JPH0955404A - Ｔａｂテープ及び半導体装置 - Google Patents
Ｔａｂテープ及び半導体装置Info
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- JPH0955404A JPH0955404A JP7204432A JP20443295A JPH0955404A JP H0955404 A JPH0955404 A JP H0955404A JP 7204432 A JP7204432 A JP 7204432A JP 20443295 A JP20443295 A JP 20443295A JP H0955404 A JPH0955404 A JP H0955404A
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- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】リード強度が高いＴＡＢテープ、及びリードと
パッドとの接合強度が高く信頼性を向上できる半導体装
置を提供することを目的とする。 【解決手段】半導体チップ７上に千鳥状に配置されたパ
ッド１３、１４に対応する位置に各々の先端部が配置さ
れるリード１１、１２を備えたＴＡＢテープを用いて半
導体装置を構成している。前記リードは、半導体チップ
上の外側に配置されたパッド１３に接合される第１のリ
ード群１２と、これら第１のリード群の各々のリードと
交互に配列され、半導体チップ上の内側に配置されたパ
ッド１４に接合される第２のリード群１４とから成り、
第２のリード群１１の接合部の面積が、第１のリード群
１２の接合部の面積より大きいことを特徴とする。イン
ナーリードボンディング時に、リードとパッドとの位置
ずれが発生しても接合面積を大きくできるので十分な接
合強度が得られ、信頼性を確保できる。
パッドとの接合強度が高く信頼性を向上できる半導体装
置を提供することを目的とする。 【解決手段】半導体チップ７上に千鳥状に配置されたパ
ッド１３、１４に対応する位置に各々の先端部が配置さ
れるリード１１、１２を備えたＴＡＢテープを用いて半
導体装置を構成している。前記リードは、半導体チップ
上の外側に配置されたパッド１３に接合される第１のリ
ード群１２と、これら第１のリード群の各々のリードと
交互に配列され、半導体チップ上の内側に配置されたパ
ッド１４に接合される第２のリード群１４とから成り、
第２のリード群１１の接合部の面積が、第１のリード群
１２の接合部の面積より大きいことを特徴とする。イン
ナーリードボンディング時に、リードとパッドとの位置
ずれが発生しても接合面積を大きくできるので十分な接
合強度が得られ、信頼性を確保できる。
Description
【０００１】
【産業の属する技術分野】この発明は、ＴＡＢテープ及
びこのＴＡＢテープを用いた半導体装置に関し、特にフ
ィルムキャリアのリード構造に関する。
びこのＴＡＢテープを用いた半導体装置に関し、特にフ
ィルムキャリアのリード構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高機能化や高速化が
進み、入力信号や電源電圧を供給するためのパッド数が
増加している。こうしたパッド数の増加に対し、高集積
化によって半導体チップの面積は縮小されているため、
パッドピッチの縮小化が不可欠となる。しかし、従来の
ワイヤーボンディグ技術では、そのパッドピッチは１０
０μｍ程度が限界であった。
進み、入力信号や電源電圧を供給するためのパッド数が
増加している。こうしたパッド数の増加に対し、高集積
化によって半導体チップの面積は縮小されているため、
パッドピッチの縮小化が不可欠となる。しかし、従来の
ワイヤーボンディグ技術では、そのパッドピッチは１０
０μｍ程度が限界であった。
【０００３】そこで、このような問題を解決するため、
長尺上の絶縁性フィルム上に銅などからなる金属薄膜で
配線を形成し、この配線と接続用の金、ハンダなどの突
起電極（バンプ）を上部に備えた半導体チップのパッド
とを接続するＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術が提唱され開発が進められてい
る。このＴＡＢ技術により、パッドピッチが１００μｍ
以下の半導体装置の実装が可能となった。
長尺上の絶縁性フィルム上に銅などからなる金属薄膜で
配線を形成し、この配線と接続用の金、ハンダなどの突
起電極（バンプ）を上部に備えた半導体チップのパッド
とを接続するＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術が提唱され開発が進められてい
る。このＴＡＢ技術により、パッドピッチが１００μｍ
以下の半導体装置の実装が可能となった。
【０００４】図２は上記ＴＡＢ技術で用いられるＴＡＢ
テープ（フィルムキャリア）の概略図、図３（ａ）は図
２の一部の領域５を拡大して示すもので、半導体チップ
を実装した状態を示している。フィルムキャリアは、ポ
リイミド樹脂やポリエステルなどの絶縁性フィルム４の
表面に、接着剤をラミネートし、Ｃｕなどの金属パター
ンからなるリード２、３を形成したものである。この絶
縁性フィルム４の両端にはＴＡＢテープに半導体チップ
を実装する工程で用いられる送り用の穴６が長手方向に
沿って設けられている。各リード２、３の先端は、デバ
イスホール１内に突出して形成されており、図３（ａ）
に示すように半導体チップ７上に千鳥状に配置された各
ボンディングパッド８、９とリード２、３の先端の位置
がそれぞれ合うように配置されている。そして、半導体
チップ７をデバイスホール１内に配置した後、前記リー
ド２、３の先端を前記パッド８、９に位置合わせして加
熱押圧することにより、リード２、３とパッド８、９と
をバンプを介して接合する。この際、リード２は半導体
チップ７の外側に配置されたパッド８に接合され、リー
ド３は内側に配置されたパッド９に接合される。その
後、この半導体チップ７とリード２、３のインナーリー
ド部を周知の方法で樹脂封止し、フィルムキャリアを切
断して個々の半導体装置に分離する。
テープ（フィルムキャリア）の概略図、図３（ａ）は図
２の一部の領域５を拡大して示すもので、半導体チップ
を実装した状態を示している。フィルムキャリアは、ポ
リイミド樹脂やポリエステルなどの絶縁性フィルム４の
表面に、接着剤をラミネートし、Ｃｕなどの金属パター
ンからなるリード２、３を形成したものである。この絶
縁性フィルム４の両端にはＴＡＢテープに半導体チップ
を実装する工程で用いられる送り用の穴６が長手方向に
沿って設けられている。各リード２、３の先端は、デバ
イスホール１内に突出して形成されており、図３（ａ）
に示すように半導体チップ７上に千鳥状に配置された各
ボンディングパッド８、９とリード２、３の先端の位置
がそれぞれ合うように配置されている。そして、半導体
チップ７をデバイスホール１内に配置した後、前記リー
ド２、３の先端を前記パッド８、９に位置合わせして加
熱押圧することにより、リード２、３とパッド８、９と
をバンプを介して接合する。この際、リード２は半導体
チップ７の外側に配置されたパッド８に接合され、リー
ド３は内側に配置されたパッド９に接合される。その
後、この半導体チップ７とリード２、３のインナーリー
ド部を周知の方法で樹脂封止し、フィルムキャリアを切
断して個々の半導体装置に分離する。
【０００５】しかしながら、上記のような構成では、加
熱押圧する工程で図３（ｂ）に示すようにコーナー部の
リード３ａやセンター部のリード３ｂが曲り易く、イン
ナリードボンディング（以下、ＩＬＢと略す）時に位置
ずれが発生する。特に、内側のリード３は、外側のリー
ド２に比して自由に動く部分が長いので曲りやすい。こ
の結果、内側のリード３の接合面積が減少して接合強度
が低下し、半導体装置の信頼性が著しく低下するなどの
問題があった。
熱押圧する工程で図３（ｂ）に示すようにコーナー部の
リード３ａやセンター部のリード３ｂが曲り易く、イン
ナリードボンディング（以下、ＩＬＢと略す）時に位置
ずれが発生する。特に、内側のリード３は、外側のリー
ド２に比して自由に動く部分が長いので曲りやすい。こ
の結果、内側のリード３の接合面積が減少して接合強度
が低下し、半導体装置の信頼性が著しく低下するなどの
問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにデバイス
ホール内に突出するリードの先端部の長さが異なる従来
のＴＡＢテープは、内側のリードにおいて十分なリード
強度と信頼性を確保することが難しいという問題があっ
た。
ホール内に突出するリードの先端部の長さが異なる従来
のＴＡＢテープは、内側のリードにおいて十分なリード
強度と信頼性を確保することが難しいという問題があっ
た。
【０００７】また、このＴＡＢテープを用いた従来の半
導体装置は、リードとボンディングパッドとのずれによ
って接合面積が減少するため接合強度が低下し、信頼性
が著しく低下するという問題があった。
導体装置は、リードとボンディングパッドとのずれによ
って接合面積が減少するため接合強度が低下し、信頼性
が著しく低下するという問題があった。
【０００８】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたもので、その目的とするところは、内側のリード
において十分なリード強度と信頼性を確保できるＴＡＢ
テープを提供することにある。また、この発明の他の目
的は、リードとボンディングパッドとの接合強度が低下
するのを防止でき、信頼性を確保できる半導体装置を提
供することにある。
されたもので、その目的とするところは、内側のリード
において十分なリード強度と信頼性を確保できるＴＡＢ
テープを提供することにある。また、この発明の他の目
的は、リードとボンディングパッドとの接合強度が低下
するのを防止でき、信頼性を確保できる半導体装置を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、目的
を達成するために、この発明のＴＡＢテープ及び半導体
装置は以下の特徴を有した構成になっている。 （１）請求項１に記載した本発明のＴＡＢテープは、絶
縁性フィルムと、この絶縁性フィルム上に形成され、半
導体チップ上に千鳥状に配置されたパッドに対応する位
置に各々の先端部が配置されるリードとを備え、前記リ
ードは、前記半導体チップ上の外側に配置されたパッド
に接合される第１のリード群と、これら第１のリード群
の各々のリードと交互に配列され、前記半導体チップ上
の内側に配置されたパッドに接合される第２のリード群
とから成り、前記第２のリード群における各パッドとの
接合部近傍の面積はそれぞれ、前記第１のリード群にお
ける各パッドとの接合部近傍の面積より大きいことを特
徴とする。
を達成するために、この発明のＴＡＢテープ及び半導体
装置は以下の特徴を有した構成になっている。 （１）請求項１に記載した本発明のＴＡＢテープは、絶
縁性フィルムと、この絶縁性フィルム上に形成され、半
導体チップ上に千鳥状に配置されたパッドに対応する位
置に各々の先端部が配置されるリードとを備え、前記リ
ードは、前記半導体チップ上の外側に配置されたパッド
に接合される第１のリード群と、これら第１のリード群
の各々のリードと交互に配列され、前記半導体チップ上
の内側に配置されたパッドに接合される第２のリード群
とから成り、前記第２のリード群における各パッドとの
接合部近傍の面積はそれぞれ、前記第１のリード群にお
ける各パッドとの接合部近傍の面積より大きいことを特
徴とする。
【００１０】請求項２に示すように、前記第２のリード
群における各パッドとの接合部近傍の幅は、前記第１の
リード群における各パッドとの接合部近傍の幅より大き
く、且つ他の部分の幅は前記第１のリード群と等しいこ
とを特徴とする。
群における各パッドとの接合部近傍の幅は、前記第１の
リード群における各パッドとの接合部近傍の幅より大き
く、且つ他の部分の幅は前記第１のリード群と等しいこ
とを特徴とする。
【００１１】また、請求項３に示すように、前記第１の
リード群の幅及び前記第２のリード群の各パッドとの接
合部近傍以外の部分の幅は、製造プロセスで決定される
最小値であることを特徴とする。 （２）請求項４に記載した本発明の半導体装置は、千鳥
状に配置されたパッドを有する半導体チップと、この半
導体チップが実装されるフィルムキャリアとを備え、前
記フィルムキャリアは、絶縁性フィルムと、この絶縁性
フィルム上に形成され、前記半導体チップ上の外側に配
置されたパッドに接合される第１のリード群と、前記絶
縁性フィルム上に前記第１のリード群の各々のリードと
交互に形成され、前記半導体チップ上の内側に配置され
たパッドに接合される第２のリード群とから成り、前記
第２のリード群における各パッドとの接合部近傍の面積
はそれぞれ、前記第１のリード群における各パッドとの
接合部近傍の面積より大きいことを特徴とする。
リード群の幅及び前記第２のリード群の各パッドとの接
合部近傍以外の部分の幅は、製造プロセスで決定される
最小値であることを特徴とする。 （２）請求項４に記載した本発明の半導体装置は、千鳥
状に配置されたパッドを有する半導体チップと、この半
導体チップが実装されるフィルムキャリアとを備え、前
記フィルムキャリアは、絶縁性フィルムと、この絶縁性
フィルム上に形成され、前記半導体チップ上の外側に配
置されたパッドに接合される第１のリード群と、前記絶
縁性フィルム上に前記第１のリード群の各々のリードと
交互に形成され、前記半導体チップ上の内側に配置され
たパッドに接合される第２のリード群とから成り、前記
第２のリード群における各パッドとの接合部近傍の面積
はそれぞれ、前記第１のリード群における各パッドとの
接合部近傍の面積より大きいことを特徴とする。
【００１２】請求項５に示すように、前記第２のリード
群における各パッドとの接合部近傍の幅は、前記第１の
リード群における各パッドとの接合部近傍の幅より大き
く、且つ他の部分の幅は前記第１のリード群と等しいこ
とを特徴とする。
群における各パッドとの接合部近傍の幅は、前記第１の
リード群における各パッドとの接合部近傍の幅より大き
く、且つ他の部分の幅は前記第１のリード群と等しいこ
とを特徴とする。
【００１３】また、請求項６に示すように、前記第１の
リード群の幅及び前記第２のリード群の各パッドとの接
合部近傍以外の部分の幅は、製造プロセスで決定される
最小値であることを特徴とする。
リード群の幅及び前記第２のリード群の各パッドとの接
合部近傍以外の部分の幅は、製造プロセスで決定される
最小値であることを特徴とする。
【００１４】上記のような構成によれば、次のような作
用が生じる。 （１）本発明のＴＡＢテープにおいては、第２のリード
群における各パッドとの接合部近傍の面積がそれぞれ、
第１のリード群における各パッドとの接合部近傍の面積
より大きくなっている。よって、リードとボンディング
パッドとの位置ずれが発生しても接合面積の減少による
接合強度の低下を抑制でき、信頼性を確保できる。
用が生じる。 （１）本発明のＴＡＢテープにおいては、第２のリード
群における各パッドとの接合部近傍の面積がそれぞれ、
第１のリード群における各パッドとの接合部近傍の面積
より大きくなっている。よって、リードとボンディング
パッドとの位置ずれが発生しても接合面積の減少による
接合強度の低下を抑制でき、信頼性を確保できる。
【００１５】また、強度が低下しやすい第２のリード群
における各パッドとの接合部近傍の幅を、第１のリード
群における各パッドとの接合部近傍の幅より大きくすれ
ば、リード強度を高くできる。
における各パッドとの接合部近傍の幅を、第１のリード
群における各パッドとの接合部近傍の幅より大きくすれ
ば、リード強度を高くできる。
【００１６】更に、第１のリード群の幅及び第２のリー
ド群の各パッドとの接合部近傍以外の部分の幅を、製造
プロセスで決定される最小値にすれば、第２のリード群
における各パッドとの接合部近傍の面積を大きくしても
リード間のピッチが大きくなることはない。 （２）本発明の半導体装置においては、上記（１）記載
のＴＡＢテープを用いることによって、インナーリード
ボンディング時に、リードとボンディングパッドとの位
置ずれが発生しても接合面積を大きくできるので十分な
接合強度が得られ、信頼性を確保できる。
ド群の各パッドとの接合部近傍以外の部分の幅を、製造
プロセスで決定される最小値にすれば、第２のリード群
における各パッドとの接合部近傍の面積を大きくしても
リード間のピッチが大きくなることはない。 （２）本発明の半導体装置においては、上記（１）記載
のＴＡＢテープを用いることによって、インナーリード
ボンディング時に、リードとボンディングパッドとの位
置ずれが発生しても接合面積を大きくできるので十分な
接合強度が得られ、信頼性を確保できる。
【００１７】また、接合強度が低下しやすい第２のリー
ド群における各パッドとの接合部近傍の幅を、前記第１
のリード群における各パッドとの接合部近傍の幅より大
きくすれば、リードとボンディングパッドとの位置ずれ
の原因となる第２のリード群の先端部の変形を防止でき
る。
ド群における各パッドとの接合部近傍の幅を、前記第１
のリード群における各パッドとの接合部近傍の幅より大
きくすれば、リードとボンディングパッドとの位置ずれ
の原因となる第２のリード群の先端部の変形を防止でき
る。
【００１８】更に、第１のリード群の幅及び第２のリー
ド群の各パッドとの接合部近傍以外の部分の幅を、製造
プロセスで決定される最小値にすれば、第２のリード群
における各パッドとの接合部近傍の面積を大きくしても
半導体チップ上に形成された各パッドピッチの縮小化に
十分対応できる。
ド群の各パッドとの接合部近傍以外の部分の幅を、製造
プロセスで決定される最小値にすれば、第２のリード群
における各パッドとの接合部近傍の面積を大きくしても
半導体チップ上に形成された各パッドピッチの縮小化に
十分対応できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施の形態に
ついて図面を参照して説明する。図１（ａ）は、本発明
の一実施の形態について説明するためのもので、フィル
ムキャリアを用いた半導体装置の一部を示しており、図
２に示したＴＡＢテープにおける領域５に対応する。
ついて図面を参照して説明する。図１（ａ）は、本発明
の一実施の形態について説明するためのもので、フィル
ムキャリアを用いた半導体装置の一部を示しており、図
２に示したＴＡＢテープにおける領域５に対応する。
【００２０】この実施の形態のＴＡＢテープ（フィルム
キャリア）は、例えばポリイミド樹脂からなる厚さ７５
〜１２５μｍの絶縁性フィルム上に接着剤をラミネート
し、Ｃｕなどの金属パターンからなる厚さ３５μｍのリ
ード１１、１２を形成したもので、基本的には図２と同
様である。そして、デバイスホール１内に突出する内側
のリード１１（第２のリード群）の先端部の幅を、他の
領域及び外側のリード１２（第１のリード群）の幅より
大きくしている。また、言い換えると、内側のリード１
１のボンディングパッドとの接合部近傍の面積を、外側
のリード１２のボンディングパッドとの接合部近傍の面
積より大きくしている。
キャリア）は、例えばポリイミド樹脂からなる厚さ７５
〜１２５μｍの絶縁性フィルム上に接着剤をラミネート
し、Ｃｕなどの金属パターンからなる厚さ３５μｍのリ
ード１１、１２を形成したもので、基本的には図２と同
様である。そして、デバイスホール１内に突出する内側
のリード１１（第２のリード群）の先端部の幅を、他の
領域及び外側のリード１２（第１のリード群）の幅より
大きくしている。また、言い換えると、内側のリード１
１のボンディングパッドとの接合部近傍の面積を、外側
のリード１２のボンディングパッドとの接合部近傍の面
積より大きくしている。
【００２１】上記内側のリード１１の形状は、金属パタ
ーンの形成時に内側のリード１１の先端部の幅Ｗ１が外
側のリード１２の先端部の幅Ｗ２の１．１〜２．０倍と
なるようにエッチングして形成する。この際、内側のリ
ード１１の接合部近傍以外の幅は、外側のリード１２の
幅Ｗ２と実質的に等しく、且つデザインルールで決定さ
れる最少の幅及び間隔にしている。
ーンの形成時に内側のリード１１の先端部の幅Ｗ１が外
側のリード１２の先端部の幅Ｗ２の１．１〜２．０倍と
なるようにエッチングして形成する。この際、内側のリ
ード１１の接合部近傍以外の幅は、外側のリード１２の
幅Ｗ２と実質的に等しく、且つデザインルールで決定さ
れる最少の幅及び間隔にしている。
【００２２】このような構成のＴＡＢテープでは、リー
ドとボンディングパッドとの位置ずれが発生しても接合
面積の減少による接合強度の低下を抑制でき、信頼性を
確保できる。また、強度が低下しやすい内側のリード１
１における各パッド１４との接合部近傍の幅を、外側の
リード１２における各パッド１３との接合部近傍の幅よ
り大きくしているのでリード強度を高くできる。更に、
外側のリード１２の幅及び内側のリード１１の各パッド
１４との接合部近傍以外の部分の幅を、製造プロセスで
決定される最小値にしているので、内側のリード１１に
おける各パッド１４との接合部近傍の面積を大きくして
もリード１１、１２間のピッチが大きくなることはな
い。上記リード１１、１２は、金属パターンの形成時の
マスクを変更すれば従来と同じ工程で形成できるので、
製造工程数を増加することなく、従来と同じ設備で容易
に生産可能である。
ドとボンディングパッドとの位置ずれが発生しても接合
面積の減少による接合強度の低下を抑制でき、信頼性を
確保できる。また、強度が低下しやすい内側のリード１
１における各パッド１４との接合部近傍の幅を、外側の
リード１２における各パッド１３との接合部近傍の幅よ
り大きくしているのでリード強度を高くできる。更に、
外側のリード１２の幅及び内側のリード１１の各パッド
１４との接合部近傍以外の部分の幅を、製造プロセスで
決定される最小値にしているので、内側のリード１１に
おける各パッド１４との接合部近傍の面積を大きくして
もリード１１、１２間のピッチが大きくなることはな
い。上記リード１１、１２は、金属パターンの形成時の
マスクを変更すれば従来と同じ工程で形成できるので、
製造工程数を増加することなく、従来と同じ設備で容易
に生産可能である。
【００２３】次に、上記ＴＡＢテープを用いた半導体装
置について説明する。まず、上記のような構成のフィル
ムキャリアにおけるデバイスホール１内に半導体チップ
７を配置した後、前記リード１１、１２の先端を前記パ
ッド１３、１４に位置合わせして加熱押圧することによ
り、リード１１、１２とパッド１３、１４とをバンプを
介して接合する。この際、リード１１は半導体チップ７
上の外側に配置されたパッド１３に接合し、リード１２
は前記半導体チップ７上の内側に配置されたパッド１４
に接合する。その後、この半導体チップ７とリード２、
３のインナーリード部を周知の方法で樹脂封止し、フィ
ルムキャリアを切断して個々の半導体装置に分離する。
置について説明する。まず、上記のような構成のフィル
ムキャリアにおけるデバイスホール１内に半導体チップ
７を配置した後、前記リード１１、１２の先端を前記パ
ッド１３、１４に位置合わせして加熱押圧することによ
り、リード１１、１２とパッド１３、１４とをバンプを
介して接合する。この際、リード１１は半導体チップ７
上の外側に配置されたパッド１３に接合し、リード１２
は前記半導体チップ７上の内側に配置されたパッド１４
に接合する。その後、この半導体チップ７とリード２、
３のインナーリード部を周知の方法で樹脂封止し、フィ
ルムキャリアを切断して個々の半導体装置に分離する。
【００２４】上述した構成の半導体装置では、ずれ量が
多くなる可能性の高い内側のリード１１の接合部近傍の
リード幅を大きく（面積を大きく）したので、リード１
１の強度を高めて曲がり難くするとともに接合面積を広
くできる。図１（ｂ）は、ＩＬＢ時にリードがずれた時
の、リードとボンディングパッドの接合の様子を示して
いる。図示する如くリード１１ａ、１１ｂが曲がった場
合でもリード１１ａ、１１ｂの先端部の幅が大きいため
十分な接合面積が得られている。よって、位置ずれによ
る接合不良を防止でき、半導体装置の信頼性を向上でき
る。この際、外側のリード１２の幅及び内側のリード１
１の接合部近傍以外の幅はデザインルールで決定される
最少の幅にしたので、接合部近傍の面積を大きくしても
パッドピッチの縮小化を制限することはない。
多くなる可能性の高い内側のリード１１の接合部近傍の
リード幅を大きく（面積を大きく）したので、リード１
１の強度を高めて曲がり難くするとともに接合面積を広
くできる。図１（ｂ）は、ＩＬＢ時にリードがずれた時
の、リードとボンディングパッドの接合の様子を示して
いる。図示する如くリード１１ａ、１１ｂが曲がった場
合でもリード１１ａ、１１ｂの先端部の幅が大きいため
十分な接合面積が得られている。よって、位置ずれによ
る接合不良を防止でき、半導体装置の信頼性を向上でき
る。この際、外側のリード１２の幅及び内側のリード１
１の接合部近傍以外の幅はデザインルールで決定される
最少の幅にしたので、接合部近傍の面積を大きくしても
パッドピッチの縮小化を制限することはない。
【００２５】なお、上記実施の形態では、デバイスホー
ル１内に突出した内側のリード１１の先端部の形状が長
円状の場合を例にとって説明したが、本発明はこの形状
に限定されるものではない。例えば円形状や楕円状でも
よい。また、形状の歪み、誤差の範囲の凸部凹部があっ
ても実施の形態の効果に変わりはない。更に、ＴＡＢテ
ープの基本的な構造は上記実施の形態の構造に限らず、
リード先端が千鳥状に配置されるＴＡＢテープならば同
様に適用可能でり、絶縁性フィルムの材質と厚さ、及び
リードの材質と厚さも上述した例に限られるものではな
いのは勿論である。
ル１内に突出した内側のリード１１の先端部の形状が長
円状の場合を例にとって説明したが、本発明はこの形状
に限定されるものではない。例えば円形状や楕円状でも
よい。また、形状の歪み、誤差の範囲の凸部凹部があっ
ても実施の形態の効果に変わりはない。更に、ＴＡＢテ
ープの基本的な構造は上記実施の形態の構造に限らず、
リード先端が千鳥状に配置されるＴＡＢテープならば同
様に適用可能でり、絶縁性フィルムの材質と厚さ、及び
リードの材質と厚さも上述した例に限られるものではな
いのは勿論である。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、内側のリードにおいて十分なリード強度と信頼性を
確保できるＴＡＢテープを提供できる。また、リードと
ボンディングパッドとの接合強度が低下するのを防止で
き、信頼性を確保できる半導体装置を提供できる。
ば、内側のリードにおいて十分なリード強度と信頼性を
確保できるＴＡＢテープを提供できる。また、リードと
ボンディングパッドとの接合強度が低下するのを防止で
き、信頼性を確保できる半導体装置を提供できる。
【図１】本発明の一実施の形態に係るＴＡＢテープ及び
このＴＡＢテープを用いた半導体装置について説明する
ための図。
このＴＡＢテープを用いた半導体装置について説明する
ための図。
【図２】従来及び本発明のＴＡＢテープを示す概略図。
【図３】図２の一部を拡大して示すもので、従来のＴＡ
Ｂテープ及びこのＴＡＢテープを用いた半導体装置につ
いて説明するための図。
Ｂテープ及びこのＴＡＢテープを用いた半導体装置につ
いて説明するための図。
７…半導体チップ、１１…内側のリード（第２のリード
群）、１２…外側のリード（第１のリード群）、１３…
内側のボンディングパッド、１４…外側のボンディング
パッド。
群）、１２…外側のリード（第１のリード群）、１３…
内側のボンディングパッド、１４…外側のボンディング
パッド。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 細美 英一 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 蛭田 陽一 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 柴崎 康司 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地１ 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】絶縁性フィルムと、この絶縁性フィルム上
に形成され、半導体チップ上に千鳥状に配置されたパッ
ドに対応する位置に各々の先端部が配置されるリードと
を備え、 前記リードは、前記半導体チップ上の外側に配置された
パッドに接合される第１のリード群と、これら第１のリ
ード群の各々のリードと交互に配列され、前記半導体チ
ップ上の内側に配置されたパッドに接合される第２のリ
ード群とから成り、 前記第２のリード群における各パッドとの接合部近傍の
面積はそれぞれ、前記第１のリード群における各パッド
との接合部近傍の面積より大きいことを特徴とするＴＡ
Ｂテープ。 - 【請求項２】前記第２のリード群における各パッドとの
接合部近傍の幅は、前記第１のリード群における各パッ
ドとの接合部近傍の幅より大きく、且つ他の部分の幅は
前記第１のリード群と等しいことを特徴とする請求項１
記載のＴＡＢテ−プ。 - 【請求項３】前記第１のリード群の幅及び前記第２のリ
ード群の各パッドとの接合部近傍以外の部分の幅は、製
造プロセスで決定される最小値であることを特徴とする
請求項１または請求項２記載のＴＡＢテ−プ。 - 【請求項４】千鳥状に配置されたパッドを有する半導体
チップと、この半導体チップが実装されるフィルムキャ
リアとを備え、 前記フィルムキャリアは、絶縁性フィルムと、この絶縁
性フィルム上に形成され、前記半導体チップ上の外側に
配置されたパッドに接合される第１のリード群と、前記
絶縁性フィルム上に前記第１のリード群の各々のリード
と交互に形成され、前記半導体チップ上の内側に配置さ
れたパッドに接合される第２のリード群とから成り、 前記第２のリード群における各パッドとの接合部近傍の
面積はそれぞれ、前記第１のリード群における各パッド
との接合部近傍の面積より大きいことを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項５】前記第２のリード群における各パッドとの
接合部近傍の幅は、前記第１のリード群における各パッ
ドとの接合部近傍の幅より大きく、且つ他の部分の幅は
前記第１のリード群と等しいことを特徴とする請求項４
記載の半導体装置。 - 【請求項６】前記第１のリード群の幅及び前記第２のリ
ード群の各パッドとの接合部近傍以外の部分の幅は、製
造プロセスで決定される最小値であることを特徴とする
請求項４または請求項５記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20443295A JP3297262B2 (ja) | 1995-08-10 | 1995-08-10 | Ｔａｂテープ及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20443295A JP3297262B2 (ja) | 1995-08-10 | 1995-08-10 | Ｔａｂテープ及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0955404A true JPH0955404A (ja) | 1997-02-25 |
| JP3297262B2 JP3297262B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
ID=16490448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20443295A Expired - Fee Related JP3297262B2 (ja) | 1995-08-10 | 1995-08-10 | Ｔａｂテープ及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3297262B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7183660B2 (en) | 2003-10-04 | 2007-02-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Tape circuit substrate and semicondutor chip package using the same |
| US8106309B2 (en) | 2007-12-11 | 2012-01-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flexible printed circuit, display device including the same, and manufacturing method thereof |
| JP2013239652A (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Sharp Corp | 半導体装置 |
| JP2014027126A (ja) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
-
1995
- 1995-08-10 JP JP20443295A patent/JP3297262B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7183660B2 (en) | 2003-10-04 | 2007-02-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Tape circuit substrate and semicondutor chip package using the same |
| US8106309B2 (en) | 2007-12-11 | 2012-01-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flexible printed circuit, display device including the same, and manufacturing method thereof |
| JP2013239652A (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Sharp Corp | 半導体装置 |
| JP2014027126A (ja) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3297262B2 (ja) | 2002-07-02 |
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