JPH0955538A - 多波長発光素子 - Google Patents
多波長発光素子Info
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- JPH0955538A JPH0955538A JP20452295A JP20452295A JPH0955538A JP H0955538 A JPH0955538 A JP H0955538A JP 20452295 A JP20452295 A JP 20452295A JP 20452295 A JP20452295 A JP 20452295A JP H0955538 A JPH0955538 A JP H0955538A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 同一の基板上に形成した１つの素子からな
るフルカラーの発光素子を提供することにある。 【構成】 同一基板１上に、ＧａＰ系化合物半導体から
なる発光ダイオード部２４を積層し、該発光ダイオード
部２４上に、ＧａＮ系化合物半導体からなる発光ダイオ
ード部２５、２６を積層して構成し、発光ダイオード部
２４と発光ダイオード部２５の間に絶縁層としてＺｎＯ
膜５を介在させる。
るフルカラーの発光素子を提供することにある。 【構成】 同一基板１上に、ＧａＰ系化合物半導体から
なる発光ダイオード部２４を積層し、該発光ダイオード
部２４上に、ＧａＮ系化合物半導体からなる発光ダイオ
ード部２５、２６を積層して構成し、発光ダイオード部
２４と発光ダイオード部２５の間に絶縁層としてＺｎＯ
膜５を介在させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多波長の可視光発光素
子に関する。
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、ＭＯＣＶＤ法により、ＧａＮ系化
合物半導体を利用する高輝度の青色発光ダイオードが提
案されている（S. Nakamura et al. Appl. Phys. Let
t., 64,28,(1994) p1687) 。この発光ダイオードは、サ
ファイア基板上に順次にエピタキシャル成長したＧａＮ
バッファ層、Ｓｉドープのｎ導電型ＧａＮ層（ｎーＧａ
Ｎ層、以下同様），ＳｉドープのｎーＡｌＧａＮ層、Ｚ
ｎドープのＩｎＧａＮ活性層、ＭｇドープのｐーＡｌＧ
ａＮ層及びＭｇドープのｐーＧａＮ層から構成されてい
る。この発光ダイオードでは、ＩｎＧａＮにＺｎをドー
ピングして得られたＩｎＧａＮ活性層の不純物のエネル
ギー順位によって青色（発光波長４５０ｎｍ）発光を得
るものである。ここで、Ｉｎの組成を変えて青緑色（発
光波長４７０ｎｍ）の発光ダイオードを得る構成も提案
されており、また、Ｚｎに代えて他の不純物、例えばＣ
又はＣｄ等をドーピングしても、発光波長が変化するも
のと考えられる。
合物半導体を利用する高輝度の青色発光ダイオードが提
案されている（S. Nakamura et al. Appl. Phys. Let
t., 64,28,(1994) p1687) 。この発光ダイオードは、サ
ファイア基板上に順次にエピタキシャル成長したＧａＮ
バッファ層、Ｓｉドープのｎ導電型ＧａＮ層（ｎーＧａ
Ｎ層、以下同様），ＳｉドープのｎーＡｌＧａＮ層、Ｚ
ｎドープのＩｎＧａＮ活性層、ＭｇドープのｐーＡｌＧ
ａＮ層及びＭｇドープのｐーＧａＮ層から構成されてい
る。この発光ダイオードでは、ＩｎＧａＮにＺｎをドー
ピングして得られたＩｎＧａＮ活性層の不純物のエネル
ギー順位によって青色（発光波長４５０ｎｍ）発光を得
るものである。ここで、Ｉｎの組成を変えて青緑色（発
光波長４７０ｎｍ）の発光ダイオードを得る構成も提案
されており、また、Ｚｎに代えて他の不純物、例えばＣ
又はＣｄ等をドーピングしても、発光波長が変化するも
のと考えられる。
【０００３】上記形式の発光ダイオードを作製するため
には、各エピタキシャル層をｐ型及びｎ型にするための
導電型制御を行う必要がある。ここで、ｐ型ドーパント
としてＺｎやＭｇをドーピングした成長直後のＧａＮは
高抵抗にしかならず、発光ダイオードのためのｐ導電型
層としては実質的に機能しないが、電子線の照射や窒素
中でのアニールによって低抵抗化が可能となり、発光ダ
イオードのｐ導電型層として機能することが報告されて
いる（I. Akasaka et al. J.J.A.P., 28 No.12, (1989)
L2112及び S. Nakamura et al. J.J.A.P., 31 (1992)
pp1258) 。
には、各エピタキシャル層をｐ型及びｎ型にするための
導電型制御を行う必要がある。ここで、ｐ型ドーパント
としてＺｎやＭｇをドーピングした成長直後のＧａＮは
高抵抗にしかならず、発光ダイオードのためのｐ導電型
層としては実質的に機能しないが、電子線の照射や窒素
中でのアニールによって低抵抗化が可能となり、発光ダ
イオードのｐ導電型層として機能することが報告されて
いる（I. Akasaka et al. J.J.A.P., 28 No.12, (1989)
L2112及び S. Nakamura et al. J.J.A.P., 31 (1992)
pp1258) 。
【０００４】これらの事実を利用して、同一基板上に多
波長の発光ダイオードを形成したものが提案されてい
る。即ち、ｎ型ドーパントを含むＧａＮ系化合物半導体
からなる少なくとも一つのｎ導電型層と、ＧａＮ系化合
物半導体からなる活性層と、ｐ型ドーパントを含むＧａ
Ｎ系化合物半導体からなる少なくとも一つのｐ導電型層
とを含む発光ダイオード部を同一基板上に複数積層して
備え、該発光ダイオード部のそれぞれに独立に電極を形
成したものである。以上の発光ダイオードは、サファイ
ア基板上にＧａＮ系のバッファー層を形成した後、Ｇａ
Ｎ系の化合物半導体層を積層するものであるが、これ以
外にＺｎＯ膜をバッファー層としても良好なＧａＮ膜が
得られることが報告されている（Appl. Phys. Lett., 6
1,30,(1992) p2688)。
波長の発光ダイオードを形成したものが提案されてい
る。即ち、ｎ型ドーパントを含むＧａＮ系化合物半導体
からなる少なくとも一つのｎ導電型層と、ＧａＮ系化合
物半導体からなる活性層と、ｐ型ドーパントを含むＧａ
Ｎ系化合物半導体からなる少なくとも一つのｐ導電型層
とを含む発光ダイオード部を同一基板上に複数積層して
備え、該発光ダイオード部のそれぞれに独立に電極を形
成したものである。以上の発光ダイオードは、サファイ
ア基板上にＧａＮ系のバッファー層を形成した後、Ｇａ
Ｎ系の化合物半導体層を積層するものであるが、これ以
外にＺｎＯ膜をバッファー層としても良好なＧａＮ膜が
得られることが報告されている（Appl. Phys. Lett., 6
1,30,(1992) p2688)。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の通り、ＧａＮ系
化合物半導体材料によって青〜緑色の領域での発光ダイ
オードが実現可能である。一方、赤色の発光素子として
は、現在ＧａＰ系の発光ダイオードが実現されている。
そこで、これらを組み合わせることで、フルカラーの発
光素子を提供することができる。本発明の目的は、単一
の基板上に形成した１つの素子からなるフルカラーの発
光素子を提供することにある。
化合物半導体材料によって青〜緑色の領域での発光ダイ
オードが実現可能である。一方、赤色の発光素子として
は、現在ＧａＰ系の発光ダイオードが実現されている。
そこで、これらを組み合わせることで、フルカラーの発
光素子を提供することができる。本発明の目的は、単一
の基板上に形成した１つの素子からなるフルカラーの発
光素子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決した多波長発光素子を提供するもので、請求項１記載
の発明は、同一基板上に、ＧａＰ系、ＡｌＧａＡｓ系、
またはＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体からなる発光ダイ
オード部を少なくとも１個積層し、該発光ダイオード部
上に、ＧａＮ系化合物半導体からなる発光ダイオード部
を１個以上積層して備えたことを特徴とするものであ
る。
決した多波長発光素子を提供するもので、請求項１記載
の発明は、同一基板上に、ＧａＰ系、ＡｌＧａＡｓ系、
またはＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体からなる発光ダイ
オード部を少なくとも１個積層し、該発光ダイオード部
上に、ＧａＮ系化合物半導体からなる発光ダイオード部
を１個以上積層して備えたことを特徴とするものであ
る。
【０００７】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の多波長発光素子において、ＧａＰ系、ＡｌＧａＡｓ
系、またはＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体からなる発光
ダイオード部間および該発光ダイオード部と隣接するＧ
ａＮ系化合物半導体からなる発光ダイオード部との間に
絶縁層を介在させたことを特徴とするものである。
載の多波長発光素子において、ＧａＰ系、ＡｌＧａＡｓ
系、またはＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体からなる発光
ダイオード部間および該発光ダイオード部と隣接するＧ
ａＮ系化合物半導体からなる発光ダイオード部との間に
絶縁層を介在させたことを特徴とするものである。
【０００８】さらに、請求項３記載の発明は、請求項１
または２記載の多波長発光素子におおて、各発光ダイオ
ード部に独立した電極を形成したことを特徴とするもの
である。
または２記載の多波長発光素子におおて、各発光ダイオ
ード部に独立した電極を形成したことを特徴とするもの
である。
【０００９】
【作用】請求項１記載の発明の多波長発光素子による
と、同一基板上に、ＧａＰ系化合物半導体からなる発光
ダイオード部を少なくとも１個積層し、該発光ダイオー
ド部上に、ＧａＮ系化合物半導体からなる発光ダイオー
ド部を１個以上積層して備えているので、ＧａＰ系化合
物半導体からなる発光ダイオード部から赤色系の発光を
得ることができ、ＧａＮ系化合物半導体からなる発光ダ
イオード部から青〜緑系色の発光を得ることができる。
この場合、基板としてはＧａＰやＧａＡｓを用いて、へ
き開によりチップを形成することができるので、へき開
のできないサファイア基板を用いる場合よりもチップ作
製が容易になる。
と、同一基板上に、ＧａＰ系化合物半導体からなる発光
ダイオード部を少なくとも１個積層し、該発光ダイオー
ド部上に、ＧａＮ系化合物半導体からなる発光ダイオー
ド部を１個以上積層して備えているので、ＧａＰ系化合
物半導体からなる発光ダイオード部から赤色系の発光を
得ることができ、ＧａＮ系化合物半導体からなる発光ダ
イオード部から青〜緑系色の発光を得ることができる。
この場合、基板としてはＧａＰやＧａＡｓを用いて、へ
き開によりチップを形成することができるので、へき開
のできないサファイア基板を用いる場合よりもチップ作
製が容易になる。
【００１０】また、請求項２記載の発明のように、Ｇａ
Ｐ系化合物半導体からなる発光ダイオード部間および該
発光ダイオード部と隣接するＧａＮ系化合物半導体から
なる発光ダイオード部との間に絶縁層を介在させ、ま
た、請求項３記載の発明のように、各発光ダイオード部
に独立した電極を形成すると、各発光ダイオード部の発
光を独立に制御することができ、所望の組み合わせの発
光を得ることができる。
Ｐ系化合物半導体からなる発光ダイオード部間および該
発光ダイオード部と隣接するＧａＮ系化合物半導体から
なる発光ダイオード部との間に絶縁層を介在させ、ま
た、請求項３記載の発明のように、各発光ダイオード部
に独立した電極を形成すると、各発光ダイオード部の発
光を独立に制御することができ、所望の組み合わせの発
光を得ることができる。
【００１１】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて本発明
を詳細に説明する。図１は本発明にかかる多波長発光素
子の一実施例の断面図である。この多波長発光素子は、
以下のような工程で製作される。即ち、 １）先ず、ｎーＧａＰ基板１上に１μｍ厚のＳｉドープ
のｎーＧａＰ層２、０．５μｍ厚のＺｎドープのＧａＡ
ｓＰ層３、０．５μｍ厚のＭｇドープのｐ−ＧａＰ層４
を順次積層する。その後、スパッタリングにより２００
ｎｍ厚のＺｎＯ膜５を積層する。このようにして、赤系
の発光をするＧａＰ系の第１の発光ダイオード部２４を
形成する。 ２）次いで、１μｍ厚のＳｉドープのｎーＧａＮ層６、
０．１５μｍ厚のＳｉドープのｎーＡｌＧａＮ層７、厚
さ０．０５μｍの緑の発光の見られる濃度のＺｎドープ
のＩｎＧａＮ層８、厚さ０．１５μｍのＭｇドープのｐ
−ＡｌＧａＮ層９、厚さ１μｍのＭｇドープのｐ−Ｇａ
Ｎ層１０を順次積層する。このようにして、ＧａＮ系の
第２の発光ダイオード部２５を形成する。 ３）さらに、１μｍ厚のＳｉドープのｎーＧａＮ層１
１、０．１５μｍ厚のＳｉドープのｎーＡｌＧａＮ層１
２、０．０５μｍ厚の青の発光をするＺｎドープのＩｎ
ＧａＮ層１３、０．１５μｍ厚のＭｇドープのｐーＡｌ
ＧａＮ層１４、０．５μｍ厚のＭｇドープのｐーＧａＮ
層１５を順次積層する。このようにして、ＧａＮ系の第
３の発光ダイオード部２６を形成する。 ４）次いで、部分的に幅Ａの領域を表面からＭｇドープ
のｐ−ＧａＮ層１０の途中までをエッチングする。次い
で、ｐ型領域１６、１７（ハッチング部分）を除いてマ
スクし、ｐ型領域１６、１７に電子線を照射して、この
部分を低抵抗化する。 ５）次いで、ｎ電極をとるために、ＳｉドープのｎーＧ
ａＮ層６、１１まで幅Ｂおよび幅Ｃの領域をエッチング
する。さらに、ＧａＰ系半導体層のｐ電極をとるため
に、ｐ−ＧａＰ層４まで幅Ｄの領域をエッチングする。 ６）最後に、ｐ電極１９、２１、２３およびｎ電極２
０、２２および裏面のｎ電極１８を形成する。
を詳細に説明する。図１は本発明にかかる多波長発光素
子の一実施例の断面図である。この多波長発光素子は、
以下のような工程で製作される。即ち、 １）先ず、ｎーＧａＰ基板１上に１μｍ厚のＳｉドープ
のｎーＧａＰ層２、０．５μｍ厚のＺｎドープのＧａＡ
ｓＰ層３、０．５μｍ厚のＭｇドープのｐ−ＧａＰ層４
を順次積層する。その後、スパッタリングにより２００
ｎｍ厚のＺｎＯ膜５を積層する。このようにして、赤系
の発光をするＧａＰ系の第１の発光ダイオード部２４を
形成する。 ２）次いで、１μｍ厚のＳｉドープのｎーＧａＮ層６、
０．１５μｍ厚のＳｉドープのｎーＡｌＧａＮ層７、厚
さ０．０５μｍの緑の発光の見られる濃度のＺｎドープ
のＩｎＧａＮ層８、厚さ０．１５μｍのＭｇドープのｐ
−ＡｌＧａＮ層９、厚さ１μｍのＭｇドープのｐ−Ｇａ
Ｎ層１０を順次積層する。このようにして、ＧａＮ系の
第２の発光ダイオード部２５を形成する。 ３）さらに、１μｍ厚のＳｉドープのｎーＧａＮ層１
１、０．１５μｍ厚のＳｉドープのｎーＡｌＧａＮ層１
２、０．０５μｍ厚の青の発光をするＺｎドープのＩｎ
ＧａＮ層１３、０．１５μｍ厚のＭｇドープのｐーＡｌ
ＧａＮ層１４、０．５μｍ厚のＭｇドープのｐーＧａＮ
層１５を順次積層する。このようにして、ＧａＮ系の第
３の発光ダイオード部２６を形成する。 ４）次いで、部分的に幅Ａの領域を表面からＭｇドープ
のｐ−ＧａＮ層１０の途中までをエッチングする。次い
で、ｐ型領域１６、１７（ハッチング部分）を除いてマ
スクし、ｐ型領域１６、１７に電子線を照射して、この
部分を低抵抗化する。 ５）次いで、ｎ電極をとるために、ＳｉドープのｎーＧ
ａＮ層６、１１まで幅Ｂおよび幅Ｃの領域をエッチング
する。さらに、ＧａＰ系半導体層のｐ電極をとるため
に、ｐ−ＧａＰ層４まで幅Ｄの領域をエッチングする。 ６）最後に、ｐ電極１９、２１、２３およびｎ電極２
０、２２および裏面のｎ電極１８を形成する。
【００１２】上記積層構造において、ＺｎＯ膜５は絶縁
膜であり、Ｍｇドープのｐ−ＧａＮ層１０は高抵抗層で
ある。従って、ＳｉドープのｎーＧａＰ層２からＭｇド
ープのｐ−ＧａＰ層４で構成される第１の発光ダイオー
ド部２４、ＳｉドープのｎーＧａＮ層６からＭｇドープ
のｐ−ＡｌＧａＮ層９で構成される第２の発光ダイオー
ド部２５、およびＳｉドープのｎーＧａＮ層１１からＭ
ｇドープのｐーＡｌＧａＮ層１４で構成される第３の発
光ダイオード部２６は、相互に絶縁されており、独立に
３種類の異なる波長で発光する。これら３個の発光ダイ
オード部２４、２５、２６の発光強度を制御すれば、フ
ルカラーの発光を得ることができる。
膜であり、Ｍｇドープのｐ−ＧａＮ層１０は高抵抗層で
ある。従って、ＳｉドープのｎーＧａＰ層２からＭｇド
ープのｐ−ＧａＰ層４で構成される第１の発光ダイオー
ド部２４、ＳｉドープのｎーＧａＮ層６からＭｇドープ
のｐ−ＡｌＧａＮ層９で構成される第２の発光ダイオー
ド部２５、およびＳｉドープのｎーＧａＮ層１１からＭ
ｇドープのｐーＡｌＧａＮ層１４で構成される第３の発
光ダイオード部２６は、相互に絶縁されており、独立に
３種類の異なる波長で発光する。これら３個の発光ダイ
オード部２４、２５、２６の発光強度を制御すれば、フ
ルカラーの発光を得ることができる。
【００１３】なお、ＧａＰ系化合物半導体からなる発光
ダイオード部およびＧａＮ系化合物半導体からなる発光
ダイオード部の数は、上記実施例のように、それぞれ１
個および２個に限定されることはない。また、上記実施
例では、ＺｎをドーピングしたＩｎＧａＮからなる活性
層を用いたが、ＣｄやＭｇなどの他のドーパントを用い
てもよい。また、ドーパントの種類、量を変える他に、
Ｉｎの組成を変えて活性層の発光波長を変えてもよい。
なお、本実施例では、赤色発光素子としてＧａＰ系材料
を例にしたが、図２に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板３
１上にＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体材料を用いて、
ｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層３２、ＧａＩｎＰ層３３、ｐ−Ａ
ｌＧａＩｎＰ層３４３を積層しても同様の効果がある。
更に、ＡｌＧａＡｓ系半導体を用いても同じ効果があ
る。
ダイオード部およびＧａＮ系化合物半導体からなる発光
ダイオード部の数は、上記実施例のように、それぞれ１
個および２個に限定されることはない。また、上記実施
例では、ＺｎをドーピングしたＩｎＧａＮからなる活性
層を用いたが、ＣｄやＭｇなどの他のドーパントを用い
てもよい。また、ドーパントの種類、量を変える他に、
Ｉｎの組成を変えて活性層の発光波長を変えてもよい。
なお、本実施例では、赤色発光素子としてＧａＰ系材料
を例にしたが、図２に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板３
１上にＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体材料を用いて、
ｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層３２、ＧａＩｎＰ層３３、ｐ−Ａ
ｌＧａＩｎＰ層３４３を積層しても同様の効果がある。
更に、ＡｌＧａＡｓ系半導体を用いても同じ効果があ
る。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の発明
によれば、同一基板上に、ＧａＰ系、ＡｌＧａＡｓ系、
またはＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体からなる発光ダイ
オード部を少なくとも１個積層し、該発光ダイオード部
上に、ＧａＮ系化合物半導体からなる発光ダイオード部
を１個以上積層して備えているため、１つの素子からな
るフルカラーの発光素子を得ることができるとともに、
化合物半導体からなる基板を用いることができるので、
サファイア基板の素子よりもへき開により小型のチップ
を容易に形成することができるという優れた効果があ
る。
によれば、同一基板上に、ＧａＰ系、ＡｌＧａＡｓ系、
またはＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体からなる発光ダイ
オード部を少なくとも１個積層し、該発光ダイオード部
上に、ＧａＮ系化合物半導体からなる発光ダイオード部
を１個以上積層して備えているため、１つの素子からな
るフルカラーの発光素子を得ることができるとともに、
化合物半導体からなる基板を用いることができるので、
サファイア基板の素子よりもへき開により小型のチップ
を容易に形成することができるという優れた効果があ
る。
【００１５】また、請求項２記載の発明によれば、Ｇａ
Ｐ系、ＡｌＧａＡｓ系、またはＡｌＧａＩｎＰ系化合物
半導体からなる発光ダイオード部間および該発光ダイオ
ード部と隣接するＧａＮ系化合物半導体からなる発光ダ
イオード部との間に絶縁層を介在させているため、ま
た、請求項３の発明によれば、各発光ダイオード部に独
立した電極を形成しているため、各発光ダイオード部の
発光を制御して所望の組み合わせの発光を得ることがで
きるという優れた効果がある。
Ｐ系、ＡｌＧａＡｓ系、またはＡｌＧａＩｎＰ系化合物
半導体からなる発光ダイオード部間および該発光ダイオ
ード部と隣接するＧａＮ系化合物半導体からなる発光ダ
イオード部との間に絶縁層を介在させているため、ま
た、請求項３の発明によれば、各発光ダイオード部に独
立した電極を形成しているため、各発光ダイオード部の
発光を制御して所望の組み合わせの発光を得ることがで
きるという優れた効果がある。
【図１】本発明に係る多波長発光素子の一実施例の断面
図である。
図である。
【図２】本発明に係る多波長発光素子の他の実施例の断
面図である。
面図である。
１ ｎーＧａＰ基板 ２ ｎーＧａＰ層 ３ ＧａＡｓＰ層 ４ ｐ−ＧａＰ層 ５ ＺｎＯ膜 ６ ｎーＧａＮ層 ７ ｎーＡｌＧａＮ層 ８ ＩｎＧａＮ層 ９ ｐ−ＡｌＧａＮ層 １０ ｐ−ＧａＮ層 １１ ｎーＧａＮ層 １２ ｎーＡｌＧａＮ層 １３ ＩｎＧａＮ層 １４ ｐーＡｌＧａＮ層 １５ ＧａＮ層 １６、１７ ｐ型領域 １８、１９、２１、２３ｐ電極 ２０、２２ ｎ電極 ２４、２５、２６ 発光ダイオード部 ３１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ３２ ｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層 ３３ ＧａＩｎＰ層 ３４ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ層
Claims (3)
- 【請求項１】 同一基板上に、ＧａＰ系、ＡｌＧａＡｓ
系、またはＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体からなる発光
ダイオード部を少なくとも１個積層し、該発光ダイオー
ド部上に、ＧａＮ系化合物半導体からなる発光ダイオー
ド部を１個以上積層して備えたことを特徴とする多波長
発光素子。 - 【請求項２】 ＧａＰ系、ＡｌＧａＡｓ系、またはＡｌ
ＧａＩｎＰ系化合物半導体からなる発光ダイオード部間
および該発光ダイオード部と隣接するＧａＮ系化合物半
導体からなる発光ダイオード部との間に絶縁層を介在さ
せたことを特徴とする請求項１記載の多波長発光素子。 - 【請求項３】 各発光ダイオード部に独立した電極を形
成したことを特徴とする請求項１または２記載の多波長
発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20452295A JPH0955538A (ja) | 1995-08-10 | 1995-08-10 | 多波長発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20452295A JPH0955538A (ja) | 1995-08-10 | 1995-08-10 | 多波長発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0955538A true JPH0955538A (ja) | 1997-02-25 |
Family
ID=16491934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20452295A Pending JPH0955538A (ja) | 1995-08-10 | 1995-08-10 | 多波長発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0955538A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004260111A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Sharp Corp | 半導体発光素子およびその半導体発光素子を用いた半導体発光装置 |
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