JPH10106055A - 光磁気記録媒体及びその記録方法並びに光磁気記録装置 - Google Patents
光磁気記録媒体及びその記録方法並びに光磁気記録装置Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 40
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 912
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 285
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 40
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 39
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 39
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 39
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 31
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 26
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 26
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 26
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 24
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 23
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 19
- -1 SiN Chemical compound 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 9
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 8
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 7
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 7
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 7
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録磁界を低減することのできる光磁気記録
媒体及びその記録方法並びに光磁気記録装置を提供す
る。 【解決手段】 少なくとも記録層１を有する光磁気記録
媒体において、記録層１に静磁結合した記録補助層３を
有している。その記録補助層３は、記録温度近傍の温度
以下において面内磁化状態であり、記録温度近傍の温度
以上において垂直磁化状態となる。
媒体及びその記録方法並びに光磁気記録装置を提供す
る。 【解決手段】 少なくとも記録層１を有する光磁気記録
媒体において、記録層１に静磁結合した記録補助層３を
有している。その記録補助層３は、記録温度近傍の温度
以下において面内磁化状態であり、記録温度近傍の温度
以上において垂直磁化状態となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録の行わ
れる光磁気ディスク，光磁気テープ，光磁気カード等の
光磁気記録媒体及びその記録方法並びに光磁気記録装置
に関するものである。
れる光磁気ディスク，光磁気テープ，光磁気カード等の
光磁気記録媒体及びその記録方法並びに光磁気記録装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、書き換え可能な光記録媒体と
して、光磁気記録媒体が実用化されている。このような
光磁気記録媒体においては、半導体レーザ光を記録媒体
上に絞り込み、温度上昇した部分の磁化方向を外部から
加えられた記録磁界の方向へそろえることにより記録が
行われ、同じ半導体レーザ光のパワーを弱くして、記録
媒体上に絞り込み、反射光の偏光状態を検出することに
より再生が行われる。
して、光磁気記録媒体が実用化されている。このような
光磁気記録媒体においては、半導体レーザ光を記録媒体
上に絞り込み、温度上昇した部分の磁化方向を外部から
加えられた記録磁界の方向へそろえることにより記録が
行われ、同じ半導体レーザ光のパワーを弱くして、記録
媒体上に絞り込み、反射光の偏光状態を検出することに
より再生が行われる。
【０００３】記録時に必要とされる記録磁界を小さくす
ることを目的として、Ｍａｇｎｅｔｏ−ｏｐｔｉｃａｌ
Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ
Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ １９９４（２８−Ｆ−０３）にお
いて、記録層であるＴｂＦｅＣｏにＣｏからなる磁性層
を交換結合させた構成の光磁気記録媒体が提案されてい
る。また、Ｉｎｔｒｅｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓ
ｉｕｍ ｏｎ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍｅｍｏｒｙ １９９
５（Ｆｒ−Ｄ５）において、記録層であるＴｂＦｅＣｏ
にＧｄＦｅＣｏからなる磁性層を交換結合させた構成の
光磁気記録媒体が提案されている。これらの光磁気記録
媒体では、記録層に磁性層を交換結合させている。この
ため、記録時に磁性層を磁化反転させることで、それと
交換結合した記録層を磁化反転させることが可能とな
り、上記の例のように、磁性層に記録層よりも低磁界で
磁化反転する材料を用いることで低磁界での記録動作が
可能となる。
ることを目的として、Ｍａｇｎｅｔｏ−ｏｐｔｉｃａｌ
Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ
Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ １９９４（２８−Ｆ−０３）にお
いて、記録層であるＴｂＦｅＣｏにＣｏからなる磁性層
を交換結合させた構成の光磁気記録媒体が提案されてい
る。また、Ｉｎｔｒｅｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓ
ｉｕｍ ｏｎ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍｅｍｏｒｙ １９９
５（Ｆｒ−Ｄ５）において、記録層であるＴｂＦｅＣｏ
にＧｄＦｅＣｏからなる磁性層を交換結合させた構成の
光磁気記録媒体が提案されている。これらの光磁気記録
媒体では、記録層に磁性層を交換結合させている。この
ため、記録時に磁性層を磁化反転させることで、それと
交換結合した記録層を磁化反転させることが可能とな
り、上記の例のように、磁性層に記録層よりも低磁界で
磁化反転する材料を用いることで低磁界での記録動作が
可能となる。
【０００４】ところで、光磁気記録媒体では、光磁気記
録媒体上に集光された半導体レーザから出射される光ビ
ームのビーム径に対して、記録用磁区である記録ビット
径及び記録ビット間隔が小さくなってくると、再生特性
が劣化してくるという欠点が生じている。このような欠
点は、目的とする記録ビット上に集光された光ビームの
ビーム径内に隣接する記録ビットが入るために、個々の
記録ビットを分離して再生することができなくなること
が原因である。
録媒体上に集光された半導体レーザから出射される光ビ
ームのビーム径に対して、記録用磁区である記録ビット
径及び記録ビット間隔が小さくなってくると、再生特性
が劣化してくるという欠点が生じている。このような欠
点は、目的とする記録ビット上に集光された光ビームの
ビーム径内に隣接する記録ビットが入るために、個々の
記録ビットを分離して再生することができなくなること
が原因である。
【０００５】上記の欠点を解消するために、特開平６−
１５０４１８号公報において、室温において面内磁化状
態であり、温度上昇と共に垂直磁化状態となる再生層と
記録層との間に非磁性中間層を設け、再生層と記録層と
が静磁結合した構造の磁気的超解像光磁気記録媒体が提
案されている。
１５０４１８号公報において、室温において面内磁化状
態であり、温度上昇と共に垂直磁化状態となる再生層と
記録層との間に非磁性中間層を設け、再生層と記録層と
が静磁結合した構造の磁気的超解像光磁気記録媒体が提
案されている。
【０００６】これにより、面内磁化状態にある部分の記
録磁区情報がマスクされ、集光された光ビームのビーム
径内に隣接する記録ビットが入る場合においても、個々
の記録ビットを分離して再生するという磁気的超解像再
生が可能となることが示されている。
録磁区情報がマスクされ、集光された光ビームのビーム
径内に隣接する記録ビットが入る場合においても、個々
の記録ビットを分離して再生するという磁気的超解像再
生が可能となることが示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】確かに、上記従来例に
示したように、記録層に磁性層を交換結合させることに
より、記録磁界を低減することが可能であるが、近年の
記録再生装置の高速化・小型化・低消費電力化に伴い、
光磁気記録媒体及び磁気的超解像光磁気記録媒体におい
て、さらなる記録磁界の低減が必要となっている。
示したように、記録層に磁性層を交換結合させることに
より、記録磁界を低減することが可能であるが、近年の
記録再生装置の高速化・小型化・低消費電力化に伴い、
光磁気記録媒体及び磁気的超解像光磁気記録媒体におい
て、さらなる記録磁界の低減が必要となっている。
【０００８】本発明は、上記従来の問題点を解決するた
めになされたものであり、その目的は、記録磁界をさら
に低減することのできる光磁気記録媒体、及び、その記
録方法、並びに、光磁気記録装置を提供することにあ
る。
めになされたものであり、その目的は、記録磁界をさら
に低減することのできる光磁気記録媒体、及び、その記
録方法、並びに、光磁気記録装置を提供することにあ
る。
【０００９】
（１）上記の目的を達成するために、本発明の請求項１
記載の光磁気記録媒体は、記録温度以上の温度に加熱さ
れた記録層に、外部磁界が印加されることで、前記記録
層への情報の記録が行われる光磁気記録媒体において、
記録層に静磁結合しており、かつ、記録温度以下の温度
において面内磁化状態で、記録温度以上において垂直磁
化状態となる記録補助層を有してなるものである。
記載の光磁気記録媒体は、記録温度以上の温度に加熱さ
れた記録層に、外部磁界が印加されることで、前記記録
層への情報の記録が行われる光磁気記録媒体において、
記録層に静磁結合しており、かつ、記録温度以下の温度
において面内磁化状態で、記録温度以上において垂直磁
化状態となる記録補助層を有してなるものである。
【００１０】上記構成では、情報の記録時、記録補助層
の磁化方向が外部磁界により記録情報に対応した磁化方
向（垂直方向）に向けられ、漏洩磁界が発生する。これ
により、記録層には、漏洩磁界と外部磁界とを足し合わ
せた磁界が作用することとなる。したがって、外部磁界
のみで情報を記録する場合よりも、低磁界で記録行うこ
とが可能となる。
の磁化方向が外部磁界により記録情報に対応した磁化方
向（垂直方向）に向けられ、漏洩磁界が発生する。これ
により、記録層には、漏洩磁界と外部磁界とを足し合わ
せた磁界が作用することとなる。したがって、外部磁界
のみで情報を記録する場合よりも、低磁界で記録行うこ
とが可能となる。
【００１１】このように、本発明の光磁気記録媒体は、
記録補助層からの漏洩磁界を記録層に作用させることに
より、記録層に記録を行うことができるものであり、交
換結合力を利用した上記従来例の光磁気記録媒体とは根
本的に異なっている。一般に、記録層に交換結合した磁
性層を磁化反転させるのに必要な外部磁界よりも、温度
上昇と共に垂直磁化状態となる面内磁化層の磁化方向を
加熱下で所望の方向（上または下）に向けるのに必要な
外部磁界の方が低いため、本発明の光磁気記録媒体によ
れば、従来の光磁気記録媒体よりも低磁界で情報を記録
することが可能となる。
記録補助層からの漏洩磁界を記録層に作用させることに
より、記録層に記録を行うことができるものであり、交
換結合力を利用した上記従来例の光磁気記録媒体とは根
本的に異なっている。一般に、記録層に交換結合した磁
性層を磁化反転させるのに必要な外部磁界よりも、温度
上昇と共に垂直磁化状態となる面内磁化層の磁化方向を
加熱下で所望の方向（上または下）に向けるのに必要な
外部磁界の方が低いため、本発明の光磁気記録媒体によ
れば、従来の光磁気記録媒体よりも低磁界で情報を記録
することが可能となる。
【００１２】（２）請求項２に記載の光磁気記録媒体
は、請求項１に記載の光磁気記録媒体において、記録層
と静磁結合した再生層を有しており、再生層は、室温に
おいて面内磁化状態であり、再生温度近傍の温度領域に
おいて垂直磁化状態となる材料からなるものである。
は、請求項１に記載の光磁気記録媒体において、記録層
と静磁結合した再生層を有しており、再生層は、室温に
おいて面内磁化状態であり、再生温度近傍の温度領域に
おいて垂直磁化状態となる材料からなるものである。
【００１３】上記構成によれば、記録補助層から発生す
る漏洩磁界が記録磁界を補助することにより、磁気的超
解像光磁気記録媒体における記録磁界を低減することが
可能となる。
る漏洩磁界が記録磁界を補助することにより、磁気的超
解像光磁気記録媒体における記録磁界を低減することが
可能となる。
【００１４】（３）請求項３に記載の光磁気記録媒体
は、請求項１または請求項２に記載の光磁気記録媒体に
おいて、キュリー温度が記録温度近傍の温度に設定さ
れ、記録補助層と交換結合した面内磁化層を有してなる
ものである。
は、請求項１または請求項２に記載の光磁気記録媒体に
おいて、キュリー温度が記録温度近傍の温度に設定さ
れ、記録補助層と交換結合した面内磁化層を有してなる
ものである。
【００１５】上記構成では、記録補助層に交換結合した
面内磁化層により、記録補助層の磁化方向が膜面に対し
て斜め方向に向くことを抑制することができる。したが
って、記録補助層からの漏洩磁界が安定して、記録動作
を確実に行うことが可能となる。
面内磁化層により、記録補助層の磁化方向が膜面に対し
て斜め方向に向くことを抑制することができる。したが
って、記録補助層からの漏洩磁界が安定して、記録動作
を確実に行うことが可能となる。
【００１６】（４）請求項４に記載の光磁気記録媒体
は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光磁気記
録媒体において、記録温度近傍の温度領域内において記
録層よりも低磁界で磁化反転する材料からなり、記録層
に交換結合した書き込み層を有してなるものである。
は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光磁気記
録媒体において、記録温度近傍の温度領域内において記
録層よりも低磁界で磁化反転する材料からなり、記録層
に交換結合した書き込み層を有してなるものである。
【００１７】上記構成の光磁気記録媒体では、記録層に
交換結合した書き込み層を有しているため、書き込み層
を磁化反転させることで、記録層の磁化方向をも磁化反
転させることができる。したがって、書き込み層として
記録層よりも低磁界で磁化反転するものを使用すれば、
更に低磁界での記録が可能となる。
交換結合した書き込み層を有しているため、書き込み層
を磁化反転させることで、記録層の磁化方向をも磁化反
転させることができる。したがって、書き込み層として
記録層よりも低磁界で磁化反転するものを使用すれば、
更に低磁界での記録が可能となる。
【００１８】（５）請求項５に記載の光磁気記録媒体
は、請求項１または請求項２に記載の光磁気記録媒体に
おいて、記録層，第１の非磁性中間層，記録補助層，保
護層がこの順に積層されてなり、記録層の膜厚が１０ｎ
ｍ以上８０ｎｍ以下、第１の非磁性中間層の膜厚が１ｎ
ｍ以上８０ｎｍ以下、記録補助層の膜厚が１０ｎｍ以上
２００ｎｍ以下、に設定されてなるものである。
は、請求項１または請求項２に記載の光磁気記録媒体に
おいて、記録層，第１の非磁性中間層，記録補助層，保
護層がこの順に積層されてなり、記録層の膜厚が１０ｎ
ｍ以上８０ｎｍ以下、第１の非磁性中間層の膜厚が１ｎ
ｍ以上８０ｎｍ以下、記録補助層の膜厚が１０ｎｍ以上
２００ｎｍ以下、に設定されてなるものである。
【００１９】上記構成によれば、記録層と記録補助層と
の静磁結合が安定して実現され、記録補助層から発生す
る漏洩磁界が記録磁界を補助することにより、光磁気記
録媒体における記録磁界を低減することが可能となる。
の静磁結合が安定して実現され、記録補助層から発生す
る漏洩磁界が記録磁界を補助することにより、光磁気記
録媒体における記録磁界を低減することが可能となる。
【００２０】また、記録層，第１の非磁性中間層，記録
補助層の膜厚が最適化され、光磁気記録媒体及び磁気的
超解像光磁気記録媒体における記録磁界を安定して低減
することが可能となる。
補助層の膜厚が最適化され、光磁気記録媒体及び磁気的
超解像光磁気記録媒体における記録磁界を安定して低減
することが可能となる。
【００２１】（６）請求項６に記載の光磁気記録媒体
は、請求項３に記載の光磁気記録媒体において、記録
層，第１の非磁性中間層，記録補助層，面内磁化層，保
護層がこの順に積層されてなり、記録層の膜厚が１０ｎ
ｍ以上８０ｎｍ以下、第１の非磁性中間層の膜厚が１ｎ
ｍ以上８０ｎｍ以下、記録補助層の膜厚が１０ｎｍ以上
１２０ｎｍ以下、面内磁化層の膜厚が５ｎｍ以上１５０
ｎｍ以下、に設定されてなるものである。
は、請求項３に記載の光磁気記録媒体において、記録
層，第１の非磁性中間層，記録補助層，面内磁化層，保
護層がこの順に積層されてなり、記録層の膜厚が１０ｎ
ｍ以上８０ｎｍ以下、第１の非磁性中間層の膜厚が１ｎ
ｍ以上８０ｎｍ以下、記録補助層の膜厚が１０ｎｍ以上
１２０ｎｍ以下、面内磁化層の膜厚が５ｎｍ以上１５０
ｎｍ以下、に設定されてなるものである。
【００２２】上記構成によれば、記録層と記録補助層と
の静磁結合が安定して実現され、記録補助層から発生す
る漏洩磁界が記録磁界を補助することにより、光磁気記
録媒体における記録磁界を低減することが可能となる。
の静磁結合が安定して実現され、記録補助層から発生す
る漏洩磁界が記録磁界を補助することにより、光磁気記
録媒体における記録磁界を低減することが可能となる。
【００２３】また、記録層，第１の非磁性中間層，記録
補助層，面内磁化層の膜厚が最適化され、光磁気記録媒
体及び磁気的超解像光磁気記録媒体における記録磁界を
安定して低減することが可能となる。
補助層，面内磁化層の膜厚が最適化され、光磁気記録媒
体及び磁気的超解像光磁気記録媒体における記録磁界を
安定して低減することが可能となる。
【００２４】（７）請求項７に記載の光磁気記録媒体
は、請求項４に記載の光磁気記録媒体において、記録
層，書き込み層，第１の非磁性中間層，記録補助層，保
護層がこの順に積層されてなり、記録層の膜厚が１０ｎ
ｍ以上８０ｎｍ以下、書き込み層の膜厚が５ｎｍ以上８
０ｎｍ以下、第１の非磁性中間層の膜厚が１ｎｍ以上８
０ｎｍ以下、記録補助層の膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎ
ｍ以下、に設定されてなるものである。
は、請求項４に記載の光磁気記録媒体において、記録
層，書き込み層，第１の非磁性中間層，記録補助層，保
護層がこの順に積層されてなり、記録層の膜厚が１０ｎ
ｍ以上８０ｎｍ以下、書き込み層の膜厚が５ｎｍ以上８
０ｎｍ以下、第１の非磁性中間層の膜厚が１ｎｍ以上８
０ｎｍ以下、記録補助層の膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎ
ｍ以下、に設定されてなるものである。
【００２５】上記構成によれば、記録層と記録補助層と
の静磁結合が安定して実現され、記録補助層から発生す
る漏洩磁界が記録磁界を補助することにより、光磁気記
録媒体における記録磁界を低減することが可能となる。
の静磁結合が安定して実現され、記録補助層から発生す
る漏洩磁界が記録磁界を補助することにより、光磁気記
録媒体における記録磁界を低減することが可能となる。
【００２６】また、記録層，書き込み層，第１の非磁性
中間層，記録補助層の膜厚が最適化され、光磁気記録媒
体及び磁気的超解像光磁気記録媒体における記録磁界を
安定して低減することが可能となる。
中間層，記録補助層の膜厚が最適化され、光磁気記録媒
体及び磁気的超解像光磁気記録媒体における記録磁界を
安定して低減することが可能となる。
【００２７】（８）請求項８に記載の光磁気記録媒体
は、請求項４に記載の光磁気記録媒体において、記録
層，書き込み層，第１の非磁性中間層，記録補助層，面
内磁化層，保護層がこの順に積層されてなり、記録層の
膜厚が１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下、書き込み層の膜厚が
５ｎｍ以上８０ｎｍ以下、第１の非磁性中間層の膜厚が
１ｎｍ以上８０ｎｍ以下、記録補助層の膜厚が１０ｎｍ
以上１２０ｎｍ以下、面内磁化層の膜厚が５ｎｍ以上１
５０ｎｍ以下、に設定されてなるものである。
は、請求項４に記載の光磁気記録媒体において、記録
層，書き込み層，第１の非磁性中間層，記録補助層，面
内磁化層，保護層がこの順に積層されてなり、記録層の
膜厚が１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下、書き込み層の膜厚が
５ｎｍ以上８０ｎｍ以下、第１の非磁性中間層の膜厚が
１ｎｍ以上８０ｎｍ以下、記録補助層の膜厚が１０ｎｍ
以上１２０ｎｍ以下、面内磁化層の膜厚が５ｎｍ以上１
５０ｎｍ以下、に設定されてなるものである。
【００２８】上記構成によれば、記録層と記録補助層と
の静磁結合が安定して実現され、記録補助層から発生す
る漏洩磁界が記録磁界を補助することにより、光磁気記
録媒体における記録磁界を低減することが可能となる。
の静磁結合が安定して実現され、記録補助層から発生す
る漏洩磁界が記録磁界を補助することにより、光磁気記
録媒体における記録磁界を低減することが可能となる。
【００２９】また、記録層，書き込み層，第１の非磁性
中間層，記録補助層，面内磁化層の膜厚が最適化され、
光磁気記録媒体及び磁気的超解像光磁気記録媒体におけ
る記録磁界を安定して低減することが可能となる。
中間層，記録補助層，面内磁化層の膜厚が最適化され、
光磁気記録媒体及び磁気的超解像光磁気記録媒体におけ
る記録磁界を安定して低減することが可能となる。
【００３０】（９）請求項９に記載の光磁気記録媒体
は、請求項５または請求項７に記載の光磁気記録媒体に
おいて、記録補助層が、一般式（α１）、及び、条件
（α２）を満足する組成であるものである。
は、請求項５または請求項７に記載の光磁気記録媒体に
おいて、記録補助層が、一般式（α１）、及び、条件
（α２）を満足する組成であるものである。
【００３１】 ＧｄX1（ＦｅY1Ｃｏ1-Y1）1-X1 ・・・（α１） ０．２９≦Ｘ１≦０．３３ ０．６０≦Ｙ１≦０．８０ ・・・（α２） 上記構成によれば、記録補助層の磁気特性が最適化さ
れ、光磁気記録媒体及び磁気的超解像光磁気記録媒体に
おける記録磁界を安定して低減することが可能となる。
れ、光磁気記録媒体及び磁気的超解像光磁気記録媒体に
おける記録磁界を安定して低減することが可能となる。
【００３２】（１０）請求項１０に記載の光磁気記録媒
体は、請求項５または請求項７に記載の光磁気記録媒体
において、記録層のキュリー温度をＴｃ１とし、記録補
助層が垂直磁化状態となる温度をＴｐとした場合、Ｔｃ
１とＴｐとが条件（Ａ）を満足するものである。
体は、請求項５または請求項７に記載の光磁気記録媒体
において、記録層のキュリー温度をＴｃ１とし、記録補
助層が垂直磁化状態となる温度をＴｐとした場合、Ｔｃ
１とＴｐとが条件（Ａ）を満足するものである。
【００３３】 Ｔｃ１−１２０℃≦Ｔｐ≦Ｔｃ１ ・・・（Ａ） 上記構成によれば、記録層のキュリー温度と記録補助層
が垂直磁化状態となる温度との関係が最適化され、光磁
気記録媒体及び磁気的超解像光磁気記録媒体における記
録磁界を安定して低減することが可能となる。
が垂直磁化状態となる温度との関係が最適化され、光磁
気記録媒体及び磁気的超解像光磁気記録媒体における記
録磁界を安定して低減することが可能となる。
【００３４】（１１）請求項１１に記載の光磁気記録媒
体は、請求項６または請求項８に記載の光磁気記録媒体
において、記録補助層が、一般式（β１）、及び、条件
（β２）を満足する組成であるものである。
体は、請求項６または請求項８に記載の光磁気記録媒体
において、記録補助層が、一般式（β１）、及び、条件
（β２）を満足する組成であるものである。
【００３５】 ＧｄX2（ＦｅY2Ｃｏ1-Y2）1-X2 ・・・（β１） ０．２２≦Ｘ２≦０．３３ ０．６０≦Ｙ２≦０．８５ ・・・（β２） 上記構成によれば、記録補助層の磁気特性が最適化さ
れ、光磁気記録媒体及び磁気的超解像光磁気記録媒体に
おける記録磁界を安定して低減することが可能となる。
れ、光磁気記録媒体及び磁気的超解像光磁気記録媒体に
おける記録磁界を安定して低減することが可能となる。
【００３６】（１２）請求項１２に記載の光磁気記録媒
体は、請求項６または請求項８に記載の光磁気記録媒体
において、面内磁化層は、一般式（γ１）、及び、条件
（γ２）を満足する組成であるものである。
体は、請求項６または請求項８に記載の光磁気記録媒体
において、面内磁化層は、一般式（γ１）、及び、条件
（γ２）を満足する組成であるものである。
【００３７】 ＧｄX3（ＦｅY3Ｃｏ1-Y3）1-X3 ・・・（γ１） ０．０６≦Ｘ３≦０．１３ または ０．３６≦Ｘ３≦０．８０ ０．８０≦Ｙ３≦１．００ ・・・（γ２） 上記構成によれば、面内磁化層の磁気特性が最適化さ
れ、光磁気記録媒体及び磁気的超解像光磁気記録媒体に
おける記録磁界を安定して低減することが可能となる。
れ、光磁気記録媒体及び磁気的超解像光磁気記録媒体に
おける記録磁界を安定して低減することが可能となる。
【００３８】（１３）請求項１２に記載の光磁気記録媒
体は、請求項６または請求項８に記載の光磁気記録媒体
において、記録補助層のキュリー温度をＴｃ３とし、面
内磁化層のキュリー温度をＴｃ１２とした場合、Ｔｃ３
とＴｃ１２とが条件（Ｂ）を満足するものである。
体は、請求項６または請求項８に記載の光磁気記録媒体
において、記録補助層のキュリー温度をＴｃ３とし、面
内磁化層のキュリー温度をＴｃ１２とした場合、Ｔｃ３
とＴｃ１２とが条件（Ｂ）を満足するものである。
【００３９】 Ｔｃ３−１６０℃≦Ｔｃ１２≦Ｔｃ３−６０℃ ・・・（Ｂ） 上記構成によれば、記録補助層のキュリー温度と面内磁
化層のキュリー温度との関係が最適化され、光磁気記録
媒体及び磁気的超解像光磁気記録媒体における記録磁界
を安定して低減することが可能となる。
化層のキュリー温度との関係が最適化され、光磁気記録
媒体及び磁気的超解像光磁気記録媒体における記録磁界
を安定して低減することが可能となる。
【００４０】（１４）請求項１４に記載の光磁気記録方
法は、少なくとも記録層と記録補助層とが静磁結合した
光磁気記録媒体に、光ビームを照射するとともに、外部
磁界を印加することで、記録層に情報を記録する光磁気
記録方法であって、外部磁界により、記録補助層の磁化
方向を外部磁界の方向に向け、記録補助層からの漏洩磁
界と外部磁界とを足し合わせた磁界により、記録層の磁
化方向を外部磁界の方向に向けるものである。
法は、少なくとも記録層と記録補助層とが静磁結合した
光磁気記録媒体に、光ビームを照射するとともに、外部
磁界を印加することで、記録層に情報を記録する光磁気
記録方法であって、外部磁界により、記録補助層の磁化
方向を外部磁界の方向に向け、記録補助層からの漏洩磁
界と外部磁界とを足し合わせた磁界により、記録層の磁
化方向を外部磁界の方向に向けるものである。
【００４１】上記構成によれば、光磁気記録媒体への情
報の記録を、外部磁界に記録補助層からの漏洩磁界を加
えた磁界により行うため、印加する外部磁界を低減する
ことができる。
報の記録を、外部磁界に記録補助層からの漏洩磁界を加
えた磁界により行うため、印加する外部磁界を低減する
ことができる。
【００４２】（１５）請求項１５に記載の光磁気記録方
法は、請求項１４に記載の光磁気記録方法において、記
録補助層内における、磁化方向が外部磁界の方向に向け
られていない部位を、面内磁化状態とするものである。
法は、請求項１４に記載の光磁気記録方法において、記
録補助層内における、磁化方向が外部磁界の方向に向け
られていない部位を、面内磁化状態とするものである。
【００４３】上記構成によれば、記録補助層の磁化状態
を容易に外部磁界の方向に向けることができ、低磁界で
の記録を実現できる。
を容易に外部磁界の方向に向けることができ、低磁界で
の記録を実現できる。
【００４４】（１６）請求項１６に記載の光磁気記録装
置は、少なくとも記録層と記録補助層とが静磁結合した
光磁気記録媒体に、光ビームを照射して、記録部位を記
録温度以上に加熱する加熱手段を有してなる光磁気記録
装置において、記録層が単体で存在する場合に、記録温
度以上に加熱された部位の磁化方向を印加磁界の方向に
向けるのに要する印加磁界をＭｒとし、記録補助層の、
記録温度以上に加熱された部位の磁化方向を印加磁界の
方向に向けるのに要する印加磁界をＭｈとしたときに、
記録層及び記録補助層の、記録部位に対応する部分に、
Ｍｈ≦Ｍｇ＜Ｍｒに設定された外部磁界Ｍｇを印加する
外部磁界印加手段を有してなるものである。
置は、少なくとも記録層と記録補助層とが静磁結合した
光磁気記録媒体に、光ビームを照射して、記録部位を記
録温度以上に加熱する加熱手段を有してなる光磁気記録
装置において、記録層が単体で存在する場合に、記録温
度以上に加熱された部位の磁化方向を印加磁界の方向に
向けるのに要する印加磁界をＭｒとし、記録補助層の、
記録温度以上に加熱された部位の磁化方向を印加磁界の
方向に向けるのに要する印加磁界をＭｈとしたときに、
記録層及び記録補助層の、記録部位に対応する部分に、
Ｍｈ≦Ｍｇ＜Ｍｒに設定された外部磁界Ｍｇを印加する
外部磁界印加手段を有してなるものである。
【００４５】上記構成では、印加する外部磁界が小さい
ため、装置の小型化を図ることができる。
ため、装置の小型化を図ることができる。
【００４６】
〔実施の形態１〕以下、本発明の実施の形態１を図面を
用いて詳細に説明する。
用いて詳細に説明する。
【００４７】図１は、本実施の形態１の光磁気記録媒体
において、記録が行われる際の磁化状態を断面図を用い
て説明するものである。
において、記録が行われる際の磁化状態を断面図を用い
て説明するものである。
【００４８】本実施の形態１の光磁気記録媒体は、記録
層１と非磁性中間層２と記録補助層３とで構成されてい
る。本実施の形態１の光磁気ディスクでは、その記録方
式としてキュリー温度記録方式が用いられており、半導
体レーザから出射される光ビーム４が対物レンズにより
記録層１に絞り込まれ、温度上昇した部分の記録層１の
磁化方向を外部磁界の方向と平行にすることにより記録
が行われる。ここで、記録層１は、室温から記録が行わ
れる記録温度領域５まで、膜面に対して垂直な方向に磁
化を有する垂直磁化膜であり、記録補助層３は、温度上
昇していない領域において、膜面に対して面内方向に磁
化を有する面内磁化状態であり、記録温度領域５におい
て、膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化状態
となる磁性膜である。
層１と非磁性中間層２と記録補助層３とで構成されてい
る。本実施の形態１の光磁気ディスクでは、その記録方
式としてキュリー温度記録方式が用いられており、半導
体レーザから出射される光ビーム４が対物レンズにより
記録層１に絞り込まれ、温度上昇した部分の記録層１の
磁化方向を外部磁界の方向と平行にすることにより記録
が行われる。ここで、記録層１は、室温から記録が行わ
れる記録温度領域５まで、膜面に対して垂直な方向に磁
化を有する垂直磁化膜であり、記録補助層３は、温度上
昇していない領域において、膜面に対して面内方向に磁
化を有する面内磁化状態であり、記録温度領域５におい
て、膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化状態
となる磁性膜である。
【００４９】記録層１は、集光されたレーザ光４によ
り、記録温度領域５まで温度上昇させられる。この記録
温度領域５において、記録層１の保磁力は非常に小さく
なり、外部からの磁界により、その磁化方向が外部から
加えられた磁界の方向と平行となる。これにより、記録
が行われる。本実施の形態１においては、記録補助層３
が記録温度領域５の外側において面内磁化状態であり、
記録温度領域５の内側において垂直磁化状態となるた
め、記録温度領域５の外側においては、記録補助層３か
らの漏洩磁界が存在せず、記録温度領域５の内側におい
て、記録補助層３から発生する漏洩磁界７が存在するこ
とになる。ここで、記録補助層３の磁化方向は外部磁界
６の方向と平行になるため、記録補助層３から発生する
漏洩磁界７も外部磁界６と平行となる。したがって、記
録層１に対して、外部磁界６と記録補助層３から発生す
る漏洩磁界７とが外部から加えられた磁界として働くた
め、従来より小さな外部磁界で記録が可能となる。
り、記録温度領域５まで温度上昇させられる。この記録
温度領域５において、記録層１の保磁力は非常に小さく
なり、外部からの磁界により、その磁化方向が外部から
加えられた磁界の方向と平行となる。これにより、記録
が行われる。本実施の形態１においては、記録補助層３
が記録温度領域５の外側において面内磁化状態であり、
記録温度領域５の内側において垂直磁化状態となるた
め、記録温度領域５の外側においては、記録補助層３か
らの漏洩磁界が存在せず、記録温度領域５の内側におい
て、記録補助層３から発生する漏洩磁界７が存在するこ
とになる。ここで、記録補助層３の磁化方向は外部磁界
６の方向と平行になるため、記録補助層３から発生する
漏洩磁界７も外部磁界６と平行となる。したがって、記
録層１に対して、外部磁界６と記録補助層３から発生す
る漏洩磁界７とが外部から加えられた磁界として働くた
め、従来より小さな外部磁界で記録が可能となる。
【００５０】このような光磁気記録媒体に情報を記録す
る光磁気記録装置は、少なくとも上記レーザ光４を照射
して光磁気記録媒体を加熱する加熱手段と、外部磁界６
を印加することのできる外部磁界印加手段を備えてい
る。ここで、記録温度以上に加熱された記録層１単体を
磁化反転させるのに必要な磁界をＭｒとし、記録温度以
上に加熱された記録補助層３の磁化方向を印加磁界の方
向（垂直方向）に向けるのに必要な磁界をＭｈとする
と、外部磁界印加手段は、少なくともＭｈ以上の外部磁
界６を印加できるよう設定されていなければならない。
また、上記原理により記録を行うため、外部磁界６がＭ
ｒ未満であっても記録が可能である。したがって、印加
磁界を低減して外部磁界発生手段を小型化するために
は、外部磁界６をＭｈ以上Ｍｒ未満に設定しておくこと
が望ましい。
る光磁気記録装置は、少なくとも上記レーザ光４を照射
して光磁気記録媒体を加熱する加熱手段と、外部磁界６
を印加することのできる外部磁界印加手段を備えてい
る。ここで、記録温度以上に加熱された記録層１単体を
磁化反転させるのに必要な磁界をＭｒとし、記録温度以
上に加熱された記録補助層３の磁化方向を印加磁界の方
向（垂直方向）に向けるのに必要な磁界をＭｈとする
と、外部磁界印加手段は、少なくともＭｈ以上の外部磁
界６を印加できるよう設定されていなければならない。
また、上記原理により記録を行うため、外部磁界６がＭ
ｒ未満であっても記録が可能である。したがって、印加
磁界を低減して外部磁界発生手段を小型化するために
は、外部磁界６をＭｈ以上Ｍｒ未満に設定しておくこと
が望ましい。
【００５１】本発明の実施の形態１について図２に基づ
いて説明すれば以下の通りである。本実施の形態１で
は、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場
合について説明する。
いて説明すれば以下の通りである。本実施の形態１で
は、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場
合について説明する。
【００５２】本実施の形態１に係る光磁気ディスクは、
図２に示すように、基板８、透明誘電体層９、記録層
１、非磁性中間層２、記録補助層３、保護層１０、オー
バーコート層１１が、この順にて積層されたディスク本
体を有している。
図２に示すように、基板８、透明誘電体層９、記録層
１、非磁性中間層２、記録補助層３、保護層１０、オー
バーコート層１１が、この順にて積層されたディスク本
体を有している。
【００５３】基板８は、例えばポリカーボネート等の透
明な基材からなり、ディスク状に形成される。
明な基材からなり、ディスク状に形成される。
【００５４】透明誘電体層９は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、Ａｌ
ＳｉＮ等の酸素を含まない材料で構成されることが望ま
しく、その膜厚は、入射するレーザ光に対して、良好な
干渉効果が実現し、媒体のカー回転角が増大すべく設定
される必要があり、再生光の波長をλ、透明誘電体層９
の屈折率をｎとした場合、透明誘電体層９の膜厚は（λ
／４ｎ）程度に設定される。例えば、レーザ光の波長を
６８０ｎｍとした場合、透明誘電体層９の膜厚を４０ｎ
ｍ〜１００ｎｍ程度に設定すれば良い。
ＳｉＮ等の酸素を含まない材料で構成されることが望ま
しく、その膜厚は、入射するレーザ光に対して、良好な
干渉効果が実現し、媒体のカー回転角が増大すべく設定
される必要があり、再生光の波長をλ、透明誘電体層９
の屈折率をｎとした場合、透明誘電体層９の膜厚は（λ
／４ｎ）程度に設定される。例えば、レーザ光の波長を
６８０ｎｍとした場合、透明誘電体層９の膜厚を４０ｎ
ｍ〜１００ｎｍ程度に設定すれば良い。
【００５５】記録層１は、希土類遷移金属合金からな
り、膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化膜で
ある。また、記録層１の膜厚は、良好な記録再生特性を
得るため１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下とすることが望まし
い。
り、膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化膜で
ある。また、記録層１の膜厚は、良好な記録再生特性を
得るため１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下とすることが望まし
い。
【００５６】非磁性中間層２は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、Ａｌ
ＳｉＮ等の誘電体、または、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ等の非磁
性金属合金からなり、記録層１と記録補助層３とが良好
に静磁結合すべく、その膜厚が１〜８０ｎｍに設定され
ている。
ＳｉＮ等の誘電体、または、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ等の非磁
性金属合金からなり、記録層１と記録補助層３とが良好
に静磁結合すべく、その膜厚が１〜８０ｎｍに設定され
ている。
【００５７】記録補助層３は、希土類遷移金属合金から
なり、室温において膜面に対して面内方向に磁化を有
し、記録層１の記録温度領域５において膜面に対して垂
直方向に磁化を有するよう磁気特性が設定されている。
また、記録補助層３の膜厚は、記録層１に十分な大きさ
の漏洩磁界を及ぼすべく、１０〜２００ｎｍの範囲に設
定されている。
なり、室温において膜面に対して面内方向に磁化を有
し、記録層１の記録温度領域５において膜面に対して垂
直方向に磁化を有するよう磁気特性が設定されている。
また、記録補助層３の膜厚は、記録層１に十分な大きさ
の漏洩磁界を及ぼすべく、１０〜２００ｎｍの範囲に設
定されている。
【００５８】保護層１０は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ等の誘電体、または、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ等の非磁性金
属合金からなり、記録層１や記録補助層３に用いる希土
類遷移金属合金の酸化を防止する目的で形成されるもの
であり、その膜厚が５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲に設定され
ている。
Ｎ等の誘電体、または、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ等の非磁性金
属合金からなり、記録層１や記録補助層３に用いる希土
類遷移金属合金の酸化を防止する目的で形成されるもの
であり、その膜厚が５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲に設定され
ている。
【００５９】オーバーコート層１１は、紫外線硬化樹脂
または熱硬化樹脂をスピンコートにより塗布して紫外線
を照射するか、または、加熱するかによって形成され
る。
または熱硬化樹脂をスピンコートにより塗布して紫外線
を照射するか、または、加熱するかによって形成され
る。
【００６０】以下、本実施の形態の光磁気ディスクの具
体例（以下、実施例１と記す）について、（１）光磁気
ディスクの形成方法、（２）記録再生特性に分けて説明
する。
体例（以下、実施例１と記す）について、（１）光磁気
ディスクの形成方法、（２）記録再生特性に分けて説明
する。
【００６１】（１）光磁気ディスクの形成方法 本実施の形態の光磁気ディスクは以下の手順で形成す
る。
る。
【００６２】まず、Ａｌターゲットと、ＤｙＦｅＣｏ合
金ターゲットと、ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットとをそれ
ぞれ備えたスパッタ装置内に、プリグルーブ及びプリピ
ットを有しディスク状に形成されたポリカーボネート製
の基板８を基板ホルダーに配置する。スパッタ装置内を
１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンと窒
素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給し
て、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、基板８にＡｌ
Ｎからなる透明誘電体層９を膜厚８０ｎｍで形成した。
金ターゲットと、ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットとをそれ
ぞれ備えたスパッタ装置内に、プリグルーブ及びプリピ
ットを有しディスク状に形成されたポリカーボネート製
の基板８を基板ホルダーに配置する。スパッタ装置内を
１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンと窒
素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給し
て、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、基板８にＡｌ
Ｎからなる透明誘電体層９を膜厚８０ｎｍで形成した。
【００６３】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧
４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記透明誘電体層９上に、Ｄ
ｙ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.75からなる記録層１を膜
厚２０ｎｍで形成した。その記録層１は、そのキュリー
温度まで膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化
膜であり、補償温度が８０℃、キュリー温度が２５０℃
であった。
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧
４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記透明誘電体層９上に、Ｄ
ｙ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.75からなる記録層１を膜
厚２０ｎｍで形成した。その記録層１は、そのキュリー
温度まで膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化
膜であり、補償温度が８０℃、キュリー温度が２５０℃
であった。
【００６４】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層１上にＡｌＮからなる非磁
性中間層２を膜厚２０ｎｍで形成した。
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層１上にＡｌＮからなる非磁
性中間層２を膜厚２０ｎｍで形成した。
【００６５】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧
４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非磁性中間層２上に、Ｇ
ｄ0.31（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0.69からなる記録補助層３
を膜厚６０ｎｍで形成した。その記録補助層３は、２５
℃において面内磁化状態であり、２００℃以上の温度に
おいて垂直磁化状態であった。また、記録補助層３のキ
ュリー温度は３２０℃であった。
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧
４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非磁性中間層２上に、Ｇ
ｄ0.31（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0.69からなる記録補助層３
を膜厚６０ｎｍで形成した。その記録補助層３は、２５
℃において面内磁化状態であり、２００℃以上の温度に
おいて垂直磁化状態であった。また、記録補助層３のキ
ュリー温度は３２０℃であった。
【００６６】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層４上にＡｌＮからなる保護
層１０を膜厚２０ｎｍとして形成した。
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層４上にＡｌＮからなる保護
層１０を膜厚２０ｎｍとして形成した。
【００６７】次に、上記保護層１０上に、紫外線硬化樹
脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射するこ
とによりオーバーコート層１１を形成した。
脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射するこ
とによりオーバーコート層１１を形成した。
【００６８】（２）記録再生特性 上記ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用い
た光ピックアップにより測定したＣＮＲ（信号対雑音
比）の記録磁界依存性を実施例１として図３に示す。比
較のため、記録補助層３の変わりに、Ａｌ反射膜４０ｎ
ｍを形成した従来の光磁気記録媒体におけるＣＮＲの記
録磁界依存性を比較例１として同図に示す。また、ここ
で示すＣＮＲの記録磁界依存性は、トラックピッチ１．
１μｍ・記録磁区ピッチ１．２μｍ・記録パワー６．５
ｍＷ・再生パワー１．５ｍＷの条件で測定した結果を示
している。
た光ピックアップにより測定したＣＮＲ（信号対雑音
比）の記録磁界依存性を実施例１として図３に示す。比
較のため、記録補助層３の変わりに、Ａｌ反射膜４０ｎ
ｍを形成した従来の光磁気記録媒体におけるＣＮＲの記
録磁界依存性を比較例１として同図に示す。また、ここ
で示すＣＮＲの記録磁界依存性は、トラックピッチ１．
１μｍ・記録磁区ピッチ１．２μｍ・記録パワー６．５
ｍＷ・再生パワー１．５ｍＷの条件で測定した結果を示
している。
【００６９】図３において、比較例１は、記録磁界−
８．０ｋＡ／ｍにおいてＣＮＲがゼロであり、−８．０
ｋＡ／ｍの磁界で消去可能であることがわかる。また、
記録磁界８．０ｋＡ／ｍでＣＮＲが飽和しており、８．
０ｋＡ／ｍの磁界で記録可能であることがわかる。一
方、実施例１の光磁気ディスクにおいては、記録磁界−
４．０ｋＡ／ｍにおいてＣＮＲがゼロであり、−４．０
ｋＡ／ｍの磁界で消去可能であることがわかる。また、
記録磁界４．０ｋＡ／ｍでＣＮＲが飽和しており、４．
０ｋＡ／ｍの磁界で記録可能であることがわかる。
８．０ｋＡ／ｍにおいてＣＮＲがゼロであり、−８．０
ｋＡ／ｍの磁界で消去可能であることがわかる。また、
記録磁界８．０ｋＡ／ｍでＣＮＲが飽和しており、８．
０ｋＡ／ｍの磁界で記録可能であることがわかる。一
方、実施例１の光磁気ディスクにおいては、記録磁界−
４．０ｋＡ／ｍにおいてＣＮＲがゼロであり、−４．０
ｋＡ／ｍの磁界で消去可能であることがわかる。また、
記録磁界４．０ｋＡ／ｍでＣＮＲが飽和しており、４．
０ｋＡ／ｍの磁界で記録可能であることがわかる。
【００７０】すなわち、従来の比較例１の光磁気ディス
クにおいて、±８．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界が必要と
なるのに対して、実施例１の光磁気ディスクにおいて
は、±４．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界で十分であること
が確認された。
クにおいて、±８．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界が必要と
なるのに対して、実施例１の光磁気ディスクにおいて
は、±４．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界で十分であること
が確認された。
【００７１】次に、表１は、実施例１における記録層１
の膜厚を変えて、実施例１と同一記録再生条件における
ＣＮＲと記録消去磁界を測定した結果を示すものであ
る。ここで、ＣＮＲ測定において、それぞれの記録層１
の膜厚に対して、ＣＮＲが最大となるように、記録パワ
ーを変えて記録を行っている。
の膜厚を変えて、実施例１と同一記録再生条件における
ＣＮＲと記録消去磁界を測定した結果を示すものであ
る。ここで、ＣＮＲ測定において、それぞれの記録層１
の膜厚に対して、ＣＮＲが最大となるように、記録パワ
ーを変えて記録を行っている。
【００７２】
【表１】
【００７３】比較例１において、記録消去磁界が±８．
０ｋＡ／ｍ（この値は、比較例１において記録層の膜厚
を変化させた場合における略最良の値）であるのに対し
て、実施例１においては、記録層１の膜厚が１００ｎｍ
と厚くなった場合、記録層１において存在する反磁界の
増加に伴い、記録消去磁界が±８．５ｋＡ／ｍと比較例
１よりも大きくなっている。したがって、比較例１より
も記録消去磁界を低くするには、記録層１の膜厚が８０
ｎｍ以下である必要のあることがわかる。また、記録層
１の膜厚が５ｎｍの場合、記録層が薄くなり過ぎること
により、ＣＮＲが３２．０ｄＢと著しく低下し、光磁気
ディスクとして信号再生が困難となる。以上のような理
由から、記録層１の膜厚は１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下で
ある必要がある。また、記録層１と記録補助層３との間
での多重反射による光学的干渉効果を利用して高いＣＮ
Ｒを得るためには、記録層１の膜厚を１５ｎｍ以上４０
ｎｍ以下とすることが望ましい。
０ｋＡ／ｍ（この値は、比較例１において記録層の膜厚
を変化させた場合における略最良の値）であるのに対し
て、実施例１においては、記録層１の膜厚が１００ｎｍ
と厚くなった場合、記録層１において存在する反磁界の
増加に伴い、記録消去磁界が±８．５ｋＡ／ｍと比較例
１よりも大きくなっている。したがって、比較例１より
も記録消去磁界を低くするには、記録層１の膜厚が８０
ｎｍ以下である必要のあることがわかる。また、記録層
１の膜厚が５ｎｍの場合、記録層が薄くなり過ぎること
により、ＣＮＲが３２．０ｄＢと著しく低下し、光磁気
ディスクとして信号再生が困難となる。以上のような理
由から、記録層１の膜厚は１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下で
ある必要がある。また、記録層１と記録補助層３との間
での多重反射による光学的干渉効果を利用して高いＣＮ
Ｒを得るためには、記録層１の膜厚を１５ｎｍ以上４０
ｎｍ以下とすることが望ましい。
【００７４】次に、表２は、実施例１における非磁性中
間層２の膜厚を変えて、実施例１と同一記録再生条件に
おけるＣＮＲと記録消去磁界を測定した結果を示すもの
である。ここで、ＣＮＲ測定において、それぞれの非磁
性中間層２の膜厚に対して、ＣＮＲが最大となるよう
に、記録パワーを変えて記録を行っている。
間層２の膜厚を変えて、実施例１と同一記録再生条件に
おけるＣＮＲと記録消去磁界を測定した結果を示すもの
である。ここで、ＣＮＲ測定において、それぞれの非磁
性中間層２の膜厚に対して、ＣＮＲが最大となるよう
に、記録パワーを変えて記録を行っている。
【００７５】
【表２】
【００７６】表２からわかるように、非磁性中間層２の
膜厚が０.５ｎｍの場合、ＣＮＲの著しい低下と記録消
去磁界の著しい増加が観測される。これは、非磁性中間
層２が不均一となり、記録層１と記録補助層３との安定
した静磁結合が実現しなかったことによる。また、非磁
性中間層２の膜厚が１００ｎｍの場合、記録層１と記録
補助層３との距離が大きくなることにより、記録補助層
３の外部磁界強調効果が見られなくなり、比較例１と同
様±８．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界が必要となることが
わかる。以上のような理由から、非磁性中間層２の膜厚
は１ｎｍ以上８０ｎｍ以下である必要がある。
膜厚が０.５ｎｍの場合、ＣＮＲの著しい低下と記録消
去磁界の著しい増加が観測される。これは、非磁性中間
層２が不均一となり、記録層１と記録補助層３との安定
した静磁結合が実現しなかったことによる。また、非磁
性中間層２の膜厚が１００ｎｍの場合、記録層１と記録
補助層３との距離が大きくなることにより、記録補助層
３の外部磁界強調効果が見られなくなり、比較例１と同
様±８．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界が必要となることが
わかる。以上のような理由から、非磁性中間層２の膜厚
は１ｎｍ以上８０ｎｍ以下である必要がある。
【００７７】次に、表３は、実施例１における記録補助
層３の膜厚を変えて、実施例１と同一記録再生条件にお
けるＣＮＲと記録消去磁界を測定した結果を示すもので
ある。ここで、ＣＮＲ測定において、それぞれの記録補
助層３の膜厚に対して、ＣＮＲが最大となるように、記
録パワーを変えて記録を行っている。
層３の膜厚を変えて、実施例１と同一記録再生条件にお
けるＣＮＲと記録消去磁界を測定した結果を示すもので
ある。ここで、ＣＮＲ測定において、それぞれの記録補
助層３の膜厚に対して、ＣＮＲが最大となるように、記
録パワーを変えて記録を行っている。
【００７８】
【表３】
【００７９】表３からわかるように、記録補助層３の膜
厚を５ｎｍと薄くした場合、記録補助層２が薄くなり過
ぎることにより、記録補助層３の外部磁界強調効果が見
られなくなり、比較例１と同様±８．０ｋＡ／ｍの記録
消去磁界が必要となることがわかる。また、記録補助層
３の膜厚を２５０ｎｍとした場合、ＣＮＲが３３．０ｄ
Ｂと著しく低下していることがわかる。これは、記録補
助層３の膜厚増加に伴う熱容量の増加により、記録パワ
ーの不足が発生したことに起因しており、実用的な記録
補助層３の膜厚は２００ｎｍ以下ということになる。以
上のような理由から、記録補助層３の膜厚は１０ｎｍ以
上２００ｎｍ以下である必要がある。
厚を５ｎｍと薄くした場合、記録補助層２が薄くなり過
ぎることにより、記録補助層３の外部磁界強調効果が見
られなくなり、比較例１と同様±８．０ｋＡ／ｍの記録
消去磁界が必要となることがわかる。また、記録補助層
３の膜厚を２５０ｎｍとした場合、ＣＮＲが３３．０ｄ
Ｂと著しく低下していることがわかる。これは、記録補
助層３の膜厚増加に伴う熱容量の増加により、記録パワ
ーの不足が発生したことに起因しており、実用的な記録
補助層３の膜厚は２００ｎｍ以下ということになる。以
上のような理由から、記録補助層３の膜厚は１０ｎｍ以
上２００ｎｍ以下である必要がある。
【００８０】上記実施例１においては、記録層1として
Ｄｙ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）０．７５を用い、記録補
助層３としてＧｄ０．３１（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0.69を
用いた場合の結果について示しているが、これ以外の組
成・材料においても同様な記録消去磁界の低減が可能で
ある。
Ｄｙ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）０．７５を用い、記録補
助層３としてＧｄ０．３１（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0.69を
用いた場合の結果について示しているが、これ以外の組
成・材料においても同様な記録消去磁界の低減が可能で
ある。
【００８１】表４は、実施例１の構成において、記録補
助層３をＧｄX（ＦｅYＣｏ1-Y）1-Xとし、ＸとＹを変え
て、実施例１と同一記録再生条件におけるＣＮＲと記録
消去磁界を測定した結果を示すものである。ここで、Ｃ
ＮＲ測定において、それぞれの構成に対して、ＣＮＲが
最大となるように、記録パワーを変えて記録を行ってい
る。また、表４に、記録補助層３が垂直磁化状態となる
温度をＴｐ（℃）として併せて記載する。
助層３をＧｄX（ＦｅYＣｏ1-Y）1-Xとし、ＸとＹを変え
て、実施例１と同一記録再生条件におけるＣＮＲと記録
消去磁界を測定した結果を示すものである。ここで、Ｃ
ＮＲ測定において、それぞれの構成に対して、ＣＮＲが
最大となるように、記録パワーを変えて記録を行ってい
る。また、表４に、記録補助層３が垂直磁化状態となる
温度をＴｐ（℃）として併せて記載する。
【００８２】
【表４】
【００８３】表４からわかるように、０．２９≦Ｘ≦
０．３３、０．６０≦Ｙ≦０．８０の範囲において、比
較例１における記録消去磁界（±８ｋＡ／ｍ）より小さ
な記録消去磁界が実現されていることがわかる。Ｘ＜
０．２９の範囲においては、記録補助層３の補償温度が
低くなることにより、記録補助層３の磁化が小さくな
り、記録層１との良好な静磁結合を維持することが困難
となる。Ｘ＞０．３４の範囲においては、記録層１のキ
ュリー温度において、記録補助層３が面内磁化状態とな
り、記録層１との良好な静磁結合を維持することが困難
となる。また、Ｙ＜０．６０の範囲においてはＣｏ含有
率の増加により、記録補助層３において垂直磁化状態を
実現することが困難となり、記録補助層３の面内磁化に
より記録層１の漏洩磁界が強調され、記録消去磁界が比
較例１における記録消去磁界（±８ｋＡ／ｍ）より大き
くなってしまう。Ｙ＞０．８０の範囲においてはＣｏ含
有率の減少により、記録補助層３のキュリー温度が低下
し、記録補助層３の磁化が小さくなり、記録層１との良
好な静磁結合を維持することが困難となる。
０．３３、０．６０≦Ｙ≦０．８０の範囲において、比
較例１における記録消去磁界（±８ｋＡ／ｍ）より小さ
な記録消去磁界が実現されていることがわかる。Ｘ＜
０．２９の範囲においては、記録補助層３の補償温度が
低くなることにより、記録補助層３の磁化が小さくな
り、記録層１との良好な静磁結合を維持することが困難
となる。Ｘ＞０．３４の範囲においては、記録層１のキ
ュリー温度において、記録補助層３が面内磁化状態とな
り、記録層１との良好な静磁結合を維持することが困難
となる。また、Ｙ＜０．６０の範囲においてはＣｏ含有
率の増加により、記録補助層３において垂直磁化状態を
実現することが困難となり、記録補助層３の面内磁化に
より記録層１の漏洩磁界が強調され、記録消去磁界が比
較例１における記録消去磁界（±８ｋＡ／ｍ）より大き
くなってしまう。Ｙ＞０．８０の範囲においてはＣｏ含
有率の減少により、記録補助層３のキュリー温度が低下
し、記録補助層３の磁化が小さくなり、記録層１との良
好な静磁結合を維持することが困難となる。
【００８４】さらに、記録補助層が垂直磁化状態となる
温度Ｔｐを見ると、記録層１のキュリー温度２５０℃に
対して、Ｔｐが１３０℃以上２５０℃以下の温度範囲に
おいて記録消去磁界低減効果の見られることがわかる。
すなわち、記録層１のキュリー温度をＴｃ１とした場
合、記録補助層３が垂直磁化状態となる温度Ｔｐは、条
件式（Ａ）を満足する必要のあることがわかる。
温度Ｔｐを見ると、記録層１のキュリー温度２５０℃に
対して、Ｔｐが１３０℃以上２５０℃以下の温度範囲に
おいて記録消去磁界低減効果の見られることがわかる。
すなわち、記録層１のキュリー温度をＴｃ１とした場
合、記録補助層３が垂直磁化状態となる温度Ｔｐは、条
件式（Ａ）を満足する必要のあることがわかる。
【００８５】 Ｔｃ１−１２０℃≦Ｔｐ≦Ｔｃ１ ・・・（Ａ） なお、記録層１としては、ＤｙＦｅＣｏ以外に、現在光
磁気記録媒体として用いられているＴｂＦｅＣｏ、Ｔｂ
ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ等
の希土類遷移金属合金を用いることも可能である。
磁気記録媒体として用いられているＴｂＦｅＣｏ、Ｔｂ
ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ等
の希土類遷移金属合金を用いることも可能である。
【００８６】〔実施の形態２〕以下、本発明の実施の形
態２を図面を用いて詳細に説明する。
態２を図面を用いて詳細に説明する。
【００８７】図４は、本実施の形態２の光磁気記録媒体
において、記録が行われる際の磁化状態を断面図を用い
て説明するものである。
において、記録が行われる際の磁化状態を断面図を用い
て説明するものである。
【００８８】本実施の形態２の光磁気記録媒体は、記録
層１と非磁性中間層２と記録補助層３と面内磁化層１２
で構成されている。本実施の形態２の光磁気ディスクで
は、その記録方式としてキュリー温度記録方式が用いら
れており、半導体レーザから出射される光ビーム４が対
物レンズにより記録層１に絞り込まれ、温度上昇した部
分の記録層１の磁化方向を外部磁界の方向と平行にする
ことにより記録が行われる。ここで、記録層１は、室温
から記録が行われる記録温度領域５まで、膜面に対して
垂直な方向に磁化を有する垂直磁化膜である。記録補助
層３は、温度上昇していない領域において、膜面に対し
て面内方向に磁化を有する面内磁化状態であり、記録温
度領域５において、膜面に対して垂直方向に磁化を有す
る垂直磁化状態となる磁性膜である。面内磁化層１２
は、記録温度領域５において磁化を持たないようそのキ
ュリー温度が設定されており、記録補助層３と交換結合
することにより、記録補助層３が、温度上昇していない
領域において、膜面に対して面内方向に磁化を有する面
内磁化状態であり、記録温度領域５において、膜面に対
して垂直方向に磁化を有する垂直磁化状態となる特性を
実現するものである。
層１と非磁性中間層２と記録補助層３と面内磁化層１２
で構成されている。本実施の形態２の光磁気ディスクで
は、その記録方式としてキュリー温度記録方式が用いら
れており、半導体レーザから出射される光ビーム４が対
物レンズにより記録層１に絞り込まれ、温度上昇した部
分の記録層１の磁化方向を外部磁界の方向と平行にする
ことにより記録が行われる。ここで、記録層１は、室温
から記録が行われる記録温度領域５まで、膜面に対して
垂直な方向に磁化を有する垂直磁化膜である。記録補助
層３は、温度上昇していない領域において、膜面に対し
て面内方向に磁化を有する面内磁化状態であり、記録温
度領域５において、膜面に対して垂直方向に磁化を有す
る垂直磁化状態となる磁性膜である。面内磁化層１２
は、記録温度領域５において磁化を持たないようそのキ
ュリー温度が設定されており、記録補助層３と交換結合
することにより、記録補助層３が、温度上昇していない
領域において、膜面に対して面内方向に磁化を有する面
内磁化状態であり、記録温度領域５において、膜面に対
して垂直方向に磁化を有する垂直磁化状態となる特性を
実現するものである。
【００８９】記録層１は、集光されたレーザ光４によ
り、記録温度領域５まで温度上昇させられる。この記録
温度領域５において、記録層１の保磁力が小さくなり、
外部から磁界が加えられることにより、記録層１の磁化
方向が外部から加えられた磁界の方向と平行となること
により記録が行われる。
り、記録温度領域５まで温度上昇させられる。この記録
温度領域５において、記録層１の保磁力が小さくなり、
外部から磁界が加えられることにより、記録層１の磁化
方向が外部から加えられた磁界の方向と平行となること
により記録が行われる。
【００９０】実施の形態１においては、面内磁化層１２
を有していないため、記録補助層３は記録温度領域外に
おいても、磁化の方向が膜面に対して斜め方向を向いて
しまい、漏洩磁界が生じ、記録層１に悪影響を与えてし
まうという不都合がある。しかしながら、本実施の形態
２においては、記録補助層３が面内磁化層１２と交換結
合しており、記録温度領域５の外側においては面内磁化
層１２の作用により磁化の方向が確実に面内方向を向
き、漏洩磁界が発生しない。また、記録温度領域５の内
側においては、面内磁化層１２の保磁力が小さくなるた
め、記録補助層は垂直磁化状態となり、その磁化方向は
外部磁界６の方向と平行となり、漏洩磁界７が発生す
る。したがって、実施の形態１に比べて、漏洩磁界７が
発生する範囲を確実に記録磁区の大きさに制御すること
ができる、このため、磁界発生領域を狭くして高密度に
記録することが可能となる。
を有していないため、記録補助層３は記録温度領域外に
おいても、磁化の方向が膜面に対して斜め方向を向いて
しまい、漏洩磁界が生じ、記録層１に悪影響を与えてし
まうという不都合がある。しかしながら、本実施の形態
２においては、記録補助層３が面内磁化層１２と交換結
合しており、記録温度領域５の外側においては面内磁化
層１２の作用により磁化の方向が確実に面内方向を向
き、漏洩磁界が発生しない。また、記録温度領域５の内
側においては、面内磁化層１２の保磁力が小さくなるた
め、記録補助層は垂直磁化状態となり、その磁化方向は
外部磁界６の方向と平行となり、漏洩磁界７が発生す
る。したがって、実施の形態１に比べて、漏洩磁界７が
発生する範囲を確実に記録磁区の大きさに制御すること
ができる、このため、磁界発生領域を狭くして高密度に
記録することが可能となる。
【００９１】本発明の実施の形態２について図５に基づ
いて説明すれば以下の通りである。本実施の形態２で
は、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場
合について説明する。
いて説明すれば以下の通りである。本実施の形態２で
は、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場
合について説明する。
【００９２】本実施の形態２に係る光磁気ディスクは、
図５に示すように、基板８、透明誘電体層９、記録層
１、非磁性中間層２、記録補助層３、面内磁化層１２、
保護層１０、オーバーコート層１１が、この順にて積層
されたディスク本体を有している。
図５に示すように、基板８、透明誘電体層９、記録層
１、非磁性中間層２、記録補助層３、面内磁化層１２、
保護層１０、オーバーコート層１１が、この順にて積層
されたディスク本体を有している。
【００９３】基板８、透明誘電体層９、記録層１、非磁
性中間層２、保護層１０、オーバーコート層１１は、実
施の形態１と同様であり、その膜厚及び磁気特性等も実
施の形態１と同様に設定されることが望ましい。
性中間層２、保護層１０、オーバーコート層１１は、実
施の形態１と同様であり、その膜厚及び磁気特性等も実
施の形態１と同様に設定されることが望ましい。
【００９４】記録補助層３と面内磁化層１２は、希土類
遷移金属合金からなり、記録補助層３と面内磁化層１２
とが交換結合することにより、記録補助層３が室温にお
いて膜面に対して面内方向に磁化を有し、記録層１の記
録温度領域５において膜面に対して垂直方向に磁化を有
するよう磁気特性が設定されている。
遷移金属合金からなり、記録補助層３と面内磁化層１２
とが交換結合することにより、記録補助層３が室温にお
いて膜面に対して面内方向に磁化を有し、記録層１の記
録温度領域５において膜面に対して垂直方向に磁化を有
するよう磁気特性が設定されている。
【００９５】以下、本実施の形態の光磁気ディスクの具
体例（以下、実施例２と記す）について、（１）光磁気
ディスクの形成方法、（２）記録再生特性に分けて説明
する。
体例（以下、実施例２と記す）について、（１）光磁気
ディスクの形成方法、（２）記録再生特性に分けて説明
する。
【００９６】（１）光磁気ディスクの形成方法 以下に、実施例２の光磁気ディスクの形成方法について
手順毎に説明する。
手順毎に説明する。
【００９７】まず、Ａｌターゲットと、ＤｙＦｅＣｏ合
金ターゲットと、記録補助層３と面内磁化層１２に対応
する２種類のＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットとをそれぞれ
備えたスパッタ装置内に、プリグルーブ及びプリピット
を有しディスク状に形成されたポリカーボネート製の基
板８を基板ホルダーに配置した後、実施例１と同様にし
て、膜厚８０ｎｍのＡｌＮからなる透明誘電体層９、膜
厚２０ｎｍのＤｙ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.75からな
る記録層１、膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる非磁性中間
層２を形成する。
金ターゲットと、記録補助層３と面内磁化層１２に対応
する２種類のＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットとをそれぞれ
備えたスパッタ装置内に、プリグルーブ及びプリピット
を有しディスク状に形成されたポリカーボネート製の基
板８を基板ホルダーに配置した後、実施例１と同様にし
て、膜厚８０ｎｍのＡｌＮからなる透明誘電体層９、膜
厚２０ｎｍのＤｙ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.75からな
る記録層１、膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる非磁性中間
層２を形成する。
【００９８】次に、記録補助層３に対応するＧｄＦｅＣ
ｏ合金ターゲットを用いて、膜厚４０ｎｍのＧｄ
0.26（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.74からなる記録補助層３を
形成した。この記録補助層３は、単独で存在する場合、
常に膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化膜で
あり、そのキュリー温度は３００℃であった。
ｏ合金ターゲットを用いて、膜厚４０ｎｍのＧｄ
0.26（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.74からなる記録補助層３を
形成した。この記録補助層３は、単独で存在する場合、
常に膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化膜で
あり、そのキュリー温度は３００℃であった。
【００９９】次に、面内磁化層１２に対応するＧｄＦｅ
Ｃｏ合金ターゲットを用いて、Ｇｄ0.11（Ｆｅ0.90Ｃｏ
0.10）0.89からなる面内磁化層１２を膜厚２０ｎｍで形
成した。この面内磁化層１２は、常に膜面に対して面内
方向に磁化を有する面内磁化膜であり、そのキュリー温
度は２２０℃であった。
Ｃｏ合金ターゲットを用いて、Ｇｄ0.11（Ｆｅ0.90Ｃｏ
0.10）0.89からなる面内磁化層１２を膜厚２０ｎｍで形
成した。この面内磁化層１２は、常に膜面に対して面内
方向に磁化を有する面内磁化膜であり、そのキュリー温
度は２２０℃であった。
【０１００】このように、記録補助層３と面内磁化層１
２を連続して形成することにより、両者が交換結合し、
面内磁化層１２のキュリー温度以下の温度において、本
来垂直磁化状態であった記録補助層３を面内磁化状態と
することが可能となり、実施例１と同様な温度上昇に伴
い面内磁化状態から垂直磁化状態へと推移する記録補助
層を実現することが可能となる。
２を連続して形成することにより、両者が交換結合し、
面内磁化層１２のキュリー温度以下の温度において、本
来垂直磁化状態であった記録補助層３を面内磁化状態と
することが可能となり、実施例１と同様な温度上昇に伴
い面内磁化状態から垂直磁化状態へと推移する記録補助
層を実現することが可能となる。
【０１０１】次に、実施例１と同様にして、膜厚２０ｎ
ｍのＡｌＮからなる保護層１０、オーバーコート層１１
が形成される。
ｍのＡｌＮからなる保護層１０、オーバーコート層１１
が形成される。
【０１０２】（２）記録再生特性 上記ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用い
た光ピックアップによりＣＮＲ（信号対雑音比）の記録
磁界依存性を測定した結果、図３に示す実施例１と同様
な特性を得ることができた。すなわち、実施例２の光磁
気ディスクにおいても、４６ｄＢのＣＮＲが得られると
ともに、±４．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界で記録消去が
可能であることが確認された。
た光ピックアップによりＣＮＲ（信号対雑音比）の記録
磁界依存性を測定した結果、図３に示す実施例１と同様
な特性を得ることができた。すなわち、実施例２の光磁
気ディスクにおいても、４６ｄＢのＣＮＲが得られると
ともに、±４．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界で記録消去が
可能であることが確認された。
【０１０３】次に、実施例２における記録層１及び非磁
性中間層２の膜厚を変えて記録消去磁界の大きさを比較
例１の記録消去磁界（±８ｋＡ／ｍ）と比較したとこ
ろ、実施例１と同様に、記録層１の膜厚が１０ｎｍ以上
８０ｎｍ以下であり、非磁性中間層２の膜厚が１ｎｍ以
上８０ｎｍ以下である必要のあることが確認された。
性中間層２の膜厚を変えて記録消去磁界の大きさを比較
例１の記録消去磁界（±８ｋＡ／ｍ）と比較したとこ
ろ、実施例１と同様に、記録層１の膜厚が１０ｎｍ以上
８０ｎｍ以下であり、非磁性中間層２の膜厚が１ｎｍ以
上８０ｎｍ以下である必要のあることが確認された。
【０１０４】次に、表５は、実施例２における記録補助
層３の膜厚を変えて、同一記録再生条件におけるＣＮＲ
と記録消去磁界を測定した結果を示すものである。ここ
で、ＣＮＲ測定において、それぞれの記録補助層３の膜
厚に対して、ＣＮＲが最大となるように、記録パワーを
変えて記録を行っている。
層３の膜厚を変えて、同一記録再生条件におけるＣＮＲ
と記録消去磁界を測定した結果を示すものである。ここ
で、ＣＮＲ測定において、それぞれの記録補助層３の膜
厚に対して、ＣＮＲが最大となるように、記録パワーを
変えて記録を行っている。
【０１０５】
【表５】
【０１０６】表５からわかるように、記録補助層３の膜
厚を５ｎｍと薄くした場合、記録補助層３が薄くなり過
ぎることにより、記録補助層３の外部磁界強調効果が見
られなくなり、比較例１と同様±８．０ｋＡ／ｍの記録
消去磁界が必要となることがわかる。また、記録補助層
３の膜厚を１４０ｎｍとした場合、±９．５ｋＡ／ｍの
記録消去磁界が必要となることがわかる。実施例２にお
いては記録補助層３として、本来垂直磁化状態である磁
性膜を用いており、面内磁化層１２との交換結合によ
り、温度上昇に伴う面内磁化状態から垂直磁化状態への
推移を実現しているため、記録補助層３の膜厚が厚くな
ることにより、記録補助層３自体の磁気特性が強くな
り、温度上昇に伴う面内磁化状態から垂直磁化状態への
推移が実現されなくなり、常に垂直磁化状態となるため
である。以上のような理由から、記録補助層３の膜厚は
１０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下である必要がある。
厚を５ｎｍと薄くした場合、記録補助層３が薄くなり過
ぎることにより、記録補助層３の外部磁界強調効果が見
られなくなり、比較例１と同様±８．０ｋＡ／ｍの記録
消去磁界が必要となることがわかる。また、記録補助層
３の膜厚を１４０ｎｍとした場合、±９．５ｋＡ／ｍの
記録消去磁界が必要となることがわかる。実施例２にお
いては記録補助層３として、本来垂直磁化状態である磁
性膜を用いており、面内磁化層１２との交換結合によ
り、温度上昇に伴う面内磁化状態から垂直磁化状態への
推移を実現しているため、記録補助層３の膜厚が厚くな
ることにより、記録補助層３自体の磁気特性が強くな
り、温度上昇に伴う面内磁化状態から垂直磁化状態への
推移が実現されなくなり、常に垂直磁化状態となるため
である。以上のような理由から、記録補助層３の膜厚は
１０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下である必要がある。
【０１０７】次に、表６は、実施例２における面内磁化
層１２の膜厚を変えて、同一記録再生条件におけるＣＮ
Ｒと記録消去磁界を測定した結果を示すものである。こ
こで、ＣＮＲ測定において、それぞれの面内磁化層１２
の膜厚に対して、ＣＮＲが最大となるように、記録パワ
ーを変えて記録を行っている。
層１２の膜厚を変えて、同一記録再生条件におけるＣＮ
Ｒと記録消去磁界を測定した結果を示すものである。こ
こで、ＣＮＲ測定において、それぞれの面内磁化層１２
の膜厚に対して、ＣＮＲが最大となるように、記録パワ
ーを変えて記録を行っている。
【０１０８】
【表６】
【０１０９】表６からわかるように、面内磁化層１２の
膜厚を３ｎｍと薄くした場合、面内磁化層１２が薄すぎ
るため、記録補助層３を面内磁化状態にしようとする力
が弱くなり、記録補助層３における温度上昇に伴う面内
磁化状態から垂直磁化状態への推移が実現されなくな
り、記録補助層３が常に垂直磁化状態となるため、±
９．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界が必要となることがわか
る。また、面内磁化層１２の膜厚を２００ｎｍとした場
合、ＣＮＲが３０．５ｄＢと著しく低下していることが
わかる。これは、面内磁化層１２の膜厚増加に伴う熱容
量の増加により、記録パワーの不足が発生したことに起
因しており、実用的な面内磁化層１２の膜厚は１５０ｎ
ｍ以下ということになる。以上のような理由から、面内
磁化層１２の膜厚は５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である必
要がある。
膜厚を３ｎｍと薄くした場合、面内磁化層１２が薄すぎ
るため、記録補助層３を面内磁化状態にしようとする力
が弱くなり、記録補助層３における温度上昇に伴う面内
磁化状態から垂直磁化状態への推移が実現されなくな
り、記録補助層３が常に垂直磁化状態となるため、±
９．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界が必要となることがわか
る。また、面内磁化層１２の膜厚を２００ｎｍとした場
合、ＣＮＲが３０．５ｄＢと著しく低下していることが
わかる。これは、面内磁化層１２の膜厚増加に伴う熱容
量の増加により、記録パワーの不足が発生したことに起
因しており、実用的な面内磁化層１２の膜厚は１５０ｎ
ｍ以下ということになる。以上のような理由から、面内
磁化層１２の膜厚は５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である必
要がある。
【０１１０】また、上記実施例２においては、記録層１
としてＤｙ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25)0.75を用い、記録
補助層３としてＧｄ0.26（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.74を用
い、面内磁化層１２としてＧｄ0.11（Ｆｅ0.90Ｃ
ｏ0.10）0.89を用いた場合の結果について示している
が、これ以外の組成・材料においても同様な記録消去磁
界の低減が可能である。
としてＤｙ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25)0.75を用い、記録
補助層３としてＧｄ0.26（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.74を用
い、面内磁化層１２としてＧｄ0.11（Ｆｅ0.90Ｃ
ｏ0.10）0.89を用いた場合の結果について示している
が、これ以外の組成・材料においても同様な記録消去磁
界の低減が可能である。
【０１１１】表７は、実施例２の構成において、記録補
助層３をＧｄX（ＦｅYＣｏ1-Y）1-Xとし、ＸとＹを変え
て、実施例１と同一記録再生条件におけるＣＮＲと記録
消去磁界を測定した結果を示すものである。ここで、Ｃ
ＮＲ測定において、それぞれの構成に対して、ＣＮＲが
最大となるように、記録パワーを変えて記録を行ってい
る。
助層３をＧｄX（ＦｅYＣｏ1-Y）1-Xとし、ＸとＹを変え
て、実施例１と同一記録再生条件におけるＣＮＲと記録
消去磁界を測定した結果を示すものである。ここで、Ｃ
ＮＲ測定において、それぞれの構成に対して、ＣＮＲが
最大となるように、記録パワーを変えて記録を行ってい
る。
【０１１２】
【表７】
【０１１３】表７からわかるように、０．２２≦Ｘ≦
０．３３、かつ、０．６０≦Ｙ≦０．８５の範囲におい
て、比較例１における記録消去磁界（±８ｋＡ／ｍ）よ
り小さな記録消去磁界が実現されていることがわかる。
Ｘ＜０．２２の範囲、及びＸ＞０．３３の範囲において
は、記録温度領域５における垂直磁化状態の実現が困難
となり、記録補助層３が面内磁化状態となることによ
り、記録消去磁界低減効果が得られなくなる。また、Ｙ
＜０．６０の範囲においてはＣｏ含有率の増加により、
記録温度領域５において、記録補助層３において垂直磁
化状態を実現することが困難となり、記録消去磁界低減
効果が得られなくなる。また、Ｙ＞０．８５の範囲にお
いてはＣｏ含有率の減少により、記録補助層３のキュリ
ー温度が低下し、記録補助層３の磁化が小さくなり、記
録温度領域５において、記録層１との良好な静磁結合を
維持することが困難となる。
０．３３、かつ、０．６０≦Ｙ≦０．８５の範囲におい
て、比較例１における記録消去磁界（±８ｋＡ／ｍ）よ
り小さな記録消去磁界が実現されていることがわかる。
Ｘ＜０．２２の範囲、及びＸ＞０．３３の範囲において
は、記録温度領域５における垂直磁化状態の実現が困難
となり、記録補助層３が面内磁化状態となることによ
り、記録消去磁界低減効果が得られなくなる。また、Ｙ
＜０．６０の範囲においてはＣｏ含有率の増加により、
記録温度領域５において、記録補助層３において垂直磁
化状態を実現することが困難となり、記録消去磁界低減
効果が得られなくなる。また、Ｙ＞０．８５の範囲にお
いてはＣｏ含有率の減少により、記録補助層３のキュリ
ー温度が低下し、記録補助層３の磁化が小さくなり、記
録温度領域５において、記録層１との良好な静磁結合を
維持することが困難となる。
【０１１４】次に、表８は、実施例２の構成において、
面内磁化層１２をＧｄX（ＦｅYＣｏ1-Y）1-Xとし、Ｘと
Ｙを変えて、実施例１と同一記録再生条件におけるＣＮ
Ｒと記録消去磁界を測定した結果を示すものである。こ
こで、ＣＮＲ測定において、それぞれの構成に対して、
ＣＮＲが最大となるように、記録パワーを変えて記録を
行っている。また、表８に面内磁化層１２のキュリー温
度Ｔｃ１２をあわせて記載する。
面内磁化層１２をＧｄX（ＦｅYＣｏ1-Y）1-Xとし、Ｘと
Ｙを変えて、実施例１と同一記録再生条件におけるＣＮ
Ｒと記録消去磁界を測定した結果を示すものである。こ
こで、ＣＮＲ測定において、それぞれの構成に対して、
ＣＮＲが最大となるように、記録パワーを変えて記録を
行っている。また、表８に面内磁化層１２のキュリー温
度Ｔｃ１２をあわせて記載する。
【０１１５】
【表８】
【０１１６】表８からわかるように、０．０６≦Ｘ≦
０．１３、または、０．３６≦Ｘ≦０．８０、かつ、
０．８６≦Ｙ≦１．００の範囲において、比較例１にお
ける記録消去磁界（±８ｋＡ／ｍ）より小さな記録消去
磁界が実現されていることがわかる。Ｘ＜０．０６の範
囲においては、面内磁化層１２のキュリー温度が高くな
ることにより、より高い温度まで面内磁化層１２の磁化
が存在し、記録温度領域５において、記録補助層３の垂
直磁化状態を実現することが困難となり、記録消去磁界
低減効果が得られなくなる。また、０．１３＜Ｘ＜０．
３６の範囲においては、面内磁化層１２自体の面内磁化
状態の維持が困難となり、記録消去磁界低減効果が得ら
れなくなる。また、Ｘ＞０．８０の範囲においては、面
内磁化層１２のキュリー温度が低くなることにより、記
録温度領域５の外側、すなわち、温度上昇していない領
域において記録補助層３が垂直磁化状態となり、記録消
去磁界低減効果が得られなくなる。また、Ｙ＜０．８６
の範囲においては、Ｃｏ含有率の増加にともない、面内
磁化層１２のキュリー温度が高くなり、より高い温度ま
で面内磁化層１２の磁化が存在し、記録温度領域５にお
いて、記録補助層３の垂直磁化状態を実現することが困
難となり、記録消去磁界低減効果が得られなくなる。
０．１３、または、０．３６≦Ｘ≦０．８０、かつ、
０．８６≦Ｙ≦１．００の範囲において、比較例１にお
ける記録消去磁界（±８ｋＡ／ｍ）より小さな記録消去
磁界が実現されていることがわかる。Ｘ＜０．０６の範
囲においては、面内磁化層１２のキュリー温度が高くな
ることにより、より高い温度まで面内磁化層１２の磁化
が存在し、記録温度領域５において、記録補助層３の垂
直磁化状態を実現することが困難となり、記録消去磁界
低減効果が得られなくなる。また、０．１３＜Ｘ＜０．
３６の範囲においては、面内磁化層１２自体の面内磁化
状態の維持が困難となり、記録消去磁界低減効果が得ら
れなくなる。また、Ｘ＞０．８０の範囲においては、面
内磁化層１２のキュリー温度が低くなることにより、記
録温度領域５の外側、すなわち、温度上昇していない領
域において記録補助層３が垂直磁化状態となり、記録消
去磁界低減効果が得られなくなる。また、Ｙ＜０．８６
の範囲においては、Ｃｏ含有率の増加にともない、面内
磁化層１２のキュリー温度が高くなり、より高い温度ま
で面内磁化層１２の磁化が存在し、記録温度領域５にお
いて、記録補助層３の垂直磁化状態を実現することが困
難となり、記録消去磁界低減効果が得られなくなる。
【０１１７】ここで表８に記載した面内磁化層１２のキ
ュリー温度（Ｔｃ１２）を見ると、記録補助層３のキュ
リー温度Ｔｃ３が３００℃である場合に対して、面内磁
化層１２のキュリー温度Ｔｃ１２が１４０℃以上２４０
℃以下の範囲にあるとき、記録消去磁界低減効果のある
ことがわかる。すなわち、面内磁化層１２のキュリー温
度Ｔｃ１２は条件式（Ｂ）を満足する必要のあることが
わかる。
ュリー温度（Ｔｃ１２）を見ると、記録補助層３のキュ
リー温度Ｔｃ３が３００℃である場合に対して、面内磁
化層１２のキュリー温度Ｔｃ１２が１４０℃以上２４０
℃以下の範囲にあるとき、記録消去磁界低減効果のある
ことがわかる。すなわち、面内磁化層１２のキュリー温
度Ｔｃ１２は条件式（Ｂ）を満足する必要のあることが
わかる。
【０１１８】 Ｔｃ３−１６０℃≦Ｔｃ１２≦Ｔｃ３−６０℃ ・・・（Ｂ） なお、記録層１としては、記録温度領域５の範囲内にて
キュリー温度を有する磁性膜であればよく、ＤｙＦｅＣ
ｏ以外に、現在光磁気記録媒体として用いられているＴ
ｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、Ｇ
ｄＤｙＦｅＣｏ等の希土類遷移金属合金を用いることが
可能である。
キュリー温度を有する磁性膜であればよく、ＤｙＦｅＣ
ｏ以外に、現在光磁気記録媒体として用いられているＴ
ｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、Ｇ
ｄＤｙＦｅＣｏ等の希土類遷移金属合金を用いることが
可能である。
【０１１９】〔実施の形態３〕以下、本発明の実施の形
態３を図面を用いて詳細に説明する。
態３を図面を用いて詳細に説明する。
【０１２０】図６は、本実施の形態３の光磁気記録媒体
において、記録が行われる際の磁化状態を断面図を用い
て説明するものである。
において、記録が行われる際の磁化状態を断面図を用い
て説明するものである。
【０１２１】本実施の形態３の光磁気記録媒体は、記録
層１と書き込み層１３と非磁性中間層２と記録補助層３
で構成されている。本実施の形態３の光磁気ディスクで
は、その記録方式としてキュリー温度記録方式が用いら
れており、半導体レーザから出射される光ビーム４が対
物レンズにより記録層１に絞り込まれ、温度上昇した部
分の記録層１及び書き込み層１３の磁化方向を外部磁界
の方向と平行にすることにより記録が行われる。ここ
で、記録層１及び書き込み層１３は、室温から記録が行
われる記録温度領域５まで、膜面に対して垂直な方向に
磁化を有する垂直磁化膜であり、記録補助層３は、温度
上昇していない領域において、膜面に対して面内方向に
磁化を有する面内磁化状態であり、記録温度領域５にお
いて、膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化状
態となる磁性膜である。
層１と書き込み層１３と非磁性中間層２と記録補助層３
で構成されている。本実施の形態３の光磁気ディスクで
は、その記録方式としてキュリー温度記録方式が用いら
れており、半導体レーザから出射される光ビーム４が対
物レンズにより記録層１に絞り込まれ、温度上昇した部
分の記録層１及び書き込み層１３の磁化方向を外部磁界
の方向と平行にすることにより記録が行われる。ここ
で、記録層１及び書き込み層１３は、室温から記録が行
われる記録温度領域５まで、膜面に対して垂直な方向に
磁化を有する垂直磁化膜であり、記録補助層３は、温度
上昇していない領域において、膜面に対して面内方向に
磁化を有する面内磁化状態であり、記録温度領域５にお
いて、膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化状
態となる磁性膜である。
【０１２２】記録層１及び書き込み層１３は、集光され
たレーザ光４により、記録温度領域５まで温度上昇させ
られる。ここで、書き込み層１３のキュリー温度は記録
層１のキュリー温度より高く設定されており、かつ、書
き込み層１３の磁気特性は外部から加えられた磁界に対
して、容易に磁化反転すべく設定されている。そのた
め、この記録温度領域５において、記録層１の磁化は消
失し、容易に磁化反転可能な書き込み層１３の磁化が存
在することになる。外部から磁界が加えられることによ
り、書き込み層１３の磁化方向が外部から加えられた磁
界の方向と平行となり、記録層１の磁化方向が書き込み
層１３の磁化方向に揃えられることにより記録が行われ
る。
たレーザ光４により、記録温度領域５まで温度上昇させ
られる。ここで、書き込み層１３のキュリー温度は記録
層１のキュリー温度より高く設定されており、かつ、書
き込み層１３の磁気特性は外部から加えられた磁界に対
して、容易に磁化反転すべく設定されている。そのた
め、この記録温度領域５において、記録層１の磁化は消
失し、容易に磁化反転可能な書き込み層１３の磁化が存
在することになる。外部から磁界が加えられることによ
り、書き込み層１３の磁化方向が外部から加えられた磁
界の方向と平行となり、記録層１の磁化方向が書き込み
層１３の磁化方向に揃えられることにより記録が行われ
る。
【０１２３】本実施の形態３においては、記録補助層３
が記録温度領域５の外側において面内磁化状態であり、
記録温度領域５の内側において垂直磁化状態となるた
め、記録温度領域５の外側においては、記録補助層３か
らの漏洩磁界が存在せず、記録温度領域５の内側におい
て、記録補助層３から発生する漏洩磁界７が存在するこ
とになる。ここで、記録補助層３の磁化方向は外部磁界
６の方向と平行になるため、記録補助層３から発生する
漏洩磁界７も外部磁界６と平行となる。そして、外部磁
界６と記録補助層３から発生する漏洩磁界７とが書き込
み層１３に作用する。ここで、書き込み層１３は、上記
したように記録層１よりも低磁界で磁化反転する。従っ
て、実施形態１，２よりさらに小さな外部磁界で記録層
１に情報を記録することが可能となる。
が記録温度領域５の外側において面内磁化状態であり、
記録温度領域５の内側において垂直磁化状態となるた
め、記録温度領域５の外側においては、記録補助層３か
らの漏洩磁界が存在せず、記録温度領域５の内側におい
て、記録補助層３から発生する漏洩磁界７が存在するこ
とになる。ここで、記録補助層３の磁化方向は外部磁界
６の方向と平行になるため、記録補助層３から発生する
漏洩磁界７も外部磁界６と平行となる。そして、外部磁
界６と記録補助層３から発生する漏洩磁界７とが書き込
み層１３に作用する。ここで、書き込み層１３は、上記
したように記録層１よりも低磁界で磁化反転する。従っ
て、実施形態１，２よりさらに小さな外部磁界で記録層
１に情報を記録することが可能となる。
【０１２４】このような実施の形態３の光磁気記録媒体
について図７に基づいて説明すれば以下の通りである。
本実施の形態３では、光磁気記録媒体として光磁気ディ
スクを適用した場合について説明する。
について図７に基づいて説明すれば以下の通りである。
本実施の形態３では、光磁気記録媒体として光磁気ディ
スクを適用した場合について説明する。
【０１２５】本実施の形態３に係る光磁気ディスクは、
図７に示すように、基板８、透明誘電体層９、記録層
１、書き込み層１３、非磁性中間層２、記録補助層３、
保護層１０、オーバーコート層１１が、この順にて積層
されたディスク本体を有している。
図７に示すように、基板８、透明誘電体層９、記録層
１、書き込み層１３、非磁性中間層２、記録補助層３、
保護層１０、オーバーコート層１１が、この順にて積層
されたディスク本体を有している。
【０１２６】基板８、透明誘電体層９、記録層１、非磁
性中間層２、記録補助層３、保護層１０、オーバーコー
ト層１１は、実施の形態１と同様にして形成される。
性中間層２、記録補助層３、保護層１０、オーバーコー
ト層１１は、実施の形態１と同様にして形成される。
【０１２７】本実施の形態３に係る書き込み層１３は、
記録層１と交換結合すべく形成されており、記録層１の
磁界に対する感度を改善すべく、記録層１よりも高いキ
ュリー温度に設定されることが望ましく、またその膜厚
としては、５ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることが望まし
い。
記録層１と交換結合すべく形成されており、記録層１の
磁界に対する感度を改善すべく、記録層１よりも高いキ
ュリー温度に設定されることが望ましく、またその膜厚
としては、５ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることが望まし
い。
【０１２８】以下、本実施の形態の光磁気記録媒体につ
いて、（１）光磁気ディスクの形成方法、（２）記録再
生特性に分けて、具体的に説明する。
いて、（１）光磁気ディスクの形成方法、（２）記録再
生特性に分けて、具体的に説明する。
【０１２９】（１）光磁気ディスクの形成方法 まず、Ａｌターゲットと、ＤｙＦｅＣｏ合金ターゲット
と、書き込み層１３と記録補助層３に対応する２種類の
ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットとをそれぞれ備えたスパッ
タ装置内に、プリグルーブ及びプリピットを有しディス
ク状に形成されたポリカーボネート製の基板８を基板ホ
ルダーに配置した後、膜厚８０ｎｍのＡｌＮからなる透
明誘電体層９、膜厚１５ｎｍのＤｙ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ
0.25）0.75からなる記録層１、膜厚１０ｎｍのＧｄ0.25
（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.75からなる書き込み層１３、膜
厚２０ｎｍのＡｌＮからなる非磁性中間層２、膜厚６０
ｎｍのＧｄ0.31（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0.69からなる記録
補助層３、膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる保護層１０、
オーバーコート層１１を実施の形態１と同様にして形成
した。ここで、膜厚１０ｎｍのＧｄ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ
0.25）0.75からなる書き込み層１３は、記録層１と交換
結合すべく、記録層１の形成に連続して、書き込み層１
３に対応するＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給
し、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で行った。書き込
み層１３は、そのキュリー温度まで膜面に対して垂直方
向に磁化を有する垂直磁化膜であり、キュリー温度が３
２０℃であった。
と、書き込み層１３と記録補助層３に対応する２種類の
ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットとをそれぞれ備えたスパッ
タ装置内に、プリグルーブ及びプリピットを有しディス
ク状に形成されたポリカーボネート製の基板８を基板ホ
ルダーに配置した後、膜厚８０ｎｍのＡｌＮからなる透
明誘電体層９、膜厚１５ｎｍのＤｙ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ
0.25）0.75からなる記録層１、膜厚１０ｎｍのＧｄ0.25
（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.75からなる書き込み層１３、膜
厚２０ｎｍのＡｌＮからなる非磁性中間層２、膜厚６０
ｎｍのＧｄ0.31（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0.69からなる記録
補助層３、膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる保護層１０、
オーバーコート層１１を実施の形態１と同様にして形成
した。ここで、膜厚１０ｎｍのＧｄ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ
0.25）0.75からなる書き込み層１３は、記録層１と交換
結合すべく、記録層１の形成に連続して、書き込み層１
３に対応するＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給
し、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で行った。書き込
み層１３は、そのキュリー温度まで膜面に対して垂直方
向に磁化を有する垂直磁化膜であり、キュリー温度が３
２０℃であった。
【０１３０】（２）記録再生特性 上記ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用い
た光ピックアップにより測定したＣＮＲ（信号対雑音
比）の記録磁界依存性を実施例３として図８に示す。比
較のため、記録補助層３の替わりに、Ａｌ反射膜４０ｎ
ｍを形成した従来の光磁気記録媒体におけるＣＮＲの記
録磁界依存性を比較例３として同図に示す。また、ここ
で示すＣＮＲの記録磁界依存性は、トラックピッチ１．
１μｍ・記録磁区ピッチ１．２μｍ・記録パワー６．５
ｍＷ・再生パワー１．５ｍＷの条件で測定された結果を
示している。
た光ピックアップにより測定したＣＮＲ（信号対雑音
比）の記録磁界依存性を実施例３として図８に示す。比
較のため、記録補助層３の替わりに、Ａｌ反射膜４０ｎ
ｍを形成した従来の光磁気記録媒体におけるＣＮＲの記
録磁界依存性を比較例３として同図に示す。また、ここ
で示すＣＮＲの記録磁界依存性は、トラックピッチ１．
１μｍ・記録磁区ピッチ１．２μｍ・記録パワー６．５
ｍＷ・再生パワー１．５ｍＷの条件で測定された結果を
示している。
【０１３１】図８において、比較例３は、記録磁界−
５．０ｋＡ／ｍにおいてＣＮＲがゼロであり、−５．０
ｋＡ／ｍの磁界で消去可能であることがわかる。また、
記録磁界５．０ｋＡ／ｍでＣＮＲが飽和しており、５．
０ｋＡ／ｍの磁界で記録可能であることがわかる。一
方、実施例３の光磁気ディスクにおいては、記録磁界−
２．０ｋＡ／ｍにおいてＣＮＲがゼロであり、−２．０
ｋＡ／ｍの磁界で消去可能であることがわかる。また、
記録磁界２．０ｋＡ／ｍでＣＮＲが飽和しており、２．
０ｋＡ／ｍの磁界で記録可能であることがわかる。
５．０ｋＡ／ｍにおいてＣＮＲがゼロであり、−５．０
ｋＡ／ｍの磁界で消去可能であることがわかる。また、
記録磁界５．０ｋＡ／ｍでＣＮＲが飽和しており、５．
０ｋＡ／ｍの磁界で記録可能であることがわかる。一
方、実施例３の光磁気ディスクにおいては、記録磁界−
２．０ｋＡ／ｍにおいてＣＮＲがゼロであり、−２．０
ｋＡ／ｍの磁界で消去可能であることがわかる。また、
記録磁界２．０ｋＡ／ｍでＣＮＲが飽和しており、２．
０ｋＡ／ｍの磁界で記録可能であることがわかる。
【０１３２】すなわち、従来の比較例３の光磁気ディス
クにおいて、±５．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界が必要と
なるのに対して、実施例３の光磁気ディスクにおいて
は、±２．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界で記録消去が可能
であることが確認された。
クにおいて、±５．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界が必要と
なるのに対して、実施例３の光磁気ディスクにおいて
は、±２．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界で記録消去が可能
であることが確認された。
【０１３３】次に、表９は、実施例３における記録層１
と書き込み層１３の膜厚を変えて、実施例３と同一記録
再生条件におけるＣＮＲと記録消去磁界を測定した結果
を示すものである。ここで、ＣＮＲ測定において、それ
ぞれの記録層１の膜厚及び書き込み層１３の膜厚に対し
て、ＣＮＲが最大となるように、記録パワーを変えて記
録を行っている。
と書き込み層１３の膜厚を変えて、実施例３と同一記録
再生条件におけるＣＮＲと記録消去磁界を測定した結果
を示すものである。ここで、ＣＮＲ測定において、それ
ぞれの記録層１の膜厚及び書き込み層１３の膜厚に対し
て、ＣＮＲが最大となるように、記録パワーを変えて記
録を行っている。
【０１３４】
【表９】
【０１３５】比較例３において記録消去磁界が±５．０
ｋＡ／ｍであるのに対して、実施例３においては、記録
層１の膜厚が１００ｎｍと厚くなった場合、記録層１に
おいて存在する反磁界の増加に伴い、記録消去磁界が±
５．３ｋＡ／ｍと比較例３よりも大きくなっており、記
録層１の膜厚が８０ｎｍ以下である必要のあることがわ
かる。また、記録層１の膜厚が５ｎｍの場合、記録層１
が薄くなり過ぎることにより、ＣＮＲが３２．０ｄＢと
著しく低下し、光磁気ディスクとして信号再生が困難と
なる。以上のような理由から、記録層１の膜厚は、１０
ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることが必要である。また、
書き込み層１３の膜厚が１００ｎｍとなった場合、書き
込み層１３において存在する反磁界の増加に伴い、記録
消去磁界が±５．８ｋＡ／ｍと比較例３よりも大きくな
っており、書き込み層１３の膜厚が８０ｎｍ以下である
必要のあることがわかる。また、書き込み層１３の膜厚
が３ｎｍの場合、書き込み層１３が薄くなり過ぎること
により、書き込み層１３による記録消去磁界低減の効果
が見られなくなり、比較例３と同じ±５．０ｋＡ／ｍの
記録消去磁界が必要となる。以上のような理由から、書
き込み層１３の膜厚は、５ｎｍ以上８０ｎｍ以下である
ことが必要である。さらに、記録層１及び書き込み層１
３と記録補助層３との間での多重反射による光学的干渉
効果を利用して高いＣＮＲを得るためには、記録層１と
書き込み層１３とのトータル膜厚を２０ｎｍ以上４０ｎ
ｍ以下とすることが望ましい。
ｋＡ／ｍであるのに対して、実施例３においては、記録
層１の膜厚が１００ｎｍと厚くなった場合、記録層１に
おいて存在する反磁界の増加に伴い、記録消去磁界が±
５．３ｋＡ／ｍと比較例３よりも大きくなっており、記
録層１の膜厚が８０ｎｍ以下である必要のあることがわ
かる。また、記録層１の膜厚が５ｎｍの場合、記録層１
が薄くなり過ぎることにより、ＣＮＲが３２．０ｄＢと
著しく低下し、光磁気ディスクとして信号再生が困難と
なる。以上のような理由から、記録層１の膜厚は、１０
ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることが必要である。また、
書き込み層１３の膜厚が１００ｎｍとなった場合、書き
込み層１３において存在する反磁界の増加に伴い、記録
消去磁界が±５．８ｋＡ／ｍと比較例３よりも大きくな
っており、書き込み層１３の膜厚が８０ｎｍ以下である
必要のあることがわかる。また、書き込み層１３の膜厚
が３ｎｍの場合、書き込み層１３が薄くなり過ぎること
により、書き込み層１３による記録消去磁界低減の効果
が見られなくなり、比較例３と同じ±５．０ｋＡ／ｍの
記録消去磁界が必要となる。以上のような理由から、書
き込み層１３の膜厚は、５ｎｍ以上８０ｎｍ以下である
ことが必要である。さらに、記録層１及び書き込み層１
３と記録補助層３との間での多重反射による光学的干渉
効果を利用して高いＣＮＲを得るためには、記録層１と
書き込み層１３とのトータル膜厚を２０ｎｍ以上４０ｎ
ｍ以下とすることが望ましい。
【０１３６】また、非磁性中間層２の膜厚、及び、記録
補助層３の膜厚については、実施例１同様に、それぞ
れ、非磁性中間層２の膜厚が１ｎｍ以上８０ｎｍ以下で
あり、記録補助層３の膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以
下である必要がある。
補助層３の膜厚については、実施例１同様に、それぞ
れ、非磁性中間層２の膜厚が１ｎｍ以上８０ｎｍ以下で
あり、記録補助層３の膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以
下である必要がある。
【０１３７】上記実施例３においては、記録層1として
Ｄｙ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.75を用い、書き込み層
１３としてＧｄ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.75を用い、
記録補助層３としてＧｄ0.31（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0.69
を用いた場合の結果について示しているが、これ以外の
組成・材料においても同様な記録消去磁界の低減が可能
である。
Ｄｙ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.75を用い、書き込み層
１３としてＧｄ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.75を用い、
記録補助層３としてＧｄ0.31（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0.69
を用いた場合の結果について示しているが、これ以外の
組成・材料においても同様な記録消去磁界の低減が可能
である。
【０１３８】表１０は、実施例３の構成において、書き
込み層１３をＧｄX（ＦｅYＣｏ1-Y）1-Xとし、ＸとＹを
変えて、実施例３と同一記録再生条件におけるＣＮＲと
記録消去磁界を測定した結果を示すものである。ここ
で、ＣＮＲ測定において、それぞれの構成に対して、Ｃ
ＮＲが最大となるように、記録パワーを変えて記録を行
っている。また、表９に書き込み層１３のキュリー温度
Ｔｃ１３をあわせて記載する。
込み層１３をＧｄX（ＦｅYＣｏ1-Y）1-Xとし、ＸとＹを
変えて、実施例３と同一記録再生条件におけるＣＮＲと
記録消去磁界を測定した結果を示すものである。ここ
で、ＣＮＲ測定において、それぞれの構成に対して、Ｃ
ＮＲが最大となるように、記録パワーを変えて記録を行
っている。また、表９に書き込み層１３のキュリー温度
Ｔｃ１３をあわせて記載する。
【０１３９】
【表１０】
【０１４０】表１０からわかるように、０．１９≦Ｘ≦
０．２７、０．６０≦Ｙ≦０．８０の範囲において、比
較例３における記録消去磁界（±５ｋＡ／ｍ）より小さ
な記録消去磁界が実現されていることがわかる。Ｘ＜
０．１９の範囲においては、書き込み層１３のＧｄ含有
率の低下にともない、書き込み層１３の垂直磁化状態を
維持することが困難となり、ＣＮＲが劣化し、記録消去
磁界が大きくなる。また、Ｘ＞０．２７の範囲において
は、書き込み層１３のＧｄ含有率の増加にともない、記
録温度領域５に相当する温度範囲において、書き込み層
１３の磁化が小さくなり、記録補助層３との良好な静磁
結合を維持することが困難となり、比較例３と同じ記録
消去磁界（±５ｋＡ／ｍ）となってしまう。また、Ｙ＜
０．６０の範囲においてはＣｏ含有率の増加により、書
き込み層１３において垂直磁化状態を実現することが困
難となり、ＣＮＲが劣化し、記録消去磁界が大きくな
る。また、Ｙ＞０．８０の範囲においてはＣｏ含有率の
減少により、書き込み層１３のキュリー温度が記録層１
のキュリー温度より低くなり、記録層１の記録特性を書
き込み層１３により改善する効果を得ることが困難とな
り、比較例３と同じ記録消去磁界（±５ｋＡ／ｍ）とな
ってしまう。
０．２７、０．６０≦Ｙ≦０．８０の範囲において、比
較例３における記録消去磁界（±５ｋＡ／ｍ）より小さ
な記録消去磁界が実現されていることがわかる。Ｘ＜
０．１９の範囲においては、書き込み層１３のＧｄ含有
率の低下にともない、書き込み層１３の垂直磁化状態を
維持することが困難となり、ＣＮＲが劣化し、記録消去
磁界が大きくなる。また、Ｘ＞０．２７の範囲において
は、書き込み層１３のＧｄ含有率の増加にともない、記
録温度領域５に相当する温度範囲において、書き込み層
１３の磁化が小さくなり、記録補助層３との良好な静磁
結合を維持することが困難となり、比較例３と同じ記録
消去磁界（±５ｋＡ／ｍ）となってしまう。また、Ｙ＜
０．６０の範囲においてはＣｏ含有率の増加により、書
き込み層１３において垂直磁化状態を実現することが困
難となり、ＣＮＲが劣化し、記録消去磁界が大きくな
る。また、Ｙ＞０．８０の範囲においてはＣｏ含有率の
減少により、書き込み層１３のキュリー温度が記録層１
のキュリー温度より低くなり、記録層１の記録特性を書
き込み層１３により改善する効果を得ることが困難とな
り、比較例３と同じ記録消去磁界（±５ｋＡ／ｍ）とな
ってしまう。
【０１４１】また、記録層１は、実施例１と同様に、Ｄ
ｙＦｅＣｏ以外に、現在光磁気記録媒体として用いられ
ているＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の希土類遷移金属合金を用い
ることが可能である。
ｙＦｅＣｏ以外に、現在光磁気記録媒体として用いられ
ているＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の希土類遷移金属合金を用い
ることが可能である。
【０１４２】また、記録補助層３としては、実施例１と
同様なＧｄＦｅＣｏ合金を用いることが可能である。
同様なＧｄＦｅＣｏ合金を用いることが可能である。
【０１４３】〔実施の形態４〕以下、本発明の実施の形
態４を図面を用いて詳細に説明する。
態４を図面を用いて詳細に説明する。
【０１４４】図９は、本実施の形態４の光磁気記録媒体
において、記録が行われる際の磁化状態を断面図を用い
て説明するものである。
において、記録が行われる際の磁化状態を断面図を用い
て説明するものである。
【０１４５】本実施の形態４の光磁気記録媒体は、記録
層１と書き込み層１３と非磁性中間層２と記録補助層３
と面内磁化層１２で構成されている。本実施の形態４の
光磁気ディスクでは、その記録方式としてキュリー温度
記録方式が用いられており、半導体レーザから出射され
る光ビーム４が対物レンズにより記録層１に絞り込ま
れ、温度上昇した部分の記録層１及び書き込み層１３の
磁化方向を外部磁界の方向と平行にすることにより記録
が行われる。ここで、記録層１及び書き込み層１３は、
室温から記録が行われる記録温度領域５まで、膜面に対
して垂直な方向に磁化を有する垂直磁化膜である。面内
磁化層１２は、記録温度領域５において磁化を持たない
ようそのキュリー温度が設定されており、記録補助層３
と交換結合することにより、記録補助層３が温度上昇し
ていない領域において、膜面に対して面内方向に磁化を
有する面内磁化状態であり、記録温度領域において膜面
に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化状態となる特
性を実現するものである。
層１と書き込み層１３と非磁性中間層２と記録補助層３
と面内磁化層１２で構成されている。本実施の形態４の
光磁気ディスクでは、その記録方式としてキュリー温度
記録方式が用いられており、半導体レーザから出射され
る光ビーム４が対物レンズにより記録層１に絞り込ま
れ、温度上昇した部分の記録層１及び書き込み層１３の
磁化方向を外部磁界の方向と平行にすることにより記録
が行われる。ここで、記録層１及び書き込み層１３は、
室温から記録が行われる記録温度領域５まで、膜面に対
して垂直な方向に磁化を有する垂直磁化膜である。面内
磁化層１２は、記録温度領域５において磁化を持たない
ようそのキュリー温度が設定されており、記録補助層３
と交換結合することにより、記録補助層３が温度上昇し
ていない領域において、膜面に対して面内方向に磁化を
有する面内磁化状態であり、記録温度領域において膜面
に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化状態となる特
性を実現するものである。
【０１４６】記録層１及び書き込み層１３は、集光され
たレーザ光４により、記録温度領域５まで温度上昇させ
られる。ここで、書き込み層１３のキュリー温度は記録
層１のキュリー温度より高く設定されており、かつ、書
き込み層１３の磁気特性は外部から加えられた磁界に対
して、容易に磁化反転すべく設定されている。そのた
め、この記録温度領域５において、記録層１の磁化は消
失し、容易に磁化反転可能な書き込み層１３の磁化が存
在することになる。外部から磁界が加えられることによ
り、書き込み層１３の磁化方向が外部から加えられた磁
界の方向と平行となり、記録層１の磁化方向が書き込み
層１３の磁化方向にそろえられることにより記録が行わ
れる。
たレーザ光４により、記録温度領域５まで温度上昇させ
られる。ここで、書き込み層１３のキュリー温度は記録
層１のキュリー温度より高く設定されており、かつ、書
き込み層１３の磁気特性は外部から加えられた磁界に対
して、容易に磁化反転すべく設定されている。そのた
め、この記録温度領域５において、記録層１の磁化は消
失し、容易に磁化反転可能な書き込み層１３の磁化が存
在することになる。外部から磁界が加えられることによ
り、書き込み層１３の磁化方向が外部から加えられた磁
界の方向と平行となり、記録層１の磁化方向が書き込み
層１３の磁化方向にそろえられることにより記録が行わ
れる。
【０１４７】本実施の形態４においては、記録補助層３
は、面内磁化層１２と交換結合することにより、記録温
度領域５近傍において磁化方向が膜面に対して斜め方向
を向くことが抑制される。このため、記録温度領域５の
外側において確実に面内磁化状態であり、記録温度領域
５の内側において垂直磁化状態となる特性を有する。し
たがって、記録温度領域５の外側においては、記録補助
層３からの漏洩磁界が存在せず、記録温度領域５の内側
において、記録補助層３から発生する漏洩磁界７が存在
することになる。ここで、記録補助層４の磁化方向は外
部磁界６の方向と平行になるため、記録補助層３から発
生する漏洩磁界７も外部磁界６と平行となる。そして、
書き込み層１３に対して、外部磁界６と記録補助層３か
ら発生する漏洩磁界７とが外部から加えられた磁界とし
て作用する。このとき、書き込み層１３は記録層１より
も低磁界で磁化反転し、この磁化反転により記録層１の
磁化方向を規定する。したがって、さらに小さな外部磁
界で記録層１に記録を行うことが可能となる。
は、面内磁化層１２と交換結合することにより、記録温
度領域５近傍において磁化方向が膜面に対して斜め方向
を向くことが抑制される。このため、記録温度領域５の
外側において確実に面内磁化状態であり、記録温度領域
５の内側において垂直磁化状態となる特性を有する。し
たがって、記録温度領域５の外側においては、記録補助
層３からの漏洩磁界が存在せず、記録温度領域５の内側
において、記録補助層３から発生する漏洩磁界７が存在
することになる。ここで、記録補助層４の磁化方向は外
部磁界６の方向と平行になるため、記録補助層３から発
生する漏洩磁界７も外部磁界６と平行となる。そして、
書き込み層１３に対して、外部磁界６と記録補助層３か
ら発生する漏洩磁界７とが外部から加えられた磁界とし
て作用する。このとき、書き込み層１３は記録層１より
も低磁界で磁化反転し、この磁化反転により記録層１の
磁化方向を規定する。したがって、さらに小さな外部磁
界で記録層１に記録を行うことが可能となる。
【０１４８】本実施の形態について図１０に基づいて説
明すれば以下の通りである。ここでは、光磁気記録媒体
として光磁気ディスクを適用した場合について説明す
る。
明すれば以下の通りである。ここでは、光磁気記録媒体
として光磁気ディスクを適用した場合について説明す
る。
【０１４９】この光磁気ディスクは、図１０に示すよう
に、基板８、透明誘電体層９、記録層１、書き込み層１
３、非磁性中間層２、記録補助層３、面内磁化層１２、
保護層１０、オーバーコート層１１が、この順にて積層
されたディスク本体を有している。
に、基板８、透明誘電体層９、記録層１、書き込み層１
３、非磁性中間層２、記録補助層３、面内磁化層１２、
保護層１０、オーバーコート層１１が、この順にて積層
されたディスク本体を有している。
【０１５０】基板８、透明誘電体層９、記録層１、書き
込み層１３、非磁性中間層２、記録補助層３、面内磁化
層１２、保護層１０、オーバーコート層１１は、それぞ
れ、実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３と同様
にして形成される。
込み層１３、非磁性中間層２、記録補助層３、面内磁化
層１２、保護層１０、オーバーコート層１１は、それぞ
れ、実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３と同様
にして形成される。
【０１５１】以下、本実施の形態の光磁気ディスクにつ
いて、（１）光磁気ディスクの形成方法、（２）記録再
生特性に分けて、具体的に説明する。
いて、（１）光磁気ディスクの形成方法、（２）記録再
生特性に分けて、具体的に説明する。
【０１５２】（１）光磁気ディスクの形成方法 まず、Ａｌターゲットと、ＤｙＦｅＣｏ合金ターゲット
と、書き込み層１３と記録補助層３と面内磁化層１２に
対応する３種類のＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットとをそれ
ぞれ備えたスパッタ装置内に、プリグルーブ及びプリピ
ットを有しディスク状に形成されたポリカーボネート製
の基板８を基板ホルダーに配置した後、膜厚８０ｎｍの
ＡｌＮからなる透明誘電体層９、膜厚１５ｎｍのＤｙ
0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.75からなる記録層１、膜厚
１０ｎｍのＧｄ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.75からなる
書き込み層１３、膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる非磁性
中間層２、膜厚４０ｎｍのＧｄ0.26（Ｆｅ0.80Ｃ
ｏ0.20）0.74からなる記録補助層３、膜厚２０ｎｍのＧ
ｄ0.11（Ｆｅ0.90Ｃｏ0.10）0.89からなる面内磁化層１
２、膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる保護層１０、オーバ
ーコート層１１を実施の形態１及び実施の形態２及び実
施の形態３と同様にして形成した。
と、書き込み層１３と記録補助層３と面内磁化層１２に
対応する３種類のＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットとをそれ
ぞれ備えたスパッタ装置内に、プリグルーブ及びプリピ
ットを有しディスク状に形成されたポリカーボネート製
の基板８を基板ホルダーに配置した後、膜厚８０ｎｍの
ＡｌＮからなる透明誘電体層９、膜厚１５ｎｍのＤｙ
0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.75からなる記録層１、膜厚
１０ｎｍのＧｄ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.75からなる
書き込み層１３、膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる非磁性
中間層２、膜厚４０ｎｍのＧｄ0.26（Ｆｅ0.80Ｃ
ｏ0.20）0.74からなる記録補助層３、膜厚２０ｎｍのＧ
ｄ0.11（Ｆｅ0.90Ｃｏ0.10）0.89からなる面内磁化層１
２、膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる保護層１０、オーバ
ーコート層１１を実施の形態１及び実施の形態２及び実
施の形態３と同様にして形成した。
【０１５３】（２）記録再生特性 上記ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用い
た光ピックアップによりＣＮＲ（信号対雑音比）の記録
磁界依存性を調査した結果、図８に示す実施例３と同様
な特性を得ることができた。すなわち、実施例４の光磁
気ディスクにおいても、４６ｄＢのＣＮＲが得られると
ともに、±２．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界で記録消去が
可能であることが確認された。
た光ピックアップによりＣＮＲ（信号対雑音比）の記録
磁界依存性を調査した結果、図８に示す実施例３と同様
な特性を得ることができた。すなわち、実施例４の光磁
気ディスクにおいても、４６ｄＢのＣＮＲが得られると
ともに、±２．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界で記録消去が
可能であることが確認された。
【０１５４】実施の形態４において、記録層１の膜厚と
書き込み層１３の膜厚は、実施の形態３と同様に、記録
層１の膜厚が１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である必要があ
り、書き込み層１３の膜厚が５ｎｍ以上８０ｎｍ以下で
ある必要がある。さらに、記録層１及び書き込み層１３
と記録補助層３との間での多重反射による光学的干渉効
果を利用して高いＣＮＲを得るためには、記録層１と書
き込み層１３のトータル膜厚を２０ｎｍ以上４０ｎｍ以
下とすることが望ましい。次に、非磁性中間層２の膜厚
は、実施の形態２同様に、１ｎｍ以上８０ｎｍ以下であ
ることが望ましい。また、記録補助層３の膜厚と面内磁
化層１２の膜厚は、実施の形態２同様に、記録補助層３
の膜厚が１０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、面内磁化
層１２の膜厚が５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが
必要である。
書き込み層１３の膜厚は、実施の形態３と同様に、記録
層１の膜厚が１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である必要があ
り、書き込み層１３の膜厚が５ｎｍ以上８０ｎｍ以下で
ある必要がある。さらに、記録層１及び書き込み層１３
と記録補助層３との間での多重反射による光学的干渉効
果を利用して高いＣＮＲを得るためには、記録層１と書
き込み層１３のトータル膜厚を２０ｎｍ以上４０ｎｍ以
下とすることが望ましい。次に、非磁性中間層２の膜厚
は、実施の形態２同様に、１ｎｍ以上８０ｎｍ以下であ
ることが望ましい。また、記録補助層３の膜厚と面内磁
化層１２の膜厚は、実施の形態２同様に、記録補助層３
の膜厚が１０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であり、面内磁化
層１２の膜厚が５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが
必要である。
【０１５５】上記実施例４においては、記録層1として
Ｄｙ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.75を用い、書き込み層
１３としてＧｄ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.75を用い、
記録補助層３としてＧｄ0.26（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.74
を用い、面内磁化層１２としてＧｄ0.11（Ｆｅ0.90Ｃｏ
0.10）0.89を用いた場合の結果について示しているが、
これ以外の組成・材料においても同様な記録消去磁界の
低減が可能である。すなわち、実施の形態４において
は、実施の形態２において記載した記録層１、記録補助
層３、面内磁化層１２、及び、実施の形態３において記
載した記録層１、書き込み層１３、記録補助層３と同じ
組成の希土類遷移金属合金を用いることが可能である。
Ｄｙ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.75を用い、書き込み層
１３としてＧｄ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ0.25）0.75を用い、
記録補助層３としてＧｄ0.26（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.74
を用い、面内磁化層１２としてＧｄ0.11（Ｆｅ0.90Ｃｏ
0.10）0.89を用いた場合の結果について示しているが、
これ以外の組成・材料においても同様な記録消去磁界の
低減が可能である。すなわち、実施の形態４において
は、実施の形態２において記載した記録層１、記録補助
層３、面内磁化層１２、及び、実施の形態３において記
載した記録層１、書き込み層１３、記録補助層３と同じ
組成の希土類遷移金属合金を用いることが可能である。
【０１５６】〔実施の形態５〕本発明に係る記録補助層
３及び面内磁化層１２は、記録層１と再生層１４とを有
する超解像光磁気記録媒体においても記録消去磁界を低
減させることが可能である。以下、本発明を超解像光磁
気記録媒体に適用した実施の形態５を図面を用いて詳細
に説明する。
３及び面内磁化層１２は、記録層１と再生層１４とを有
する超解像光磁気記録媒体においても記録消去磁界を低
減させることが可能である。以下、本発明を超解像光磁
気記録媒体に適用した実施の形態５を図面を用いて詳細
に説明する。
【０１５７】図１１、及び、図１２は、室温において面
内磁化状態であり、再生温度領域１６において垂直磁化
状態となる再生層１４と、垂直磁化膜である記録層１
と、室温において面内磁化状態であり、記録温度領域５
において垂直磁化状態となる記録補助層３とが静磁結合
した構成の超解像光磁気記録媒体について、それぞれ、
再生と記録が行われる際の磁化状態を断面図を用いて説
明するものである。ここで、再生層１４と記録層１とを
静磁結合させるべく、非磁性中間層１５が設けられ、記
録層１と記録補助層３とを静磁結合させるべく、非磁性
中間層２が設けられている。
内磁化状態であり、再生温度領域１６において垂直磁化
状態となる再生層１４と、垂直磁化膜である記録層１
と、室温において面内磁化状態であり、記録温度領域５
において垂直磁化状態となる記録補助層３とが静磁結合
した構成の超解像光磁気記録媒体について、それぞれ、
再生と記録が行われる際の磁化状態を断面図を用いて説
明するものである。ここで、再生層１４と記録層１とを
静磁結合させるべく、非磁性中間層１５が設けられ、記
録層１と記録補助層３とを静磁結合させるべく、非磁性
中間層２が設けられている。
【０１５８】本実施の形態５の光磁気ディスクでは、ポ
ーラーカー効果を用いた信号再生が行われており、図１
１に示すように、半導体レーザから出射される光ビーム
４が対物レンズにより再生層１４に絞り込まれ、再生層
１４が垂直磁化状態となった部分、すなわち、再生温度
領域１６の範囲のみにおいて、記録層１の情報が再生層
１４に転写され情報が再生されることになる。再生層１
４が面内磁化状態である部分の記録層１の情報は再生層
１４の面内磁化によりマスクされ、絞り込まれた光ビー
ムスポットよりも小さな再生温度領域１６が形成される
ことにより磁気的超解像再生が実現する。ここで、再生
温度領域１６においては、記録補助層３が面内磁化状態
であり、記録層１の再生層１４と反対側に面内磁化膜が
静磁結合状態で存在することになる。このような記録補
助層３を設けることにより、記録層から発生する漏洩磁
界が効率よく閉じ込められ、再生層１４に対して、より
強い漏洩磁界を及ぼすことが可能となる。その結果とし
て、再生信号品質を改善することが可能となる。
ーラーカー効果を用いた信号再生が行われており、図１
１に示すように、半導体レーザから出射される光ビーム
４が対物レンズにより再生層１４に絞り込まれ、再生層
１４が垂直磁化状態となった部分、すなわち、再生温度
領域１６の範囲のみにおいて、記録層１の情報が再生層
１４に転写され情報が再生されることになる。再生層１
４が面内磁化状態である部分の記録層１の情報は再生層
１４の面内磁化によりマスクされ、絞り込まれた光ビー
ムスポットよりも小さな再生温度領域１６が形成される
ことにより磁気的超解像再生が実現する。ここで、再生
温度領域１６においては、記録補助層３が面内磁化状態
であり、記録層１の再生層１４と反対側に面内磁化膜が
静磁結合状態で存在することになる。このような記録補
助層３を設けることにより、記録層から発生する漏洩磁
界が効率よく閉じ込められ、再生層１４に対して、より
強い漏洩磁界を及ぼすことが可能となる。その結果とし
て、再生信号品質を改善することが可能となる。
【０１５９】また、その記録方式としては、キュリー温
度記録方式が用いられており、図１２に示すように、半
導体レーザから出射される光ビーム４が対物レンズによ
り再生層１４及び記録層１に絞り込まれ、温度上昇した
部分の記録層１の磁化方向を外部磁界６の方向と平行に
することにより記録が行われる。ここで、記録層１は、
室温から記録が行われる記録温度領域５まで、膜面に対
して垂直な方向に磁化を有する垂直磁化膜であり、記録
補助層３は、温度上昇していない領域において、膜面に
対して面内方向に磁化を有する面内磁化状態であり、記
録温度領域５において、膜面に対して垂直方向に磁化を
有する垂直磁化状態となる磁性膜が用いられている。
度記録方式が用いられており、図１２に示すように、半
導体レーザから出射される光ビーム４が対物レンズによ
り再生層１４及び記録層１に絞り込まれ、温度上昇した
部分の記録層１の磁化方向を外部磁界６の方向と平行に
することにより記録が行われる。ここで、記録層１は、
室温から記録が行われる記録温度領域５まで、膜面に対
して垂直な方向に磁化を有する垂直磁化膜であり、記録
補助層３は、温度上昇していない領域において、膜面に
対して面内方向に磁化を有する面内磁化状態であり、記
録温度領域５において、膜面に対して垂直方向に磁化を
有する垂直磁化状態となる磁性膜が用いられている。
【０１６０】記録層１は、集光されたレーザ光４によ
り、記録温度領域５まで温度上昇させられる。この記録
温度領域５において、記録層１の保磁力が小さくなり、
外部から磁界が加えられることにより、記録層１の磁化
方向が外部から加えられた磁界の方向と平行となること
により記録が行われる。本実施の形態５においては、記
録補助層３が記録温度領域５の外側において面内磁化状
態であり、記録温度領域５の内側において垂直磁化状態
となるため、記録温度領域５の外側においては、記録補
助層３からの漏洩磁界が存在せず、記録温度領域５の内
側において、記録補助層３から発生する漏洩磁界７が存
在することになる。ここで、記録補助層４の磁化方向は
外部磁界６の方向と平行になるため、記録補助層３から
発生する漏洩磁界７も外部磁界６と平行となる。したが
って、記録層１に対して、外部磁界６と記録補助層３か
ら発生する漏洩磁界７とが外部から加えられた磁界とし
て働くため、従来より小さな外部磁界で記録が可能とな
る。また、再生層１も記録温度領域５において垂直磁化
状態となっているが、記録温度領域５においては、記録
層１がキュリー温度近傍まで温度上昇しており、記録層
１から再生層１４へ働く静磁結合は極めて小さくなるた
め、再生層１４の記録温度領域５における磁化方向も外
部磁界６の方向と同一方向となり、漏洩磁界７と同様に
外部磁界６による記録を補助する方向に働くことにな
る。
り、記録温度領域５まで温度上昇させられる。この記録
温度領域５において、記録層１の保磁力が小さくなり、
外部から磁界が加えられることにより、記録層１の磁化
方向が外部から加えられた磁界の方向と平行となること
により記録が行われる。本実施の形態５においては、記
録補助層３が記録温度領域５の外側において面内磁化状
態であり、記録温度領域５の内側において垂直磁化状態
となるため、記録温度領域５の外側においては、記録補
助層３からの漏洩磁界が存在せず、記録温度領域５の内
側において、記録補助層３から発生する漏洩磁界７が存
在することになる。ここで、記録補助層４の磁化方向は
外部磁界６の方向と平行になるため、記録補助層３から
発生する漏洩磁界７も外部磁界６と平行となる。したが
って、記録層１に対して、外部磁界６と記録補助層３か
ら発生する漏洩磁界７とが外部から加えられた磁界とし
て働くため、従来より小さな外部磁界で記録が可能とな
る。また、再生層１も記録温度領域５において垂直磁化
状態となっているが、記録温度領域５においては、記録
層１がキュリー温度近傍まで温度上昇しており、記録層
１から再生層１４へ働く静磁結合は極めて小さくなるた
め、再生層１４の記録温度領域５における磁化方向も外
部磁界６の方向と同一方向となり、漏洩磁界７と同様に
外部磁界６による記録を補助する方向に働くことにな
る。
【０１６１】本発明の実施の形態５について図１３に基
づいて説明すれば以下の通りである。本実施の形態５で
は、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場
合について説明する。
づいて説明すれば以下の通りである。本実施の形態５で
は、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場
合について説明する。
【０１６２】本実施の形態５に係る光磁気ディスクは、
図１３に示すように、基板８、透明誘電体層９、再生層
１４、非磁性中間層１５、記録層１、非磁性中間層２、
記録補助層３、保護層１０、オーバーコート層１１が、
この順にて積層されたディスク本体を有している。
図１３に示すように、基板８、透明誘電体層９、再生層
１４、非磁性中間層１５、記録層１、非磁性中間層２、
記録補助層３、保護層１０、オーバーコート層１１が、
この順にて積層されたディスク本体を有している。
【０１６３】基板８、透明誘電体層９、非磁性中間層
２、記録補助層３、保護層１０、オーバーコート層１１
については、実施の形態１と同様にして形成される。
２、記録補助層３、保護層１０、オーバーコート層１１
については、実施の形態１と同様にして形成される。
【０１６４】再生層１４は、希土類遷移金属からなる磁
性膜であり、その磁気特性が、室温において面内磁化状
態であり、再生温度領域１６において垂直磁化状態とな
るように組成調整されている。
性膜であり、その磁気特性が、室温において面内磁化状
態であり、再生温度領域１６において垂直磁化状態とな
るように組成調整されている。
【０１６５】非磁性中間層１５は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，Ａ
ｌＳｉＮ等の誘電体、または、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ等の非
磁性金属合金からなり、再生層１４と記録層１とが静磁
結合すべく、その膜厚が１〜８０ｎｍに設定されてい
る。
ｌＳｉＮ等の誘電体、または、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ等の非
磁性金属合金からなり、再生層１４と記録層１とが静磁
結合すべく、その膜厚が１〜８０ｎｍに設定されてい
る。
【０１６６】記録層１は、希土類遷移金属合金からなる
垂直磁化膜からなり、記録補助層３との良好な静磁結合
を実現するため、実施例１と同様にその膜厚が１０〜８
０ｎｍに設定されている。
垂直磁化膜からなり、記録補助層３との良好な静磁結合
を実現するため、実施例１と同様にその膜厚が１０〜８
０ｎｍに設定されている。
【０１６７】以下、本実施の形態の具体例について、
（１）光磁気ディスクの形成方法、（２）記録再生特性
に分けて説明する。
（１）光磁気ディスクの形成方法、（２）記録再生特性
に分けて説明する。
【０１６８】（１）光磁気ディスクの形成方法 まず、Ａｌターゲットと、ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ターゲ
ットと、再生層１４と記録補助層３に対応する２種類の
ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットとをそれぞれ備えたスパッ
タ装置内に、プリグルーブ及びプリピットを有しディス
ク状に形成されたポリカーボネート製の基板８を基板ホ
ルダーに配置する。スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒ
ｒまで真空排気した後、アルゴンと窒素の混合ガスを導
入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１
０-3Ｔｏｒｒの条件で、基板８にＡｌＮからなる透明誘
電体層９を膜厚８０ｎｍで形成した。
ットと、再生層１４と記録補助層３に対応する２種類の
ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットとをそれぞれ備えたスパッ
タ装置内に、プリグルーブ及びプリピットを有しディス
ク状に形成されたポリカーボネート製の基板８を基板ホ
ルダーに配置する。スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒ
ｒまで真空排気した後、アルゴンと窒素の混合ガスを導
入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１
０-3Ｔｏｒｒの条件で、基板８にＡｌＮからなる透明誘
電体層９を膜厚８０ｎｍで形成した。
【０１６９】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
再生層１４に対応するＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電
力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非
磁性中間層２上に、Ｇｄ0.30（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.70
からなる再生層１４を膜厚２０ｎｍで形成した。その再
生層１４は、１００℃まで膜面に対して面内方向に磁化
を有する面内磁化状態であり、１００℃以上の温度にお
いて膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化状態
であった。また、再生層１４のキュリー温度は２５０℃
であった。
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
再生層１４に対応するＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電
力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非
磁性中間層２上に、Ｇｄ0.30（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.70
からなる再生層１４を膜厚２０ｎｍで形成した。その再
生層１４は、１００℃まで膜面に対して面内方向に磁化
を有する面内磁化状態であり、１００℃以上の温度にお
いて膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化状態
であった。また、再生層１４のキュリー温度は２５０℃
であった。
【０１７０】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、再生層１４上にＡｌＮからなる非
磁性中間層１５を膜厚２０ｎｍで形成した。
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、再生層１４上にＡｌＮからなる非
磁性中間層１５を膜厚２０ｎｍで形成した。
【０１７１】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガ
ス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非磁性中間層１５上
に、（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）0.23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）
0.77からなる記録層１を膜厚４０ｎｍで形成した。その
記録層１は、そのキュリー温度まで膜面に対して垂直方
向に磁化を有する垂直磁化膜であり、補償温度が２５
℃、キュリー温度が２７５℃であった。
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガ
ス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非磁性中間層１５上
に、（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）0.23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）
0.77からなる記録層１を膜厚４０ｎｍで形成した。その
記録層１は、そのキュリー温度まで膜面に対して垂直方
向に磁化を有する垂直磁化膜であり、補償温度が２５
℃、キュリー温度が２７５℃であった。
【０１７２】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層１上にＡｌＮからなる非磁
性中間層２を膜厚５ｎｍで形成した。
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層１上にＡｌＮからなる非磁
性中間層２を膜厚５ｎｍで形成した。
【０１７３】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
記録補助層３に対応するＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに
電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記
非磁性中間層２上に、Ｇｄ0.31（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）
0.69からなる記録補助層３を膜厚６０ｎｍで形成した。
その記録補助層３は、２５℃において面内磁化状態であ
り、２００℃以上の温度において垂直磁化状態であっ
た。また、記録補助層３のキュリー温度は２８５℃であ
った。
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
記録補助層３に対応するＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに
電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記
非磁性中間層２上に、Ｇｄ0.31（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）
0.69からなる記録補助層３を膜厚６０ｎｍで形成した。
その記録補助層３は、２５℃において面内磁化状態であ
り、２００℃以上の温度において垂直磁化状態であっ
た。また、記録補助層３のキュリー温度は２８５℃であ
った。
【０１７４】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層４上にＡｌＮからなる保護
層１０を膜厚２０ｎｍとして形成した。
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層４上にＡｌＮからなる保護
層１０を膜厚２０ｎｍとして形成した。
【０１７５】次に、上記保護層１０上に、紫外線硬化樹
脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射するこ
とによりオーバーコート層１１を形成した。
脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射するこ
とによりオーバーコート層１１を形成した。
【０１７６】（２）記録再生特性 上記ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用い
た光ピックアップにより測定したＣＮＲ（信号対雑音
比）の記録磁界依存性を実施例５として図１４に示す。
比較のため、非磁性中間層２及び記録補助層３を形成し
ていない従来の超解像光磁気記録媒体におけるＣＮＲの
記録磁界依存性を比較例５として同図に示す。また、こ
こで示すＣＮＲの記録磁界依存性は、トラックピッチ
１．１μｍ・記録磁区ピッチ１．２μｍ・再生パワー
２．５ｍＷの条件で測定された結果を示している。ま
た、それぞれのディスクにおいて、最大のＣＮＲが得ら
れるように記録パワーを変えて、ＣＮＲ測定を行った。
た光ピックアップにより測定したＣＮＲ（信号対雑音
比）の記録磁界依存性を実施例５として図１４に示す。
比較のため、非磁性中間層２及び記録補助層３を形成し
ていない従来の超解像光磁気記録媒体におけるＣＮＲの
記録磁界依存性を比較例５として同図に示す。また、こ
こで示すＣＮＲの記録磁界依存性は、トラックピッチ
１．１μｍ・記録磁区ピッチ１．２μｍ・再生パワー
２．５ｍＷの条件で測定された結果を示している。ま
た、それぞれのディスクにおいて、最大のＣＮＲが得ら
れるように記録パワーを変えて、ＣＮＲ測定を行った。
【０１７７】図３及び図８に記載した実施例１、比較例
１、実施例３、比較例３におけるＣＮＲの飽和値が４６
ｄＢであるのに対して、図１４に示す実施例５及び比較
例５におけるＣＮＲの飽和値は４９ｄＢとなっており、
３ｄＢのＣＮＲ上昇が見られる。これは、実施例５及び
比較例５において、再生層における面内磁化マスクによ
る超解像再生が実現し、再生分解能が上昇したことを意
味している。
１、実施例３、比較例３におけるＣＮＲの飽和値が４６
ｄＢであるのに対して、図１４に示す実施例５及び比較
例５におけるＣＮＲの飽和値は４９ｄＢとなっており、
３ｄＢのＣＮＲ上昇が見られる。これは、実施例５及び
比較例５において、再生層における面内磁化マスクによ
る超解像再生が実現し、再生分解能が上昇したことを意
味している。
【０１７８】また、図１４において、比較例５は、記録
磁界−１５．０ｋＡ／ｍにおいてＣＮＲがゼロであり、
−１５．０ｋＡ／ｍの磁界で消去可能であることがわか
る。また、記録磁界１５．０ｋＡ／ｍでＣＮＲが飽和し
ており、１５．０ｋＡ／ｍの磁界で記録可能であること
がわかる。一方、実施例５においては、記録磁界−５．
０ｋＡ／ｍにおいてＣＮＲがゼロであり、−５．０ｋＡ
／ｍの磁界で消去可能であることがわかる。また、記録
磁界５．０ｋＡ／ｍにおいてＣＮＲが飽和しており、
５．０ｋＡ／ｍの磁界で記録可能であることがわかる。
磁界−１５．０ｋＡ／ｍにおいてＣＮＲがゼロであり、
−１５．０ｋＡ／ｍの磁界で消去可能であることがわか
る。また、記録磁界１５．０ｋＡ／ｍでＣＮＲが飽和し
ており、１５．０ｋＡ／ｍの磁界で記録可能であること
がわかる。一方、実施例５においては、記録磁界−５．
０ｋＡ／ｍにおいてＣＮＲがゼロであり、−５．０ｋＡ
／ｍの磁界で消去可能であることがわかる。また、記録
磁界５．０ｋＡ／ｍにおいてＣＮＲが飽和しており、
５．０ｋＡ／ｍの磁界で記録可能であることがわかる。
【０１７９】すなわち、従来の比較例５の超解像光磁気
ディスクにおいて、±１５．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界
が必要となるのに対して、実施例５の超解像光磁気ディ
スクにおいては、±５．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界で十
分であることが確認された。ここで、比較例１の記録消
去磁界±８．０ｋＡ／ｍに比べて、比較例５の記録消去
磁界が±１５．０ｋＡ／ｍと大きくなり、実施例１の記
録消去磁界±４．０ｋＡ／ｍに比べて、実施例５の記録
消去磁界が±５．０ｋＡ／ｍと大きくなっているが、比
較例５及び実施例５における超解像再生特性を最適化す
べく、記録層１として異なる磁気特性及び膜厚を採用し
ていることによる。
ディスクにおいて、±１５．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界
が必要となるのに対して、実施例５の超解像光磁気ディ
スクにおいては、±５．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界で十
分であることが確認された。ここで、比較例１の記録消
去磁界±８．０ｋＡ／ｍに比べて、比較例５の記録消去
磁界が±１５．０ｋＡ／ｍと大きくなり、実施例１の記
録消去磁界±４．０ｋＡ／ｍに比べて、実施例５の記録
消去磁界が±５．０ｋＡ／ｍと大きくなっているが、比
較例５及び実施例５における超解像再生特性を最適化す
べく、記録層１として異なる磁気特性及び膜厚を採用し
ていることによる。
【０１８０】本実施例においては、再生層１４として膜
厚２０ｎｍのＧｄ0.30（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.70を用
い、非磁性中間層１５として膜厚２０ｎｍのＡｌＮを用
い、記録層１として膜厚４０ｎｍの（Ｇｄ0.50Ｄ
ｙ0.50）0.23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.77を用い、非磁性
中間層２として膜厚５ｎｍのＡｌＮを用い、記録補助層
３として膜厚６０ｎｍのＧｄ0.31（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）
0.69を用いた場合の結果について示しているが、これに
限定されるものではない。
厚２０ｎｍのＧｄ0.30（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.70を用
い、非磁性中間層１５として膜厚２０ｎｍのＡｌＮを用
い、記録層１として膜厚４０ｎｍの（Ｇｄ0.50Ｄ
ｙ0.50）0.23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.77を用い、非磁性
中間層２として膜厚５ｎｍのＡｌＮを用い、記録補助層
３として膜厚６０ｎｍのＧｄ0.31（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）
0.69を用いた場合の結果について示しているが、これに
限定されるものではない。
【０１８１】再生層１４としては、室温で面内磁化状態
であり、再生温度領域１６において垂直磁化状態となれ
ばよく、希土類金属としてＧｄを主成分としたＧｄＤｙ
ＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の希土類
遷移金属合金を使用することが可能である。また再生層
１４の膜厚としては、十分な超解像再生効果を得るた
め、５ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることが望ましい。
であり、再生温度領域１６において垂直磁化状態となれ
ばよく、希土類金属としてＧｄを主成分としたＧｄＤｙ
ＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の希土類
遷移金属合金を使用することが可能である。また再生層
１４の膜厚としては、十分な超解像再生効果を得るた
め、５ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることが望ましい。
【０１８２】非磁性中間層１５としては、他にＳｉＮ，
ＳｉＡｌＮ，ＴａＯ2等の透明誘電体膜、及び、Ａｌ，
Ｔｉ，Ｔａ等の非磁性金属合金を使用することが可能で
ある。また、記録層１と再生層１４との間の良好な静磁
結合状態を実現するため、非磁性中間層１５の膜厚が１
ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることが望ましい。
ＳｉＡｌＮ，ＴａＯ2等の透明誘電体膜、及び、Ａｌ，
Ｔｉ，Ｔａ等の非磁性金属合金を使用することが可能で
ある。また、記録層１と再生層１４との間の良好な静磁
結合状態を実現するため、非磁性中間層１５の膜厚が１
ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることが望ましい。
【０１８３】記録層１としては、希土類金属としてＤｙ
又はＴｂを主成分としたＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，
ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣ
ｏ等の希土類遷移金属合金を使用することが可能であ
る。また、記録補助層３との良好な静磁結合を実現する
ため、実施例１と同様にその膜厚が１０以上８０ｎｍ以
下であることが望ましい。
又はＴｂを主成分としたＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，
ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣ
ｏ等の希土類遷移金属合金を使用することが可能であ
る。また、記録補助層３との良好な静磁結合を実現する
ため、実施例１と同様にその膜厚が１０以上８０ｎｍ以
下であることが望ましい。
【０１８４】非磁性中間層２としては、他にＳｉＮ，Ｓ
ｉＡｌＮ，ＴａＯ2等の透明誘電体膜、及び、Ａｌ，Ｔ
ｉ，Ｔａ等の非磁性金属合金を使用することが可能であ
る。また、記録層１と記録補助層３との間の良好な静磁
結合状態を実現するため、非磁性中間層２の膜厚が１ｎ
ｍ以上８０ｎｍ以下であることが望ましい。
ｉＡｌＮ，ＴａＯ2等の透明誘電体膜、及び、Ａｌ，Ｔ
ｉ，Ｔａ等の非磁性金属合金を使用することが可能であ
る。また、記録層１と記録補助層３との間の良好な静磁
結合状態を実現するため、非磁性中間層２の膜厚が１ｎ
ｍ以上８０ｎｍ以下であることが望ましい。
【０１８５】記録補助層３としては、室温で面内磁化状
態であり、記録温度領域５において垂直磁化状態となれ
ばよく、希土類金属としてＧｄを主成分としたＧｄＤｙ
ＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の希土類
遷移金属合金を使用することが可能である。また記録補
助層３の膜厚としては、記録消去磁界低減が実現され、
かつ、良好な記録特性を得るべく、１０ｎｍ以上２００
ｎｍ以下であることが望ましい。
態であり、記録温度領域５において垂直磁化状態となれ
ばよく、希土類金属としてＧｄを主成分としたＧｄＤｙ
ＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の希土類
遷移金属合金を使用することが可能である。また記録補
助層３の膜厚としては、記録消去磁界低減が実現され、
かつ、良好な記録特性を得るべく、１０ｎｍ以上２００
ｎｍ以下であることが望ましい。
【０１８６】次に、本実施の形態５における記録補助層
３を実施の形態２に記載の記録補助層３と面内磁化層１
２に置き換えることにより、実施の形態５記載の超解像
再生効果と記録消去磁界の低減を実現することが可能で
ある。
３を実施の形態２に記載の記録補助層３と面内磁化層１
２に置き換えることにより、実施の形態５記載の超解像
再生効果と記録消去磁界の低減を実現することが可能で
ある。
【０１８７】ここでは、図１５に示すように、基板８、
透明誘電体層９、再生層１４、非磁性中間層１５、記録
層１、非磁性中間層２、記録補助層３、面内磁化層１
２、保護層１０、オーバーコート層１１が、この順にて
積層されたディスクについて調査した。
透明誘電体層９、再生層１４、非磁性中間層１５、記録
層１、非磁性中間層２、記録補助層３、面内磁化層１
２、保護層１０、オーバーコート層１１が、この順にて
積層されたディスクについて調査した。
【０１８８】基板８、透明誘電体層９、非磁性中間層
２、記録補助層３、面内磁化層１２、保護層１０、オー
バーコート層１１については、実施の形態２に記載の実
施例２と同様にして形成される。また、記録層１、再生
層１４、非磁性中間層１５は、実施例５と同様にして形
成される。
２、記録補助層３、面内磁化層１２、保護層１０、オー
バーコート層１１については、実施の形態２に記載の実
施例２と同様にして形成される。また、記録層１、再生
層１４、非磁性中間層１５は、実施例５と同様にして形
成される。
【０１８９】上記超解像光磁気ディスクにおいて、波長
６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップによ
りＣＮＲの記録磁界依存性を測定した結果、図１４に示
す実施例５と同様な特性を得ることができた。すなわ
ち、実施例５記載の記録補助層３を実施例２記載の記録
補助層３と面内磁化層１２とに置き換えた場合において
も、実施例５と同様に超解像再生効果により４９ｄＢの
ＣＮＲが得られるとともに、±５．０ｋＡ／ｍの記録消
去磁界で記録消去が可能であるこことが確認された。
６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップによ
りＣＮＲの記録磁界依存性を測定した結果、図１４に示
す実施例５と同様な特性を得ることができた。すなわ
ち、実施例５記載の記録補助層３を実施例２記載の記録
補助層３と面内磁化層１２とに置き換えた場合において
も、実施例５と同様に超解像再生効果により４９ｄＢの
ＣＮＲが得られるとともに、±５．０ｋＡ／ｍの記録消
去磁界で記録消去が可能であるこことが確認された。
【０１９０】〔実施の形態６〕本発明に係る記録補助層
３は、記録層１及び書き込み層１３と再生層１４とを有
する超解像光磁気記録媒体においても記録消去磁界を低
減させることが可能である。以下、本発明を超解像光磁
気記録媒体に適用した実施の形態６を図面を用いて詳細
に説明する。
３は、記録層１及び書き込み層１３と再生層１４とを有
する超解像光磁気記録媒体においても記録消去磁界を低
減させることが可能である。以下、本発明を超解像光磁
気記録媒体に適用した実施の形態６を図面を用いて詳細
に説明する。
【０１９１】図１６、及び、図１７は、室温において面
内磁化状態であり、再生温度領域１６において垂直磁化
状態となる再生層１４と、垂直磁化膜である記録層１
と、記録層１の磁界感度改善を目的とした書き込み層１
３と、室温において面内磁化状態であり、記録温度領域
５において垂直磁化状態となる記録補助層３とが静磁結
合した構成の超解像光磁気記録媒体について、それぞ
れ、再生と記録が行われる際の磁化状態を断面図を用い
て説明するものである。ここで、再生層１４と記録層１
及び書き込み層１３とを静磁結合させるべく、非磁性中
間層１５が設けられ、記録層１及び書き込み層１３と記
録補助層３とを静磁結合させるべく、非磁性中間層２が
設けられている。
内磁化状態であり、再生温度領域１６において垂直磁化
状態となる再生層１４と、垂直磁化膜である記録層１
と、記録層１の磁界感度改善を目的とした書き込み層１
３と、室温において面内磁化状態であり、記録温度領域
５において垂直磁化状態となる記録補助層３とが静磁結
合した構成の超解像光磁気記録媒体について、それぞ
れ、再生と記録が行われる際の磁化状態を断面図を用い
て説明するものである。ここで、再生層１４と記録層１
及び書き込み層１３とを静磁結合させるべく、非磁性中
間層１５が設けられ、記録層１及び書き込み層１３と記
録補助層３とを静磁結合させるべく、非磁性中間層２が
設けられている。
【０１９２】本実施の形態６の光磁気ディスクでは、ポ
ーラーカー効果を用いた信号再生が行われており、図１
６に示すように、半導体レーザから出射される光ビーム
４が対物レンズにより再生層１４に絞り込まれ、再生層
１４が垂直磁化状態となった部分、すなわち、再生温度
領域１６の範囲のみにおいて、記録層１の情報が静磁結
合により再生層１４に転写され情報が再生されることに
なる。再生層１４が面内磁化状態である部分の記録層１
の情報は再生層１４の面内磁化によりマスクされ、絞り
込まれた光ビームスポットよりも小さな再生温度領域１
６が形成されることにより磁気的超解像再生が実現す
る。ここで、再生温度領域１６においては、記録補助層
３が面内磁化状態であり、記録層１及び書き込み層１３
の再生層１４と反対側に面内磁化膜が静磁結合状態で存
在することになる。このような記録補助層３を設けるこ
とにより、記録層１及び書き込み層１３から発生する漏
洩磁界が効率よく閉じ込めるられ、再生層１４に対し
て、より強い漏洩磁界を及ぼすことが可能となる。その
結果として、超解像再生信号品質を改善することが可能
となる。
ーラーカー効果を用いた信号再生が行われており、図１
６に示すように、半導体レーザから出射される光ビーム
４が対物レンズにより再生層１４に絞り込まれ、再生層
１４が垂直磁化状態となった部分、すなわち、再生温度
領域１６の範囲のみにおいて、記録層１の情報が静磁結
合により再生層１４に転写され情報が再生されることに
なる。再生層１４が面内磁化状態である部分の記録層１
の情報は再生層１４の面内磁化によりマスクされ、絞り
込まれた光ビームスポットよりも小さな再生温度領域１
６が形成されることにより磁気的超解像再生が実現す
る。ここで、再生温度領域１６においては、記録補助層
３が面内磁化状態であり、記録層１及び書き込み層１３
の再生層１４と反対側に面内磁化膜が静磁結合状態で存
在することになる。このような記録補助層３を設けるこ
とにより、記録層１及び書き込み層１３から発生する漏
洩磁界が効率よく閉じ込めるられ、再生層１４に対し
て、より強い漏洩磁界を及ぼすことが可能となる。その
結果として、超解像再生信号品質を改善することが可能
となる。
【０１９３】また、その記録方式としては、キュリー温
度記録方式が用いられており、図１７に示すように、半
導体レーザから出射される光ビーム４が対物レンズによ
り再生層１４及び記録層１及び書き込み層１３に絞り込
まれ、温度上昇した部分の記録層１及び書き込み層１３
の磁化方向を外部磁界６の方向と平行にすることにより
記録が行われる。ここで、記録層１よりもキュリー温度
の高い書き込み層１３が記録層１に接して形成されてい
るため、記録層１への記録は、記録層１のキュリー温度
以上における書き込み層１３の磁化状態により決定され
る。書き込み層１３は記録層１に比較して外部磁界に対
して感度の高い磁性膜が用いられており、記録層１が単
独で存在する場合と比較して、より小さな外部磁界での
磁化反転が可能となる。
度記録方式が用いられており、図１７に示すように、半
導体レーザから出射される光ビーム４が対物レンズによ
り再生層１４及び記録層１及び書き込み層１３に絞り込
まれ、温度上昇した部分の記録層１及び書き込み層１３
の磁化方向を外部磁界６の方向と平行にすることにより
記録が行われる。ここで、記録層１よりもキュリー温度
の高い書き込み層１３が記録層１に接して形成されてい
るため、記録層１への記録は、記録層１のキュリー温度
以上における書き込み層１３の磁化状態により決定され
る。書き込み層１３は記録層１に比較して外部磁界に対
して感度の高い磁性膜が用いられており、記録層１が単
独で存在する場合と比較して、より小さな外部磁界での
磁化反転が可能となる。
【０１９４】また、記録補助層３が書き込み層１３に対
して静磁結合する形で形成されており、記録補助層３
は、温度上昇していない領域において、膜面に対して面
内方向に磁化を有する面内磁化状態であり、記録温度領
域５において、膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂
直磁化状態となる磁性膜が用いられており、記録温度領
域５において、書き込み層１３に対して、外部から磁界
が加えられることにより、書き込み層１３の磁化方向が
外部から加えられた磁界の方向と平行となり、温度低下
にともない記録層１の磁化方向が書き込み層１３の磁化
方向にそろうことによりる記録が行われる。
して静磁結合する形で形成されており、記録補助層３
は、温度上昇していない領域において、膜面に対して面
内方向に磁化を有する面内磁化状態であり、記録温度領
域５において、膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂
直磁化状態となる磁性膜が用いられており、記録温度領
域５において、書き込み層１３に対して、外部から磁界
が加えられることにより、書き込み層１３の磁化方向が
外部から加えられた磁界の方向と平行となり、温度低下
にともない記録層１の磁化方向が書き込み層１３の磁化
方向にそろうことによりる記録が行われる。
【０１９５】本実施の形態６においては、記録補助層３
が記録温度領域５の外側において面内磁化状態であり、
記録温度領域５の内側において垂直磁化状態となるた
め、記録温度領域５の外側においては、記録補助層３か
らの漏洩磁界が存在せず、記録温度領域５の内側におい
て、記録補助層３から発生する漏洩磁界７が存在するこ
とになる。ここで、記録補助層４の磁化方向は外部磁界
６の方向と平行になるため、記録補助層３から発生する
漏洩磁界７も外部磁界６と平行となる。したがって、書
き込み層１３に対して、外部磁界６と記録補助層３から
発生する漏洩磁界７とが外部から加えられた磁界として
働くため、従来より小さな外部磁界で記録が可能とな
る。また、再生層１も記録温度領域５において垂直磁化
状態となっているが、記録温度領域５においては、記録
層１及び書き込み層１３がキュリー温度近傍まで温度上
昇しており、記録層１及び書き込み層１３から再生層１
４へ働く静磁結合は極めて小さくなるため、再生層１４
の記録温度領域５における磁化方向も外部磁界６の方向
と同一方向となり、漏洩磁界７と同様に外部磁界６によ
る記録を補助する方向に働くことになる。
が記録温度領域５の外側において面内磁化状態であり、
記録温度領域５の内側において垂直磁化状態となるた
め、記録温度領域５の外側においては、記録補助層３か
らの漏洩磁界が存在せず、記録温度領域５の内側におい
て、記録補助層３から発生する漏洩磁界７が存在するこ
とになる。ここで、記録補助層４の磁化方向は外部磁界
６の方向と平行になるため、記録補助層３から発生する
漏洩磁界７も外部磁界６と平行となる。したがって、書
き込み層１３に対して、外部磁界６と記録補助層３から
発生する漏洩磁界７とが外部から加えられた磁界として
働くため、従来より小さな外部磁界で記録が可能とな
る。また、再生層１も記録温度領域５において垂直磁化
状態となっているが、記録温度領域５においては、記録
層１及び書き込み層１３がキュリー温度近傍まで温度上
昇しており、記録層１及び書き込み層１３から再生層１
４へ働く静磁結合は極めて小さくなるため、再生層１４
の記録温度領域５における磁化方向も外部磁界６の方向
と同一方向となり、漏洩磁界７と同様に外部磁界６によ
る記録を補助する方向に働くことになる。
【０１９６】本発明の実施の形態６について図１８に基
づいて説明すれば以下の通りである。本実施の形態６で
は、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場
合について説明する。
づいて説明すれば以下の通りである。本実施の形態６で
は、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適用した場
合について説明する。
【０１９７】本実施の形態６に係る光磁気ディスクは、
図１８に示すように、基板８、透明誘電体層９、再生層
１４、非磁性中間層１５、記録層１、書き込み層１３、
非磁性中間層２、記録補助層３、保護層１０、オーバー
コート層１１が、この順にて積層されたディスク本体を
有している。
図１８に示すように、基板８、透明誘電体層９、再生層
１４、非磁性中間層１５、記録層１、書き込み層１３、
非磁性中間層２、記録補助層３、保護層１０、オーバー
コート層１１が、この順にて積層されたディスク本体を
有している。
【０１９８】基板８、透明誘電体層９、再生層１４、非
磁性中間層１５、非磁性中間層２、記録補助層３、保護
層１０、オーバーコート層１１については、実施の形態
５と同様にして形成される。
磁性中間層１５、非磁性中間層２、記録補助層３、保護
層１０、オーバーコート層１１については、実施の形態
５と同様にして形成される。
【０１９９】記録層１と書き込み層１３は、希土類遷移
金属合金からなる垂直磁化膜からなり、書き込み層１３
が記録層１と交換結合すべく形成されており、記録層１
の磁界に対する感度を改善すべく、書き込み層１３が記
録層１よりも高いキュリー温度に設定されることことが
必要である。
金属合金からなる垂直磁化膜からなり、書き込み層１３
が記録層１と交換結合すべく形成されており、記録層１
の磁界に対する感度を改善すべく、書き込み層１３が記
録層１よりも高いキュリー温度に設定されることことが
必要である。
【０２００】以下、本実施の形態の具体例について
（１）光磁気ディスクの形成方法、（２）記録再生特性
に分けて説明する。
（１）光磁気ディスクの形成方法、（２）記録再生特性
に分けて説明する。
【０２０１】（１）光磁気ディスクの形成方法 まず、Ａｌターゲットと、ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ターゲ
ットと、再生層１４と書き込み層１３と記録補助層３に
対応する３種類のＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットとをそれ
ぞれ備えたスパッタ装置内に、プリグルーブ及びプリピ
ットを有しディスク状に形成されたポリカーボネート製
の基板８を基板ホルダーに配置する。スパッタ装置内を
１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンと窒
素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給し
て、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、基板８にＡｌ
Ｎからなる透明誘電体層９を膜厚８０ｎｍで形成した。
ットと、再生層１４と書き込み層１３と記録補助層３に
対応する３種類のＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットとをそれ
ぞれ備えたスパッタ装置内に、プリグルーブ及びプリピ
ットを有しディスク状に形成されたポリカーボネート製
の基板８を基板ホルダーに配置する。スパッタ装置内を
１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンと窒
素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給し
て、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、基板８にＡｌ
Ｎからなる透明誘電体層９を膜厚８０ｎｍで形成した。
【０２０２】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
再生層１４に対応するＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電
力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非
磁性中間層２上に、Ｇｄ0.30（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.70
からなる再生層１４を膜厚２０ｎｍで形成した。その再
生層１４は、１００℃まで膜面に対して面内方向に磁化
を有する面内磁化状態であり、１００℃以上の温度にお
いて膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化状態
であった。また、再生層１４のキュリー温度は２５０℃
であった。
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
再生層１４に対応するＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電
力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非
磁性中間層２上に、Ｇｄ0.30（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.70
からなる再生層１４を膜厚２０ｎｍで形成した。その再
生層１４は、１００℃まで膜面に対して面内方向に磁化
を有する面内磁化状態であり、１００℃以上の温度にお
いて膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化状態
であった。また、再生層１４のキュリー温度は２５０℃
であった。
【０２０３】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、再生層１４上にＡｌＮからなる非
磁性中間層１５を膜厚２０ｎｍで形成した。
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、再生層１４上にＡｌＮからなる非
磁性中間層１５を膜厚２０ｎｍで形成した。
【０２０４】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガ
ス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非磁性中間層１５上
に、（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）0.23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）
0.77からなる記録層１を膜厚４０ｎｍで形成した。その
記録層１は、そのキュリー温度まで膜面に対して垂直方
向に磁化を有する垂直磁化膜であり、補償温度が２５
℃、キュリー温度が２７５℃であった。
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＧｄＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガ
ス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非磁性中間層１５上
に、（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）0.23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）
0.77からなる記録層１を膜厚４０ｎｍで形成した。その
記録層１は、そのキュリー温度まで膜面に対して垂直方
向に磁化を有する垂直磁化膜であり、補償温度が２５
℃、キュリー温度が２７５℃であった。
【０２０５】次に、書き込み層１３に対応するＧｄＦｅ
Ｃｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒとし、上記記録層１上に、Ｇｄ0.25（Ｆｅ
0.75Ｃｏ0.25）0.75からなる書き込み層１３を膜厚２０
ｎｍで形成した。書き込み層１３は、そのキュリー温度
まで膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化膜で
あり、そのキュリー温度が３２０℃であった。
Ｃｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒとし、上記記録層１上に、Ｇｄ0.25（Ｆｅ
0.75Ｃｏ0.25）0.75からなる書き込み層１３を膜厚２０
ｎｍで形成した。書き込み層１３は、そのキュリー温度
まで膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化膜で
あり、そのキュリー温度が３２０℃であった。
【０２０６】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層１上にＡｌＮからなる非磁
性中間層２を膜厚５ｎｍで形成した。
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層１上にＡｌＮからなる非磁
性中間層２を膜厚５ｎｍで形成した。
【０２０７】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
記録補助層３に対応するＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに
電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記
非磁性中間層２上に、Ｇｄ0.31（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）
0.69からなる記録補助層３を膜厚６０ｎｍで形成した。
その記録補助層３は、２５℃において面内磁化状態であ
り、２００℃以上の温度において垂直磁化状態であっ
た。また、記録補助層３のキュリー温度は３２０℃であ
った。
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
記録補助層３に対応するＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに
電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記
非磁性中間層２上に、Ｇｄ0.31（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）
0.69からなる記録補助層３を膜厚６０ｎｍで形成した。
その記録補助層３は、２５℃において面内磁化状態であ
り、２００℃以上の温度において垂直磁化状態であっ
た。また、記録補助層３のキュリー温度は３２０℃であ
った。
【０２０８】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層４上にＡｌＮからなる保護
層１０を膜厚２０ｎｍとして形成した。
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層４上にＡｌＮからなる保護
層１０を膜厚２０ｎｍとして形成した。
【０２０９】次に、上記保護層１０上に、紫外線硬化樹
脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射するこ
とによりオーバーコート層１１を形成した。
脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射するこ
とによりオーバーコート層１１を形成した。
【０２１０】（２）記録再生特性 上記ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用い
た光ピックアップにより測定したＣＮＲ（信号対雑音
比）の記録磁界依存性を実施例６として図１９に示す。
比較のため、非磁性中間層２及び記録補助層３を形成し
ていない従来の超解像光磁気記録媒体におけるＣＮＲの
記録磁界依存性を比較例６として同図に示す。また、こ
こで示すＣＮＲの記録磁界依存性は、トラックピッチ
１．１μｍ・記録磁区ピッチ１．２μｍ・再生パワー
２．５ｍＷの条件で測定された結果を示している。ま
た、それぞれのディスクにおいて、最大のＣＮＲが得ら
れるように記録パワーを変えて、ＣＮＲ測定を行った。
た光ピックアップにより測定したＣＮＲ（信号対雑音
比）の記録磁界依存性を実施例６として図１９に示す。
比較のため、非磁性中間層２及び記録補助層３を形成し
ていない従来の超解像光磁気記録媒体におけるＣＮＲの
記録磁界依存性を比較例６として同図に示す。また、こ
こで示すＣＮＲの記録磁界依存性は、トラックピッチ
１．１μｍ・記録磁区ピッチ１．２μｍ・再生パワー
２．５ｍＷの条件で測定された結果を示している。ま
た、それぞれのディスクにおいて、最大のＣＮＲが得ら
れるように記録パワーを変えて、ＣＮＲ測定を行った。
【０２１１】図１４に示す実施例５及び比較例５におけ
るＣＮＲの飽和値と同様に、実施例６及び比較例６にお
いても４９ｄＢのＣＮＲが得られており、実施例６及び
比較例６においても、再生層における面内磁化マスクに
よる超解像再生が実現し、再生分解能が上昇しているこ
とが確認された。
るＣＮＲの飽和値と同様に、実施例６及び比較例６にお
いても４９ｄＢのＣＮＲが得られており、実施例６及び
比較例６においても、再生層における面内磁化マスクに
よる超解像再生が実現し、再生分解能が上昇しているこ
とが確認された。
【０２１２】また、図１９において、比較例６のＣＮＲ
は、記録磁界−１１．０ｋＡ／ｍにおいてＣＮＲがゼロ
であり、−１１．０ｋＡ／ｍの磁界で消去可能であるこ
とがわかる。また、記録磁界１１．０ｋＡ／ｍでＣＮＲ
が飽和しており、１１．０ｋＡ／ｍの磁界で記録可能で
あることがわかる。一方、実施例５の光磁気ディスクに
おいては、記録磁界−３．０ｋＡ／ｍにおいてＣＮＲが
ゼロであり、−３．０ｋＡ／ｍの磁界で消去可能である
ことがわかる。また、記録磁界３．０ｋＡ／ｍにおいて
ＣＮＲが飽和しており、３．０ｋＡ／ｍの磁界で記録可
能であることがわかる。
は、記録磁界−１１．０ｋＡ／ｍにおいてＣＮＲがゼロ
であり、−１１．０ｋＡ／ｍの磁界で消去可能であるこ
とがわかる。また、記録磁界１１．０ｋＡ／ｍでＣＮＲ
が飽和しており、１１．０ｋＡ／ｍの磁界で記録可能で
あることがわかる。一方、実施例５の光磁気ディスクに
おいては、記録磁界−３．０ｋＡ／ｍにおいてＣＮＲが
ゼロであり、−３．０ｋＡ／ｍの磁界で消去可能である
ことがわかる。また、記録磁界３．０ｋＡ／ｍにおいて
ＣＮＲが飽和しており、３．０ｋＡ／ｍの磁界で記録可
能であることがわかる。
【０２１３】すなわち、従来の比較例６の超解像光磁気
ディスクにおいて、±１１．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界
が必要となるのに対して、実施例６の超解像光磁気ディ
スクにおいては、±３．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界で十
分であることが確認された。ここで、比較例３の記録消
去磁界±５．０ｋＡ／ｍに比べて、比較例６の記録消去
磁界が±１１．０ｋＡ／ｍと大きくなっているが、比較
例６において超解像再生特性を最適化すべく、記録層１
として比較例３と異なる磁気特性及び膜厚を採用してい
ることに起因する。実施例６においても比較例６と同じ
特性の記録層１を採用していることにより、実施例３の
記録消去磁界より大きな磁界が必要となる。
ディスクにおいて、±１１．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界
が必要となるのに対して、実施例６の超解像光磁気ディ
スクにおいては、±３．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界で十
分であることが確認された。ここで、比較例３の記録消
去磁界±５．０ｋＡ／ｍに比べて、比較例６の記録消去
磁界が±１１．０ｋＡ／ｍと大きくなっているが、比較
例６において超解像再生特性を最適化すべく、記録層１
として比較例３と異なる磁気特性及び膜厚を採用してい
ることに起因する。実施例６においても比較例６と同じ
特性の記録層１を採用していることにより、実施例３の
記録消去磁界より大きな磁界が必要となる。
【０２１４】本実施例においては、再生層１４として膜
厚２０ｎｍのＧｄ0.30（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.70を用
い、非磁性中間層１５として膜厚２０ｎｍのＡｌＮを用
い、記録層１として膜厚４０ｎｍの（Ｇｄ0.50Ｄ
ｙ0.50）0.23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.77を用い、書き込
み層１３として膜厚２０ｎｍのＧｄ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ
0.25）0.75を用い、非磁性中間層２として膜厚５ｎｍの
ＡｌＮを用い、記録補助層３として膜厚６０ｎｍのＧｄ
0.31（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0.69を用いた場合の結果につ
いて示しているが、これに限定されるものではない。
厚２０ｎｍのＧｄ0.30（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.70を用
い、非磁性中間層１５として膜厚２０ｎｍのＡｌＮを用
い、記録層１として膜厚４０ｎｍの（Ｇｄ0.50Ｄ
ｙ0.50）0.23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.77を用い、書き込
み層１３として膜厚２０ｎｍのＧｄ0.25（Ｆｅ0.75Ｃｏ
0.25）0.75を用い、非磁性中間層２として膜厚５ｎｍの
ＡｌＮを用い、記録補助層３として膜厚６０ｎｍのＧｄ
0.31（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0.69を用いた場合の結果につ
いて示しているが、これに限定されるものではない。
【０２１５】再生層１４としては、室温で面内磁化状態
であり、再生温度領域１６において垂直磁化状態となれ
ばよく、希土類金属としてＧｄを主成分としたＧｄＤｙ
ＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の希土類
遷移金属合金を使用することが可能である。また再生層
１４の膜厚としては、十分な超解像再生効果を得るた
め、５ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることが望ましい。
であり、再生温度領域１６において垂直磁化状態となれ
ばよく、希土類金属としてＧｄを主成分としたＧｄＤｙ
ＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の希土類
遷移金属合金を使用することが可能である。また再生層
１４の膜厚としては、十分な超解像再生効果を得るた
め、５ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることが望ましい。
【０２１６】非磁性中間層１５としては、他にＳｉＮ，
ＳｉＡｌＮ，ＴａＯ2等の透明誘電体膜、及び、Ａｌ，
Ｔｉ，Ｔａ等の非磁性金属合金を使用することが可能で
ある。また、記録層１と再生層１４との間の良好な静磁
結合状態を実現するため、非磁性中間層１５の膜厚が１
ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることが望ましい。
ＳｉＡｌＮ，ＴａＯ2等の透明誘電体膜、及び、Ａｌ，
Ｔｉ，Ｔａ等の非磁性金属合金を使用することが可能で
ある。また、記録層１と再生層１４との間の良好な静磁
結合状態を実現するため、非磁性中間層１５の膜厚が１
ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることが望ましい。
【０２１７】記録層１としては、希土類金属としてＤｙ
又はＴｂを主成分としたＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，
ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣ
ｏ等の希土類遷移金属合金を使用することが可能であ
り、書き込み層１３としては、実施の形態３の表１０に
おいて記載したと同じＧｄＦｅＣｏを使用することが可
能である。また、記録層１と書き込み層１３の膜厚とし
ては、実施例３と同様にする必要がある。すなわち、記
録層１の膜厚が１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であり、書き
込み層１３の膜厚が５ｎｍ以上８０ｎｍ以下である必要
がある。
又はＴｂを主成分としたＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，
ＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣ
ｏ等の希土類遷移金属合金を使用することが可能であ
り、書き込み層１３としては、実施の形態３の表１０に
おいて記載したと同じＧｄＦｅＣｏを使用することが可
能である。また、記録層１と書き込み層１３の膜厚とし
ては、実施例３と同様にする必要がある。すなわち、記
録層１の膜厚が１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であり、書き
込み層１３の膜厚が５ｎｍ以上８０ｎｍ以下である必要
がある。
【０２１８】非磁性中間層２としては、他にＳｉＮ，Ｓ
ｉＡｌＮ，ＴａＯ2等の透明誘電体膜、及び、Ａｌ，Ｔ
ｉ，Ｔａ等の非磁性金属合金を使用することが可能であ
る。また、記録層１と記録補助層３との間の良好な静磁
結合状態を実現するため、非磁性中間層２の膜厚が１ｎ
ｍ以上８０ｎｍ以下であることが望ましい。
ｉＡｌＮ，ＴａＯ2等の透明誘電体膜、及び、Ａｌ，Ｔ
ｉ，Ｔａ等の非磁性金属合金を使用することが可能であ
る。また、記録層１と記録補助層３との間の良好な静磁
結合状態を実現するため、非磁性中間層２の膜厚が１ｎ
ｍ以上８０ｎｍ以下であることが望ましい。
【０２１９】記録補助層３としては、室温で面内磁化状
態であり、記録温度領域５において垂直磁化状態となれ
ばよく、希土類金属としてＧｄを主成分としたＧｄＤｙ
ＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の希土類
遷移金属合金を使用することが可能である。また記録補
助層３の膜厚としては、記録消去磁界低減が実現され、
かつ、良好な記録特性を得るべく、１０ｎｍ以上２００
ｎｍ以下であることが望ましい。
態であり、記録温度領域５において垂直磁化状態となれ
ばよく、希土類金属としてＧｄを主成分としたＧｄＤｙ
ＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の希土類
遷移金属合金を使用することが可能である。また記録補
助層３の膜厚としては、記録消去磁界低減が実現され、
かつ、良好な記録特性を得るべく、１０ｎｍ以上２００
ｎｍ以下であることが望ましい。
【０２２０】次に、本実施の形態６における記録補助層
３を実施の形態２に記載の記録補助層３と面内磁化層１
２に置き換えることにより、実施の形態６記載の超解像
再生効果と記録消去磁界の低減を実現することが可能で
ある。
３を実施の形態２に記載の記録補助層３と面内磁化層１
２に置き換えることにより、実施の形態６記載の超解像
再生効果と記録消去磁界の低減を実現することが可能で
ある。
【０２２１】ここでは、図２０に示すように、基板８、
透明誘電体層９、再生層１４、非磁性中間層１５、記録
層１、書き込み層１３、非磁性中間層２、記録補助層
３、面内磁化層１２、保護層１０、オーバーコート層１
１が、この順にて積層されたディスクについて調査し
た。
透明誘電体層９、再生層１４、非磁性中間層１５、記録
層１、書き込み層１３、非磁性中間層２、記録補助層
３、面内磁化層１２、保護層１０、オーバーコート層１
１が、この順にて積層されたディスクについて調査し
た。
【０２２２】基板８、透明誘電体層９、再生層１４、非
磁性中間層１５、記録層１、書き込み層１３、非磁性中
間層２、保護層１０、オーバーコート層１１について
は、実施例６と同様にして形成される。また、記録補助
層３、面内磁化層１２は、実施例２と同様にして形成さ
れる。
磁性中間層１５、記録層１、書き込み層１３、非磁性中
間層２、保護層１０、オーバーコート層１１について
は、実施例６と同様にして形成される。また、記録補助
層３、面内磁化層１２は、実施例２と同様にして形成さ
れる。
【０２２３】上記ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体
レーザを用いた光ピックアップによりＣＮＲの記録磁界
依存性を測定した結果、図１９に示す実施例６と同様な
特性を得ることができた。すなわち、実施例６記載の記
録補助層３を実施例２記載の記録補助層３と面内磁化層
１２とに置き換えた場合においても、実施例６と同様に
超解像再生効果により４９ｄＢのＣＮＲが得られるとと
もに、±３．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界で記録消去が可
能であるこことが確認された。
レーザを用いた光ピックアップによりＣＮＲの記録磁界
依存性を測定した結果、図１９に示す実施例６と同様な
特性を得ることができた。すなわち、実施例６記載の記
録補助層３を実施例２記載の記録補助層３と面内磁化層
１２とに置き換えた場合においても、実施例６と同様に
超解像再生効果により４９ｄＢのＣＮＲが得られるとと
もに、±３．０ｋＡ／ｍの記録消去磁界で記録消去が可
能であるこことが確認された。
【０２２４】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体によれば、情報
の記録時、記録補助層の磁化方向が外部磁界により記録
情報に対応した磁化方向（垂直方向）に向けられ、漏洩
磁界が発生する。これにより、記録層には、漏洩磁界と
外部磁界とを足し合わせた磁界が作用することとなる。
したがって、外部磁界のみで情報を記録する場合より
も、低磁界で記録行うことが可能となる。
の記録時、記録補助層の磁化方向が外部磁界により記録
情報に対応した磁化方向（垂直方向）に向けられ、漏洩
磁界が発生する。これにより、記録層には、漏洩磁界と
外部磁界とを足し合わせた磁界が作用することとなる。
したがって、外部磁界のみで情報を記録する場合より
も、低磁界で記録行うことが可能となる。
【０２２５】このように、本発明の光磁気記録媒体は、
記録補助層からの漏洩磁界を記録層に作用させることに
より、記録層に記録を行うことができるものであり、交
換結合力を利用した上記従来例の光磁気記録媒体とは根
本的に異なっている。一般に、記録層に交換結合した磁
性層を磁化反転させるのに必要な外部磁界よりも、温度
上昇と共に垂直磁化状態となる面内磁化層の磁化方向を
加熱下で所望の方向（上または下）に向けるのに必要な
外部磁界の方が低いため、本発明の光磁気記録媒体によ
れば、従来の光磁気記録媒体よりも低磁界で情報を記録
することが可能となる。
記録補助層からの漏洩磁界を記録層に作用させることに
より、記録層に記録を行うことができるものであり、交
換結合力を利用した上記従来例の光磁気記録媒体とは根
本的に異なっている。一般に、記録層に交換結合した磁
性層を磁化反転させるのに必要な外部磁界よりも、温度
上昇と共に垂直磁化状態となる面内磁化層の磁化方向を
加熱下で所望の方向（上または下）に向けるのに必要な
外部磁界の方が低いため、本発明の光磁気記録媒体によ
れば、従来の光磁気記録媒体よりも低磁界で情報を記録
することが可能となる。
【０２２６】記録補助層に交換結合した面内磁化層を設
けることにより、記録補助層の磁化方向が膜面に対して
斜め方向に向くことを抑制することができる。したがっ
て、記録補助層からの漏洩磁界が安定して、記録動作を
確実に行うことが可能となる。
けることにより、記録補助層の磁化方向が膜面に対して
斜め方向に向くことを抑制することができる。したがっ
て、記録補助層からの漏洩磁界が安定して、記録動作を
確実に行うことが可能となる。
【０２２７】更に、記録層に交換結合した書き込み層を
設けることにより、書き込み層を磁化反転させること
で、記録層の磁化方向をも磁化反転させることができ
る。したがって、書き込み層として記録層よりも低磁界
で磁化反転するものを使用すれば、更に低磁界での記録
が可能となる。
設けることにより、書き込み層を磁化反転させること
で、記録層の磁化方向をも磁化反転させることができ
る。したがって、書き込み層として記録層よりも低磁界
で磁化反転するものを使用すれば、更に低磁界での記録
が可能となる。
【０２２８】本発明の光磁気記録方法によれば、光磁気
記録媒体への情報の記録を、外部磁界に記録補助層から
の漏洩磁界を加えた磁界により行うため、印加する外部
磁界を低減することができる。
記録媒体への情報の記録を、外部磁界に記録補助層から
の漏洩磁界を加えた磁界により行うため、印加する外部
磁界を低減することができる。
【０２２９】また、記録補助層内における、磁化方向が
外部磁界の方向に向けられていない部位を、面内磁化状
態とすることにより、記録補助層の磁化状態を容易に外
部磁界の方向に向けることができ、更に低磁界での記録
を実現できる。
外部磁界の方向に向けられていない部位を、面内磁化状
態とすることにより、記録補助層の磁化状態を容易に外
部磁界の方向に向けることができ、更に低磁界での記録
を実現できる。
【０２３０】本発明の光磁気記録装置では、記録層が単
体で存在する場合に、記録温度以上に加熱された部位の
磁化方向を印加磁界の方向に向けるのに要する印加磁界
をＭｒとし、記録補助層の、記録温度以上に加熱された
部位の磁化方向を印加磁界の方向に向けるのに要する印
加磁界をＭｈとしたときに、外部磁界Ｍｇが、Ｍｈ≦Ｍ
ｇ＜Ｍｒに設定されているため、従来よりも印加する外
部磁界が小さく、装置の小型化を図ることができる。
体で存在する場合に、記録温度以上に加熱された部位の
磁化方向を印加磁界の方向に向けるのに要する印加磁界
をＭｒとし、記録補助層の、記録温度以上に加熱された
部位の磁化方向を印加磁界の方向に向けるのに要する印
加磁界をＭｈとしたときに、外部磁界Ｍｇが、Ｍｈ≦Ｍ
ｇ＜Ｍｒに設定されているため、従来よりも印加する外
部磁界が小さく、装置の小型化を図ることができる。
【図１】実施の形態１に係る光磁気ディスクの記録再生
原理を示す説明図である。
原理を示す説明図である。
【図２】実施の形態１に係る光磁気ディスクの記録媒体
の膜構成を示す図である。
の膜構成を示す図である。
【図３】実施の形態１に係る光磁気ディスクの記録再生
特性を示す図である。
特性を示す図である。
【図４】実施の形態２に係る光磁気ディスクの記録再生
原理を示す説明図である。
原理を示す説明図である。
【図５】実施の形態２に係る光磁気ディスクの記録媒体
の膜構成を示す図である。
の膜構成を示す図である。
【図６】実施の形態３に係る光磁気ディスクの記録再生
原理を示す説明図である。
原理を示す説明図である。
【図７】実施の形態３に係る光磁気ディスクの記録媒体
の膜構成を示す図である。
の膜構成を示す図である。
【図８】実施の形態３に係る光磁気ディスクの記録再生
特性を示す図である。
特性を示す図である。
【図９】実施の形態４に係る光磁気ディスクの記録再生
原理を示す説明図である。
原理を示す説明図である。
【図１０】実施の形態４に係る光磁気ディスクの記録媒
体の膜構成を示す図である。
体の膜構成を示す図である。
【図１１】実施の形態５に係る超解像光磁気ディスクの
再生原理を示す説明図である。
再生原理を示す説明図である。
【図１２】実施の形態５に係る超解像光磁気ディスクの
記録原理を説明する図である。
記録原理を説明する図である。
【図１３】実施の形態５に係る超解像光磁気ディスクの
記録媒体の膜構成を示す図である。
記録媒体の膜構成を示す図である。
【図１４】実施の形態５に係る超解像光磁気ディスクの
記録再生特性を示す図である。
記録再生特性を示す図である。
【図１５】実施の形態５に係る超解像光磁気ディスクの
記録媒体の膜構成を示す図である。
記録媒体の膜構成を示す図である。
【図１６】実施の形態６に係る超解像光磁気ディスクの
再生原理を説明する図である。
再生原理を説明する図である。
【図１７】実施の形態６に係る超解像光磁気ディスクの
記録原理を説明する図である。
記録原理を説明する図である。
【図１８】実施の形態６に係る超解像光磁気ディスクの
記録媒体の膜構成を示す図である。
記録媒体の膜構成を示す図である。
【図１９】実施の形態６に係る超解像光磁気ディスクの
記録再生特性を示す図である。
記録再生特性を示す図である。
【図２０】実施の形態６に係る超解像光磁気ディスクの
記録媒体の膜構成を示す図である。
記録媒体の膜構成を示す図である。
１ 記録層 ２ 非磁性中間層 ３ 記録補助層 ４ 光ビーム ５ 記録温度領域 ６ 記録磁界 ７ 漏洩磁界 ８ 基板 ９ 透明誘電体層 １０ 保護層 １１ オーバーコート層 １２ 面内磁化層 １３ 書き込み層 １４ 再生層 １５ 非磁性中間層
Claims (16)
- 【請求項１】 記録温度以上の温度に加熱され、外部磁
界が印加されることにより、情報が記録される記録層を
有してなる光磁気記録媒体において、 前記記録層に静磁結合しており、かつ、室温において面
内磁化状態で、前記記録温度以上において垂直磁化状態
となる記録補助層を有してなることを特徴とする光磁気
記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光磁気記録媒体におい
て、 前記記録層と静磁結合した再生層を有しており、 該再生層は、室温において面内磁化状態であり、再生温
度近傍の温度領域において垂直磁化状態となる材料から
なることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の光磁気
記録媒体において、 キュリー温度が前記記録温度近傍の温度に設定され、前
記記録補助層と交換結合した面内磁化層を有しているこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
の光磁気記録媒体において、 前記記録温度近傍の温度領域内において前記記録層より
も低磁界で磁化反転する材料からなり、前記記録層に交
換結合した書き込み層を有してなることを特徴とする光
磁気記録媒体。 - 【請求項５】 請求項１または請求項２に記載の光磁気
記録媒体において、 前記記録層，第１の非磁性中間層，前記記録補助層，保
護層がこの順に積層されてなり、 前記記録層の膜厚が１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下、 前記第１の非磁性中間層の膜厚が１ｎｍ以上８０ｎｍ以
下、 前記記録補助層の膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、
に設定されてなることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項６】 請求項３に記載の光磁気記録媒体におい
て、 前記記録層，第１の非磁性中間層，前記記録補助層，前
記面内磁化層，保護層がこの順に積層されてなり、 前記記録層の膜厚が１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下、 前記第１の非磁性中間層の膜厚が１ｎｍ以上８０ｎｍ以
下、 前記記録補助層の膜厚が１０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下、 前記面内磁化層の膜厚が５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、に
設定されてなることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項７】 請求項４に記載の光磁気記録媒体におい
て、 前記記録層，前記書き込み層，第１の非磁性中間層，前
記記録補助層，保護層がこの順に積層されてなり、 前記記録層の膜厚が１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下、 前記書き込み層の膜厚が５ｎｍ以上８０ｎｍ以下、 前記第１の非磁性中間層の膜厚が１ｎｍ以上８０ｎｍ以
下、 前記記録補助層の膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、
に設定されてなることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項８】 請求項４に記載の光磁気記録媒体におい
て、 前記記録層，前記書き込み層，第１の非磁性中間層，前
記記録補助層，前記面内磁化層，保護層がこの順に積層
されてなり、 前記記録層の膜厚が１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下、 前記書き込み層の膜厚が５ｎｍ以上８０ｎｍ以下、 前記第１の非磁性中間層の膜厚が１ｎｍ以上８０ｎｍ以
下、 前記記録補助層の膜厚が１０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下、 前記面内磁化層の膜厚が５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、に
設定されてなることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項９】 請求項５または請求項７に記載の光磁気
記録媒体において、 前記記録補助層は、一般式（α１）、及び、条件（α
２）を満足する組成であることを特徴とする光磁気記録
媒体。 ＧｄX1（ＦｅY1Ｃｏ1-Y1）1-X1 ・・・（α１） ０．２９≦Ｘ１≦０．３３ ０．６０≦Ｙ１≦０．８０ ・・・（α２） - 【請求項１０】 請求項５または請求項７に記載の光磁
気記録媒体において、 前記記録層のキュリー温度をＴｃ１とし、前記記録補助
層が垂直磁化状態となる温度をＴｐとした場合、Ｔｃ１
とＴｐとが条件（Ａ）を満足することを特徴とする光磁
気記録媒体。 Ｔｃ１−１２０℃≦Ｔｐ≦Ｔｃ１ ・・・（Ａ） - 【請求項１１】 請求項６または請求項８に記載の光磁
気記録媒体において、 前記記録補助層は、一般式（β１）、及び、条件（β
２）を満足する組成であることを特徴とする光磁気記録
媒体。 ＧｄX2（ＦｅY2Ｃｏ1-Y2）1-X2 ・・・（β１） ０．２２≦Ｘ２≦０．３３ ０．６０≦Ｙ２≦０．８５ ・・・（β２） - 【請求項１２】 請求項６または請求項８に記載の光磁
気記録媒体において、 前記面内磁化層は、一般式（γ１）、及び、条件（γ
２）を満足する組成であることを特徴とする光磁気記録
媒体。 ＧｄX3（ＦｅY3Ｃｏ1-Y3）1-X3 ・・・（γ１） ０．０６≦Ｘ３≦０．１３ または ０．３６≦Ｘ３≦０．８０ ０．８０≦Ｙ３≦１．００ ・・・（γ２） - 【請求項１３】 請求項６または請求項８に記載の光磁
気記録媒体において、 前記記録補助層のキュリー温度をＴｃ３とし、前記面内
磁化層のキュリー温度をＴｃ１２とした場合、Ｔｃ３と
Ｔｃ１２とが条件（Ｂ）を満足することを特徴とする光
磁気記録媒体。 Ｔｃ３−１６０℃≦Ｔｃ１２≦Ｔｃ３−６０℃ ・・・（Ｂ） - 【請求項１４】 少なくとも記録層と記録補助層とが静
磁結合した光磁気記録媒体に、光ビームを照射するとと
もに、外部磁界を印加することで、前記記録層に情報を
記録する光磁気記録方法であって、 前記外部磁界により、前記記録補助層の磁化方向を前記
外部磁界の方向に向け、 前記記録補助層からの漏洩磁界と外部磁界とを足し合わ
せた磁界により、前記記録層の磁化方向を前記外部磁界
の方向に向けることを特徴とする光磁気記録方法。 - 【請求項１５】 請求項１４に記載の光磁気記録方法に
おいて、 前記記録補助層内における、磁化方向が前記外部磁界の
方向に向けられていない部位を、面内方向磁化状態とす
ることを特徴とする光磁気記録方法。 - 【請求項１６】 少なくとも記録層と記録補助層とが静
磁結合した光磁気記録媒体に、光ビームを照射して、記
録部位を記録温度以上に加熱する加熱手段を有してなる
光磁気記録装置において、 前記記録層が単体で存在する場合に、前記記録温度以上
に加熱された部位の磁化方向を印加磁界の方向に向ける
のに要する印加磁界をＭｒとし、 前記記録補助層の、前記記録温度以上に加熱された部位
の磁化方向を印加磁界の方向に向けるのに要する印加磁
界をＭｈとしたときに、 前記記録層及び前記記録補助層の、前記記録部位に対応
する部分に、Ｍｈ≦Ｍｇ＜Ｍｒに設定された外部磁界Ｍ
ｇを印加する外部磁界印加手段を有してなることを特徴
とする光磁気記録装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25420096A JP3660072B2 (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 光磁気記録媒体及びその記録方法並びに光磁気記録装置 |
| US08/935,395 US5985436A (en) | 1996-09-26 | 1997-09-23 | Magneto-optical recording medium, magneto-optical recording method, and magneto-optical recording apparatus |
| KR1019970049028A KR100308857B1 (ko) | 1996-09-26 | 1997-09-26 | 광자기기록매체및그기록방법과광자기기록장치 |
| DE69739421T DE69739421D1 (de) | 1996-09-26 | 1997-09-26 | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium, -verfahren und -gerät |
| EP97307591A EP0833318B1 (en) | 1996-09-26 | 1997-09-26 | Magneto-optical recording medium, magneto-optical recording method, and magneto-optical recording apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25420096A JP3660072B2 (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 光磁気記録媒体及びその記録方法並びに光磁気記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10106055A true JPH10106055A (ja) | 1998-04-24 |
| JP3660072B2 JP3660072B2 (ja) | 2005-06-15 |
Family
ID=17261649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25420096A Expired - Lifetime JP3660072B2 (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 光磁気記録媒体及びその記録方法並びに光磁気記録装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5985436A (ja) |
| EP (1) | EP0833318B1 (ja) |
| JP (1) | JP3660072B2 (ja) |
| KR (1) | KR100308857B1 (ja) |
| DE (1) | DE69739421D1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100447159B1 (ko) * | 1998-08-21 | 2004-12-04 | 엘지전자 주식회사 | 광자기기록매체 |
| FR2798855B1 (fr) * | 1999-09-28 | 2003-04-25 | Oreal | Utilisation de complexes inorganiques-organiques dans une composition a usage topique |
| JP2003296985A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-17 | Samsung Electronics Co Ltd | 反応拡散を利用する記録方法、この方法を利用する記録媒体及びこの記録媒体を利用する記録再生装置 |
| US7161755B1 (en) * | 2002-04-08 | 2007-01-09 | Maxtor Corporation | Increasing areal density in magnetic recording media |
| US7462609B2 (en) | 2002-12-09 | 2008-12-09 | Arizona Board Of Regents | Narcistatin prodrugs |
| JP2005050400A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JP2005108292A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Hitachi Maxell Ltd | 光磁気記録媒体 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3126459B2 (ja) * | 1992-01-23 | 2001-01-22 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録方法および光磁気記録装置 |
| DE69327711T2 (de) * | 1992-07-29 | 2000-06-29 | Seiko Epson Corp., Tokio/Tokyo | Magnetooptisches aufzeichnungsmedium und verfahren zu seiner herstellung |
| DE69331924T2 (de) * | 1992-08-28 | 2002-10-10 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium und Informationsaufzeichungs- und Wiedergabeverfahren damit |
| JPH0696479A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Nikon Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH06131717A (ja) * | 1992-10-19 | 1994-05-13 | Kuraray Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH06208736A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-07-26 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| US6261707B1 (en) * | 1992-11-06 | 2001-07-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and recording and reproducing method and optical head designed for the magneto-optical recording medium |
| JP2957367B2 (ja) * | 1993-01-07 | 1999-10-04 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体およびその記録方法と記録再生方法 |
| JP2954440B2 (ja) * | 1993-01-22 | 1999-09-27 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 |
| JP3088619B2 (ja) * | 1994-01-17 | 2000-09-18 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体及び該媒体に記録された情報の再生方法 |
| JPH07320319A (ja) * | 1994-05-26 | 1995-12-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 光磁気記録メディア |
| US5771211A (en) * | 1995-04-26 | 1998-06-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magneto-optical recording media having a reading layer with a specified range of temperature coefficients of a kerr rotation angle |
-
1996
- 1996-09-26 JP JP25420096A patent/JP3660072B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-09-23 US US08/935,395 patent/US5985436A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-26 KR KR1019970049028A patent/KR100308857B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-09-26 DE DE69739421T patent/DE69739421D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-26 EP EP97307591A patent/EP0833318B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100308857B1 (ko) | 2001-11-22 |
| EP0833318B1 (en) | 2009-05-27 |
| US5985436A (en) | 1999-11-16 |
| EP0833318A2 (en) | 1998-04-01 |
| EP0833318A3 (en) | 2000-08-30 |
| DE69739421D1 (de) | 2009-07-09 |
| JP3660072B2 (ja) | 2005-06-15 |
| KR19980025025A (ko) | 1998-07-06 |
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Legal Events
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