディスクを挙げることが出来る。一般に光ディ
スクは、透明な基板とその上にコートされた種々の記録
媒体とから基本的に構成される。
【０００３】光ディスクの透明基板には無色透明な合成
樹脂が用いられるケースが多く、その代表的なものとし
てポリカーボネート（以下、「ＰＣ」と略称する。）又
はポリメチルメタクリレート（以下、「ＰＭＭＡ」と略
称する。）を挙げることができる。これらの樹脂は無色
透明性に秀いでる他、夫々に固有の優れた性質を有する
ものではあるが、光学材料、特に光ディスク基板として
の要件を全て備えている訳ではなく、解決すべき問題点
を有している。例えば、ＰＣにおいてはその芳香族環に
起因する複屈折性の問題があり、また、吸水性或いは透
水性においても問題がある。一方、ＰＭＭＡにおいて
は、耐熱性、吸水性、靭性の面における問題点がかねて
より指摘されている。
樹脂が用いられるケースが多く、その代表的なものとし
てポリカーボネート（以下、「ＰＣ」と略称する。）又
はポリメチルメタクリレート（以下、「ＰＭＭＡ」と略
称する。）を挙げることができる。これらの樹脂は無色
透明性に秀いでる他、夫々に固有の優れた性質を有する
ものではあるが、光学材料、特に光ディスク基板として
の要件を全て備えている訳ではなく、解決すべき問題点
を有している。例えば、ＰＣにおいてはその芳香族環に
起因する複屈折性の問題があり、また、吸水性或いは透
水性においても問題がある。一方、ＰＭＭＡにおいて
は、耐熱性、吸水性、靭性の面における問題点がかねて
より指摘されている。
【０００４】このように、これらの樹脂は夫々固有の問
題点を内在させつつ使用に供されているのであるが、実
際には更に、これらの樹脂よりなる透明基板の上にコー
トされる記録媒体との関係において、後述のような新た
な問題が生じている。
題点を内在させつつ使用に供されているのであるが、実
際には更に、これらの樹脂よりなる透明基板の上にコー
トされる記録媒体との関係において、後述のような新た
な問題が生じている。
【０００５】一方、記録媒体については、従来より光デ
ィスクの用途に応じて多岐にわたる開発が行なわれてい
る。例えば、ライト・ワンス型と呼ばれる記録−再生専
用のものでは穴あけタイプのものが、またイレーザブル
型と呼ばれる、記録−再生−消去−再記録用のもので
は、結晶転移現象を利用した相転移タイプのもの、光磁
気効果を利用した光磁気タイプのもの等が知られてい
る。これらの記録媒体用材料は、ライト・ワンス型では
テルル又はその酸化物、合金化合物等、イレーザブル型
では、Ｇｄ・Ｆｅ／ＴｂＦｅ、Ｇｄ・Ｆｅ・Ｃｏ／Ｔｂ
・ＦｅＣｏといった希土類−遷移金属のアモルファス合
金化合物等、無機系材料が主流とされており、一般に高
真空下でのスパッタリング等の乾式処法により、透明基
板上に成膜することにより形成されている。
ィスクの用途に応じて多岐にわたる開発が行なわれてい
る。例えば、ライト・ワンス型と呼ばれる記録−再生専
用のものでは穴あけタイプのものが、またイレーザブル
型と呼ばれる、記録−再生−消去−再記録用のもので
は、結晶転移現象を利用した相転移タイプのもの、光磁
気効果を利用した光磁気タイプのもの等が知られてい
る。これらの記録媒体用材料は、ライト・ワンス型では
テルル又はその酸化物、合金化合物等、イレーザブル型
では、Ｇｄ・Ｆｅ／ＴｂＦｅ、Ｇｄ・Ｆｅ・Ｃｏ／Ｔｂ
・ＦｅＣｏといった希土類−遷移金属のアモルファス合
金化合物等、無機系材料が主流とされており、一般に高
真空下でのスパッタリング等の乾式処法により、透明基
板上に成膜することにより形成されている。
【０００６】一方、記録媒体として有機溶剤に可溶な有
機色素系材料についても検討がなされており、これを塗
布方式で媒体成膜することができるならば、無機系材料
における様な特殊且つ高価な装置を用いる必要もなくな
り、生産性の向上と相まって将来のコストダウン化への
大きな道がひらけるであろうと云われている。
機色素系材料についても検討がなされており、これを塗
布方式で媒体成膜することができるならば、無機系材料
における様な特殊且つ高価な装置を用いる必要もなくな
り、生産性の向上と相まって将来のコストダウン化への
大きな道がひらけるであろうと云われている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＰＣ、
ＰＭＭＡに代表される従来の基板用樹脂は、耐溶剤性に
劣るため、上記塗布型有機色素系記録媒体に適用するこ
とが難しく、この方向への展開を大きく阻む原因となっ
ていた。
ＰＭＭＡに代表される従来の基板用樹脂は、耐溶剤性に
劣るため、上記塗布型有機色素系記録媒体に適用するこ
とが難しく、この方向への展開を大きく阻む原因となっ
ていた。
【０００８】本発明は、上記従来の問題点を解決し、従
来の無機系記録媒体のみならず、塗布型の有機色素系記
録媒体にも適用可能な透明樹脂材料製光ディスク基板を
提供することを目的とする。
来の無機系記録媒体のみならず、塗布型の有機色素系記
録媒体にも適用可能な透明樹脂材料製光ディスク基板を
提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の光ディスク基板
は、スチレン系重合体セグメントを６０〜９９重量％含
み、共役ジエン系重合体セグメントを４０〜１重量％含
むスチレン系ブロック共重合体の芳香族環を水素添加し
て得られる、ポリビニルシクロヘキサン系ブロック共重
合体からなり、複屈折率が３０ｎｍ以下であることを特
徴とする。
は、スチレン系重合体セグメントを６０〜９９重量％含
み、共役ジエン系重合体セグメントを４０〜１重量％含
むスチレン系ブロック共重合体の芳香族環を水素添加し
て得られる、ポリビニルシクロヘキサン系ブロック共重
合体からなり、複屈折率が３０ｎｍ以下であることを特
徴とする。
【００１０】即ち、本発明者らは上記目的を達成すべ
く、鋭意検討を行なった結果、特定のスチレン系樹脂の
芳香族環を核水添してなるポリビニルシクロヘキサン系
樹脂を用いることにより、極めて良好な光ディスク基板
が得られることを見出し、本発明を完成させた。
く、鋭意検討を行なった結果、特定のスチレン系樹脂の
芳香族環を核水添してなるポリビニルシクロヘキサン系
樹脂を用いることにより、極めて良好な光ディスク基板
が得られることを見出し、本発明を完成させた。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１２】本発明で用いるスチレン系ブロック共重合
体は、スチレン系単量体、即ちビニル芳香族炭化水素の
重合体セグメント（以下、「Ａセグメント」と略称す
る。）と、少なくとも１種以上の共役ジエンを主体とす
る共役ジエン系重合体セグメント（以下、「Ｂセグメン
ト」と略称する。）とからなり、ＡセグメントとＢセグ
メントとの重量比が６０／４０〜９９／１、好ましくは
８０／２０〜９９／１、更に好ましくは９０／１０〜９
９／１の範囲にあるブロック共重合体である。このブロ
ック共重合体は、全光線透過率が８０％以上のものであ
ることが好ましい。
体は、スチレン系単量体、即ちビニル芳香族炭化水素の
重合体セグメント（以下、「Ａセグメント」と略称す
る。）と、少なくとも１種以上の共役ジエンを主体とす
る共役ジエン系重合体セグメント（以下、「Ｂセグメン
ト」と略称する。）とからなり、ＡセグメントとＢセグ
メントとの重量比が６０／４０〜９９／１、好ましくは
８０／２０〜９９／１、更に好ましくは９０／１０〜９
９／１の範囲にあるブロック共重合体である。このブロ
ック共重合体は、全光線透過率が８０％以上のものであ
ることが好ましい。
【００１３】Ａセグメントのスチレン系単量体（ビニル
芳香族炭化水素）としては、スチレン、ｐ−メチルスチ
レン、α−メチルスチレン等を挙げることができ、特に
代表的なものとしてスチレンが挙げられる。これらは１
種単独で、あるいは２種以上を混合して使用することが
できる。
芳香族炭化水素）としては、スチレン、ｐ−メチルスチ
レン、α−メチルスチレン等を挙げることができ、特に
代表的なものとしてスチレンが挙げられる。これらは１
種単独で、あるいは２種以上を混合して使用することが
できる。
【００１４】一方、Ｂセグメントを構成する共役ジエン
としては、１，３−ブタジエン、イソプレン、２，３−
ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエ
ン、１，３−ヘキサジエン等が挙げられるが、これらの
うち特に１，３−ブタジエン又はイソプレンが一般的で
ある。
としては、１，３−ブタジエン、イソプレン、２，３−
ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエ
ン、１，３−ヘキサジエン等が挙げられるが、これらの
うち特に１，３−ブタジエン又はイソプレンが一般的で
ある。
【００１５】本発明にかかるスチレン系ブロック共重合
体は、上記Ａセグメント及びＢセグメントをいわゆるリ
ピングアニオン重合と称せられる公知の方法、例えば有
機リチウム化合物を開始剤とし、ヘキサン、ヘプタンの
ような炭化水素系溶媒中で重合することにより容易に得
ることができる。
体は、上記Ａセグメント及びＢセグメントをいわゆるリ
ピングアニオン重合と称せられる公知の方法、例えば有
機リチウム化合物を開始剤とし、ヘキサン、ヘプタンの
ような炭化水素系溶媒中で重合することにより容易に得
ることができる。
【００１６】なお、このようなブロック共重合体におい
て、ＡセグメントとＢセグメントとの比は６０／４０〜
９９／１、好ましくは８０／２０〜９９／１、更に好ま
しくは９０／１０〜９９／１の範囲とされる。この比が
６０／４０未満では、水素付加後に得られる樹脂の弾性
率が低く、光ディスク基板として不適であり、軟化温度
も低下するので耐熱性の面からも不十分である。また、
９９／１を超えると靭性が不足し、射出成形時に成形片
のクラック発生の問題が発生するので好ましくない。
て、ＡセグメントとＢセグメントとの比は６０／４０〜
９９／１、好ましくは８０／２０〜９９／１、更に好ま
しくは９０／１０〜９９／１の範囲とされる。この比が
６０／４０未満では、水素付加後に得られる樹脂の弾性
率が低く、光ディスク基板として不適であり、軟化温度
も低下するので耐熱性の面からも不十分である。また、
９９／１を超えると靭性が不足し、射出成形時に成形片
のクラック発生の問題が発生するので好ましくない。
【００１７】なお、樹脂の耐熱性としては、サーモメカ
ニカルアナライザーで測定した軟化点が１４０℃以上で
あるものが好ましく、１５０℃以上であるものが更に好
ましい。
ニカルアナライザーで測定した軟化点が１４０℃以上で
あるものが好ましく、１５０℃以上であるものが更に好
ましい。
【００１８】本発明のポリビニルシクロヘキサン系ブロ
ック共重合体樹脂は、かかるスチレン系ブロック共重合
体の芳香族環を、芳香族水素化能を有する水素化触媒の
存在下で核水添して得られるものである。使用し得る水
素化触媒としては、例えばニッケル、コバルト、ルテニ
ウム、ロジウム、白金、パラジウム等の金属又はその酸
化物、塩、錯体及びこれらを活性炭、ケイソウ土、アル
ミナ等の担体に担持したもの等が挙げられる。これらの
中でも特にラネーニッケル、ラネーコバルト、安定化ニ
ッケル及びルテニウム、ロジウム又は白金のカーボン又
はアルミナ担持触媒が、反応性の面から好ましい。
ック共重合体樹脂は、かかるスチレン系ブロック共重合
体の芳香族環を、芳香族水素化能を有する水素化触媒の
存在下で核水添して得られるものである。使用し得る水
素化触媒としては、例えばニッケル、コバルト、ルテニ
ウム、ロジウム、白金、パラジウム等の金属又はその酸
化物、塩、錯体及びこれらを活性炭、ケイソウ土、アル
ミナ等の担体に担持したもの等が挙げられる。これらの
中でも特にラネーニッケル、ラネーコバルト、安定化ニ
ッケル及びルテニウム、ロジウム又は白金のカーボン又
はアルミナ担持触媒が、反応性の面から好ましい。
【００１９】核水添反応は、５０〜２５０ｋｇ／ｃｍ2
の圧力、１００〜２００℃の温度下にて、溶媒としてシ
クロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−オクタン、
デカリン、テトラリン、ナフサ等の飽和炭化水素系溶媒
を用いて行なうのが好ましい。
の圧力、１００〜２００℃の温度下にて、溶媒としてシ
クロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−オクタン、
デカリン、テトラリン、ナフサ等の飽和炭化水素系溶媒
を用いて行なうのが好ましい。
【００２０】なお、通常、スチレン系重合体の核水添に
おいては、副反応として重合体の分子鎖の切断を伴う。
この分子鎖切断を防ぐために、水素化はできるだけ高い
水素圧力で、かつ短時間で行うことが好ましい。
おいては、副反応として重合体の分子鎖の切断を伴う。
この分子鎖切断を防ぐために、水素化はできるだけ高い
水素圧力で、かつ短時間で行うことが好ましい。
【００２１】核水添反応による芳香核の水添率は８０％
以上、好ましくは９０％以上、更に好ましくは９５％以
上が好適である。核水添率がこの範囲未満であると、樹
脂の耐熱性の低下、複屈折の増大等の問題があり好まし
くない。なお、複屈折率は光ディスク基板として成形し
た場合、３０ｎｍ以下となる。
以上、好ましくは９０％以上、更に好ましくは９５％以
上が好適である。核水添率がこの範囲未満であると、樹
脂の耐熱性の低下、複屈折の増大等の問題があり好まし
くない。なお、複屈折率は光ディスク基板として成形し
た場合、３０ｎｍ以下となる。
【００２２】このようにして得られるポリビニルシクロ
ヘキサン系ブロック共重合体樹脂の分子量は、原料とな
るスチレン系重合体の組成、分子量、水素化（水添）条
件等に依存するが、機械的特性及び溶融成形時の加工性
の双方を勘案した場合、数平均分子量で３０，０００よ
り大きく、好ましくは５０，０００より大であることが
望ましい。また、靭性の面からは、ジエン系重合体の含
有量が小であるもの程分子量が高いことが要求される。
分子量の上限は成形性の面から規定されるが、通常は数
平均分子量で３００，０００以下である。
ヘキサン系ブロック共重合体樹脂の分子量は、原料とな
るスチレン系重合体の組成、分子量、水素化（水添）条
件等に依存するが、機械的特性及び溶融成形時の加工性
の双方を勘案した場合、数平均分子量で３０，０００よ
り大きく、好ましくは５０，０００より大であることが
望ましい。また、靭性の面からは、ジエン系重合体の含
有量が小であるもの程分子量が高いことが要求される。
分子量の上限は成形性の面から規定されるが、通常は数
平均分子量で３００，０００以下である。
【００２３】このようなポリビニルシクロヘキサン系ブ
ロック共重合体を用いて、本発明の光ディスク基板を製
造するには、該ブロック共重合体に必要に応じて安定剤
を混合した後、射出成形する。この場合、安定剤の混合
方法については特に制限はないが、通常は該ブロック共
重合体と安定剤とをリボンブレンダー、タンブラーブレ
ンダー、ヘンシェルミキサー等で混合し、その後、バン
バリーミキサー、一軸押出機、二軸押出機等で溶融混練
し、ペレット形状とすることにより混合する。しかし
て、このようにして得られたペレットを用い、成形温度
２７０℃〜３３０℃で射出成形する。
ロック共重合体を用いて、本発明の光ディスク基板を製
造するには、該ブロック共重合体に必要に応じて安定剤
を混合した後、射出成形する。この場合、安定剤の混合
方法については特に制限はないが、通常は該ブロック共
重合体と安定剤とをリボンブレンダー、タンブラーブレ
ンダー、ヘンシェルミキサー等で混合し、その後、バン
バリーミキサー、一軸押出機、二軸押出機等で溶融混練
し、ペレット形状とすることにより混合する。しかし
て、このようにして得られたペレットを用い、成形温度
２７０℃〜３３０℃で射出成形する。
【００２４】このようにして製造される本発明の光ディ
スク基板は複屈折率が３０ｎｍ以下で光ディスク基板と
して良好な特性を示す。
スク基板は複屈折率が３０ｎｍ以下で光ディスク基板と
して良好な特性を示す。
【００２５】本発明の光ディスク基板は、無論従来の無
機記録媒体を用いる系にも充分供試することができる
が、前述の如く塗布型の記録媒体を用いる系にも何ら支
障をきたすことなく適用できることを大きな特徴とする
ものである。かかる塗布型光学記録媒体としては、レー
ザー吸収能を有する有機色素系化合物でケトン系溶剤に
高濃度で溶解するものが挙げられ、６００〜９００ｎｍ
の波長帯域で吸収を有し、しかも分子吸光係数が１０4
〜１０5 ｃｍ-1であるものが好適である。使用されるケ
トン系溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、
メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等を例示す
ることができる。また、溶剤使用にあたっては、これら
の混合溶剤又はケトンアルコール、エーテルアルコール
等の溶剤を使用する色素系化合物の溶解性を損なわない
範囲で併用しても構わない。
機記録媒体を用いる系にも充分供試することができる
が、前述の如く塗布型の記録媒体を用いる系にも何ら支
障をきたすことなく適用できることを大きな特徴とする
ものである。かかる塗布型光学記録媒体としては、レー
ザー吸収能を有する有機色素系化合物でケトン系溶剤に
高濃度で溶解するものが挙げられ、６００〜９００ｎｍ
の波長帯域で吸収を有し、しかも分子吸光係数が１０4
〜１０5 ｃｍ-1であるものが好適である。使用されるケ
トン系溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、
メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等を例示す
ることができる。また、溶剤使用にあたっては、これら
の混合溶剤又はケトンアルコール、エーテルアルコール
等の溶剤を使用する色素系化合物の溶解性を損なわない
範囲で併用しても構わない。
【００２６】このようなケトン系溶剤に高い溶解性を示
す有機色素系化合物としては、例えば下記一般式
［Ｉ］、［II］、［III ］、［IV］で表される化合物が
挙げられる。
す有機色素系化合物としては、例えば下記一般式
［Ｉ］、［II］、［III ］、［IV］で表される化合物が
挙げられる。
【００２７】
【化１】
【００２８】
【化２】
【００２９】
【化３】
【００３０】
【化４】
【００３１】これら一般式［Ｉ］〜［IV］で表される化
合物の代表的なものとしては下記構造式［イ］〜［ニ］
で表されるものを例示することができる。
合物の代表的なものとしては下記構造式［イ］〜［ニ］
で表されるものを例示することができる。
【００３２】
【化５】
【００３３】
【化６】
【００３４】塗布による記録媒体の成膜は、例えばこの
ような有機系色素化合物をそのまま或いはバインダーと
共にケトン系溶剤中に溶解させたものを、スピンコート
することにより行なうことができる。使用するバインダ
ーとしては、ケトン系溶剤に溶解するものならば何でも
良い。
ような有機系色素化合物をそのまま或いはバインダーと
共にケトン系溶剤中に溶解させたものを、スピンコート
することにより行なうことができる。使用するバインダ
ーとしては、ケトン系溶剤に溶解するものならば何でも
良い。
【００３５】
【実施例】以下に、実施例、比較例及び参考例を挙げて
本発明をより具体的に説明するが、本発明はその要旨を
超えない限り、以下の実施例に限定されるものではな
い。
本発明をより具体的に説明するが、本発明はその要旨を
超えない限り、以下の実施例に限定されるものではな
い。
【００３６】なお、実施例、比較例及び参考例における
各種物性は、次の方法によって測定したものである。
各種物性は、次の方法によって測定したものである。
【００３７】 数平均分子量：ゲル・パーミエーショ
ン・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、テトラヒド
ロフラン（ＴＨＦ）を溶媒としてポリスチレンと同様に
測定し、ポリスチレン換算の分子量を求めた。 核水添率（％）：ポリビニルシクロヘキサン系樹脂
をＴＨＦに溶解し、ＵＶ吸収により測定した。 軟化点（℃）：Ｄｕｐｏｎｔ社製サーモメカニカル
アナライザーを用いて、５℃／分の昇温速度で軟化温度
を測定した。 光ディスク基板の光線透過率（％）：ＪＩＳ Ｋ
６７１４に準拠して測定した。 靭性：射出成形した円板のクラック発生の有無を確
認し、下記評価基準で評価した。 ○＝クラック発生なし ×＝クラック発生あり 弾性率（ｋｇ／ｃｍ2 ）：円板成形と同一条件で別
途成形した射出片につきＡＳＴＭ−Ｄ６３８に基づき測
定した。 耐薬品性：円板を３０度に傾斜し、各溶剤を５滴た
らし、流れ跡を室温風乾後に観察し、下記評価基準で評
価した。 ○＝流れ跡なし ×＝流れ跡あり 実施例１ スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ブ
タジエン含有量２０重量％）を核水添し、数平均分子量
８．１万、核水添率９９％のポリビニルシクロヘキサン
系ブロック共重合体を得た。
ン・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、テトラヒド
ロフラン（ＴＨＦ）を溶媒としてポリスチレンと同様に
測定し、ポリスチレン換算の分子量を求めた。 核水添率（％）：ポリビニルシクロヘキサン系樹脂
をＴＨＦに溶解し、ＵＶ吸収により測定した。 軟化点（℃）：Ｄｕｐｏｎｔ社製サーモメカニカル
アナライザーを用いて、５℃／分の昇温速度で軟化温度
を測定した。 光ディスク基板の光線透過率（％）：ＪＩＳ Ｋ
６７１４に準拠して測定した。 靭性：射出成形した円板のクラック発生の有無を確
認し、下記評価基準で評価した。 ○＝クラック発生なし ×＝クラック発生あり 弾性率（ｋｇ／ｃｍ2 ）：円板成形と同一条件で別
途成形した射出片につきＡＳＴＭ−Ｄ６３８に基づき測
定した。 耐薬品性：円板を３０度に傾斜し、各溶剤を５滴た
らし、流れ跡を室温風乾後に観察し、下記評価基準で評
価した。 ○＝流れ跡なし ×＝流れ跡あり 実施例１ スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ブ
タジエン含有量２０重量％）を核水添し、数平均分子量
８．１万、核水添率９９％のポリビニルシクロヘキサン
系ブロック共重合体を得た。
【００３８】この樹脂に安定剤として、テトラキス［メ
チレン−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオネートメタン（日本チバガイギー
社製「Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０」）、及びテトラキス
（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフ
ェニレンホスフォナイト「同Ｉｒｇａｐｈｏｓ Ｐ−Ｅ
ＰＱ」を各０．２重量％添加し、３００℃で射出成形
し、厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍｍの円板状ディスク
基板を成形した。
チレン−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオネートメタン（日本チバガイギー
社製「Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０」）、及びテトラキス
（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフ
ェニレンホスフォナイト「同Ｉｒｇａｐｈｏｓ Ｐ−Ｅ
ＰＱ」を各０．２重量％添加し、３００℃で射出成形
し、厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍｍの円板状ディスク
基板を成形した。
【００３９】樹脂及び成形基板の物性を表１に示す。
【００４０】比較例１ スチレン単独重合体を核水添し、数平均分子量５万、核
水添率９９％のポリビニルシクロヘキサンを得た。
水添率９９％のポリビニルシクロヘキサンを得た。
【００４１】この樹脂を実施例１と同一条件で射出成形
したが、成形基板１０枚に１枚の割合で円板状基板の中
心部にクラックの発生が認められた。樹脂及び成形基板
の物性を表１に示す。
したが、成形基板１０枚に１枚の割合で円板状基板の中
心部にクラックの発生が認められた。樹脂及び成形基板
の物性を表１に示す。
【００４２】実施例２ スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ブ
タジエン含有量５重量％）を核水添し、数平均分子量
６．５万、核水添率９９％のポリビニルシクロヘキサン
系ブロック共重合体を得た。
タジエン含有量５重量％）を核水添し、数平均分子量
６．５万、核水添率９９％のポリビニルシクロヘキサン
系ブロック共重合体を得た。
【００４３】この樹脂を実施例１と同様に成形した。樹
脂及び成形基板の物性を表１に示す。
脂及び成形基板の物性を表１に示す。
【００４４】実施例３ スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ブ
タジエン含有量１０重量％）を核水添し、数平均分子量
５．５万、核水添率９９％のポリビニルシクロヘキサン
系ブロック共重合体を得た。
タジエン含有量１０重量％）を核水添し、数平均分子量
５．５万、核水添率９９％のポリビニルシクロヘキサン
系ブロック共重合体を得た。
【００４５】この樹脂を実施例１と同様に成形した。樹
脂及び成形基板の物性を表１に示す。
脂及び成形基板の物性を表１に示す。
【００４６】参考例１ スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ブ
タジエン含有量３５重量％）を核水添し、数平均分子量
８．５万、核水添率９９％のポリビニルシクロヘキサン
系ブロック共重合体を得た。この樹脂を実施例１と同様
に成形した。
タジエン含有量３５重量％）を核水添し、数平均分子量
８．５万、核水添率９９％のポリビニルシクロヘキサン
系ブロック共重合体を得た。この樹脂を実施例１と同様
に成形した。
【００４７】樹脂及び成形基板の物性を表１に示す。表
１より、本発明の基板形成材料より形成されるディスク
基板は、耐熱性、機械的特性、光学的特性に優れ、しか
も耐薬品性も良好であることが認められる。
１より、本発明の基板形成材料より形成されるディスク
基板は、耐熱性、機械的特性、光学的特性に優れ、しか
も耐薬品性も良好であることが認められる。
【００４８】
【表１】
【００４９】実施例４、比較例２，３ 下記構造式で表される有機色素系化合物０．１５ｇをメ
チルエチルケトン１０ｇに溶解し、０．２μｍのフィル
ターで濾過し色素溶液を得た。この色素溶液５ｍｌを実
施例１で射出成形により得られた円板状ディスク基板に
滴下し、スピナー法により８００ｒｐｍの回転数で塗布
した。塗布後、６０℃で１０分間乾燥し、塗布後の基板
への影響を調べた。
チルエチルケトン１０ｇに溶解し、０．２μｍのフィル
ターで濾過し色素溶液を得た。この色素溶液５ｍｌを実
施例１で射出成形により得られた円板状ディスク基板に
滴下し、スピナー法により８００ｒｐｍの回転数で塗布
した。塗布後、６０℃で１０分間乾燥し、塗布後の基板
への影響を調べた。
【００５０】
【化７】
【００５１】比較のためＰＣ（比較例２）、ＰＭＭＡ
（比較例３）の射出成形円板についても同様の検討を試
みた。結果を表２に示す。
（比較例３）の射出成形円板についても同様の検討を試
みた。結果を表２に示す。
【００５２】
【表２】
【００５３】表２より、本発明の光ディスク基板は、塗
布型の記録媒体にも適用可能であることが認められる。
布型の記録媒体にも適用可能であることが認められる。
【００５４】
【発明の効果】以上、詳述した通り、本発明の光ディス
ク基板は、極めて耐熱性に優れ、また靭性、弾性率等の
機械的特性にも優れ、耐薬品性も良好である。従って、
本発明の光ディスク基板は、従来の無機系記録媒体を用
いる光ディスクのみならず、塗布型有機色素系媒体を用
いる光ディスク用基板としても有効に適用可能である。
しかして、その光学的特性も著しく高いものとなる。
ク基板は、極めて耐熱性に優れ、また靭性、弾性率等の
機械的特性にも優れ、耐薬品性も良好である。従って、
本発明の光ディスク基板は、従来の無機系記録媒体を用
いる光ディスクのみならず、塗布型有機色素系媒体を用
いる光ディスク用基板としても有効に適用可能である。
しかして、その光学的特性も著しく高いものとなる。
【００５５】特に本発明において、核水添に用いるスチ
レン系ブロック共重合体が、スチレン系重合体セグメン
トを８０〜９９重量％含む場合において、極めて優れた
効果が得られる。
レン系ブロック共重合体が、スチレン系重合体セグメン
トを８０〜９９重量％含む場合において、極めて優れた
効果が得られる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年１０月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】このようにして製造される本発明の光ディ
スク基板は複屈折率が３０ｎｍ以下で光ディスク基板と
して良好な特性を示す。なお、光ディスク基板の複屈折
は、通常用いられる補償板法、透過法等を使用すること
ができる（例えば「高分子辞典」丸善等参照）。
スク基板は複屈折率が３０ｎｍ以下で光ディスク基板と
して良好な特性を示す。なお、光ディスク基板の複屈折
は、通常用いられる補償板法、透過法等を使用すること
ができる（例えば「高分子辞典」丸善等参照）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３７】 数平均分子量：ゲル・パーミエーショ
ン・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、テトラヒド
ロフラン（ＴＨＦ）を溶媒としてポリスチレンと同様に
測定し、ポリスチレン換算の分子量を求めた。 核水添率（％）：ポリビニルシクロヘキサン系樹脂
をＴＨＦに溶解し、ＵＶ吸収により測定した。 軟化点（℃）：Ｄｕｐｏｎｔ社製サーモメカニカル
アナライザーを用いて、５℃／分の昇温速度で軟化温度
を測定した。 光ディスク基板の光線透過率（％）：ＪＩＳ Ｋ
６７１４に準拠して測定した。 靭性：射出成形した円板のクラック発生の有無を確
認し、下記評価基準で評価した。 ○＝クラック発生なし ×＝クラック発生あり 弾性率（ｋｇ／ｃｍ2 ）：円板成形と同一条件で別
途成形した射出片につきＡＳＴＭ−Ｄ６３８に基づき測
定した。 耐薬品性：円板を３０度に傾斜し、各溶剤を５滴た
らし、流れ跡を室温風乾後に観察し、下記評価基準で評
価した。 ○＝流れ跡なし ×＝流れ跡あり 複屈折率：ＮＩＫＯＮ社製偏光顕微鏡Ｔｙｐｅ１０
４により５４６ｎｍの波長で、射出成形品の射出ゲート
から２０ｍｍの位置の複屈折を測定した。 実施例１ スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ブ
タジエン含有量２０重量％）を核水添し、数平均分子量
８．１万、核水添率９９％のポリビニルシクロヘキサン
系ブロック共重合体を得た。
ン・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、テトラヒド
ロフラン（ＴＨＦ）を溶媒としてポリスチレンと同様に
測定し、ポリスチレン換算の分子量を求めた。 核水添率（％）：ポリビニルシクロヘキサン系樹脂
をＴＨＦに溶解し、ＵＶ吸収により測定した。 軟化点（℃）：Ｄｕｐｏｎｔ社製サーモメカニカル
アナライザーを用いて、５℃／分の昇温速度で軟化温度
を測定した。 光ディスク基板の光線透過率（％）：ＪＩＳ Ｋ
６７１４に準拠して測定した。 靭性：射出成形した円板のクラック発生の有無を確
認し、下記評価基準で評価した。 ○＝クラック発生なし ×＝クラック発生あり 弾性率（ｋｇ／ｃｍ2 ）：円板成形と同一条件で別
途成形した射出片につきＡＳＴＭ−Ｄ６３８に基づき測
定した。 耐薬品性：円板を３０度に傾斜し、各溶剤を５滴た
らし、流れ跡を室温風乾後に観察し、下記評価基準で評
価した。 ○＝流れ跡なし ×＝流れ跡あり 複屈折率：ＮＩＫＯＮ社製偏光顕微鏡Ｔｙｐｅ１０
４により５４６ｎｍの波長で、射出成形品の射出ゲート
から２０ｍｍの位置の複屈折を測定した。 実施例１ スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ブ
タジエン含有量２０重量％）を核水添し、数平均分子量
８．１万、核水添率９９％のポリビニルシクロヘキサン
系ブロック共重合体を得た。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４６】実施例４ スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ブ
タジエン含有量２０重量％）を核水添し、数平均分子量
１１．３万、核水添率７１％のポリビニルシクロヘキサ
ン系ブロック共重合体を得た。この樹脂を実施例１と同
様に成形した（ただし射出成形温度は２７０℃）。樹脂
及び成形基板の物性を表１に示す。 比較例２ ポリスチレンを核水添し、数平均分子量９．０万、核水
添率９９％のポリビニルシクロヘキサン重合体を得た。
この樹脂を実施例１と同様に成形した（ただし射出成形
温度は２７０℃）。樹脂及び成形基板の物性を表１に示
す。 参考例１ スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ブ
タジエン含有量３５重量％）を核水添し、数平均分子量
８．５万、核水添率９９％のポリビニルシクロヘキサン
系ブロック共重合体を得た。この樹脂を実施例１と同様
に成形した。
タジエン含有量２０重量％）を核水添し、数平均分子量
１１．３万、核水添率７１％のポリビニルシクロヘキサ
ン系ブロック共重合体を得た。この樹脂を実施例１と同
様に成形した（ただし射出成形温度は２７０℃）。樹脂
及び成形基板の物性を表１に示す。 比較例２ ポリスチレンを核水添し、数平均分子量９．０万、核水
添率９９％のポリビニルシクロヘキサン重合体を得た。
この樹脂を実施例１と同様に成形した（ただし射出成形
温度は２７０℃）。樹脂及び成形基板の物性を表１に示
す。 参考例１ スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ブ
タジエン含有量３５重量％）を核水添し、数平均分子量
８．５万、核水添率９９％のポリビニルシクロヘキサン
系ブロック共重合体を得た。この樹脂を実施例１と同様
に成形した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４８】
【表１】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４９】実施例５、比較例３，４ 下記構造式で表される有機色素系化合物０．１５ｇをメ
チルエチルケトン１０ｇに溶解し、０．２μｍのフィル
ターで濾過し色素溶液を得た。この色素溶液５ｍｌを実
施例１で射出成形により得られた円板状ディスク基板に
滴下し、スピナー法により８００ｒｐｍの回転数で塗布
した。塗布後、６０℃で１０分間乾燥し、塗布後の基板
への影響を調べた。
チルエチルケトン１０ｇに溶解し、０．２μｍのフィル
ターで濾過し色素溶液を得た。この色素溶液５ｍｌを実
施例１で射出成形により得られた円板状ディスク基板に
滴下し、スピナー法により８００ｒｐｍの回転数で塗布
した。塗布後、６０℃で１０分間乾燥し、塗布後の基板
への影響を調べた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５１】比較のためＰＣ（比較例３）、ＰＭＭＡ
（比較例４）の射出成形円板についても同様の検討を試
みた。結果を表２に示す。
（比較例４）の射出成形円板についても同様の検討を試
みた。結果を表２に示す。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５２】
【表２】
Claims (2)
- 【請求項１】 スチレン系重合体セグメントを６０〜９
９重量％含み、共役ジエン系重合体セグメントを４０〜
１重量％含むスチレン系ブロック共重合体の芳香族環を
水素添加して得られる、ポリビニルシクロヘキサン系ブ
ロック共重合体からなり、複屈折率が３０ｎｍ以下であ
る光ディスク基板。 - 【請求項２】 請求項１において、スチレン系ブロック
共重合体がスチレン系重合体セグメントを８０〜９９重
量％含むことを特徴とする光ディスク基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9246993A JP2962291B2 (ja) | 1988-01-21 | 1997-09-11 | 光ディスク基板 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-11672 | 1988-01-21 | ||
| JP1167288 | 1988-01-21 | ||
| JP9246993A JP2962291B2 (ja) | 1988-01-21 | 1997-09-11 | 光ディスク基板 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63125482A Division JP2730053B2 (ja) | 1988-01-21 | 1988-05-23 | 光ディスク用基板形成材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10116442A true JPH10116442A (ja) | 1998-05-06 |
| JP2962291B2 JP2962291B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=26347146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9246993A Expired - Lifetime JP2962291B2 (ja) | 1988-01-21 | 1997-09-11 | 光ディスク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2962291B2 (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000070607A1 (de) * | 1999-05-12 | 2000-11-23 | Bayer Aktiengesellschaft | Substrate für optische speichermedien |
| WO2001048031A1 (fr) * | 1999-12-27 | 2001-07-05 | Teijin Limited | Polymère de styrène hydrogéné et substrat de disque optique |
| JP2001215296A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-08-10 | Mitsui Chemicals Inc | 透明ボードおよび中性子遮蔽材 |
| WO2001082298A1 (fr) * | 2000-04-26 | 2001-11-01 | Teijin Limited | Support d'enregistrement optique et substrat utilise dans ce support |
| US6350820B1 (en) | 1999-06-11 | 2002-02-26 | The Dow Chemical Company | Hydrogenated block copolymers and optical media discs produced therefrom |
| US6376621B1 (en) | 1999-08-16 | 2002-04-23 | The Dow Chemical Company | Hydrogenated block copolymers and optical media discs produced therefrom |
| US6451924B1 (en) | 1999-06-11 | 2002-09-17 | Dow Global Technologies Inc. | Hydrogenated block copolymers and optical media discs produced therefrom |
| US6492468B1 (en) | 1998-11-28 | 2002-12-10 | Bayer Aktiengesellschaft | Vinylcyclohexane-based block copolymers |
| JP2003502471A (ja) * | 1999-06-11 | 2003-01-21 | ザ ダウ ケミカル カンパニー | 水素化ブロックコポリマーを含む組成物およびその最終用途 |
| WO2003018656A1 (fr) * | 2001-08-22 | 2003-03-06 | Zeon Corporation | Copolymere sequence, procede de fabrication, et article moule |
| WO2003064526A1 (fr) * | 2002-01-29 | 2003-08-07 | Zeon Corporation | Composition de resine diffusant la lumiere |
| JP2003534412A (ja) * | 2000-05-19 | 2003-11-18 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレーテッド | 水素化ブロックコポリマー組成物 |
| JPWO2003029347A1 (ja) * | 2001-09-27 | 2005-01-13 | 帝人株式会社 | 水素化スチレン重合体樹脂組成物および光学部品 |
| KR100557610B1 (ko) * | 1999-10-11 | 2006-03-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물 |
| EP1229052A4 (en) * | 1999-08-12 | 2006-05-10 | Zeon Corp | ALICIPLIC HYDROCARBONIC COPOLYMER |
| JP2006257301A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Jsr Corp | 水素化芳香族ビニル系共重合体組成物及びその成形品 |
| JP2008239861A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 水素添加スチレン系樹脂組成物 |
| JPWO2014091941A1 (ja) * | 2012-12-10 | 2017-01-05 | 日本ゼオン株式会社 | 有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物、及び有機エレクトロニクスデバイス |
-
1997
- 1997-09-11 JP JP9246993A patent/JP2962291B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6492468B1 (en) | 1998-11-28 | 2002-12-10 | Bayer Aktiengesellschaft | Vinylcyclohexane-based block copolymers |
| WO2000070607A1 (de) * | 1999-05-12 | 2000-11-23 | Bayer Aktiengesellschaft | Substrate für optische speichermedien |
| JP2003502456A (ja) * | 1999-06-11 | 2003-01-21 | ザ ダウ ケミカル カンパニー | 水素化ブロックコポリマー及びそれから製造された光メディアディスク |
| JP2003502471A (ja) * | 1999-06-11 | 2003-01-21 | ザ ダウ ケミカル カンパニー | 水素化ブロックコポリマーを含む組成物およびその最終用途 |
| US6350820B1 (en) | 1999-06-11 | 2002-02-26 | The Dow Chemical Company | Hydrogenated block copolymers and optical media discs produced therefrom |
| US6451924B1 (en) | 1999-06-11 | 2002-09-17 | Dow Global Technologies Inc. | Hydrogenated block copolymers and optical media discs produced therefrom |
| EP1229052A4 (en) * | 1999-08-12 | 2006-05-10 | Zeon Corp | ALICIPLIC HYDROCARBONIC COPOLYMER |
| US6376621B1 (en) | 1999-08-16 | 2002-04-23 | The Dow Chemical Company | Hydrogenated block copolymers and optical media discs produced therefrom |
| KR100557610B1 (ko) * | 1999-10-11 | 2006-03-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물 |
| JP2001215296A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-08-10 | Mitsui Chemicals Inc | 透明ボードおよび中性子遮蔽材 |
| WO2001048031A1 (fr) * | 1999-12-27 | 2001-07-05 | Teijin Limited | Polymère de styrène hydrogéné et substrat de disque optique |
| WO2001082298A1 (fr) * | 2000-04-26 | 2001-11-01 | Teijin Limited | Support d'enregistrement optique et substrat utilise dans ce support |
| EP1291858A4 (en) * | 2000-04-26 | 2003-07-30 | Teijin Ltd | OTPIC RECORDING MEDIUM AND SUBSTRATE FOR USE THEREOF |
| JP2003534412A (ja) * | 2000-05-19 | 2003-11-18 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレーテッド | 水素化ブロックコポリマー組成物 |
| WO2003018656A1 (fr) * | 2001-08-22 | 2003-03-06 | Zeon Corporation | Copolymere sequence, procede de fabrication, et article moule |
| JPWO2003029347A1 (ja) * | 2001-09-27 | 2005-01-13 | 帝人株式会社 | 水素化スチレン重合体樹脂組成物および光学部品 |
| WO2003064526A1 (fr) * | 2002-01-29 | 2003-08-07 | Zeon Corporation | Composition de resine diffusant la lumiere |
| JP2006257301A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Jsr Corp | 水素化芳香族ビニル系共重合体組成物及びその成形品 |
| JP4525398B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2010-08-18 | Ｊｓｒ株式会社 | 水素化芳香族ビニル系共重合体組成物及びその成形品 |
| JP2008239861A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 水素添加スチレン系樹脂組成物 |
| JPWO2014091941A1 (ja) * | 2012-12-10 | 2017-01-05 | 日本ゼオン株式会社 | 有機エレクトロニクスデバイス封止用樹脂組成物、及び有機エレクトロニクスデバイス |
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|---|---|
| JP2962291B2 (ja) | 1999-10-12 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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