JPH0992921A - 半導体レーザと光変調器との集積化光源およびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザと光変調器との集積化光源およびその製造方法Info
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- JPH0992921A JPH0992921A JP24433095A JP24433095A JPH0992921A JP H0992921 A JPH0992921 A JP H0992921A JP 24433095 A JP24433095 A JP 24433095A JP 24433095 A JP24433095 A JP 24433095A JP H0992921 A JPH0992921 A JP H0992921A
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Abstract
波路厚変化によって生じるこの構造特有のキンクモード
を抑制し、単一軸モード発振歩留まりの向上を図ること
ができる集積化光源およびその製造方法を提供すること
にある。 【解決手段】 基板1上に半導体レーザと光変調器とを
形成する際、選択MOVPE法により成長阻止マスク6
を用いて半導体層8〜12を成長させて形成し、この
際、半導体レーザ領域3と光変調器領域4との間の緩や
かに導波路厚が変化している120μmの遷移領域のう
ち、単一軸モード発振歩留まりの悪化している光変調器
領域4の約40μmおよび半導体レーザ領域3の約20
μmの合計60μm(遷移領域の50%)の範囲に回折
格子2が形成されないように、半導体レーザ領域3の側
で、成長阻止マスク6の幅が変化する位置から30μm
入った位置までを除く範囲(遷移領域の約42%)に回
折格子2が形成されている。
Description
ーザと電界吸収型変調器とが同一基板上に形成されてい
る集積化光源およびその製造方法に関し、特に、安定な
単一軸モード発振動作を高歩留まりで実現できる集積化
光源およびその製造方法に関する。
レーザは主として通信用として使用されるものである。
・大容量伝送を可能とする通信システムが強く要求され
ている。通信システムの中でも、光通信システムは潜在
的に高速・大容量性を備えており、現在最も注目を集め
ている。このような大容量通信システムには変調時の波
長揺らぎ(波長チャーピング)の小さい光源が不可欠
で、これの低減には外部変調方式が有効でありこれまで
多くのデバイスが提案され、伝送実験に適用されてき
た。特に、ニオブ酸リチュウムによるマッハツエンダー
型変調器は研究の歴史も長く、プッシュブル動作による
波長チャーピングの生じない変調動作が可能である。し
かし、DC(直流)ドリフトによる信頼性への不安や屈
折率変化が小さいことによる素子の長尺化などまだ解決
されいない問題が多数ある。
器と異なり電界印加時の吸収損失変化を用いて変調動作
を実現する。電界吸収型変調器は、マッハツエンダー変
調器に比べて200μmと素子長を大幅に短尺化するこ
とを可能とし、量産化に適する利点を有する。また、電
界吸収型変調器では駆動電圧が2V以下と小さいことか
ら、変調器駆動ドライバにかかる負担が小さく、駆動回
路の集積回路(IC)化が容易である。さらに、電界吸
収型変調器は、InP基板を用いて容易に作製できるた
め、光源である分布帰還型半導体レーザと同一基板上に
容易に集積できる。
イドから強く要求されていることもあって、このような
分布帰還型半導体レーザと電界吸収型変調器とを同一基
板上に集積した集積化光源は多くの研究機関により精力
的に検討されている。
と電界吸収型変調器とを同一基板上に形成した集積化光
源の作製には半導体層のエッチングおよび再成長による
方法が用いられていた。しかし、基板面内のプロセス不
均一に伴う素子特性のバラツキ、ドライエッチング時に
表面に生成されるダメージ層の吸収損失、などが、大面
積かつ高均一化が要求される光集積回路を実用化する上
で、問題となっていた。これらの問題点を解決する新し
い光半導体素子の製造技術として、半導体基板上にスト
ライプ状の開口部を挟んで対抗した成長阻止マスクを設
け、この開口部に有機金属気相成長法(以下MOVPE
法)を用いて部分的に半導体層をエピタキシャル成長す
る技術(以下選択MOVPE法)が注目されている。
体層をエッチングすることなく光導波路素子を作製する
ことが可能となり、製造工程の簡略化、制御性・均一性
の大幅な向上が実現できるなど、量産性の優れた製造方
法が得られる。また、選択成長時の側面は、原子層オー
ダで平坦化されており、ここでの散乱損失の低下による
低損失性に優れる利点を有する。さらに、選択成長層の
層厚や組成が両脇に形成された成長阻止マスクの幅に依
存する特性を巧みに利用することにより、わずか一回の
結晶成長で同一基板上に複数のエネルギーギャップの異
なる導波路を形成することが可能となる。すなわち、成
長阻止マスクの幅を変えるだけで成長層の組成波長を変
化させることがT. Kato らによって、ELECTRONICS LETT
ERS 誌VOL. 28, No. 2(1992年1月16日号)第1
53ページから第154ページにわたり述べられてい
る。この選択MOVPE法の技術は、同一基板上に複数
のエネルギーギャップを要する光集積素子の作製におい
て非常に魅力的である。
還半導体レーザと電界吸収型変調器とをモノシリックに
集積化した集積化光源、並びにDBR( Distributed B
raggReflector)領域、位相制御領域、および活性領域
を同一基板上に集積するDBRレーザ、などが実現され
ている。こにように上記技術は、生産性や素子歩留まり
の向上をもたらす画期的なものである。
れたSi O2 開口部に選択的に導波路およびLD(レー
ザダイオード)活性層を成長させ、さらに、開口部両脇
のマスク幅を変化させることにより、200nm程度の
広い範囲にわたり遷移波長を変化させる画期的な技術で
ある。しかしながら、導波路厚が開口部両脇のマスク幅
を変化させた周辺で緩やかに変化している。
た場合の構造例を示す横断面図(A)、および、この周
辺でのPL(Photo Luminescence)ピーク波長の変化を
示すグラフ(B)である。ここで、開口部80のMQW
(Multi-Quantum Well)構造は選択MOVPE法により
成長しており、PLピーク波長は量子井戸の層厚変動を
示すと考えられる。図3(A)に示される2μmの開口
部80は、この両脇に、半導体レーザ領域と光変調器領
域とのほぼ境界位置(図3(B)に示される“0μm”
位置)から、半導体レーザ領域側で30μm幅の成長阻
止マスク81を、また、光変調器領域側で6μm幅の成
長阻止マスク81を有しており、この構造によるPLピ
ーク波長の実測値は、図3(B)に示されるように、半
導体レーザ領域側にほぼ80μm、また、光変調器領域
側にほぼ40μmの範囲で変化している。すなわち、P
Lピーク波長は、約120μm程度の範囲にわたり緩や
かに変化していることから、導波路の膜厚は緩やかに変
化していると考えられる。
製した分布帰還型半導体レーザと電界吸収型変調器との
集積化による集積化光源の断面構造図を示す。素子作製
の手順は、部分的に回折格子97が形成されたn−In
P基板91上に成長阻止マスク99を“Si O2 ”によ
り形成したのち、選択MOVPE法により、“InGa
AsP”(λg =1.3μm)の光ガイド層98、In
GaAsPバリア層(λg =1.3μm)とInGaA
sウェル層とからなるMQW活性/吸収層93、および
p−InP層92を成長し、DH(Double Heterostruc
ture)構造を形成する。このDH構造は、幅1.5μm
の導波路両脇の成長阻止マスク99を合計6μmまで拡
幅したのち、再び選択MOVPE法によりp−InP
層、p+ −InGaAsキャップ層94を成長させる。
この後、n基板研磨、p電極95・n電極96の蒸着、
p電極95のパターニング、および電極アロイそれぞれ
の工程を経て、レーザダイオード(LD)が完成する。
に形成された均一周期の回折格子により特定の波長にお
いて強い反射が生じる。しかしながら、実際の素子作製
においては、結晶成長時の組成、膜厚変動による特性へ
の影響が懸念される。特に、選択MOVPE法により分
布帰還半導体レーザと電界吸収型変調器との集積化によ
る集積化光源を作製した場合では、前述したようにレー
ザダイオードと変調器との間で導波路厚が変化すること
から、これのDFBレーザ発振特性、特に単一軸モード
発振歩留まりへの影響が懸念される。
を形成する導波路の等価屈折率変化が及ぼす単一軸モー
ド発振歩留まりの影響を計算した結果を示したグラフ
(B)、および、導波路32の膜厚の変動による遷移領
域33に回析格子31を重ねて示した相対配置説明図
(A)である。分布帰還型半導体レーザと光変調器との
間の導波路32の膜厚変化はPLピーク波長の実験結果
から推定した。図中ΔgLは主モードと副モードとの正
規化閾値利得差を示し、これが小さいほど多モード発振
が発生し易くなる。
おり選択MOVPE法による成長によって、分布帰還型
半導体レーザ領域で導波路32の膜厚が変化している遷
移領域33に依存する回折格子31の長さを示す。図5
から明らかなように、Δtが60μm以上の領域、すな
わち導波路32の膜厚が変化している遷移領域33全体
の50%以上に回折格子31を形成した場合では、著し
い単一軸モード発振歩留まりの低下が生じているのが判
る。この傾向は、Δtが大きい場合、換言すれば、分布
帰還型半導体レーザを形成する導波路32の膜厚変化が
広い範囲で生じている場合に特に顕著な傾向となる。こ
れは、分布帰還型半導体レーザから光変調器領域に入射
した光の一部が再びレーザ領域に入射することで、これ
の内部電界に擾乱を与え、発振モードが不安定になるこ
とに起因する。
膜厚が変化する遷移領域33の長さ120μmの全て
が、回折格子31の形成された分布帰還型半導体レーザ
領域内で生じると仮定すると(Δt=120μm)、図
5に示されるように、単一軸モード発振歩留まりは最大
30%まで低下することになる。
レーザと変調器との集積化光源およびその製造方法で
は、選択MOVPE法による成長を用いて作製するの
で、図4(A)に示されるように、分布帰還型半導体レ
ーザと電界吸収型変調器との境界で成長阻止マスク99
の幅が変化するマスク形状の場合、回折格子97の形成
されている領域でMQW活性/吸収層93の厚さが変化
しているので、LD発振特性への影響が懸念されるとい
う問題点がある。また、このような導波路膜厚の変化
は、同時に導波路等価屈折率変化を生じさせ、導波路に
おける光伝搬特性に影響を及ぼすことが予想される。分
布帰還型半導体レーザでの導波路厚の変化に起因する等
価屈折率変動は、DFB(Distributed Feedback)発振
モードに多大な影響を与え、単一軸モード発振の歩留ま
り低下を招くと考えられる。
安定な単一軸モード発振動作を高歩留まりで実現できる
半導体レーザと変調器との集積化光源およびその製造方
法を提供することである。
半導体レーザと電界吸収型変調器とが同一基板上に形成
されている集積化光源において、該分布帰還型半導体レ
ーザと該電界吸収型変調器の境界付近で緩やかに導波路
厚が変化している遷移領域に形成される回折格子が、前
記分布帰還型半導体レーザの領域かつ前記遷移領域にお
いて、該遷移領域の全長の所定割合(50%以下)で形
成されている。
形成している。
布帰還型半導体レーザにλ/4(四分の一波長)位相シ
フト回折格子を導入している。
工形成に次ぐ工程が、半導体レーザ領域および光変調器
領域の境界面で生じた成長阻止マスク幅の変化箇所から
所定の長さだけ半導体レーザ領域に入った位置までを無
格子領域にして半導体レーザ領域の残り部分に回析格子
を形成している。
る成長によって、分布帰還型半導体レーザ領域で導波路
の膜厚が変化している遷移領域(120μm)に依存す
る回折格子の長さΔtが60μm以下の領域、すなわ
ち、導波路厚が変化している遷移領域全体の50%以下
に回折格子を形成した場合、70%以上の単一軸モード
発振歩留まりが確保されることが判る。この結果、単一
軸モード発振歩留まりは、通常のAR(無反射)/HR
(高反射)構造で得られていると同様の70%以上を確
保できる。
子を導入する場合、回折格子の長さ設定の確実性が増加
するので、上記遷移領域に依存する回折格子の長さΔt
の設定が容易になる。
域で光ビームを広げるので実行的な反射率の低減が可能
になる。
する。図1(A)は本発明の集積化光源の一つの形態を
示す表面透視説明図である。
n−InP基板1は、基板上に[011]方向へ部分的
に形成される回折格子2を有する半導体レーザ領域3
と、光変調器領域4とを備えている。基板1には、長手
方向が基板1の[011]方向に平行である開口部5
と、この開口部5の両脇に半導体レーザ領域3および光
変調器領域4それぞれで幅が異なる一対の成長阻止マス
ク6とが設けられている。
マスク6により開口部5が閉鎖された窓領域7が形成さ
れている。また、回折格子2は、半導体レーザ領域3に
おいて、光源の特性が変化する部分として、開口部5の
両脇で成長阻止マスク6の幅が変化する位置から、予め
定められた部分を除いて設けられている。
施例による製造方法に基づいて説明する。
明の第一の実施例である分布帰還型半導体レーザと光変
調器とをモノリシックに集積した集積化光源の製造方法
について工程順に説明する。図1(B)および図2
(A)・(B)は図1(A)のA−A断面説明図であ
る。
光源として、面方位が(100)のn−InP基板1上
に、[011]方向へ周期240nm、深さ30nmの
回折格子2が部分的に形成される工程を説明する。ま
ず、基板1上に、熱CVD(化学的気相成長)法を用い
て、“Si O2 ”膜が形成され、次いで、フォトリソグ
ラフィとエッチングとによって、幅1.5μmのストラ
イプ状の開口部5の両脇が、幅が分布帰還型半導体レー
ザ領域3で25μm、また光変調器領域4で8μmそれ
ぞれを有し、開口部5の長手方向がn−InP基板1の
[011]方向に平行であるような一対の成長阻止マス
ク6に加工される。
が形成されている領域で導波路厚が変化しない工夫が施
される。すなわち、開口部5の両脇の“Si O2 ”の幅
が25μm(半導体レーザ領域)から8μm(光変調器
領域)に変化している位置から、30μmの部分だけ、
半導体レーザ領域3に入ったところまで回折格子2が形
成されない構造が作製される。また、光変調器領域4の
端面から15μmの部分では、成長阻止マスク6により
ストライプ状の開口部5を生成しない窓領域7が設けら
れる。
“30μm”の部分について、図3および図5を合わせ
参照して説明する。図5に図3を重ね合わせた場合、成
長阻止マスクの幅が変化する位置は、図5において、ほ
ぼΔtが80μmの位置である。従って、単一軸モード
発振歩留まりが70%以上で安定するΔtが60μm以
内の領域は、成長阻止マスクの幅が変化する位置から2
0μm以上、半導体レーザ領域3に入った位置である。
上記の30μmはこの“20μm以上”を十分満足して
いる。
に、ストライプ状の開口部5に減圧MOVPE成長装置
の選択MOVPE法を使用することにより、光導波路に
なる波長組成1.15μmのn−InGaAsP光導波
層8(厚さ100μm)、n−InPスペーサ層9、波
長組成1.3μmのアンドープInGaAsPバリア層
(厚さ10nm)とアンドープInGaAs井戸層(厚
さ7nm)とからなる10周期のアンドープ量子井戸層
10、波長組成1.15μmのi(アンドープ)−In
GaAsPホール加速層11(厚さ20nm)、およ
び、p−InPクラッド層12(厚さ200nm)が連
続して順次、成長する。この際、アンドープ量子井戸層
10が半導体レーザ領域3においてn−InP基板1へ
格子整合するように、成長条件は調整される。アンドー
プ量子井戸層10のバンドギャップ波長は、半導体レー
ザ領域3において1.55μmであり、光変調器領域4
において1.48μmになる。
に、成長阻止マスク6の開口部5が半導体レーザ領域3
で幅7μm、光変調器領域4で幅5μmまで、フォトリ
ソグラフィ技術とエッチングとによって拡幅され、この
拡幅を含む積層箇所にp−InP埋め込み層14(厚さ
1.4μm)およびp+ −InGaAsコンタクト層1
5が選択MOVPE法によって順次、成長する。次に、
半導体レーザ領域3と光変調器領域4の電気的分離を行
うため、図1(A)に示されるように、両領域の境界か
ら光変調器領域4の側に長さ25μmにわたってp+ −
InGaAsコンタクト層15が除去され、分離領域1
6が作製される。
に、上記表面全体に絶縁膜17(厚さ0.3μm)が形
成され、埋め込み成長後の頂上部でp+ −InGaAs
コンタクト層15が残っている部分にのみフォトリソグ
ラフィ技術とエッチングとにより絶縁膜17が開口さ
れ、次いで、この開口部分にTi/Au電極18が蒸着
されたのち、フォトリソグラフィ技術とエッチングとに
よって電極パターニングが行なわれる。一方、n−In
P基板1では、裏面が120μm研磨された後、裏面に
Ti/Au電極19が蒸着される。最後に、光変調器領
域4の端面に無反射コーティングが形成されると共に、
半導体レーザ領域3の端面に高反射膜が形成される。
は、分布帰還半導体レーザ領域に電流注入していくと、
回折格子のピッチおよびこの領域の断面構造により求ま
る実効屈折率から決定される波長1.55μm近傍で単
一軸モード発振が発生する。また光変調器領域では、こ
の波長における無バイアス時の光吸収が実用上問題ない
程度に抑制されるよう、量子井戸層の構造からなる光吸
収層のバンドギャップエネルギーが1.48μmに設定
されている。この光吸収層に電界を印加すると量子閉じ
こめシュタルク効果によって透過光に対する吸収係数が
増加するため、この光変調器領域が光強度変調器として
動作する。
ると、量子井戸層を構成する光吸収層は150kV/c
mもの強電界でバイアスされるため、QCSE(Quantu
m Confined Stark Effect )により1.55μmの光に
対する吸収損失の増加は4000cm−1にも達する。
全10層からなる量子井戸層への光閉じこめ係数が6%
となるので、光変調器の長さを200μmとすれば、1
5dBの消光比が得られる。
率が大きい場合には、光変調器端面からの反射光によ
り、変調時の波長変動が生じる。この波長変動は数オン
グストロームにもなり、光変調器を集積化した集積化光
源の長距離伝送特性に多大な影響が与えられる。実用上
問題の無いレベルにまで波長変動を抑制するためには、
変調器端面の残留反射率を0.1%以下にする必要があ
るものの、通常の端面への無反射コーティングのみでこ
れ以下の反射率を安定に実現するのは困難である。1%
程度の通常の無反射コーティングでも実用上十分な反射
率を実現する方法として、本実施例では光変調器端面に
窓構造を導入している。
て光導波路がとぎれた形状にすることにより、容易に実
現できる。光変調器を通過した光は、窓領域に到達した
際、光の閉じこめが無くなるために、ビームが広がった
状態で半導体基板と空気との境界に達する。この境界面
で1%の残留反射があったとしても、光ビームが広がっ
ているために、反射して再び導波路に結合する光は少な
く、実効的な反射率低減が可能となる。このように、光
変調器端面への無反射コーティングと窓構造の導入とに
より、実効反射率0.1%以下を安定に実現することが
可能となる。
歩留まりの向上を目的として、分布帰還型半導体レーザ
と変調器の間の導波路膜厚が変化している領域に回折格
子が形成されない構造を採用しているため、集積素子特
有のキンクモードが存在しない。従って、高反射/低反
射端面構造の分布帰還型半導体レーザで得られている7
0%という高い単一軸モード発振歩留まりを実現するこ
とができる。
発振波長1.55μmで安定した単一軸モード発振を発
生し、5mAという良好な値を有する閾値電流を得た。
また、分布帰還半導体レーザ領域と光変調器領域との結
合効率は選択MOVPE法の採用によって100%と大
きく、光変調器端面からでも15mW以上の良好な光出
力特性が実現された。また、光変調器領域に2Vの電圧
を印加したところ、消光比13dBと実用上十分な値が
得られた。また、分布帰還型半導体レーザ領域および光
変調器領域の間には10kΩと実用上問題とならない程
度の分離抵抗が得られた。また、本集積素子を用いてノ
ーマルファイバ500kmの伝送実験を行ったところ、
パワーペナルティ1dB以下の非常に良好な伝送特性を
実現することができた。さらに、60℃での通電劣化試
験では5000時間を越えても安定に動作しており、各
領域での逆方向耐圧劣化、副モード発振等の障害は観測
されなかった。
われている第一の実施例と異なり、分布帰還型半導体レ
ーザ領域にλ/4位相シフト回折格子を導入する第二の
実施例について説明する。
実施例と同じ選択MOVPE法による成長、フォトリソ
グラフィ技術、エッチングの工程により素子を作製す
る。ここで、図1(A)を参照して説明すれば、分布帰
還型の半導体レーザ領域3の内に回折格子2が形成され
ている領域で導波路厚が変化しない工夫を施す。すなわ
ち、開口部5の両脇の“Si O2 ”の幅が25μm(半
導体レーザ領域)から8μm(光変調器領域)に変化し
ている位置から、30μmだけ半導体レーザ領域3の側
に入ったところまで回折格子2が形成されない構造とす
る。このように構造にλ/4位相シフト回折格子を導入
することにより、主モードと副モードとの閾値利得差を
最大にすることができ、この結果、分布帰還型半導体レ
ーザにおける単一軸モード発振歩留まりを大幅に向上さ
せることができる。また、端面構造は、半導体レーザ部
3および光変調器部4ともに、無反射コーティングを施
している。
り、閾値電流5mAおよび発振波長1.55μmで発振
し、高出力時までサイドモード抑圧比の大きな、安定し
た単一モード動作を実現した。また、構造形成が容易な
この集積素子の単一軸モード発振歩留まりは、極めて高
く、ほぼ100%の単一軸モード発振歩留まりを得た。
消光特性に関しても2V印加時に13dBと良好な特性
が得られた。
帰還型半導体レーザと光変調器とを集積化した集積化光
源は、導波路層の厚さが変化する遷移領域で、単一軸モ
ード発振歩留まりが70%を越える領域にのみ回折格子
を形成した構造を有しており、また、製造方法はこの構
造を有する集積化光源を作製している。
積化光源は、デバイス特有のキンクモードを抑制するこ
とができ、単一軸モード発振歩留まりを大幅に上昇する
ことができる。さらに、第二の実施例で示したようなλ
/4位相シフト回折格子を採用することによって、単一
軸モード発振歩留まりをほぼ100%にすることができ
る。
視説明図(A)、および第1の製造工程の一実施例を示
すA−A断面説明図(B)である。
(B)それぞれの製造工程の一実施例を示すA−A断面
説明図である。
の、構造の一例を示す平面説明図(A)、およびPL波
長変化の一例を示すグラフ(B)である。
型変調器都を集積化した集積化光源の一例を示す縦断面
説明図(A)および横断説明図(B)である。
配置説明図(A)、および、導波路厚が変化している遷
移領域における単一軸モード発振歩留まりの変化の一例
を示すグラフ(B)である。
域) 4 光変調器領域 5 開口部 6 成長阻止マスク 7 窓領域 8 n−InGaAsP光導波層 9 n−InPスペーサ層 10 アンドープ量子井戸層 11 i−InGaAsPホール加速層 12 p−InPクラッド層 14 p−InP埋め込み層 15 p+ −InGaAsコンタクト層 16 分離領域 17 絶縁膜 18、19 Ti/Au電極 32 導波路 33 遷移領域
Claims (5)
- 【請求項1】 分布帰還型半導体レーザと電界吸収型
変調器とが同一基板上に形成されている集積化光源にお
いて、該分布帰還型半導体レーザと該電界吸収型変調器
の境界付近で緩やかに導波路厚が変化している遷移領域
に形成される回折格子が、前記分布帰還型半導体レーザ
の領域かつ前記遷移領域において、該遷移領域の全長の
所定割合で形成されていることを特徴とする半導体レー
ザと光変調器との集積化光源。 - 【請求項2】 請求項1において、前記所定割合が遷
移領域の全長の50%以下であることを特徴とする半導
体レーザと光変調器との集積化光源。 - 【請求項3】 請求項1において、電界吸収型変調器
の端面に形成される窓構造を備えることを特徴とする半
導体レーザと光変調器との集積化光源。 - 【請求項4】 請求項1において、前記回析格子がλ
/4(四分の一波長)位相シフト回折格子であることを
特徴とする半導体レーザと光変調器との集積化光源。 - 【請求項5】 分布帰還型半導体レーザと電界吸収型
変調器とが同一基板上に形成されている集積化光源の製
造方法において、基板上にストライプ状の開口部を設定
して、該開口部の両脇に、半導体レーザ領域および光変
調器領域それぞれで所定の幅を有する成長阻止マスクを
加工形成し、次いで、半導体レーザ領域および光変調器
領域の境界面付近で生じた成長阻止マスク幅の変化箇所
から所定の長さだけ半導体レーザ領域に入った位置まで
を無格子領域にして半導体レーザ領域の残り部分に回析
格子を形成すると共に、前記光変調器領域の端面では、
前記開口部を所定の長さだけ設けない窓領域を形成し、
前記開口部に光導波路、スペーサ層、量子井戸層、加速
層、およびクラッド層を連続して所定の条件に調前記整
しつつ成長させ、次いで、前記成長阻止マスクを加工し
て前記開口部を拡張し、該開口部に埋め込み層およびコ
ンタクト層を成長させたのち、前記半導体レーザ領域お
よび光変調器領域の境界面から該光変調器領域側に所定
の長さまで該コンタクト層を除去して両領域を電気的に
分離し、次いで、表面全体に絶縁膜を形成したのち、成
長後の頂上部で、絶縁膜を開口して残された前記コンタ
クト層に第一の電極を蒸着すると共に、裏面を研磨後、
該裏面に第二の電極を蒸着し、最後に、前記光変調器の
端面に無反射コーティングを、かつ、前記半導体レーザ
領域の端面に高反射膜を形成することを特徴とする集積
化光源の製造方法。
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JP7244330A JP2770848B2 (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 半導体レーザと光変調器との集積化光源およびその製造方法 |
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JPH0992921A true JPH0992921A (ja) | 1997-04-04 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007059615A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光電子集積回路 |
US10063031B2 (en) | 2016-08-08 | 2018-08-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing optical device |
CN116031755A (zh) * | 2023-02-15 | 2023-04-28 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | 具有空穴加速结构的激光器外延结构以及激光器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07202316A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | 選択成長導波型光制御素子 |
JPH07202334A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | 半導体光集積回路の製造方法 |
-
1995
- 1995-09-22 JP JP7244330A patent/JP2770848B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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