JPH0946164A - 弾性表面波装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 弾性表面波素子の構成要素を形成するアルミ
電極などのマイグレーションによる劣化を抑え、で弾性
表面波装置の小型化、低コスト化を図ること。 【解決手段】 圧電基板の弾性表面波が伝搬する主面
と、該弾性表面波が伝搬する該圧電基板の主面に対向し
て内部に凹状の空間が形成されたキャップ状のガラス基
板とが、凹状の空間の空間部を内側に形成するように該
圧電基板の主面の周辺部とキャップ状のガラス基板の凸
部とで陽極接合法で接合されている弾性表面波装置にお
いて、上記圧電基板に弾性表面波を励振または、弾性表
面波を受信させるための弾性表面波素子の構成要素のう
ちの少なくとも一部が、上記ガラス基板の弾性表面波が
伝搬する上記圧電基板の主面に対向する凹部表面上に形
成されたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、圧電基板上に電極を形
成して弾性表面波を利用する弾性表面波装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、弾性表面波装置はフィルタ、共振
子、コンボルバ、マッチドフィルタなどとして、広く応
用されてきており、それに伴い装置の小型化、低コスト
化が要求されている。

【０００３】図６は従来の弾性表面波装置を示す概略図
である。図中、１００は弾性表面波素子、１０１はニオ
ブ酸リチウムなどの圧電基板、１０２，１０３は圧電基
板１の表面上に形成した櫛形電極、２０１はＦｅ、コヴ
ァールなどからなるメタルパッケージベース、２０２は
Ｆｅ、コヴァールなどからなるメタルパッケージキャッ
プ、２０３はボンディングワイヤ、２０４，２０５はボ
ンディングワイヤ２０３により接続されたリードピンで
ある。

【０００４】弾性表面波素子はメタル製やセラミック製
のパッケージベース２０１にマウントされ、ワイヤなど
でボンディングされた後、弾性表面波の伝搬路上の空間
を確保して、信頼性保持のためメタル製などのキャップ
２０２で気密封止される。

【０００５】

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、従
来の弾性表面波素子は、弾性表面波が伝搬する圧電基板
の主面上に、入力電極、出力電極などの弾性表面波素子
の構成要素が形成されていたため、弾性表面波素子の構
成要素を形成するアルミなどの電極のマイグレーション
による信頼性の低下が問題となっていた。

【０００６】さらに、従来の弾性表面波素子は、気密封
止したパッケージに収容する必要があり、その際、基板
表面の弾性表面波の伝搬路部分に空間を確保する必要が
あるため、メタル製やセラミック製などの高価なパッケ
ージが必要であり、更にパッケージサイズも大きくなる
欠点があった。

【０００７】さらに、外部湿度や環境の影響を防止する
ために封止する際にも、溶接機などの高価な専用封止装
置が必要であった。

【０００８】また、従来の弾性表面波素子は、電気信号
を弾性表面波素子に入力、および出力するために、弾性
表面波素子の一部に形成したボンディング用パッドと、
パッケージのリードピンなどとをワイヤボンディングな
どの手段によって接続する必要があった。

【０００９】特に、弾性表面波コンボルバ素子や弾性表
面波マッチドフィルタ素子は、フィルタなど他の弾性表
面素子に比べ、素子長が長くなるため、その分大きなパ
ッケージが必要となり、コストが非常に高くなる欠点が
あった。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の目的は弾性表面
波装置、及びそれを用いた受信装置及び通信装置におい
て、弾性表面波素子の構成要素を形成するアルミ電極な
どのマイグレーションによる劣化を抑えることである。

【００１１】また、本発明の目的は、従来用いられてい
たメタル製やセラミック製のパッケージを用いることな
く、弾性表面波素子のパッケージングを行うことで弾性
表面波装置の小型化、低コスト化を図ることである。

【００１２】更に本発明の目的は、弾性表面波コンボル
バ素子や弾性表面波マッチドフィルタ素子において小型
化、低コスト化を図ることである。更に本発明の目的
は、弾性表面波装置において、ワイヤボンディングを不
要とすることである。

【００１３】本発明は、上記目的を達成するためになさ
れたもので、弾性表面波が伝搬する圧電基板と、キャッ
プ状ガラス基板とを陽極接合によって接合した弾性表面
波装置において、櫛形電極などの弾性表面波素子の構成
要素をキャップ状ガラス基板の凹状部表面に形成するこ
とを特徴とする。

【００１４】さらに本発明は、上記キャップ状ガラス基
板にスルーホールを用いて形成することにより弾性表面
波素子と外部とを電気的に接合することを特徴とする。

【００１５】また、上記圧電基板の主面と、上記ガラス
基板の前記圧電基板の主面に対向する表面に形成された
上記弾性表面波素子の構成要素との距離は、上記圧電基
板の主面上を伝搬する前記弾性表面波にともなって発生
する電界が上記弾性表面波素子の構成要素に届く範囲内
であることを特徴とする。また上記圧電基板の主面上を
伝搬する弾性表面波にともなって発生する電界が上記弾
性表面波素子の構成要素に届く距離範囲は１０００ｎｍ
以下であることを特徴とする。さらに、上記弾性表面波
素子に少なくとも外部からの電気信号を入力または、外
部へ電気信号出力するための導電性スルーホールが、上
記ガラス基板に形成されており、上記スルーホールは上
記弾性表面波素子の構成要素と電気的に接続されている
ことを特徴とする。

【００１６】さらに、上記圧電基板と上記ガラス基板と
を上記陽極接合法で陽極接合するために、上記圧電基板
と上記ガラス基板間に、導電性の導電性薄膜が形成され
たことを特徴とする。また、上記導電性薄膜は、アルミ
ニウム、チタン、シリコンのうちの少なくともひとつで
あることを特徴とする。さらに、上記弾性表面波装置を
樹脂モールドしたことを特徴とする。

【００１７】本発明の上記構成によれば、櫛形電極など
の弾性表面波素子の構成要素は、弾性表面波が直接伝搬
しないキャップ状ガラス基板の凹状部に形成されている
ため、マイグレーションによる劣化が防げる。

【００１８】さらに、キャップ状ガラス基板の凹状部に
形成された弾性表面波素子の構成要素は、圧電基板の主
面上を伝搬する弾性表面波にともなって発生する電界が
弾性表面波素子の構成要素に届く距離範囲に配置されて
いるため、圧電基板上に形成された場合と同様な挙動を
示す。

【００１９】さらに、本発明の上記構成によれば、弾性
表面波用基板自体をパッケージベースとして利用してお
り、高価なメタルやセラミックを用いたパッケージベー
スが不要であり、また、キャップにも安価なガラス基板
を利用しているためメタルやセラミックを用いたパッケ
ージに比べ低コスト化が可能である。

【００２０】また、弾性表面波用基板自体をパッケージ
ベースとして利用しているため、従来用いていたメタル
やセラミックパッケージベースと比べ、サイズを大幅に
小さくできる。

【００２１】また、陽極接合によって弾性表面波用基板
とガラス基板とを接着しているため、気密性など、弾性
表面波素子の信頼性を損なうことなく、弾性表面波装置
の小型化、低コスト化が可能となる。

【００２２】さらに、キャップ状ガラス基板に形成した
スルーホールに形成することで、弾性表面波素子と外部
とを電気的に接合しているため、ワイヤボンディング工
程やバンブを用いるフェイスダウンボンディング工程
や、それに有していたスペースを省略できる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、各実施例として詳細に説明する。

【００２４】［第１の実施例］図１は本発明における弾
性表面波装置の第１の実施例を示す概念図であり、図２
は本発明の入力電極部の短手方向断面を示す断面図であ
る。

【００２５】図中、１０は弾性表面波フィルタ素子、１
１はニオブ酸リチウムなどの圧電体基板、２０は圧電基
板１１とキャップ状ガラス基板３０とを陽極接合するた
めに、圧電基板１１の主面上の弾性表面波が伝搬する領
域の周辺部に概略ロの字型に連続して形成した、Ａｌ，
Ｔｉなどの導電性薄膜、３０はリチウムイオン、ナトリ
ウムイオンなどの可動イオンを含み、圧電基板と熱膨張
係数のほぼ等しいガラスなどの材質からなり、内部に空
間を形成した逆凹型のキャップ状ガラス基板、３１はキ
ャップ状ガラス基板３０が導電性薄膜２０を介して、ま
たは導電性薄膜２０の一部を介さずに圧電基板１１と接
している領域、３２はガラス基板３０の圧電基板１１の
主面と対向する凹部の表面上に形成された櫛型入力電
極、３３はガラス基板３０の圧電基板１１の主面と対向
する凹部の表面上に形成された櫛型出力電極、３４ａ，
ｂはガラス基板３０の表面上の櫛型入力電極３２に隣接
して形成された、外部からの電気信号を弾性表面波素子
１０に入力する入力用パッド、３５ａ，ｂはガラス基板
３０の表面上の櫛型出力電極３３に隣接して形成され
た、弾性表面波素子１０から外部へ電気信号を出力する
出力用パッド、３２〜３５はＡｌなどの導電性材料から
なりガラス基板の凹部の表面上に直接形成される。

【００２６】４０はガラス基板に穴を形成し、穴の部分
に導電性物質を充填することで形成したスルーホール
（図１には示さず）である。

【００２７】ここで、陽極接合法は、熱膨張係数の比較
的近いガラスと導電体材料、導電体薄膜を１００〜４０
０℃と比較的低温で、数十〜数ｋＶ程度の電圧を印加す
ることで接合する方法で、導電性薄膜をガラス、半導
体、誘電体、金属等様々な基板上に形成することで、導
電体薄膜を介して、ガラスと多種類の基板との接合体を
形成することが可能となる。

【００２８】この陽極接合では、導電性薄膜としては、
Ａｌ，Ｔｉ等の材料が用いられる。

【００２９】これらは、「G.Wallis et al., Field Ass
isted GlassMetal Sealing. J. Appl.Phys.,Vol. 40, N
o. 10, pp3946-3949, 1969」や「須田ほか：マロリー接
着法による気密シール技術、東北大学科学計測研究報
告、第３３巻、第１号、ｐｐ．１６５−１７５，１９８
４」に述べられている。

【００３０】本発明の実施例の構成において、図１に示
した様に、圧電基板１１とキャップ状ガラス基板３０と
は、圧電基板１１の弾性表面波が伝搬する主面とガラス
基板３０の凹部が対向するように位置している。

【００３１】すなわち、圧電基板１１とキャップ状ガラ
ス基板３０とは、圧電基板１１の主面の外周辺部と、キ
ャップ状ガラス基板３０の外周辺に形成された凸部の表
面３１とが、概略ロの字型の領域２０で接している。そ
して、圧電基板１１の主面の外周辺部の領域には、陽極
接合によって圧電基板１１とキャップ状ガラス基板３０
とを接着するための、Ａｌ，Ｔｉ，Ｓｉなどの導電性薄
膜２０が蒸着法やスパッタ法やＣＶＤ法などにより形成
されている。

【００３２】次に、本実施例における陽極接合法につい
て、以下に詳細に説明する。圧電基板１１上の所望の接
合位置にキャップ状ガラス基板３０を載せて、１００℃
〜４００℃に加熱したホットプレートなどの加熱ヒータ
ー上に置き、電圧印加用プローブでガラス基板３０側に
負の電圧、導電性薄膜２０を形成した圧電基板１１側に
正の電圧を印加する。

【００３３】このようにすると、ガラス基板３０中のア
ルカリイオンが電界によって移動し、界面付近に空間電
荷層ができる。このとき、ガラス基板３０と圧電基板１
１の間には静電気引力が生じ、界面で化学反応がおこ
り、両者は接合される。

【００３４】このとき、ガラス基板３０と圧電基板１１
とは熱膨張係数が同じか、ほぼ等しいことが望ましい
が、本実施例のように導電性薄膜２０を介している場合
は、多少熱膨張係数が異なっていても両者は接合する。
また、加熱温度は、ナトリウムイオンを可動イオンとし
て含むガラスを用いて、導電性薄膜２０にアルミニウム
を用いた場合、２５０℃程度がよく、導電性薄膜２０に
チタンを用いた場合は、３００℃程度がよい。また、リ
チウムイオンを可動イオンとするガラスの場合、例えば
通常のいわゆる感光性ガラスの場合、加熱温度は約１２
０℃程度でよい。

【００３５】さらに、キャップ状ガラス基板３０の凹部
内表面には、弾性表面波素子を構成する構成要素、すな
わち櫛形入力電極３２，櫛形出力電極３３および入力パ
ッド３４，出力パッド３５が形成されている。

【００３６】このガラス基板３０をキャップ状に形成す
る方法としては、例えばガラス基板３０の凹面空間を形
成したい領域以外、すなわちガラス基板３０の周辺部に
エッチングマスクのための、Ｗ，Ｓｉ，Ｃｒ−Ａｕなど
の金属薄膜をスパッタ法などを用いて形成し、フッ酸な
どでエッチングすることでマスクが形成された領域以外
がエッチングされて、ガラス基板３０がキャップ状に形
成される。また、これ以外の、例えば機械的にくりぬい
たり、研削したりして他の方法でもよいが、ガラス基板
３０の凹面空間と圧電基板との距離を１０００ｎｍ以下
に維持できる方法に限られる。

【００３７】そして、図２に入力電極３２部分の断面図
を示す様に、ガラス基板３０には、入力パッド３４，出
力パッド３５と外部とを電気的に接続するための導電性
スルーホール４０が形成されている。この導電性スルー
ホール（ビアホール）４０の形成方法について、以下に
説明する。電気化学放電ドリル法として、接合したガ
ラス基板３０を水酸化アルカリ溶液などの中に浸し、ス
ルーホールを形成したい場所にニードルを置き、負の電
界を印加することで０．５〜１ｍｍ半径程度のスルーホ
ールを形成する。また超音波ドリル加工法として、超
音波ドリルを用いてスルーホールを形成する方法で、１
〜２ｍｍ半径程度のスルーホールを形成することができ
る。

【００３８】このような方法で形成したスルーホールの
内壁にた問えばメッキ法等で導電性材料を形成する。ま
たは、スルーホールを導電性材料で充填することで、圧
電基板上に形成したパッドと外部とを電気的に接続でき
る。

【００３９】このとき、圧電基板１１の弾性表面波が伝
搬する主面とガラス基板３０の凹部内表面上に形成した
弾性表面波の構成要素のうちの少なくとも櫛形電極３
２，３３とは、キャップ状ガラス基板３０の外周辺に形
成された凸部をスぺーサーとして、櫛形入力電極３２か
ら電界が、圧電基板１１の表面に弾性表面波を励振させ
るギャップ（たとえば数１００ｎｍ）をもって形成して
いる。

【００４０】このような構成の弾性表面波装置におい
て、外部からスルーホール４０および入力パッド３４を
介して、電気信号をガラス基板３０の凹部内表面上に形
成した入力櫛形電極３２に印加すると、櫛形電極３２よ
り数１００ｎｍのギャップを介して、電界誘導的に、対
向している圧電基板１１の主面上に弾性表面波が励振さ
れる。

【００４１】このようにして、圧電基板１１の主面上を
伝搬した弾性表面波は、弾性表面波の伝搬路の延長上に
入力櫛形電極３２と同様に数１００ｎｍのギャップを介
してガラス基板３０の凹部内表面上に形成された出力用
櫛形電極３３によって、電界誘導的に、電気信号として
取り出すことができる。ここで、ギャップを介して圧電
基板１１に電界が達し、弾性表面波を励振できる距離
は、少なくとも１０００ｎｍ以下であることが望まし
い。

【００４２】このような構成とすることで、弾性表面波
の励振、受信は、入力櫛形電極３２、出力櫛形電極３３
が圧電基板１１の主面上に形成された従来の弾性表面波
装置と同様の挙動を示すが、電極がガラス基板３０上に
形成されているため、圧電基板１１の弾性表面波による
振動が加わらず、マイグレーションによる電極の劣化が
起きない。

【００４３】さらに、従来の弾性表面波デバイスの様に
メタル製やセラミック製の専用パッケージが不要とな
る。

【００４４】また、陽極接合を例えば窒素ガスやアルゴ
ンガスなどの不活性雰囲気内で行うことで、気密封止が
可能で、従来の弾性表面波デバイスのように弾性表面波
素子チップをマウントした後、プロジェクション抵抗溶
接やシーム溶接などの高価な熔接装置等を用いて気密封
止することが不要である。

【００４５】このように、本発明に示した構成では、弾
性表面波装置の信頼性の向上、弾性表面波装置の小型
化、低コスト化が可能である。

【００４６】なお、上記実施例では、弾性表面波素子の
構成要素として、入力櫛形電極３２，出力櫛形電極３３
と櫛形電極に電気信号を入出力するための入力パッド３
４，出力パッド３５のみで構成された例を示したが、こ
れ以外の弾性表面波素子の構成要素であってもよい。

【００４７】また、キャップ状ガラス基板３０の凹部の
形状もこれ以外でもよく、弾性表面波の構成要素および
弾性表面波の伝搬に影響を及ぼさない形状であればよ
い。

【００４８】また、キャップ状ガラス基板３０は、モノ
リシックなガラス基板を化学的エッチングや機械的にく
りぬいて形成してもよく、また、複数枚のガラス基板を
張合せて形成してもよい。

【００４９】また、圧電基板１１の弾性表面波が伝搬す
る主面とガラス基板３０の凹部表面上に形成した櫛形電
極３２，３３とのギャップは、櫛形電極３２からの電界
が圧電基板１１の表面に弾性表面波を励振させ、さらに
は、圧電基板１１の表面上を伝搬する弾性表面波を受信
させる、すなわち、圧電基板１１の主面上を伝搬する弾
性表面波にともなって発生する電界が上記弾性表面波素
子の構成要素に届く範囲内のギャップであればよい。

【００５０】また、圧電基板１１上の導電性薄膜２０が
形成された陽極接合部の幅や形状も上記実施例で示した
ものに限られない。また、入出力パッド部３４，３５の
形状も丸型など他の形状でもよい。

【００５１】［第２実施例］以下、本発明の第２実施例
について詳細に説明する。図３は本発明における弾性表
面波装置の第２の実施例を示す概念図で、図４は図３の
短手方向断面を示す断面図である。なお、本実施例にお
いて、上記第１実施例における部材と同様の部材には同
一の符号を付し、重複する説明は一部省略する。

【００５２】図３，図４において、１０は弾性表面波コ
ンボルバ素子、１１はニオブ酸リチウムなどの圧電体基
板、３２はガラス基板３０の圧電基板１１の主面と対向
する凹部の表面上に形成された櫛型入力電極、３６はガ
ラス基板３０の圧電基板１１の主面と対向する凹部の表
面上に形成された出力電極、３４はガラス基板３０の圧
電基板１１の主面と対向する凹部の表面上に形成された
櫛型入力電極３２に接して形成された外部からの電気信
号を弾性表面波素子１０に入力する入力用パッド、４０
は出力電極３６の外部へ電気信号を出力する導電性スル
ーホール、３８は出力電極３６の１端部に接続された出
力取り出し用パッドである。ここで、櫛形入力電極３
２、入力用パッド３４、出力電極３６、及び出力用パッ
ド３８はＡｌなどの導電性材料からなり、蒸着法やスパ
ッタ法により形成された薄膜を通常フォトリソグラフィ
ー技術を用いてガラス基板３０の表面上に直接形成され
る。

【００５３】本実施例は弾性表面波素子として、コンボ
ルバを用いた例である。このような構成とすることで、
第１の実施例と同様の効果が得られる。

【００５４】すなわち、弾性表面波の励振、受信は、入
力櫛形電極３２、出力櫛形電極３６が圧電基板１１の主
面上に形成された従来の弾性表面波装置と同様の挙動を
示すが、入出力電極３２，３６がガラス基板３０上に形
成されているため、マイグレーションによる電極の劣化
がおこらなくなる。

【００５５】さらに、従来の弾性表面波デバイスの様に
メタル製やセラミック製の専用パッケージが不要とな
る。また、従来の弾性表面波デバイスのように弾性表面
波素子チップをマウントした後、プロジェクション抵抗
溶接やシーム溶接などの高価な熔接機等を用いて気密封
止することが不要である。

【００５６】特に本実施例に示した弾性表面波コンボル
バや、弾性表面波マッチドフィルタでは、フィルタなど
他の弾性表面波デバイスに比べ素子長が大きいため、パ
ッケージが特に大きくなり、装置全体に占めるパッケー
ジのコスト比が高い問題があったが、本発明によれば、
専用パッケージが不要であり、装置全体の小型化、低コ
スト化が可能である。

【００５７】［第３の実施例］以下、本発明の第３の実
施例について詳細に説明する。図５は本発明における弾
性表面波装置の第３の実施例を示す概念図である。な
お、本実施例において、上記第２の実施例における部材
と同様の部材には同一の符号を付し、重複する説明は一
部省略する。

【００５８】第３の実施例においては、出力電極３６の
みキャップ状ガラス基板上に形成され、入力電極３２が
圧電基板１１上に形成された例を示す。

【００５９】コンボルバにおいては、特に入力電極３２
から出力電極３６に弾性表面波を収束する構成の場合、
圧電基板の弾性表面波の振動によるアルミニウムなどの
電極材質のマイグレーションによる劣化は、入力電極３
２より出力電極３６の方が発生しやすいため、比較的電
極パターンのパターニグンしやすい出力電極３６のみ、
キャップ状ガラス基板に形成する。そうすることで、耐
マイグレーション対策と歩留りを向上することができ
る。

【００６０】上記第２及び第３の実施例において、コン
ボルバの出力取り出し箇所を１ケ所の例を示したが、出
力取り出し箇所を複数カ所としても良い。

【００６１】また、上記第２〜３実施例においては、弾
性表面波コンボルバの例として、エラスティック型コン
ボルバの例を示したが、ＡＥ型等ほかの弾性表面波コン
ボルバにも適応できる。

【００６２】また第２及び第３の実施例において、入力
電極として、直線形の正規型電極（ＩＤＴ）を用いた例
を示したが、円弧型、アポダイズ型、チャープ型など他
のＩＤＴを用いた場合や、マルチストリップカプラや、
ホーンなどの収束手段を用いることもよく、この場合、
出力電極に弾性表面波を収束させる構成となっている場
合に特に効果がある。

【００６３】さらに上記第１乃至第３の実施例において
は、弾性表面波素子の例としてフィルタとコンボルバの
例を示したが、それ以外でも、例えば共振器、マッチド
フィルタ、などほかの弾性表面波素子に適応できるのは
勿論である。

【００６４】また、上記第１実施例においては、弾性表
面波フィルタの例として、通常のトランスバーサルフィ
ルタの例を示したが、共振器型や多電極型等ほかの弾性
表面波フィルタにも適応できる。

【００６５】更に上記第１〜第３の実施例においては、
陽極接合された弾性表面波装置を樹脂などでモールドす
ることで、弾性表面波装置の信頼性を向上させることが
できる。

【００６６】なお、上記第１〜第３の実施例において、
圧電基板１１はニオブ酸リチウムを用いた例を示した
が、これに限定されるものではなく、タンタル酸リチウ
ム、水晶などの他の圧電単結晶基板や、半導体やガラス
基板上に圧電膜を付加した構造等であってもよい。

【００６７】また、上記第１〜第３の実施例において、
ガラス基板３０は可動イオンを含む熱膨張係数が圧電基
板１１とほぼ等しいものとしたが、これ以外でもよく、
可動イオンを含むガラス基板であればよい。

【００６８】また、第１〜第３の実施例において、導電
性薄膜と圧電基板との間に、導電性薄膜と圧電基板との
密着性を向上させるクロムなどを下引きしてもよい。

【００６９】さらに第１〜第３実施例においては、スル
ーホール４０の太さは、所望の特性インピーダンスなど
を考慮して任意に決めることができ、本実施例の説明図
に示した限りではない。また、スルーホール４０の材質
は導電性を有すれば任意の材質を用いることができる。

【００７０】さらに上記第１〜第３の実施例において
は、キャップ状ガラス基板３０の内側を入出力電極や入
出力パッド以外についてメタライズすることで電磁波を
抑圧できる。

【００７１】さらに、上記実施例において、櫛型入力電
極をダブル電極（スプリット電極）とすることにより、
該入力電極における弾性表面波の反射を抑圧できて、一
方向性として素子の特性を一層良好なものにすることが
できる。

【００７２】また、上記実施例において、圧電基板上に
入出力電極、ボンディングパッドのみが形成された例を
示したが、そのほかにシールドパターン、グランド用パ
ターン等が形成されていてもよい。

【００７３】上記第３の実施例において、弾性表面波の
集束手段として入力電極と出力電極の間の圧電基板側
に、パラボリック・ホーン型導波路、マルチストリップ
カプラ等の集束手段を設けて、出力電極３６の導波路に
集束させてもよい。

【００７４】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、弾
性表面波装置、およびそれを用いたシステムにおいて、
弾性表面波が伝搬する圧電基板と、キャップ状ガラス基
板とを陽極接合によって接合した弾性表面波装置におい
て、櫛形電極などの弾性表面波素子の構成要素をキャッ
プ状ガラス基板の凹状部内に形成し、キャップ状ガラス
基板にスルーホールに形成することで弾性表面波素子と
外部とを電気的に接続することで、櫛形電極などの弾性
表面波素子の構成要素のアルミのマイグレーションによ
る劣化が防止できる。

【００７５】さらに、キャップ状ガラス基板の凹状部に
形成された弾性表面波の構成要素は、圧電基板の主面上
を伝搬する弾性表面波にともなって発生する電界が弾性
表面波素子の構成要素に届く距離範囲に配置されている
ため、圧電基板上に形成された場合と同様な挙動を示
す。

【００７６】さらに、本発明の上記構成によれば、弾性
表面波用圧電基板自体をパッケージベースとして利用し
ており、高価なメタルやセラミックを用いたパッケージ
ベースが不要であり、また、キャップにも安価なガラス
基板を利用しているためメタルやセラミックを用いたパ
ッケージに比べ低コスト化が可能である。

【００７７】また、弾性表面波用圧電基板自体をパッケ
ージベースとして利用しているため、従来用いていたメ
タルやセラミックパッケージベースと比べ、サイズを大
幅に小さくできる。

【００７８】また、陽極接合によって弾性表面波用基板
とガラス基板とを接着しているため、気密性など、弾性
表面波素子の信頼性を損なうことなく、弾性表面波装置
の小型化、低コスト化が可能となる。

【００７９】さらに、キャップ状ガラス基板に形成した
スルーホールを形成することで弾性表面波素子と外部と
を電気的に接合しているため、ワイヤボンディング工程
やバンブを用いるフエイスダウンボンディング工程や、
それに有していたスペースを省略できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における第１の実施例の弾性表面波装置
を示す概略図である。

【図２】本発明における弾性表面波装置の第１の実施例
を示す短手方向断面を示す断面図である。

【図３】本発明における弾性表面波装置の第２の実施例
を示す概略図である。

【図４】本発明における弾性表面波装置の第２の実施例
を示す短手方向断面を示す断面図である。

【図５】本発明における弾性表面波装置の第３の実施例
を示す概略図である。

【図６】従来の弾性表面波装置の例を示す概略断面図で
ある。

【符号の説明】

１０ 弾性表面波フィルタ素子 １１ ニオブ酸リチウムなどの圧電体基板 ２０ 導電性（酸化性金属材料）薄膜 ３０ キャップ状ガラス基板 ３２ 圧電基板１１の表面上に形成された櫛型入力電極 ３３ 圧電基板１１の表面上に形成された櫛型出力電極 ３４ 入力用パッド ３５ 出力用パッド ４０ スルーホール １１０ 弾性表面波コンボルバ素子 １１１ Ｙカット（Ｚ伝搬）ニオブ酸リチウムなどの圧
電基板 １１２，１１３ 圧電基板１の表面上に形成した櫛型入
力電極である。 １１４ 圧電基板１の表面上に形成した出力電極 １１５ 出力電極に形成した複数のボンディングパッド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 蜂巣 高弘 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 江口 正 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 横田 あかね 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 圧電基板の弾性表面波が伝搬する主面
   と、該弾性表面波が伝搬する該圧電基板の主面に対向し
   て内部に凹状の空間が形成されたキャップ状のガラス基
   板とが、前記凹状の空間の空間部を内側に形成するよう
   に前記圧電基板の主面の周辺部と前記キャップ状のガラ
   ス基板の凸部とで陽極接合法で接合されている弾性表面
   波装置において、 前記圧電基板に前記弾性表面波を励振または前記弾性表
   面波を受信させるための弾性表面波素子の構成要素のう
   ちの少なくとも一部が、前記弾性表面波が伝搬する前記
   圧電基板の主面に対向する前記ガラス基板の凹部内面に
   形成されたことを特徴とする弾性表面波装置。
2. 【請求項２】 前記ガラス基板の凹部内面に形成された
   前記弾性表面波素子の構成要素は、前記弾性表面波を励
   振または受信するための櫛形電極であることを特徴とす
   る請求項１に記載の弾性表面波装置。
3. 【請求項３】 前記弾性表面波素子は、前記弾性表面波
   素子の構成要素が少なくとも２つの櫛形入力電極と１つ
   の出力電極とよりなる弾性表面波コンボルバであって、
   前記構成要素のうちの少なくとも一部が前記ガラス基板
   の凹部内面に形成されたことを特徴とする請求項１又は
   ２に記載の弾性表面波装置。
4. 【請求項４】 前記弾性表面波素子は、前記弾性表面波
   素子の構成要素が少なくとも２つの櫛形入力電極と１つ
   の出力電極とよりなる弾性表面波コンボルバであって、
   当該出力電極のみが前記ガラス基板の凹部内面に形成さ
   れたことを特徴とする請求項１又は２に記載の弾性表面
   波装置。
5. 【請求項５】 前記圧電基板の主面と、前記ガラス基板
   の前記圧電基板の主面に対向する表面に形成され前記弾
   性表面波素子の構成要素との距離は、前記圧電基板の主
   面上を伝搬する前記弾性表面波にともなって発生する電
   界が前記弾性表面波素子の構成要素に届く範囲内である
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載
   の弾性表面波装置。
6. 【請求項６】 前記圧電基板の主面上を伝搬する前記弾
   性表面波にともなって発生する電界が前記弾性表面波素
   子の構成要素に届く距離範囲は１０００ｎｍ以下である
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載
   の弾性表面波装置。
7. 【請求項７】 前記弾性表面波素子に対応した少なくと
   も外部からの電気信号を入力または外部へ電気信号を出
   力するための導電性スルーホールが、前記ガラス基板に
   形成されており、前記スルーホールは前記弾性表面波素
   子の構成要素と電気的に接続されていることを特徴とす
   る請求項１乃至６のいずれか１項に記載の弾性表面波装
   置。
8. 【請求項８】 前記圧電基板と前記ガラス基板とを前記
   陽極接合法で陽極接合するために、前記圧電基板と前記
   ガラス基板間に、導電性の導電性薄膜が形成されたこと
   を特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の弾
   性表面波装置。
9. 【請求項９】 前記導電性薄膜は、アルミニウム、チタ
   ン、シリコンのうちの少なくともひとつであることを特
   徴とする請求項８に記載の弾性表面波装置。
10. 【請求項１０】 請求項１乃至９のいずれか１項に記載
    の弾性表面波装置を樹脂モールドしたことを特徴とする
    弾性表面波装置。