JPH0980213A

JPH0980213A - 反射鏡

Info

Publication number: JPH0980213A
Application number: JP7254465A
Authority: JP
Inventors: Shunji Kamiya; 俊児神谷
Original assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1995-09-07
Filing date: 1995-09-07
Publication date: 1997-03-28
Anticipated expiration: 2015-09-07
Also published as: JP3686137B2

Abstract

(57)【要約】【課題】軽量、かつ耐久性、耐衝撃性、反射画像性に
優れた反射鏡を提供する。【解決手段】芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエス
テルとからエステル交換法にて製造された実質的に塩素
原子を含まないポリカーボネートから成形されたシート
に反射層を設けた反射鏡。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は背面投射型プロジェ
クションテレビ用の光路折曲ミラー等に適した軽量反射
鏡に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来反射鏡には、ガラス基板表面にアル
ミ等の金属を蒸着し反射面を形成した後、反射面上に数
オングストローム厚の無機保護膜を蒸着処理で付着した
ガラス反射鏡が利用されている。

【０００３】ガラス反射鏡は平面精度、耐久性、光学性
能に優れているが、重く、割れ易い欠点を有している。
このため、大画面のプロジェクションテレビへの反射鏡
取り付け時の作業性が悪いことや反射鏡の破損防止のた
め、反射鏡の取り付け枠やキャビネットを頑丈にする必
要があり、取り付け枠やキャビネットが重くなり、プロ
ジェクションテレビの軽量化を妨げている。

【０００４】また、特開平５−２７３４０５号ではフィ
ルムミラーと低比重構造体とからなる軽量反射鏡が提案
されているが、接着剤を用いたフィルムミラーと構造体
との貼り付けがあり、このため工程が煩雑であると共に
優れた反射画像性を得るには多大な困難を伴うものであ
る。

【０００５】ポリカーボネートに蒸着、スパッタリング
等により銀等の金属膜を形成させた反射鏡が自動車の室
内ミラー等に応用されている。しかしながら、通常のホ
スゲン法により製造されたポリカーボネートを用いた反
射鏡は、ポリマー中に残存する塩素原子により反射層が
腐食し耐久性に劣り、また該ポリカーボネートは不純物
を多く含むことより表面平滑性に劣り、反射画像性が悪
くプロジェクションテレビ等の電気製品の反射鏡には使
用できなかった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のガラ
ス反射鏡の重く、割れ易い欠点を改善し、かつ平易に製
造でき、かつ耐久性、反射画像性に優れた軽量の反射鏡
を提供することを目的とするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者は、この問題点
を解決すべく鋭意検討を行った結果、特定のポリカーボ
ネートに反射層を設けることにより、上記目的を達成し
うる反射鏡を見いだした。

【０００８】すなわち本発明は芳香族ジヒドロキシ化合
物と炭酸ジエステルとからエステル交換法にて製造され
た実質的に塩素原子を含まないポリカーボネートから成
形されたシートに反射層を設けた耐久性、かつ反射画像
性に優れた反射鏡を提供することができる。

【０００９】

【発明の実施の態様】以下本発明について詳細に説明す
る。本発明の実質的に塩素原子を含まない特定のポリカ
ーボネートは芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステ
ルとのエステル交換反応によって得られるものである。

【００１０】本発明において、芳香族ジヒドロキシ化合
物とは、ＨＯ−Ａｒ−ＯＨで示される化合物である。式
中、Ａｒは２価の芳香族基を表し、例えば下記式で示さ
れる有機基である。

【００１１】

【化１】

【００１２】（式中、Ｒ¹、Ｒ²は、各々独立に水素原
子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素
数１〜１０のアルコキシ基、環構成炭素数５〜１０のシ
クロアルキル基又はフェニル基であって、ｍ及びｎは１
〜４の整数で、ｍが２〜４の場合には各Ｒ¹はそれぞれ
同一でも異なるものであっても良いし、ｎが２〜４の場
合には各Ｒ²はそれぞれ同一でも異なるものであっても
良い。）

【００１３】また、芳香族基Ａｒは、例えば、−Ａｒ₁
−Ｙ−Ａｒ₂−で示される２価の芳香族基である（式
中、Ａｒ₁及びＡｒ₂は、各々独立にそれぞれ炭素数５〜
７０を有する２価の炭素環式又は複素環式芳香族基を表
し、Ｙは炭素数１〜３０を有する２価のアルカン基を表
す。）。

【００１４】２価の芳香族基Ａｒ₁、Ａｒ₂において、１
つ以上の水素原子が、反応に悪影響を及ぼさない他の置
換基、例えば、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキ
ル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、フ
ェノキシ基、ビニル基、シアノ基、エステル基、アミド
基、ニトロ基などによって置換されたものであっても良
い。

【００１５】複素環式芳香族基の好ましい具体例として
は、１ないし複数の環形成窒素原子、酸素原子又は、硫
黄原子を有する芳香族基を挙げることができる。

【００１６】２価の芳香族基Ａｒ₁、Ａｒ₂は、例えば、
置換又は非置換のフェニレン、置換又は非置換のビフェ
ニレン、置換又は非置換のピリジレンなどの基を表す。
ここでの置換基は前述のとおりである。

【００１７】２価のアルカン基Ｙは、例えば、下記式で
示される有機基である。

【００１８】

【化２】

【００１９】（式中、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶は、各々独立
に水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０
のアルコキシ基、環構成炭素数５〜１０のシクロアルキ
ル基、環構成炭素数５〜１０の炭素環式芳香族基、炭素
数６〜１０の炭素環式アラルキル基を表す。ｋは３〜１
１の整数を表し、Ｒ⁷及びＲ⁸は、各Ｘについて個々に選
択され、お互いに独立に、水素又は炭素数１〜６のアル
キル基を表し、Ｘは炭素を表す。また、Ｒ³、Ｒ⁴、
Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸において、１つ以上の水素原子が反
応に悪影響を及ぼさない範囲で他の置換基、例えば、ハ
ロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜
１０のアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、ビニ
ル基、シアノ基、エステル基、アミド基、ニトロ基など
によって置換されたものであっても良い。）

【００２０】このような２価の芳香族基Ａｒとしては、
例えば、下記式で示されるものが挙げられる。

【００２１】

【化３】

【００２２】

【化４】

【００２３】

【化５】

【００２４】

【化６】

【００２５】

【化７】

【００２６】

【化８】

【００２７】

【化９】

【００２８】

【化１０】

【００２９】

【化１１】

【００３０】

【化１２】

【００３１】（式中、Ｒ¹、Ｒ²、ｍ及びｎは、前述の通
りである。）

【００３２】さらに、２価の芳香族基Ａｒは、−Ａｒ₁
−Ｚ−Ａｒ₂−で示されるものであっても良い。

【００３３】（式中、Ａｒ₁、Ａｒ₂は前述の通りで、Ｚ
は単結合又は−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、
−ＳＯ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮ（Ｒ¹）−などの２価
の基を表す。ただし、Ｒ¹は前述の通りである。）

【００３４】このような２価の芳香族基Ａｒとしては、
例えば、下記式で示されるものが挙げられる。

【００３５】

【化１３】

【００３６】

【化１４】

【００３７】

【化１５】

【００３８】

【化１６】

【００３９】

【化１７】

【００４０】

【化１８】

【００４１】

【化１９】

【００４２】

【化２０】

【００４３】

【化２１】

【００４４】（式中、Ｒ¹、Ｒ²、ｍ及びｎは、前述の通
りである。）

【００４５】本発明で用いられる芳香族ジヒドロキシ化
合物は、単一種類でも２種類以上でもかまわない。芳香
族ジヒドロキシ化合物の代表的な例としてはビスフェノ
ールＡが挙げられる。また、これら芳香族ジヒドロキシ
化合物は、塩素原子とアルカリ又はアルカリ土類金属の
含有量が少ない方が好ましく、できれば実質的に含有し
ていないことが好ましい。

【００４６】本発明で用いられるジアリールカーボネー
トは、下記式で表される。

【００４７】

【化２２】

【００４８】（式中、Ａｒ³、Ａｒ⁴はそれぞれ１価の芳
香族基を表す。）

【００４９】Ａｒ³及びＡｒ⁴は、１価の炭素環式又は複
素環式芳香族基を表すが、このＡｒ³、Ａｒ⁴において、
１つ以上の水素原子が、反応に悪影響を及ぼさない他の
置換基、例えば、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアル
キル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、
フェノキシ基、ビニル基、シアノ基、エステル基、アミ
ド基、ニトロ基などによって置換されたものであっても
良い。Ａｒ³、Ａｒ⁴は同じものであっても良いし、異な
るものであっても良い。

【００５０】１価の芳香族基Ａｒ³及びＡｒ⁴の代表例と
しては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ピリ
ジル基を挙げることができる。これらは、上述の１種以
上の置換基で置換されたものでも良い。

【００５１】好ましいＡｒ³及びＡｒ⁴としては、それぞ
れ例えば、下記式などが挙げられる。

【００５２】

【化２３】

【００５３】

【化２４】

【００５４】

【化２５】

【００５５】

【化２６】

【００５６】

【化２７】

【００５７】ジアリールカーボネートの代表例として
は、下記式で示される置換又は非置換のジフェニルカー
ボネート類を挙げることができる。

【００５８】

【化２８】

【００５９】（式中、Ｒ⁹及びＲ¹⁰は、各々独立に水素
原子、炭素数１〜１０を有するアルキル基、炭素数１〜
１０を有するアルコキシ基、環構成炭素数５〜１０のシ
クロアルキル基又はフェニル基を示し、ｐ及びｑは１〜
５の整数で、ｐが２以上の場合には、各Ｒ⁹はそれぞれ
異なるものであっても良いし、ｑが２以上の場合には各
Ｒ¹⁰はそれぞれ異なるものであっても良い。）

【００６０】このジフェニルカーボネート類の中でも、
非置換のジフェニルカーボネートや、ジトリルカーボネ
ート、ジ−ｔ−ブチルフェニルカーボネートのような低
級アルキル置換ジフェニルカーボネートなどの対称型ジ
アリールカーボネートが好ましいが、特にもっとも簡単
な構造のジアリールカーボネートであるジフェニルカー
ボネートが好適である。

【００６１】これらジアリールカーボネート類は単独で
用いても良いし、２種以上を組み合わせて用いても良
い。また、これらジアリールカーボネートは、塩素原子
とアルカリ又はアルカリ土類金属の含有量が少ない方が
好ましく、できれば実質的に含有していないことが好ま
しい。

【００６２】芳香族ジヒドロキシ化合物とジアリールカ
ーボネートとの使用割合（仕込比率）は、用いられる芳
香族ジヒドロキシ化合物とジアリールカーボネートの種
類や、重合温度その他の重合条件及び得ようとするポリ
カーボネートの分子量や末端比率によって異なるが、ジ
アリールカーボネートは芳香族ジヒドロキシ化合物１モ
ルに対して、通常０．９〜２．５モル、好ましくは０．
９５〜２．０モル、より好ましくは０．９８〜１．５モ
ルの割合で用いられる。

【００６３】また、本発明においては、本発明の目的を
損なわない範囲で、分岐構造を導入するための芳香族多
価ヒドロキシ化合物を併用しても良いし、末端変性や分
子量調節のための芳香族モノヒドロキシ化合物を併用し
ても良い。

【００６４】本発明のポリカーボネートの分子量は重量
平均分子量で通常１，０００〜３００，０００の範囲で
あり、好ましくは１，０００〜１００，０００の範囲で
ある。

【００６５】本発明において、該ポリカーボネートは実
質的に塩素原子を含まないものであり、具体的には、
硝酸銀溶液を用いた電位差滴定法による塩素イオンの測
定方法で、塩素イオンが０．５ｐｐｍ以下であり、同時
に燃焼法による塩素原子の測定方法で、塩素原子が検
出限界の１０ｐｐｍ以下である。好ましくは、塩素イ
オンが、上記測定法の検出限界以下の０．１ｐｐｍ以下
であり、同時に塩素原子が１０ｐｐｍ以下である。塩
素原子が上記範囲を越えると、反射層を形成している金
属を腐食させ、反射鏡の耐久性を低下させ好ましくな
い。

【００６６】また、該ポリカーボネートとして、（ａ）
アルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属含有量が１〜
８００ｐｐｂ、（ｂ）芳香族モノヒドロキシ化合物含有
量が１〜２００ｐｐｍ、（ｃ）分子量１０００以下のオ
リゴマー成分及び残留モノマー含有量がＴ₁〜Ｔ₂重量％
（但し、Ｔ₁＝１，１３０，０００×（該ポリカーボネ
ートの重量平均分子量）^-1.60、Ｔ₂＝１，５２０，００
０×（該ポリカーボネートの重量平均分子
量）^-1.44）、（ｄ）末端ヒドロキシ基の全末端に占め
る割合が１〜３０％の範囲のものが熱安定性、流動性に
優れ、成形性の面より好ましく、得られる反射鏡の反射
画像性に優れる。

【００６７】本発明のポリカーボネート中に含有される
アルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属は、より好ま
しくは１〜４００ｐｐｂ、さらに好ましくは１〜２００
ｐｐｂの範囲である。

【００６８】アルカリ金属及びアルカリ土類金属として
は、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグ
ネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等が
挙げられる。これら金属類は、触媒残査や原材料中の不
純物、製造過程で混入する異物としてポリカーボネート
中に混入し、その状態もイオン、無機化合物、有機化合
物との塩やコンプレックス等であり、ポリカーボネート
中に存在する形態は特に限定されない。該金属類の測定
は特に限定されないが、ポリカーボネートを灰化した後
に原子吸光法で測定する方法が好ましい。

【００６９】本発明のポリカーボネート中に含有される
芳香族モノヒドロキシ化合物は、より好ましくは１〜１
５０ｐｐｍ、さらに好ましくは５〜９０ｐｐｍの範囲で
ある。

【００７０】芳香族モノヒドロキシ化合物としては、重
縮合過程で発生する芳香族モノヒドロキシ化合物類と、
分子量調節又は特定末端基用に用いられる芳香族モノヒ
ドロキシ化合物類が挙げられる。前者の場合、原料とし
て用いる炭酸ジエステルの種類によって発生する芳香族
モノヒドロキシ化合物の種類も異なるが、例えば、炭酸
ジエステルとしてジフェニルカーボネートを使用した場
合には、フェノールが発生する。後者の場合、例えば、
ｔ−ブチルフェノール、ｔ−オクチルフェノール、クミ
ルフェノール、クロマニルフェノール及びその核置換体
等が一般に用いられている。

【００７１】本発明のポリカーボネート中に含有される
分子量１０００以下のオリゴマー成分及び残留モノマー
含有量は上述の範囲であることが好ましい。

【００７２】分子量１０００以下のオリゴマー成分及び
残留モノマー含有量は、ポリカーボネートの分子量、分
子量調節又は特定末端基用に用いられる芳香族モノヒド
ロキシ化合物類の使用量、製造方法、製造条件等により
大きく変化する。本発明において残留モノマーとは、前
述の芳香族ジヒドロキシ化合物及び炭酸エステルをい
う。

【００７３】また、末端比率は該ポリカーボネートの全
末端に占める末端ヒドロキシ基の割合は、より好ましく
は１〜２０モル％の範囲にあり、さらに好ましくは１〜
１５モル％の範囲にある。

【００７４】本発明のポリカーボネートは、上記のよう
な芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとからエ
ステル交換法にて製造されるが、エステル交換法とは、
上記化合物を触媒の存在もしくは無存在下で、減圧下及
び／又は不活性ガスフロー化で加熱しながら溶融状態で
エステル交換反応にて重縮合する方法をいい、その重合
方法、装置等には制限はない。例えば、攪拌槽型反応
器、薄膜反応器、遠心式薄膜蒸発反応器、表面更新型二
軸混練反応器、二軸横型攪拌反応器、濡れ壁式反応器、
自由落下させながら重合する多孔板型反応器、ワイヤー
に沿わせて落下させながら重合するワイヤー付き多孔板
型反応器等を用い、これらを単独もしくは組み合わせる
ことで容易に製造できる。また、溶融状態でエステル交
換反応を行いプレポリマーを製造した後、固相状態で減
圧及び／又は不活性ガスフロー下で重合度を高める固相
重合法でも製造できる。エステル交換の反応の温度は、
通常５０〜３５０℃、好ましくは１００〜３００℃の温
度の範囲で選ばれ、特に制限はない。一般に、上記範囲
より高い温度では、得られるポリカーボネートの着色が
大きくかつ熱安定性にも劣る傾向にある。また、上記範
囲より低い温度では、重合反応が遅く実用的でない。反
応圧力は、溶融重合中のポリカーボネートの分子量によ
っても異なり、数平均分子量が１０００以下の範囲で
は、５０ｍｍＨｇ〜常圧の範囲が一般に用いられ、数平
均分子量１０００〜２０００の範囲では、３〜８０ｍｍ
Ｈｇの範囲が、数平均分子量が２０００以上の範囲で
は、１０ｍｍＨｇ以下、特に５ｍｍＨｇ以下が用いられ
る。

【００７５】特に、微量成分含有量が特定範囲にある本
発明ポリカーボネートを得るためには、２８０℃を越え
ない温度で重合するのが好ましい。これ以上の温度で
は、芳香族モノヒドロキシ化合物と分子量１０００以下
のオリゴマー成分の含有量が増加しやすい傾向にある。
前述の重合装置及び重合方法の内で、表面更新型二軸混
練反応器、二軸横型攪拌反応器、自由落下させながら重
合する多孔板型反応器、ワイヤーに沿わせて落下させな
がら重合するワイヤー付き多孔板型反応器及び固相重合
法による方法が２８０℃を超えない温度でも効率的に重
合できて好ましい。特に、自由落下させながら重合する
多孔板型反応器、ワイヤーに沿わせて落下させながら重
合するワイヤー付き多孔板型反応器を用いる方法及び固
相重合法が好ましい。

【００７６】また、重合後のポリカーボネートから微量
成分を除去して、本発明のポリカーボネートを製造する
ことも可能である。例えば、該ポリカーボネートを良溶
媒に溶解し、濾過後に、貧溶媒を加え再沈する方法、微
量成分を溶解し且つポリカーボネートを溶解しない溶
媒、例えばアセトンのような溶媒で微量成分を抽出する
方法、随伴溶媒を添加して（又は無添加で）高真空下で
微量成分を強制除去する方法、ポリカーボネートが溶解
しない温度で、真空又は常圧下で乾燥する方法等が挙げ
られる。

【００７７】また、エステル交換法による重合は、触媒
を加えずに実施することができるが、重合速度を高める
ため、必要に応じて触媒の存在下で行われる。重合触媒
としては、この分野で用いられているものであれば特に
制限がないが、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、水酸化カルシウムなどのアルカリ金属及
びアルカリ土類金属の水酸化物類；水酸化アルミニウム
リチウム、水酸化ホウ素ナトリウム、水酸化ホウ素テト
ラメチルアンモニウムなどのホウ素やアルミニウムの水
酸化物のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、第四級
アンモニウム塩類；水素化リチウム、水素化ナトリウ
ム、水素化カルシウムなどのアルカリ金属及びアルカリ
土類金属の水素化合物類；リチウムメトキシド、ナトリ
ウムエトキシド、カルシウムメトキシドなどのアルカリ
金属及びアルカリ土類金属のアルコキシド類；リチウム
フェノキシド、ナトリウムフェノキシド、マグネシウム
フェノキシド、ＬｉＯ−Ａｒ−ＯＬｉ、ＮａＯ−Ａｒ−
ＯＮａ（Ａｒはアリール基）などのアルカリ金属及びア
ルカリ土類金属のアリーロキシド類；酢酸リチウム、酢
酸カルシウム、安息香酸ナトリウムなどのアルカリ金属
及びアルカリ土類金属の有機酸塩類；酸化亜鉛、酢酸亜
鉛、亜鉛フェノキシドなどの亜鉛化合物類；酸化ホウ
素、ホウ素、ホウ素ナトリウム、ホウ素トリメチル、ホ
ウ素トリブチル、ホウ素トリフェニル、（Ｒ³Ｒ⁴Ｒ
⁵Ｒ⁶）ＮＢ（Ｒ³Ｒ⁴Ｒ⁵Ｒ⁶）又は（Ｒ³Ｒ⁴Ｒ⁵Ｒ⁶）ＰＢ
（Ｒ³Ｒ⁴Ｒ⁵Ｒ⁶）で表されるアンモニウムボレート類又
はホスホニウムボレート類（Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶は前述
の通り）などのホウ素の化合物類；酸化ケイ素、ケイ酸
ナトリウム、テトラアルキルケイ素、テトラアリールケ
イ素、ジフェニル−エチル−エトキシケイ素などのケイ
素の化合物類；酸化ゲルマニウム、四塩化ゲルマニウ
ム、ゲルマニウムエトキシド、ゲルマニウムフェノキシ
ドなどのゲルマニウムの化合物類；酸化スズ、ジアルキ
ルスズオキシド、ジアルキルスズカルボキシレート、酢
酸スズ、エチルスズトリブトキシドなどのアルコキシ基
又はアリーロキシ基と結合したスズ化合物、有機スズ化
合物などのスズの化合物類；酸化鉛、酢酸鉛、炭酸鉛、
塩基性炭酸塩、鉛及び有機鉛のアルコキシド又はアリー
ロキシドなどの鉛の化合物；第四級アンモニウム塩、第
四級ホスホニウム塩、第四級アルソニウム塩などのオニ
ウム化合物類；酸化アンチモン、酢酸アンチモンなどの
アンチモンの化合物類；酢酸マンガン、炭酸マンガン、
ホウ酸マンガンなどのマンガンの化合物類；酸化チタ
ン、トタンのアルコキシド又はアリーロキシドなどのチ
タンの化合物類；酢酸ジルコニウム、酸化ジルコニウ
ム、ジルコニウムのアルコキシド又はアリーロキシド、
ジルコニウムアセチルアセトンなどのジルコニウムの化
合物類などの触媒を挙げることができる。

【００７８】触媒を用いる場合、これらの触媒は１種だ
けで用いても良いし、２種以上を組み合わせて用いても
良い。また、これらの触媒の使用量は、原料の芳香族ジ
ヒドロキシ化合物に対して、通常の１０^-8〜１重量％、
好ましくは１０^-7〜１０^-1重量％の範囲で選ばれる。ま
た、アルカリ又はアルカリ土類金属系触媒を用い、重合
後の除去作業を行わない場合は、重合後のポリカーボネ
ート中のアルカリ及び／又はアルカリ土類金属の合計含
有量が１〜８００ｐｐｂになる範囲で用いるのが好まし
い。

【００７９】本発明におけるポリカーボネートには、本
発明の目的を阻害しない範囲で通常の添加剤、例えば耐
熱安定剤、酸化防止剤、難燃化剤、離型剤、着色剤、滑
剤、耐候性改良剤、防錆剤等を添加することができる。

【００８０】耐熱安定剤としては、例えばリン系安定
剤、フェノール系安定剤、イオウ系安定剤、エポキシ系
安定剤、ヒンダードアミン系安定剤等が使用できる。特
にリン系安定剤が好ましい。

【００８１】リン系安定剤としては、リン酸類、亜リン
酸エステル類、ホスフィン酸エステル類、リン酸エステ
ル類、ホスホン酸エステル類が挙げられる。具体的に
は、リン酸類として、リン酸、亜リン酸、次亜リン酸、
ピロリン酸、ポリリン酸、フェニルホスホン酸が挙げら
れる。

【００８２】亜リン酸エステル類としては、亜リン酸ト
リエステル、亜リン酸ジエステル、亜リン酸モノエステ
ルが挙げられ、具体的にはトリス（２、４−ジ−ｔ−ブ
チルフェニル）ホスファイト、トリス（ノニルフェニ
ル）ホスファイト、トリス（ジノニルフェニル）ホスフ
ァイト、トリフェニルホスファイト、テトラフェニルジ
プロピレングリコールホスファイト、テトラ（トリデシ
ル）４、４’−イソプロピリデンジフェニルジホスファ
イト、ビス（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジ
ホスファイト、ビス（２、４−ジ−ｔ−ブチルフェニ
ル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２、
６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリ
スリトールジホスファイト、ジステアリルペンタエリス
リトールジホスファイト、水添ビスフェノールＡ、ペン
タエリスリトールホスファイトポリマー、テトラフェニ
ルテトラ（トリデシル）ペンタエリスリトールテトラホ
スファイト、ジフェニルハイドロゲンホスファイト、ビ
ス（ノニルフェニル）ハイドロゲンホスファイト、ビス
（２、４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ハイドロゲンホス
ファイト、ジクレジルハイドロゲンホスファイト、（ビ
ス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ハイドロゲンホスファイ
ト、ビス（ｐ−ヘキシルフェニル）ハイドロゲンホスフ
ァイト、フェニルジハイドロゲンホスファイト、ノニル
フェニルジハイドロゲンホスファイト、２、４−ジ−ｔ
−ブチルフェニルジハイドロゲンホスファイト等が挙げ
られる。

【００８３】ホスフィン酸エステル類としては、ホスフ
ィン酸ジエステル、ホスフィン酸モノエステルが挙げら
れ、具体的には４、４’−ジフェニレンジホスフィン酸
テトラキス（２、４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）が挙げ
られる。

【００８４】リン酸エステル類としては、リン酸ジエス
テル、リン酸モノエステルが挙げられ、具体的にはジフ
ェニルハイドロゲンホスフェート、ビス（ノニルフェニ
ル）ハイドロゲンホスフェート、ビス（２、４−ジ−ｔ
−ブチルフェニル）ハイドロゲンホスフェート、ジクレ
ジルハイドロゲンホスフェート、ビス（ｐ−ｔ−ブチル
フェニル）ハイドロゲンホスフェート、ビス（ｐ−ヘキ
シルフェニル）ハイドロゲンホスフェート、フェニルジ
ハイドロゲンホスフェート、ノニルフェニルジハイドロ
ゲンホスフェート、２、４−ジ−ｔ−ブチルフェニルジ
ハイドロゲンホスフェート等が挙げられる。

【００８５】ホスホン酸エステル類としては、ホスホン
酸モノエステルが挙げらる。

【００８６】フェノール系安定剤としては、具体的には
２、６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、２、６−ジ
−ｔ−ブチル−ｐ−アニソール、２、６−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−エチルフェノール、２、２’−メチレンビス
（６−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール）、２、２’−メチ
レンビス（４−エチル−６−ｔ−ブチル−ｐ−フェノー
ル）、４、４’−メチレンビス（６−ｔ−ブチル−ｐ−
クレゾール）、４、４’−ブチリデンビス（６−ｔ−ブ
チル−ｍ−クレゾール）、テトラキス〔メチレン−３−
（３’、５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオネート〕メタン、４、４’−チオビス
（６−ｔ−ブチル−ｍ−クレゾール）、ステアリル−β
−（３、５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロピオネート、１、３、５−トリメチル−２、
４、６−トリス（３、５−じ−ｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシベンジル）ベンゼン、１、１、３−トリス（２−メ
チル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタ
ン、トリエチレンブリコール−ビス〔３−（３−ｔ−ブ
チル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオ
ネート等が挙げられる。〕

【００８７】更に、リン原子を含んだフェノール系安定
剤、例えば３、５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベ
ンジルホスフォネート−ジエチルエステル、ビス（３、
５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジルホスホン
酸エチル）カルシウム等も挙げられる。

【００８８】イオウ系安定剤としては、スルフィン酸、
スルホン酸及びそのエステル、チオエーテル化合物が挙
げられ、具体的にはベンゼンスルフィン酸、ｐ−トルエ
ンスルフィン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンス
ルホン酸、ナフタレンスルホン酸、及びこれら酸のメチ
ル、エチル、ブチル、オクチル、フェニルエステルが挙
げられる。また、ジラウリル−３、３’−チオジプロピ
オネート、ジトリデシル−３、３’−チオジプロピオネ
ート、ジミリスチル−３、３’−チオジプロピオネー
ト、ジステアリル−３、３’−チオジプロピオネート、
ペンタエリスリトール（β−ラウリルチオプロピオネー
ト）等が挙げられる。

【００８９】エポキシ安定剤としては、例えばエポキシ
化大豆油、エポキシ化アマニ油等の油脂類、フェニルグ
リシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、ｔ−ブ
チルフェニルグリシジルエーテル、ビスフェノールＡジ
グリシジルエーテル、テトラブロムビスフェノールＡジ
グリシジルエーテル、フタル酸ジグリシジルエステル、
ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等のグリシ
ジル化合物、３、４−エポキシシクロヘキシルメチル−
３、４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、
３、４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−
３、４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、
２、３−エポキシシクロヘキシルメチル−３、４−エポ
キシシクロヘキサンカルボキシレート、４−（３、４−
エポキシ−５−メチルシクロヘキシル）ブチル−３、４
−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、３、４−
エポキシシクロヘキシルエチレンオキシド、シクロヘキ
シルメチル−３、４−エポキシシクロヘキサンカルボキ
シレート、３、４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシ
ルメチル−６−メチルシクロヘキサンカルボキシレー
ト、ビスエポキシシクロヘキシルアジペート、オクタデ
シル−２、２’−ジメチル−３、４−エポキシシクロヘ
キサンカルボキシレート、Ｎ−ブチル−２、２’−ジメ
チル−３、４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレー
ト、シクロヘキシル−２−メチル−３、４−エポキシシ
クロヘキサンカルボキシレート、Ｎ−ブチル−２−イソ
プロピル−３、４、−エポキシ−５−メチルシクロヘキ
サンカルボキシレート、オクタデシル−３、４−エポキ
シシクロヘキサンカルボキシレート、２−エチルヘキシ
ル−３、４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレー
ト、４、６−ジメチル−２、３−エポキシシクロヘキシ
ル−３、４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレー
ト、ジエチル−４、５−エポキシ−シス−１、２−シク
ロヘキサンカルボキシレート、ジ−ｎ−ブチル−３−ｔ
−ブチル−４、５−エポキシ−シス−１、２−シクロヘ
キサンカルボキシレート、３、４−ジメチル−１、２−
エポキシシクロヘキサン、３、５−ジメチル−１、２−
エポキシシクロヘキサン、３−メチル−５−ｔ−ブチル
−１、２−エポキシシクロヘキサン等のエポキシシクロ
ヘキサン化合物、ビスエポキシジシクロペンタジエニル
エーテル、ブタジエンジエポキシド、テトラフェニルエ
イレネポキシド、エポキシ化ポリブタジエン、４、５−
エポキシ無水テトラヒドロフタル酸、３−ｔ−ブチル−
４、５−エポキシ無水テトラヒドロフタル酸等が挙げら
れる。

【００９０】ヒンダードアミン系安定剤としては、ビス
（２、２、６、６−テトラメチル−４−ピペリジル）セ
バケート、ビス（１、２、２、６、６−ペンタメチル−
４−ピペリジル）セバケート、２−（３、５−ジ−ｔ−
ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２−ｎ−ブチルマ
ロン酸ビス（１、２、２、６、６−ペンタメチル−４−
ピペリジル）テトラキシ（２、２、６、６−テトラメチ
ル−４−ピペリジル）１、２、３、４−ブタンテトラカ
ルボキシレート、１−〔２−｛３−（３、５−ジ−ｔ−
ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキ
シ｝エチル〕−４−｛３−（３、５−ジ−ｔ−ブチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ｝−２、
２、６、６−テトラメチルピペリジン、８−ベンジル−
７、７、９、９−テトラメチル−３−オクチル−１、
２、３−トリアザスピロ｛４、５｝ウンデカン−２、４
−ジオン、４−ベンゾイルオキシ−２、２、６、６−テ
トラメチルピペラジン等が挙げられる。

【００９１】これら耐熱安定剤は、単独で用いても良い
し組み合わせて用いても良い。添加量は特に限定されな
いが、一般にポリカーボネート１００重量部に対して
０．０００５〜０．２２重量部の範囲で用いられる。

【００９２】これら耐熱安定剤等の添加剤をポリカーボ
ネートに混合する方法としては、従来から公知の方法で
行うことができ、特に限定されない。例えば、各成分を
ヘンシェルミキサー、スーパーミキサー、タンブラーミ
キサー、リボンブレンダー等で均一に混合した後、単軸
押出機や二軸押出機、バンバリーミキサー等で混練する
方法や、溶融状態のポリカーボネートに混合槽、スタチ
ックミキサー単軸押出機、二軸又は多軸押出機を用いて
添加剤を混合する方法もある。

【００９３】上記ポリカーボネートにはポリカーボネー
トの特性を著しく阻害しない限り他の樹脂を混合しても
良い。例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチ
レン、ＡＢＳ樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリ
アセタール、変性ポリフェニレンエーテル、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリ
フェニレンスルフィド、ポリイミド、ポリアミドイミ
ド、ポリエーテルイミド、ポリアリレート、ポリサルフ
ォン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルケトン、液
晶ポリマー、ポリテトラフルオロエチレン、熱可塑性エ
ラストマー等が挙げられる。

【００９４】本発明芳香族ポリカーボネートと他樹脂と
の混合組成物を用いる場合、本発明ポリカーボネートの
含有量は５０重量％以上であることが必要で、好ましく
は７０重量％以上である。ポリカーボネート樹脂の含有
量が少なすぎると、ポリカーボネート樹脂のエンジニア
リング樹脂としての優れた特性が得られなくなる。

【００９５】また充填剤、例えばガラス繊維、炭素繊
維、金属繊維、アラミド繊維、チタン酸カリウム、炭化
ケイ素、セラミック、窒化ケイ素、硫酸バリウム、硫酸
カルシウム、カオリン、クレー、パイロフィライト、ベ
ントナイト、セリサイト、ゼオライト、マイカ、雲母、
ネフェリンシナイト、タルク、アタルパルジャイト、ウ
オラストナイト、ＰＭＦ、フェライト、ケイ酸カルシウ
ム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ドロマイト、
酸化亜鉛、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化鉄、二
硫化モリブデン、黒鉛、石膏、ガラスビーズ、ガラスバ
ルーン、石英、石英ガラス等を混合できる。これら充填
剤は中空であってもよく、また二種類以上を併用しても
よい。

【００９６】本発明のポリカーボネートから製造される
シートの成形方法は特に制限されるものではなく、押出
成形、射出成形、圧縮成形により製造できる。成形条件
としては、溶融樹脂を固化させる時徐冷させた方が画像
反射性の点より好ましい。押出成形の場合、鏡面ロール
の表面温度は樹脂の溶融温度を基準にしその差が１８０
℃以内、好ましくは１５０℃以内である。また射出成
形、圧縮成形の場合、金型又は冷却プレスの表面温度は
樹脂の溶融温度を基準にしその差が２４０℃以内、好ま
しくは２００℃以内である。

【００９７】シート厚さは２〜１０ｍｍのものが使用さ
れる。２ｍｍ未満ではプロジェクションテレビ用ミラー
ホルダーに取り付けた時歪みが生じ好ましくない。１０
ｍｍを越えると軽量化効果が少ない。

【００９８】透明基板上に反射層を設ける場合、基板の
表面に設ける場合（表面鏡）と裏面に設ける場合（裏面
鏡）とがあるが、裏面鏡は基板の厚さによる光路のずれ
により反射画像が悪化する。プロジェクションテレビの
ように高精度の反射画像が必要な時は表面鏡が好まし
い。

【００９９】反射面を構成する金属としては、アルミニ
ウム、銀等が用いられ特に反射率の優れた銀が好まし
い。これら金属は蒸着、スパッタリング等により基材表
面に施される。更に、反射面を保護するためシリコーン
系コーティング剤やアクリル系コーティング剤が用いら
れる。

【０１００】本発明の反射鏡は、反射画像性が３％以下
であることが好ましい。ここで反射画像性とはＪＩＳ
Ｄ５７０５（自動車用ミラー装置）のひずみ検査法に
準じて求めた値をいう。

【０１０１】反射鏡をプロジェクションテレビキャビネ
ットに取り付ける場合、本発明の目的を阻害しない範囲
で反射鏡の裏面にサポートを設けてもかまわない。

【０１０２】

【実施例】以下、本発明の実施例及び比較例によってさ
らに詳細に説明する。尚、本発明はこれに限定されるも
のではない。

【０１０３】実施例中の測定法は次の通りである。

【０１０４】１．重量平均分子量、重量平均分子量１０
００以下のオリゴマー及び残留モノマー含有量ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにて測定し
た。カラムはＴＳＫ−ＧＥＬ（東洋曹達社製）を、溶媒
はＴＨＦを使用した。

【０１０５】２．アルカリ及びアルカリ土類金属含有量ポリカーボネートを酸素プラズマアッシュアーにて低温
灰化した後、フレームレス原子吸光法にて測定した。

【０１０６】３．芳香族モノヒドロキシ基含有量高速液体クロマトグラフィーにて測定した。

【０１０７】４．末端ヒドロキシ基末端比率ＮＭＲにて測定した。

【０１０８】５．耐久性反射鏡を９０℃、相対湿度８５％の条件下で１０００時
間保存後、目視で判定した。

【０１０９】６．反射画像性ＪＩＳＤ５７０５（自動車用ミラー装置）のひずみ
検査法に準じた。

【０１１０】７．耐衝撃性１２０ｍｍ×１２０ｍｍの１０枚の試験板を用意し、直
径１５ｍｍの鋼球を高さ２ｍから落下させ、試験板の状
態を観察した。

【０１１１】（実施例１）芳香族ジヒドロキシ化合物と
して塩素原子を実質的に含有しないビスフェノールＡ
を、炭酸ジエステルとして塩素原子を実質的に含有しな
いジフェニルカーボネート（対ビスフェノールＡモル比
１．１０）を、触媒としてビスフェノールＡのジナトリ
ウム塩（対ビスフェノールＡモル比２．８×１０^-8）を
用いて、溶融エステル交換法でポリカーボネートを製造
した。製造は、攪拌槽型反応器３基とワイヤー付き多孔
板型反応器２基からなる連続重合装置を用い、段階的に
温度と減圧度を上げながら実施した。最高重合温度は２
５０℃であった。

【０１１２】得られたポリカーボネートには実質的に塩
素原子は含まれておらず、ヒドロキシ基末端比率は７モ
ル％、重量平均分子量が２２，１００であった。また、
該ポリカーボネートの微量成分は、アルカリ及びアルカ
リ土類金属含有量が５ｐｐｂ、芳香族モノヒドロキシ化
合物であるフェノール含有量が３０ｐｐｍ、分子量１０
００以下のオリゴマー成分及び残留モノマー含有量が
０．５重量％であった。

【０１１３】該ポリカーボネート１００重量部と、耐熱
安定剤としてビス（ノニルフェニル）ハイドロゲンホス
ファイト０．００２重量部とトリス（２、４−ｔ−ブチ
ルフェニル）ホスファイト０．０２重量部とをヘンシェ
ルミキサーで均一に混合した後、押出機を用いて造粒
し、ポリカーボネート組成物を得た。

【０１１４】得られたポリカーボネート組成物を用い
て、樹脂温度２８０℃、冷却ロール表面温度１４０℃
で、幅３００ｍｍ、厚さ３ｍｍのシートを押出成形で徐
冷して作製した。得られたシートを１２０ｍｍ角となる
ように切断し、試験用シートとした。

【０１１５】得られた試験用シート上に銀をスパッタリ
ングにより蒸着し、ついで光硬化型のアクリル系樹脂を
コートし、紫外線で硬化させ反射鏡を作製した。

【０１１６】該反射鏡の耐久性、反射画像性、耐衝撃性
の評価結果を表１に示す。

【０１１７】（比較例１、２）ビスフェノールＡ、水酸
化ナトリウム、ホスゲン及び触媒としてトリエチルアミ
ン、分子量調節剤としてｐ−ｔ−ブチルフェノールとか
ら塩化メチレン溶媒を用いてホスゲン法にてポリカーボ
ネートを製造した。

【０１１８】得られたポリカーボネートには塩素原子は
含まれており、塩素イオンが１．２ｐｐｍであり、塩素
原子が３０ｐｐｍであった。また、ヒドロキシ基末端比
率は１モル％、重量平均分子量が２２，８００であっ
た。また、該ポリカーボネートの微量成分は、アルカリ
及びアルカリ土類金属含有量が８２ｐｐｂ、芳香族モノ
ヒドロキシ化合物であるｐ−ｔ−ブチルフェノール含有
量が４３ｐｐｍ、分子量１０００以下のオリゴマー成分
及び残留モノマー含有量が１．４重量％であった。実施
例１と同様にして耐熱安定剤を添加し、ポリカーボネー
ト組成物を得た。該組成物を用いて作製された厚さ３ｍ
ｍのシート（比較例１）及び厚さ３ｍｍのガラス（比較
例２）を用いる以外実施例１と同様にして反射鏡を作製
し、同様の評価を実施し、結果を表１に示した。

【０１１９】（実施例２）実施例１の塩素イオンを含ま
ないポリカーボネートを射出成形機を用いて、シリンダ
ー温度３００℃、金型温度１１０℃で厚さ３ｍｍで１２
０ｍｍ角の平板を射出成形した。得られた平板を実施例
１と同様にして反射鏡を作製し、同様の評価を実施し、
結果を表１に示した。なお、本発明ポリカーボネートを
用いた射出成形では、一旦射出成形作業を３０分中断し
成形を再会する際、１ショット目から中断前と同様の良
好な成形品が得られた。

【０１２０】（比較例３）比較例１のポリカーボネート
を用いる以外実施例２と同様にして反射鏡を作製し、同
様の評価を実施し、結果を表１に示した。なお、該ポリ
カーボネートを用いた射出成形において、射出成形中に
一旦成形を３０分中断し成形を再会する際、色ムラやヤ
ケ、黒ゴミが発生し、良好な成形品が得られるまで２０
ショット以上の捨て打ちが必要であった。

【０１２１】（実施例３〜５）触媒のビスフェノールＡ
ジナトリウム塩の使用量を、使用ビスフェノールＡに対
してモル比２．８×１０^-7（実施例３）、モル比５×１
０^-7（実施例４）及びモル比１×１０^-6（実施例５）用
いる以外は実施例１と同様にして、重量平均分子量２
２，５００のポリカーボネートを得た。実施例１と同様
にして耐熱安定剤を添加し、ポリカーボネート組成物を
得た。それぞれのポリカーボネートのヒドロキシ末端比
率及び微量成分は以下の通りであった。

【０１２２】実施例３のポリカーボネート：ヒドロキシ
末端比率６モル％、アルカリ及びアルカリ土類金属含有
量が４９ｐｐｂ、芳香族モノヒドロキシ化合物であるフ
ェノール含有量が７９ｐｐｍ、分子量１０００以下のオ
リゴマー成分及び残留モノマー含有量が０．５１重量％

【０１２３】実施例４のポリカーボネート：ヒドロキシ
末端比率３モル％、アルカリ及びアルカリ土類金属含有
量が９２ｐｐｂ、芳香族モノヒドロキシ化合物であるフ
ェノール含有量が１００ｐｐｍ、分子量１０００以下の
オリゴマー成分及び残留モノマー含有量が０．７２重量
％

【０１２４】実施例５のポリカーボネート：ヒドロキシ
末端比率４モル％、アルカリ及びアルカリ土類金属含有
量が１８２ｐｐｂ、芳香族モノヒドロキシ化合物である
フェノール含有量が１１３ｐｐｍ、分子量１０００以下
のオリゴマー成分及び残留モノマー含有量が０．７８重
量％

【０１２５】実施例１と同様にして反射鏡を作製し、同
様の評価を実施し、結果を表１に示した。

【０１２６】

【表１】

【０１２７】

【発明の効果】本発明の実質的に塩素原子を含まないポ
リカーボネートは成形性に優れ、かつ該ポリカーボネー
トからなる反射鏡は耐久性、耐衝撃性、反射画像性に優
れており、プロジェクションテレビ用平面鏡として好適
である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエス
テルとからエステル交換法にて製造された実質的に塩素
原子を含まないポリカーボネートから成形されたシート
に反射層を設けた耐久性、かつ反射画像性に優れた反射
鏡。
【請求項２】ポリカーボネートが、（ａ）アルカリ金
属及び／又はアルカリ土類金属含有量が１〜８００ｐｐ
ｂ、（ｂ）芳香族モノヒドロキシ化合物含有量が１〜２
００ｐｐｍ、（ｃ）分子量１０００以下のオリゴマー成
分及び残留モノマー含有量がＴ₁〜Ｔ₂重量％（但し、Ｔ
₁＝１，１３０，０００×（該ポリカーボネートの重量
平均分子量）^-1.60、Ｔ₂＝１，５２０，０００×（該ポ
リカーボネートの重量平均分子量）^-1.44）、（ｄ）末
端ヒドロキシ基の全末端に占める割合が１〜３０モル％
である請求項１記載の反射鏡。
【請求項３】反射画像性が３％以下である請求項１か
ら請求項２のいずれか１項に記載の反射鏡。
【請求項４】請求項１から請求項３のいずれか１項に
記載の反射鏡を搭載したことを特徴とする背面投射型プ
ロジェクションテレビ。