JPH10107582A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH10107582A JPH10107582A JP25815496A JP25815496A JPH10107582A JP H10107582 A JPH10107582 A JP H10107582A JP 25815496 A JP25815496 A JP 25815496A JP 25815496 A JP25815496 A JP 25815496A JP H10107582 A JPH10107582 A JP H10107582A
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- electrode
- piezoelectric substrate
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】導電性の異物の付着による電極指間のショート
を抑制し、ＳＡＷ装置を簡略な工程で低コストに製造す
る。 【解決手段】３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結
晶から成る圧電基板１０上にリフトオフ用の感光性レジ
ストを塗布し、フォトリソグラフィー法によりＩＤＴ電
極のネガパターンを形成し、電極指１ａ，１ｂの幅は
１．１μｍ、電極指１ａ，１ｂ間の間隔は１．１μｍと
した。次に、真空蒸着法によりネガパターンのある側の
圧電基板表面にＡｌを４６０ｎｍ成膜し、真空を破らず
に保護膜１３用のＳｉを３５ｎｍ成膜した。圧電基板１
０のネガパターンに相当する感光性レジスト，導電膜，
保護膜１３をリフトオフし、ＳＡＷ装置を作製した。Ｓ
ＡＷ装置は（ＩＤＴ電極の膜厚）＝４６０ｎｍで、（電
極指１ａ，１ｂ間の間隔の１／２）＝５５０ｎｍであっ
た。
を抑制し、ＳＡＷ装置を簡略な工程で低コストに製造す
る。 【解決手段】３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結
晶から成る圧電基板１０上にリフトオフ用の感光性レジ
ストを塗布し、フォトリソグラフィー法によりＩＤＴ電
極のネガパターンを形成し、電極指１ａ，１ｂの幅は
１．１μｍ、電極指１ａ，１ｂ間の間隔は１．１μｍと
した。次に、真空蒸着法によりネガパターンのある側の
圧電基板表面にＡｌを４６０ｎｍ成膜し、真空を破らず
に保護膜１３用のＳｉを３５ｎｍ成膜した。圧電基板１
０のネガパターンに相当する感光性レジスト，導電膜，
保護膜１３をリフトオフし、ＳＡＷ装置を作製した。Ｓ
ＡＷ装置は（ＩＤＴ電極の膜厚）＝４６０ｎｍで、（電
極指１ａ，１ｂ間の間隔の１／２）＝５５０ｎｍであっ
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車電話及び携
帯電話等の移動体無線機器に内蔵される共振器及び周波
数帯域フィルタ用の弾性表面波装置であって、圧電基板
上に形成された電極が、導電性の異物の付着によるショ
ートを抑制する構成とされた弾性表面波装置に関する。
帯電話等の移動体無線機器に内蔵される共振器及び周波
数帯域フィルタ用の弾性表面波装置であって、圧電基板
上に形成された電極が、導電性の異物の付着によるショ
ートを抑制する構成とされた弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の弾性表面波（Surface Acoustic W
ave 、以下ＳＡＷと略す）装置を図２に、その製造工程
を図４に示す。図２の（ａ）はＳＡＷ装置の部分拡大断
面図、（ｂ）は保護膜を設けたものの部分拡大断面図、
（ｃ）は装置全体の基本構成の平面図である。
ave 、以下ＳＡＷと略す）装置を図２に、その製造工程
を図４に示す。図２の（ａ）はＳＡＷ装置の部分拡大断
面図、（ｂ）は保護膜を設けたものの部分拡大断面図、
（ｃ）は装置全体の基本構成の平面図である。
【０００３】同図の（ａ）において、ＬｉＮｂＯ3 結
晶，ＬｉＴａＯ3 結晶等の圧電基板１０上に、所定の間
隔Ｌをおいて複数の平行な電極指１１ａ，１１ｂが互い
に噛み合わされるように配置された、櫛歯状電極のＩＤ
Ｔ（Inter Digital Transducer）電極１１が設けられて
いる。（ｂ）は、電極指１１ａ，１１ｂ上若しくは電極
指１１ａ，１１ｂ間に導電性の微粒子１２が付着した場
合に、電極指１１ａ，１１ｂ間の絶縁性を保持するため
に、ＩＤＴ電極１１が設けられた基板面の全面に絶縁性
又は半導電性の保護膜１３を設けた構成である。
晶，ＬｉＴａＯ3 結晶等の圧電基板１０上に、所定の間
隔Ｌをおいて複数の平行な電極指１１ａ，１１ｂが互い
に噛み合わされるように配置された、櫛歯状電極のＩＤ
Ｔ（Inter Digital Transducer）電極１１が設けられて
いる。（ｂ）は、電極指１１ａ，１１ｂ上若しくは電極
指１１ａ，１１ｂ間に導電性の微粒子１２が付着した場
合に、電極指１１ａ，１１ｂ間の絶縁性を保持するため
に、ＩＤＴ電極１１が設けられた基板面の全面に絶縁性
又は半導電性の保護膜１３を設けた構成である。
【０００４】同図の（ｃ）において、１１ａは例えば入
力側の電極指で、１１ｂは例えば出力側の電極指であ
り、電極指１１ａと１１ｂ間が導通しショートすると、
共振器や周波数帯域フィルタ（以下フィルタという）と
しての特性が劣化していた。尚、一般的に、ＩＤＴ電極
対数は数１０〜数１００程度であるが、（ｃ）では模式
的に描いた。
力側の電極指で、１１ｂは例えば出力側の電極指であ
り、電極指１１ａと１１ｂ間が導通しショートすると、
共振器や周波数帯域フィルタ（以下フィルタという）と
しての特性が劣化していた。尚、一般的に、ＩＤＴ電極
対数は数１０〜数１００程度であるが、（ｃ）では模式
的に描いた。
【０００５】このようなＳＡＷ装置は、図４に示すよう
な工程で製造される。工程（ａ）で圧電基板１０上にリ
フトオフ用の感光性レジストを塗布し、工程（ｂ）でフ
ォトリソグラフィー法によりＩＤＴ電極１１のネガパタ
ーンを形成する。しかる後、工程（ｃ）で蒸着法やスパ
ッタリング法等の薄膜形成法により、金属又は合金から
成るＩＤＴ電極１１用の導電膜を真空雰囲気中で成膜
し、工程（ｄ）で圧電基板１０を真空雰囲気中から取り
出し、リフトオフ法（またはエッチング法）によりネガ
パターン部の感光性レジストと導電膜を除去し、所望パ
ターンのＩＤＴ電極１１を形成する。そして、工程
（ｅ）でＩＤＴ電極１１上に蒸着法やスパッタリング法
等で保護膜１３を形成させる。このとき、（ｃ）と
（ｅ）の２回の工程で、圧電基板１０を真空雰囲気中に
入れていた。
な工程で製造される。工程（ａ）で圧電基板１０上にリ
フトオフ用の感光性レジストを塗布し、工程（ｂ）でフ
ォトリソグラフィー法によりＩＤＴ電極１１のネガパタ
ーンを形成する。しかる後、工程（ｃ）で蒸着法やスパ
ッタリング法等の薄膜形成法により、金属又は合金から
成るＩＤＴ電極１１用の導電膜を真空雰囲気中で成膜
し、工程（ｄ）で圧電基板１０を真空雰囲気中から取り
出し、リフトオフ法（またはエッチング法）によりネガ
パターン部の感光性レジストと導電膜を除去し、所望パ
ターンのＩＤＴ電極１１を形成する。そして、工程
（ｅ）でＩＤＴ電極１１上に蒸着法やスパッタリング法
等で保護膜１３を形成させる。このとき、（ｃ）と
（ｅ）の２回の工程で、圧電基板１０を真空雰囲気中に
入れていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＤＴ
電極１１上に保護膜１３が設けられていないと、略球状
の導電性の微粒子１２が付着した場合、その半径ＲがＲ
≧Ｌ／２（Ｌは電極指１１ａ，１１ｂ間の距離）のと
き、電極指１１ａ，１１ｂ間が導通しショートするとい
う問題があった。また、ＩＤＴ電極１１が設けられた基
板面の全面に保護膜１３を設けて、電極指１１ａ，１１
ｂ間の絶縁を保持しようとしても、保護膜１３が共振器
特性やフィルタ特性に与える影響が無視できないため、
例えばＩＤＴ電極１１の膜厚５００ｎｍ程度に対して保
護膜１３の膜厚を５０ｎｍ程度にするというように、保
護膜１３の膜厚を薄くせざるをえなかった。そのため保
護膜１３の被覆性が不充分で、電極指１１ａ，１１ｂの
側面には保護膜１３が充分に形成されず、従って、ちょ
うどＲ＝Ｌ／２程度の微粒子１２が電極指１１ａ，１１
ｂ間に嵌まり込んだ場合に、電極指１１ａ，１１ｂの側
面を通じてショートしていた。
電極１１上に保護膜１３が設けられていないと、略球状
の導電性の微粒子１２が付着した場合、その半径ＲがＲ
≧Ｌ／２（Ｌは電極指１１ａ，１１ｂ間の距離）のと
き、電極指１１ａ，１１ｂ間が導通しショートするとい
う問題があった。また、ＩＤＴ電極１１が設けられた基
板面の全面に保護膜１３を設けて、電極指１１ａ，１１
ｂ間の絶縁を保持しようとしても、保護膜１３が共振器
特性やフィルタ特性に与える影響が無視できないため、
例えばＩＤＴ電極１１の膜厚５００ｎｍ程度に対して保
護膜１３の膜厚を５０ｎｍ程度にするというように、保
護膜１３の膜厚を薄くせざるをえなかった。そのため保
護膜１３の被覆性が不充分で、電極指１１ａ，１１ｂの
側面には保護膜１３が充分に形成されず、従って、ちょ
うどＲ＝Ｌ／２程度の微粒子１２が電極指１１ａ，１１
ｂ間に嵌まり込んだ場合に、電極指１１ａ，１１ｂの側
面を通じてショートしていた。
【０００７】また、ＩＤＴ電極１１上に蒸着法やスパッ
タリング法等の真空装置を利用する薄膜形成法で保護膜
１３を形成させる場合に、圧電基板１０を再度真空雰囲
気中に入れており、このため、真空装置の真空引きを最
低２度行う必要があった。更に、圧電基板１０を真空雰
囲気中に出し入れする間に、圧電基板１０やＩＤＴ電極
１１上に異物が付着することがあった。
タリング法等の真空装置を利用する薄膜形成法で保護膜
１３を形成させる場合に、圧電基板１０を再度真空雰囲
気中に入れており、このため、真空装置の真空引きを最
低２度行う必要があった。更に、圧電基板１０を真空雰
囲気中に出し入れする間に、圧電基板１０やＩＤＴ電極
１１上に異物が付着することがあった。
【０００８】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は導電性の異物の付着による
電極指間のショートを抑制し、そのような構成のＳＡＷ
装置を簡略な工程で低コストに製造することにある。
れたものであり、その目的は導電性の異物の付着による
電極指間のショートを抑制し、そのような構成のＳＡＷ
装置を簡略な工程で低コストに製造することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の発明の弾性表面波
装置は、圧電基板上に、複数の平行な電極指を有する一
対の櫛歯状電極の双方の電極指が互いに噛み合うように
配置し、かつこれら櫛歯状電極上のみに保護膜を設けて
成る弾性表面波装置であって、前記櫛歯状電極の厚さを
隣接する電極指間の間隔の１／２未満としたことを特徴
とする。
装置は、圧電基板上に、複数の平行な電極指を有する一
対の櫛歯状電極の双方の電極指が互いに噛み合うように
配置し、かつこれら櫛歯状電極上のみに保護膜を設けて
成る弾性表面波装置であって、前記櫛歯状電極の厚さを
隣接する電極指間の間隔の１／２未満としたことを特徴
とする。
【００１０】第２の発明の弾性表面波装置は、圧電基板
上に、複数の平行な電極指を有する一対の櫛歯状電極の
双方の電極指が互いに噛み合うように配置し、かつこれ
ら櫛歯状電極及び圧電基板表面に保護膜を設けて成る弾
性表面波装置であって、前記櫛歯状電極の厚さと保護膜
の膜厚との差を、隣接する電極指間の間隔の１／２未満
としたことを特徴とする。
上に、複数の平行な電極指を有する一対の櫛歯状電極の
双方の電極指が互いに噛み合うように配置し、かつこれ
ら櫛歯状電極及び圧電基板表面に保護膜を設けて成る弾
性表面波装置であって、前記櫛歯状電極の厚さと保護膜
の膜厚との差を、隣接する電極指間の間隔の１／２未満
としたことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の弾性表面波装置を図１
で、製造工程を図３を用いて説明する。図１の（ａ）は
ＳＡＷ装置の部分拡大断面図、（ｂ）は他の実施形態に
おけるＳＡＷ装置の部分拡大断面図である。同図の
（ａ），（ｂ）で、１ａ，１ｂは、互いに噛み合わされ
るように配置された一対の櫛歯状電極であるＩＤＴ電極
の複数の平行な電極指、１０は圧電基板、ＨはＩＤＴ電
極の膜厚、Ｌは電極指１ａ，１ｂ間の間隔、Ｐは保護膜
１３の膜厚、Ｒは導電性の微粒子１２の半径である。図
３の（ａ）〜（ｅ）は各工程の内容を簡単に説明したも
のである。尚、図１において、図２と同じ部材には同じ
符号を付している。
で、製造工程を図３を用いて説明する。図１の（ａ）は
ＳＡＷ装置の部分拡大断面図、（ｂ）は他の実施形態に
おけるＳＡＷ装置の部分拡大断面図である。同図の
（ａ），（ｂ）で、１ａ，１ｂは、互いに噛み合わされ
るように配置された一対の櫛歯状電極であるＩＤＴ電極
の複数の平行な電極指、１０は圧電基板、ＨはＩＤＴ電
極の膜厚、Ｌは電極指１ａ，１ｂ間の間隔、Ｐは保護膜
１３の膜厚、Ｒは導電性の微粒子１２の半径である。図
３の（ａ）〜（ｅ）は各工程の内容を簡単に説明したも
のである。尚、図１において、図２と同じ部材には同じ
符号を付している。
【００１２】図１の（ａ）において、２Ｒ＜Ｌの場合に
一対の櫛歯状電極の双方の電極指１ａ，１ｂがショート
することはない。２Ｒ＞Ｌの場合には、微粒子１２が複
数の電極指上にわたって付着するが、ＩＤＴ電極上（Ｉ
ＤＴ電極上のみ）に保護膜１３が設けられているのでシ
ョートすることはない。２Ｒ≒Ｌでは、微粒子１２が電
極指１ａ，１ｂの側面に接触してショートする可能性が
あるが、本実施形態では、Ｈ＜Ｌ／２とされており、電
極指１ａ，１ｂの側面が微粒子１２の最大幅の部分に達
していない。従って、電極指１ａ，１ｂの側面を通じて
ショートする確率が格段に小さくなる。
一対の櫛歯状電極の双方の電極指１ａ，１ｂがショート
することはない。２Ｒ＞Ｌの場合には、微粒子１２が複
数の電極指上にわたって付着するが、ＩＤＴ電極上（Ｉ
ＤＴ電極上のみ）に保護膜１３が設けられているのでシ
ョートすることはない。２Ｒ≒Ｌでは、微粒子１２が電
極指１ａ，１ｂの側面に接触してショートする可能性が
あるが、本実施形態では、Ｈ＜Ｌ／２とされており、電
極指１ａ，１ｂの側面が微粒子１２の最大幅の部分に達
していない。従って、電極指１ａ，１ｂの側面を通じて
ショートする確率が格段に小さくなる。
【００１３】図１の（ｂ）において、２Ｒ＜Ｌ及び２Ｒ
＞Ｌの場合には、（ａ）と同様にショートすることはな
い。本実施形態は、Ｈ≧Ｌ／２のようにＩＤＴ電極の膜
厚が比較的厚い場合に適用され、外部に露出している電
極指１ａ，１ｂの側面の高さＨ−ＰをＨ−Ｐ＜Ｌ／２と
することにより、電極指１ａ，１ｂの側面が微粒子１２
の最大幅の部分に達していない。従って、電極指１ａ，
１ｂの側面を通じてショートする確率が格段に小さくな
る。
＞Ｌの場合には、（ａ）と同様にショートすることはな
い。本実施形態は、Ｈ≧Ｌ／２のようにＩＤＴ電極の膜
厚が比較的厚い場合に適用され、外部に露出している電
極指１ａ，１ｂの側面の高さＨ−ＰをＨ−Ｐ＜Ｌ／２と
することにより、電極指１ａ，１ｂの側面が微粒子１２
の最大幅の部分に達していない。従って、電極指１ａ，
１ｂの側面を通じてショートする確率が格段に小さくな
る。
【００１４】上記保護膜１３は電気的に絶縁性又は半導
電性（半導伝性）のものから成り、保護膜の抵抗率をρ
（Ω・ｃｍ）としたとき、ρ／Ｐが１０9 （Ω）以上と
なるようにするのが好ましい。その材料としては、Ｔ
ａ，Ｍｏ及びそれらの酸化物若しくは窒化物，ＮｉＣ
ｒ，ＮｉＣｒ−Ｓｉ，Ｃｒ−ＳｉＯ，Ｃｒ−ＳｉＯ2 ，
Ｓｉ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ等である。
電性（半導伝性）のものから成り、保護膜の抵抗率をρ
（Ω・ｃｍ）としたとき、ρ／Ｐが１０9 （Ω）以上と
なるようにするのが好ましい。その材料としては、Ｔ
ａ，Ｍｏ及びそれらの酸化物若しくは窒化物，ＮｉＣ
ｒ，ＮｉＣｒ−Ｓｉ，Ｃｒ−ＳｉＯ，Ｃｒ−ＳｉＯ2 ，
Ｓｉ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ等である。
【００１５】本発明において、ＩＤＴ電極はＡｌあるい
はＡｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ系，Ａｌ−Ｔｉ系等）からな
り、特にＡｌが励振効率が高く、材料コストが安価であ
り好ましい。また、電極形状は図１に示すような入出力
用の櫛歯状電極（ＩＤＴ電極）を交互に噛み合わせたよ
うな形状であるが、本発明は、複数の電極指を平行に配
置した反射器のようなスリット型のものにも適用でき
る。更に、電極指１ａ，１ｂの断面形状は、圧電基板面
に向かって先細りとなるような逆テーパー型が、電極指
１ａ，１ｂの側面を通じてショートするのを抑制するう
えで好ましい。
はＡｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ系，Ａｌ−Ｔｉ系等）からな
り、特にＡｌが励振効率が高く、材料コストが安価であ
り好ましい。また、電極形状は図１に示すような入出力
用の櫛歯状電極（ＩＤＴ電極）を交互に噛み合わせたよ
うな形状であるが、本発明は、複数の電極指を平行に配
置した反射器のようなスリット型のものにも適用でき
る。更に、電極指１ａ，１ｂの断面形状は、圧電基板面
に向かって先細りとなるような逆テーパー型が、電極指
１ａ，１ｂの側面を通じてショートするのを抑制するう
えで好ましい。
【００１６】そして、ＩＤＴ電極の対数は５０〜２００
程度、電極指１ａ，１ｂの幅は０．１〜１０．０μｍ程
度、電極指１ａ，１ｂ間の間隔は０．１〜１０．０μｍ
程度、電極指１ａ，１ｂの交差幅は１０〜８０μｍ程
度、ＩＤＴ電極の厚みは０．２〜０．４μｍ程度とする
ことが、共振器あるいはフィルタとしての所期の特性を
得るうえで好適である。また、ＩＤＴ電極のＳＡＷの伝
搬路の両端に、ＳＡＷを反射し効率良く共振させるため
の反射器を適宜設けてもよく、更には、電極指１ａ，１
ｂ間にＺｎＯ，ＡｌＯ等の圧電材料を成膜すれば、ＳＡ
Ｗの共振効率が向上し好適である。
程度、電極指１ａ，１ｂの幅は０．１〜１０．０μｍ程
度、電極指１ａ，１ｂ間の間隔は０．１〜１０．０μｍ
程度、電極指１ａ，１ｂの交差幅は１０〜８０μｍ程
度、ＩＤＴ電極の厚みは０．２〜０．４μｍ程度とする
ことが、共振器あるいはフィルタとしての所期の特性を
得るうえで好適である。また、ＩＤＴ電極のＳＡＷの伝
搬路の両端に、ＳＡＷを反射し効率良く共振させるため
の反射器を適宜設けてもよく、更には、電極指１ａ，１
ｂ間にＺｎＯ，ＡｌＯ等の圧電材料を成膜すれば、ＳＡ
Ｗの共振効率が向上し好適である。
【００１７】上記圧電基板１０としては、３６°Ｙカッ
ト−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶、６４°Ｙカット−Ｘ伝
搬のＬｉＮｂＯ3 結晶、４５°Ｘカット−Ｚ伝搬のＬｉ
Ｂ4Ｏ7 結晶、水晶等が好適であり、特に３６°Ｙカッ
ト−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶は通過帯域幅が広く、ま
た４５°Ｘカット−Ｚ伝搬のＬｉＢ4 Ｏ7 結晶は電気機
械結合係数が大きくかつ群遅延時間温度係数が小さいた
め好ましい。圧電基板１０の厚みは０．３〜０．５ｍｍ
がよく、０．３ｍｍ未満では圧電基板１０が脆くなり、
０．５ｍｍ超ではコストが大きくなる。
ト−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶、６４°Ｙカット−Ｘ伝
搬のＬｉＮｂＯ3 結晶、４５°Ｘカット−Ｚ伝搬のＬｉ
Ｂ4Ｏ7 結晶、水晶等が好適であり、特に３６°Ｙカッ
ト−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶は通過帯域幅が広く、ま
た４５°Ｘカット−Ｚ伝搬のＬｉＢ4 Ｏ7 結晶は電気機
械結合係数が大きくかつ群遅延時間温度係数が小さいた
め好ましい。圧電基板１０の厚みは０．３〜０．５ｍｍ
がよく、０．３ｍｍ未満では圧電基板１０が脆くなり、
０．５ｍｍ超ではコストが大きくなる。
【００１８】かくして、本発明は、導電性の異物の付着
による電極指間のショートを格段に抑制するという作用
効果を有する。
による電極指間のショートを格段に抑制するという作用
効果を有する。
【００１９】更に、本発明のＳＡＷ装置は以下のように
製造される。図１の（ａ）の場合、図３の工程に従う。
まず、工程（ａ）で圧電基板１０上にリフトオフ用の感
光性レジストを塗布し、工程（ｂ）でフォトリソグラフ
ィー法によりＩＤＴ電極のネガパターンを形成する。そ
の後、工程（ｃ）で蒸着法，スパッタリング法，ＣＶＤ
法等の薄膜形成法により、真空雰囲気中でＩＤＴ電極用
のＡｌ等から成る導電膜を成膜する。そのとき、導電膜
の膜厚が電極指１ａ，１ｂ間の間隔の１／２未満となる
ようにする。次に、工程（ｄ）で真空を破らずに、ＩＤ
Ｔ電極が形成された側の圧電基板表面に保護膜１３を蒸
着法等により成膜する。その膜厚は１０〜１００ｎｍが
好適であり、１０ｎｍ未満では絶縁性の保護膜１３とし
て機能するのに充分でなく、１００ｎｍ超では共振器特
性及びフィルタ特性に大きな影響を与える。そして、工
程（ｅ）でネガパターン部に相当する感光性レジスト，
導電膜，保護膜１３を同時にリフトオフし、本発明のＳ
ＡＷ装置を得る。
製造される。図１の（ａ）の場合、図３の工程に従う。
まず、工程（ａ）で圧電基板１０上にリフトオフ用の感
光性レジストを塗布し、工程（ｂ）でフォトリソグラフ
ィー法によりＩＤＴ電極のネガパターンを形成する。そ
の後、工程（ｃ）で蒸着法，スパッタリング法，ＣＶＤ
法等の薄膜形成法により、真空雰囲気中でＩＤＴ電極用
のＡｌ等から成る導電膜を成膜する。そのとき、導電膜
の膜厚が電極指１ａ，１ｂ間の間隔の１／２未満となる
ようにする。次に、工程（ｄ）で真空を破らずに、ＩＤ
Ｔ電極が形成された側の圧電基板表面に保護膜１３を蒸
着法等により成膜する。その膜厚は１０〜１００ｎｍが
好適であり、１０ｎｍ未満では絶縁性の保護膜１３とし
て機能するのに充分でなく、１００ｎｍ超では共振器特
性及びフィルタ特性に大きな影響を与える。そして、工
程（ｅ）でネガパターン部に相当する感光性レジスト，
導電膜，保護膜１３を同時にリフトオフし、本発明のＳ
ＡＷ装置を得る。
【００２０】図１の（ｂ）の場合は以下の工程に従う。
まず、圧電基板１０上にリフトオフ用の感光性レジスト
を塗布し、フォトリソグラフィー法によりＩＤＴ電極の
ネガパターンを形成する。その後、蒸着法，スパッタリ
ング法，ＣＶＤ法等の薄膜形成法により、Ａｌ等から成
るＩＤＴ電極用の導電膜を成膜する。ネガパターンに相
当する導電膜を、感光性レジストとともにリフトオフし
て除去しＩＤＴ電極を形成する。尚、ＩＤＴ電極は、ま
ず導電膜を形成して感光性レジストを塗布し、フォトリ
ソグラフィー法によりＩＤＴ電極のポジパターンを形成
した後、エッチング法によってポジパターンに相当する
導電膜を残して形成してもかまわない。
まず、圧電基板１０上にリフトオフ用の感光性レジスト
を塗布し、フォトリソグラフィー法によりＩＤＴ電極の
ネガパターンを形成する。その後、蒸着法，スパッタリ
ング法，ＣＶＤ法等の薄膜形成法により、Ａｌ等から成
るＩＤＴ電極用の導電膜を成膜する。ネガパターンに相
当する導電膜を、感光性レジストとともにリフトオフし
て除去しＩＤＴ電極を形成する。尚、ＩＤＴ電極は、ま
ず導電膜を形成して感光性レジストを塗布し、フォトリ
ソグラフィー法によりＩＤＴ電極のポジパターンを形成
した後、エッチング法によってポジパターンに相当する
導電膜を残して形成してもかまわない。
【００２１】次に、蒸着法，スパッタリング法，ＣＶＤ
法等の薄膜形成法により保護膜を形成する。その膜厚
は、図１の（ａ）の場合と同様に１０〜１００ｎｍが好
適である。このとき、ＩＤＴ電極の膜厚と保護膜１３の
膜厚との差が、電極指１ａ，１ｂ間の間隔の１／２未満
になるようにし、本発明の弾性表面波装置を得る。
法等の薄膜形成法により保護膜を形成する。その膜厚
は、図１の（ａ）の場合と同様に１０〜１００ｎｍが好
適である。このとき、ＩＤＴ電極の膜厚と保護膜１３の
膜厚との差が、電極指１ａ，１ｂ間の間隔の１／２未満
になるようにし、本発明の弾性表面波装置を得る。
【００２２】尚、本発明は上記の実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。
【００２３】
【実施例】本発明の実施例を以下に示す。
【００２４】（実施例１）図１の（ａ）に相当するＳＡ
Ｗ装置を以下のようにして作製した。３６°Ｙカット−
Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶から成る圧電基板１０上に、
リフトオフ用の感光性レジストを塗布し、フォトリソグ
ラフィー法によりＩＤＴ電極のネガパターンを形成し
た。このとき、感光性レジストのベーク温度、ベーク時
間、露光時の紫外線強度、露光時間、現像液、現像時間
等の条件を調整して、感光性レジストをリフトオフしや
すいようにその断面形状を逆テーパー形状とした。ＳＡ
ＷをＬｉＴａＯ3 結晶のＸ軸方向に伝搬させるので、電
極指１ａ，１ｂの長手方向はＸ軸方向に対して垂直にな
るようにした。また、約９００ＭＨｚ程度の信号を通過
させるので、所望の特性を得るために、電極指１ａ，１
ｂの幅が１．１μｍ、電極指１ａ，１ｂ間の間隔が１．
１μｍとなるようにした。
Ｗ装置を以下のようにして作製した。３６°Ｙカット−
Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶から成る圧電基板１０上に、
リフトオフ用の感光性レジストを塗布し、フォトリソグ
ラフィー法によりＩＤＴ電極のネガパターンを形成し
た。このとき、感光性レジストのベーク温度、ベーク時
間、露光時の紫外線強度、露光時間、現像液、現像時間
等の条件を調整して、感光性レジストをリフトオフしや
すいようにその断面形状を逆テーパー形状とした。ＳＡ
ＷをＬｉＴａＯ3 結晶のＸ軸方向に伝搬させるので、電
極指１ａ，１ｂの長手方向はＸ軸方向に対して垂直にな
るようにした。また、約９００ＭＨｚ程度の信号を通過
させるので、所望の特性を得るために、電極指１ａ，１
ｂの幅が１．１μｍ、電極指１ａ，１ｂ間の間隔が１．
１μｍとなるようにした。
【００２５】次に、圧電基板１０を真空蒸着機内に設置
し、そのネガパターンが形成された側の圧電基板表面に
Ａｌを４６０ｎｍ成膜した。このとき、真空蒸着機のチ
ャンバー内の真空度は１０-7Ｔｏｒｒとした。その後、
真空を破らずに保護膜１３用のＳｉを２５ｎｍ成膜し
た。このとき、圧電基板１０の焦電効果により電極指１
ａ，１ｂ間に放電が起こり、電極指１ａ，１ｂが損傷す
るのを避けるため、圧電基板１０の加熱は行わなかっ
た。そして、圧電基板１０のネガパターンに相当する感
光性レジスト，導電膜，保護膜１３をリフトオフし、Ｉ
ＤＴ電極及び保護膜１３を形成し、ＳＡＷ装置を作製し
た。
し、そのネガパターンが形成された側の圧電基板表面に
Ａｌを４６０ｎｍ成膜した。このとき、真空蒸着機のチ
ャンバー内の真空度は１０-7Ｔｏｒｒとした。その後、
真空を破らずに保護膜１３用のＳｉを２５ｎｍ成膜し
た。このとき、圧電基板１０の焦電効果により電極指１
ａ，１ｂ間に放電が起こり、電極指１ａ，１ｂが損傷す
るのを避けるため、圧電基板１０の加熱は行わなかっ
た。そして、圧電基板１０のネガパターンに相当する感
光性レジスト，導電膜，保護膜１３をリフトオフし、Ｉ
ＤＴ電極及び保護膜１３を形成し、ＳＡＷ装置を作製し
た。
【００２６】上記ＳＡＷ装置は、（ＩＤＴ電極の膜厚）
＝４６０ｎｍで、一方、（電極指１ａ，１ｂ間の間隔の
１／２）＝１．１（μｍ）／２＝５５０（ｎｍ）であっ
た。前記構成とすることにより、従来不良率が数％であ
ったものが、０．１％程度に減少した。また、従来に比
較して真空引きが１回で済むため、その分ＳＡＷ装置を
低コストに製造できた。
＝４６０ｎｍで、一方、（電極指１ａ，１ｂ間の間隔の
１／２）＝１．１（μｍ）／２＝５５０（ｎｍ）であっ
た。前記構成とすることにより、従来不良率が数％であ
ったものが、０．１％程度に減少した。また、従来に比
較して真空引きが１回で済むため、その分ＳＡＷ装置を
低コストに製造できた。
【００２７】（実施例２）図１の（ｂ）に相当するＳＡ
Ｗ装置を以下のようにして作製した。３６°Ｙカット−
Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶から成る圧電基板１０上に、
リフトオフ用の感光性レジストを塗布し、フォトリソグ
ラフィー法によりＩＤＴ電極のネガパターンを形成し
た。このとき、感光性レジストのベーク温度、ベーク時
間、露光時の紫外線強度、露光時間、現像液、現像時間
等の条件を調整して、リフトオフしやすいようにその断
面形状を逆テーパー形状とした。ＳＡＷをＬｉＴａＯ3
結晶のＸ軸方向に伝搬させるので、電極指１ａ，１ｂの
長手方向はＸ軸方向に対して垂直になるようにした。ま
た、約９００ＭＨｚ程度の信号を通過させるので、所望
の特性を得るために、電極指１ａ，１ｂの幅が１．１μ
ｍ、電極指１ａ，１ｂ間の間隔が１．１μｍとなるよう
にした。
Ｗ装置を以下のようにして作製した。３６°Ｙカット−
Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶から成る圧電基板１０上に、
リフトオフ用の感光性レジストを塗布し、フォトリソグ
ラフィー法によりＩＤＴ電極のネガパターンを形成し
た。このとき、感光性レジストのベーク温度、ベーク時
間、露光時の紫外線強度、露光時間、現像液、現像時間
等の条件を調整して、リフトオフしやすいようにその断
面形状を逆テーパー形状とした。ＳＡＷをＬｉＴａＯ3
結晶のＸ軸方向に伝搬させるので、電極指１ａ，１ｂの
長手方向はＸ軸方向に対して垂直になるようにした。ま
た、約９００ＭＨｚ程度の信号を通過させるので、所望
の特性を得るために、電極指１ａ，１ｂの幅が１．１μ
ｍ、電極指１ａ，１ｂ間の間隔が１．１μｍとなるよう
にした。
【００２８】次に、圧電基板１０を真空蒸着機内に設置
し、そのネガパターンが形成された側の圧電基板表面に
Ａｌを４６０ｎｍ成膜した。このとき、真空蒸着機のチ
ャンバー内の真空度は１０-7Ｔｏｒｒとした。蒸着後の
圧電基板１０のネガパターンに相当する感光性レジスト
をリフトオフし、ＩＤＴ電極を形成した。その後、圧電
基板１０を真空蒸着機内に設置し、１０-7Ｔｏｒｒ台ま
で真空引きし、保護膜１３用のＳｉを２５ｎｍ成膜して
ＳＡＷ装置を作製した。このとき、圧電基板１０の焦電
効果により電極指間に放電が起こり、電極指が損傷する
のを避けるため、圧電基板１０の加熱は行わなかった。
し、そのネガパターンが形成された側の圧電基板表面に
Ａｌを４６０ｎｍ成膜した。このとき、真空蒸着機のチ
ャンバー内の真空度は１０-7Ｔｏｒｒとした。蒸着後の
圧電基板１０のネガパターンに相当する感光性レジスト
をリフトオフし、ＩＤＴ電極を形成した。その後、圧電
基板１０を真空蒸着機内に設置し、１０-7Ｔｏｒｒ台ま
で真空引きし、保護膜１３用のＳｉを２５ｎｍ成膜して
ＳＡＷ装置を作製した。このとき、圧電基板１０の焦電
効果により電極指間に放電が起こり、電極指が損傷する
のを避けるため、圧電基板１０の加熱は行わなかった。
【００２９】上記ＳＡＷ装置は、（ＩＤＴ電極の膜厚）
−（保護膜１３の膜厚）＝４６０−２５＝４３５（ｎ
ｍ）で、一方、（電極指１ａ，１ｂ間の間隔の１／２）
＝１．１（μｍ）／２＝５５０（ｎｍ）であるので、Ｉ
ＤＴ電極の膜厚と保護膜１３の膜厚の差４３５ｎｍが、
電極指１ａ，１ｂ間の間隔の１／２の５５０ｎｍよりも
小さい値となっている。前記構成にすることにより、実
施例１と同様の効果が得られた。
−（保護膜１３の膜厚）＝４６０−２５＝４３５（ｎ
ｍ）で、一方、（電極指１ａ，１ｂ間の間隔の１／２）
＝１．１（μｍ）／２＝５５０（ｎｍ）であるので、Ｉ
ＤＴ電極の膜厚と保護膜１３の膜厚の差４３５ｎｍが、
電極指１ａ，１ｂ間の間隔の１／２の５５０ｎｍよりも
小さい値となっている。前記構成にすることにより、実
施例１と同様の効果が得られた。
【００３０】
【発明の効果】本発明の第１の発明は、櫛歯状電極上の
みに保護膜が設けられ、櫛歯状電極の膜厚を電極指間の
間隔の１／２未満とすることにより、パッケージング等
の組み立て加工時に導電性の異物が付着して電極指間に
ショートが発生するのを格段に抑制できるという効果を
奏する。また、真空を破らずに櫛歯状電極と保護膜を連
続で成膜でき、フォトリソグラフィー工程も１回で済む
ので、工程が簡略化される。更に、真空を解放するとき
に外部から雰囲気中に異物が混入して付着する等の汚染
が低減する。櫛歯状電極を形成し終わる前に保護膜を成
膜するので、保護膜形成時の焦電効果による電極指間の
放電がなく、電極指が損傷しないという効果も有する。
みに保護膜が設けられ、櫛歯状電極の膜厚を電極指間の
間隔の１／２未満とすることにより、パッケージング等
の組み立て加工時に導電性の異物が付着して電極指間に
ショートが発生するのを格段に抑制できるという効果を
奏する。また、真空を破らずに櫛歯状電極と保護膜を連
続で成膜でき、フォトリソグラフィー工程も１回で済む
ので、工程が簡略化される。更に、真空を解放するとき
に外部から雰囲気中に異物が混入して付着する等の汚染
が低減する。櫛歯状電極を形成し終わる前に保護膜を成
膜するので、保護膜形成時の焦電効果による電極指間の
放電がなく、電極指が損傷しないという効果も有する。
【００３１】また、第２の発明は、櫛歯状電極及び圧電
基板表面に保護膜が設けられ、櫛歯状電極の膜厚と保護
膜の膜厚との差を電極指間の間隔の１／２未満とするこ
とにより、上記と同様に電極指間にショートが発生する
のを格段に抑制できる。この場合、電極指の側面に保護
膜を被覆する必要はなく、あるいは何らかの原因により
電極指の側面に保護膜が被覆されなかったとき、本発明
のように櫛歯状電極の膜厚を調整しておけばショートを
抑制することができる。従って、被覆性の悪い成膜装
置，成膜方法でも成膜できるので、成膜設備に制約され
ず低コストで製造可能となる。成膜のしにくい電極指の
側面の被覆を必要としないので、保護膜の膜厚を薄くで
き、成膜のタクトタイムが短くなり生産性がよい。ま
た、保護膜の薄膜化により共振器特性及びＳＡＷフィル
タ特性への影響を小さくでき、故に設計の自由度が向上
する。
基板表面に保護膜が設けられ、櫛歯状電極の膜厚と保護
膜の膜厚との差を電極指間の間隔の１／２未満とするこ
とにより、上記と同様に電極指間にショートが発生する
のを格段に抑制できる。この場合、電極指の側面に保護
膜を被覆する必要はなく、あるいは何らかの原因により
電極指の側面に保護膜が被覆されなかったとき、本発明
のように櫛歯状電極の膜厚を調整しておけばショートを
抑制することができる。従って、被覆性の悪い成膜装
置，成膜方法でも成膜できるので、成膜設備に制約され
ず低コストで製造可能となる。成膜のしにくい電極指の
側面の被覆を必要としないので、保護膜の膜厚を薄くで
き、成膜のタクトタイムが短くなり生産性がよい。ま
た、保護膜の薄膜化により共振器特性及びＳＡＷフィル
タ特性への影響を小さくでき、故に設計の自由度が向上
する。
【００３２】更に、本発明は、導電性の異物がある程度
付着してもショートする確率がかなり小さいため、導電
性の異物の主な発生源であるパッケージを余分に洗浄す
る必要がなくなり、その結果、製造工程が簡略化でき
る。
付着してもショートする確率がかなり小さいため、導電
性の異物の主な発生源であるパッケージを余分に洗浄す
る必要がなくなり、その結果、製造工程が簡略化でき
る。
【図１】本発明のＳＡＷ装置を示し、（ａ）はＩＤＴ電
極上にのみ保護膜があるものの部分拡大断面図、（ｂ）
は全面に保護膜があるものの部分拡大断面図である。
極上にのみ保護膜があるものの部分拡大断面図、（ｂ）
は全面に保護膜があるものの部分拡大断面図である。
【図２】従来のＳＡＷ装置を示し、（ａ）は保護膜がな
いものの部分拡大断面図、（ｂ）は全面に保護膜がある
ものの部分拡大断面図である。
いものの部分拡大断面図、（ｂ）は全面に保護膜がある
ものの部分拡大断面図である。
【図３】本発明のＳＡＷ装置の製造工程の流れ図で、
（ａ）〜（ｅ）は各工程の内容を示す。
（ａ）〜（ｅ）は各工程の内容を示す。
【図４】従来のＳＡＷ装置の製造工程の流れ図で、
（ａ）〜（ｅ）は各工程の内容を示す。
（ａ）〜（ｅ）は各工程の内容を示す。
１ａ：電極指 １ｂ：電極指 １０：圧電基板 １２：導電性の微粒子 １３：保護膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年１２月１０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】従来のＳＡＷ装置を示し、（ａ）は保護膜がな
いものの部分拡大断面図、（ｂ）は全面に保護膜がある
ものの部分拡大断面図、（ｃ）はＳＡＷ装置全体の基本
構成の平面図である。
いものの部分拡大断面図、（ｂ）は全面に保護膜がある
ものの部分拡大断面図、（ｃ）はＳＡＷ装置全体の基本
構成の平面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加賀井 恵美 京都府相楽郡精華町光台３丁目５番地 京 セラ株式会社中央研究所内 (72)発明者 旗手 淳雄 京都府相楽郡精華町光台３丁目５番地 京 セラ株式会社中央研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】圧電基板上に、複数の平行な電極指を有す
る一対の櫛歯状電極の双方の電極指が互いに噛み合うよ
うに配置し、かつこれら櫛歯状電極上のみに保護膜を設
けて成る弾性表面波装置であって、前記櫛歯状電極の厚
さを隣接する電極指間の間隔の１／２未満としたことを
特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】圧電基板上に、複数の平行な電極指を有す
る一対の櫛歯状電極の双方の電極指が互いに噛み合うよ
うに配置し、かつこれら櫛歯状電極及び圧電基板表面に
保護膜を設けて成る弾性表面波装置であって、前記櫛歯
状電極の厚さと保護膜の膜厚との差を、隣接する電極指
間の間隔の１／２未満としたことを特徴とする弾性表面
波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25815496A JPH10107582A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25815496A JPH10107582A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107582A true JPH10107582A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17316283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25815496A Pending JPH10107582A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10107582A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6467139B1 (en) | 1998-08-03 | 2002-10-22 | Nec Corporation | Mounting structure and mounting method for surface acoustic wave element |
| US7301255B2 (en) | 2003-03-27 | 2007-11-27 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave apparatus and communications device |
-
1996
- 1996-09-30 JP JP25815496A patent/JPH10107582A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6467139B1 (en) | 1998-08-03 | 2002-10-22 | Nec Corporation | Mounting structure and mounting method for surface acoustic wave element |
| US7301255B2 (en) | 2003-03-27 | 2007-11-27 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave apparatus and communications device |
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