JPH0968718A - 反射型液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】画素電極積層形パネルの反射面が平坦な反射型
液晶表示装置の実現。 【解決手段】パネルがシリコン基板１とガラス基板６と
これらの基板間の液晶９とからなり、シリコン基板１に
は、マトリクス状に配置されたトランジスタ１０，２０
と、これの上方にマトリクス状に配置された画素電極３
４Ｄとが形成された反射型液晶表示装置において、トラ
ンジスタ１０等の層と画素電極３４Ｄの層との間に設け
られこれらの対応し合うものを接続する多層の配線層３
１，３２，３３を備え、配線層３１等は、少なくとも画
素配列部分が、配線パターン部３１Ｓ，３１Ｄ，３２
Ｄ，３３Ｄと、これと一体的に形成された残パターン部
３１Ｆ，３２Ｆ，３３Ｆ等とからなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、反射型液晶表示
装置に関し、詳しくは、いわゆるプロジェクタ等に好適
な反射パネルすなわち微細で反射特性のよい液晶表示パ
ネルを持った反射型液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、反射型液晶表示装置として、例え
ば特開平４−５６８２７号公報記載のものが知られてい
る。これは、図４にそのパネル断面を示したが、シリコ
ン基板１とこれに対向するガラス基板６との間に液晶９
を封入した反射パネルを備えたものである。このシリコ
ン基板１の液晶９側の面上には、マトリクス状に配置さ
れたＭｏｓＦＥＴ２と、絶縁層３を介在させてやはりマ
トリクス状に配置された画素電極４と、これらの上に被
着された保護膜５などが形成されている。一方、ガラス
基板６の液晶９側の面上には、透明電極７が全面に被着
され、さらにＭｏｓＦＥＴ２等の対向位置にブラックマ
トリクス又はブラックストライプ９ｂが形成されてい
る。そして、画素電極４をその下に形成された蓄積容量
部の上面域に限定することで、画素電極４の表面の平坦
化を図っている。

【０００３】また、特開平６−１４８６７９号公報記載
の反射型液晶表示装置は、図５にそのパネル断面を示し
たが、シリコン基板１の表面に、マトリクス状に配置さ
れたＭｏｓＦＥＴ２と、絶縁層３を介在させてやはりマ
トリクス状に配置された画素電極４と、これらの上に被
着された保護膜５などが形成されたものである。そし
て、画素電極４や保護膜５の表面を研磨することで、画
素電極４等の表面の平坦化を図っている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このように従来の反射
型液晶表示装置では、画素電極の形成範囲を限定した
り、画素電極形成後の表面を研磨することで、反射率や
偏光制御性などの反射特性を改善すべく反射面の平坦化
を図っている。

【０００５】しかしながら、画素電極の形成範囲を限定
した場合には、部分的にしか平坦化は達成されず、シリ
コン基板上のトランジスタや配線などの部分はガラス基
板上のブラックマトリクスで遮光しなければならない。
このため、開口率が低いという不都合ばかりか、シリコ
ン基板とガラス基板との組立に際して面倒で困難な位置
合わせ作業が必要という不都合もある。

【０００６】また、画素電極形成後の表面を研磨する場
合でも、特開平６−１４８６７９号公報記載の如く通常
より遥かに厚い膜を長時間かけて積層し、さらに凹凸が
無くなるまで研ぎ込むのは、実験的には可能であって
も、処理コストの増加を招き実用上好ましいものではな
い。

【０００７】さらに、導体のパターンが支配的な部分
と、層間膜が多くてその中の一部に導体のパターンが孤
立して存在しているような部分とでは、研げ具合いが異
なることから、特に後者の部分の平坦化には困難が伴
う。

【０００８】ところで、プロジェクタ等の如く、画素の
微細化が強く要求される分野では、所望のスイッチング
特性を確保するためトランジスタに対し画素電極の面積
にかなり近い面積を割り当てる必要があることから、こ
れらを平面的に配置して画素電極の形成範囲を限定した
のでは、開口率が低くて所望の効率を得るのが困難であ
る。このため、トランジスタの上方に画素電極を積み上
げる立体的なパネル構造が想定されることとなるが、こ
れらを単に積み上げただけでは、表面研磨を行うにして
も、上述したように不都合がある。そこで、トランジス
タの上方に画素電極を積み上げた言わば画素電極積層形
パネルでありながらも、反射面の平坦化が容易なパネル
構造を具現化することが課題となる。

【０００９】この発明は、このような課題を解決するた
めになされたものであり、画素電極積層形パネルの反射
面が平坦な反射型液晶表示装置の提供を目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために発明された第１乃至第５の解決手段について、
その構成および作用効果を以下に説明する。

【００１１】［第ｌの解決手段］第１の解決手段の反射
型液晶表示装置は（、出願当初の請求項１に記載の如
く）、パネルが半導体基板とこれに対向する透明基板と
これらの基板間に封入された液晶とを有してなり、前記
半導体基板の前記液晶側表面上には、マトリクス状の画
素配列に対応してマトリクス状に配置されたスイッチン
グ素子と、これの上方に前記画素配列対応でマトリクス
状に配置された画素電極とが形成されている反射型液晶
表示装置において、前記スイッチング素子の層と前記画
素電極の層との間に設けられ前記スイッチング素子と前
記画素電極とのうち前記画素配列に従って対応し合うも
のを接続する多層の配線層を備え、前記多層の配線層の
うち少なくとも１つは、少なくとも前記画素配列の対象
部分が、前記接続のための配線パターン部と、所定の最
小絶縁間隙を挟んで前記配線パターンと一体的に形成さ
れた残パターン部とからなるものであることを特徴とす
るものである。

【００１２】ここで、上記の「所定の最小絶縁間隙」と
は、静的絶縁のみでなく駆動状態をも考慮して動的にも
隣接パターンとの絶縁を確保するために必要とされる最
小幅の間隙と安定に加工できる最小幅の間隙のうちの大
きい方であって、間隙の何れのところでも概ねこの幅に
なるように前記配線パ夕ーン部の周りに設けられた間隙
をいう。この間隙は絶縁材等で充填されていてもよい。

【００１３】このような第ｌの解決手段の反射型液晶表
示装置にあっては、高い開口率の確保のために画素電極
積層形パネル構造を採るが、すなわち画素が微細であっ
ても僅かな隣接間の絶縁間隙を挟んだ画素電極を密に配
設することで高い開口率を確保するために透明基板を介
して半導体基板に向かう入射光の反射状態を各画素ごと
に切り換えるための液晶を駆動する画素電極が画素電極
制御用のスイッチング素子の上方に配されるという画素
電極積層形パネル構造を採用するが、スイッチング素子
層と画素電極層との間に特定の多層の配線層が設けられ
ている。

【００１４】この配線層は、互いに対応するスイッチン
グ素子と画素電極とを接続するためやトランジスタの遮
光等のために元来必要なものであるが、少なくともｌつ
の配線層は、少なくとも画素の配設部分には、本来の接
続用配線パターン部の他に、所定の最小絶縁間隙を除い
て概ね密に、配線パターンと一体形成された残パターン
部が残っている。そこで、このような層では、不所望な
段差の発生が最小絶縁間隙部分の僅かな面積に限定され
る一方、大部分の配線パ夕ーン部および残パターン部に
おいては層を重ねる度に段差の角部等がなだらかにな
る。

【００１５】これにより、上方の層ほど表面が全体的に
平坦化されることから、スイッチング素子層表面では粗
い凹凸を途中の多層配線層の存在によって減衰させるこ
とができるので、画素電極表面は十分に平坦化される。
そして、この画素電極表面を直接反射面とした場合は元
より、画素電極層の上方に反射面を積層形成した場合
も、十分に平坦な反射面を得ることができる。

【００１６】したがって、この発明によれば、画素電極
積層形パネルの反射面が平坦な反射型液晶表示装置を実
現することができる。

【００１７】［第２の解決手段］第２の解決手段の反射
型液晶表示装置は（、出願当初の請求項２に記載の如
く）、上記の第１の解決手段の反射型液晶表示装置であ
って、前記画素電極は、前記液晶側の表面が化学的機械
的研磨により平坦化されたものであることを特徴とする
ものである。

【００１８】このような第２の解決手段の反射型液晶表
示装置にあっては、化学的機械的研磨によって画素電極
表面ひいては反射面がさらに平坦になるが、上述したよ
うに画素電極が密に配設されているばかりか既に凹凸が
ほとんど無くなっていることから、ほんの少し研磨する
だけで、斑の無い極めて平坦な表面を得ることができ
る。これにより、長時間の研磨処理や、この研磨に備え
た厚い画素電極層の形成処理などは、回避することがで
きる。その結果、画素電極表面を研磨処理しても、処理
コストの増加を抑え込むことができる。また、画素電極
が平坦なことから、画素電極と透明電極との間における
液晶に印加される電圧も均−なものとなる。

【００１９】したがって、この発明によれば、画素電極
表面の僅かな研磨によって、液晶に印加される電界が均
−で且つ画素電極積層形パネルの反射面が平坦な反射型
液晶表示装置を実現することができる。

【００２０】［第３の解決手段］第３の解決手段の反射
型液晶表示装置は（、出願当初の請求項３に記載の如
く）、上記の第１又は第２の解決手段の反射型液晶表示
装置であって、前記画素電極は、前記画素電極の下に前
記配線層を覆う絶縁層を備え、この絶縁層の表面が化学
的機械的研磨により平坦化されたものであることを特徴
とするものである。

【００２１】このような第３の解決手段の反射型液晶表
示装置にあっては、配線層を覆う絶縁層の表面が化学的
機械的研磨によって平坦化され、その上に画素電極が形
成される。これにより、僅かな研磨処理を施すだけで
も、急速に凹凸が減衰するので、画素電極表面は一層平
坦なものとなる。

【００２２】したがって、この発明によれば、絶縁層表
面の僅かな研磨によって、画素電極積層形パネルの反射
面が一層平坦な反射型液晶表示装置を実現することがで
きる。

【００２３】［第４の解決手段］第４の解決手段の反射
型液晶表示装置は（、出願当初の請求項４に記載の如
く）、上記の第１〜第３の解決手段の反射型液晶表示装
置であって、前記画素電極を覆う保護層を備え、この保
護層は、前記液晶側の表面が化学的機械的研磨により平
坦化されたものであることを特徴とするものである。

【００２４】このような第４の解決手段の反射型液晶表
示装置にあっては、化学的機械的研磨によって画素電極
上部の保護層表面ひいては反射面がさらに平坦になる
が、上述したのと同じ理由から、ほんの少し研磨するだ
けで、斑の無い極めて平坦な表面を得ることができる。
これにより、同様に、長時間の研磨処理等を回避して、
処理コストの増加を抑え込むことができる。

【００２５】したがって、この発明によれば、画素電極
表面を覆う保護層の僅かな研磨によって画素電極積層形
パネルの反射面が平坦な反射型液晶表示装置を実現する
ことができる。

【００２６】［第５の解決手段］第５の解決手段の反射
型液晶表示装置は（、出願当初の請求項５に記載の如
く）、上記の第４の解決手段の反射型液晶表示装置であ
って、前記保護層を覆う誘電体ミラーを備えたことを特
徴とするものである。

【００２７】このような第５の解決手段の反射型液晶表
示装置にあっては、反射面として機能する誘電体ミラー
が保護層表面を覆って形成されているが、この保護層表
面が化学的機械的研磨等によって十分に平坦化されてい
るので、誘電体ミラーに特別な処理を施さなくても反射
面は平坦化される。

【００２８】したがって、この発明によれば、画素電極
表面を覆う保護層の僅かな研磨によって誘電体ミラーが
平坦な反射型液晶表示装置を実現することができる。

【００２９】

【発明の実施の形態】このような第１乃至第５の解決手
段で達成された本発明の反射型液晶表示装置について、
これを実施するための形態を説明する。

【００３０】［第１の実施の形態］本発明の第１の実施
形態にあっては、上述した第１の解決手段等を実施する
ために、（表示）パネルが（Ｐ型やＮ型のシリコン基板
等の）半導体基板とこれに対向する（ガラス基板や石英
基板等の）透明基板とこれらの基板間に封入された（Ｓ
ＴＮ形やＦＬＣ形等の）液晶とを有してなり、前記半導
体基板の前記液晶側表面上には、マトリクス状の画素配
列に対応してマトリクス状に配置された（各画素当り１
又は２以上のＰチャネル・ＮチャネルＭＯＳトランジス
タ等の複数の）スイッチング素子と、これの上方に前記
画素配列対応でマトリクス状に配置された画素電極とが
形成されている反射型液晶表示装置において、前記スイ
ッチング素子の層と前記画素電極の層との間に（層間絶
縁膜等を介在させて）設けられ、前記スイッチング素子
と前記画素電極とのうち前記画素配列に従って対応し合
うものを接続する多層の（ＡｌやＷ、Ａｌ合金、Ｔｉ＋
Ａｌ重畳、その他の金属導体などからなる）配線層を備
え、前記多層の配線層のうち少なくとも１つ（望ましく
は総て）は、少なくとも前記画素配列の対象部分が（望
ましくは周辺部も含めてパネル全面に亘る部分が）、前
記接続のための（ドレインラインやソースライン等の）
配線パターン部と、所定の最小絶縁間隙を挟んで前記配
線パターンと（同一のスパッタや蒸着と同一のフォトリ
ソ工程等で）一体的に形成された（ダミーパターン等
の）残パターン部とからなるものであることを特徴とす
る。

【００３１】［第２の実施の形態］本発明の第２の実施
形態は、上記の第１の実施形態の反射型液晶表示装置で
あって、卜ランジスタ特性が入射光や漏洩光による不所
望な影響を受けることを防止するために前記画素電極が
前記スイッチング素子としてのトランジスタを覆うよう
に配置されるとともに前記残パターン部が前記画素電極
の間隙下でこれから漏れた入射光を遮る位置に配置され
ており、開口率又は反射率の向上のために前記画素電極
が隣接画素電極との絶縁に要する最小間隙または安定し
て加工可能な最小間隙を空けて密に配設されている。

【００３２】［第３の実施の形態］本発明の第３の実施
形態は、上記の第１，第２の実施形態の反射型液晶表示
装置であって、化学的機械的研磨処理による精度向上等
のために、前記複数の配線層および前記画素電極の層に
おける残パターンが駆動回路その他の周辺回路等の上方
にも設けられ、前記複数の配線層および前記画素電極に
介在する複数の層間絶縁膜は材質がＰＳＧ等の同一のも
ので製造工程が単純で済むものである。

【００３３】［第４の実施の形態］本発明の第４の実施
形態は、上記の第１〜第３の実施形態の反射型液晶表示
装置であって、平坦度向上のために、前記多層の配線層
も表面に化学的機械的研磨を施したものである。この場
合、中間段階の工程なので僅かな研磨処理で十分であ
る。

【００３４】

【実施例】本発明の反射型液晶表示装置の最良と思う実
施例について、その具体的な構成を、図面を引用して説
明する。図１は、そのパネル断面の模式図であるが、複
数画素のうちの或る画素部分を拡大した図である。

【００３５】この反射型液晶表示装置は、表示パネル
が、Ｐ型のシリコン基板１と、一部にスペーサ等を介在
させてシリコン基板ｌに対向するガラス基板６と、これ
らの基板間に真空吸引等によって封入された液晶９とを
有してなるものである。

【００３６】ガラス基板６は、液晶９側表面上に、コモ
ン電圧に保持される又は接地等されるＩＴＯ等の透明電
極７と、斜め蒸着したシリコン酸化膜からなる配向膜８
とが積層して形成されている。なお、ブラックマトリク
スは除かれたものとなっている。

【００３７】液晶９は、垂直配列タイプのネマチック液
晶である。

【００３８】シリコン基板ｌは、液晶９側表面上に、マ
トリクス状に配列された画素の１つに対応して、ソース
１１がソースライン３１Ｓを介してデータ信号を受けポ
リシリコンゲート１２がスキャン信号を受けドレイン１
３がドレインライン３１Ｄに接続されたＰチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ１０およびソース２１がソースライン３
１Ｓを介してデータ信号を受けポリシリコンゲート２２
がスキャン信号を受けドレイン２３がドレインライン３
１Ｄに接続されたＮチャネルＭＯＳトランジスタ２０
と、これの上方の画素電極層３４内に隣接画素電極と僅
かな絶縁間隙で分離されて密にパターン形成された画素
電極３４Ｄと、それぞれ配線層３１，３２，３３内にパ
ターン形成されてトランジスタ１０，２０のドレインと
画素電極３４Ｄとを接続するドレインライン３１Ｄ，３
２Ｄ，３３Ｄとが設けられたものである。他の画素部分
も、同様のものである。

【００３９】また、トランジスタ１０，２０の層と各配
線層３１，３２，３３と画素電極層３４との間には絶縁
膜４０および層間絶縁膜４１，４２，４３が交互に積層
して設けられている。ここで、配線層３１，３２，３３
および画素電極層３４はアルミニウム（Ａｌ）膜で形成
されている。また、絶縁膜４０〜４３は、リンシリケー
トガラス（ＰＳＧ）膜で形成されており、全層同じ材質
のものとなっている。なお、層間絶縁膜４３の形成後、
その表面は化学的機械的研磨研磨処理を施す。電極の平
坦性および電界の均一性を得るためである。

【００４０】さらに、画素電極層３４の上には、シリコ
ン酸化膜やシリコン窒化膜からなる保護膜５０と、入射
光を反射する誘電体ミラ−５１と、斜め蒸着したシリコ
ン酸化膜からなる配向膜５２とが順に積層して形成され
ている。

【００４１】このような構造を採用したことから、この
反射型液晶表示装置は、一般的なＣＭＯＳ製造用のシリ
コンプロセスや液晶パネル製造プロセスによって製造す
ることができる。そこで、一般技術の説明は割愛する
が、この反射型液晶表示装置のパネルでは、配線層３
２，３３をパタ−ニングしてドレインライン３２Ｄ，３
３Ｄを形成する際に、ドレインライン３２Ｄ，３３Ｄの
周りをその絶縁又は加工に必要な最小限の幅だけエッチ
ングで除去するに留めておく。これにより、ダミーパタ
ーン３２Ｆ，３３Ｆ等の残パターン部は、ドレインライ
ン３２Ｄ等と同時一体的に、新たな工程を追加すること
なく、形成される。なお、ダミーパターン３３Ｆ等は、
画素電極３４Ｄとその隣接画素電極との間隙の下に配置
されて、漏れた入射光が卜ランジスタ１０，２０に到達
しないように遮光も行うものとなっている。

【００４２】また、画素電極層３４の形成後は、その表
面に短時間の化学的機械的研磨処理を施すとともに、保
護膜５０の形成後は、その表面に鏡面仕上げの化学的機
械的研磨処理を施す。これにより、追加処理を僅かなも
のに抑えながらも、誘電体ミラ−５１による反射面を十
分に平坦化することができる。

【００４３】この実施例の反射型液晶表示装置につい
て、その具体的な動作を、図面を引用して説明する。図
２は、その等価回路のブロック図であり、図３は駆動信
号の波形例である。

【００４４】液晶９の駆動は線順次駆動のアクティブマ
トリクス方式で行われる。すなわち、列電極駆動回路か
ら１水平走査線に相当する各列ごとのデータ信号がデー
タラインＡ１〜Ａｎにパラレル出力されるとともに、行
電極駆動回路からその走査線に該当する行のスキャン信
号の正負のパルスがスキャンラインＸ１，Ｙ１等に順次
出力される。このパルス出力は水平走査の度にラインＸ
１，Ｙ１からラインＸ２，Ｙ２さらにラインＸ３，Ｙ３
と順に遷移する。

【００４５】ここで、２行２列目の画素を例にとると、
この画素では、ＰチャネルＭＯＳ卜ランジスタ１０がラ
インＸ２を介してゲート１２に負のスキャンパルスを受
け、同時にＮチャネルＭＯＳトランジスタ２０がライン
Ｙ２を介してゲート２２に正のスキャンパルスを受ける
と、ＭＯＳトランジスタ１０，２０が共にオンして、ソ
ース１２，２２とドレイン１３，２３とが導通する。す
ると、ラインＡ２上に出力されたデータ信号の電圧は、
ソースライン３１Ｓと、トランジスタ１０，２Ｏと、ド
レインライン３ｌＤ，３２Ｄ，３３Ｄとを介して、画素
電極３４Ｄに印加される。次にＰチャネルＭＯＳ卜ラン
ジスタ１０のゲート１２及びＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ２０のゲート２２に接地電位が印加されると、ＭＯ
Ｓトランジスタ１０，２０が共にオフして、画素電極３
４Ｄにデータ信号の電圧が保持される。

【００４６】そして、この画素電極３４Ｄの印加電圧と
透明電極７のコモン電圧との電圧差に応じて、画素電極
３４Ｄ上部における部分の液晶９が偏光状態を変えるの
で、図示しない光源から投射された入射光に対する図示
しない投写面への反射光の割合を制御することができ
る。この反射光の状態は、画素電極３４Ｄの表面が平坦
ゆえ液晶９の印加電界が均−となっており、しかも誘電
体ミラ−５１の表面が平坦ゆえ反射面が光学的鏡面とな
っているとともに液晶９の厚さも均−となっていること
から、極めて良好である。他の画素に関しても同様であ
る。そこで、ブラックマトリクスが無くても、明瞭な映
像を投写面に写すことができる。

【００４７】以上ガラス基板にブラックマトリクスの無
い反射型液晶表示装置を例に説明してきたが、ガラス基
板にブラックマトリクスを設けた場合であっても、本発
明は有効である。ブラックマトリクスを設けるとして
も、反射面が平坦で反射特性がよいので、密に配置され
た画素電極の僅かな間隙に対応する部分に対して設ける
だけで済むことから、高い開口率を維持することができ
るのである。

【００４８】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の第１の解決手段の反射型液晶表示装置にあっては、途
中の多層配線層によって凹凸を減少させることにより、
画素電極表面が十分に平坦化され、その結果として反射
率や偏光制御性などの反射特性が改善されている。した
がって、画素電極積層形パネルの反射面が平坦な反射型
液晶表示装置を実現することができるという有利な効果
が有る。

【００４９】また、本発明の第２の解決手段の反射型液
晶表示装置にあっては、画素電極表面を僅かに研磨する
ことで、液晶に印加される電界が均−で且つ画素電極積
層形パネルの反射面が平坦な反射型液晶表示装置を実現
することができるという有利な効果を奏する。

【００５０】さらに、本発明の第３の解決手段の反射型
液晶表示装置にあっては、絶縁層表面を僅かに研磨する
ことで、画素電極積層形パネルの反射面が平坦な反射型
液晶表示装置を実現することができるという有利な効果
が有る。

【００５１】また、本発明の第４の解決手段の反射型液
晶表示装置にあっては、画素電極表面上部の保護層を僅
かに研磨することで、画素電極積層形パネルの反射面が
平坦な反射型液晶表示装置を実現することができるとい
う有利な効果を奏する。

【００５２】また、本発明の第５の解決手段の反射型液
晶表示装置にあっては、誘電体ミラーに特別な処理を施
さなくても、画素電極表面を覆う保護層の僅かな研磨に
よって、誘電体ミラーが平坦な反射型液晶表示装置を実
現することができるという有利な効果が有る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の反射型液晶表示装置のパネル断面の
拡大模式図である。

【図２】 その装置の等価回路のブロック図である。

【図３】 その駆動信号の波形図である。

【図４】 従来の液晶表示パネルの断面模式図である。

【図５】 従来の液晶表示パネルの断面模式図である。

【符号の説明】 １ シリコン基板（半導体基板） ２ ＭｏｓＦＥＴ ３ 絶縁層 ３ａ フィールド酸化膜 ４ 画素電極 ５ 保護膜 ６ ガラス基板（透明基板） ７ 透明電極 ８ 配向膜 ９ 液晶 １０ ＰチャネルＭＯＳトランジスタ（ＰｃｈＭｏｓ
ＦＥＴ） １１ ソース １２ ゲート １３ ドレイン ２０ ＮチャネルＭＯＳトランジスタ（ＮｃｈＭｏｓ
ＦＥＴ） ２１ ソース ２２ ゲート ２３ ドレイン ３１ 配線層 ３１Ｓ ソースライン（配線パターン部） ３１Ｄ ドレインライン（配線パターン部） ３２ 配線層 ３２Ｄ ドレインライン（配線パターン部） ３２Ｆ ダミーパターン（残パターン部） ３３ 配線層 ３４ 画素電極層 ３４Ｄ 画素電極 ４０ 絶縁膜 ４１ 層間絶縁膜 ４２ 層間絶縁膜 ４３ 層間絶縁膜 ５０ 保護膜 ５１ 誘電体ミラー ５２ 配向膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 花田 健一 山梨県甲府市大里町465番地 パイオニア ビデオ株式会社国母工場内 (72)発明者 大國 元久 山梨県甲府市大里町465番地 パイオニア ビデオ株式会社国母工場内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】パネルが半導体基板とこれに対向する透明
   基板とこれらの基板間に封入された液晶とを有してな
   り、前記半導体基板の前記液晶側表面上には、画素配列
   に対応してマトリクス状に配置されたスイッチング素子
   と、これの上方に前記画素配列対応でマトリクス状に配
   置された画素電極とが形成されている反射型液晶表示装
   置において、前記スイッチング素子の層と前記画素電極
   の層との間に設けられ前記スイッチング素子と前記画素
   電極とのうち前記画素配列に従って対応し合うものを接
   続する多層の配線層を備え、前記多層の配線層のうち少
   なくとも１つは、少なくとも前記画素配列の対象部分
   が、前記接続のための配線パターン部と、所定の最小絶
   縁間隙を挟んで前記配線パターンと一体的に形成された
   残パターン部とからなるものであることを特徴とする反
   射型液晶表示装置。
2. 【請求項２】前記画素電極は、前記液晶側の表面が化学
   的機械的研磨により平坦化されたものであることを特徴
   とする請求項１記載の反射型液晶表示装置。
3. 【請求項３】前記画素電極は、前記画素電極の下に前記
   配線層を覆う絶縁層を備え、この絶縁層の表面が化学的
   機械的研磨により平坦化されたものであることを特徴と
   する請求項１又は２に記載の反射型液晶表示装置。
4. 【請求項４】前記画素電極を覆う保護層を備え、この保
   護層は、前記液晶側の表面が化学的機械的研磨により平
   坦化されたものであることを特徴とする請求項１乃至３
   の何れかの請求項に記載された反射型液晶表示装置。
5. 【請求項５】前記保護層を覆う誘電体ミラーを備えたこ
   とを特徴とする請求項４記載の反射型液晶表示装置。