JPH0955888A - 固体撮像素子およびこれを用いた撮像装置 - Google Patents
固体撮像素子およびこれを用いた撮像装置Info
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Abstract
るため、入射光量対出力信号量のダイナミックレンジの
拡大にも限界があった。 【解決手段】 1本の垂直信号線13に対して負荷容量
18,19を例えば2つ設け、蓄積時間が異なる複数行
の画素から出力される信号を、垂直信号線13を通して
動作スイッチであるMOSトランジスタ16,17によ
って読み出して負荷容量18,19に記憶させる一方、
負荷容量18,19に記憶された信号を水平スイッチで
あるMOSトランジスタ20,21によって水平信号線
22,23を通して出力端子25,26から導出する。
Description
びこれを用いた撮像装置に関し、特に光電変換によって
得られる画素情報を画素単位で読み出すことが可能なX
‐Yアドレス型固体撮像素子およびこれを用いた撮像装
置に関する。
ある増幅型固体撮像素子では、画素そのものに増幅機能
を持たせるために、MOS構造等の能動素子(MOSト
ランジスタ)を用いて画素を構成している。この増幅型
固体撮像素子の従来例を図8に示す。図8において、画
素トランジスタ81が行列状に多数配列され、各画素ト
ランジスタ81のゲート電極が行単位で垂直選択線82
に接続され、各ソース電極が列単位で垂直信号線83に
接続され、さらに各ドレイン電極には電源電圧VDが印
加されている。各垂直選択線82は、垂直スキャナ84
の出力端に接続されている。
NchMOSトランジスタ85のドレイン電極に接続さ
れている。このMOSトランジスタ85のソース電極
は、負荷容量86の一端に接続されるとともに、水平ス
イッチであるNchMOSトランジスタ87のドレイン
電極に接続され、そのゲート電極には、動作パルスφO
Pが印加される。負荷容量86の他端は接地されてい
る。MOSトランジスタ87のソース電極は水平信号線
88に接続され、そのゲート電極は水平走査回路89の
出力端に接続されている。水平信号線88の一端は、出
力端子90に接続されている。
入射光は画素トランジスタ81にてその光量に応じた電
荷量の信号電荷に光電変換される。画素トランジスタ8
1からの入射光量に応じた信号は、垂直信号線83を経
て動作スイッチであるMOSトランジスタ85を介して
負荷容量86に保持される。この保持された信号は、水
平走査回路89によって制御される水平スイッチである
MOSトランジスタ87を介して水平信号線88に出力
され、さらにこの水平信号線88を通して出力端子90
から外部へ導出される。
変換によって単位画素に蓄積された信号電荷に対してほ
ぼ線形な出力信号が得られ、単位画素の蓄積できる信号
電荷量によって撮像素子のダイナミックレンジが決定さ
れてしまう。図9は、撮像素子の入射光量と出力信号量
の関係を示す入出力特性図である。この入出力特性図か
ら明らかなように、撮像素子のダイナミックレンジは、
画素の飽和信号量とノイズレベルで決まってしまう。
の増幅型固体撮像素子では、単位画素の蓄積できる信号
電荷量は、単位画素の大きさに応じて限界があることか
ら、低輝度の被写体にカメラレンズの絞りを合わせると
高輝度の被写体の信号は飽和してしまい、逆に高輝度の
被写体にカメラレンズの絞りを合わせると低輝度の被写
体の信号はノイズに埋もれてしまうため、画像認識等に
要求されるダイナミックレンジを得ることができなかっ
た。
であり、その目的とするところは、入射光量対出力信号
量のダイナミックレンジを飛躍的に拡大することが可能
な固体撮像素子およびこれを用いた撮像装置を提供する
ことにある。
子では、同一列の画素を共通に接続した垂直信号線の各
々に対して複数の記憶手段を設け、蓄積時間が異なる複
数行の画素から出力される信号を垂直信号線を通して複
数の第1のスイッチ手段によって読み出して複数の記憶
手段に記憶させる一方、これらの記憶手段に記憶された
信号を複数の第2のスイッチ手段によって読み出して複
数の水平信号線を通して出力する構成となっている。
間が異なる複数行の画素に基づく複数の出力信号を得る
固体撮像素子を用い、この固体撮像素子から出力される
複数の出力信号を信号処理回路で同時化しかつこれらを
加算して映像信号として出力する構成となっている。
て図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明によ
る固体撮像素子の一実施形態を示す構成図である。図1
において、画素トランジスタ(本例では、NchMOS
トランジスタを示す)11が行列状に多数配列され、各
画素トランジスタ11のゲート電極が行単位で垂直選択
線12に接続され、各ソース電極が列単位で垂直信号線
13に接続され、さらに各ドレイン電極には電源電圧V
Dが印加されている。各垂直選択線12は、垂直走査回
路14および電子シャッタ走査回路15の出力端に接続
されている。
成されており、垂直走査しつつ各ラインごとに画素情報
を順に読み出すために、各垂直選択線12に対して垂直
選択パルスφV(…,φVm,…,φVp,…)を与え
る。電子シャッタ走査回路15も同様にシフトレジスタ
等で構成されており、各ラインごとに画素の蓄積時間を
制御するためのものである。
のスイッチ手段)である例えば2つのNchMOSトラ
ンジスタ16,17の各ドレイン電極に接続されてい
る。これらMOSトランジスタ16,17は同一サイズ
に形成されており、その各ゲート電極には動作パルスφ
OP1,φOP2が印加される。MOSトランジスタ1
6,17の各ソース電極は、記憶手段である2つの負荷
容量18,19の各一端に接続されるとともに、水平ス
イッチ(第2のスイッチ手段)である2つのNchMO
Sトランジスタ20,21の各ドレイン電極に接続され
ている。負荷容量18,19の各他端は共に接地されて
いる。
電極は水平信号線22,23にそれぞれ接続され、各ゲ
ート電極は水平走査回路24の出力端に共通に接続され
ている。この水平走査回路24はシフトレジスタ等で構
成され、MOSトランジスタ20,21を導通状態に
し、負荷容量18,19の各一端を水平信号線22,2
3に接続するために、MOSトランジスタ20,21の
各ゲート電極に対して水平走査パルスφH(…,φV
n,φVn+1,…)を与える。水平信号線22,23
の各一端は、出力端子25,26にそれぞれ接続されて
いる。以上により、増幅型固体撮像素子10が構成され
ている。
の動作について説明する。先ず、垂直走査期間にほぼ近
い時間だけ蓄積したφVm行の垂直選択線12の画素ト
ランジスタ11を、ある水平ブランキング期間に垂直信
号線13から動作スイッチであるMOSトランジスタ1
6を介して読み出して負荷容量18に信号電圧として保
持する。そして、読み出しが終わったφVm行の垂直選
択線12の画素トランジスタ11については、当該画素
トランジスタ11に蓄積した信号電荷をリセットする。
なお、画素の蓄積時間の制御は、電子シャッタ走査回路
15によって行われる。
1/1000秒前に一度読み出されてリセットされたφ
Vp行の垂直選択線12の画素トランジスタ11の信号
を、垂直選択線12からMOSトランジスタ17を介し
て負荷容量19に読み出して信号電圧として保持する。
読み出しが終わったφVp行の垂直選択線12の画素ト
ランジスタ11については、当該画素トランジスタ11
に蓄積した信号電荷をリセットする。すると、垂直走査
期間をいま仮に1/60秒であるとすると、負荷容量1
8,19にはそれぞれ(1/60−1/1000)秒と
1/1000秒の蓄積時間の信号が保持される。これら
の信号をそれぞれL信号、S信号と称することにする。
S信号は、水平スイッチであるMOSトランジスタ2
0,21を介して水平信号線22,23に出力され、さ
らに出力端子25,26を通して出力信号OUT1,O
UT2としてそれぞれ外部へ導出される。ここで、入射
光量に対する出力信号OUT1,OUT2の各信号量の
関係を図示すると図4に示すようになる。すなわち、出
力信号OUT1は従来例の場合と同等の入射光量R1で
飽和してしまうのに対し、もう一方の出力信号OUT2
は入射光量R2まで飽和しない。
て例えば2つの負荷容量18,19を設け、蓄積時間が
異なる複数行の画素から出力される信号を、垂直信号線
13を通してMOSトランジスタ16,17によって読
み出して負荷容量18,19に記憶させる一方、負荷容
量18,19に記憶された信号をMOSトランジスタ2
0,21によって水平信号線22,23を通して出力す
る構成としたことで、単一の固体撮像素子10から同時
に蓄積時間の異なる出力信号OUT1,OUT2が得ら
れる。したがって、従来の固体撮像素子では画素が飽和
してコントラストの得られない映像信号がもう一方の端
子から出力され、別々の端子からではあるが非常に広い
範囲の入射光量に対してコントラストのある信号が得ら
れる。
13に対して2つの負荷容量18,19を設けるとした
が、2つに限られるものではなく、3つ以上設けること
も可能である。この場合、動作スイッチおよび水平スイ
ッチについても同じ数だけ設ける必要がある。
いては、出力信号OUT1,OUT2として、異なる行
の画素からの信号が同時に導出されることになるため、
表示や画像処理等をする場合に都合が悪い。これに対処
できるようにしたのが、本発明による撮像装置である。
態を示すブロック図である。図3において、固体撮像素
子10から出力される、後に走査される行の画素信号
(図1の説明では、出力信号OUT1)をFIFO(Fir
st In First Out)のN行分のラインメモリ31を通すこ
とにより、出力信号OUT1と同一の行でかつ出力信号
OUT1よりも遅れて出力される出力信号OUT2に時
間を合わせ(同時化)、その後この同時化された出力信
号OUT1,OUT2を加算器32で加算する構成の信
号処理回路30を用いる。
は、図1の構成の場合は、(m−p)行分だけあれば良
い。このことは、図1で説明したように、蓄積時間を短
くしたφVp行について、蓄積時間の長いφVm行より
も先に走査されるように設定しておけば、メモリの容量
が少なくて済むことを意味している。何故ならば、φV
p行の蓄積時間はφVm行との行差と水平走査時間の積
で表されるため、先に走査されるφVp行の蓄積時間を
短く設定すればφVp行とφVm行との行差が少なくな
り、結果的にメモリの容量が少なくなるからである。
であるL信号(出力信号OUT1)をラインメモリ22
に記憶し、もう一度同じ行の画素信号がS信号(出力信
号OUT2)として出力されたら、L信号とS信号を加
算して映像信号として出力することにより、図4に示す
ような入射光量対出力信号量の関係が得られる。その結
果、図4の入出力特性図から明らかなように、入射光量
R1を境に感度が変化して非線形の関係になるものの、
入射光としてのダイナミックレンジが飛躍的に拡大す
る。
ても、画素の飽和信号量にバラツキがあることから、出
力信号OUT1と出力信号OUT2とを単純に加算する
と、図4の光量R1〜R2の範囲で画素の飽和信号量の
バラツキがそのまま映像に現れてしまう。すなわち、光
量R1〜R2の範囲では、出力信号OUT1は画素の飽
和信号量のバラツキとなるので、加算信号(OUT1+
OUT2)は出力信号OUT1の飽和信号量のバラツ
キ、即ち固定パターンノイズの上に出力信号OUT2が
重畳された非常にSN比の悪い信号となってしまう。
は、これに対処できるような構成となっている。図5は
その構成を示すブロック図であり、図中、図3と同等部
分には同一符号を付して示してある。この実施形態に係
る信号処理回路30では、上述した画素の飽和信号量の
バラツキを取り除くために、固体撮像素子10の出力信
号OUT1の出力端とラインメモリ31との間にクリッ
プ回路33を、さらに出力信号OUT2の出力端と加算
器32との間にクリップ回路34をそれぞれ挿入した構
成となっている。
る一定以上の信号をその一定値で置き換える回路であ
り、そのある一定値としては、バラツキを持つ画素の飽
和信号量のうち最も小さい値よりも小さくとるように設
定する。なお、出力信号OUT2側にもクリップ回路3
4を挿入するとしたが、図4の入出力特性から明らかな
ように、出力信号OUT2については入射光量R2まで
は飽和レベルに達しないことから、それ以上のダイナミ
ックレンジを望まない場合には、クリップ回路34を省
略することも可能である。
特性を示す。かかる入出力特性を持つクリップ回路3
3,34を挿入することで、出力信号OUT1が画素の
飽和レベルに達しても、画素の飽和信号量よりも小さく
設定されたクリップレベルでクリップされるため、画素
の飽和信号量のバラツキ、即ち固定パターンノイズの影
響を受けることがなく、よってSN比の高い映像信号を
得ることができる。
て、図7に示す非線形の入出力特性をクリップ回路33
に持たせることで、図4の入出力特性における入射光量
R1での不自然な段差特性を解消し、その入出力特性を
滑らかにすることができる。その結果、自然な階調を持
つ映像信号を得ることができる。
撮像素子によれば、1本の垂直信号線に対して記憶手段
を複数設け、蓄積時間が異なる複数行の画素から出力さ
れる信号を垂直信号線を通して複数の記憶手段に記憶さ
せる一方、これらの記憶手段に記憶された信号を複数の
水平信号線を通して出力する構成としたことにより、画
素が飽和してコントラストの得られない映像信号の他
に、非常に広い範囲の入射光量に対してコントラストの
ある映像信号を得ることができるので、入射光量対出力
信号量のダイナミックレンジを飛躍的に拡大することが
できる。
積時間が異なる複数行の画素に基づく複数の出力信号を
得る固体撮像素子を用い、この固体撮像素子から出力さ
れる複数の出力信号を同時化しかつこれらを加算して映
像信号として出力する構成としたことにより、異なる行
の画素からの信号が同時に出力されるようなことはない
ため、表示や画像処理等をする場合にも支障を来すこと
のない映像信号を得ることができるとともに、入射光量
対出力信号量のダイナミックレンジを拡大することがで
きる。
構成図である。
る。
図である。
成図である。
電極は水平信号線22,23にそれぞれ接続され、各ゲ
ート電極は水平走査回路24の出力端に共通に接続され
ている。この水平走査回路24はシフトレジスタ等で構
成され、MOSトランジスタ20,21を導通状態に
し、負荷容量18,19の各一端を水平信号線22,2
3に接続するために、MOSトランジスタ20,21の
各ゲート電極に対して水平走査パルスφH(…,φH
n,φHn+1,…)を与える。水平信号線22,23
の各一端は、出力端子25,26にそれぞれ接続されて
いる。以上により、増幅型固体撮像素子10が構成され
ている。
の動作について、図10のタイミングチャートに基づい
て説明する。先ず、垂直走査期間にほぼ近い時間だけ蓄
積したφVm行の垂直選択線12の画素トランジスタ1
1を、ある水平ブランキング期間(HBLK)に垂直信
号線13から動作スイッチであるMOSトランジスタ1
6を介して読み出して負荷容量18に信号電圧として保
持する。そして、読み出しが終わったφVm行の垂直選
択線12の画素トランジスタ11については、当該画素
トランジスタ11に蓄積した信号電荷をリセットする。
なお、画素のリセットは、基板パルスφSUBが基板に
印加されることによって行われる。また、画素の蓄積時
間の制御は、電子シャッタ走査回路15によって行われ
る。
1/1000秒前に一度読み出されてリセットされたφ
Vp行の垂直選択線12の画素トランジスタ11の信号
を、垂直信号線13からMOSトランジスタ17を介し
て負荷容量19に読み出して信号電圧として保持する。
読み出しが終わったφVp行の垂直選択線12の画素ト
ランジスタ11については、当該画素トランジスタ11
に蓄積した信号電荷をリセットする。すると、垂直走査
期間をいま仮に1/60秒であるとすると、負荷容量1
8,19にはそれぞれ(1/60−1/1000)秒と
1/1000秒の蓄積時間の信号が保持される。これら
の信号をそれぞれL信号、S信号と称することにする。
る行の画素信号であるL信号(出力信号OUT1)をラ
インメモリ22に記憶し、もう一度同じ行の画素信号が
S信号(出力信号OUT2)として出力されたら、L信
号とS信号を加算して映像信号として出力することによ
り、図4に示すような入射光量対出力信号量の関係が得
られる。その結果、図4の入出力特性図から明らかなよ
うに、入射光量R1を境に感度が変化して非線形の関係
になるものの、入射光としてのダイナミックレンジが飛
躍的に拡大する。
トである。
Claims (5)
- 【請求項1】 行列状に配列されて入射光量に応じた信
号を出力する多数の画素と、 同一列の画素を共通に接続した垂直信号線の各々に対し
て設けられた複数の記憶手段と、 蓄積時間が異なる複数行の画素から出力される信号を垂
直信号線を通して読み出して前記複数の記憶手段に記憶
させる複数の第1のスイッチ手段と、 前記複数の記憶手段に記憶された信号を複数の水平信号
線を通して出力する複数の第2のスイッチ手段とを備え
たことを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項2】 画素の蓄積時間を電子シャッタを用いて
制御することを特徴とする請求項1記載の固体撮像素
子。 - 【請求項3】 前記複数行の画素のうち映像信号として
先に走査される行の画素は、最も後に走査される行の画
素よりも蓄積時間が短く設定されたことを特徴とする請
求項1記載の固体撮像素子。 - 【請求項4】 蓄積時間が異なる複数行の画素に基づく
複数の出力信号を得る固体撮像素子と、 前記固体撮像素子からの複数の出力信号を同時化しかつ
これらを加算して映像信号として出力する信号処理回路
とを備えたことを特徴とする撮像装置。 - 【請求項5】 前記信号処理回路は、同時化した各出力
信号を線形または非線形入出力特性を有する回路を通し
た後に加算することを特徴とする請求項4記載の撮像装
置。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001169184A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-06-22 | Eastman Kodak Co | 拡大されたダイナミックレンジを有するcmosイメージセンサ |
WO2002064304A1 (fr) * | 2001-02-14 | 2002-08-22 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Dispositif de surveillance du stade de soudage |
WO2005034511A1 (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | 光検出装置 |
US6930722B1 (en) | 1998-06-30 | 2005-08-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Amplification type image pickup apparatus and method of controlling the amplification type image pickup apparatus |
WO2006073057A1 (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 固体撮像装置 |
US7190398B1 (en) | 1995-11-07 | 2007-03-13 | California Institute Of Technology | Image sensor with high dynamic range linear output |
JP2011259492A (ja) * | 2005-10-28 | 2011-12-22 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100855957B1 (ko) * | 2004-02-09 | 2008-09-02 | 삼성전자주식회사 | 화면 주변부의 밝기를 보상하는 고체 촬상 소자 및 그구동 방법 |
JP4609428B2 (ja) | 2006-12-27 | 2011-01-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 |
JP2012222529A (ja) | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Sony Corp | 固体撮像素子および駆動方法、並びに電子機器 |
-
1995
- 1995-08-11 JP JP20555195A patent/JP3680366B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-08-10 KR KR1019960033319A patent/KR100431233B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7190398B1 (en) | 1995-11-07 | 2007-03-13 | California Institute Of Technology | Image sensor with high dynamic range linear output |
US6930722B1 (en) | 1998-06-30 | 2005-08-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Amplification type image pickup apparatus and method of controlling the amplification type image pickup apparatus |
US7623170B2 (en) | 1998-06-30 | 2009-11-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Amplification type image pickup apparatus and method of controlling the amplification type image pickup apparatus |
JP4536901B2 (ja) * | 1999-10-26 | 2010-09-01 | イーストマン コダック カンパニー | 拡大されたダイナミックレンジを有するcmosイメージセンサ |
JP2001169184A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-06-22 | Eastman Kodak Co | 拡大されたダイナミックレンジを有するcmosイメージセンサ |
JPWO2002064304A1 (ja) * | 2001-02-14 | 2004-06-10 | 本田技研工業株式会社 | 溶接状況監視装置 |
WO2002064304A1 (fr) * | 2001-02-14 | 2002-08-22 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Dispositif de surveillance du stade de soudage |
JP4501101B2 (ja) * | 2001-02-14 | 2010-07-14 | 本田技研工業株式会社 | 溶接状況監視装置 |
WO2005034511A1 (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | 光検出装置 |
US7800667B2 (en) | 2003-10-02 | 2010-09-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photo-detecting apparatus |
WO2006073057A1 (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 固体撮像装置 |
US8149308B2 (en) | 2005-01-06 | 2012-04-03 | Panasonic Corporation | Solid-state image pickup device |
JP2011259492A (ja) * | 2005-10-28 | 2011-12-22 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 |
Also Published As
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