JPH10107179A - 高周波回路用パッケージ - Google Patents
高周波回路用パッケージInfo
- Publication number
- JPH10107179A JPH10107179A JP25701396A JP25701396A JPH10107179A JP H10107179 A JPH10107179 A JP H10107179A JP 25701396 A JP25701396 A JP 25701396A JP 25701396 A JP25701396 A JP 25701396A JP H10107179 A JPH10107179 A JP H10107179A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating
- insulating substrate
- insulating frame
- line
- high frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 導体線路を用いた信号入出力部を備えた高周
波回路用パッケージでは、信号線路を伝搬する高周波信
号に対して気密封止部分で特性インピーダンスの不整合
による反射損失等が生じて高周波信号の伝搬特性が低下
していた。 【解決手段】 下面に金属層13を有する絶縁基板11と、
その上面に接合され、内側に高周波半導体素子15を収容
するための空所を有する絶縁枠体12と、絶縁基板11の上
面に形成され、一部が絶縁基板11と絶縁枠体12に挟持さ
れた信号線路16とを具備する高周波回路用パッケージに
おいて、金属層13を、絶縁基板11と絶縁枠体12とで挟持
されている信号線路16の気密封止部分と対向し且つ絶縁
枠体12の厚みｔと等しい長さＬを有する非形成部18を除
いて形成する。非形成部18の幅Ｗと形状の調整により、
気密封止部分における特性インピーダンスの不整合と伝
搬モードの乱れをなくして、高周波信号の良好な伝搬特
性が得られる。
波回路用パッケージでは、信号線路を伝搬する高周波信
号に対して気密封止部分で特性インピーダンスの不整合
による反射損失等が生じて高周波信号の伝搬特性が低下
していた。 【解決手段】 下面に金属層13を有する絶縁基板11と、
その上面に接合され、内側に高周波半導体素子15を収容
するための空所を有する絶縁枠体12と、絶縁基板11の上
面に形成され、一部が絶縁基板11と絶縁枠体12に挟持さ
れた信号線路16とを具備する高周波回路用パッケージに
おいて、金属層13を、絶縁基板11と絶縁枠体12とで挟持
されている信号線路16の気密封止部分と対向し且つ絶縁
枠体12の厚みｔと等しい長さＬを有する非形成部18を除
いて形成する。非形成部18の幅Ｗと形状の調整により、
気密封止部分における特性インピーダンスの不整合と伝
搬モードの乱れをなくして、高周波信号の良好な伝搬特
性が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波回路用パッケ
ージに関し、特に導体線路の配線を使用した信号入出力
部における高周波信号の伝搬特性の悪化を改善した高周
波回路用パッケージに関するものである。
ージに関し、特に導体線路の配線を使用した信号入出力
部における高周波信号の伝搬特性の悪化を改善した高周
波回路用パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＭＨｚ帯やＧＨｚ帯の高周波信号を用い
る無線通信機器用等の高周波回路あるいはＳｉ（シリコ
ン）やＧａＡｓ（ガリウム砒素）等で形成された高周波
半導体集積回路等の半導体素子を収容する高周波回路用
パッケージにおいては、パッケージの内部に回路や素子
が収容されて気密封止され、それら内部の回路や素子と
外部の回路とを接続して高周波信号の良好な伝搬特性を
得るために導体線路の配線を使用した信号入出力部が形
成される。
る無線通信機器用等の高周波回路あるいはＳｉ（シリコ
ン）やＧａＡｓ（ガリウム砒素）等で形成された高周波
半導体集積回路等の半導体素子を収容する高周波回路用
パッケージにおいては、パッケージの内部に回路や素子
が収容されて気密封止され、それら内部の回路や素子と
外部の回路とを接続して高周波信号の良好な伝搬特性を
得るために導体線路の配線を使用した信号入出力部が形
成される。
【０００３】そのような高周波回路用パッケージの例に
ついて、図６に要部断面図を、また図７に要部平面図
を、図８に図７のＩ−Ｉ’線断面図を示す。
ついて、図６に要部断面図を、また図７に要部平面図
を、図８に図７のＩ−Ｉ’線断面図を示す。
【０００４】図６〜図８に示す高周波回路用パッケージ
１において、２はセラミック等から成る絶縁基板、３は
絶縁基板２に接合され高周波回路用パッケージ１の容器
を構成してその側壁となる絶縁枠体、４は絶縁基板２の
下面のほぼ全面に形成された金属膜、５は高周波回路用
パッケージ１の蓋体、６は絶縁基板２上に搭載された高
周波半導体素子、７は導体線路から成る信号線路であ
る。信号線路７は絶縁基板２と絶縁枠体３と蓋体５とに
より構成される容器の内側から外側にかけて導出され、
絶縁基板２と絶縁枠体３（容器側壁）とで挟持された気
密封止部により気密に封止されている。また信号線路７
は高周波半導体素子６の電極とアルミニウムまたは金の
接続線８で接続されている。なお、導体線路としてはグ
ランド線路（図示せず）も形成され、必要に応じて高周
波半導体素子６のグランド電極と接続線で接続される。
１において、２はセラミック等から成る絶縁基板、３は
絶縁基板２に接合され高周波回路用パッケージ１の容器
を構成してその側壁となる絶縁枠体、４は絶縁基板２の
下面のほぼ全面に形成された金属膜、５は高周波回路用
パッケージ１の蓋体、６は絶縁基板２上に搭載された高
周波半導体素子、７は導体線路から成る信号線路であ
る。信号線路７は絶縁基板２と絶縁枠体３と蓋体５とに
より構成される容器の内側から外側にかけて導出され、
絶縁基板２と絶縁枠体３（容器側壁）とで挟持された気
密封止部により気密に封止されている。また信号線路７
は高周波半導体素子６の電極とアルミニウムまたは金の
接続線８で接続されている。なお、導体線路としてはグ
ランド線路（図示せず）も形成され、必要に応じて高周
波半導体素子６のグランド電極と接続線で接続される。
【０００５】そして、信号線路７およびグランド線路は
それぞれ外部回路基板（図示せず）の対応する配線と半
田等により接続されて、所望の高周波信号処理装置が構
成される。
それぞれ外部回路基板（図示せず）の対応する配線と半
田等により接続されて、所望の高周波信号処理装置が構
成される。
【０００６】このような従来の高周波回路用パッケージ
１においては、絶縁基板２上面に形成された信号線路７
は、絶縁基板２の下面にグランド層としての金属膜４が
形成されていることから、半導体素子６が収容された絶
縁枠体３の内側ならびに外側においてはその線路の上部
が空間であるためマイクロストリップライン構造とな
り、また気密封止部分では絶縁基板２と絶縁枠体３とで
挟まれているためストリップライン構造となる。
１においては、絶縁基板２上面に形成された信号線路７
は、絶縁基板２の下面にグランド層としての金属膜４が
形成されていることから、半導体素子６が収容された絶
縁枠体３の内側ならびに外側においてはその線路の上部
が空間であるためマイクロストリップライン構造とな
り、また気密封止部分では絶縁基板２と絶縁枠体３とで
挟まれているためストリップライン構造となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の高周波回路用パッケージ１においては、信
号線路７のストリップライン構造となる部分では信号線
路７の上部に位置する絶縁枠体３の誘電率または厚さに
対応して特性インピーダンスが低下するために、信号線
路７を伝搬する高周波信号に対してマイクロストリップ
ライン構造となる部分との間で特性インピーダンスの不
整合による反射損失等が生じて、高周波信号の伝搬特性
が悪くなるという問題点があった。
ような従来の高周波回路用パッケージ１においては、信
号線路７のストリップライン構造となる部分では信号線
路７の上部に位置する絶縁枠体３の誘電率または厚さに
対応して特性インピーダンスが低下するために、信号線
路７を伝搬する高周波信号に対してマイクロストリップ
ライン構造となる部分との間で特性インピーダンスの不
整合による反射損失等が生じて、高周波信号の伝搬特性
が悪くなるという問題点があった。
【０００８】これに対して、例えば特公平８−12887 号
には、信号線路のストリップライン構造となる部分（気
密封止部分）の線路幅をマイクロストリップライン構造
となる他の部分の線路幅より狭くした高周波回路用パッ
ケージが提案されている。
には、信号線路のストリップライン構造となる部分（気
密封止部分）の線路幅をマイクロストリップライン構造
となる他の部分の線路幅より狭くした高周波回路用パッ
ケージが提案されている。
【０００９】これによれば、気密封止部分において信号
線路の線路幅を狭くした部分の特性インピーダンスが大
きくなり、結果として信号線路のマイクロストリップラ
イン構造となる部分と同じ特性インピーダンスとするこ
とが可能となって特性インピーダンスの整合をとること
ができるというものである。
線路の線路幅を狭くした部分の特性インピーダンスが大
きくなり、結果として信号線路のマイクロストリップラ
イン構造となる部分と同じ特性インピーダンスとするこ
とが可能となって特性インピーダンスの整合をとること
ができるというものである。
【００１０】しかしながら、この特公平８−12887 号に
提案された構造によれば、気密封止部分において信号線
路の線路幅が変化するため却って高周波信号の伝搬モー
ドの乱れが存在することとなり、その結果、高周波信号
の伝搬特性が悪くなるという問題点があった。
提案された構造によれば、気密封止部分において信号線
路の線路幅が変化するため却って高周波信号の伝搬モー
ドの乱れが存在することとなり、その結果、高周波信号
の伝搬特性が悪くなるという問題点があった。
【００１１】本発明は上記事情に鑑みて本発明者が鋭意
研究に努めた結果完成したものであり、その目的は、導
体線路の配線を使用した信号入出力部における高周波信
号の特性インピーダンスの不整合および伝搬モードの乱
れをなくした、高周波信号の良好な伝搬特性を有する高
周波回路用パッケージを提供することにある。
研究に努めた結果完成したものであり、その目的は、導
体線路の配線を使用した信号入出力部における高周波信
号の特性インピーダンスの不整合および伝搬モードの乱
れをなくした、高周波信号の良好な伝搬特性を有する高
周波回路用パッケージを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波回路用パ
ッケージは、下面に金属層を有する絶縁基板と、この絶
縁基板の上面に接合され、内側に前記絶縁基板の上面に
搭載された高周波回路または高周波半導体素子を収容す
るための空所を有する絶縁枠体と、前記絶縁基板の上面
に前記絶縁枠体の内側から外側にわたって形成され、そ
の一部が前記絶縁基板と前記絶縁枠体とで挟持されてい
る信号線路とを具備する高周波回路用パッケージにおい
て、前記絶縁基板の下面の、前記絶縁基板と絶縁枠体と
で挟持されている信号線路の一部と対向し且つ前記絶縁
枠体の厚みと等しい長さを有する領域を除いて、前記金
属層が形成されていることを特徴とするものである。
ッケージは、下面に金属層を有する絶縁基板と、この絶
縁基板の上面に接合され、内側に前記絶縁基板の上面に
搭載された高周波回路または高周波半導体素子を収容す
るための空所を有する絶縁枠体と、前記絶縁基板の上面
に前記絶縁枠体の内側から外側にわたって形成され、そ
の一部が前記絶縁基板と前記絶縁枠体とで挟持されてい
る信号線路とを具備する高周波回路用パッケージにおい
て、前記絶縁基板の下面の、前記絶縁基板と絶縁枠体と
で挟持されている信号線路の一部と対向し且つ前記絶縁
枠体の厚みと等しい長さを有する領域を除いて、前記金
属層が形成されていることを特徴とするものである。
【００１３】本発明の高周波回路用パッケージによれ
ば、絶縁基板の下面に形成される金属層が、絶縁基板と
絶縁枠体とで挟持されている信号線路の一部と対向し且
つ絶縁枠体の厚みと等しい長さを有する領域を除いて形
成されていることから、この領域すなわち金属層の非形
成部の幅ならびに形状を絶縁基板の誘電率と厚みならび
に絶縁枠体の誘電率と高さに応じて調整することによ
り、一部が誘電体である絶縁基板と絶縁枠体とで挟持さ
れていることによりその挟持部分で小さくなる傾向を有
する信号線路の特性インピーダンスを制御して元の特性
インピーダンスに近づくように大きくなるよう調整する
ことができ、その結果、絶縁基板と絶縁枠体とで挟持さ
れた部分の前後のマイクロストリップライン構造の信号
線路の特性インピーダンスと同じにすることが可能とな
り、信号入出力部における特性インピーダンスの不整合
をなくすことができる。
ば、絶縁基板の下面に形成される金属層が、絶縁基板と
絶縁枠体とで挟持されている信号線路の一部と対向し且
つ絶縁枠体の厚みと等しい長さを有する領域を除いて形
成されていることから、この領域すなわち金属層の非形
成部の幅ならびに形状を絶縁基板の誘電率と厚みならび
に絶縁枠体の誘電率と高さに応じて調整することによ
り、一部が誘電体である絶縁基板と絶縁枠体とで挟持さ
れていることによりその挟持部分で小さくなる傾向を有
する信号線路の特性インピーダンスを制御して元の特性
インピーダンスに近づくように大きくなるよう調整する
ことができ、その結果、絶縁基板と絶縁枠体とで挟持さ
れた部分の前後のマイクロストリップライン構造の信号
線路の特性インピーダンスと同じにすることが可能とな
り、信号入出力部における特性インピーダンスの不整合
をなくすことができる。
【００１４】また、信号線路の線路幅は絶縁基板と絶縁
枠体とで挟持された挟持部分と他の部分とで変わること
がないため、線路幅の変化による高周波信号の伝搬モー
ドの乱れをなくすことができる。
枠体とで挟持された挟持部分と他の部分とで変わること
がないため、線路幅の変化による高周波信号の伝搬モー
ドの乱れをなくすことができる。
【００１５】従って、本発明によれば、導体線路の配線
を使用した信号入出力部における高周波信号の特性イン
ピーダンスの不整合および伝搬モードの乱れをなくし
た、高周波信号の良好な伝搬特性を有する高周波回路用
パッケージとなる。
を使用した信号入出力部における高周波信号の特性イン
ピーダンスの不整合および伝搬モードの乱れをなくし
た、高周波信号の良好な伝搬特性を有する高周波回路用
パッケージとなる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明を詳
細に説明する。なお、本発明は以下の例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変
更・改良を加えることは何ら差し支えない。
細に説明する。なお、本発明は以下の例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変
更・改良を加えることは何ら差し支えない。
【００１７】図１は本発明の高周波回路用パッケージの
実施の形態の例を示す要部平面図であり、図２はその要
部平面図、図３および図４・図５はそれぞれ図２のＡ−
Ａ’線断面図およびＢ−Ｂ’線断面図・Ｃ−Ｃ’線断面
図である。
実施の形態の例を示す要部平面図であり、図２はその要
部平面図、図３および図４・図５はそれぞれ図２のＡ−
Ａ’線断面図およびＢ−Ｂ’線断面図・Ｃ−Ｃ’線断面
図である。
【００１８】図１〜図５に示した本発明の高周波回路用
パッケージ10において、11はセラミック等から成る絶縁
基板、12は絶縁枠体である。絶縁枠体12は絶縁基板11の
上面に搭載された高周波回路または高周波半導体素子等
をその絶縁枠体12の内側に気密封止するための空所を有
しており、絶縁基板11の上面に接合されて絶縁基板11と
ともに高周波回路用パッケージ10の容器を構成し、その
容器の側壁となる。
パッケージ10において、11はセラミック等から成る絶縁
基板、12は絶縁枠体である。絶縁枠体12は絶縁基板11の
上面に搭載された高周波回路または高周波半導体素子等
をその絶縁枠体12の内側に気密封止するための空所を有
しており、絶縁基板11の上面に接合されて絶縁基板11と
ともに高周波回路用パッケージ10の容器を構成し、その
容器の側壁となる。
【００１９】13は絶縁基板11の下面に形成された金属層
であり、通常は、後述する非形成部を除いて下面のほぼ
全面にわたって形成される。14は高周波回路用パッケー
ジ10の蓋体である。蓋体14は通常は金属キャップにより
形成されて絶縁枠体12に接合され、絶縁基板11の上面に
搭載された高周波回路または高周波半導体素子を絶縁枠
体12の内側、すなわち絶縁基板11と絶縁枠体12と蓋体14
とにより構成される容器の内部に気密封止する。なお、
蓋体14を絶縁枠体12と同様の絶縁材料で作製した場合に
は、蓋体14と絶縁枠体12とを一体化し、蓋体14の一部が
高周波回路用パッケージ10の容器の側壁をなすようにし
て絶縁枠体12を兼ねるようにしてもよい。
であり、通常は、後述する非形成部を除いて下面のほぼ
全面にわたって形成される。14は高周波回路用パッケー
ジ10の蓋体である。蓋体14は通常は金属キャップにより
形成されて絶縁枠体12に接合され、絶縁基板11の上面に
搭載された高周波回路または高周波半導体素子を絶縁枠
体12の内側、すなわち絶縁基板11と絶縁枠体12と蓋体14
とにより構成される容器の内部に気密封止する。なお、
蓋体14を絶縁枠体12と同様の絶縁材料で作製した場合に
は、蓋体14と絶縁枠体12とを一体化し、蓋体14の一部が
高周波回路用パッケージ10の容器の側壁をなすようにし
て絶縁枠体12を兼ねるようにしてもよい。
【００２０】15は絶縁基板11上に搭載された高周波集積
回路等の高周波半導体素子である。
回路等の高周波半導体素子である。
【００２１】この高周波半導体素子15は他の高周波回路
であってもよい。16は高周波信号用の信号配線であり、
絶縁基板11の上面に前記容器の内側の高周波半導体素子
15周辺から外側にわたって形成された導体線路から成
る。
であってもよい。16は高周波信号用の信号配線であり、
絶縁基板11の上面に前記容器の内側の高周波半導体素子
15周辺から外側にわたって形成された導体線路から成
る。
【００２２】この信号線路16は内側配線部分16ａと気密
封止配線部分16ｂと外側端子部分16ｃとから成り、気密
封止配線部分16ｂは容器の側壁部分において絶縁基板11
と絶縁枠体12とで挟持されて気密に封止され、ストリッ
プライン構造を構成している。なお、このような気密封
止手段には、半導体素子収納用パッケージにおける公知
の手段を採用することができる。
封止配線部分16ｂと外側端子部分16ｃとから成り、気密
封止配線部分16ｂは容器の側壁部分において絶縁基板11
と絶縁枠体12とで挟持されて気密に封止され、ストリッ
プライン構造を構成している。なお、このような気密封
止手段には、半導体素子収納用パッケージにおける公知
の手段を採用することができる。
【００２３】17はアルミニウムまたは金等の接続線であ
り、これにより信号線路16と高周波半導体素子15の電極
とが接続されている。なお、高周波半導体素子15のグラ
ンド電極とグランド線路（図示せず）または後述する線
路パターンとの間も必要に応じて同様に接続線で接続さ
れる。また、信号線路16およびグランド線路はそれぞれ
外部回路基板（図示せず）の配線と半田等により接続さ
れて、所望の高周波信号処理装置が構成される。
り、これにより信号線路16と高周波半導体素子15の電極
とが接続されている。なお、高周波半導体素子15のグラ
ンド電極とグランド線路（図示せず）または後述する線
路パターンとの間も必要に応じて同様に接続線で接続さ
れる。また、信号線路16およびグランド線路はそれぞれ
外部回路基板（図示せず）の配線と半田等により接続さ
れて、所望の高周波信号処理装置が構成される。
【００２４】そして、18は、この領域を除いて金属層13
が形成される、金属層13の非形成部である。この非形成
部18は、絶縁基板11の下面のほぼ全面に形成された金属
層13のうち絶縁基板11と絶縁枠体12とで挟持されている
信号線路16の一部すなわち気密封止配線部分16ｂと対向
し、かつ絶縁枠体12の厚みｔすなわち気密封止配線部分
16ｂの長さと等しい長さＬを有する領域となる空きパタ
ーンであることを特徴としており、その幅Ｗならびに形
状を絶縁基板11の誘電率と厚みＴならびに絶縁枠体12の
誘電率と高さｈに応じて調整することにより、気密封止
配線部分16ｂにおける特性インピーダンスを制御して内
側配線部分16ａおよび外側端子部分16ｃの特性インピー
ダンスと整合させることができるものである。この非形
成部18の形状は通常は方形状とすることが作製上および
特性インピーダンスの制御の容易さの点から好適である
が、幅方向を曲線的な形状としたものや楕円形状あるい
は円形状その他種々の形状であっても差し支えなく、そ
れらの寸法を調整することにより、いずれも気密封止配
線部分16ｂの特性インピーダンスを制御する作用をなす
ことができる。
が形成される、金属層13の非形成部である。この非形成
部18は、絶縁基板11の下面のほぼ全面に形成された金属
層13のうち絶縁基板11と絶縁枠体12とで挟持されている
信号線路16の一部すなわち気密封止配線部分16ｂと対向
し、かつ絶縁枠体12の厚みｔすなわち気密封止配線部分
16ｂの長さと等しい長さＬを有する領域となる空きパタ
ーンであることを特徴としており、その幅Ｗならびに形
状を絶縁基板11の誘電率と厚みＴならびに絶縁枠体12の
誘電率と高さｈに応じて調整することにより、気密封止
配線部分16ｂにおける特性インピーダンスを制御して内
側配線部分16ａおよび外側端子部分16ｃの特性インピー
ダンスと整合させることができるものである。この非形
成部18の形状は通常は方形状とすることが作製上および
特性インピーダンスの制御の容易さの点から好適である
が、幅方向を曲線的な形状としたものや楕円形状あるい
は円形状その他種々の形状であっても差し支えなく、そ
れらの寸法を調整することにより、いずれも気密封止配
線部分16ｂの特性インピーダンスを制御する作用をなす
ことができる。
【００２５】この金属層13の非形成部18として例えば方
形状の非形成部18を設ける場合、絶縁基板11と絶縁枠体
12のそれぞれの誘電率εを10、それぞれの厚みＴまたは
高さｈ 140μｍ、信号配線16の厚さｄを15μｍ、幅ｗを
100μｍとして、内側配線部分16ａおよび外側端子部分
16ｃの高周波信号に対する特性インピーダンスＺ0 を50
Ωとした場合であれば、気密封止配線部分16ｂの特性イ
ンピーダンスＺ0 は３２Ωとなり、特性インピーダンス
の不整合が生じることになる。これに対して、絶縁枠体
１２の誘電率εを５、高さｈを 200μｍとして、金属層
13の気密封止配線部分16ｂに対向する領域にその長さす
なわち絶縁枠体12の厚みｔと等しい長さＬを有し、幅Ｗ
を 150μｍとした非形成部18を設けることにより、気密
封止配線部分16ｂにおける特性インピーダンスＺ0 はほ
ぼ50Ωとなり、特性インピーダンスの不整合は生じなく
なる。また同時に、信号線路16の線路幅ｗが気密封止配
線部分18ｂおよび内側配線部分16ａ・外側端子部分16ｃ
で一定であるので、高周波信号の信号伝搬モードの乱れ
も生じない。
形状の非形成部18を設ける場合、絶縁基板11と絶縁枠体
12のそれぞれの誘電率εを10、それぞれの厚みＴまたは
高さｈ 140μｍ、信号配線16の厚さｄを15μｍ、幅ｗを
100μｍとして、内側配線部分16ａおよび外側端子部分
16ｃの高周波信号に対する特性インピーダンスＺ0 を50
Ωとした場合であれば、気密封止配線部分16ｂの特性イ
ンピーダンスＺ0 は３２Ωとなり、特性インピーダンス
の不整合が生じることになる。これに対して、絶縁枠体
１２の誘電率εを５、高さｈを 200μｍとして、金属層
13の気密封止配線部分16ｂに対向する領域にその長さす
なわち絶縁枠体12の厚みｔと等しい長さＬを有し、幅Ｗ
を 150μｍとした非形成部18を設けることにより、気密
封止配線部分16ｂにおける特性インピーダンスＺ0 はほ
ぼ50Ωとなり、特性インピーダンスの不整合は生じなく
なる。また同時に、信号線路16の線路幅ｗが気密封止配
線部分18ｂおよび内側配線部分16ａ・外側端子部分16ｃ
で一定であるので、高周波信号の信号伝搬モードの乱れ
も生じない。
【００２６】絶縁基板11ならびに絶縁枠体12としては、
例えばアルミナやムライト等のセラミックスやガラスセ
ラミックス、あるいはテフロン・ガラスエポキシ・ポリ
イミド等の樹脂系材料などが用いられる。また、容器の
側壁となる気密封止部分におけるこれらの接合は、例え
ば絶縁基板11にスクリーン印刷法により信号線路16とな
る導体層を形成し、絶縁枠体12を積層して同時焼成する
ことによって接合すればよい。
例えばアルミナやムライト等のセラミックスやガラスセ
ラミックス、あるいはテフロン・ガラスエポキシ・ポリ
イミド等の樹脂系材料などが用いられる。また、容器の
側壁となる気密封止部分におけるこれらの接合は、例え
ば絶縁基板11にスクリーン印刷法により信号線路16とな
る導体層を形成し、絶縁枠体12を積層して同時焼成する
ことによって接合すればよい。
【００２７】蓋体14は例えば金属材料から成り、Ａｕ−
Ｓｎ等のロウ材を用いて絶縁枠体12と接合し、気密封止
される。また、前述のように絶縁枠体12と同様の絶縁材
料を用いてもよい。
Ｓｎ等のロウ材を用いて絶縁枠体12と接合し、気密封止
される。また、前述のように絶縁枠体12と同様の絶縁材
料を用いてもよい。
【００２８】信号線路16はＣｕやＭｏＭｎ＋Ｃｕ・Ｗ＋
Ａｕなどを用いて厚膜印刷あるいは薄膜形成手段・メッ
キ処理などの方法により形成され、その厚みｄや幅ｗは
それにより伝搬させる高周波信号ならびに高周波回路用
パッケージの仕様に応じて適宜設定すればよい。
Ａｕなどを用いて厚膜印刷あるいは薄膜形成手段・メッ
キ処理などの方法により形成され、その厚みｄや幅ｗは
それにより伝搬させる高周波信号ならびに高周波回路用
パッケージの仕様に応じて適宜設定すればよい。
【００２９】また、金属層13は信号線路16と同様の材料
を用いて同様の方法により絶縁基板11の下面のほぼ全面
に形成され、その厚みは、例えば厚膜であれば約10〜30
μｍ程度とされる。
を用いて同様の方法により絶縁基板11の下面のほぼ全面
に形成され、その厚みは、例えば厚膜であれば約10〜30
μｍ程度とされる。
【００３０】そして、金属層13の非形成部18は、金属層
13を形成した後にレジストパターンを形成してその部分
をエッチングで除去することにより、あるいは金属層13
の形成時にマスクパターンを用いてその部分に金属層13
を被着させないようにすること等により所望の形状・寸
法に設ければよい。
13を形成した後にレジストパターンを形成してその部分
をエッチングで除去することにより、あるいは金属層13
の形成時にマスクパターンを用いてその部分に金属層13
を被着させないようにすること等により所望の形状・寸
法に設ければよい。
【００３１】
【発明の効果】本発明の高周波回路用パッケージによれ
ば、絶縁基板の下面に形成される金属層を、絶縁基板と
絶縁枠体とで挟持された信号線路の一部に対向し且つ絶
縁枠体の厚みすなわち信号線路の気密封止配線部分の長
さと等しい長さを有する領域を除いて形成したことか
ら、その領域である非形成部の幅ならびに形状を絶縁基
板の誘電率および厚みならびに絶縁枠体の誘電率と高さ
に応じて調整することにより、誘電体である絶縁基板と
絶縁枠体とで挟持されていることによりその挟持部分す
なわち容器の側壁部分となる気密封止配線部分で小さく
なる傾向を有する信号線路の特性インピーダンスを制御
して、その気密封止配線部分の前後において信号線路が
露出している部分である容器の内側および外側に位置す
る信号線路すなわち内側配線部分および外側端子部分の
特性インピーダンスとほぼ同じにすることが可能とな
り、信号入出力部における特性インピーダンスの不整合
をなくすことができた。
ば、絶縁基板の下面に形成される金属層を、絶縁基板と
絶縁枠体とで挟持された信号線路の一部に対向し且つ絶
縁枠体の厚みすなわち信号線路の気密封止配線部分の長
さと等しい長さを有する領域を除いて形成したことか
ら、その領域である非形成部の幅ならびに形状を絶縁基
板の誘電率および厚みならびに絶縁枠体の誘電率と高さ
に応じて調整することにより、誘電体である絶縁基板と
絶縁枠体とで挟持されていることによりその挟持部分す
なわち容器の側壁部分となる気密封止配線部分で小さく
なる傾向を有する信号線路の特性インピーダンスを制御
して、その気密封止配線部分の前後において信号線路が
露出している部分である容器の内側および外側に位置す
る信号線路すなわち内側配線部分および外側端子部分の
特性インピーダンスとほぼ同じにすることが可能とな
り、信号入出力部における特性インピーダンスの不整合
をなくすことができた。
【００３２】また、信号線路の線路幅は、絶縁基板と絶
縁枠体とで挟持された気密封止配線部分と、他の部分す
なわち内側配線部分および外側端子部分とで変わること
がないため、線路幅の変化による高周波信号の伝搬モー
ドの乱れをなくすことができた。
縁枠体とで挟持された気密封止配線部分と、他の部分す
なわち内側配線部分および外側端子部分とで変わること
がないため、線路幅の変化による高周波信号の伝搬モー
ドの乱れをなくすことができた。
【００３３】従って、本発明によれば、導体線路の配線
を使用した信号入出力部における高周波信号の特性イン
ピーダンスの不整合および伝搬モードの乱れをなくし
た、高周波信号の良好な伝搬特性を有する高周波回路用
パッケージを提供することができた。
を使用した信号入出力部における高周波信号の特性イン
ピーダンスの不整合および伝搬モードの乱れをなくし
た、高周波信号の良好な伝搬特性を有する高周波回路用
パッケージを提供することができた。
【図１】本発明の高周波回路用パッケージの実施の形態
を示す要部断面図である。
を示す要部断面図である。
【図２】本発明の高周波回路用パッケージの実施の形態
を示す要部平面図である。
を示す要部平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’線断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図５】図２のＣ−Ｃ’線断面図である。
【図６】従来の高周波回路用パッケージの例を示す要部
断面図である。
断面図である。
【図７】従来の高周波回路用パッケージの例を示す要部
平面図である。
平面図である。
【図８】図７のＩ−Ｉ’線断面図である。
10・・・・・・・高周波回路用パッケージ 11・・・・・・・絶縁基板 Ｔ・・・厚み 12・・・・・・・絶縁枠体 ｔ・・・厚み、ｈ・・・高さ 13・・・・・・・金属層 15・・・・・・・高周波半導体素子 16・・・・・・・信号線路 ｗ・・・幅、ｄ・・・厚み 18・・・・・・・非形成部 Ｌ・・・長さ、Ｗ・・・幅
Claims (1)
- 【請求項１】 下面に金属層を有する絶縁基板と、該絶
縁基板の上面に接合され、内側に前記絶縁基板の上面に
搭載された高周波回路または高周波半導体素子を収容す
るための空所を有する絶縁枠体と、前記絶縁基板の上面
に前記絶縁枠体の内側から外側にわたって形成され、そ
の一部が前記絶縁基板と前記絶縁枠体とで挟持されてい
る信号線路とを具備する高周波回路用パッケージにおい
て、前記絶縁基板の下面の、前記絶縁基板と絶縁枠体と
で挟持されている信号線路の一部と対向し且つ前記絶縁
枠体の厚みと等しい長さを有する領域を除いて、前記金
属層が形成されていることを特徴とする高周波回路用パ
ッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25701396A JPH10107179A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 高周波回路用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25701396A JPH10107179A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 高周波回路用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107179A true JPH10107179A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17300525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25701396A Pending JPH10107179A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 高周波回路用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10107179A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005212017A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Kyocera Corp | 電子部品封止用基板および多数個取り用電子部品封止用基板ならびに電子装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-09-27 JP JP25701396A patent/JPH10107179A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005212017A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Kyocera Corp | 電子部品封止用基板および多数個取り用電子部品封止用基板ならびに電子装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6456172B1 (en) | Multilayered ceramic RF device | |
| US5451818A (en) | Millimeter wave ceramic package | |
| EP1094538A2 (en) | Multilayered ceramic RF device | |
| JP2605502B2 (ja) | パッケージ | |
| WO2006033204A1 (ja) | 高周波発振回路および送受信装置 | |
| JP3209183B2 (ja) | 高周波信号用集積回路パッケージ及びその製造方法 | |
| JPS6093817A (ja) | 可変遅延ライン装置 | |
| JP3297607B2 (ja) | 高周波回路用パッケージ | |
| JPH10107179A (ja) | 高周波回路用パッケージ | |
| JP3810566B2 (ja) | 高周波用パッケージ | |
| JPH05121913A (ja) | 高周波素子用パツケージ | |
| JP3297604B2 (ja) | 高周波回路用パッケージ | |
| JPH1022415A (ja) | 高周波用半導体装置 | |
| JP2000164755A (ja) | 高周波回路用パッケージ | |
| JP3725983B2 (ja) | 高周波回路用パッケージ | |
| JPH11312751A (ja) | 高周波回路用パッケージ | |
| JP3692204B2 (ja) | 伝送線路構造 | |
| JP3395290B2 (ja) | 高周波用回路基板 | |
| JP2000357763A (ja) | 高周波回路基板 | |
| JP3281813B2 (ja) | 伝送線路構造 | |
| JP3610238B2 (ja) | 高周波用パッケージ | |
| JP3600729B2 (ja) | 高周波回路用パッケージ | |
| JP2609767B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000286364A (ja) | 高周波用パッケージ | |
| JPH05183310A (ja) | 半導体装置 |