JPS62176993A - マンガン亜鉛フエライト単結晶の育成方法 - Google Patents
マンガン亜鉛フエライト単結晶の育成方法Info
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- JPS62176993A JPS62176993A JP1629686A JP1629686A JPS62176993A JP S62176993 A JPS62176993 A JP S62176993A JP 1629686 A JP1629686 A JP 1629686A JP 1629686 A JP1629686 A JP 1629686A JP S62176993 A JPS62176993 A JP S62176993A
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 229910001289 Manganese-zinc ferrite Inorganic materials 0.000 title claims description 40
- JIYIUPFAJUGHNL-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[Mn++].[Mn++].[Mn++].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Zn++].[Zn++] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[Mn++].[Mn++].[Mn++].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Zn++].[Zn++] JIYIUPFAJUGHNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 47
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 abstract description 8
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、結晶の育成方法に関する。特にいわゆるブリ
ッジマン法によるマンガン亜鉛フエライ１〜単結晶の育
成方法に関する。
ッジマン法によるマンガン亜鉛フエライ１〜単結晶の育
成方法に関する。
［従来の技術とその問題点］
マンガン亜鉛フェライト単結晶は情報処理用磁気記録機
器、オーディオ機器、ビデオ機器などにおいて、磁気記
録媒体からの信号の読み出しヘッド材料として用いられ
ており、通常は先端のとがった長い型に素材を入れ、そ
れを垂直炉中で溶かしたのち徐々に降下し、先端部分か
ら強制的に冷却、凝固させ、型通りの結晶を育成する、
いわゆるブリッジマン法によって製造されている。
器、オーディオ機器、ビデオ機器などにおいて、磁気記
録媒体からの信号の読み出しヘッド材料として用いられ
ており、通常は先端のとがった長い型に素材を入れ、そ
れを垂直炉中で溶かしたのち徐々に降下し、先端部分か
ら強制的に冷却、凝固させ、型通りの結晶を育成する、
いわゆるブリッジマン法によって製造されている。
従来よりこの型としては白金坩堝が用いられてきたが、
白金は必ずしも溶融されたマンガン亜鉛フェライトに対
して安定ではなく雰囲気中に酸素が存在するとわずかな
がら溶融マンガン亜鉛フェライトと反応しその中に溶は
込む。溶融マンガン亜鉛フェライトに溶は込んだ白金含
有物質は、原料の追加のために坩堝上方から供給された
マンガン亜鉛フエライ１〜の粉末が溶融マンガン亜鉛フ
ェライトに溶は込む際に原料粉末を結晶核として析出し
てくる。析出した白金含有物質は溶融マンガン亜鉛フェ
ライトよりも密度が大きいために、溶融マンガン亜鉛フ
エライ１〜の中を下降してゆき、結晶化したマンカン亜
鉛フェライト単結晶と融体との固液界面に達すると、マ
ンガン亜鉛フェライト単結晶に異相として取り込まれる
。異相として取り込まれた白金含有粒子は非磁性である
ために、ヘッドとして用いる際に磁化の反転を妨害し、
雑音の源となるという問題があった。
白金は必ずしも溶融されたマンガン亜鉛フェライトに対
して安定ではなく雰囲気中に酸素が存在するとわずかな
がら溶融マンガン亜鉛フェライトと反応しその中に溶は
込む。溶融マンガン亜鉛フェライトに溶は込んだ白金含
有物質は、原料の追加のために坩堝上方から供給された
マンガン亜鉛フエライ１〜の粉末が溶融マンガン亜鉛フ
ェライトに溶は込む際に原料粉末を結晶核として析出し
てくる。析出した白金含有物質は溶融マンガン亜鉛フェ
ライトよりも密度が大きいために、溶融マンガン亜鉛フ
エライ１〜の中を下降してゆき、結晶化したマンカン亜
鉛フェライト単結晶と融体との固液界面に達すると、マ
ンガン亜鉛フェライト単結晶に異相として取り込まれる
。異相として取り込まれた白金含有粒子は非磁性である
ために、ヘッドとして用いる際に磁化の反転を妨害し、
雑音の源となるという問題があった。
本発明の目的は、ヘッドとして用いる際に雑音を発する
白金含有粒子の異相のないマンガン亜鉛フェライト単結
晶の育成方法を提供することにある。
白金含有粒子の異相のないマンガン亜鉛フェライト単結
晶の育成方法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
すなわち本発明のマンガン亜鉛フェライト単結晶の育成
方法は、垂直炉中に配置された逆円錐形底部を有する白
金坩堝内でマンガン亜鉛フェライ１−を溶融させ、この
白金坩堝を徐々に降下つつ、その上部開口端からマンカ
ン亜鉛フェライトを追加して前記白金坩堝の底部先端か
らマンガン亜鉛フェライト単結晶を育成するにあたり、
マンガン亜鉛フェライト融体と気相との気液界面におけ
る坩堝壁近傍のみを不活性ガス雰囲気とすることを特徴
とする。
方法は、垂直炉中に配置された逆円錐形底部を有する白
金坩堝内でマンガン亜鉛フェライ１−を溶融させ、この
白金坩堝を徐々に降下つつ、その上部開口端からマンカ
ン亜鉛フェライトを追加して前記白金坩堝の底部先端か
らマンガン亜鉛フェライト単結晶を育成するにあたり、
マンガン亜鉛フェライト融体と気相との気液界面におけ
る坩堝壁近傍のみを不活性ガス雰囲気とすることを特徴
とする。
本発明はマンガン亜鉛フェライト単結晶の育成を窒素ガ
スのような不活性ガス雰囲気中で行なえば従来の問題点
は解消されるものの、気相と接するマンガン亜鉛フェラ
イ１〜融体が還元されるという不都合点かあることから
、この気液界面上の坩堝壁近傍のみを不活性ガス雰囲気
とすれば良好な結果が１ｑられるという知見にもとづい
てなされたものである。
スのような不活性ガス雰囲気中で行なえば従来の問題点
は解消されるものの、気相と接するマンガン亜鉛フェラ
イ１〜融体が還元されるという不都合点かあることから
、この気液界面上の坩堝壁近傍のみを不活性ガス雰囲気
とすれば良好な結果が１ｑられるという知見にもとづい
てなされたものである。
本発明において坩堝壁近傍のみを不活性ガス雰囲気で満
たすことは、マンガン亜鉛フェライト融体の気液界面上
に、この界面から常に一定の間隔を有し、かつ白金坩堝
の内周壁と同軸かつ小径の筒状隔壁を設け、この両壁間
に不活性ガスを充満させることによって行なわれるのが
好ましい。
たすことは、マンガン亜鉛フェライト融体の気液界面上
に、この界面から常に一定の間隔を有し、かつ白金坩堝
の内周壁と同軸かつ小径の筒状隔壁を設け、この両壁間
に不活性ガスを充満させることによって行なわれるのが
好ましい。
［実施例］
次に本発明を実施例によって説明する。
（実施例）
第１図に示すように内側に白金製の円筒状の隔壁１を取
りつけた径１０ｃｍの白金坩堝２の中で、円筒状の隔壁
１の直下が溶融マンガン亜鉛フェライト３の液面となる
ように、マンガン亜鉛フェライトを溶融し、１６５０℃
に保持し融液が均一になるように撹拌保持した。隔壁１
と坩堝２は同軸に設けられ、両者の間隔は数ｍｍである
。坩堝２と円筒状の隔壁１との間には窒素ガスを充満せ
しめた。また、円筒状の隔壁１の内側は、大気に開放し
た。
りつけた径１０ｃｍの白金坩堝２の中で、円筒状の隔壁
１の直下が溶融マンガン亜鉛フェライト３の液面となる
ように、マンガン亜鉛フェライトを溶融し、１６５０℃
に保持し融液が均一になるように撹拌保持した。隔壁１
と坩堝２は同軸に設けられ、両者の間隔は数ｍｍである
。坩堝２と円筒状の隔壁１との間には窒素ガスを充満せ
しめた。また、円筒状の隔壁１の内側は、大気に開放し
た。
垂直電気炉４の温度を調節して坩堝２に温度勾配を生じ
させ、逆円錐状の先端部分より核発生させてマンガン亜
鉛フェライト単結晶５の成長を開始させた。円筒状の隔
壁１は固定したまま坩堝２を温度の低い下方に毎時５ｍ
ｍで移動させることにより、連続して結晶化を進行させ
た。坩堝先端部で結晶化が進行するに伴い融液の量が減
るので、マンガン亜鉛フェライ１〜融液の上方よりマン
ガン亜鉛フエライｉ・の粉末原料を落下Ｖしめて融液の
補充を行った。融液表面と隔壁１の間隔は数ｍｍとし成
長中一定とした。約３０ｃｍの長さに結晶が成長した時
点で原料供給を中止し、坩堝はそのまま下方に移動させ
ると共に全体を冷却させた後、白金坩堝を切り裂いてマ
ンガン亜鉛フェライト単結晶を取り出した。単結晶を「
クエハ状に切り出し、表面を研磨して顕微鏡で精密に観
察したところ、異相として取り込まれた白金含有粒子は
１ｃｍ２あたり１ケ以下であった。またこのようにして
製造したマンガン亜鉛フェライト単結晶を磁気ヘッド材
料として用いたところ雑音がなく良好な結果が得られた
。
させ、逆円錐状の先端部分より核発生させてマンガン亜
鉛フェライト単結晶５の成長を開始させた。円筒状の隔
壁１は固定したまま坩堝２を温度の低い下方に毎時５ｍ
ｍで移動させることにより、連続して結晶化を進行させ
た。坩堝先端部で結晶化が進行するに伴い融液の量が減
るので、マンガン亜鉛フェライ１〜融液の上方よりマン
ガン亜鉛フエライｉ・の粉末原料を落下Ｖしめて融液の
補充を行った。融液表面と隔壁１の間隔は数ｍｍとし成
長中一定とした。約３０ｃｍの長さに結晶が成長した時
点で原料供給を中止し、坩堝はそのまま下方に移動させ
ると共に全体を冷却させた後、白金坩堝を切り裂いてマ
ンガン亜鉛フェライト単結晶を取り出した。単結晶を「
クエハ状に切り出し、表面を研磨して顕微鏡で精密に観
察したところ、異相として取り込まれた白金含有粒子は
１ｃｍ２あたり１ケ以下であった。またこのようにして
製造したマンガン亜鉛フェライト単結晶を磁気ヘッド材
料として用いたところ雑音がなく良好な結果が得られた
。
なお上記実施例中、不活性ガスとして窒素のがわりにア
ルゴン、ヘリウムあるいはクリプトンを用いても同様の
マンガン亜鉛フェライト単結晶を得ることができた。
ルゴン、ヘリウムあるいはクリプトンを用いても同様の
マンガン亜鉛フェライト単結晶を得ることができた。
（比較例）
実施例と同じ条件で、坩堝と円筒状の壁との間も大気に
開放して、マンガン亜鉛フェライト単結晶の育成を行っ
た。育成されたマンガン亜鉛フェライト単結晶を切断し
て顕微鏡で観察したところ、粒径２０〜３０ＩＪＩｎの
白金含有粒子が１ｃｍ２あたり約４０ケの密度で兄いだ
され、磁気ヘッド材料としては使用できなかった。
開放して、マンガン亜鉛フェライト単結晶の育成を行っ
た。育成されたマンガン亜鉛フェライト単結晶を切断し
て顕微鏡で観察したところ、粒径２０〜３０ＩＪＩｎの
白金含有粒子が１ｃｍ２あたり約４０ケの密度で兄いだ
され、磁気ヘッド材料としては使用できなかった。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の方法を用いることにより
白金含有粒子を異相として取り込むことのないマンガン
亜鉛フェライト単結晶が得られる。
白金含有粒子を異相として取り込むことのないマンガン
亜鉛フェライト単結晶が得られる。
第１図は本発明の一実施例を説明するためのマンカン亜
鉛フェライト単結晶育成装置の縦断面図である。 １・・・円筒状隔壁 ２・・・白金坩堝 ３・・・溶融マンガン亜鉛フェライト ４・・・垂直電気炉 ５・・・マンガン亜鉛フェライト単結晶６・・・炉心管 ７・・・ヒータ 代理人弁理士 内 原 ２ 日 。
鉛フェライト単結晶育成装置の縦断面図である。 １・・・円筒状隔壁 ２・・・白金坩堝 ３・・・溶融マンガン亜鉛フェライト ４・・・垂直電気炉 ５・・・マンガン亜鉛フェライト単結晶６・・・炉心管 ７・・・ヒータ 代理人弁理士 内 原 ２ 日 。
Claims (1)
- （１）垂直炉中に配置された逆円錐形底部を有する白金
坩堝内でマンガン亜鉛フェライトを溶融させ、この白金
坩堝を徐々に降下つつ、その上部開口端からマンガン亜
鉛フェライトを追加して前記白金坩堝の底部先端からマ
ンガン亜鉛フェライト単結晶を育成するにあたり、マン
ガン亜鉛フェライト融体と気相との気液界面における坩
堝壁近傍のみを不活性ガス雰囲気とすることを特徴とす
るマンガン亜鉛フェライト単結晶の育成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1629686A JPS62176993A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | マンガン亜鉛フエライト単結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1629686A JPS62176993A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | マンガン亜鉛フエライト単結晶の育成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62176993A true JPS62176993A (ja) | 1987-08-03 |
Family
ID=11912581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1629686A Pending JPS62176993A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | マンガン亜鉛フエライト単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62176993A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5357898A (en) * | 1991-10-22 | 1994-10-25 | Hitachi Metals, Ltd. | Method of producing single crystal and apparatus therefor |
-
1986
- 1986-01-27 JP JP1629686A patent/JPS62176993A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5357898A (en) * | 1991-10-22 | 1994-10-25 | Hitachi Metals, Ltd. | Method of producing single crystal and apparatus therefor |
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