JPH0948697A - リチウムトリボレート単結晶の製造方法 - Google Patents
リチウムトリボレート単結晶の製造方法Info
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- JPH0948697A JPH0948697A JP19518895A JP19518895A JPH0948697A JP H0948697 A JPH0948697 A JP H0948697A JP 19518895 A JP19518895 A JP 19518895A JP 19518895 A JP19518895 A JP 19518895A JP H0948697 A JPH0948697 A JP H0948697A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 欠陥のない良質なリチウムトリボレート(L
iB3 O5 )単結晶を安価に製造する。 【解決手段】 育成炉としてシングルゾーンの育成炉1
を使用し、該育成炉1内で融剤を含む融液14に種結晶
16を接触させ、種結晶16を融液14から引き上げる
ことにより種結晶16上にリチウムトリボレート(Li
B3 O5 )単結晶を析出、育成する際の育成方位をa軸
或いはb軸とする。
iB3 O5 )単結晶を安価に製造する。 【解決手段】 育成炉としてシングルゾーンの育成炉1
を使用し、該育成炉1内で融剤を含む融液14に種結晶
16を接触させ、種結晶16を融液14から引き上げる
ことにより種結晶16上にリチウムトリボレート(Li
B3 O5 )単結晶を析出、育成する際の育成方位をa軸
或いはb軸とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、リチウムトリボレ
ート単結晶の製造方法に関するものである。詳しくは、
上記リチウムトリボレート単結晶を製造するにあたって
その育成炉をシングルゾーンの育成炉とし、その育成方
位を規定することにより、良質なリチウムトリボレート
単結晶を安価に製造することを可能とするリチウムトリ
ボレート単結晶の製造方法に係るものである。
ート単結晶の製造方法に関するものである。詳しくは、
上記リチウムトリボレート単結晶を製造するにあたって
その育成炉をシングルゾーンの育成炉とし、その育成方
位を規定することにより、良質なリチウムトリボレート
単結晶を安価に製造することを可能とするリチウムトリ
ボレート単結晶の製造方法に係るものである。
【0002】
【従来の技術】リチウムトリボレート(LiB3 O5 )
単結晶(以下、LBO単結晶と称する。)は、幅広い透
過領域とレーザ光に対して高い破壊閾値を有し、かつ化
学的に安定した優れた非線形光学材料である。
単結晶(以下、LBO単結晶と称する。)は、幅広い透
過領域とレーザ光に対して高い破壊閾値を有し、かつ化
学的に安定した優れた非線形光学材料である。
【0003】上記LBO単結晶は、該LBO単結晶が分
解溶融化合物であることから、TSSG(Top Se
eeded Solution growth)法によ
り製造される。上記TSSG法とは、原料をフラックス
(融剤)に溶解させ、過飽和状態を作って種結晶だけに
結晶成長させるもので、フラックス法の一種である。こ
のTSSG法は、結晶の大型化が期待でき、種結晶の方
位を選ぶことで育成結晶の成長方位を制御できるという
特徴を有する。
解溶融化合物であることから、TSSG(Top Se
eeded Solution growth)法によ
り製造される。上記TSSG法とは、原料をフラックス
(融剤)に溶解させ、過飽和状態を作って種結晶だけに
結晶成長させるもので、フラックス法の一種である。こ
のTSSG法は、結晶の大型化が期待でき、種結晶の方
位を選ぶことで育成結晶の成長方位を制御できるという
特徴を有する。
【0004】なお、上記のようなTSSG法により単結
晶を製造する際には、加熱手段を有する育成炉内に、原
料を融剤に溶解させた融液を入れた例えば白金坩堝を配
し、上記坩堝内の融液に種結晶を浸し、その後引き上げ
ることが可能なように種結晶を配し、育成炉内を加熱手
段により加熱して融液の溶融温度以上とし、この融液中
に種結晶を浸した後引き上げ、徐冷して種結晶上に単結
晶を晶出、育成する。
晶を製造する際には、加熱手段を有する育成炉内に、原
料を融剤に溶解させた融液を入れた例えば白金坩堝を配
し、上記坩堝内の融液に種結晶を浸し、その後引き上げ
ることが可能なように種結晶を配し、育成炉内を加熱手
段により加熱して融液の溶融温度以上とし、この融液中
に種結晶を浸した後引き上げ、徐冷して種結晶上に単結
晶を晶出、育成する。
【0005】ところで、上記のようなLBO単結晶は、
例えばLin Wei et alJ.Phys.D:
Apply.Phys.23.(1990)1073−
1075に示されるように、方位により熱膨張係数が異
なり、a軸,b軸においては正の熱膨張係数を示し、c
軸においては負の熱膨張係数を示すことが知られてい
る。
例えばLin Wei et alJ.Phys.D:
Apply.Phys.23.(1990)1073−
1075に示されるように、方位により熱膨張係数が異
なり、a軸,b軸においては正の熱膨張係数を示し、c
軸においては負の熱膨張係数を示すことが知られてい
る。
【0006】また、上記のような単結晶の熱膨張係数は
この単結晶を育成する際の欠陥(クラック)の発生に大
きな影響を及ぼすと考えられており、同一結晶に正及び
負の熱膨張係数を有する場合、欠陥が生じ易いとされて
いる。
この単結晶を育成する際の欠陥(クラック)の発生に大
きな影響を及ぼすと考えられており、同一結晶に正及び
負の熱膨張係数を有する場合、欠陥が生じ易いとされて
いる。
【0007】従って、欠陥のない良質なLBO単結晶を
製造する場合には、育成炉内の温度分布、融液内の温度
分布を育成軸方向と育成軸に対する垂直方向において制
御する必要があるとされている。
製造する場合には、育成炉内の温度分布、融液内の温度
分布を育成軸方向と育成軸に対する垂直方向において制
御する必要があるとされている。
【0008】そこで、これまで、LBO単結晶を製造す
る場合には、例えばStevenA.Markgraf
J of Cryatal Growth 140
(1994)343−348に示されるように、育成炉
として例えば5ゾーンに分かれ、各ゾーン毎に加熱手段
を有し、各ゾーン毎に温度制御が可能とされている、い
わゆるマルチゾーンの育成炉を使用し、各ゾーンの温度
をきめ細かに制御し、育成炉内及び融液内の育成軸方向
と育成軸に対する垂直方向における温度分布を制御する
ようにしている。
る場合には、例えばStevenA.Markgraf
J of Cryatal Growth 140
(1994)343−348に示されるように、育成炉
として例えば5ゾーンに分かれ、各ゾーン毎に加熱手段
を有し、各ゾーン毎に温度制御が可能とされている、い
わゆるマルチゾーンの育成炉を使用し、各ゾーンの温度
をきめ細かに制御し、育成炉内及び融液内の育成軸方向
と育成軸に対する垂直方向における温度分布を制御する
ようにしている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなマルチゾーンの育成炉においては、各ゾーンの加
熱手段間での熱の干渉が発生し、温度コントロールが困
難であるため、その各ゾーンの加熱手段の制御をコンピ
ュータ等を使用して行っており、製造コストの上昇の要
因となっている。
ようなマルチゾーンの育成炉においては、各ゾーンの加
熱手段間での熱の干渉が発生し、温度コントロールが困
難であるため、その各ゾーンの加熱手段の制御をコンピ
ュータ等を使用して行っており、製造コストの上昇の要
因となっている。
【0010】そこで本発明は、欠陥のない良質なLBO
単結晶を安価に製造できるLBO単結晶の製造方法を提
供することを目的とする。
単結晶を安価に製造できるLBO単結晶の製造方法を提
供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明者等は鋭意検討した結果、上述のように、L
BO単結晶が、a軸,b軸においては正の熱膨張係数を
示し、c軸においては負の熱膨張係数を示すことに着目
し、LBO単結晶の育成軸方向をc軸を含まないような
方向とすれば、育成される単結晶にへき開が発生し難い
ことを見い出した。
めに本発明者等は鋭意検討した結果、上述のように、L
BO単結晶が、a軸,b軸においては正の熱膨張係数を
示し、c軸においては負の熱膨張係数を示すことに着目
し、LBO単結晶の育成軸方向をc軸を含まないような
方向とすれば、育成される単結晶にへき開が発生し難い
ことを見い出した。
【0012】また、育成炉として、シングルゾーンの育
成炉を使用するようにすれば、加熱手段間の熱干渉等が
発生しないことから、その制御が容易となり、製造コス
トが安価となることも見い出した。
成炉を使用するようにすれば、加熱手段間の熱干渉等が
発生しないことから、その制御が容易となり、製造コス
トが安価となることも見い出した。
【0013】すなわち本発明は、育成炉としてシングル
ゾーンの育成炉を使用し、該育成炉内で融剤を含む融液
に種結晶を接触させ、種結晶を融液から引き上げること
により種結晶上にリチウムトリボレート(LiB3 O
5 )単結晶を晶出、育成する際の育成方位をa軸或いは
b軸とすることを特徴とするものである。
ゾーンの育成炉を使用し、該育成炉内で融剤を含む融液
に種結晶を接触させ、種結晶を融液から引き上げること
により種結晶上にリチウムトリボレート(LiB3 O
5 )単結晶を晶出、育成する際の育成方位をa軸或いは
b軸とすることを特徴とするものである。
【0014】本発明においては、育成炉としてシングル
ゾーンの育成炉を使用することから、その制御が容易と
なり、育成方位をa軸或いはb軸とし、育成軸方向をc
軸を含まないものとしていることから欠陥のないリチウ
ムトリボレート(LiB3 O 5 )単結晶が製造される。
ゾーンの育成炉を使用することから、その制御が容易と
なり、育成方位をa軸或いはb軸とし、育成軸方向をc
軸を含まないものとしていることから欠陥のないリチウ
ムトリボレート(LiB3 O 5 )単結晶が製造される。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態について図面を参照しながら詳細に説明する。
態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【0016】本発明のLBO単結晶の製造方法は、前述
のように、育成炉としてシングルゾーンの育成炉を使用
し、該育成炉内で融剤を含む融液に種結晶を接触させ、
種結晶を融液から引き上げることにより種結晶上にLB
O単結晶を晶出、育成する際の育成方位をa軸或いはb
軸とするものである。
のように、育成炉としてシングルゾーンの育成炉を使用
し、該育成炉内で融剤を含む融液に種結晶を接触させ、
種結晶を融液から引き上げることにより種結晶上にLB
O単結晶を晶出、育成する際の育成方位をa軸或いはb
軸とするものである。
【0017】上記のようなシングルゾーンの育成炉とし
ては、図1に示されるようなものが挙げられる。すなわ
ち、上記育成炉1は、略円柱状の本体2の内部に略円柱
状の炉室3が上面2aが開口部となるように形成され、
上記炉室3には一本の電熱線4が内壁面に沿うように螺
旋状に巻装されて加熱手段とされているものである。な
お、上記本体2の上面2aには中央に孔部12aを有
し、例えばアルミナ等よりなる開閉可能な第1の蓋部1
2が載置され、炉室3をほぼ閉じた系とすることが可能
となされている。また、本体2は上面2aと対向する底
面2b側に配される脚部13により支持されている。
ては、図1に示されるようなものが挙げられる。すなわ
ち、上記育成炉1は、略円柱状の本体2の内部に略円柱
状の炉室3が上面2aが開口部となるように形成され、
上記炉室3には一本の電熱線4が内壁面に沿うように螺
旋状に巻装されて加熱手段とされているものである。な
お、上記本体2の上面2aには中央に孔部12aを有
し、例えばアルミナ等よりなる開閉可能な第1の蓋部1
2が載置され、炉室3をほぼ閉じた系とすることが可能
となされている。また、本体2は上面2aと対向する底
面2b側に配される脚部13により支持されている。
【0018】そして、上記炉室3内の底面には支持板5
が配され、その上に例えばアルミナ等よりなる断面円形
の第1の箱体6が配され、上記第1の箱体6の内部に、
例えばアルミナ等よりなり、第1の箱体6よりも小径の
断面円形の第2の箱体7が配されている。
が配され、その上に例えばアルミナ等よりなる断面円形
の第1の箱体6が配され、上記第1の箱体6の内部に、
例えばアルミナ等よりなり、第1の箱体6よりも小径の
断面円形の第2の箱体7が配されている。
【0019】また、上記第1の箱体6の開口6a側には
円筒状の保護材8が配され、第2の箱体7の開口7a側
にも円筒状の保護材9が配され、上記保護材9の開口9
a側に中央に孔部10aを有し、例えばアルミナ等より
なり、開閉可能な第2の蓋部10が載置されて、第2の
箱体7と保護材9により囲まれて形成される空間をほぼ
閉じた系とすることが可能となされている。
円筒状の保護材8が配され、第2の箱体7の開口7a側
にも円筒状の保護材9が配され、上記保護材9の開口9
a側に中央に孔部10aを有し、例えばアルミナ等より
なり、開閉可能な第2の蓋部10が載置されて、第2の
箱体7と保護材9により囲まれて形成される空間をほぼ
閉じた系とすることが可能となされている。
【0020】さらに、上記第1の箱体6と第2の箱体7
の間及び第2の箱体7の内部には例えばアルミナ等より
なる球体11が充填されている。
の間及び第2の箱体7の内部には例えばアルミナ等より
なる球体11が充填されている。
【0021】従って、上記育成炉1の電熱線4に通電
し、該電熱線4を発熱させれば、その熱により炉室3内
が加熱され、第1の箱体6から球体11を介して第2の
箱体7に伝達され、第2の箱体7内部の球体11にも伝
達される。なお、上記のような構成であれば、電熱線4
のみの制御を行えば良く、制御が容易となり、製造コス
トを安価とすることが可能である。
し、該電熱線4を発熱させれば、その熱により炉室3内
が加熱され、第1の箱体6から球体11を介して第2の
箱体7に伝達され、第2の箱体7内部の球体11にも伝
達される。なお、上記のような構成であれば、電熱線4
のみの制御を行えば良く、制御が容易となり、製造コス
トを安価とすることが可能である。
【0022】そして、本発明のLBO単結晶の製造方法
においては、先ず、上記育成炉1の第2の箱体7内部
に、原料を融剤に溶かした融液14を充填した例えば白
金等よりなる坩堝15を球体11に支持させるようにし
て配する。
においては、先ず、上記育成炉1の第2の箱体7内部
に、原料を融剤に溶かした融液14を充填した例えば白
金等よりなる坩堝15を球体11に支持させるようにし
て配する。
【0023】次に、育成炉1の電熱線4に通電し、第2
の箱体7内部を融液14の溶融温度以上の温度とし、融
液14を攪拌しながら所定の時間溶融させて安定させて
おく。
の箱体7内部を融液14の溶融温度以上の温度とし、融
液14を攪拌しながら所定の時間溶融させて安定させて
おく。
【0024】次に、第2の箱体7内部を融液14の溶融
温度近傍の所定の育成温度まで降温させる。
温度近傍の所定の育成温度まで降温させる。
【0025】そして、先端17aに種結晶16を保持さ
せた支持棒17を外部から第1及び第2の蓋部12,1
0の孔部12a,10aを介して挿入し、種結晶16が
第2の箱体7内部に配される坩堝15の融液14の液面
近傍に位置するようにする。
せた支持棒17を外部から第1及び第2の蓋部12,1
0の孔部12a,10aを介して挿入し、種結晶16が
第2の箱体7内部に配される坩堝15の融液14の液面
近傍に位置するようにする。
【0026】このとき、本発明のLBO単結晶の製造方
法においては、上記種結晶14としてa軸或いはb軸方
位の種結晶を使用し、育成方位をa軸或いはb軸とす
る。
法においては、上記種結晶14としてa軸或いはb軸方
位の種結晶を使用し、育成方位をa軸或いはb軸とす
る。
【0027】この状態で温度分布が安定するまで放置
し、種結晶16を融液14中に浸し、支持棒17を図中
矢印Mで示すように回転させながら図中上方に引き上
げ、種結晶16を融液14中から引き上げ、徐冷して種
結晶16上に単結晶を晶出、育成する。
し、種結晶16を融液14中に浸し、支持棒17を図中
矢印Mで示すように回転させながら図中上方に引き上
げ、種結晶16を融液14中から引き上げ、徐冷して種
結晶16上に単結晶を晶出、育成する。
【0028】本発明のLBO単結晶の製造方法において
は、上記のようなシングルゾーンの育成炉を使用してい
ることから、その制御が容易であり、製造コストを安価
とすることが可能である。
は、上記のようなシングルゾーンの育成炉を使用してい
ることから、その制御が容易であり、製造コストを安価
とすることが可能である。
【0029】本発明のLBO単結晶の製造方法において
は、その育成方位をa軸或いはb軸としており、その育
成軸方向をc軸を含まないような方向としていることか
ら、欠陥のないLBO単結晶が製造される。
は、その育成方位をa軸或いはb軸としており、その育
成軸方向をc軸を含まないような方向としていることか
ら、欠陥のないLBO単結晶が製造される。
【0030】
【実施例】以下、本発明のLBO単結晶の製造方法に従
ってLBO単結晶を製造した実験例について述べる。
ってLBO単結晶を製造した実験例について述べる。
【0031】実験例1 〈融液の作製〉先ず、原料として純度4Nの酸化ホウ素
(B2 O3 )と炭酸リチウム(Li2CO3 )を用意
し、これらを酸化ホウ素が90重量%、炭酸リチウム1
0重量%となるように混合し、混合粉とした。なお、上
記混合粉としては、その組成が酸化ホウ素が90〜94
重量%、残りが炭酸リチウムであるものであれば使用可
能である。
(B2 O3 )と炭酸リチウム(Li2CO3 )を用意
し、これらを酸化ホウ素が90重量%、炭酸リチウム1
0重量%となるように混合し、混合粉とした。なお、上
記混合粉としては、その組成が酸化ホウ素が90〜94
重量%、残りが炭酸リチウムであるものであれば使用可
能である。
【0032】次に、上記混合粉を加熱した。上記混合粉
は500℃を越える位からかなり膨張するため、直径7
0mで深さが120mmの比較的大きな白金坩堝内で加
熱し溶融させるようにし、これを50ccの比較的小さ
な白金坩堝に融液として充填した。
は500℃を越える位からかなり膨張するため、直径7
0mで深さが120mmの比較的大きな白金坩堝内で加
熱し溶融させるようにし、これを50ccの比較的小さ
な白金坩堝に融液として充填した。
【0033】〈単結晶の製造〉次に、上記融液の充填さ
れた白金坩堝を上述の構成の育成炉1内に坩堝15とし
て配した。なお、本実験例においては、育成炉1の炉室
3内に流速1000cc/分で空気を流し、空気中で育
成を行うものとする。また、育成炉1の電熱線4として
直径5mmのカンタル線を使用し、これを10mmピッ
チで17ターン螺旋状に巻装することとした。このよう
な育成炉1の融液14付近の温度分布の一例を図2に示
す。図2中横軸は融液の深さを示しており、横軸中零は
融液の液面を示しており、負の数値は融液中の深さを示
し、正の数値は融液の液面よりも上、すなわち雰囲気中
の温度を示す。また、図2中縦軸は温度を示す。
れた白金坩堝を上述の構成の育成炉1内に坩堝15とし
て配した。なお、本実験例においては、育成炉1の炉室
3内に流速1000cc/分で空気を流し、空気中で育
成を行うものとする。また、育成炉1の電熱線4として
直径5mmのカンタル線を使用し、これを10mmピッ
チで17ターン螺旋状に巻装することとした。このよう
な育成炉1の融液14付近の温度分布の一例を図2に示
す。図2中横軸は融液の深さを示しており、横軸中零は
融液の液面を示しており、負の数値は融液中の深さを示
し、正の数値は融液の液面よりも上、すなわち雰囲気中
の温度を示す。また、図2中縦軸は温度を示す。
【0034】そして、電熱線4に通電して育成炉1の第
2の箱体7内部の温度を900〜100℃とし、坩堝1
5内の融液14を攪拌しながら24時間以上加熱した。
2の箱体7内部の温度を900〜100℃とし、坩堝1
5内の融液14を攪拌しながら24時間以上加熱した。
【0035】次に、坩堝15内の融液14を育成開始温
度(830℃)まで降温させ、種結晶としてa軸のLB
O単結晶を使用し、上述の方法により単結晶の製造を行
った。
度(830℃)まで降温させ、種結晶としてa軸のLB
O単結晶を使用し、上述の方法により単結晶の製造を行
った。
【0036】なお、このとき、単結晶の育成温度を82
8〜830℃とし、種結晶の回転数を10〜20rpm
とし、種結晶引き上げ速度を0.01〜0.02mm/
時とし、冷却速度を0.06〜0.1℃/時とし、結果
的に2〜3℃冷却されて単結晶が晶出、育成されるよう
にした。
8〜830℃とし、種結晶の回転数を10〜20rpm
とし、種結晶引き上げ速度を0.01〜0.02mm/
時とし、冷却速度を0.06〜0.1℃/時とし、結果
的に2〜3℃冷却されて単結晶が晶出、育成されるよう
にした。
【0037】このようにして製造されたLBO単結晶の
方位出しを行ったところ、a軸の方位を示した。そし
て、この単結晶は欠陥がなく、良質であることが確認さ
れた。
方位出しを行ったところ、a軸の方位を示した。そし
て、この単結晶は欠陥がなく、良質であることが確認さ
れた。
【0038】単結晶の方位出しは、背面反射ラウエ法に
よりラウエカメラを用いてラウエパターンから行った。
X線の線源はタングステン管球を用いた。そして、JC
PDS(Joint Committee on Po
wder Diffraction Standar
d)カードで調べた格子定数(a=8.46A、b=
5.133A、c=7.386A)から計算したラウエ
パターンとラウエカメラによって写したラウエパターン
の一致から軸方位を決定した。
よりラウエカメラを用いてラウエパターンから行った。
X線の線源はタングステン管球を用いた。そして、JC
PDS(Joint Committee on Po
wder Diffraction Standar
d)カードで調べた格子定数(a=8.46A、b=
5.133A、c=7.386A)から計算したラウエ
パターンとラウエカメラによって写したラウエパターン
の一致から軸方位を決定した。
【0039】次に、育成炉1の炉室2内に流速1000
cc/分で窒素を流し、雰囲気ガスを窒素として、上記
方法と同様にしてLBO単結晶の製造を行ったところ、
やはり、欠陥のないa軸のLBO単結晶が得られた。
cc/分で窒素を流し、雰囲気ガスを窒素として、上記
方法と同様にしてLBO単結晶の製造を行ったところ、
やはり、欠陥のないa軸のLBO単結晶が得られた。
【0040】実験例2 次に、種結晶としてb軸のLBO単結晶を使用して実験
例1と同様にLBO単結晶を製造したところ、雰囲気ガ
スとして空気或いは窒素を使用した場合の何れにおいて
も、欠陥のないb軸のLBO単結晶が得られた。
例1と同様にLBO単結晶を製造したところ、雰囲気ガ
スとして空気或いは窒素を使用した場合の何れにおいて
も、欠陥のないb軸のLBO単結晶が得られた。
【0041】実験例3 次に、比較のために種結晶としてc軸のLBO単結晶を
使用して実験例1と同様にLBO単結晶を製造したとこ
ろ、雰囲気ガスとして空気或いは窒素を使用した場合の
何れにおいても、冷却時に(311)に弱いへき開が現
れ、良質な単結晶を得ることはできなかった。
使用して実験例1と同様にLBO単結晶を製造したとこ
ろ、雰囲気ガスとして空気或いは窒素を使用した場合の
何れにおいても、冷却時に(311)に弱いへき開が現
れ、良質な単結晶を得ることはできなかった。
【0042】すなわち、これらの結果から、育成炉とし
てシングルゾーンの育成炉を使用し、育成方位をa軸或
いはb軸とすれば、欠陥のない良質なリチウムトリボレ
ート(LiB3 O5 )単結晶が製造されることが確認さ
れた。
てシングルゾーンの育成炉を使用し、育成方位をa軸或
いはb軸とすれば、欠陥のない良質なリチウムトリボレ
ート(LiB3 O5 )単結晶が製造されることが確認さ
れた。
【0043】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、育成炉としてシングルゾーンの育成炉を
使用することから、その制御が容易となり、製造コスト
を安価とすることが可能であり、育成方位をa軸或いは
b軸とし、育成軸方向をc軸を含まないものとしている
ことから欠陥のない良質なリチウムトリボレート(Li
B3 O5 )単結晶が製造される。
明においては、育成炉としてシングルゾーンの育成炉を
使用することから、その制御が容易となり、製造コスト
を安価とすることが可能であり、育成方位をa軸或いは
b軸とし、育成軸方向をc軸を含まないものとしている
ことから欠陥のない良質なリチウムトリボレート(Li
B3 O5 )単結晶が製造される。
【図1】シングルゾーンの育成炉の一例を模式的に示す
要部概略断面図である。
要部概略断面図である。
【図2】融液の深さと温度の関係を示す特性図である。
1 育成炉 2 本体 3 炉室 4 電熱線 14 融液 15 坩堝 16 種結晶 17 支持棒
Claims (1)
- 【請求項1】 育成炉内で融剤を含む融液に種結晶を接
触せしめ、種結晶を融液から引き上げることにより種結
晶上にリチウムトリボレート単結晶を晶出、育成するリ
チウムトリボレート単結晶の製造方法において、 育成炉がシングルゾーンの育成炉であり、育成方位をa
軸或いはb軸とすることを特徴とするリチウムトリボレ
ート単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19518895A JPH0948697A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | リチウムトリボレート単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19518895A JPH0948697A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | リチウムトリボレート単結晶の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0948697A true JPH0948697A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=16336923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP19518895A Withdrawn JPH0948697A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | リチウムトリボレート単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0948697A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009004791A1 (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Hitachi Metals, Ltd. | 単結晶シンチレータ材料およびその製造方法 |
WO2010035500A1 (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-01 | 日立金属株式会社 | 単結晶シンチレータ材料およびその製造方法、放射線検出器、並びにpet装置 |
CN108774748A (zh) * | 2018-07-06 | 2018-11-09 | 福建福晶科技股份有限公司 | 一种生长大尺寸高质量lbo晶体的特殊工艺方法 |
-
1995
- 1995-07-31 JP JP19518895A patent/JPH0948697A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009004791A1 (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Hitachi Metals, Ltd. | 単結晶シンチレータ材料およびその製造方法 |
US8013306B2 (en) | 2007-07-03 | 2011-09-06 | Hitachi Metals, Ltd. | Single crystal scintillator material and method for producing the same |
JP5293602B2 (ja) * | 2007-07-03 | 2013-09-18 | 日立金属株式会社 | 単結晶シンチレータ材料およびその製造方法 |
WO2010035500A1 (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-01 | 日立金属株式会社 | 単結晶シンチレータ材料およびその製造方法、放射線検出器、並びにpet装置 |
US8455833B2 (en) | 2008-09-29 | 2013-06-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Single crystal scintillator material, method for producing same, radiation detector and PET system |
JP5454477B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2014-03-26 | 日立金属株式会社 | 単結晶シンチレータ材料およびその製造方法、放射線検出器、並びにpet装置 |
CN108774748A (zh) * | 2018-07-06 | 2018-11-09 | 福建福晶科技股份有限公司 | 一种生长大尺寸高质量lbo晶体的特殊工艺方法 |
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