JPS62176993A - マンガン亜鉛フエライト単結晶の育成方法 - Google Patents
マンガン亜鉛フエライト単結晶の育成方法Info
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、結晶の育成方法に関する。特にいわゆるブリ
ッジマン法によるマンガン亜鉛フエライ1〜単結晶の育
成方法に関する。
ッジマン法によるマンガン亜鉛フエライ1〜単結晶の育
成方法に関する。
[従来の技術とその問題点]
マンガン亜鉛フェライト単結晶は情報処理用磁気記録機
器、オーディオ機器、ビデオ機器などにおいて、磁気記
録媒体からの信号の読み出しヘッド材料として用いられ
ており、通常は先端のとがった長い型に素材を入れ、そ
れを垂直炉中で溶かしたのち徐々に降下し、先端部分か
ら強制的に冷却、凝固させ、型通りの結晶を育成する、
いわゆるブリッジマン法によって製造されている。
器、オーディオ機器、ビデオ機器などにおいて、磁気記
録媒体からの信号の読み出しヘッド材料として用いられ
ており、通常は先端のとがった長い型に素材を入れ、そ
れを垂直炉中で溶かしたのち徐々に降下し、先端部分か
ら強制的に冷却、凝固させ、型通りの結晶を育成する、
いわゆるブリッジマン法によって製造されている。
従来よりこの型としては白金坩堝が用いられてきたが、
白金は必ずしも溶融されたマンガン亜鉛フェライトに対
して安定ではなく雰囲気中に酸素が存在するとわずかな
がら溶融マンガン亜鉛フェライトと反応しその中に溶は
込む。溶融マンガン亜鉛フェライトに溶は込んだ白金含
有物質は、原料の追加のために坩堝上方から供給された
マンガン亜鉛フエライ1〜の粉末が溶融マンガン亜鉛フ
ェライトに溶は込む際に原料粉末を結晶核として析出し
てくる。析出した白金含有物質は溶融マンガン亜鉛フェ
ライトよりも密度が大きいために、溶融マンガン亜鉛フ
エライ1〜の中を下降してゆき、結晶化したマンカン亜
鉛フェライト単結晶と融体との固液界面に達すると、マ
ンガン亜鉛フェライト単結晶に異相として取り込まれる
。異相として取り込まれた白金含有粒子は非磁性である
ために、ヘッドとして用いる際に磁化の反転を妨害し、
雑音の源となるという問題があった。
白金は必ずしも溶融されたマンガン亜鉛フェライトに対
して安定ではなく雰囲気中に酸素が存在するとわずかな
がら溶融マンガン亜鉛フェライトと反応しその中に溶は
込む。溶融マンガン亜鉛フェライトに溶は込んだ白金含
有物質は、原料の追加のために坩堝上方から供給された
マンガン亜鉛フエライ1〜の粉末が溶融マンガン亜鉛フ
ェライトに溶は込む際に原料粉末を結晶核として析出し
てくる。析出した白金含有物質は溶融マンガン亜鉛フェ
ライトよりも密度が大きいために、溶融マンガン亜鉛フ
エライ1〜の中を下降してゆき、結晶化したマンカン亜
鉛フェライト単結晶と融体との固液界面に達すると、マ
ンガン亜鉛フェライト単結晶に異相として取り込まれる
。異相として取り込まれた白金含有粒子は非磁性である
ために、ヘッドとして用いる際に磁化の反転を妨害し、
雑音の源となるという問題があった。
本発明の目的は、ヘッドとして用いる際に雑音を発する
白金含有粒子の異相のないマンガン亜鉛フェライト単結
晶の育成方法を提供することにある。
白金含有粒子の異相のないマンガン亜鉛フェライト単結
晶の育成方法を提供することにある。
[問題点を解決するための手段]
すなわち本発明のマンガン亜鉛フェライト単結晶の育成
方法は、垂直炉中に配置された逆円錐形底部を有する白
金坩堝内でマンガン亜鉛フェライ1−を溶融させ、この
白金坩堝を徐々に降下つつ、その上部開口端からマンカ
ン亜鉛フェライトを追加して前記白金坩堝の底部先端か
らマンガン亜鉛フェライト単結晶を育成するにあたり、
マンガン亜鉛フェライト融体と気相との気液界面におけ
る坩堝壁近傍のみを不活性ガス雰囲気とすることを特徴
とする。
方法は、垂直炉中に配置された逆円錐形底部を有する白
金坩堝内でマンガン亜鉛フェライ1−を溶融させ、この
白金坩堝を徐々に降下つつ、その上部開口端からマンカ
ン亜鉛フェライトを追加して前記白金坩堝の底部先端か
らマンガン亜鉛フェライト単結晶を育成するにあたり、
マンガン亜鉛フェライト融体と気相との気液界面におけ
る坩堝壁近傍のみを不活性ガス雰囲気とすることを特徴
とする。
本発明はマンガン亜鉛フェライト単結晶の育成を窒素ガ
スのような不活性ガス雰囲気中で行なえば従来の問題点
は解消されるものの、気相と接するマンガン亜鉛フェラ
イ1〜融体が還元されるという不都合点かあることから
、この気液界面上の坩堝壁近傍のみを不活性ガス雰囲気
とすれば良好な結果が1qられるという知見にもとづい
てなされたものである。
スのような不活性ガス雰囲気中で行なえば従来の問題点
は解消されるものの、気相と接するマンガン亜鉛フェラ
イ1〜融体が還元されるという不都合点かあることから
、この気液界面上の坩堝壁近傍のみを不活性ガス雰囲気
とすれば良好な結果が1qられるという知見にもとづい
てなされたものである。
本発明において坩堝壁近傍のみを不活性ガス雰囲気で満
たすことは、マンガン亜鉛フェライト融体の気液界面上
に、この界面から常に一定の間隔を有し、かつ白金坩堝
の内周壁と同軸かつ小径の筒状隔壁を設け、この両壁間
に不活性ガスを充満させることによって行なわれるのが
好ましい。
たすことは、マンガン亜鉛フェライト融体の気液界面上
に、この界面から常に一定の間隔を有し、かつ白金坩堝
の内周壁と同軸かつ小径の筒状隔壁を設け、この両壁間
に不活性ガスを充満させることによって行なわれるのが
好ましい。
[実施例]
次に本発明を実施例によって説明する。
(実施例)
第1図に示すように内側に白金製の円筒状の隔壁1を取
りつけた径10cmの白金坩堝2の中で、円筒状の隔壁
1の直下が溶融マンガン亜鉛フェライト3の液面となる
ように、マンガン亜鉛フェライトを溶融し、1650℃
に保持し融液が均一になるように撹拌保持した。隔壁1
と坩堝2は同軸に設けられ、両者の間隔は数mmである
。坩堝2と円筒状の隔壁1との間には窒素ガスを充満せ
しめた。また、円筒状の隔壁1の内側は、大気に開放し
た。
りつけた径10cmの白金坩堝2の中で、円筒状の隔壁
1の直下が溶融マンガン亜鉛フェライト3の液面となる
ように、マンガン亜鉛フェライトを溶融し、1650℃
に保持し融液が均一になるように撹拌保持した。隔壁1
と坩堝2は同軸に設けられ、両者の間隔は数mmである
。坩堝2と円筒状の隔壁1との間には窒素ガスを充満せ
しめた。また、円筒状の隔壁1の内側は、大気に開放し
た。
垂直電気炉4の温度を調節して坩堝2に温度勾配を生じ
させ、逆円錐状の先端部分より核発生させてマンガン亜
鉛フェライト単結晶5の成長を開始させた。円筒状の隔
壁1は固定したまま坩堝2を温度の低い下方に毎時5m
mで移動させることにより、連続して結晶化を進行させ
た。坩堝先端部で結晶化が進行するに伴い融液の量が減
るので、マンガン亜鉛フェライ1〜融液の上方よりマン
ガン亜鉛フエライi・の粉末原料を落下Vしめて融液の
補充を行った。融液表面と隔壁1の間隔は数mmとし成
長中一定とした。約30cmの長さに結晶が成長した時
点で原料供給を中止し、坩堝はそのまま下方に移動させ
ると共に全体を冷却させた後、白金坩堝を切り裂いてマ
ンガン亜鉛フェライト単結晶を取り出した。単結晶を「
クエハ状に切り出し、表面を研磨して顕微鏡で精密に観
察したところ、異相として取り込まれた白金含有粒子は
1cm2あたり1ケ以下であった。またこのようにして
製造したマンガン亜鉛フェライト単結晶を磁気ヘッド材
料として用いたところ雑音がなく良好な結果が得られた
。
させ、逆円錐状の先端部分より核発生させてマンガン亜
鉛フェライト単結晶5の成長を開始させた。円筒状の隔
壁1は固定したまま坩堝2を温度の低い下方に毎時5m
mで移動させることにより、連続して結晶化を進行させ
た。坩堝先端部で結晶化が進行するに伴い融液の量が減
るので、マンガン亜鉛フェライ1〜融液の上方よりマン
ガン亜鉛フエライi・の粉末原料を落下Vしめて融液の
補充を行った。融液表面と隔壁1の間隔は数mmとし成
長中一定とした。約30cmの長さに結晶が成長した時
点で原料供給を中止し、坩堝はそのまま下方に移動させ
ると共に全体を冷却させた後、白金坩堝を切り裂いてマ
ンガン亜鉛フェライト単結晶を取り出した。単結晶を「
クエハ状に切り出し、表面を研磨して顕微鏡で精密に観
察したところ、異相として取り込まれた白金含有粒子は
1cm2あたり1ケ以下であった。またこのようにして
製造したマンガン亜鉛フェライト単結晶を磁気ヘッド材
料として用いたところ雑音がなく良好な結果が得られた
。
なお上記実施例中、不活性ガスとして窒素のがわりにア
ルゴン、ヘリウムあるいはクリプトンを用いても同様の
マンガン亜鉛フェライト単結晶を得ることができた。
ルゴン、ヘリウムあるいはクリプトンを用いても同様の
マンガン亜鉛フェライト単結晶を得ることができた。
(比較例)
実施例と同じ条件で、坩堝と円筒状の壁との間も大気に
開放して、マンガン亜鉛フェライト単結晶の育成を行っ
た。育成されたマンガン亜鉛フェライト単結晶を切断し
て顕微鏡で観察したところ、粒径20〜30IJInの
白金含有粒子が1cm2あたり約40ケの密度で兄いだ
され、磁気ヘッド材料としては使用できなかった。
開放して、マンガン亜鉛フェライト単結晶の育成を行っ
た。育成されたマンガン亜鉛フェライト単結晶を切断し
て顕微鏡で観察したところ、粒径20〜30IJInの
白金含有粒子が1cm2あたり約40ケの密度で兄いだ
され、磁気ヘッド材料としては使用できなかった。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明の方法を用いることにより
白金含有粒子を異相として取り込むことのないマンガン
亜鉛フェライト単結晶が得られる。
白金含有粒子を異相として取り込むことのないマンガン
亜鉛フェライト単結晶が得られる。
第1図は本発明の一実施例を説明するためのマンカン亜
鉛フェライト単結晶育成装置の縦断面図である。 1・・・円筒状隔壁 2・・・白金坩堝 3・・・溶融マンガン亜鉛フェライト 4・・・垂直電気炉 5・・・マンガン亜鉛フェライト単結晶6・・・炉心管 7・・・ヒータ 代理人弁理士 内 原 2 日 。
鉛フェライト単結晶育成装置の縦断面図である。 1・・・円筒状隔壁 2・・・白金坩堝 3・・・溶融マンガン亜鉛フェライト 4・・・垂直電気炉 5・・・マンガン亜鉛フェライト単結晶6・・・炉心管 7・・・ヒータ 代理人弁理士 内 原 2 日 。
Claims (1)
- (1)垂直炉中に配置された逆円錐形底部を有する白金
坩堝内でマンガン亜鉛フェライトを溶融させ、この白金
坩堝を徐々に降下つつ、その上部開口端からマンガン亜
鉛フェライトを追加して前記白金坩堝の底部先端からマ
ンガン亜鉛フェライト単結晶を育成するにあたり、マン
ガン亜鉛フェライト融体と気相との気液界面における坩
堝壁近傍のみを不活性ガス雰囲気とすることを特徴とす
るマンガン亜鉛フェライト単結晶の育成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1629686A JPS62176993A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | マンガン亜鉛フエライト単結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1629686A JPS62176993A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | マンガン亜鉛フエライト単結晶の育成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62176993A true JPS62176993A (ja) | 1987-08-03 |
Family
ID=11912581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1629686A Pending JPS62176993A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | マンガン亜鉛フエライト単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62176993A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5357898A (en) * | 1991-10-22 | 1994-10-25 | Hitachi Metals, Ltd. | Method of producing single crystal and apparatus therefor |
-
1986
- 1986-01-27 JP JP1629686A patent/JPS62176993A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5357898A (en) * | 1991-10-22 | 1994-10-25 | Hitachi Metals, Ltd. | Method of producing single crystal and apparatus therefor |
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