JPH0979990A - 半導体装置の検査装置及びその検査方法 - Google Patents
半導体装置の検査装置及びその検査方法Info
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- JPH0979990A JPH0979990A JP7232511A JP23251195A JPH0979990A JP H0979990 A JPH0979990 A JP H0979990A JP 7232511 A JP7232511 A JP 7232511A JP 23251195 A JP23251195 A JP 23251195A JP H0979990 A JPH0979990 A JP H0979990A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体装置の表面欠陥の有無を感度良く確実に
検査し、欠陥のある半導体装置を分別可能な半導体装置
の検査装置及びその検査方法を提供することを目的とし
ている。 【解決手段】照明2A、2Bは半導体装置4のパッケー
ジ5の表面に異なる角度で順次光を照射する。カメラ1
は照明2Aによって照明されている状態でパッケージ5
の表面を撮像し、第1画像信号を出力する。さらに、こ
の第1画像信号はカメラ1は照明2Bによって照明され
ている状態でパッケージ5の表面を撮像し、第2画像信
号を出力する。画像処理回路7は第1、第2画像信号を
合成し、この合成された画像信号と所定のしきい値とを
比較することにより、欠陥を弁別する。
検査し、欠陥のある半導体装置を分別可能な半導体装置
の検査装置及びその検査方法を提供することを目的とし
ている。 【解決手段】照明2A、2Bは半導体装置4のパッケー
ジ5の表面に異なる角度で順次光を照射する。カメラ1
は照明2Aによって照明されている状態でパッケージ5
の表面を撮像し、第1画像信号を出力する。さらに、こ
の第1画像信号はカメラ1は照明2Bによって照明され
ている状態でパッケージ5の表面を撮像し、第2画像信
号を出力する。画像処理回路7は第1、第2画像信号を
合成し、この合成された画像信号と所定のしきい値とを
比較することにより、欠陥を弁別する。
Description
【0001】
【発明の属する分野】この発明は、半導体装置の検査装
置及びその検査方法に係り、特に半導体装置を構成する
パッケージの表面に生ずる欠陥の有無を判別する検査装
置及び検査方法の改良に関する。
置及びその検査方法に係り、特に半導体装置を構成する
パッケージの表面に生ずる欠陥の有無を判別する検査装
置及び検査方法の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】図5に従来の半導体装置の検査装置の例
を示す。カメラ1は被検査半導体装置(以下、半導体装
置と称す)4に対向して設置されている。カメラ1の近
傍には半導体装置4に光を照射するための照明2A、2
Bが設置されている。カメラ1の出力信号である画像信
号は外観検査手段3に供給される。前記照明2A、2B
は、前記半導体装置4を構成するパッケージ5の表面に
生じた欠陥6全体と、その周囲の明るさが異なるように
位置が調整される。通常、その照明は固定され、再調整
されることはない。
を示す。カメラ1は被検査半導体装置(以下、半導体装
置と称す)4に対向して設置されている。カメラ1の近
傍には半導体装置4に光を照射するための照明2A、2
Bが設置されている。カメラ1の出力信号である画像信
号は外観検査手段3に供給される。前記照明2A、2B
は、前記半導体装置4を構成するパッケージ5の表面に
生じた欠陥6全体と、その周囲の明るさが異なるように
位置が調整される。通常、その照明は固定され、再調整
されることはない。
【0003】上記照明のもとで、カメラ1によって画像
信号を取り込み、外観検査手段3において例えばしきい
値による2値化により、欠陥6の有無を弁別していた。
図6(a)に示すような一般的な表面欠陥6の大半は、
幅200μm、深さ50μm以上のものである。このた
め、照明を調整すると、図6(b)に示すように、欠陥
6Aにはあまり光が到達せず、輪郭部分6Bを伴った暗
部となる。従って、欠陥6Aが明確に判別可能となる。
信号を取り込み、外観検査手段3において例えばしきい
値による2値化により、欠陥6の有無を弁別していた。
図6(a)に示すような一般的な表面欠陥6の大半は、
幅200μm、深さ50μm以上のものである。このた
め、照明を調整すると、図6(b)に示すように、欠陥
6Aにはあまり光が到達せず、輪郭部分6Bを伴った暗
部となる。従って、欠陥6Aが明確に判別可能となる。
【0004】一方、図6(c)に示すように、深さ20
〜50μmの浅い欠陥6Cの場合、照明を調整しても欠
陥6Cとその周囲とのコントラストが大きくならず、欠
陥6Cは周囲と区別しにくい。
〜50μmの浅い欠陥6Cの場合、照明を調整しても欠
陥6Cとその周囲とのコントラストが大きくならず、欠
陥6Cは周囲と区別しにくい。
【0005】また、半導体装置、照明手段、カメラの相
対位置がずれた場合や、半導体装置の表面欠陥の位置や
形状が異なる場合にも、同一の照明条件で検査されるの
で、判別しやすい場合と判別しにくい場合が生じること
になる。一つ一つの表面欠陥に対して照明を調整する
と、検査時間が長くなり、従ってコストが高くなる。
対位置がずれた場合や、半導体装置の表面欠陥の位置や
形状が異なる場合にも、同一の照明条件で検査されるの
で、判別しやすい場合と判別しにくい場合が生じること
になる。一つ一つの表面欠陥に対して照明を調整する
と、検査時間が長くなり、従ってコストが高くなる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来の半
導体装置の検査装置では、幅の長さに比べて浅い表面欠
陥の場合、照明を調整しても表面欠陥として判別しにく
く、欠陥のある半導体装置の分別不能な場合が生ずると
いう問題があった。
導体装置の検査装置では、幅の長さに比べて浅い表面欠
陥の場合、照明を調整しても表面欠陥として判別しにく
く、欠陥のある半導体装置の分別不能な場合が生ずると
いう問題があった。
【0007】この発明の目的は、半導体装置の表面欠陥
の有無を感度良く確実に検査でき、欠陥のある半導体装
置を分別可能な半導体装置の検査装置及びその検査方法
を提供することにある。
の有無を感度良く確実に検査でき、欠陥のある半導体装
置を分別可能な半導体装置の検査装置及びその検査方法
を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、この発明の半導体装置の検査装置にお
いては以下の手段を講じた。請求項1に記載した本発明
の半導体装置の検査装置は、半導体装置に対して複数の
位置から順次光を照射する複数の照明手段と、前記照明
手段から前記半導体装置に光が照射された状態で前記半
導体装置を撮像し画像信号を出力するカメラとを備えて
いる。前記照明手段が第1の位置から前記半導体装置に
対して光を照射した状態で、前記カメラから出力された
第1画像信号と、及び前記照明手段が第2の位置から前
記半導体装置に対して光を照射した状態で、前記カメラ
から出力された第2画像信号とを合成し、この合成され
た画像信号と所定のしきい値とを比較することにより、
前記半導体装置の表面欠陥の有無を判別する画像処理回
路を備えている。
達成するために、この発明の半導体装置の検査装置にお
いては以下の手段を講じた。請求項1に記載した本発明
の半導体装置の検査装置は、半導体装置に対して複数の
位置から順次光を照射する複数の照明手段と、前記照明
手段から前記半導体装置に光が照射された状態で前記半
導体装置を撮像し画像信号を出力するカメラとを備えて
いる。前記照明手段が第1の位置から前記半導体装置に
対して光を照射した状態で、前記カメラから出力された
第1画像信号と、及び前記照明手段が第2の位置から前
記半導体装置に対して光を照射した状態で、前記カメラ
から出力された第2画像信号とを合成し、この合成され
た画像信号と所定のしきい値とを比較することにより、
前記半導体装置の表面欠陥の有無を判別する画像処理回
路を備えている。
【0009】上記本発明の半導体装置の検査装置におい
ては、異なる位置の前記照明手段によるそれぞれの画像
信号を合成するので、前記表面欠陥の少なくとも一部分
による影と周囲とのコントラストが大きくなる。従っ
て、容易に表面欠陥の有無を判別することが可能であ
る。また、照明条件が複数になるので、欠陥のある半導
体装置が分別不能になる場合が生じず、検査の感度が向
上し、比較的小さな表面欠陥でも判別される。
ては、異なる位置の前記照明手段によるそれぞれの画像
信号を合成するので、前記表面欠陥の少なくとも一部分
による影と周囲とのコントラストが大きくなる。従っ
て、容易に表面欠陥の有無を判別することが可能であ
る。また、照明条件が複数になるので、欠陥のある半導
体装置が分別不能になる場合が生じず、検査の感度が向
上し、比較的小さな表面欠陥でも判別される。
【0010】請求項2に示すように、前記画像処理回路
は、前記第1画像信号を記憶する記憶手段と、この記憶
手段に記憶された第1画像信号と前記第2画像信号とを
合成する合成手段と、所定のしきい値が設定され、この
しきい値と前記合成手段によって合成された画像信号と
を比較し、前記半導体装置の欠陥の有無を判別する判別
手段とを有する。
は、前記第1画像信号を記憶する記憶手段と、この記憶
手段に記憶された第1画像信号と前記第2画像信号とを
合成する合成手段と、所定のしきい値が設定され、この
しきい値と前記合成手段によって合成された画像信号と
を比較し、前記半導体装置の欠陥の有無を判別する判別
手段とを有する。
【0011】上記本発明の半導体装置の検査装置におい
ては、前記記憶手段及び合成手段によって、異なる位置
の照明手段による画像が容易に合成される。その合成画
像における前記表面欠陥の影とその周囲とのコントラス
トは大きくなるので、しきい値による判別手段によって
容易に表面欠陥の有無が判別される。また、検査の感度
が向上し、比較的小さいな表面欠陥でも判別される。
ては、前記記憶手段及び合成手段によって、異なる位置
の照明手段による画像が容易に合成される。その合成画
像における前記表面欠陥の影とその周囲とのコントラス
トは大きくなるので、しきい値による判別手段によって
容易に表面欠陥の有無が判別される。また、検査の感度
が向上し、比較的小さいな表面欠陥でも判別される。
【0012】請求項3に記載した本発明の半導体装置の
検査装置は、半導体装置に対して光を照射する1つの照
明手段と、前記照明手段から半導体装置に光が照射され
た状態で前記半導体装置を撮像し画像信号を出力するカ
メラとを備えている。前記半導体装置に対して異なる位
置から光を照射させるべく、前記照明手段を前記半導体
装置に対して移動させる駆動手段を備えている。前記照
明手段が第1の位置から前記半導体装置に対して光を照
射した状態で、前記カメラから出力された第1画像信号
と、前記照明手段が駆動手段により第2の位置に移動さ
れ、この第2の位置から前記半導体装置に対して光を照
射した状態で、前記カメラから出力された第2画像信号
とを合成し、この合成された画像信号と所定のしきい値
とを比較することにより、前記半導体装置の表面欠陥の
有無を判別する画像処理回路を備えている。
検査装置は、半導体装置に対して光を照射する1つの照
明手段と、前記照明手段から半導体装置に光が照射され
た状態で前記半導体装置を撮像し画像信号を出力するカ
メラとを備えている。前記半導体装置に対して異なる位
置から光を照射させるべく、前記照明手段を前記半導体
装置に対して移動させる駆動手段を備えている。前記照
明手段が第1の位置から前記半導体装置に対して光を照
射した状態で、前記カメラから出力された第1画像信号
と、前記照明手段が駆動手段により第2の位置に移動さ
れ、この第2の位置から前記半導体装置に対して光を照
射した状態で、前記カメラから出力された第2画像信号
とを合成し、この合成された画像信号と所定のしきい値
とを比較することにより、前記半導体装置の表面欠陥の
有無を判別する画像処理回路を備えている。
【0013】上記本発明の半導体装置の検査装置におい
ては、照明手段の数が一つであっても、異なる照明位置
の画像の合成画像が容易に得られる。その照明の位置は
容易に変更できるので、多種類の半導体装置の検査に容
易に対応可能である。また、前記照明手段の点灯消灯を
繰り返す必要がないので、前記照明手段の寿命が短くな
らず、また、検査時間が長くならない。さらに、自動検
査が可能となり、画像処理による検査の感度が向上す
る。
ては、照明手段の数が一つであっても、異なる照明位置
の画像の合成画像が容易に得られる。その照明の位置は
容易に変更できるので、多種類の半導体装置の検査に容
易に対応可能である。また、前記照明手段の点灯消灯を
繰り返す必要がないので、前記照明手段の寿命が短くな
らず、また、検査時間が長くならない。さらに、自動検
査が可能となり、画像処理による検査の感度が向上す
る。
【0014】請求項4に示すように、前記照明手段は前
記カメラの光軸に対し前記半導体装置を中心に20°以
上90°未満の範囲で設置される。上記本発明の半導体
装置の検査装置においては、前記照明手段の位置が適切
な範囲に設置されるので、前記表面欠陥のコントラスト
が大きくなり、画像処理による検査の感度が向上する。
記カメラの光軸に対し前記半導体装置を中心に20°以
上90°未満の範囲で設置される。上記本発明の半導体
装置の検査装置においては、前記照明手段の位置が適切
な範囲に設置されるので、前記表面欠陥のコントラスト
が大きくなり、画像処理による検査の感度が向上する。
【0015】請求項5に記載した本発明の半導体装置の
検査方法は、第1の位置から照明手段によって半導体装
置に対して光を照射した状態で、カメラにより半導体装
置を撮像し、第1画像信号を得る工程と、第2の位置か
ら前記照明手段によって前記半導体装置に対して光を照
射した状態で、前記カメラにより半導体装置を撮像し、
第2画像信号を得る工程と、前記第1、第2画像信号を
合成し、この合成された画像信号と所定のしきい値とを
比較することにより、前記半導体装置の表面欠陥の有無
を判別する工程とを具備している。
検査方法は、第1の位置から照明手段によって半導体装
置に対して光を照射した状態で、カメラにより半導体装
置を撮像し、第1画像信号を得る工程と、第2の位置か
ら前記照明手段によって前記半導体装置に対して光を照
射した状態で、前記カメラにより半導体装置を撮像し、
第2画像信号を得る工程と、前記第1、第2画像信号を
合成し、この合成された画像信号と所定のしきい値とを
比較することにより、前記半導体装置の表面欠陥の有無
を判別する工程とを具備している。
【0016】上記半導体装置の検査方法においては、異
なる位置の照明手段による撮像を順に行うので、大きく
異なる複数の照明条件の画像が得られ、欠陥のある半導
体装置が分別不能になる場合が生じない。また、前記合
成画像における前記表面欠陥の影とその周囲とのコント
ラストは大きいので、前記表面欠陥の形状が明確にな
り、前記画像処理による前記表面欠陥の検査の感度が向
上する。
なる位置の照明手段による撮像を順に行うので、大きく
異なる複数の照明条件の画像が得られ、欠陥のある半導
体装置が分別不能になる場合が生じない。また、前記合
成画像における前記表面欠陥の影とその周囲とのコント
ラストは大きいので、前記表面欠陥の形状が明確にな
り、前記画像処理による前記表面欠陥の検査の感度が向
上する。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。尚、図5と同一部分には同
一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。 (第1の実施の形態)図1及び図2は、本発明の第1の
実施の形態について説明するための図である。
て図面を参照して説明する。尚、図5と同一部分には同
一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。 (第1の実施の形態)図1及び図2は、本発明の第1の
実施の形態について説明するための図である。
【0018】まず、検査装置の構成を説明する。CCD
カメラ1は半導体装置4に対向して配置されている。前
記カメラ1の出力の画像信号は画像処理回路7に供給さ
れる。この画像処理回路7は供給された画像信号を記憶
するメモリ7a、このメモリ7aに記憶された画像信号
とカメラ1から供給された画像信号とを合成する合成回
路7b、この合成回路7bから出力される信号のレベル
を例えば所定のしきい値により弁別し、欠陥を検出する
弁別回路7c等を有している。前記カメラ1の近傍には
半導体装置4に光を照射する照明2A、2Bが配置され
ている。これら照明2A、2Bは前記カメラ1の光軸8
と例えば半導体装置4とが交わる部分を中心として角度
θの位置9に設置されている。
カメラ1は半導体装置4に対向して配置されている。前
記カメラ1の出力の画像信号は画像処理回路7に供給さ
れる。この画像処理回路7は供給された画像信号を記憶
するメモリ7a、このメモリ7aに記憶された画像信号
とカメラ1から供給された画像信号とを合成する合成回
路7b、この合成回路7bから出力される信号のレベル
を例えば所定のしきい値により弁別し、欠陥を検出する
弁別回路7c等を有している。前記カメラ1の近傍には
半導体装置4に光を照射する照明2A、2Bが配置され
ている。これら照明2A、2Bは前記カメラ1の光軸8
と例えば半導体装置4とが交わる部分を中心として角度
θの位置9に設置されている。
【0019】次に、上記検査装置の動作及びその検査方
法を説明する。まず、図1に示すように、照明2Aを点
灯する。照明2Aの明るさが十分に明るくなった後、画
像処理回路7は第1画像信号をメモリ7aに記憶する。
このメモリ7aに記憶された第1画像信号は、例えば図
2(a)に示すように、凹状の欠陥6の左縁の内側に影
10Aができている。
法を説明する。まず、図1に示すように、照明2Aを点
灯する。照明2Aの明るさが十分に明るくなった後、画
像処理回路7は第1画像信号をメモリ7aに記憶する。
このメモリ7aに記憶された第1画像信号は、例えば図
2(a)に示すように、凹状の欠陥6の左縁の内側に影
10Aができている。
【0020】次に、照明2Aを消灯し、照明2Bを点灯
させる。照明2Aの明るさが十分に暗くなり、照明2B
の明るさが十分に明るくなった後、画像処理回路7は第
2画像信号を取り込み、この第2画像信号は合成回路7
bによって前記メモリ7aに記憶された第1画像信号と
合成される。前記第2画像信号は、例えば図2(b)に
示すように、凹状の欠陥6の右縁の内側に影10Bがで
きている。従って、上記二つの画像信号を合成した合成
画像は、図2(c)に示すように、影10A及び影10
Bが合成された影10Cとなり、欠陥6の形状が明確に
なる。その後、弁別回路7cによって所定のしきい値に
よりレベルが弁別され、欠陥6の有無が判別される。
尚、前記合成画像を目視して検査を行ってもよい。
させる。照明2Aの明るさが十分に暗くなり、照明2B
の明るさが十分に明るくなった後、画像処理回路7は第
2画像信号を取り込み、この第2画像信号は合成回路7
bによって前記メモリ7aに記憶された第1画像信号と
合成される。前記第2画像信号は、例えば図2(b)に
示すように、凹状の欠陥6の右縁の内側に影10Bがで
きている。従って、上記二つの画像信号を合成した合成
画像は、図2(c)に示すように、影10A及び影10
Bが合成された影10Cとなり、欠陥6の形状が明確に
なる。その後、弁別回路7cによって所定のしきい値に
よりレベルが弁別され、欠陥6の有無が判別される。
尚、前記合成画像を目視して検査を行ってもよい。
【0021】実験によると上記角度は20°≦θ<90
°の範囲が適当であり、70°程度が最も望ましい。こ
の時、欠陥6の影10A、10B、10Cとその周囲の
コントラストが最大になる。
°の範囲が適当であり、70°程度が最も望ましい。こ
の時、欠陥6の影10A、10B、10Cとその周囲の
コントラストが最大になる。
【0022】第1の実施の形態において、複数の照明は
カメラ1の光軸8から最適の角度θ=70°の位置に設
定され、各照明が点灯された状態で撮像された画像が合
成されるため、幅の長さに比べて浅い欠陥であっても、
合成画像における欠陥の影10Cと周囲とのコントラス
トが大きくなる。また、欠陥の形状が明確になるので、
欠陥の検査感度が向上する。さらに、照明条件が複数な
ので、欠陥のある半導体装置が分別不能になる場合が生
じない。
カメラ1の光軸8から最適の角度θ=70°の位置に設
定され、各照明が点灯された状態で撮像された画像が合
成されるため、幅の長さに比べて浅い欠陥であっても、
合成画像における欠陥の影10Cと周囲とのコントラス
トが大きくなる。また、欠陥の形状が明確になるので、
欠陥の検査感度が向上する。さらに、照明条件が複数な
ので、欠陥のある半導体装置が分別不能になる場合が生
じない。
【0023】尚、照明の数は2つに限定されるものでは
なく、3つ以上としてもよい。この場合、複数の照明を
順次点灯し、各照明によって照射された欠陥に対応する
画像信号をメモリ7aに記憶する。これらメモリ7aに
記憶された画像信号を合成して所定のしきい値と比較す
ることにより、一層欠陥の検出感度を向上できる。 (第2の実施の形態)図3は、本発明の第2の実施の形
態を説明するための図である。構成及び動作は基本的に
第1の実施の形態と同じであるため、同一部分には同一
符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
なく、3つ以上としてもよい。この場合、複数の照明を
順次点灯し、各照明によって照射された欠陥に対応する
画像信号をメモリ7aに記憶する。これらメモリ7aに
記憶された画像信号を合成して所定のしきい値と比較す
ることにより、一層欠陥の検出感度を向上できる。 (第2の実施の形態)図3は、本発明の第2の実施の形
態を説明するための図である。構成及び動作は基本的に
第1の実施の形態と同じであるため、同一部分には同一
符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【0024】制御回路11は前記照明2A、2Bの点灯
及び消灯を制御するとともに、前記画像処理回路7にお
ける画像信号の取り込みタイミングを制御する。すなわ
ち、制御手段11は、先ず照明2Aを点灯させた状態
で、画像処理回路7へカメラ1からの画像信号を取り込
む制御信号を供給する。この制御信号に応じて画像処理
回路7は第1画像信号をメモリ7aに記憶する。メモリ
7aに第1画像信号が記憶されると、制御回路11は照
明2Aを消灯し、照明2Bを点灯してカメラ1から出力
される第2画像信号を画像処理回路7に取り込むための
制御信号を画像処理回路7に供給する。画像処理回路7
はこの取り込まれた第2画像信号と前記メモリ7aに記
憶されている第1画像信号を合成し、所定のしきい値に
より弁別し、欠陥を検出する。
及び消灯を制御するとともに、前記画像処理回路7にお
ける画像信号の取り込みタイミングを制御する。すなわ
ち、制御手段11は、先ず照明2Aを点灯させた状態
で、画像処理回路7へカメラ1からの画像信号を取り込
む制御信号を供給する。この制御信号に応じて画像処理
回路7は第1画像信号をメモリ7aに記憶する。メモリ
7aに第1画像信号が記憶されると、制御回路11は照
明2Aを消灯し、照明2Bを点灯してカメラ1から出力
される第2画像信号を画像処理回路7に取り込むための
制御信号を画像処理回路7に供給する。画像処理回路7
はこの取り込まれた第2画像信号と前記メモリ7aに記
憶されている第1画像信号を合成し、所定のしきい値に
より弁別し、欠陥を検出する。
【0025】尚、また、照明が十分に明るくなる時間、
または暗くなる時間、画像信号を取り込む時間は用いる
電球やIC等によって決まる一定値であるので、一定の
時間間隔で制御信号を発生させてもよい。時間の経過
は、一定周波数のクロックをカウントする等の周知の方
法によって容易に実現される。通常は、画像信号の1フ
レ−ムの走査時間よりも照明が十分に明るくなる時間、
または暗くなる時間の方がはるかに長い。
または暗くなる時間、画像信号を取り込む時間は用いる
電球やIC等によって決まる一定値であるので、一定の
時間間隔で制御信号を発生させてもよい。時間の経過
は、一定周波数のクロックをカウントする等の周知の方
法によって容易に実現される。通常は、画像信号の1フ
レ−ムの走査時間よりも照明が十分に明るくなる時間、
または暗くなる時間の方がはるかに長い。
【0026】第2の実施の形態によっても、第1の実施
の形態と同様の効果を得ることができる。しかも、この
実施の形態の場合、制御回路11によって照明の点灯、
消灯及びカメラ1から画像処理回路7への画像信号の取
り込みタイミングを制御しているため、欠陥検出を自動
化できる利点を有している。 (第3の実施の形態)図4は、本発明の第3の実施の形
態について説明するための図であり、基本的な構成また
は動作は第2の実施の形態と同じである。第3の実施の
形態において、第2の実施の形態と異なるのは、照明1
2が1つであり、その照明12を駆動回路13Aによっ
て回転させる点である。すなわち、照明12は支持部材
13Bによって駆動回路13Aに取着されるとともに、
カメラ1の光軸8と所定の角度θに設定されている。照
明12は駆動回路13Aを介して制御回路11により点
灯及び消灯が制御され、駆動回路13Aによって欠陥6
及びカメラ1との相対位置が制御される。
の形態と同様の効果を得ることができる。しかも、この
実施の形態の場合、制御回路11によって照明の点灯、
消灯及びカメラ1から画像処理回路7への画像信号の取
り込みタイミングを制御しているため、欠陥検出を自動
化できる利点を有している。 (第3の実施の形態)図4は、本発明の第3の実施の形
態について説明するための図であり、基本的な構成また
は動作は第2の実施の形態と同じである。第3の実施の
形態において、第2の実施の形態と異なるのは、照明1
2が1つであり、その照明12を駆動回路13Aによっ
て回転させる点である。すなわち、照明12は支持部材
13Bによって駆動回路13Aに取着されるとともに、
カメラ1の光軸8と所定の角度θに設定されている。照
明12は駆動回路13Aを介して制御回路11により点
灯及び消灯が制御され、駆動回路13Aによって欠陥6
及びカメラ1との相対位置が制御される。
【0027】上記構成において、動作について説明す
る。照明12は初期状態において、図4に実線で示す位
置に配置されている。この状態において、制御回路11
は駆動回路13Aを介して照明12を点灯し、カメラ1
によってパッケージ表面を撮像する。カメラ1から出力
される第1画像信号は、制御回路11によって制御され
る画像処理回路7のメモリ7aに記憶される。この後、
照明12を例えば点灯したままの状態で、駆動回路13
Aによって照明12をカメラ1の光軸8と直交する面内
を180°回動し、図4に破線で示す位置に移動させ
る。この位置で再度カメラ1によってパッケージ表面を
撮像する。カメラ1から出力される第2画像信号は、制
御回路11によって制御される画像処理回路7に取り込
まれ、メモリ7aに記憶された第1画像信号と合成され
る。この合成された画像信号は所定のしきい値と比較さ
れ、欠陥6が検出される。この後、照明12は駆動回路
12により回動され、実線で示す位置に移動される。
る。照明12は初期状態において、図4に実線で示す位
置に配置されている。この状態において、制御回路11
は駆動回路13Aを介して照明12を点灯し、カメラ1
によってパッケージ表面を撮像する。カメラ1から出力
される第1画像信号は、制御回路11によって制御され
る画像処理回路7のメモリ7aに記憶される。この後、
照明12を例えば点灯したままの状態で、駆動回路13
Aによって照明12をカメラ1の光軸8と直交する面内
を180°回動し、図4に破線で示す位置に移動させ
る。この位置で再度カメラ1によってパッケージ表面を
撮像する。カメラ1から出力される第2画像信号は、制
御回路11によって制御される画像処理回路7に取り込
まれ、メモリ7aに記憶された第1画像信号と合成され
る。この合成された画像信号は所定のしきい値と比較さ
れ、欠陥6が検出される。この後、照明12は駆動回路
12により回動され、実線で示す位置に移動される。
【0028】支持手段13Bは回転経路を形成する金属
のリングでもよい。この場合、このリングにそって照明
が回転することになる。また、動力回路13Aは照明1
2と一体化してもよい。尚、照明12への電源供給は上
記構成に限定されない。
のリングでもよい。この場合、このリングにそって照明
が回転することになる。また、動力回路13Aは照明1
2と一体化してもよい。尚、照明12への電源供給は上
記構成に限定されない。
【0029】尚、照明が回転している間の画像信号のす
べてのフレームを合成して合成画像を作成してもよい。
上記第3の実施の形態によれば、照明12を回転してパ
ッケージの照明位置を変えているため、照明12が1つ
でよく、かつ、取り込む画像のフレーム数、その画像を
取り込む位置を自由に設定することが可能となる。さら
に、照明12は点灯したまま回動されるため、照明12
の点灯消灯を繰り返す必要がない。したがって、照明の
寿命を延ばすことができ、検査時間も短縮できる利点を
有している。
べてのフレームを合成して合成画像を作成してもよい。
上記第3の実施の形態によれば、照明12を回転してパ
ッケージの照明位置を変えているため、照明12が1つ
でよく、かつ、取り込む画像のフレーム数、その画像を
取り込む位置を自由に設定することが可能となる。さら
に、照明12は点灯したまま回動されるため、照明12
の点灯消灯を繰り返す必要がない。したがって、照明の
寿命を延ばすことができ、検査時間も短縮できる利点を
有している。
【0030】上記第2、第3の実施の形態を組み合わせ
てもよい。この場合、照明を回転させた場合に得られる
画像に加え、照明位置の角度θが大きく違う照明、また
は、被検査半導体装置から照明までの距離が大きく違う
照明による画像を含めた合成画像が作成可能となる。し
かも、制御が容易で、より柔軟な照明条件を設定でき、
かつ合成画像の元の画像のフレーム数を増やすことも容
易である。尚、上記照明の位置は、光軸8と直交する面
内で光軸8の周囲を等分するような3箇所以上の位置が
望ましい。つまり、1つの方向に偏っていなければよ
い。
てもよい。この場合、照明を回転させた場合に得られる
画像に加え、照明位置の角度θが大きく違う照明、また
は、被検査半導体装置から照明までの距離が大きく違う
照明による画像を含めた合成画像が作成可能となる。し
かも、制御が容易で、より柔軟な照明条件を設定でき、
かつ合成画像の元の画像のフレーム数を増やすことも容
易である。尚、上記照明の位置は、光軸8と直交する面
内で光軸8の周囲を等分するような3箇所以上の位置が
望ましい。つまり、1つの方向に偏っていなければよ
い。
【0031】尚、第1〜第3の実施の形態の照明2A、
2B、12は単一発光源に限らず、面状発光源(例えば
複数のLEDを並べたもの)でもよい。尚、第1、第
2、第3の発明の実施の形態の表面欠陥6は凹状であっ
たが、凸状であっても同様に検査可能である。また、こ
の装置を製造ラインに組み込むことも可能である。
2B、12は単一発光源に限らず、面状発光源(例えば
複数のLEDを並べたもの)でもよい。尚、第1、第
2、第3の発明の実施の形態の表面欠陥6は凹状であっ
たが、凸状であっても同様に検査可能である。また、こ
の装置を製造ラインに組み込むことも可能である。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、半導体装置の表面欠陥の有無を感度良く、しかも確
実に検査でき、欠陥のある半導体装置を分別可能な半導
体装置の検査装置及びその検査方法を提供できる。
ば、半導体装置の表面欠陥の有無を感度良く、しかも確
実に検査でき、欠陥のある半導体装置を分別可能な半導
体装置の検査装置及びその検査方法を提供できる。
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置を
示す構成図。
示す構成図。
【図2】図1の動作を説明するために示す図。
【図3】本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置を
示す構成図。
示す構成図。
【図4】本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置を
示す構成図。
示す構成図。
【図5】従来の半導体装置の検査装置の一例を説明する
図。
図。
【図6】従来及び本発明の被検査半導体装置における欠
陥を説明する図。
陥を説明する図。
1…カメラ、2A、2B、12…照明、7…画像処理回
路、11…制御回路、13…駆動手段。
路、11…制御回路、13…駆動手段。
Claims (5)
- 【請求項1】半導体装置に対して複数の位置から順次光
を照射する複数の照明手段と、 前記照明手段から前記半導体装置に光が照射された状態
で前記半導体装置を撮像し画像信号を出力するカメラ
と、 前記照明手段が第1の位置から前記半導体装置に対して
光を照射した状態で、前記カメラから出力された第1画
像信号と、及び前記照明手段が第2の位置から前記半導
体装置に対して光を照射した状態で、前記カメラから出
力された第2画像信号とを合成し、この合成された画像
信号と所定のしきい値とを比較することにより、前記半
導体装置の表面欠陥の有無を判別する画像処理回路とを
備えたことを特徴とする半導体装置の検査装置。 - 【請求項2】前記画像処理回路は、前記第1画像信号を
記憶する記憶手段と、この記憶手段に記憶された第1画
像信号と前記第2画像信号とを合成する合成手段と、所
定のしきい値が設定され、このしきい値と前記合成手段
によって合成された画像信号とを比較し、前記半導体装
置の欠陥の有無を判別する判別手段とを有することを特
徴とする請求項1記載の半導体装置の検査装置。 - 【請求項3】半導体装置に対して光を照射する1つの照
明手段と、 前記照明手段から半導体装置に光が照射された状態で前
記半導体装置を撮像し画像信号を出力するカメラと、 前記半導体装置に対して異なる位置から光を照射させる
べく、前記照明手段を前記半導体装置に対して移動させ
る駆動手段と、 前記照明手段が第1の位置から前記半導体装置に対して
光を照射した状態で、前記カメラから出力された第1画
像信号と、前記照明手段が駆動手段により第2の位置に
移動され、この第2の位置から前記半導体装置に対して
光を照射した状態で、前記カメラから出力された第2画
像信号とを合成し、この合成された画像信号と所定のし
きい値とを比較することにより、前記半導体装置の表面
欠陥の有無を判別する画像処理回路とを備えたことを特
徴とする半導体装置の検査装置。 - 【請求項4】前記照明手段は前記カメラの光軸に対し前
記半導体装置を中心に20°以上90°未満の範囲で設
置されることを特徴とする請求項1又は3記載の半導体
装置の検査装置。 - 【請求項5】第1の位置から照明手段によって半導体装
置に対して光を照射した状態で、カメラにより半導体装
置を撮像し、第1画像信号を得る工程と、 第2の位置から前記照明手段によって前記半導体装置に
対して光を照射した状態で、前記カメラにより半導体装
置を撮像し、第2画像信号を得る工程と、 前記第1、第2画像信号を合成し、この合成された画像
信号と所定のしきい値とを比較することにより、前記半
導体装置の表面欠陥の有無を判別する工程とを具備する
ことを特徴とする半導体装置の検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7232511A JPH0979990A (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 半導体装置の検査装置及びその検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7232511A JPH0979990A (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 半導体装置の検査装置及びその検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0979990A true JPH0979990A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=16940484
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7232511A Pending JPH0979990A (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 半導体装置の検査装置及びその検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0979990A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010162638A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Toshiba Corp | ロボットハンド |
ES2381723A1 (es) * | 2010-04-12 | 2012-05-31 | Asociacion De Investigacion Y Desarrollo En La Industria Del Mueble Y Afines (Aidima) | Sistema de vision artificial para la deteccion de defectos en superficies acabadas |
JP2013015389A (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-24 | Hitachi-Ge Nuclear Energy Ltd | 溶接位置の検査方法及びその装置 |
JP2013242624A (ja) * | 2012-05-17 | 2013-12-05 | Reiji Oshima | 画像処理方法 |
JP2014010138A (ja) * | 2012-07-03 | 2014-01-20 | Ricoh Elemex Corp | 検査装置および検査方法 |
WO2018088552A1 (ja) * | 2016-11-14 | 2018-05-17 | 日本碍子株式会社 | セラミックス体の欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
-
1995
- 1995-09-11 JP JP7232511A patent/JPH0979990A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010162638A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Toshiba Corp | ロボットハンド |
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WO2018088552A1 (ja) * | 2016-11-14 | 2018-05-17 | 日本碍子株式会社 | セラミックス体の欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
JPWO2018088552A1 (ja) * | 2016-11-14 | 2018-11-15 | 日本碍子株式会社 | セラミックス体の欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
US11226295B2 (en) | 2016-11-14 | 2022-01-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic body defect inspecting apparatus and defect inspecting method |
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