JPH0978162A

JPH0978162A - 電子機器用銅合金およびその製造方法

Info

Publication number: JPH0978162A
Application number: JP276896A
Authority: JP
Inventors: Tatsuhiko Eguchi; 立彦江口; Takao Hirai; 崇夫平井; Michio Miyauchi; 理夫宮内
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 1995-07-10
Filing date: 1996-01-11
Publication date: 1997-03-25
Anticipated expiration: 2016-01-11
Also published as: JP3296709B2

Abstract

(57)【要約】【課題】優れた特性の電子機器用銅合金を得ること。【解決手段】Ｃｒが０．１〜０．４重量％、Ｓｎが
０．０５〜２重量％、Ｚｎが０．０５〜２重量％（Ｚｒ
０．０１〜０．２重量％が含まれる場合もある）、Ｐｂ
またはＣａの内少なくとも１種が総計０．００５〜０．
２重量％、Ｐが０．０１重量％未満、Ｓが０．００５重
量％未満、Ｏ₂が０．００５重量％未満含まれ、残部Ｃ
ｕと不可避的不純物とからなる銅合金で、その製法とし
て、冷却速度５℃／秒以上の冷却速度で鋳造し、８５０
〜１０００℃で熱間加工した後、１０℃／秒以上の速度
で冷却し、しかる後、加工率８０％以上の冷間加工、４
００〜５００℃で１０分〜２４時間の熱処理、加工率５
０％以下の冷間加工、３００〜６００℃で１０秒〜１２
時間の最終熱処理を順次施して、晶出物または析出物の
大きさを３μｍ未満、結晶粒度を５μｍ未満にする、方
法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電子電気機器用のリード
材、端子材、コネクタ材、スイッチ材等に適用する銅合
金に関し、特にＩＣ等の半導体素子用のリード材（リー
ドフレーム材）に好適な銅合金に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体機器のリードフレーム材、
端子材としては、鉄系材料の他、電気伝導性および熱伝
導性に優れた銅系の材料も多く用いられている。近年は
半導体機器の高集積化や小型化が進み、これらに使用さ
れる銅合金も、電気伝導性、熱伝導性に優れる銅系材料
が多く用いられるようになってきた。

【０００３】通常、リードフレーム材として要求される
特性は、電気伝導性や熱伝導性の他、貴金属（Ａｇ等）
めっきや半田めっき等が施されるため、優れためっき性
や半田接合性も求められる。その他、リードフレーム材
は端子材より高い表面平滑度が求められる等、通常要求
が厳しい。またリードフレームは通常、打ち抜き加工や
エッチング法により製造されるので、打ち抜き加工性、
エッチング性に優れることも重要である。このような広
範な諸特性を満足する材料が望まれるが、その他、価格
面で実用的なことも重要なことである。

【０００４】このような広範な要求に応える銅系の材料
として、従来からＣｕ−Ｓｎ系、Ｃｕ−Ｆｅ系等の材料
が広く用いられてきた。しかし上述したような広範な要
求も近年の半導体機器の高集積化や小型化、或いは高実
装密度化に対応してより厳しくなりつつのが現状であ
る。特に近年、リードフレームの多ピン化等が進み、強
度特性等の改善が強く要求される他、より優れた打ち抜
き加工性或いはエッチング性が要求される。

【０００５】このような要求に対し、近年は析出硬化型
のＣｕ−Ｃｒ系、Ｃｕ−Ｃｒ−Ｚｒ系、Ｃｕ−Ｃｒ−Ｓ
ｎ系等の合金が用いられるようになった。本発明は特に
多ピンリードフレーム材に好適な電子機器用銅合金とそ
の製造方法を提供しようとするものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述した析出硬化型の
銅合金は、ＣｒやＺｒの析出を利用したものであり、強
度や導電性等において優れたバランスを示すものであ
る。しかし、半導体機器の一層の小型化、高密度化が著
しく、また近年はリードフレームの多ピン化も進み、従
来のリードフレーム材では対応しきれなくなってきてい
る。

【０００７】近年、高密度化が一層進み、その結果、リ
ードフレーム間の短絡や、貴金属（Ａｇ等）のめっき不
良による通電不良、等の問題が顕在化している。具体的
には、打ち抜き端面若しくはエッチング端面に晶出物や
析出物が露出していると、Ａｇ等のめっき層の密着性が
一部劣化したり、或いは加工により延ばされた析出物
（針状化、板状化した析出物）の突出が短絡の原因にな
ったりすることがある。

【０００８】まためっき時に、露出する析出物の部分か
らウィスカーが成長し、これも短絡の原因になる。更に
打ち抜き加工時の微小なバリもめっき性劣化や短絡の原
因になる。

【０００９】上述したＣｒやＺｒの析出を利用した析出
硬化型の銅合金は、その加工性が良好ではないので、打
ち抜き加工によりリードフレームを製造すると、打ち抜
き粉の発生や、バリ等が発生し、その結果、これがリー
ドフレーム間の短絡の原因になる可能性がある。また加
工性が悪いと、成形されたリードフレームの寸法精度が
劣化し、製造歩留りの大幅な低下も問題である。また金
型の寿命の低下も問題であった。特に多ピンリードフレ
ームの場合は著しい。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は上記問題に鑑
み、これらの問題を改善した析出硬化型の銅合金を開発
し、優れた特性を実現したリードフレーム材等の電子機
器用銅合金を提供することを目的とするものである。即
ち本発明は、Ｃｒが０．１〜０．４重量％、Ｓｎが０．
０５〜２重量％、Ｚｎが０．０５〜２重量％、Ｐｂまた
はＣａの内少なくとも１種が総計０．００５〜０．２重
量％、Ｐが０．０１重量％未満、Ｓが０．００５重量％
未満、Ｏ₂が０．００５重量％未満含まれ、残部Ｃｕと
不可避的不純物とからなる銅合金であって、晶出物また
は析出物の大きさが３μｍ未満であると共に結晶粒度が
５μｍ未満である電子機器用銅合金である。また上述の
元素の他、更にＺｒを０．０１〜０．２重量％含ませた
電子機器用銅合金である。

【００１１】そして製造方法としては、上記成分組成の
合金を冷却速度５℃／秒以上の冷却速度で鋳造し、８５
０〜１０００℃で熱間加工した後、１０℃／秒以上の速
度で冷却し、しかる後、加工率８０％以上の冷間加工、
４００〜５００℃で１０分〜２４時間の熱処理、加工率
５０％以下の冷間加工、３００〜６００℃で１０秒〜１
２時間の最終熱処理を順次施して、晶出物または析出物
の大きさを３μｍ未満、結晶粒度を５μｍ未満にする、
製造方法を提供する。

【００１２】本発明の電子機器用銅合金は特にリードフ
レーム材に好適な合金であるが、その他、端子材やコネ
クター材等の電子機器用の銅合金にも適用可能である。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の合金は、ＣｒやＺｒの析
出硬化により、適当な強度および導電率を得るものであ
る。本発明者らは、これらＣｒ、Ｚｒの含有量おとびそ
の他の成分の含有量を規定し、更に晶出物または析出物
の大きさを規定することで実用的に優れたリードフレー
ム材を実現させることができることを見いだし、その結
果本発明を得たものである。以下に本発明の合金の成分
の限定理由を説明する。

【００１４】Ｃｒは銅中に析出することで、銅の導電率
をあまり低下させないで強度を向上させる元素である
が、その含有量が０．４重量％を超えると、強度向上へ
の寄与が飽和する上、晶出物或いは析出物のサイズが大
型化しやすくなり、これらの析出物がリードフレームの
端面から突出し、隣接するリードフレームとの短絡を引
き起こす等の短絡の原因になることがある。一方、０．
１重量％未満では、強度や耐熱性が不十分になり、リー
ドフレーム用途に適当でなくなる。

【００１５】Ｚｒを含有する本発明合金の場合、Ｚｒは
Ｃｒ同様、銅中に析出することで、銅の導電率をあまり
低下させないで強度を向上させる。その含有量は０．０
１〜０．２重量％がよい。これが０．２重量％を超える
と、強度向上への寄与が飽和する上、晶出物或いは析出
物が粗大化しやすくなり、リードフレームの短絡現象等
の原因になりかねない。一方０．０１重量％未満では、
強度や耐熱性が不十分になり、リードフレーム用途に不
適当になる。

【００１６】Ｓｎは、これを銅中に添加することで強度
を向上させるが、その含有量は０．０５〜２重量％が望
ましい。２重量％を超えると、銅中のＣｒやＺｒの固溶
量を低下させ、ＣｒやＺｒを含む晶出物或いは析出物の
サイズが大きくなってしまう。このため上述したと同
様、リードフレームの短絡現象の原因になるからであ
る。また導電率の低下も招く。一方０．０５重量％では
強度向上が不十分である。

【００１７】Ｚｎは、リードフレーム材の半田めっき性
を向上させ、半田接合した際、その半田接合面の経時劣
化に伴う剥離の防止に寄与する。その含有量は０．０５
〜２重量％がよい。あまり過剰にＺｎを含有させると逆
に半田付け性が低下するので、上限は２重量％が適当で
ある。一方、下限は０．０５重量％が適当で、これ未満
では半田めっき性の改善が不十分で、半田接合面の剥離
防止性が不十分になる。

【００１８】またＰｂやＣａは、これを添加することで
リードフレームのプレス成形性が向上する。特に近年は
ピン間が狭くなる傾向にあり、また非常にピン数が大き
い多ピン型リードフレームの需要も増えている。このた
めプレス端面の精密さの向上も望まれている。Ｐｂまた
はＣａは少なくとも何れか一種を総計０．００１〜０．
２重量％の含有量で添加すると、プレス端面が精密にな
り、またバリの発生が抑制される等、プレス成形性に寄
与する。またプレス後の寸法形状の安定したものが得ら
れ、プレス金型の寿命が延びることも期待できる。その
含有量が０．００１重量％未満ではプレス成形性向上へ
の寄与が乏しく、一方過剰な含有は割れ等の欠陥が発生
しやすくなる等、加工性を劣化させるので、上限は０．
２重量％が適当である。

【００１９】その他、通常、工業的な銅材料にはＰ、
Ｓ、Ｏ₂等が微量含まれるが、本発明はこれらの含有量
も好適に制限することで、上述した合金成分と後述する
晶出物または析出物の規定と相まって、優れた特性の実
現を図るものである。

【００２０】Ｐについてはその含有量を０．０１重量％
未満と規定することで、本発明の合金におけるＣｒ−Ｐ
等の晶出物の粗大化を抑制し優れた特性を実現させるも
のである。特に望ましくはＰの含有量を０．００５重量
％未満にすることが望ましく、リードフレームの短絡防
止等、その性能が一層向上する。

【００２１】Ｓについてはその含有量を０．００５重量
％未満と規定することで、Ｃｒ−Ｓ、Ｚｒ−Ｓ等の晶出
物の粗大化を抑制し、リードフレームとして短絡の発生
を抑制する。またＳを０．００５重量％未満とすること
で熱間加工性を向上させる。特に望ましくはＳの含有量
を０．００２重量％未満にすることが望ましく、リード
フレームの短絡防止等、その性能が一層向上する。

【００２２】Ｏ₂は、その含有量が０．００５重量％以
上であるとＣｒやＺｒが酸化されてその析出硬化作用が
不充分になってしまう上に、半田付け性が低下する。特
に望ましくはＯ₂の含有量を０．００２重量％未満にす
ることが望ましい。

【００２３】以上説明したＰ、Ｓ、Ｏ₂は、通常、銅系
材料中に微量に含有される場合が多いが、Ｃｒ、Ｚｒを
含む本発明合金においては特に重要であり、本発明者ら
は、その好適な含有量を規定することで、リードフレー
ムに好適な銅合金が実現することを見いだしたのであ
る。

【００２４】次に晶出物または析出物の大きさについて
説明する。これらの大きさは３μｍ未満が望ましい。こ
れより大きいと、これらの晶出物、析出物が圧延加工工
程において針状化或いは板状化され、これらの晶出物、
析出物がリードフレームの端面から突出し、隣接するリ
ードフレームとの短絡を引き起こしやすくなるからであ
る。

【００２５】上述した本発明の構成において、その特性
を好適に実現するためには、結晶粒度を５μｍ未満にす
ることが必要である。特に、ＰｂやＣａの添加は上述し
たようにプレス成形性を向上させる効果を有するが、結
晶粒度が５μｍ以上であるとこの効果が不十分になる。
また結晶粒度が５μｍ未満であるとエッチング加工を採
用した場合、エッチング加工後の端面が平滑になり、め
っき性の向上に寄与する。

【００２６】本発明の合金を製造する好適な方法につい
て以下に記す。先ず、上述した本発明の銅合金を冷却速
度５℃／秒以上の冷却速度で鋳造する。これは５℃／秒
未満の速度では、サイズが３μｍを越える大きな晶出物
もしくは析出物（Ｃｒ、Ｃｒ−Ｐ、Ｃｕ−Ｚｒ、Ｚｒ−
Ｓ等）が生成されてしまうからである。次に８５０〜１
０００℃で熱間加工を施す。これは、熱間加工の温度が
８５０℃未満ではＣｒやＺｒの化合物が大きくなって、
最終的に本発明の条件を満たしにくくなる。１０００℃
を超える温度で行うことは、工業的には酸化被膜の成長
の問題があり、またエネルギーコストの増大をもたらす
ので、１０００℃以下で行うことが実用的である。

【００２７】熱間加工後、１０℃／秒以上の速度で冷却
するが、これは１０℃／秒以上にすることでＣｒやＺｒ
の化合物の粗大化を抑制するためである。これ未満の冷
却速度では３μｍを越える大きな晶出物もしくは析出物
（Ｃｒ、Ｃｒ−Ｐ、Ｃｕ−Ｚｒ、Ｚｒ−Ｓ等）が生じて
しまいやすい。

【００２８】上記冷却後、加工率８０％以上で冷間加工
を施す。この冷間加工の前に熱処理工程はいれない方が
よい。冷間加工の加工率は８０％以上が良く、これ未満
では次工程の熱処理で、Ｃｒ、Ｚｒの析出硬化能が不足
して、強度や導電率の点で不十分になるからである。

【００２９】上記冷間加工を経て、最終の冷間加工前に
施す熱処理は、４００〜５００℃で１０分〜２４時間の
処理が望ましい。この温度は４００℃未満では、銅合金
中に固溶したＣｒ、Ｚｒの微細な析出が十分になされ
ず、強度や導電率の点で不十分になるからである。また
この熱処理の時間が１０分未満でも、同様に銅合金中に
固溶したＣｒ、Ｚｒの微細な析出が十分になされず、強
度や導電率の点で不十分になるからである。一方、温度
が５００℃を越えると、結晶粒度が大きくなり過ぎて、
打ち抜き加工性等が劣化する。また熱処理時間は２４時
間以下が適当である。これを越えて熱処理してもあまり
特性向上に寄与せず、製造コストの面で経済的ではな
い。

【００３０】最終の冷間加工は、加工率５０％以下で行
うことが望ましい。５０％を越えると強度的には向上す
るものの、半田耐熱剥離性が劣化して、特に多ピン型の
リードフレームには不適当になる。

【００３１】最終の冷間加工の後、３００〜６００℃で
１０秒〜１２時間の最終熱処理を施す。熱処理はバッチ
式の処理でも、テンションアニーリング等の走間処理で
も良い。この熱処理によって半田耐熱剥離性が改善され
ると共に、曲げ加工性も改善される。また特性や加工性
の係る異方性も緩和され、内部応力の低減にも寄与す
る。この熱処理の温度が３００℃未満では、上記の改善
が不十分になる。またこの熱処理時間が１０秒未満でも
同様である。一方、この熱処理を６００℃を越える温度
で施すと、結晶粒度が大きくなり、打ち抜き加工性等が
劣化する。また熱処理時間は１２時間以下が適当であ
る。これを越えて熱処理してもあまり特性向上に寄与せ
ず、製造コストの面で経済的ではない。

【００３２】その他、必要に応じて熱処理後、テンショ
ンレベラーやローラーレベラー等によって矯正処理を行
っても良い。

【００３３】

【実施例】

実施例１高周波溶解炉を用い、表１に記す組成（ＳとＯ₂につい
てはｐｐｍ表示）の銅合金を溶解し、これを冷却速度６
℃／秒で鋳込んだ。鋳塊のサイズは厚さ３０ｍｍ、幅１
００ｍｍ、長さ１５０ｍｍである。次にこれらの鋳塊を
９８０℃で熱間圧延をしてから、速やかに３０℃／秒の
冷却速度で急冷した。表面の酸化膜を除去するため、厚
さ約９ｍｍ程、面削した。次に冷間圧延により厚さ０．
３３ｍｍまで加工した。この後、不活性雰囲気中で４２
０℃×２時間の熱処理を施してから、更に冷間圧延して
厚さ０．２ｍｍにした。最終焼鈍は３５０℃×２時間で
ある。そうして製造したリード材からサンプリングして
各種評価を行った。なお比較例２２は熱間加工時に割れ
が発生して製造できなかった。

【００３４】

【表１】

【００３５】結晶粒度の大きさは試験片を顕微鏡観察
（２００倍）して測定した。また晶出物若しくは析出物
の大きさも同様にして測定した。表２にはこれらの平均
値を記す。引張強度はＪＩＳＺ２２４１に、導電率はＪ
ＩＳＨ００５に準じて測定し、その結果も表２に記し
た。

【００３６】

【表２】

【００３７】また、試験片を塩化第２鉄溶液を用いてエ
ッチング加工し、圧延方向に対し垂直方向に幅０．５ｍ
ｍのリード部を形成した。このエッチング端面を顕微鏡
観察（５０倍）し、突起物の有無を調べた。この顕微鏡
観察で明瞭に突起物が認められる場合は表２に有と記し
た。

【００３８】半田付け性の評価は半田の濡れ性と、半田
の剥離性を調べることで評価した。半田の濡れ性の評価
は次のようにして行ったものである。まず１０ｍｍ×５
０ｍｍの圧延面を有する試験片を、ロジン系（ＲＭＡ）
のフラックスに５秒間浸漬後、２３０℃の共晶半田（Ｐ
ｂ−６３ｗｔ％Ｓｎ）の浴中に５秒間浸漬し、半田の濡
れ具合を調べることで評価した。半田の濡れ具合は目視
観察により、濡れ面積が９０％以上の場合は良と、９０
％未満の場合は不良として表２に記した。

【００３９】半田加熱による半田の剥離の具合は、上記
と同様に半田を付着させた試験片を１５０℃×１０００
時間大気加熱してから、１８０度の密着曲げ、および曲
げ戻しをした後、その部分の半田の剥離具合を調べるこ
とで評価した。半田の剥離が目視で認められる場合は、
表２に有と記しておく。

【００４０】打ち抜き性は、金型（ＳＫＤ１１製）で打
ち抜き試験（１ｍｍ×５ｍｍの角孔を設ける）を行うこ
とによって調べた。そして５００１回目から１００００
回目の打ち抜き分から２０個を無作為抽出したサンプル
のバリの大きさ（高さ）を観察し、その平均値を表２に
示した。また打ち抜き面を観察して破断部の厚さを測定
した。表２には試験片の厚さに対する破断部の厚さの割
合（破断部／板厚×１００）を％表示で記す。

【００４１】表２を見ると、本発明例１〜１３は何れも
優れた特性を示していることが判る。Ｃｒ量の少ない比
較例１４やＳｎ量の少ない比較例１７は本発明例に比べ
強度が低い。またＣｒ、Ｚｒの含有量が多い比較例１
５、１６はエッチング後の突起物が認められ、これらが
短絡の原因になりかねず、リードフレーム用として不都
合である。

【００４２】Ｓｎ量が多い比較例１８はその強度は高い
ものの、導電率が低い他、エッチング後の突起物が認め
られ、上記同様、リードフレーム用として不都合であ
る。Ｚｎは半田めっき性や半田の耐剥離性を改善する
が、このＺｎの少ない比較例１９では半田剥離が認めら
れた。逆にＺｎの多い比較例２０では半田濡れ性が劣化
していた。

【００４３】ＰｂやＣａはプレス成形性を改善するが、
その含有総量の少ない比較例２１は上述の打ち抜き性の
評価でバリが大きくなることが判った。また打ち抜き面
における破断面の割合も小さく、あまり精密な成形がで
きていないことが判る。一方総量が多い比較例２２は加
工性が悪く、熱間加工時に割れが生じたので、それ以後
の特性評価ができなかった。

【００４４】その他、ＰやＳが本発明範囲外にある比較
例２３、２４はエッチング後の突起物が認められ、上記
同様、リードフレーム用として不都合である。またＯ₂
が多い比較例２５は、析出硬化作用が不十分で強度が低
い上、半田濡れ性に優れない。

【００４５】実施例２表１における本発明合金３、６、９および１３を用い
て、表３に記す条件にて鋳造、熱間圧延、冷却、熱処
理、冷間圧延を施した。なお表３には本発明例３、６、
９、１３を再掲しておく。比較例５２〜５５、５７、５
８、６０〜６２は請求項３、４に対する比較例である。
表示する本発明例および比較例につき、実施例１と同様
に結晶粒度、晶出物（析出物）の大きさ、引張強度、導
電率、エッチング後の突起物の有無、バリの高さ、打ち
抜き面の破断部割合、および半田の加熱剥離性について
調査した。結果を表４に記す。

【００４６】

【表３】

【００４７】

【表４】

【００４８】表３、４を見ると、本発明例３、９および
３１〜４０は何れも優れた特性を示していることが判
る。一方、鋳造時の冷却速度が遅い比較例５１は晶出物
が大きくなり、その大きな晶出物が熱間加工や冷間加工
において針状化、板状化した結果、エッチング後の端面
に突起物が認められた。

【００４９】熱間加工の温度が低い比較例５２も、晶出
物が大きくなり、その大きな晶出物が熱間加工や冷間加
工において針状化、板状化した結果、エッチング後の端
面に突起物が認められた。熱間加工後の冷却速度が遅い
比較例５３も同様にエッチング後の端面に突起物が認め
られた。これら比較例５２、５３は引張強度も低くなっ
ていた。

【００５０】熱間加工後の冷間加工の加工率の低い比較
例５４では、強度と導電率が劣り、リドフレーム材とし
ては不適当である。

【００５１】この冷間加工後で最終冷間加工前に施す焼
鈍（熱処理）の温度が高い比較例５６は、結晶粒度が大
きくなり、本発明例と比較して強度の不足および大きな
バリの発生および破断部割合の低下が認められた。また
引張強度も低くなった。逆に焼鈍（熱処理）の温度が低
い比較例５５、６０は、半田の耐剥離性が劣化してい
る。

【００５２】最終の冷間加工の加工率が高い比較例５
７、６１は半田の耐剥離性が劣化している。

【００５３】また最終の焼鈍（熱処理）温度が高い比較
例５９は結晶粒度が大きくなり、大きなバリの発生およ
び破断部割合の低下が認められると共に引張強度も低く
なった。逆に最終の焼鈍（熱処理）温度が低い比較例５
８、６２は結晶粒度が大きくなり、半田の耐剥離性が劣
化している。このような半田の耐剥離性が悪い比較例５
５、５７、５８、６０、６１、６２は特に多ピン型のリ
ードフレームには適さない。

【００５４】その他、実施例では挙げないが、熱間加工
を１０００℃を越える温度で行っても、特に特性向上に
寄与しない上、高い温度で熱間加工すると銅表面に酸化
膜が顕著に形成される恐れがある等、あまり望ましくな
い。また高い温度で処理するためエネルギー的に経済的
ではない。つまり製造コストの観点で、熱間加工の温度
は１０００℃以下が適当であることが判る。

【００５５】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の電子機器
用銅合金およびその製造方法は、強度や導電性の特性に
優れ、また半田付け性や打ち抜き加工性、半田の耐熱剥
離性等にも優れるものであるから、電子機器の近年の傾
向である高密度化、高集積化に好適に対応できる。本発
明によって提供される電子機器用銅合金は、特にピン数
が多い、多ピンリードフレームに好適に適用できるが、
その他、端子、コネクター、電極材等、一般導電材料と
しても好適である。このように本発明は産業上顕著な貢
献を奏するものである。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｃｒが０．１〜０．４重量％、Ｓｎが
０．０５〜２重量％、Ｚｎが０．０５〜２重量％、Ｐｂ
またはＣａの内少なくとも１種が総計０．００５〜０．
２重量％、Ｐが０．０１重量％未満、Ｓが０．００５重
量％未満、Ｏ₂が０．００５重量％未満含まれ、残部Ｃ
ｕと不可避的不純物とからなる銅合金であって、晶出物
または析出物の大きさが３μｍ未満であると共に結晶粒
度が５μｍ未満である電子機器用銅合金。
【請求項２】Ｃｒが０．１〜０．４重量％、Ｓｎが
０．０５〜２重量％、Ｚｎが０．０５〜２重量％、Ｚｒ
が０．０１〜０．２重量％、ＰｂまたはＣａの内少なく
とも１種が総計０．００５〜０．２重量％、、Ｐが０．
０１重量％未満、Ｓが０．００５重量％未満、Ｏ₂が
０．００５重量％未満含まれ、残部Ｃｕと不可避的不純
物とからなる銅合金であって、晶出物または析出物の大
きさが３μｍ未満であると共に結晶粒度が５μｍ未満で
ある電子機器用銅合金。
【請求項３】Ｃｒが０．１〜０．４重量％、Ｓｎが
０．０５〜２重量％、Ｚｎが０．０５〜２重量％、Ｐｂ
またはＣａの内少なくとも１種が総計０．００５〜０．
２重量％、Ｐが０．０１重量％未満、Ｓが０．００５重
量％未満、Ｏ₂が０．００５重量％未満含まれ、残部Ｃ
ｕと不可避的不純物とからなる銅合金を冷却速度５℃／
秒以上の冷却速度で鋳造し、８５０〜１０００℃で熱間
加工した後、１０℃／秒以上の速度で冷却し、しかる
後、加工率８０％以上の冷間加工、４００〜５００℃で
１０分〜２４時間の熱処理、加工率５０％以下の冷間加
工、３００〜６００℃で１０秒〜１２時間の最終熱処理
を順次施して、晶出物または析出物の大きさを３μｍ未
満、結晶粒度を５μｍ未満にする、電子機器用銅合金の
製造方法。
【請求項４】Ｃｒが０．１〜０．４重量％、Ｓｎが
０．０５〜２重量％、Ｚｎが０．０５〜２重量％、Ｚｒ
が０．０１〜０．２重量％、ＰｂまたはＣａの内少なく
とも１種が総計０．００５〜０．２重量％、Ｐが０．０
１重量％未満、Ｓが０．００５重量％未満、Ｏ₂が０．
００５重量％未満含まれ、残部Ｃｕと不可避的不純物と
からなる銅合金を冷却速度５℃／秒以上の冷却速度で鋳
造し、８５０〜１０００℃で熱間加工した後、１０℃／
秒以上の速度で冷却し、しかる後、加工率８０％以上の
冷間加工、４００〜５００℃で１０分〜２４時間の熱処
理、加工率５０％以下の冷間加工、３００〜６００℃で
１０秒〜１２時間の最終熱処理を順次施して、晶出物ま
たは析出物の大きさを３μｍ未満、結晶粒度を５μｍ未
満にする、電子機器用銅合金の製造方法。